JPH1116489A - 画像表示装置及びその製造方法 - Google Patents
画像表示装置及びその製造方法Info
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- JPH1116489A JPH1116489A JP9166349A JP16634997A JPH1116489A JP H1116489 A JPH1116489 A JP H1116489A JP 9166349 A JP9166349 A JP 9166349A JP 16634997 A JP16634997 A JP 16634997A JP H1116489 A JPH1116489 A JP H1116489A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画像表示パネルの真空引きのときに予めゲッ
ターを空焼きして内部ガスを放出させ、不活性ガス導入
封止後に、このゲッターを加熱し、活性化することによ
り、画像表示パネル内の不純物ガスを吸収させ、パネル
内に不純物ガスを残留させないようにする。 【解決手段】 PDPパネル6にチップ排気管9を形成
する工程と、このPDPパネル6のチップ排気管9内に
ゲッターA’SSY5を組み入れる工程と、このゲッタ
ーA’SSY5を空焼きしながらPDPパネル6を真空
引きする工程と、真空引きされたPDPパネル6に不活
性ガス107を導入する工程と、不活性ガス導入後のP
DPパネル6のゲッターA’SSY5を含むチップ排気
管9の途中でガス封止切りする工程と、ガス封止された
PDPパネル6のチップ排気管9内のゲッターA’SS
Y5を加熱しながら該ゲッターA’SSY5を活性化す
る工程とを有している。
ターを空焼きして内部ガスを放出させ、不活性ガス導入
封止後に、このゲッターを加熱し、活性化することによ
り、画像表示パネル内の不純物ガスを吸収させ、パネル
内に不純物ガスを残留させないようにする。 【解決手段】 PDPパネル6にチップ排気管9を形成
する工程と、このPDPパネル6のチップ排気管9内に
ゲッターA’SSY5を組み入れる工程と、このゲッタ
ーA’SSY5を空焼きしながらPDPパネル6を真空
引きする工程と、真空引きされたPDPパネル6に不活
性ガス107を導入する工程と、不活性ガス導入後のP
DPパネル6のゲッターA’SSY5を含むチップ排気
管9の途中でガス封止切りする工程と、ガス封止された
PDPパネル6のチップ排気管9内のゲッターA’SS
Y5を加熱しながら該ゲッターA’SSY5を活性化す
る工程とを有している。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はプラズマアドレス
液晶表示装置やプラズマ表示装置等に適用して好適な画
像表示装置及びその製造方法に関する。更に詳しくは画
像表示パネルの真空引きのときに予めゲッターを空焼き
して内部のガスを放出させ、その後の画像表示パネルの
不活性ガス導入封止後に、外部からゲッターを局部的に
加熱しながら活性化することにより、画像表示パネル内
の水分や、窒素ガス、炭酸ガス(以下不純物ガスとい
う)等を吸収させ、パネル内に不純物ガスを残留させな
いようにした画像表示装置及びその製造方法に関するも
のである。
液晶表示装置やプラズマ表示装置等に適用して好適な画
像表示装置及びその製造方法に関する。更に詳しくは画
像表示パネルの真空引きのときに予めゲッターを空焼き
して内部のガスを放出させ、その後の画像表示パネルの
不活性ガス導入封止後に、外部からゲッターを局部的に
加熱しながら活性化することにより、画像表示パネル内
の水分や、窒素ガス、炭酸ガス(以下不純物ガスとい
う)等を吸収させ、パネル内に不純物ガスを残留させな
いようにした画像表示装置及びその製造方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】近年、陰極線管(CRT)に比べて奥行
きが短いプラズマアドレス液晶表示装置(Plasma Add
ress Liquid Crystal Display;以下PALCパネル
ともいう)やプラズマ表示装置(Plasma Display Pa
nnel;以下PDPパネルともいう)が開発されている。
きが短いプラズマアドレス液晶表示装置(Plasma Add
ress Liquid Crystal Display;以下PALCパネル
ともいう)やプラズマ表示装置(Plasma Display Pa
nnel;以下PDPパネルともいう)が開発されている。
【0003】例えばPDPパネルでは2枚のガラス基板
の一方の面にそれぞれ電極が形成され、放電ギャップ
(プラズマ放電させる電極間の距離)を保った状態で電
極形成面が対向され、その2枚の基板端部周囲にスペー
サを挟んで接着するようにして密封された後、そのフラ
ットパネルが真空引きされ、Ne、ArやKr等の不活
性ガスが導入される。
の一方の面にそれぞれ電極が形成され、放電ギャップ
(プラズマ放電させる電極間の距離)を保った状態で電
極形成面が対向され、その2枚の基板端部周囲にスペー
サを挟んで接着するようにして密封された後、そのフラ
ットパネルが真空引きされ、Ne、ArやKr等の不活
性ガスが導入される。
【0004】このようなフラットパネルでは放電ギャッ
プが200〜300μm程度と小さいため、スパッタイ
オンポンプや、ターボポンプ、ロータリーポンプ等を用
いた真空引きだけでは、到達真空度に限界があり、不活
性ガス封入後も不純物ガスが画像表示パネル内に残留す
る。そこで、パネル内に残留した不純物ガスをゲッター
