JPH11164585A - ブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方法及びブラシレスモータの駆動制御装置 - Google Patents
ブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方法及びブラシレスモータの駆動制御装置Info
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- JPH11164585A JPH11164585A JP9341888A JP34188897A JPH11164585A JP H11164585 A JPH11164585 A JP H11164585A JP 9341888 A JP9341888 A JP 9341888A JP 34188897 A JP34188897 A JP 34188897A JP H11164585 A JPH11164585 A JP H11164585A
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源供給を断った際のモータの慣性回転によ
り生ずる逆起電力に起因するモータの異音の発生を抑圧
する。 【解決手段】 電源スイッチ7が開成され、速度設定信
号VINDが所定値V1(例えば6v)以下となると、制御
部6による第4乃至第6のMOS FET13〜15の
PWM制御による駆動が停止されるが、電源電圧が第2
の所定値(例えば4v)以下となるまでは、制御部6が
動作するため、第1乃至第3のMOS FET10〜1
3が通常時と同様にオン・オフされ、ロータの慣性回転
により生じた逆起電圧によるコイル電流が第1乃至第3
のMOS FET10〜13を介して流通され、従来の
ような異音の発生が防止される。
り生ずる逆起電力に起因するモータの異音の発生を抑圧
する。 【解決手段】 電源スイッチ7が開成され、速度設定信
号VINDが所定値V1(例えば6v)以下となると、制御
部6による第4乃至第6のMOS FET13〜15の
PWM制御による駆動が停止されるが、電源電圧が第2
の所定値(例えば4v)以下となるまでは、制御部6が
動作するため、第1乃至第3のMOS FET10〜1
3が通常時と同様にオン・オフされ、ロータの慣性回転
により生じた逆起電圧によるコイル電流が第1乃至第3
のMOS FET10〜13を介して流通され、従来の
ような異音の発生が防止される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、モータの駆動制御
に係り、特に、いわゆるブラシレスモータの駆動制御に
起因する騒音の低減を図ったものに関する。
に係り、特に、いわゆるブラシレスモータの駆動制御に
起因する騒音の低減を図ったものに関する。
【0002】
【従来の技術】いわゆるブラシレスモータの駆動回路と
しては、例えば、実開平7−30579号公報に示され
たように、6個のトランジスタをいわゆる三相ブリッジ
接続した通電回路を設ける一方、永久磁石からなるロー
タの周囲に配置された3つのホール素子の検出信号に基
づいて、通電回路の各トランジスタのいわゆるオン・オ
フを制御するようにしたものが公知・周知となってい
る。
しては、例えば、実開平7−30579号公報に示され
たように、6個のトランジスタをいわゆる三相ブリッジ
接続した通電回路を設ける一方、永久磁石からなるロー
タの周囲に配置された3つのホール素子の検出信号に基
づいて、通電回路の各トランジスタのいわゆるオン・オ
フを制御するようにしたものが公知・周知となってい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
構成のブラシレスモータの動作状態において、電源スイ
ッチを開成して電源供給を停止した場合、ロータは慣性
力により回転を続け、徐々にその回転速度が低下してゆ
くが、この際、ステータコイルに生ずる誘導起電力に起
因してモータから異音が発生し、耳障りであるという問
題がある。すなわち、電源スイッチが開成(オフ)され
た後の、一つのステータコイルの通電回路側の一端の電
圧変化に注目すると、全体的にはいわゆる回路時定数に
応じた速度で時間の経過と共に徐々に低下してゆくもの
となる(図4参照)。
構成のブラシレスモータの動作状態において、電源スイ
ッチを開成して電源供給を停止した場合、ロータは慣性
力により回転を続け、徐々にその回転速度が低下してゆ
くが、この際、ステータコイルに生ずる誘導起電力に起
因してモータから異音が発生し、耳障りであるという問
題がある。すなわち、電源スイッチが開成(オフ)され
た後の、一つのステータコイルの通電回路側の一端の電
圧変化に注目すると、全体的にはいわゆる回路時定数に
応じた速度で時間の経過と共に徐々に低下してゆくもの
となる(図4参照)。
【0004】ところが、このように全体の電圧が低下し
てゆく中で、ロータ回転によって生じた誘導起電圧が、
通電回路を構成する各トランジスタと並列接続状態で設
けられたいわゆる環流ダイオードの内、いわゆるハイサ
イド側のトランジスタ(供給電源側に接続されたトラン
ジスタ)に並列接続された3つの何れかの環流ダイオー
ドの順方向電圧を越えることがあり、環流ダイオードが
瞬時導通状態となり、対応するステータコイルに一時的
に電流が流れる。このような瞬時の電流の発生に起因し
て、モータにおいて例えば「ゴト」というような異音が
生じ、使用者の耳障りとなっていた。図4において、点
線で囲まれた箇所は、このようなダイオードの導通によ
る瞬間的な電圧降下を示す一例であり、このような瞬間
的な電圧降下は、全体的な電圧の低下の中で複数回生ず
る。
てゆく中で、ロータ回転によって生じた誘導起電圧が、
通電回路を構成する各トランジスタと並列接続状態で設
けられたいわゆる環流ダイオードの内、いわゆるハイサ
イド側のトランジスタ(供給電源側に接続されたトラン
ジスタ)に並列接続された3つの何れかの環流ダイオー
ドの順方向電圧を越えることがあり、環流ダイオードが
瞬時導通状態となり、対応するステータコイルに一時的
に電流が流れる。このような瞬時の電流の発生に起因し
て、モータにおいて例えば「ゴト」というような異音が
生じ、使用者の耳障りとなっていた。図4において、点
線で囲まれた箇所は、このようなダイオードの導通によ
る瞬間的な電圧降下を示す一例であり、このような瞬間
的な電圧降下は、全体的な電圧の低下の中で複数回生ず
る。
【0005】本発明は、上記実状に鑑みてなされたもの
で、電源供給を断った際に生ずるモータの異音を低減で
きるブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御
方法及び駆動制御装置を提供するものである。本発明の
他の目的は、簡易な構成により異音発生を抑圧すること
のできるブラシレスモータの駆動制御装置における駆動
制御方法及び駆動制御装置を提供することにある。
で、電源供給を断った際に生ずるモータの異音を低減で
きるブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御
方法及び駆動制御装置を提供するものである。本発明の
他の目的は、簡易な構成により異音発生を抑圧すること
のできるブラシレスモータの駆動制御装置における駆動
制御方法及び駆動制御装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明に係
るブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方
法は、電源とアースとの間でスイッチング素子がブリッ
ジ接続され、ブラシレスモータに設けられたホール素子
の検出信号と、ブラシレスモータの回転速度設定のため
外部入力される信号とに基づいて、前記スイッチング素
子の駆動が制御され、前記ブラシレスモータのステータ
コイルに通電がなされるよう構成されてなるブラシレス
モータの駆動制御装置における駆動制御方法であって、
前記ブラシレスモータの回転速度設定のための信号入力
が、第1の所定電圧以下となったときに、前記ブリッジ
接続されたスイッチング素子の内、前記アース側に一端
が接続されているスイッチング素子か、または、前記電
源側に一端が接続されたスイッチング素子の何れか一方
側のスイッチング素子の駆動を停止し、電源電圧が前記
第1の所定電圧よりも小さな第2の所定電圧以下となっ
たときに、残りのスイッチング素子の駆動を停止するよ
う構成されてなるものである。
るブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方
法は、電源とアースとの間でスイッチング素子がブリッ
ジ接続され、ブラシレスモータに設けられたホール素子
の検出信号と、ブラシレスモータの回転速度設定のため
外部入力される信号とに基づいて、前記スイッチング素
子の駆動が制御され、前記ブラシレスモータのステータ
コイルに通電がなされるよう構成されてなるブラシレス
モータの駆動制御装置における駆動制御方法であって、
前記ブラシレスモータの回転速度設定のための信号入力
が、第1の所定電圧以下となったときに、前記ブリッジ
接続されたスイッチング素子の内、前記アース側に一端
が接続されているスイッチング素子か、または、前記電
源側に一端が接続されたスイッチング素子の何れか一方
側のスイッチング素子の駆動を停止し、電源電圧が前記
第1の所定電圧よりも小さな第2の所定電圧以下となっ
たときに、残りのスイッチング素子の駆動を停止するよ
う構成されてなるものである。
【0007】かかる方法によれば、ブラシレスモータの
回転速度設定のための信号入力が、第1の所定電圧以下
となったときに、例えば、いわゆるローサイドのスイッ
チング素子の駆動が停止され、それによって、ステータ
コイルへの通電が停止されることとなり、ロータは慣性
力による回転状態とされる。このロータの慣性力による
回転によって、ステータコイルには、逆起電力が生ずる
が、電源電圧が第2の所定電圧以下となるまでは、残り
のスイッチング素子であるいわゆるハイサイド、すなわ
ち一端が電源側に接続されたスイッチング素子が未だオ
ン・オフされているため、その逆起電力によるコイル電
流がオン状態にあるスイッチング素子を介して流される
ことで、従来のような環流ダイオードの瞬時の通電に起
因するコイル電流による異音の発生がなくなるものであ
る。
回転速度設定のための信号入力が、第1の所定電圧以下
となったときに、例えば、いわゆるローサイドのスイッ
チング素子の駆動が停止され、それによって、ステータ
