JPH1116706A - Ｐｔｃサーミスタ素子及びその製造方法 - Google Patents
Ｐｔｃサーミスタ素子及びその製造方法Info
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- JPH1116706A JPH1116706A JP16582997A JP16582997A JPH1116706A JP H1116706 A JPH1116706 A JP H1116706A JP 16582997 A JP16582997 A JP 16582997A JP 16582997 A JP16582997 A JP 16582997A JP H1116706 A JPH1116706 A JP H1116706A
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- thermistor element
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 抵抗値が規格外の低抵抗品の抵抗値を上昇さ
せることにより、製品歩留を上げ、ＰＴＣサーミスタ素
子の製造コストを低減させる。 【解決手段】 チタン酸バリウム系セラミックス半導体
基板の電極を形成しようとする面に、イオン注入装置に
より酸素イオンを注入し、坦持させる。その後、イオン
注入面に銀電極を形成し、ＰＴＣサーミスタ素子を得
る。このＰＴＣサーミスタ素子は、６０℃以下における
抵抗値が処理前と比べて高くなっている。
せることにより、製品歩留を上げ、ＰＴＣサーミスタ素
子の製造コストを低減させる。 【解決手段】 チタン酸バリウム系セラミックス半導体
基板の電極を形成しようとする面に、イオン注入装置に
より酸素イオンを注入し、坦持させる。その後、イオン
注入面に銀電極を形成し、ＰＴＣサーミスタ素子を得
る。このＰＴＣサーミスタ素子は、６０℃以下における
抵抗値が処理前と比べて高くなっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チタン酸バリウム
系セラミックス半導体の抵抗値上昇方法に関し、更に
は、ＰＴＣサーミスタ素子の製造に際して前記抵抗値上
昇方法を利用することにより、製品歩留を向上させ、製
造コストを低減できるＰＴＣサーミスタ素子の製造方法
に関する。
系セラミックス半導体の抵抗値上昇方法に関し、更に
は、ＰＴＣサーミスタ素子の製造に際して前記抵抗値上
昇方法を利用することにより、製品歩留を向上させ、製
造コストを低減できるＰＴＣサーミスタ素子の製造方法
に関する。
【０００２】また、本発明は、前記製造方法により得ら
れた、高いＰＴＣ特性を有しており、特に通信機器分野
等において好適に利用できるＰＴＣサーミスタ素子に関
する。
れた、高いＰＴＣ特性を有しており、特に通信機器分野
等において好適に利用できるＰＴＣサーミスタ素子に関
する。
【０００３】
【従来の技術】チタン酸バリウム系セラミックス半導体
は、それが有しているＰＴＣ特性を利用して、通信回線
用保安器等の通信機器分野におけるＰＴＣサーミスタ素
子用の材料として汎用されている。しかし、チタン酸バ
リウム系セラミックス半導体には、以下に示すような製
造上の問題点を有している。
は、それが有しているＰＴＣ特性を利用して、通信回線
用保安器等の通信機器分野におけるＰＴＣサーミスタ素
子用の材料として汎用されている。しかし、チタン酸バ
リウム系セラミックス半導体には、以下に示すような製
造上の問題点を有している。
【０００４】チタン酸バリウム系セラミックス半導体の
ＰＴＣ特性は、組成や焼成条件により大きく左右される
ため、常温抵抗値が広範囲にばらついてしまうことがあ
る。ところが、通信機器分野に適用する場合、常温抵抗
値の許容範囲は非常に狭いため（例えば、通信回線にお
ける雷サージや商用電源の混触防止に用いる保安器の構
成部品用としては、−２０〜６０℃における抵抗値が約
６Ω〜１０Ω）、製造されたチタン酸バリウム系セラミ
ックス半導体のうち、少なくないものが規格外となり通
信機器分野用としては不適となってしまう。その結果、
製品の歩留が低下し、それがＰＴＣサーミスタ素子を組
み込んだ機器の製造コストを押し上げる大きな要因とな
っている。
ＰＴＣ特性は、組成や焼成条件により大きく左右される
ため、常温抵抗値が広範囲にばらついてしまうことがあ
る。ところが、通信機器分野に適用する場合、常温抵抗
値の許容範囲は非常に狭いため（例えば、通信回線にお
ける雷サージや商用電源の混触防止に用いる保安器の構
成部品用としては、−２０〜６０℃における抵抗値が約