によって吸収するゲッタリング工程が採用される。
プが200〜300μm程度と小さいため、スパッタイ
オンポンプや、ターボポンプ、ロータリーポンプ等を用
いた真空引きだけでは、到達真空度に限界があり、不活
性ガス封入後も不純物ガスが画像表示パネル内に残留す
る。そこで、パネル内に残留した不純物ガスをゲッター
によって吸収するゲッタリング工程が採用される。
【0005】このゲッタリング工程では、まず、乾燥容
器や窒素ボックス等の中で保管されたZrAl(ジルコ
ニウムアルミニウム)合金などのゲッターが画像表示パ
ネルに形成されたゲッター溜りの途中に組み入れられ、
その後、ロータリポンプや、ターボポンプ、イオンポン
プ等を用いて画像表示パネルが真空引きされる。真空引
き後の画像表示パネルには不活性ガスが導入され、ガス
導入後の画像表示パネルがガス封止切りされる。ガス封
止されたチップ管内のゲッターは加熱されて活性化され
る。
器や窒素ボックス等の中で保管されたZrAl(ジルコ
ニウムアルミニウム)合金などのゲッターが画像表示パ
ネルに形成されたゲッター溜りの途中に組み入れられ、
その後、ロータリポンプや、ターボポンプ、イオンポン
プ等を用いて画像表示パネルが真空引きされる。真空引
き後の画像表示パネルには不活性ガスが導入され、ガス
導入後の画像表示パネルがガス封止切りされる。ガス封
止されたチップ管内のゲッターは加熱されて活性化され
る。
【0006】これにより、スパッタイオンポンプや、タ
ーボポンプ、ロータリーポンプ等で真空引きできなかっ
た放電ギャップが200〜300μm程度のフラットパ
ネルでも、パネル内に残留した不純物ガスをゲッターに
よって吸収できるという特徴を有している。
ーボポンプ、ロータリーポンプ等で真空引きできなかっ
た放電ギャップが200〜300μm程度のフラットパ
ネルでも、パネル内に残留した不純物ガスをゲッターに
よって吸収できるという特徴を有している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、乾燥容
器や窒素ボックス等の中でゲッターが保管されているた
め、不本意にゲッターに含まれた水分、窒素ガス、炭酸
ガス等がゲッタリング工程の際に活性化され、放出ガス
となって画像表示パネル内に拡散してしまう場合が多く
なる。
器や窒素ボックス等の中でゲッターが保管されているた
め、不本意にゲッターに含まれた水分、窒素ガス、炭酸
ガス等がゲッタリング工程の際に活性化され、放出ガス
となって画像表示パネル内に拡散してしまう場合が多く
なる。
【0008】ここで拡散された放出ガスは画像表示パネ
ル内に元々残留していたガスと共にゲッターで吸収され
るが、ゲッター自身が放出したガスを再吸収した分だ
け、そのゲッターのガス吸収能力が低下してしまう、い
わゆる、自家中毒と呼ばれる現象を引き起こす。
ル内に元々残留していたガスと共にゲッターで吸収され
るが、ゲッター自身が放出したガスを再吸収した分だ
け、そのゲッターのガス吸収能力が低下してしまう、い
わゆる、自家中毒と呼ばれる現象を引き起こす。
【0009】この現象によって、ゲッターからの放出ガ
スが画像表示パネル内に残留してしまい、この放出ガス
によって画像表示パネルが異常放電を起こしたり、電極
がスパッタされて電極劣化が速められたりする。従っ
て、画像表示パネルの長寿命化の妨げとなったり、その
信頼性や表示品質の低下につながるという問題がある。
スが画像表示パネル内に残留してしまい、この放出ガス
によって画像表示パネルが異常放電を起こしたり、電極
がスパッタされて電極劣化が速められたりする。従っ
て、画像表示パネルの長寿命化の妨げとなったり、その
信頼性や表示品質の低下につながるという問題がある。
【0010】本発明は上記した課題に鑑み創作されたも
のであり、画像表示パネルの真空引きのときに予めゲッ
ターを空焼きして内部ガスを放出させ、不活性ガス導入
封止後に、このゲッターを加熱しながら活性化すること
により、画像表示パネル内の不純物ガスを吸収させ、パ
ネル内に不純物ガスを残留させないようにした画像表示
装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
のであり、画像表示パネルの真空引きのときに予めゲッ
ターを空焼きして内部ガスを放出させ、不活性ガス導入
封止後に、このゲッターを加熱しながら活性化すること
により、画像表示パネル内の不純物ガスを吸収させ、パ
ネル内に不純物ガスを残留させないようにした画像表示
装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明に係る画像表示
装置の製造方法では、画像表示パネル内にゲッターを組
み入れる工程と、このゲッターを空焼きしながら画像表
示パネルを真空引きする工程と、真空引きされた画像表
示パネルに不活性ガスを導入する工程と、不活性ガス導
入後の画像表示パネルをガス封止切りする工程と、ガス
封止された画像表示パネル内のゲッターを加熱しながら
該ゲッターを活性化する工程とを有しているものであ
る。
装置の製造方法では、画像表示パネル内にゲッターを組
み入れる工程と、このゲッターを空焼きしながら画像表
示パネルを真空引きする工程と、真空引きされた画像表
示パネルに不活性ガスを導入する工程と、不活性ガス導
入後の画像表示パネルをガス封止切りする工程と、ガス
封止された画像表示パネル内のゲッターを加熱しながら
該ゲッターを活性化する工程とを有しているものであ
る。
【0012】本発明に係る画像表示装置の製造方法で
は、画像表示パネルに組み入れられたゲッターを、画像
表示パネルの不活性ガス導入封止前の真空引きのときに