コイルへの通電が停止されることとなり、ロータは慣性
力による回転状態とされる。このロータの慣性力による
回転によって、ステータコイルには、逆起電力が生ずる
が、電源電圧が第2の所定電圧以下となるまでは、残り
のスイッチング素子であるいわゆるハイサイド、すなわ
ち一端が電源側に接続されたスイッチング素子が未だオ
ン・オフされているため、その逆起電力によるコイル電
流がオン状態にあるスイッチング素子を介して流される
ことで、従来のような環流ダイオードの瞬時の通電に起
因するコイル電流による異音の発生がなくなるものであ
る。
【0008】請求項2記載の発明に係るブラシレスモー
タの駆動制御装置における駆動制御方法は、電源とアー
スとの間でスイッチング素子がブリッジ接続され、ブラ
シレスモータに設けられたホール素子の検出信号と、ブ
ラシレスモータの回転速度設定のため外部入力される信
号とに基づいて、前記スイッチング素子の駆動が制御さ
れ、前記ブラシレスモータのステータコイルに通電がな
されるよう構成されてなるブラシレスモータの駆動制御
装置における駆動制御方法であって、電源電圧が、第1
の所定電圧以下となったときに、前記ブリッジ接続され
たスイッチング素子の内、前記アース側に一端が接続さ
れているスイッチング素子か、または、前記電源側に一
端が接続されたスイッチング素子の何れか一方側のスイ
ッチング素子の駆動を停止し、電源電圧が前記第1の所
定電圧よりも小さな第2の所定電圧以下となったとき
に、残りのスイッチング素子の駆動を停止するよう構成
されてなるものである。
タの駆動制御装置における駆動制御方法は、電源とアー
スとの間でスイッチング素子がブリッジ接続され、ブラ
シレスモータに設けられたホール素子の検出信号と、ブ
ラシレスモータの回転速度設定のため外部入力される信
号とに基づいて、前記スイッチング素子の駆動が制御さ
れ、前記ブラシレスモータのステータコイルに通電がな
されるよう構成されてなるブラシレスモータの駆動制御
装置における駆動制御方法であって、電源電圧が、第1
の所定電圧以下となったときに、前記ブリッジ接続され
たスイッチング素子の内、前記アース側に一端が接続さ
れているスイッチング素子か、または、前記電源側に一
端が接続されたスイッチング素子の何れか一方側のスイ
ッチング素子の駆動を停止し、電源電圧が前記第1の所
定電圧よりも小さな第2の所定電圧以下となったとき
に、残りのスイッチング素子の駆動を停止するよう構成
されてなるものである。
【0009】かかる方法によれば、電源電圧が、第1の
所定電圧以下となったときに、例えば、いわゆるローサ
イドのスイッチング素子の駆動が停止され、それによっ
て、ステータコイルへの通電が停止されることとなり、
ロータは慣性力による回転状態とされる。このロータの
慣性力による回転によって、ステータコイルには、逆起
電力が生ずるが、電源電圧が第2の所定電圧以下となる
までは、残りのスイッチング素子であるいわゆるハイサ
イド、すなわち一端が電源側に接続されたスイッチング
素子が未だオン・オフされているため、その逆起電力に
よるコイル電流がオン状態にあるスイッチング素子を介
して流されることで、従来のような環流ダイオードの瞬
時の通電に起因するコイル電流による異音の発生がなく
なるものである。
所定電圧以下となったときに、例えば、いわゆるローサ
イドのスイッチング素子の駆動が停止され、それによっ
て、ステータコイルへの通電が停止されることとなり、
ロータは慣性力による回転状態とされる。このロータの
慣性力による回転によって、ステータコイルには、逆起
電力が生ずるが、電源電圧が第2の所定電圧以下となる
までは、残りのスイッチング素子であるいわゆるハイサ
イド、すなわち一端が電源側に接続されたスイッチング
素子が未だオン・オフされているため、その逆起電力に
よるコイル電流がオン状態にあるスイッチング素子を介
して流されることで、従来のような環流ダイオードの瞬
時の通電に起因するコイル電流による異音の発生がなく
なるものである。
【0010】請求項3記載の発明に係るブラシレスモー
タの駆動制御装置は、電源とアースとの間でスイッチン
グ素子がブリッジ接続されて、ブラシレスモータのステ
ータコイルへの通電を行う通電駆動部と、ブラシレスモ
ータに設けられたホール素子の検出信号と、ブラシレス
モータの回転速度設定のため外部入力される信号とに基
づいて、前記通電駆動部のスイッチング素子の駆動を制
御する制御部と、を具備してなるブラシレスモータの駆
動制御装置であって、前記制御部は、前記ブラシレスモ
ータの回転速度設定のための信号入力が、第1の所定電
圧以下となったときに、前記ブリッジ接続されたスイッ
チング素子の内、前記アース側に一端が接続されている
スイッチング素子か、または、前記電源側に一端が接続
されたスイッチング素子の何れか一方側のスイッチング
素子の駆動を停止し、電源電圧が前記第1の所定電圧よ
りも小さな第2の所定電圧以下となったときに、残りの
スイッチング素子の駆動を停止するよう構成されてなる
ものである。
タの駆動制御装置は、電源とアースとの間でスイッチン
グ素子がブリッジ接続されて、ブラシレスモータのステ
ータコイルへの通電を行う通電駆動部と、ブラシレスモ
ータに設けられたホール素子の検出信号と、ブラシレス
モータの回転速度設定のため外部入力される信号とに基
づいて、前記通電駆動部のスイッチング素子の駆動を制
御する制御部と、を具備してなるブラシレスモータの駆
動制御装置であって、前記制御部は、前記ブラシレスモ
ータの回転速度設定のための信号入力が、第1の所定電
圧以下となったときに、前記ブリッジ接続されたスイッ
チング素子の内、前記アース側に一端が接続されている
スイッチング素子か、または、前記電源側に一端が接続
されたスイッチング素子の何れか一方側のスイッチング
素子の駆動を停止し、電源電圧が前記第1の所定電圧よ
りも小さな第2の所定電圧以下となったときに、残りの
スイッチング素子の駆動を停止するよう構成されてなる
ものである。
【0011】かかる構成は、請求項1記載の発明に係る
ブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方法
を実行するに適したもので、制御部が特に、前記ブラシ
レスモータの回転速度設定のための信号入力が、第1の
所定電圧以下となったときに、前記ブリッジ接続された
スイッチング素子の内、前記アース側に一端が接続され
ているスイッチング素子か、または、前記電源側に一端
が接続されたスイッチング素子の何れか一方側のスイッ
チング素子の駆動を停止する一方、電源電圧が前記第1
の所定電圧よりも小さな第2の所定電圧以下となったと
きに、残りのスイッチング素子の駆動を停止するよう構
成されてなる点に特徴を有するものである。このように
構成された制御部により、請求項1記載の発明に係る駆
動制御方法と同様に、ステータコイルへの通電が停止さ
れた後のロータの慣性力による回転により生ずる逆起電
力によるコイル電流を、例えば、いわゆるハイサイド側
のオン状態にあるスイッチング素子を介して流すことが
できるので、従来のような環流ダイオードの瞬時の通電
に起因するコイル電流による異音の発生がなくなるもの
である。
ブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方法
を実行するに適したもので、制御部が特に、前記ブラシ
レスモータの回転速度設定のための信号入力が、第1の
所定電圧以下となったときに、前記ブリッジ接続された
スイッチング素子の内、前記アース側に一端が接続され
ているスイッチング素子か、または、前記電源側に一端
が接続されたスイッチング素子の何れか一方側のスイッ
チング素子の駆動を停止する一方、電源電圧が前記第1
の所定電圧よりも小さな第2の所定電圧以下となったと
きに、残りのスイッチング素子の駆動を停止するよう構
成されてなる点に特徴を有するものである。このように
構成された制御部により、請求項1記載の発明に係る駆
動制御方法と同様に、ステータコイルへの通電が停止さ
れた後のロータの慣性力による回転により生ずる逆起電
力によるコイル電流を、例えば、いわゆるハイサイド側
のオン状態にあるスイッチング素子を介して流すことが
できるので、従来のような環流ダイオードの瞬時の通電
に起因するコイル電流による異音の発生がなくなるもの
である。
【0012】請求項4記載の発明に係るブラシレスモー
タの駆動制御装置は、電源とアースとの間でスイッチン
グ素子がブリッジ接続されて、ブラシレスモータのステ
ータコイルへの通電を行う通電駆動部と、ブラシレスモ
ータに設けられたホール素子の検出信号と、ブラシレス
モータの回転速度設定のため外部入力される信号とに基
づいて、前記通電駆動部のスイッチング素子の駆動を制
御する制御部と、を具備してなるブラシレスモータの駆
動制御装置であって、前記制御部は、電源電圧が、第1
の所定電圧以下となったときに、前記ブリッジ接続され
たスイッチング素子の内、前記アース側に一端が接続さ
れているスイッチング素子か、または、前記電源側に一
端が接続されたスイッチング素子の何れか一方側のスイ
ッチング素子の駆動を停止し、電源電圧が前記第1の所
定電圧よりも小さな第2の所定電圧以下となったとき
に、残りのスイッチング素子の駆動を停止するよう構成
されてなるものである。
タの駆動制御装置は、電源とアースとの間でスイッチン
グ素子がブリッジ接続されて、ブラシレスモータのステ
ータコイルへの通電を行う通電駆動部と、ブラシレスモ
ータに設けられたホール素子の検出信号と、ブラシレス
モータの回転速度設定のため外部入力される信号とに基
づいて、前記通電駆動部のスイッチング素子の駆動を制
御する制御部と、を具備してなるブラシレスモータの駆
動制御装置であって、前記制御部は、電源電圧が、第1
の所定電圧以下となったときに、前記ブリッジ接続され
たスイッチング素子の内、前記アース側に一端が接続さ
れているスイッチング素子か、または、前記電源側に一
端が接続されたスイッチング素子の何れか一方側のスイ
ッチング素子の駆動を停止し、電源電圧が前記第1の所
定電圧よりも小さな第2の所定電圧以下となったとき
に、残りのスイッチング素子の駆動を停止するよう構成
されてなるものである。
【0013】かかる構成は、請求項2記載の発明に係る
ブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方法
を実行するに適したもので、制御部が特に、電源電圧が
第1の所定電圧以下となったときに、前記ブリッジ接続
されたスイッチング素子の内、前記アース側に一端が接