６Ω〜１０Ω）、製造されたチタン酸バリウム系セラミ
ックス半導体のうち、少なくないものが規格外となり通
信機器分野用としては不適となってしまう。その結果、
製品の歩留が低下し、それがＰＴＣサーミスタ素子を組
み込んだ機器の製造コストを押し上げる大きな要因とな
っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の問題点を解決す
る方法として、要求される抵抗値範囲から外れたチタン
酸バリウム系セラミックス半導体のうち、低抵抗品につ
いては再焼成して、抵抗値を所望範囲にまで上げる方法
が考えられる。しかし、この再焼成法は細かな抵抗値の
制御が煩雑かつ困難であり、製造コストの有効な低減方
法にはなりえていない。
る方法として、要求される抵抗値範囲から外れたチタン
酸バリウム系セラミックス半導体のうち、低抵抗品につ
いては再焼成して、抵抗値を所望範囲にまで上げる方法
が考えられる。しかし、この再焼成法は細かな抵抗値の
制御が煩雑かつ困難であり、製造コストの有効な低減方
法にはなりえていない。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するため、低抵
抗品の抵抗値上昇法として従来の再焼成法に代わる新た
な方法を提供するものである。よって、まず簡便な方法
により低抵抗品の抵抗値を所望範囲にまで上昇できる方
法として、チタン酸バリウム系セラミックス半導体の抵
抗値上昇方法を提供することを目的し、更には前記方法
を用いることにより、製品歩留を上げ、引いては製品コ
ストを低減させることができるＰＴＣサーミスタ素子の
製造方法を提供することを目的とする。
抗品の抵抗値上昇法として従来の再焼成法に代わる新た
な方法を提供するものである。よって、まず簡便な方法
により低抵抗品の抵抗値を所望範囲にまで上昇できる方
法として、チタン酸バリウム系セラミックス半導体の抵
抗値上昇方法を提供することを目的し、更には前記方法
を用いることにより、製品歩留を上げ、引いては製品コ
ストを低減させることができるＰＴＣサーミスタ素子の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】また、本発明は、前記製造方法により得ら
れたＰＴＣサーミスタ素子を提供することを目的とす
る。
れたＰＴＣサーミスタ素子を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決する手段として、チタン酸バリウム系セラミックス半
導体にガスイオンを注入することを特徴とするチタン酸
バリウム系セラミックス半導体の抵抗値上昇方法を提供
する。
決する手段として、チタン酸バリウム系セラミックス半
導体にガスイオンを注入することを特徴とするチタン酸
バリウム系セラミックス半導体の抵抗値上昇方法を提供
する。
【０００９】本発明は、上記課題を解決する手段とし
て、チタン酸バリウム系セラミックス半導体の反面又は
両面に、ガスイオンを注入する工程及び少なくともガス
イオンを注入した若しくは注入しようとする面に電極を
形成する工程を具備することを特徴とするＰＴＣサーミ
スタ素子の製造方法を提供する。
て、チタン酸バリウム系セラミックス半導体の反面又は
両面に、ガスイオンを注入する工程及び少なくともガス
イオンを注入した若しくは注入しようとする面に電極を
形成する工程を具備することを特徴とするＰＴＣサーミ
スタ素子の製造方法を提供する。
【００１０】本発明は、上記課題を解決する手段とし
て、チタン酸バリウム系セラミックス半導体の両面形成
された二つの電極を有しており、前記半導体の少なくと
も電極形成面にガスイオンが坦持されていることを特徴
とするＰＴＣサーミスタ素子を提供する。
て、チタン酸バリウム系セラミックス半導体の両面形成
された二つの電極を有しており、前記半導体の少なくと
も電極形成面にガスイオンが坦持されていることを特徴
とするＰＴＣサーミスタ素子を提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のＰＴＣサーミスタ素子の
製造方法を、それにより得られたＰＴＣサーミスタ素子
の概略平面図である図１を参照しながら説明する。な
お、チタン酸バリウム系セラミックス半導体の抵抗値上
昇方法は、前記ＰＴＣサーミスタ素子の製造方法に包含
されるため、ＰＴＣサーミスタ素子の製造方法と合わせ
て説明する。
製造方法を、それにより得られたＰＴＣサーミスタ素子
の概略平面図である図１を参照しながら説明する。な
お、チタン酸バリウム系セラミックス半導体の抵抗値上
昇方法は、前記ＰＴＣサーミスタ素子の製造方法に包含