空焼きしてガスを放出したので、そのゲッターを不活性
ガス導入封止後に加熱しながら活性化することにより、
従来のゲッタリング工程に比べて自己が放出したガスよ
りも、数倍も多い水分、窒素ガス、炭酸ガス等の不純物
ガスを画像表示パネルから吸収できる。
は、画像表示パネルに組み入れられたゲッターを、画像
表示パネルの不活性ガス導入封止前の真空引きのときに
空焼きしてガスを放出したので、そのゲッターを不活性
ガス導入封止後に加熱しながら活性化することにより、
従来のゲッタリング工程に比べて自己が放出したガスよ
りも、数倍も多い水分、窒素ガス、炭酸ガス等の不純物
ガスを画像表示パネルから吸収できる。
【0013】従って、これら不純物ガスを画像表示パネ
ル内から一掃できるので、上記の不純物ガスを原因とす
る従来のような異常放電が無くなり、スパッタによる電
極劣化も無くなって電極寿命も伸びることから、画像表
示装置の長寿命化を図ることができる。
ル内から一掃できるので、上記の不純物ガスを原因とす
る従来のような異常放電が無くなり、スパッタによる電
極劣化も無くなって電極寿命も伸びることから、画像表
示装置の長寿命化を図ることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながらこの発
明の実施の形態について説明をする。
明の実施の形態について説明をする。
【0015】図1は本発明の実施の形態としての画像表
示装置の製造方法に使用する製造装置の構成例を示す図
である。
示装置の製造方法に使用する製造装置の構成例を示す図
である。
【0016】本実施の形態では画像表示パネルの真空引
きのときに予めゲッターを空焼きし、そのゲッターに、
不活性ガス導入封止後の画像表示パネル内の水分や、窒
素ガス、炭酸ガス(以下不純物ガスという)等を吸収さ
せることにより、パネル内に不純物ガスを残留させない
ようにした。
きのときに予めゲッターを空焼きし、そのゲッターに、
不活性ガス導入封止後の画像表示パネル内の水分や、窒
素ガス、炭酸ガス(以下不純物ガスという)等を吸収さ
せることにより、パネル内に不純物ガスを残留させない
ようにした。
【0017】画像表示装置の一例となるプラズマディス
プレイパネル(以下PDPパネルという)6の製造方法
について説明する。例えば、PDPパネル6の真空引
き、不活性ガス導入封止切り及びゲッタリング処理に使
用する装置は、図1に示すようにPDPパネル6のチッ
プ排気管9に継ぎ手101が接続される。この継ぎ手1
01には分岐管103が配管され、真空引き管路102
Aとガス導入管路102Bに分岐される。
プレイパネル(以下PDPパネルという)6の製造方法
について説明する。例えば、PDPパネル6の真空引
き、不活性ガス導入封止切り及びゲッタリング処理に使
用する装置は、図1に示すようにPDPパネル6のチッ
プ排気管9に継ぎ手101が接続される。この継ぎ手1
01には分岐管103が配管され、真空引き管路102
Aとガス導入管路102Bに分岐される。
【0018】真空引き管路102Aの先端にはメインバ
ルブ103が接続され、排気動作がオン・オフされる。
このメインバルブ103には排気装置104が接続さ
れ、PDPパネル6が排気される。排気装置104とし
てはロータリポンプ及びイオン拡散ポンプまたはターボ
ポンプとを使用する。
ルブ103が接続され、排気動作がオン・オフされる。
このメインバルブ103には排気装置104が接続さ
れ、PDPパネル6が排気される。排気装置104とし
てはロータリポンプ及びイオン拡散ポンプまたはターボ
ポンプとを使用する。
【0019】ガス導入管路102Bの先端にはサブバル
ブ105が接続され、ガス導入動作がオン・オフされ
る。このサブバルブ105にはガスボンベ106が接続
され、Neや、Ar、Kr等の不活性ガス107が導入
される。
ブ105が接続され、ガス導入動作がオン・オフされ
る。このサブバルブ105にはガスボンベ106が接続
され、Neや、Ar、Kr等の不活性ガス107が導入
される。
【0020】PDPパネル6のチップ排気管9の外側に
は加熱手段10が設けられ、チップ排気管9内に組み入
れられたゲッター組み立て体(以下ゲッターA’SSY
という)5が加熱される。加熱手段10としては、炉、
電気封止治具、高周波誘導加熱等を使用する。
は加熱手段10が設けられ、チップ排気管9内に組み入
れられたゲッター組み立て体(以下ゲッターA’SSY
という)5が加熱される。加熱手段10としては、炉、
電気封止治具、高周波誘導加熱等を使用する。
【0021】PDPパネル6は図2に示すようなフラッ
トパネル構造を有している。上部ガラス基板11の一方
の面には蛍光体12と透明の表示電極13とが積層して
形成され、下部ガラス基板14の一方の面にはアノード
電極15A、15B,15C・・・、カソード電極16
A、16B・・・が形成される。これらの電極形成面が
対向され、セルスペーサ17を挟んで放電ギャップ(プ
ラズマ放電させる電極間の距離)が一定に保たれた状態
で、この2枚の基板12、14が接着されて密封され
る。
トパネル構造を有している。上部ガラス基板11の一方
の面には蛍光体12と透明の表示電極13とが積層して
形成され、下部ガラス基板14の一方の面にはアノード
電極15A、15B,15C・・・、カソード電極16
A、16B・・・が形成される。これらの電極形成面が
対向され、セルスペーサ17を挟んで放電ギャップ(プ
ラズマ放電させる電極間の距離)が一定に保たれた状態
で、この2枚の基板12、14が接着されて密封され
る。
【0022】セルスペーサ17には隔壁17A、17B
・・・が形成され、この隔壁17A、17B・・・によ