続されているスイッチング素子か、または、前記電源側
に一端が接続されたスイッチング素子の何れか一方側の
スイッチング素子の駆動を停止する一方、電源電圧が前
記第1の所定電圧よりも小さな第2の所定電圧以下とな
ったときに、残りのスイッチング素子の駆動を停止する
よう構成されてなる点に特徴を有するものである。この
ように構成された制御部により、請求項2記載の発明に
係る駆動制御方法と同様に、ステータコイルへの通電が
停止された後のロータの慣性力による回転により生ずる
逆起電力によるコイル電流を、例えば、いわゆるハイサ
イド側のオン状態にあるスイッチング素子を介して流す
ことができるので、従来のような環流ダイオードの瞬時
の通電に起因するコイル電流による異音の発生がなくな
るものである。
ブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方法
を実行するに適したもので、制御部が特に、電源電圧が
第1の所定電圧以下となったときに、前記ブリッジ接続
されたスイッチング素子の内、前記アース側に一端が接
続されているスイッチング素子か、または、前記電源側
に一端が接続されたスイッチング素子の何れか一方側の
スイッチング素子の駆動を停止する一方、電源電圧が前
記第1の所定電圧よりも小さな第2の所定電圧以下とな
ったときに、残りのスイッチング素子の駆動を停止する
よう構成されてなる点に特徴を有するものである。この
ように構成された制御部により、請求項2記載の発明に
係る駆動制御方法と同様に、ステータコイルへの通電が
停止された後のロータの慣性力による回転により生ずる
逆起電力によるコイル電流を、例えば、いわゆるハイサ
イド側のオン状態にあるスイッチング素子を介して流す
ことができるので、従来のような環流ダイオードの瞬時
の通電に起因するコイル電流による異音の発生がなくな
るものである。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図1乃至図5を参照しつつ説明する。最初に、図1
を参照しつつこの発明の実施の形態における第1の回路
構成例について説明する。まず、ブラシレスモータ1に
ついて説明すれば、このブラシレスモータ1は、永久磁
石を用いてなるロータ2と、U,V,W相の3つのステ
ータコイル3a〜3cと、ロータ2の周辺に適宜に配設
された3つのホール素子4a〜4cとを主たる構成要素
としてなる公知・周知のものである。
て、図1乃至図5を参照しつつ説明する。最初に、図1
を参照しつつこの発明の実施の形態における第1の回路
構成例について説明する。まず、ブラシレスモータ1に
ついて説明すれば、このブラシレスモータ1は、永久磁
石を用いてなるロータ2と、U,V,W相の3つのステ
ータコイル3a〜3cと、ロータ2の周辺に適宜に配設
された3つのホール素子4a〜4cとを主たる構成要素
としてなる公知・周知のものである。
【0015】一方、駆動制御装置Sは、通電駆動部5
と、制御部6とを主たる構成要素として構成されてなる
もので、後述するように、ホール素子4a〜4cの検出
信号に基づいて、通電駆動部5に対する制御信号が制御
部6において発生され、通電駆動部5によりステータコ
イル3a〜3cの励磁がなされ、ロータ2が回転される
ようになっているものである。
と、制御部6とを主たる構成要素として構成されてなる
もので、後述するように、ホール素子4a〜4cの検出
信号に基づいて、通電駆動部5に対する制御信号が制御
部6において発生され、通電駆動部5によりステータコ
イル3a〜3cの励磁がなされ、ロータ2が回転される
ようになっているものである。
【0016】通電駆動部5は、6つのスイッチング素子
がいわゆる三相ブリッジ接続されて、ステータコイル3
a〜3cに接続されており、制御部6からの制御信号に
応じて各スイッチング素子がいわゆるオン・オフされる
ようになっており(詳細は後述)、これによって直流電
源Vccからの直流電力が交流電力に変換されてステータ
コイル3a〜3cへ供給されるいわゆるインバータ回路
が構成されたものとなっている。すなわち、通電駆動部
5は、スイッチング素子としての6つの第1乃至第6の
MOS FET10〜15を主たる構成要素として、こ
れら第1乃至第6のMOS FET10〜15がいわゆ
る三相ブリッジ接続されてなるものである。ここで、こ
の回路構成例における第1乃至第6のMOS FET1
0〜15としては、Nチャンネルのものが用いられてい
る。
がいわゆる三相ブリッジ接続されて、ステータコイル3
a〜3cに接続されており、制御部6からの制御信号に
応じて各スイッチング素子がいわゆるオン・オフされる
ようになっており(詳細は後述)、これによって直流電
源Vccからの直流電力が交流電力に変換されてステータ
コイル3a〜3cへ供給されるいわゆるインバータ回路
が構成されたものとなっている。すなわち、通電駆動部
5は、スイッチング素子としての6つの第1乃至第6の
MOS FET10〜15を主たる構成要素として、こ
れら第1乃至第6のMOS FET10〜15がいわゆ
る三相ブリッジ接続されてなるものである。ここで、こ
の回路構成例における第1乃至第6のMOS FET1
0〜15としては、Nチャンネルのものが用いられてい
る。
【0017】通電駆動部5のより具体的な構成を説明す
れば、まず、第1のMOS FET10のソースと第4
のMOS FET13のドレインとが接続され、第1の
MOS FET10のドレインが電源側、第4のMOS
FET13のソースがアース側となるように電源ライ
ン17とアースとの間に直列接続されている。同様にし
て、第2のMOS FET11と第5のMOS FET
14とが、第2のMOS FET11のドレインが電源
側となるようにして、電源ライン17とアースとの間に
直列接続されている。さらに、第3のMOS FET1
2と第6のMOS FET15とが、第3のMOS F
ET12のドレインが電源側となるようにして、同様に
電源ライン17とアースとの間に直列接続されている。
れば、まず、第1のMOS FET10のソースと第4
のMOS FET13のドレインとが接続され、第1の
MOS FET10のドレインが電源側、第4のMOS
FET13のソースがアース側となるように電源ライ
ン17とアースとの間に直列接続されている。同様にし
て、第2のMOS FET11と第5のMOS FET
14とが、第2のMOS FET11のドレインが電源
側となるようにして、電源ライン17とアースとの間に
直列接続されている。さらに、第3のMOS FET1
2と第6のMOS FET15とが、第3のMOS F
ET12のドレインが電源側となるようにして、同様に
電源ライン17とアースとの間に直列接続されている。
【0018】そして、第1のMOS FET10のソー
スと第4のMOS FET13のドレインとの接続点に
は、U相の第1のステータコイル3aの一端及びW相の
第3のステータコイル3cの一端が接続されている。ま
た、第2のMOS FET11のソースと第5のMOS
FET14のドレインとの接続点には、U相の第1の
ステータコイル3aの他端及びV相の第2のステータコ
イル3bの一端が接続されている。さらに、第3のMO
S FET12のソースと第6のMOS EFT のド
レインとの接続点には、V相の第2のステータコイル3
bの他端及びW相の第3のステータコイル3cの他端が
接続されている。
スと第4のMOS FET13のドレインとの接続点に
は、U相の第1のステータコイル3aの一端及びW相の
第3のステータコイル3cの一端が接続されている。ま
た、第2のMOS FET11のソースと第5のMOS
FET14のドレインとの接続点には、U相の第1の
ステータコイル3aの他端及びV相の第2のステータコ
イル3bの一端が接続されている。さらに、第3のMO
S FET12のソースと第6のMOS EFT のド
レインとの接続点には、V相の第2のステータコイル3
bの他端及びW相の第3のステータコイル3cの他端が
接続されている。
【0019】また、第1乃至第6のMOS FET10
〜15の各ゲートは、制御部6の出力段に接続されてお
り、特に、第1乃至第3のMOS FET10〜12の
ゲートには、後述するように第1乃至第3のホール素子
4a〜4cに応じたオン・オフのためのゲート信号が出
力されるようになっており、図1においては、このよう
なゲート信号を出力する制御部6の出力段を「Hiロジ
ック出力」と表記してある。一方、第4乃至第6のMO
S FET13〜15の各ゲートには、後述するように
いわゆるPWM制御のための繰り返しパルス信号がゲー
ト信号として入力されるようになっており、図1におい
ては、このようなゲート信号を出力する制御部6の出力
段を「Loロジック(Duty出力)」と表記してある。
〜15の各ゲートは、制御部6の出力段に接続されてお
り、特に、第1乃至第3のMOS FET10〜12の
ゲートには、後述するように第1乃至第3のホール素子
4a〜4cに応じたオン・オフのためのゲート信号が出
力されるようになっており、図1においては、このよう
なゲート信号を出力する制御部6の出力段を「Hiロジ
ック出力」と表記してある。一方、第4乃至第6のMO
S FET13〜15の各ゲートには、後述するように
いわゆるPWM制御のための繰り返しパルス信号がゲー
ト信号として入力されるようになっており、図1におい
ては、このようなゲート信号を出力する制御部6の出力
段を「Loロジック(Duty出力)」と表記してある。
【0020】なお、第1乃至第3のMOS FET10
〜12のドレインは、電源スイッチ7を介して直流電源
8に接続されて、電源電圧Vccが印加されるようになっ
ている。また、電源スイッチ7の直流電源8に接続され
た一方の端子とは反対側の端子とアースとの間には、平
滑用の電解コンデンサ21が接続されている。さらに、
第1乃至第6のMOS FET10〜15には、それぞ
れ第1乃至第6の環流ダイオード20a〜20fが、そ
のアノード側が対応するMOS FETのソース側とな
るように、ドレインとソースとの間に並列接続されてい
る。
〜12のドレインは、電源スイッチ7を介して直流電源
8に接続されて、電源電圧Vccが印加されるようになっ
ている。また、電源スイッチ7の直流電源8に接続され
た一方の端子とは反対側の端子とアースとの間には、平
滑用の電解コンデンサ21が接続されている。さらに、
第1乃至第6のMOS FET10〜15には、それぞ
れ第1乃至第6の環流ダイオード20a〜20fが、そ
のアノード側が対応するMOS FETのソース側とな