って表示画素を構成する放電チャネルが区分けされる。
この区分けによって生じた放電チャネルはPDPパネル
6の排気口(図示せず)に接続される。このPDPパネ
ル6の排気口とチップ排気管9とをフリットガラス8に
より溶接する。
・・・が形成され、この隔壁17A、17B・・・によ
って表示画素を構成する放電チャネルが区分けされる。
この区分けによって生じた放電チャネルはPDPパネル
6の排気口(図示せず)に接続される。このPDPパネ
ル6の排気口とチップ排気管9とをフリットガラス8に
より溶接する。
【0023】次に、電極形成工程等が済んだPDPパネ
ル6のチップ排気管9内にゲッターA’SSY5を組み
入れる。このゲッターA’SSY5を構成する単体のゲ
ッター1はZrAl(ジルコニウムアルミニウム)合金
やMgAl(マグネシウムアルミニウム)合金、それら
の粉末状体などからなる。ゲッター単体では図3に示す
ようにリング状を成しており、厚みtが1mm程度であ
り、外径D1が6mm程度であり、内径D2が4mm程
度である。
ル6のチップ排気管9内にゲッターA’SSY5を組み
入れる。このゲッターA’SSY5を構成する単体のゲ
ッター1はZrAl(ジルコニウムアルミニウム)合金
やMgAl(マグネシウムアルミニウム)合金、それら
の粉末状体などからなる。ゲッター単体では図3に示す
ようにリング状を成しており、厚みtが1mm程度であ
り、外径D1が6mm程度であり、内径D2が4mm程
度である。
【0024】このようなゲッター1は流通過程において
缶詰または窒素を封入したコンテナによって搬送された
り保管されているが、ゲッター製造後はガス吸収能力低
下を抑えるために真空密封保管することが望ましい。従
って、購入後はゲッター1を真空中で空焼きして真空デ
シケータや真空封止容器に移して保管する。空焼き後の
ゲッターを耐熱性の真空容器に入れて保管してもよい。
大気中に曝す機会をなるべく少なくすることで、ゲッタ
ー1のガス吸収能力の低下が抑えられる。また、耐熱性
の真空容器に入れて保管するようにした場合には、真空
容器に入れたままのゲッター1をそのままプリベーク処
理することができ、作業を軽減できる。
缶詰または窒素を封入したコンテナによって搬送された
り保管されているが、ゲッター製造後はガス吸収能力低
下を抑えるために真空密封保管することが望ましい。従
って、購入後はゲッター1を真空中で空焼きして真空デ
シケータや真空封止容器に移して保管する。空焼き後の
ゲッターを耐熱性の真空容器に入れて保管してもよい。
大気中に曝す機会をなるべく少なくすることで、ゲッタ
ー1のガス吸収能力の低下が抑えられる。また、耐熱性
の真空容器に入れて保管するようにした場合には、真空
容器に入れたままのゲッター1をそのままプリベーク処
理することができ、作業を軽減できる。
【0025】ゲッターA’SSY5は次のように形成す
る。まず、真空封止容器からゲッター1を取り出して、
図4に示すようにゲッター1を組み立てる。組み立て作
業は真空中で行うことが好ましいが、現状では乾燥雰囲
気の大気中もしくは不活性ガス雰囲気中で行われる。
る。まず、真空封止容器からゲッター1を取り出して、
図4に示すようにゲッター1を組み立てる。組み立て作
業は真空中で行うことが好ましいが、現状では乾燥雰囲
気の大気中もしくは不活性ガス雰囲気中で行われる。
【0026】ゲッター1の数はPDPパネル6の大きさ
にもよるが、例えば、20〜30インチ程度のパネルで
はゲッター1を10個積み重ね、この10個のゲッター
1を金属性の支持体2A〜2Dによって4箇所で溶接す
ることにより一体化する。各々の支持体2A〜2Dは上
部折曲げ部3A〜3Dと下部折曲げ部4A〜4Dとを有
し、上部折曲げ部3A〜3D、下部折曲げ部4A〜4D
は図1に示したようにチップ排気管9中に留まるように
するため、弾性を持たせたバネ構造にする。これによ
り、本実施の形態では高さhが20mm程度で、一辺の
長さlが10〜14mm程度で上部折曲げ部3A〜3
D、下部折曲げ部4A〜4Dが外側に広がったゲッター
A’SSY5が完成する。
にもよるが、例えば、20〜30インチ程度のパネルで
はゲッター1を10個積み重ね、この10個のゲッター
1を金属性の支持体2A〜2Dによって4箇所で溶接す
ることにより一体化する。各々の支持体2A〜2Dは上
部折曲げ部3A〜3Dと下部折曲げ部4A〜4Dとを有
し、上部折曲げ部3A〜3D、下部折曲げ部4A〜4D
は図1に示したようにチップ排気管9中に留まるように
するため、弾性を持たせたバネ構造にする。これによ
り、本実施の形態では高さhが20mm程度で、一辺の
長さlが10〜14mm程度で上部折曲げ部3A〜3
D、下部折曲げ部4A〜4Dが外側に広がったゲッター
A’SSY5が完成する。
【0027】完成したゲッターA’SSY5をPDPパ
ネル6の排気口に近いチップ排気管9内に組み入れる。
チップ排気管9の口径dは図1に示すように、PDPパ
ネル6の大きさにもよるが、20〜30インチ程度のパ
ネルで10〜14mm程度である。支持体2A〜2Dは
ゲッターA’SSY5を保持した状態でPDPパネル6
の排気口から20mm程度の位置であって、チップ排気
管9中に留まるように配置する。
ネル6の排気口に近いチップ排気管9内に組み入れる。
チップ排気管9の口径dは図1に示すように、PDPパ
ネル6の大きさにもよるが、20〜30インチ程度のパ
ネルで10〜14mm程度である。支持体2A〜2Dは
ゲッターA’SSY5を保持した状態でPDPパネル6
の排気口から20mm程度の位置であって、チップ排気
管9中に留まるように配置する。
【0028】その後、チップ排気管9を継ぎ手101に
接続し、メインバルブ103をオン(開く)し、サブバ
ルブ105をオフ(閉じる)し、ゲッターA’SSY5
を空焼きしながらPDPパネル6を真空引きする。この
とき、ゲッターA’SSY5をチップ排気管9の外部か
ら加熱手段10により加熱しながら排気装置104によ
りPDPパネル6を排気する。加熱温度は300〜60
0゜C程度で、加熱時間は5〜7分程度である。この加
熱処理は繰り返し行ってもよい。
接続し、メインバルブ103をオン(開く)し、サブバ
ルブ105をオフ(閉じる)し、ゲッターA’SSY5
を空焼きしながらPDPパネル6を真空引きする。この
とき、ゲッターA’SSY5をチップ排気管9の外部か
ら加熱手段10により加熱しながら排気装置104によ
りPDPパネル6を排気する。加熱温度は300〜60
0゜C程度で、加熱時間は5〜7分程度である。この加
熱処理は繰り返し行ってもよい。
【0029】図5はZrAl合金を使用したゲッター
A’SSY5を真空中で空焼きしたときの特性図であ
る。縦軸は排気装置の真空度(Torr)であり、横軸は
加熱時間(分)である。この特性図によれば、ゲッター
A’SSY5を空焼きし始めてから1.5分を経過する
と、ゲッターA’SSY5からガスが出始め、2.5分
で真空度が最大値に達し、6分を経過するころにはガス
がほぼ出き切っている。図5の中で斜線で示した部分が
放出ガス量の目安となる。
A’SSY5を真空中で空焼きしたときの特性図であ
る。縦軸は排気装置の真空度(Torr)であり、横軸は
加熱時間(分)である。この特性図によれば、ゲッター
A’SSY5を空焼きし始めてから1.5分を経過する
と、ゲッターA’SSY5からガスが出始め、2.5分
で真空度が最大値に達し、6分を経過するころにはガス
がほぼ出き切っている。図5の中で斜線で示した部分が
放出ガス量の目安となる。
【0030】PDPパネル6の真空引き及びゲッター
A’SSY5の空焼きが終了したら、次にPDPパネル
6に不活性ガス107を導入する。このとき、図1に示
すようにメインバルブ103をオフ(閉じる)し、サブ
バルブ105をオン(開く)する。このときに、加熱手
段10によってゲッターA’SSY5を加熱してもよ
い。
A’SSY5の空焼きが終了したら、次にPDPパネル
6に不活性ガス107を導入する。このとき、図1に示
すようにメインバルブ103をオフ(閉じる)し、サブ
バルブ105をオン(開く)する。このときに、加熱手
段10によってゲッターA’SSY5を加熱してもよ
い。
【0031】その後、不活性ガス導入後のPDPパネル
6のゲッターA’SSY5を含むチップ排気管9の途中
でガス封止切りする。ガス封止切りはチップ排気管9を
700〜800゜C程度に加熱溶融することにより行
う。封止切り後の形状7を図1の破線で示している。
6のゲッターA’SSY5を含むチップ排気管9の途中
でガス封止切りする。ガス封止切りはチップ排気管9を
700〜800゜C程度に加熱溶融することにより行
う。封止切り後の形状7を図1の破線で示している。
【0032】その後、ガス封止されたPDPパネル6の
チップ排気管9内のゲッターA’SSY5を活性化す
る。加熱温度は700〜900゜C程度で、加熱時間は
10分程度である。この活性化により、PDPパネル6
から不純物ガスがゲッターA’SSY5に吸収されてゲ
ッタリング処理が完了する。
チップ排気管9内のゲッターA’SSY5を活性化す
る。加熱温度は700〜900゜C程度で、加熱時間は
10分程度である。この活性化により、PDPパネル6
から不純物ガスがゲッターA’SSY5に吸収されてゲ
ッタリング処理が完了する。
【0033】このように、本実施の形態の画像表示装置
の製造方法によれば、PDPパネル6のチップ排気管9
内に組み入れられたゲッターA’SSY5を、PDPパ
ネル6の不活性ガス導入封止前の真空引きのときに空焼
きして不純物ガスを放出したので、そのゲッターA’S
SY5を不活性ガス導入封止後に加熱しながら活性化す
ることにより、従来のゲッタリング工程に比べて自己が
放出したガスを吸収することがなく、従来よりも多量水
分、窒素ガス、炭酸ガス等の不純物ガスをPDPパネル
6から吸収できる。
の製造方法によれば、PDPパネル6のチップ排気管9
内に組み入れられたゲッターA’SSY5を、PDPパ
ネル6の不活性ガス導入封止前の真空引きのときに空焼
きして不純物ガスを放出したので、そのゲッターA’S
SY5を不活性ガス導入封止後に加熱しながら活性化す
ることにより、従来のゲッタリング工程に比べて自己が
放出したガスを吸収することがなく、従来よりも多量水
分、窒素ガス、炭酸ガス等の不純物ガスをPDPパネル
6から吸収できる。
【0034】従って、これら不純物ガスをPDPパネル
6内から従来よりも減少できるので、従来のような不純
物ガスを原因とする異常放電が少なくなり、しかも、ス
パッタによる電極劣化も少なくなって電極寿命も伸びる
ことから、PDPパネル6の長寿命化を図ることができ
る。
6内から従来よりも減少できるので、従来のような不純
物ガスを原因とする異常放電が少なくなり、しかも、ス
パッタによる電極劣化も少なくなって電極寿命も伸びる
ことから、PDPパネル6の長寿命化を図ることができ
る。
【0035】これにより、高信頼度かつ高表示品質のプ
ラズマディスプレイ装置を製造することができる。この
プラズマディスプレイ装置は不活性ガス107が封じ込
まれたPDPパネル6と、このPDPパネル6に付随し
て形成されたチップ排気管9(ゲッター収納部)と、こ
のチップ排気管9内に組み入れられたゲッターA’SS
Y5とを備え、このゲッターA’SSY5は、PDPパ