るように、ドレインとソースとの間に並列接続されてい
る。
【0021】制御部6は、外部から入力される速度設定
信号VINDと第1乃至第3のホール素子4a〜4cの検
出信号とを入力し、これらの入力信号に基づいて、第1
乃至第3のMOS FET10〜12のいわゆるオン・
オフ駆動のためのパルス信号を出力すると共に、第4乃
至第6のMOS FET13〜15をPWM制御するた
めの速度設定信号VINDに対応したデューティ比を有す
る繰り返しパルス信号を出力するように構成されてなる
ものである。このような機能を有する回路は、例えば、
いわゆるディジタルICとアナログICとの組み合わせ
により構成され、この発明の実施の形態における制御部
6は、特に、論理回路の部分、すなわち、第1乃至第3
のホール素子4a〜4cからの検出信号に基づいて、第
1乃至第6のMOS FET10〜15のオン・オフの
タイミングを設定する回路部分は、電源電圧が第2の所
定値としての略4v以上であれば動作するようなものと
なっている。なお、このような論理回路の部分は、例え
ばCPUを用いて簡易に実現することができる。そし
て、電源電圧が低下した場合に、如何なる電圧まで動作
可能かは、現実的には、使用されるICや半導体素子の
電気的特性に依存することが大である。
信号VINDと第1乃至第3のホール素子4a〜4cの検
出信号とを入力し、これらの入力信号に基づいて、第1
乃至第3のMOS FET10〜12のいわゆるオン・
オフ駆動のためのパルス信号を出力すると共に、第4乃
至第6のMOS FET13〜15をPWM制御するた
めの速度設定信号VINDに対応したデューティ比を有す
る繰り返しパルス信号を出力するように構成されてなる
ものである。このような機能を有する回路は、例えば、
いわゆるディジタルICとアナログICとの組み合わせ
により構成され、この発明の実施の形態における制御部
6は、特に、論理回路の部分、すなわち、第1乃至第3
のホール素子4a〜4cからの検出信号に基づいて、第
1乃至第6のMOS FET10〜15のオン・オフの
タイミングを設定する回路部分は、電源電圧が第2の所
定値としての略4v以上であれば動作するようなものと
なっている。なお、このような論理回路の部分は、例え
ばCPUを用いて簡易に実現することができる。そし
て、電源電圧が低下した場合に、如何なる電圧まで動作
可能かは、現実的には、使用されるICや半導体素子の
電気的特性に依存することが大である。
【0022】速度設定信号VINDは、可変抵抗機22に
より電源電圧Vccを基に生成される電圧信号となってい
る。すなわち、可変抵抗機22の一端は、電源スイッチ
7を介して直流電源8に接続されるようになっており、
他端はアースに接続され、摺動端子22aが制御部6の
入力段に接続されている。そして、摺動端子22aを摺
動させることで、その摺動位置に応じた電圧が、速度設
定信号VINDとして制御部6に印加されるようになって
いる。
より電源電圧Vccを基に生成される電圧信号となってい
る。すなわち、可変抵抗機22の一端は、電源スイッチ
7を介して直流電源8に接続されるようになっており、
他端はアースに接続され、摺動端子22aが制御部6の
入力段に接続されている。そして、摺動端子22aを摺
動させることで、その摺動位置に応じた電圧が、速度設
定信号VINDとして制御部6に印加されるようになって
いる。
【0023】制御部6においては、入力された速度設定
信号VINDの大きさに応じてPWM制御における繰り返
しパルス信号のデューティ比が設定されるようになって
いる。すなわち、例えば、図2に示されたように、速度
設定信号VINDの増大し始める最初の部分にいわゆるヒ
ステリシス特性が設けられている点を除けば、全体的に
は、速度設定信号VINDの増大に比例して第4乃至第6
のMOS FET13〜15のゲートには、デューティ
比の大きな繰り返しパルス信号が印加されるようになっ
ている。ここで、制御部6は、速度設定信号VINDが、
所定値V1(図2参照)以下となると第4乃至第6のM
OS FET13〜15へ対するPWM制御を停止する
ようになっており、この発明の実施の形態において、所
定値V1は例えば6vと設定されている。従来装置にお
いても、この制御部6に対応する部分は、CPUを中心
に構成されており、したがって、その場合には、殆ど新
たな構成要素の追加を要することなしに、いわゆるソフ
トウェアを変更ことで、上述したような、速度設定信号
VINDの低下による第4乃至第6のMOS FET13
〜15の駆動停止は、対処可能である。
信号VINDの大きさに応じてPWM制御における繰り返
しパルス信号のデューティ比が設定されるようになって
いる。すなわち、例えば、図2に示されたように、速度
設定信号VINDの増大し始める最初の部分にいわゆるヒ
ステリシス特性が設けられている点を除けば、全体的に
は、速度設定信号VINDの増大に比例して第4乃至第6
のMOS FET13〜15のゲートには、デューティ
比の大きな繰り返しパルス信号が印加されるようになっ
ている。ここで、制御部6は、速度設定信号VINDが、
所定値V1(図2参照)以下となると第4乃至第6のM
OS FET13〜15へ対するPWM制御を停止する
ようになっており、この発明の実施の形態において、所
定値V1は例えば6vと設定されている。従来装置にお
いても、この制御部6に対応する部分は、CPUを中心
に構成されており、したがって、その場合には、殆ど新
たな構成要素の追加を要することなしに、いわゆるソフ
トウェアを変更ことで、上述したような、速度設定信号
VINDの低下による第4乃至第6のMOS FET13
〜15の駆動停止は、対処可能である。
【0024】また、制御部6は、電源スイッチ7を介し
て供給された直流電圧Vccを安定化し、かつ、図示され
ない回路の各部に必要な電圧へ変換して供給するいわゆ
る安定化回路(図示せず)を有している。さらにまた、
制御部6は、第1乃至第3のMOS FET10〜12
のゲート電圧の発生のための昇圧回路(図示せず)を有
している。すなわち、直流電源8からの電圧Vccを昇圧
し、例えば、(Vcc+10)v程度の電圧として、これ
を第1乃至第3のゲート電圧として出力するようにして
ある。
て供給された直流電圧Vccを安定化し、かつ、図示され
ない回路の各部に必要な電圧へ変換して供給するいわゆ
る安定化回路(図示せず)を有している。さらにまた、
制御部6は、第1乃至第3のMOS FET10〜12
のゲート電圧の発生のための昇圧回路(図示せず)を有
している。すなわち、直流電源8からの電圧Vccを昇圧
し、例えば、(Vcc+10)v程度の電圧として、これ
を第1乃至第3のゲート電圧として出力するようにして
ある。
【0025】次に、上記構成における動作について図3
を参照しつつ説明する。最初に、電源スイッチ7が閉成
されており、通常の制御状態にある場合について説明す
るが、この場合の動作は、従来のものと何等変わるとこ
ろがないので、以下、概略的に説明することとする。な
お、図3(A)乃至図3(C)において、「H1」は第
1のホール素子4aを、「H2」は第2のホール素子4
bを、「H3」は第3のホール素子4cを、それぞれ意
味するものとする。また、図3(D)乃至図3(I)に
おいて、「FET1」は第1のMOS FET10を、
「FET2」は第2のMOS FET11を、「FET
3」は第3のMOS FET12を、「FET4」は第
4のMOS FET13を、「FET5」は第5のMO
S FET14を、「FET6」は第6のMOS FE
T15を、それぞれ意味するものとする。また、図3
(E)、図3(G)及び図3(I)においては、PWM
制御による波形が概略的に表されたものとなっている。
を参照しつつ説明する。最初に、電源スイッチ7が閉成
されており、通常の制御状態にある場合について説明す
るが、この場合の動作は、従来のものと何等変わるとこ
ろがないので、以下、概略的に説明することとする。な
お、図3(A)乃至図3(C)において、「H1」は第
1のホール素子4aを、「H2」は第2のホール素子4
bを、「H3」は第3のホール素子4cを、それぞれ意
味するものとする。また、図3(D)乃至図3(I)に
おいて、「FET1」は第1のMOS FET10を、
「FET2」は第2のMOS FET11を、「FET
3」は第3のMOS FET12を、「FET4」は第
4のMOS FET13を、「FET5」は第5のMO
S FET14を、「FET6」は第6のMOS FE
T15を、それぞれ意味するものとする。また、図3
(E)、図3(G)及び図3(I)においては、PWM
制御による波形が概略的に表されたものとなっている。
【0026】まず、第1乃至第3のMOS FET10
〜12は、第1乃至第3のホール素子4a〜4cの出力
信号の立ち上がり、立ち下がりに同期してオン・オフさ
れるようになっている。すなわち、第1のMOS FE
T10は、第2のホール素子4bの出力信号の立ち上が
りに同期してオン状態とされ(図3(B)及び図3
(D)参照)、また、第3のホール素子4cの出力信号
の立ち上がりに同期してオフ状態とされるようになって
いる(図3(A)及び図3(D)参照)。そして、第1
のMOS FET10がオフとなると同時に、第3のホ
ール素子4cの出力信号の立ち上がりに同期して第2の
MOS FET11がオン状態とされるようになってい
る(図3(A)及び図3(F)参照)。
〜12は、第1乃至第3のホール素子4a〜4cの出力
信号の立ち上がり、立ち下がりに同期してオン・オフさ
れるようになっている。すなわち、第1のMOS FE
T10は、第2のホール素子4bの出力信号の立ち上が
りに同期してオン状態とされ(図3(B)及び図3
(D)参照)、また、第3のホール素子4cの出力信号
の立ち上がりに同期してオフ状態とされるようになって
いる(図3(A)及び図3(D)参照)。そして、第1
のMOS FET10がオフとなると同時に、第3のホ
ール素子4cの出力信号の立ち上がりに同期して第2の
MOS FET11がオン状態とされるようになってい
る(図3(A)及び図3(F)参照)。
【0027】この後、第2のMOS FET11は、第
1のホール素子4aの出力信号の立ち上がりに同期して
オフ状態とされ(図3(C)及び図3(F)参照)、同
時に第3のMOS FET12がオン状態とされるよう
になっている(図3(C)及び図3(H)参照)。そし
て、第3のMOS FET12が、第2のホール素子4
bの出力信号の立ち上がりに同期してオフ状態とされる
(図3(B)及び図3(H)参照)と同時に、第1のM
OS FET10が再びオン状態とされ(図3(B)及