ネル6の不活性ガス導入封止前の真空引きのときに加熱
されてガス出しされたものであって、不活性ガス導入封
止後に加熱されて活性化されたものである。
ラズマディスプレイ装置を製造することができる。この
プラズマディスプレイ装置は不活性ガス107が封じ込
まれたPDPパネル6と、このPDPパネル6に付随し
て形成されたチップ排気管9(ゲッター収納部)と、こ
のチップ排気管9内に組み入れられたゲッターA’SS
Y5とを備え、このゲッターA’SSY5は、PDPパ
ネル6の不活性ガス導入封止前の真空引きのときに加熱
されてガス出しされたものであって、不活性ガス導入封
止後に加熱されて活性化されたものである。
【0036】プラズマディスプレイ装置の動作原理を以
下に説明する。図2に示した所定の放電チャネルに対応
するアノード電極15Aとカソード電極16Aとの間に
所定電圧(アドレス電圧)が印加されると、その放電チ
ャネル部分のガスが選択的にイオン化されて小規模なプ
ラズマ放電を起こす。その内部ではアノード電位による
放電維持に必要な壁電荷が保持される。この状態で表示
電極13にデータ電圧が印加されると、その放電チャネ
ルに対応する壁電荷によって表示電極13とカソード電
極16Aとの間で大規模なプラズマ放電が発生し、この
プラズマ放電による光は蛍光体12を介して発光する。
これにより、画素単位に表示ができる。放電チャネルを
順次走査することで二次元画像表示ができる。
下に説明する。図2に示した所定の放電チャネルに対応
するアノード電極15Aとカソード電極16Aとの間に
所定電圧(アドレス電圧)が印加されると、その放電チ
ャネル部分のガスが選択的にイオン化されて小規模なプ
ラズマ放電を起こす。その内部ではアノード電位による
放電維持に必要な壁電荷が保持される。この状態で表示
電極13にデータ電圧が印加されると、その放電チャネ
ルに対応する壁電荷によって表示電極13とカソード電
極16Aとの間で大規模なプラズマ放電が発生し、この
プラズマ放電による光は蛍光体12を介して発光する。
これにより、画素単位に表示ができる。放電チャネルを
順次走査することで二次元画像表示ができる。
【0037】本実施の形態では画像表示装置としてPD
Pパネル6の場合について説明したが、プラズマアドレ
ス液晶表示パネル(PALCパネル)の場合にも同様な
効果が得られる。
Pパネル6の場合について説明したが、プラズマアドレ
ス液晶表示パネル(PALCパネル)の場合にも同様な
効果が得られる。
【0038】PALCパネル100は図6に示すように
液晶表示セル20と、プラズマセル30と、それらの間
に介在する誘電体シート23を積層したフラットパネル
構造を有している。誘電体シート23は薄板ガラス等で
構成される。液晶表示セル20は透明基板21を用いて
構成される。透明基板21の一方の面には所定の間隔を
保持してデータ電極22が設けられる。透明基板21は
図示しないがスペーサによって所定間隔を保持して誘電
体シート23に接合される。透明基板21と誘電体シー
ト23との間には液晶が充填されて液晶層24が形成さ
れる。
液晶表示セル20と、プラズマセル30と、それらの間
に介在する誘電体シート23を積層したフラットパネル
構造を有している。誘電体シート23は薄板ガラス等で
構成される。液晶表示セル20は透明基板21を用いて
構成される。透明基板21の一方の面には所定の間隔を
保持してデータ電極22が設けられる。透明基板21は
図示しないがスペーサによって所定間隔を保持して誘電
体シート23に接合される。透明基板21と誘電体シー
ト23との間には液晶が充填されて液晶層24が形成さ
れる。
【0039】一方、プラズマセル30はガラス基板31
を用いて構成される。ガラス基板31の内側には複数の
溝部32が並列に形成される。各溝部32は誘電体シー
ト23で密封されており、個々に分離された溝部32が
放電チャネル(プラズマ室)を構成する。放電チャネル
にはNe、ArやKr等の不活性ガスが導入される。溝
部32の底部にはプラズマ電極を構成する互いに平行な
アノード電極33及びカソード電極34が溝部32に沿
って設けられる。
を用いて構成される。ガラス基板31の内側には複数の
溝部32が並列に形成される。各溝部32は誘電体シー
ト23で密封されており、個々に分離された溝部32が
放電チャネル(プラズマ室)を構成する。放電チャネル
にはNe、ArやKr等の不活性ガスが導入される。溝
部32の底部にはプラズマ電極を構成する互いに平行な
アノード電極33及びカソード電極34が溝部32に沿
って設けられる。
【0040】この溝部32がPALCパネル100の排
気口(図示せず)に接続される。このPALCパネル1
00の排気口と図1に示したようなチップ排気管9とが
フリットガラスにより溶接される。
気口(図示せず)に接続される。このPALCパネル1
00の排気口と図1に示したようなチップ排気管9とが
フリットガラスにより溶接される。
【0041】PALCパネルの動作原理を以下に説明す
る。所定の放電チャネルに対応するアノード電極33と
カソード電極34との間に所定電圧(アドレス電圧)が
印加されると、その放電チャネル部分のガスが選択的に
イオン化されてプラズマ放電を発生する。その内部はア
ノード電位に維持される。この状態でデータ電極22に
データ電圧が印加されると、その放電チャネルに対応し
て列方向に並ぶ複数の画素の液晶層24に誘電体シート
23を介してデータ電圧が書き込まれる。
る。所定の放電チャネルに対応するアノード電極33と
カソード電極34との間に所定電圧(アドレス電圧)が
印加されると、その放電チャネル部分のガスが選択的に
イオン化されてプラズマ放電を発生する。その内部はア