び図3(D)参照)、以下、上述した動作が繰り返され
るようになっている。このように、第1乃至第3のMO
S FET10〜12は、第1乃至第3のホール素子4
a〜4cの出力信号の立ち上がり、立ち下がりに同期し
て順次オン・オフされるようになっている。
1のホール素子4aの出力信号の立ち上がりに同期して
オフ状態とされ(図3(C)及び図3(F)参照)、同
時に第3のMOS FET12がオン状態とされるよう
になっている(図3(C)及び図3(H)参照)。そし
て、第3のMOS FET12が、第2のホール素子4
bの出力信号の立ち上がりに同期してオフ状態とされる
(図3(B)及び図3(H)参照)と同時に、第1のM
OS FET10が再びオン状態とされ(図3(B)及
び図3(D)参照)、以下、上述した動作が繰り返され
るようになっている。このように、第1乃至第3のMO
S FET10〜12は、第1乃至第3のホール素子4
a〜4cの出力信号の立ち上がり、立ち下がりに同期し
て順次オン・オフされるようになっている。
【0028】これに対して、第4乃至第6のMOS F
ET13〜15は、次述するように第1乃至第3のMO
S FET10〜12のオン・オフに伴い、いわゆるP
WM制御されるようになっている。すなわち、まず、第
4のMOS FET13は、第2のホール素子4bの出
力信号の立ち下がりに同期してPWM制御が開始され、
第3のホール素子4cの出力信号の立ち下がりに同期し
てPWM制御が終了されてオフ状態とされるようになっ
ている(図3(A)、図3(B)及び図3(E)参
照)。
ET13〜15は、次述するように第1乃至第3のMO
S FET10〜12のオン・オフに伴い、いわゆるP
WM制御されるようになっている。すなわち、まず、第
4のMOS FET13は、第2のホール素子4bの出
力信号の立ち下がりに同期してPWM制御が開始され、
第3のホール素子4cの出力信号の立ち下がりに同期し
てPWM制御が終了されてオフ状態とされるようになっ
ている(図3(A)、図3(B)及び図3(E)参
照)。
【0029】この第4のMOS FET13がPWM制
御されている期間を、第1乃至第3のMOS FET1
0〜12の動作期間との関係で見ると、第2のMOS
FET11がオン状態の略中間点から第3のMOS F
ET12がオン状態の略中間点までとなっている(図3
(E)、図3(F)及び図3(H)参照)。そして、第
4のMOS FET13に対するPWM制御が終了され
ると同時に、第5のMOS FET14が同様にPWM
制御されることとなる(図3(E)及び図3(G)参
照)。
御されている期間を、第1乃至第3のMOS FET1
0〜12の動作期間との関係で見ると、第2のMOS
FET11がオン状態の略中間点から第3のMOS F
ET12がオン状態の略中間点までとなっている(図3
(E)、図3(F)及び図3(H)参照)。そして、第
4のMOS FET13に対するPWM制御が終了され
ると同時に、第5のMOS FET14が同様にPWM
制御されることとなる(図3(E)及び図3(G)参
照)。
【0030】この第5のMOS FET14がPWM制
御されるのは、第3のMOS FET12の導通期間の
略中間点から第1のMOS FET10の導通期間の略
中間点までの間となっている(図3(D)、図3(G)
及び図3(H)参照)。この第5のMOS FET14
に対するPWM制御が終了すると、次は、第6のMOS
FET15が、第5のMOS FET14に対するP
WM制御の終了と同時に同様にPWM制御されることと
なる(図3(G)及び図3(I)参照)。そして、第6
のMOS FET15は、第1のMOS FET10の
導通期間の略中点から第2のMOS FET11の導通
期間の中点までの間、PWM制御されるようになってい
る(図3(D)、図3(E)及び図3(I)参照)。
御されるのは、第3のMOS FET12の導通期間の
略中間点から第1のMOS FET10の導通期間の略
中間点までの間となっている(図3(D)、図3(G)
及び図3(H)参照)。この第5のMOS FET14
に対するPWM制御が終了すると、次は、第6のMOS
FET15が、第5のMOS FET14に対するP
WM制御の終了と同時に同様にPWM制御されることと
なる(図3(G)及び図3(I)参照)。そして、第6
のMOS FET15は、第1のMOS FET10の
導通期間の略中点から第2のMOS FET11の導通
期間の中点までの間、PWM制御されるようになってい
る(図3(D)、図3(E)及び図3(I)参照)。
【0031】この後、第6のMOS FET15に対す
るPWM制御が終了されると、再び第4のMOS FE
T13に対するPWM制御が行われ、以下、上述したよ
うにして第5及び第6のMOS FET14,15に対
するPWM制御が繰り返されるようになっている。な
お、PWM制御による第4乃至第6のMOS FET1
3〜15のゲートに印加される繰り返しパルス信号のデ
ューディ比は、先に述べたように速度設定信号VINDが
大きくなる程、換言すれば、ブラシレスモータ1の所望
回転速度が早い程大きくなるようになっている(図2参
照)。
るPWM制御が終了されると、再び第4のMOS FE
T13に対するPWM制御が行われ、以下、上述したよ
うにして第5及び第6のMOS FET14,15に対
するPWM制御が繰り返されるようになっている。な
お、PWM制御による第4乃至第6のMOS FET1
3〜15のゲートに印加される繰り返しパルス信号のデ
ューディ比は、先に述べたように速度設定信号VINDが
大きくなる程、換言すれば、ブラシレスモータ1の所望
回転速度が早い程大きくなるようになっている(図2参
照)。
【0032】次に、上述のようないわゆる通常の制御状
態において、電源スイッチ7を開成した場合の動作につ
いて説明すれば、電源スイッチ7が開成されると、直流
電源8からの電圧供給は断たれるが、電解コンデンサ2
1があるために、電源ライン17の電圧は、徐々に低下
してゆくこととなる。これに伴い速度設定信号VINDも
徐々に低下することとなり、所定値V1を下回ると、制
御部6による第4乃至第6のMOS FET13〜15
に対するPWM制御は、先に述べたように、この所定値
V1を下回るとデューティ比が零となるように設定され
ているため、結局、第4乃至第6のMOS FET13
〜15の駆動は完全に停止されることとなる。
態において、電源スイッチ7を開成した場合の動作につ
いて説明すれば、電源スイッチ7が開成されると、直流
電源8からの電圧供給は断たれるが、電解コンデンサ2
1があるために、電源ライン17の電圧は、徐々に低下
してゆくこととなる。これに伴い速度設定信号VINDも
徐々に低下することとなり、所定値V1を下回ると、制
御部6による第4乃至第6のMOS FET13〜15
に対するPWM制御は、先に述べたように、この所定値
V1を下回るとデューティ比が零となるように設定され
ているため、結局、第4乃至第6のMOS FET13
〜15の駆動は完全に停止されることとなる。
【0033】一方、第1乃至第3のMOS FET10
〜12に対する駆動は、電源電圧の変化に対する制御部
6の特性として、先に述べたように略4vまでは、いわ
ゆる論理回路が機能するようになっているため、第1乃
至第3のホール素子4a〜4cの検出信号のレベル低下
や、第1乃至第3のMOS FET10〜12のゲート
へ印加されるゲート信号の低下はあるものの、第4乃至
第6のMOS FET13〜15の駆動が上述のように
完全に停止された後も、第1乃至第3のホール素子4a
〜4cの検出信号に応じて、先に説明した通常動作の場
合と基本的に同様にして、第1乃至第3のMOS FE
T10〜12は、順次オン・オフされることとなる。
〜12に対する駆動は、電源電圧の変化に対する制御部
6の特性として、先に述べたように略4vまでは、いわ
ゆる論理回路が機能するようになっているため、第1乃
至第3のホール素子4a〜4cの検出信号のレベル低下
や、第1乃至第3のMOS FET10〜12のゲート
へ印加されるゲート信号の低下はあるものの、第4乃至
第6のMOS FET13〜15の駆動が上述のように
完全に停止された後も、第1乃至第3のホール素子4a
〜4cの検出信号に応じて、先に説明した通常動作の場
合と基本的に同様にして、第1乃至第3のMOS FE
T10〜12は、順次オン・オフされることとなる。
【0034】第4乃至第6のMOS FET13〜15
の駆動が停止された後は、第1乃至第3のステータコイ
ル3a〜3cへの通電はなくなるため、ロータ2は、慣
性力で回転を続け、徐々に回転速度が低回して停止する
ようになるが、この慣性力による回転の間、第1乃至第
3のステータコイル3a〜3cには、いわゆる逆起電圧
が発生する。
の駆動が停止された後は、第1乃至第3のステータコイ
ル3a〜3cへの通電はなくなるため、ロータ2は、慣
性力で回転を続け、徐々に回転速度が低回して停止する
ようになるが、この慣性力による回転の間、第1乃至第
3のステータコイル3a〜3cには、いわゆる逆起電圧
が発生する。
【0035】この逆起電圧の発生に対し、従来は、電源
スイッチ7の開成により、第1乃至第6のMOS FE
T10〜15が共に駆動停止されていたため、逆起電圧
による第1乃至第3の環流ダイオード20a〜20cの
アノード側の電圧が、ダイオードを導通状態とする電圧
となると、第1乃至第3の環流ダイオード20a〜20
cの何れかが瞬時導通してコイル電流が瞬時的に流れる
ため、異音が発生して耳障りであった。例えば、図4
は、このような従来のブラシレスモータにおける環流ダ
イオードのアノード側(例えば図1を例に採れば、第1
乃至第3の環流ダイオード20a〜20cのアノード側
に相当)の電圧変化を示すもので、全体的な電圧降下の
中で、上述したように環流ダイオードが瞬時導通するこ
とで、電圧降下が生じていることを示されている。
スイッチ7の開成により、第1乃至第6のMOS FE
T10〜15が共に駆動停止されていたため、逆起電圧
による第1乃至第3の環流ダイオード20a〜20cの
アノード側の電圧が、ダイオードを導通状態とする電圧
となると、第1乃至第3の環流ダイオード20a〜20
cの何れかが瞬時導通してコイル電流が瞬時的に流れる
ため、異音が発生して耳障りであった。例えば、図4
は、このような従来のブラシレスモータにおける環流ダ
イオードのアノード側(例えば図1を例に採れば、第1
乃至第3の環流ダイオード20a〜20cのアノード側
に相当)の電圧変化を示すもので、全体的な電圧降下の
中で、上述したように環流ダイオードが瞬時導通するこ
とで、電圧降下が生じていることを示されている。
【0036】これに対して、この発明の実施の形態にお
いては、上述のように、電源スイッチ7が開成された後
であっても、電解コンデンサ21があるために、電源ラ
イン17の電圧は、即座に零とならず徐々に低下してゆ
くため、制御部6内での電圧が略4vを下回るまでは、
第1乃至第3のMOS FET10〜12が順次オン・
オフされ、逆起電圧によるコイル電流は、この第1乃至
第3のMOS FET10〜12の何れかを流れること
となるため、従来のような異音の発生がなくなる。
いては、上述のように、電源スイッチ7が開成された後
であっても、電解コンデンサ21があるために、電源ラ
イン17の電圧は、即座に零とならず徐々に低下してゆ
くため、制御部6内での電圧が略4vを下回るまでは、
第1乃至第3のMOS FET10〜12が順次オン・
オフされ、逆起電圧によるコイル電流は、この第1乃至
第3のMOS FET10〜12の何れかを流れること
となるため、従来のような異音の発生がなくなる。
【0037】なお、上述した例においては、制御部6が
第4乃至第6のMOS FET13〜15のPWM制御
による駆動を停止する条件として、速度設定信号VIND
が6v以下とし、さらに、制御部6による第1乃至第3
のMOS FET10〜12のオン・オフが停止される
条件として、制御部6への供給電圧が略4v以下とした
が、勿論この値に限定される必要はない。すなわち、こ
の2つの値は、電源スイッチ7の開成による電源電圧の
低下の際、最初に第4乃至第6のMOS FET13〜
15の駆動が停止され、その後、第1乃至第3のMOS
FET10〜12の駆動が停止されるような値であれ
ば、種々選択され得るものである。
第4乃至第6のMOS FET13〜15のPWM制御
による駆動を停止する条件として、速度設定信号VIND
が6v以下とし、さらに、制御部6による第1乃至第3
のMOS FET10〜12のオン・オフが停止される
条件として、制御部6への供給電圧が略4v以下とした
が、勿論この値に限定される必要はない。すなわち、こ
の2つの値は、電源スイッチ7の開成による電源電圧の
低下の際、最初に第4乃至第6のMOS FET13〜
15の駆動が停止され、その後、第1乃至第3のMOS
FET10〜12の駆動が停止されるような値であれ
ば、種々選択され得るものである。
【0038】また、通電駆動部5は、スイッチング素子
としてMOS FETを用いた例を示したが、勿論他の
スイッチング素子(バイポーラトランジスタ、JFET
等)であっても構わないものである。
としてMOS FETを用いた例を示したが、勿論他の
スイッチング素子(バイポーラトランジスタ、JFET
等)であっても構わないものである。
【0039】さらに、第1の所定電圧以下となったとき
に駆動停止とするMOS FETと、第2の所定電圧以
下となったときに駆動停止とするMOS FETとを、
上述した例とは逆にしてもよい。すなわち、電源スイッ
チ7が開成され、速度設定信号VINDが第1の所定電圧
V1以下となったときに、まず、第1乃至第3のMOS
FET10〜12を駆動停止とする一方、電源電圧が
第2の所定電圧を下回るまでは、第4乃至第6のMOS
FET13〜15を駆動するようにしてもよい。な
お、この場合、第4乃至第6のMOS FET13〜1
5は、PWM制御ではなく、通常の動作状態における第
1乃至第3のMOS FET10〜13に対すると同様
なオン・オフが好ましい。
に駆動停止とするMOS FETと、第2の所定電圧以
下となったときに駆動停止とするMOS FETとを、
上述した例とは逆にしてもよい。すなわち、電源スイッ
チ7が開成され、速度設定信号VINDが第1の所定電圧
V1以下となったときに、まず、第1乃至第3のMOS
FET10〜12を駆動停止とする一方、電源電圧が
第2の所定電圧を下回るまでは、第4乃至第6のMOS
FET13〜15を駆動するようにしてもよい。な
お、この場合、第4乃至第6のMOS FET13〜1
5は、PWM制御ではなく、通常の動作状態における第
1乃至第3のMOS FET10〜13に対すると同様
なオン・オフが好ましい。
【0040】次に、第2の回路構成例について、図5を
参照しつつ説明する。なお、図1に示された構成要素と
同一の構成要素については、同一の符号を付してその詳
細な説明は省略し、以下、異なる点を中心に説明するこ
ととする。この第2の回路構成例は、通電駆動部5と制
御部6Aとを主たる構成要素として構成されてなる点
は、図1に示された第1の回路構成例と同様であるが、
制御部6Aが次述するような構成とされた点が異なるも
のである。すなわち、制御部6Aは、位置検出回路(図
5においては「PDE」と表記)25と、回転設定回路
(図5においては「RST」と表記)26と、Hi側出
力ロジック回路(図5においては「HOL」と表記)2
7と、Lo側出力ロジック回路(図5においては「LO
L」と表記) と、電圧検出回路(図5においては「V
DE」と表記)29と、定電圧回路(図5においては
「REG」と表記)30とを具備して構成されたものと
なっている。
参照しつつ説明する。なお、図1に示された構成要素と
同一の構成要素については、同一の符号を付してその詳
細な説明は省略し、以下、異なる点を中心に説明するこ
ととする。この第2の回路構成例は、通電駆動部5と制
御部6Aとを主たる構成要素として構成されてなる点
は、図1に示された第1の回路構成例と同様であるが、
制御部6Aが次述するような構成とされた点が異なるも
のである。すなわち、制御部6Aは、位置検出回路(図
5においては「PDE」と表記)25と、回転設定回路
(図5においては「RST」と表記)26と、Hi側出
力ロジック回路(図5においては「HOL」と表記)2
7と、Lo側出力ロジック回路(図5においては「LO
L」と表記) と、電圧検出回路(図5においては「V
DE」と表記)29と、定電圧回路(図5においては
「REG」と表記)30とを具備して構成されたものと
なっている。
【0041】位置検出回路25は、第1乃至第3のホー
ル素子4a〜4cの検出信号を入力し、波形整形等を施
した後、所定の信号レベルで後述するHi側出力ロジッ
ク回路27及びLo側出力ロジック回路28へ検出信号
を出力するようになっているものである。回転設定回路
26は、第4乃至第6のMOS FET13〜15が速
度設定信号VINDに対応したPWM制御がなされるよう
に、速度設定信号VINDに対応したデューティ比の繰り
返しパルス信号を、Lo側出力ロジック回路28に対し
て出力するようになっているものである。なお、速度設
定信号VINDに対するデューティ比の変化は、先の第1
の回路構成例において参照した図2に示された特性と基
本的に同様であるが、この第2の回路構成例の場合、図
2の特性線図の横軸において、速度設定信号VINDの最
大値は、直流電源8の電源電圧Vccではなく、後述する
ように定電圧回路30の出力電圧(例えば5v)とな
る。
ル素子4a〜4cの検出信号を入力し、波形整形等を施
した後、所定の信号レベルで後述するHi側出力ロジッ
ク回路27及びLo側出力ロジック回路28へ検出信号
を出力するようになっているものである。回転設定回路
26は、第4乃至第6のMOS FET13〜15が速
度設定信号VINDに対応したPWM制御がなされるよう
に、速度設定信号VINDに対応したデューティ比の繰り
返しパルス信号を、Lo側出力ロジック回路28に対し
て出力するようになっているものである。なお、速度設
定信号VINDに対するデューティ比の変化は、先の第1
の回路構成例において参照した図2に示された特性と基
本的に同様であるが、この第2の回路構成例の場合、図
2の特性線図の横軸において、速度設定信号VINDの最
大値は、直流電源8の電源電圧Vccではなく、後述する
ように定電圧回路30の出力電圧(例えば5v)とな
る。
【0042】この第2の回路構成例においては、速度設
定を行うための可変抵抗器22の一端が、制御部6A内
に設けられた定電圧回路30に接続されており、この定
電圧回路30の電圧(例えば5v)が印加されるように
なっている。そして、摺動子22aは、回転設定回路2
6の入力段に接続されている。なお、この定電圧回路3
0は、電源スイッチ7を介して供給される電源電圧を安
定化して所定の出力電圧(例えば5v)として出力する
ようになっているものである。
定を行うための可変抵抗器22の一端が、制御部6A内
に設けられた定電圧回路30に接続されており、この定
電圧回路30の電圧(例えば5v)が印加されるように
なっている。そして、摺動子22aは、回転設定回路2
6の入力段に接続されている。なお、この定電圧回路3
0は、電源スイッチ7を介して供給される電源電圧を安
定化して所定の出力電圧(例えば5v)として出力する
ようになっているものである。
【0043】Hi側出力ロジック回路27は、位置検出
回路25からの出力信号に基づいて第1乃至第3のMO
S FET10〜12をいわゆるオン・オフ駆動するよ
うになっているものである。また、Lo側出力ロジック
回路28は、回転設定回路26からの出力信号と、位置
検出回路25からの出力信号に基づいて第4乃至第6の
MOS FET13〜15をPWM制御によるオン・オ
フ駆動するようになっているものである。
回路25からの出力信号に基づいて第1乃至第3のMO
S FET10〜12をいわゆるオン・オフ駆動するよ
うになっているものである。また、Lo側出力ロジック
回路28は、回転設定回路26からの出力信号と、位置
検出回路25からの出力信号に基づいて第4乃至第6の
MOS FET13〜15をPWM制御によるオン・オ
フ駆動するようになっているものである。
【0044】電圧検出回路29は、電源電圧の所定値へ
の低下を検出し、その検出結果に応じて回転設定回路2
6、Hi側出力ロジック回路27及びLo側出力ロジッ
ク回路28へ動作停止のための制御信号を出力するよう
になっているものである。すなわち、この電圧検出回路
29は、電源電圧が第1の所定電圧V1(例えば6v)
を下回ったのを検出すると、回転設定回路26へ対し
て、回転設定回路26からの出力が停止されるよう制御
信号を出力すると同時に、Lo側出力ロジック回路28
へ対しても第4乃至第6のMOS FET13〜15に
対する駆動動作を停止させるための制御信号を出力する
ようになっている。ここで、この第1の所定電圧V1
は、定電圧回路30が正常に所定電圧を出力することが
できる電源電圧の最低値という観点から決定されるもの
である。
の低下を検出し、その検出結果に応じて回転設定回路2