ノード電位に維持される。この状態でデータ電極22に
データ電圧が印加されると、その放電チャネルに対応し
て列方向に並ぶ複数の画素の液晶層24に誘電体シート
23を介してデータ電圧が書き込まれる。
【0042】プラズマ放電が終了すると、放電チャネル
は浮遊電位となり、各画素の液晶層24に書き込まれた
データ電圧は次の書き込み期間(1フレーム後)まで保
持される。この場合、放電チャネルはサンプリングスイ
ッチとして機能し、各画素の液晶層24はキャパシタと
して機能する。従って、各画素の液晶層24に書き込ま
れたデータ電圧によって液晶が動作することから、パネ
ル下部に設けられたバックライトからの光を透過するこ
とにより画素単位に表示ができる。放電チャネルを順次
走査することで二次元画像表示ができる。
は浮遊電位となり、各画素の液晶層24に書き込まれた
データ電圧は次の書き込み期間(1フレーム後)まで保
持される。この場合、放電チャネルはサンプリングスイ
ッチとして機能し、各画素の液晶層24はキャパシタと
して機能する。従って、各画素の液晶層24に書き込ま
れたデータ電圧によって液晶が動作することから、パネ
ル下部に設けられたバックライトからの光を透過するこ
とにより画素単位に表示ができる。放電チャネルを順次
走査することで二次元画像表示ができる。
【0043】本実施の形態ではチップ排気管9内にゲッ
ターA’SSY5を組み入れる場合について説明した
が、PDPパネル6やPALCパネル100の電極形成
工程等において、ゲッター溜まり(ゲッター収納部)を
形成し、その中にゲッタータA’SSY5を予め組み入
れて置き、真空引き及びガス封止切り工程が済んだ後
に、外部から加熱してそのゲッターA’SSY5を活性
化してもよい。これによっても同様な効果が得られる。
ターA’SSY5を組み入れる場合について説明した
が、PDPパネル6やPALCパネル100の電極形成
工程等において、ゲッター溜まり(ゲッター収納部)を
形成し、その中にゲッタータA’SSY5を予め組み入
れて置き、真空引き及びガス封止切り工程が済んだ後
に、外部から加熱してそのゲッターA’SSY5を活性
化してもよい。これによっても同様な効果が得られる。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る画像
表示装置の製造方法によれば、画像表示パネルに組み入
れられたゲッターを、画像表示パネルの不活性ガス導入
封止前の真空引きのときに空焼きしてガスを放出したの
で、そのゲッターを不活性ガス導入封止後に加熱しなが
ら活性化することにより、従来のゲッタリング工程に比
べて自己が放出したガスを吸収することがなく、従来よ
りも多量の水分、窒素ガス、炭酸ガス等の不純物ガスを
画像表示パネルから吸収できる。
表示装置の製造方法によれば、画像表示パネルに組み入
れられたゲッターを、画像表示パネルの不活性ガス導入
封止前の真空引きのときに空焼きしてガスを放出したの
で、そのゲッターを不活性ガス導入封止後に加熱しなが
ら活性化することにより、従来のゲッタリング工程に比
べて自己が放出したガスを吸収することがなく、従来よ
りも多量の水分、窒素ガス、炭酸ガス等の不純物ガスを
画像表示パネルから吸収できる。
【0045】従って、これら不純物ガスを画像表示パネ
ル内から従来比で減少させ得るので、上記の不純物ガス
を原因とする従来のような異常放電が無くなり、スパッ
タによる電極劣化も無くなって電極寿命も伸びることか
ら、画像表示装置の長寿命化を図ることができる。
ル内から従来比で減少させ得るので、上記の不純物ガス
を原因とする従来のような異常放電が無くなり、スパッ
タによる電極劣化も無くなって電極寿命も伸びることか
ら、画像表示装置の長寿命化を図ることができる。
【0046】このような画像表示装置の製造方法はプラ
ズマアドレス液晶表示装置やプラズマディスプレイ装置
等の製造に適用して極めて効果が大きい。
ズマアドレス液晶表示装置やプラズマディスプレイ装置
等の製造に適用して極めて効果が大きい。
【図1】実施の形態としての画像表示装置の製造方法で
使用する製造装置の構成例を示す図である。
使用する製造装置の構成例を示す図である。
【図2】PDPパネル6の構成例を示す図である。
【図3】PDPパネル6のゲッタリングに使用するゲッ
ターの外観図である。
ターの外観図である。
【図4】ゲッターA’SSY5の組み立て時の説明図で
ある。
ある。
【図5】ゲッターA’SSY5の真空中空焼き時の特性
図である。
図である。
【図6】PALCパネル100の構成例を示す図であ
る。
る。
1・・・ゲッター、2A〜2D・・・金属性の支持体、
3A〜3D・・・上部折曲げ部、4A〜4D・・・下部
折曲げ部、5・・・ゲッターA’SSY、6・・・PD
Pパネル(画像表示パネル)、7・・・ガス封止切り後
の形状、8・・・フリットガラス、9・・・チップ排気
管、10・・・加熱手段、11・・・上部ガラス基板、
12・・・蛍光体、13・・・表示電極、14・・・下
部ガラス基板、15A〜15C,33・・・アノード電
極、16A,16B,34・・・カソード電極、17・
・・セルスペーサ、18,107・・・不活性ガス、2
0・・・液晶表示セル、30・・・プラズマセル、21
・・・透明基板、22・・・データ電極、23・・・誘
電体シート、24・・・液晶層、31・・・ガラス基
板、32・・・溝部(放電チャネル)、100・・・P
ALCパネル(画像表示パネル)、101・・・継ぎ
手、102・・・分岐管、102A・・・真空引き管
路、102B・・・ガス導入管路、103・・・メイン
バルブ、104・・・排気装置、105・・・サブバル