6、Hi側出力ロジック回路27及びLo側出力ロジッ
ク回路28へ動作停止のための制御信号を出力するよう
になっているものである。すなわち、この電圧検出回路
29は、電源電圧が第1の所定電圧V1(例えば6v)
を下回ったのを検出すると、回転設定回路26へ対し
て、回転設定回路26からの出力が停止されるよう制御
信号を出力すると同時に、Lo側出力ロジック回路28
へ対しても第4乃至第6のMOS FET13〜15に
対する駆動動作を停止させるための制御信号を出力する
ようになっている。ここで、この第1の所定電圧V1
は、定電圧回路30が正常に所定電圧を出力することが
できる電源電圧の最低値という観点から決定されるもの
である。
【0045】さらに、電圧検出回路29は、電源電圧が
第2の所定電圧V2(例えば4v)を下回ったのを検出
すると、Hi側出力ロジック回路27へ対して第1乃至
第3のMOS FET10〜12へ対する駆動制御を停
止させるための制御信号を出力するようになっている。
第2の所定電圧V2(例えば4v)を下回ったのを検出
すると、Hi側出力ロジック回路27へ対して第1乃至
第3のMOS FET10〜12へ対する駆動制御を停
止させるための制御信号を出力するようになっている。
【0046】しかして、上記構成における動作につい
て、図3を参照しつつ説明する。最初に、通常の動作状
態は、図1に示された第1の回路構成例で図3を参照し
つつ説明したと基本的に同様であるので、概略的な説明
に留めることとする。すなわち、第1乃至第3のMOS
FET10〜12は、第1乃至第3のホール素子4a
〜4cの検出信号が入力される位置検出回路25からの
出力信号に基づいて、Hi側出力ロジック回路27によ
りそれぞれのゲートへゲート信号が印加されることで、
第1乃至第3のホール素子4a〜4cの立ち上がり立ち
下がりに同時してオン・オフされる(図3(A)乃至図
3(D)、図3(F)及び図3(H)参照)。
て、図3を参照しつつ説明する。最初に、通常の動作状
態は、図1に示された第1の回路構成例で図3を参照し
つつ説明したと基本的に同様であるので、概略的な説明
に留めることとする。すなわち、第1乃至第3のMOS
FET10〜12は、第1乃至第3のホール素子4a
〜4cの検出信号が入力される位置検出回路25からの
出力信号に基づいて、Hi側出力ロジック回路27によ
りそれぞれのゲートへゲート信号が印加されることで、
第1乃至第3のホール素子4a〜4cの立ち上がり立ち
下がりに同時してオン・オフされる(図3(A)乃至図
3(D)、図3(F)及び図3(H)参照)。
【0047】そして、第4乃至第6のMOS FET1
3〜15は、回転設定回路26から出力される繰り返し
パルス信号に応じてLo側出力ロジック回路28を介し
てPWM制御によるオン・オフ駆動が施される結果(図
3(E)、図3(G)及び図3(I)参照)、第1乃至
第3のステータコイル3a〜3cに順に励磁電流が通電
され、ロータ2が回転するようになっている。
3〜15は、回転設定回路26から出力される繰り返し
パルス信号に応じてLo側出力ロジック回路28を介し
てPWM制御によるオン・オフ駆動が施される結果(図
3(E)、図3(G)及び図3(I)参照)、第1乃至
第3のステータコイル3a〜3cに順に励磁電流が通電
され、ロータ2が回転するようになっている。
【0048】次に、上述のようないわゆる通常の制御状
態において、電源スイッチ7を開成した場合の動作につ
いて説明すれば、電源スイッチ7が開成されると、直流
電源8からの電圧供給は断たれるが、電解コンデンサ2
1があるために、電源ライン17の電圧は、徐々に低下
してゆくこととなる。そして、電圧検出回路29によ
り、第1の所定電圧V1が検出されると、回転設定回路
26及びLo側出力ロジック回路28へ対して動作停止
のための制御信号が出力され、そのため、第4乃至第6
のMOS FET13〜15の駆動は完全に停止される
こととなる。
態において、電源スイッチ7を開成した場合の動作につ
いて説明すれば、電源スイッチ7が開成されると、直流
電源8からの電圧供給は断たれるが、電解コンデンサ2
1があるために、電源ライン17の電圧は、徐々に低下
してゆくこととなる。そして、電圧検出回路29によ
り、第1の所定電圧V1が検出されると、回転設定回路
26及びLo側出力ロジック回路28へ対して動作停止
のための制御信号が出力され、そのため、第4乃至第6
のMOS FET13〜15の駆動は完全に停止される
こととなる。
【0049】一方、電圧検出回路29により第2の所定
電圧V2(例えば4v)が検出されるまでは、第1乃至
第3のホール素子4a〜4cの検出信号のレベル低下
や、第1乃至第3のMOS FET10〜12のゲート
へ印加されるゲート信号の低下はあるものの、これら位
置検出回路25及びHi側出力ロジック回路27が、電
源電圧が略4v程度まで低下しても機能するような特性
となっているために、第4乃至第6のMOS FET1
3〜15の駆動が上述のように完全に停止された後も、
第1乃至第3のホール素子4a〜4cの検出信号に応じ
て、先に説明した通常動作の場合と基本的に同様にし
て、第1乃至第3のMOS FET10〜12は、順次
オン・オフされることとなる。
電圧V2(例えば4v)が検出されるまでは、第1乃至
第3のホール素子4a〜4cの検出信号のレベル低下
や、第1乃至第3のMOS FET10〜12のゲート
へ印加されるゲート信号の低下はあるものの、これら位
置検出回路25及びHi側出力ロジック回路27が、電
源電圧が略4v程度まで低下しても機能するような特性
となっているために、第4乃至第6のMOS FET1
3〜15の駆動が上述のように完全に停止された後も、
第1乃至第3のホール素子4a〜4cの検出信号に応じ
て、先に説明した通常動作の場合と基本的に同様にし
て、第1乃至第3のMOS FET10〜12は、順次
オン・オフされることとなる。
【0050】第4乃至第6のMOS FET13〜15
の駆動が停止された後は、第1乃至第3のステータコイ
ル3a〜3cへの通電はなくなるため、ロータ2は、慣
性力で回転を続け、徐々に回転速度が低回して停止する
ようになるが、この慣性力による回転の間、第1乃至第
3のステータコイル3a〜3cには、いわゆる逆起電圧
が発生する。
の駆動が停止された後は、第1乃至第3のステータコイ
ル3a〜3cへの通電はなくなるため、ロータ2は、慣
性力で回転を続け、徐々に回転速度が低回して停止する
ようになるが、この慣性力による回転の間、第1乃至第
3のステータコイル3a〜3cには、いわゆる逆起電圧
が発生する。
【0051】しかしながら、第1の回路構成例で説明し
たと同様に、第4乃至第6のMOSFET13〜15の
駆動が停止された後であっても、電源電圧が第2の所定
電圧V2を下回るまでは、上述したように第1乃至第3
のMOS FET10〜12が順次オン・オフされるた
め、逆起電圧によるコイル電流は、この第1乃至第3の
MOS FET10〜12の何れかを流れることとな
り、従来のような異音の発生がなくなる。
たと同様に、第4乃至第6のMOSFET13〜15の
駆動が停止された後であっても、電源電圧が第2の所定
電圧V2を下回るまでは、上述したように第1乃至第3
のMOS FET10〜12が順次オン・オフされるた
め、逆起電圧によるコイル電流は、この第1乃至第3の
MOS FET10〜12の何れかを流れることとな
り、従来のような異音の発生がなくなる。
【0052】なお、上述した例における第1及び第2の
所定電圧V1,V2の具体的数値は、先の第1の回路構成
例で説明したと同様、これに限定される必要はないもの
で、この2つの値は、電源スイッチ7の開成による電源
電圧の低下の際、最初に第4乃至第6のMOS FET
13〜15の駆動が停止され、その後、第1乃至第3の
MOS FET10〜12の駆動が停止されるような値
であれば、種々選択され得るものである。
所定電圧V1,V2の具体的数値は、先の第1の回路構成
例で説明したと同様、これに限定される必要はないもの
で、この2つの値は、電源スイッチ7の開成による電源
電圧の低下の際、最初に第4乃至第6のMOS FET
13〜15の駆動が停止され、その後、第1乃至第3の
MOS FET10〜12の駆動が停止されるような値
であれば、種々選択され得るものである。
【0053】さらに、第1の所定電圧V1以下となった
ときに駆動停止するMOS FETと、第2の所定電圧
V2以下となったときに駆動停止とするMOS FET
とを上述した例とは逆にしてもよい。すなわち、電源ス
イッチ7が開成され、電圧検出回路29により第1の所
定電圧V1が検出された際、まず、第1乃至第3のMO
S FET10〜12を駆動停止とし、その後、電圧検
出回路29により電源電圧の第2の所定電圧V2への低
下が検出されるまでは、第4乃至第6のMOS FET
13〜15を駆動するようにしてもよい。なお、この場
合、第4乃至第6のMOS FET13〜15は、PW
M制御ではなく、通常の動作状態における第1乃至第3
のMOS FET10〜13に対すると同様なオン・オ
フが好ましい。
ときに駆動停止するMOS FETと、第2の所定電圧
V2以下となったときに駆動停止とするMOS FET
とを上述した例とは逆にしてもよい。すなわち、電源ス
イッチ7が開成され、電圧検出回路29により第1の所
定電圧V1が検出された際、まず、第1乃至第3のMO
S FET10〜12を駆動停止とし、その後、電圧検
出回路29により電源電圧の第2の所定電圧V2への低
下が検出されるまでは、第4乃至第6のMOS FET
13〜15を駆動するようにしてもよい。なお、この場
合、第4乃至第6のMOS FET13〜15は、PW
M制御ではなく、通常の動作状態における第1乃至第3
のMOS FET10〜13に対すると同様なオン・オ
フが好ましい。
【0054】
【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
ブラシレスモータの通電が停止された後のロータの慣性
力による回転によりステータコイルに生ずる逆起電圧に
よるコイル電流を、ブリッジ接続されたスイッチング素
子の内、電源側に接続された半分のスイッチング素子
か、または、アース側に接続された半分のスイッチング
素子の何れか一方をオン状態にして流すようにしたの
で、スイッチング素子に並列接続された環流ダイオード
の瞬時の導通によるコイル電流の流通による従来のよう
な異音の発生がなくなり、使用者に不快感を与えるよう
なことがない。特に、制御部がいわゆるCPUを中心に