ブ、106・・・ガスボンベ
3A〜3D・・・上部折曲げ部、4A〜4D・・・下部
折曲げ部、5・・・ゲッターA’SSY、6・・・PD
Pパネル(画像表示パネル)、7・・・ガス封止切り後
の形状、8・・・フリットガラス、9・・・チップ排気
管、10・・・加熱手段、11・・・上部ガラス基板、
12・・・蛍光体、13・・・表示電極、14・・・下
部ガラス基板、15A〜15C,33・・・アノード電
極、16A,16B,34・・・カソード電極、17・
・・セルスペーサ、18,107・・・不活性ガス、2
0・・・液晶表示セル、30・・・プラズマセル、21
・・・透明基板、22・・・データ電極、23・・・誘
電体シート、24・・・液晶層、31・・・ガラス基
板、32・・・溝部(放電チャネル)、100・・・P
ALCパネル(画像表示パネル)、101・・・継ぎ
手、102・・・分岐管、102A・・・真空引き管
路、102B・・・ガス導入管路、103・・・メイン
バルブ、104・・・排気装置、105・・・サブバル
ブ、106・・・ガスボンベ
Claims (4)
- 【請求項1】 画像表示パネル内にゲッターを組み入れ
る工程と、 前記ゲッターを空焼きしながら前記画像表示パネルを真
空引きする工程と、 真空引きされた前記画像表示パネルに不活性ガスを導入
する工程と、 不活性ガス導入後の前記画像表示パネルをガス封止切り
する工程と、 ガス封止された前記画像表示パネル内のゲッターを加熱
しながら該ゲッターを活性化する工程とを有しているこ
とを特徴とする画像表示装置の製造方法。 - 【請求項2】 画像表示パネルに排気管を形成する工程
と、 前記画像表示パネルの排気管内にゲッターを組み入れる
工程と、 前記ゲッターを空焼きしながら前記画像表示パネルを真
空引きする工程と、 真空引きされた前記画像表示パネルに不活性ガスを導入
する工程と、 不活性ガス導入後の前記画像表示パネルのゲッターを含
む排気管の途中でガス封止切りする工程と、 ガス封止された前記画像表示パネルの排気管内のゲッタ
ーを加熱しながら該ゲッターを活性化する工程とを有し
ていることを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置
の製造方法。 - 【請求項3】 前記画像表示パネルに組み入れるゲッタ
ーを真空容器または耐熱性の真空容器に入れて保管する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の画像表
示装置の製造方法。 - 【請求項4】 不活性ガスが封じ込まれた画像表示パネ
ルと、 前記画像表示パネルに付随して形成されたゲッター収納
部と、 前記ゲッター収納部内に組み入れられたゲッターとを備
え、 前記ゲッターは、 前記画像表示パネルの不活性ガス導入封止前の真空引き
のときに加熱されてガス出しされたものであって、不活
性ガス導入封止後に加熱されて活性化されたものである
ことを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9166349A JPH1116489A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 画像表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9166349A JPH1116489A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 画像表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116489A true JPH1116489A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15829740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9166349A Pending JPH1116489A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 画像表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116489A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334334B1 (ko) * | 1998-05-21 | 2002-04-25 | 니시가키 코지 | 가스 주입 방법 및 장치와, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 가스 주입 방법 |
-
1997
- 1997-06-23 JP JP9166349A patent/JPH1116489A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334334B1 (ko) * | 1998-05-21 | 2002-04-25 | 니시가키 코지 | 가스 주입 방법 및 장치와, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 가스 주입 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040525 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040601 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041005 |