構成された従来装置の場合には、現実的には、いわゆる
ソフトウェアを変更することで、実現可能であり、新た
な部品の追加を要することなく簡易に実現できるもので
ある。
ブラシレスモータの通電が停止された後のロータの慣性
力による回転によりステータコイルに生ずる逆起電圧に
よるコイル電流を、ブリッジ接続されたスイッチング素
子の内、電源側に接続された半分のスイッチング素子
か、または、アース側に接続された半分のスイッチング
素子の何れか一方をオン状態にして流すようにしたの
で、スイッチング素子に並列接続された環流ダイオード
の瞬時の導通によるコイル電流の流通による従来のよう
な異音の発生がなくなり、使用者に不快感を与えるよう
なことがない。特に、制御部がいわゆるCPUを中心に
構成された従来装置の場合には、現実的には、いわゆる
ソフトウェアを変更することで、実現可能であり、新た
な部品の追加を要することなく簡易に実現できるもので
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態におけるブラシレスモータ
の駆動制御装置の第1の回路構成例を示す構成図であ
る。
の駆動制御装置の第1の回路構成例を示す構成図であ
る。
【図2】速度設定信号と制御部から出力されるPWM制
御のためのパルス信号のデューティ比との関係を示す特
性線図である。
御のためのパルス信号のデューティ比との関係を示す特
性線図である。
【図3】PWM制御によるブラシレスモータの回転動作
を説明するための主要部のタイミング図であり、図3
(A)は第3のホール素子の出力信号のタイミング図、
図3(B)は第2のホール素子の出力信号のタイミング
図、図3(C)は第1のホール素子の出力信号のタイミ
ング図、図3(D)は第1のMOS FETのオン・オ
フのタイミング図、図3(E)は第4のMOS FET
のオン・オフのタイミング図、図3(F)は第2のMO
S FETのオン・オフのタイミング図、図3(G)は
第5のMOS FETのオン・オフのタイミング図、図
3(H)は第3のMOS FETのオン・オフのタイミ
ング図、図3(I)は第6のMOSFETのオン・オフ
のタイミング図である。
を説明するための主要部のタイミング図であり、図3
(A)は第3のホール素子の出力信号のタイミング図、
図3(B)は第2のホール素子の出力信号のタイミング
図、図3(C)は第1のホール素子の出力信号のタイミ
ング図、図3(D)は第1のMOS FETのオン・オ
フのタイミング図、図3(E)は第4のMOS FET
のオン・オフのタイミング図、図3(F)は第2のMO
S FETのオン・オフのタイミング図、図3(G)は
第5のMOS FETのオン・オフのタイミング図、図
3(H)は第3のMOS FETのオン・オフのタイミ
ング図、図3(I)は第6のMOSFETのオン・オフ
のタイミング図である。
【図4】従来のブラシレスモータの駆動制御装置におい
て、一端が直流電源側に接続されたトランジスタと並列
に接続された環流ダイオードのアノード側における電圧
変化を示す特性線図である。
て、一端が直流電源側に接続されたトランジスタと並列
に接続された環流ダイオードのアノード側における電圧
変化を示す特性線図である。
【図5】ブラシレスモータの駆動制御装置の第2の回路
構成例を示す構成図である。
構成例を示す構成図である。
2…ロータ 4a…第1のホール素子 4b…第2のホール素子 4c…第3のホール素子 5…通電駆動部 6…制御部(第1の回路構成例) 6A…制御部(第2の回路構成例) 7…電源スイッチ 17…電源ライン 25…位置検出回路 26…回転設定回路 27…Hi側出力ロジック回路 28…Lo側出力ロジック回路 29…電圧検出回路 30…定電圧回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒井 寛太 埼玉県大里郡江南町大字千代字東原39番地 株式会社ゼクセル江南工場内
Claims (4)
- 【請求項1】 電源とアースとの間でスイッチング素子
がブリッジ接続され、ブラシレスモータに設けられたホ
ール素子の検出信号と、ブラシレスモータの回転速度設
定のため外部入力される信号とに基づいて、前記スイッ
チング素子の駆動が制御され、前記ブラシレスモータの
ステータコイルに通電がなされるよう構成されてなるブ
ラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方法で
あって、 前記ブラシレスモータの回転速度設定のための信号入力
が、第1の所定電圧以下となったときに、前記ブリッジ
接続されたスイッチング素子の内、前記アース側に一端
が接続されているスイッチング素子か、または、前記電
源側に一端が接続されたスイッチング素子の何れか一方
側のスイッチング素子の駆動を停止し、 電源電圧が前記第1の所定電圧よりも小さな第2の所定
電圧以下となったときに、残りのスイッチング素子の駆
動を停止することを特徴とするブラシレスモータの駆動
制御装置における駆動制御方法。 - 【請求項2】 電源とアースとの間でスイッチング素子
がブリッジ接続され、ブラシレスモータに設けられたホ
ール素子の検出信号と、ブラシレスモータの回転速度設
定のため外部入力される信号とに基づいて、前記スイッ
チング素子の駆動が制御され、前記ブラシレスモータの
ステータコイルに通電がなされるよう構成されてなるブ
ラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方法で
あって、 電源電圧が、第1の所定電圧以下となったときに、前記
ブリッジ接続されたスイッチング素子の内、前記アース
側に一端が接続されているスイッチング素子か、また
は、前記電源側に一端が接続されたスイッチング素子の
何れか一方側のスイッチング素子の駆動を停止し、 電源電圧が前記第1の所定電圧よりも小さな第2の所定
電圧以下となったときに、残りのスイッチング素子の駆
動を停止することを特徴とするブラシレスモータの駆動
制御装置における駆動制御方法。 - 【請求項3】 電源とアースとの間でスイッチング素子
がブリッジ接続されて、ブラシレスモータのステータコ
イルへの通電を行う通電駆動部と、 ブラシレスモータに設けられたホール素子の検出信号
と、ブラシレスモータの回転速度設定のため外部入力さ
れる信号とに基づいて、前記通電駆動部のスイッチング
素子の駆動を制御する制御部と、 を具備してなるブラシレスモータの駆動制御装置であっ
て、 前記制御部は、前記ブラシレスモータの回転速度設定の
ための信号入力が、第1の所定電圧以下となったとき
に、前記ブリッジ接続されたスイッチング素子の内、前
記アース側に一端が接続されているスイッチング素子
か、または、前記電源側に一端が接続されたスイッチン
グ素子の何れか一方側のスイッチング素子の駆動を停止
し、 電源電圧が前記第1の所定電圧よりも小さな第2の所定
電圧以下となったときに、残りのスイッチング素子の駆
動を停止することを特徴とするブラシレスモータの駆動
制御装置。 - 【請求項4】 電源とアースとの間でスイッチング素子
がブリッジ接続されて、ブラシレスモータのステータコ
イルへの通電を行う通電駆動部と、 ブラシレスモータに設けられたホール素子の検出信号
と、ブラシレスモータの回転速度設定のため外部入力さ
れる信号とに基づいて、前記通電駆動部のスイッチング
素子の駆動を制御する制御部と、 を具備してなるブラシレスモータの駆動制御装置であっ
て、 前記制御部は、電源電圧が、第1の所定電圧以下となっ
たときに、前記ブリッジ接続されたスイッチング素子の
内、前記アース側に一端が接続されているスイッチング
素子か、または、前記電源側に一端が接続されたスイッ
チング素子の何れか一方側のスイッチング素子の駆動を
停止し、 電源電圧が前記第1の所定電圧よりも小さな第2の所定
電圧以下となったときに、残りのスイッチング素子の駆
動を停止することを特徴とするブラシレスモータの駆動
制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9341888A JPH11164585A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | ブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方法及びブラシレスモータの駆動制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9341888A JPH11164585A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | ブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方法及びブラシレスモータの駆動制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11164585A true JPH11164585A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18349525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9341888A Pending JPH11164585A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | ブラシレスモータの駆動制御装置における駆動制御方法及びブラシレスモータの駆動制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11164585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102638209A (zh) * | 2012-03-31 | 2012-08-15 | 苏州大一装备科技有限公司 | 中压高转速无刷直流电机驱动器 |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP9341888A patent/JPH11164585A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102638209A (zh) * | 2012-03-31 | 2012-08-15 | 苏州大一装备科技有限公司 | 中压高转速无刷直流电机驱动器 |
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