されるため、ＰＴＣサーミスタ素子の製造方法と合わせ
て説明する。
【００１２】まず、第１工程として、チタン酸バリウム
系セラミックス半導体の片面又は両面に、酸素イオン又
は窒素イオン等のガスイオンを注入する。
系セラミックス半導体の片面又は両面に、酸素イオン又
は窒素イオン等のガスイオンを注入する。
【００１３】チタン酸バリウム系セラミックス半導体
は、チタン酸バリウムにキュリー点制御用としてのスト
ロンチウム、鉛を添加したものに、半導体化成分及び他
の副添加物を配合し、以下常法により、湿式混合、成形
及び焼成して得られるものである。
は、チタン酸バリウムにキュリー点制御用としてのスト
ロンチウム、鉛を添加したものに、半導体化成分及び他
の副添加物を配合し、以下常法により、湿式混合、成形
及び焼成して得られるものである。
【００１４】ここで半導体化成分としては、希土類元
素、二オブ、アンチモン又はビスマスを挙げることがで
き、他の副添加物としては、マンガン、ケイ素、アルミ
ニウム、チタン等の酸化物を挙げることができる。
素、二オブ、アンチモン又はビスマスを挙げることがで
き、他の副添加物としては、マンガン、ケイ素、アルミ
ニウム、チタン等の酸化物を挙げることができる。
【００１５】チタン酸バリウム系セラミックス半導体の
一製造例を挙げると次のとおりである。まず、ＢａＣＯ
3 、ＳｒＣＯ3 、ＭｇＣＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｍ
ｎＯ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3 等を所要量秤量
し、これらを湿式混合する。次に、これらを粉砕して乾
燥したのち、温度約１１００℃で２時間保持して仮焼成
する。その後、再度、粉砕乾燥したのち、結合剤として
ポリビニルアルコールを加え、１５０メッシュ程度の粒
度に造粒する。その後、プレス機により圧力約１０００
ｋｇ／ｃｍ2 で所望形状及び大きさに成形したのち、温
度約１３７０℃で約１時間保持して焼成し、目的とする
チタン酸バリウム系セラミックス半導体を得る。
一製造例を挙げると次のとおりである。まず、ＢａＣＯ
3 、ＳｒＣＯ3 、ＭｇＣＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｍ
ｎＯ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ3 等を所要量秤量
し、これらを湿式混合する。次に、これらを粉砕して乾
燥したのち、温度約１１００℃で２時間保持して仮焼成
する。その後、再度、粉砕乾燥したのち、結合剤として
ポリビニルアルコールを加え、１５０メッシュ程度の粒
度に造粒する。その後、プレス機により圧力約１０００
ｋｇ／ｃｍ2 で所望形状及び大きさに成形したのち、温
度約１３７０℃で約１時間保持して焼成し、目的とする
チタン酸バリウム系セラミックス半導体を得る。
【００１６】ガスイオンを注入する方法としては、イオ
ン注入装置を用い、素子を減圧雰囲気に置いた状態で、
注入効果が現れる１０ｋＶ以上の加速電圧で片面又は両
面に注入する方法を適用することができる。
ン注入装置を用い、素子を減圧雰囲気に置いた状態で、
注入効果が現れる１０ｋＶ以上の加速電圧で片面又は両
面に注入する方法を適用することができる。
【００１７】このようなイオン注入処理により、チタン
酸バリウム系セラミックス半導体の抵抗値を上昇させる
ことができる。なお、この場合の抵抗値とは、前記半導
体を用いた装置の通常の使用環境温度である約６０℃以
下における抵抗値を意味する。
酸バリウム系セラミックス半導体の抵抗値を上昇させる
ことができる。なお、この場合の抵抗値とは、前記半導
体を用いた装置の通常の使用環境温度である約６０℃以
下における抵抗値を意味する。
【００１８】本発明のＰＴＣサーミスタ素子の製造方法
は、上記のとおりチタン酸バリウム系セラミックス半導
体の抵抗値上昇方法を包含するものであり、本来は既存
品のチタン酸バリウム系セラミックス半導体の抵抗値を
上昇させることにより、所望抵抗値のＰＴＣサーミスタ
素子を得るものである。しかし、本発明はそれにとどま
らず、上記第１工程の処理の前に、予め意図的に低めの
抵抗値を有するチタン酸バリウム系セラミックス半導体
を製造する工程を付加し、その後、上記第１工程に移行
するようにすることもできる。
は、上記のとおりチタン酸バリウム系セラミックス半導
体の抵抗値上昇方法を包含するものであり、本来は既存
品のチタン酸バリウム系セラミックス半導体の抵抗値を
上昇させることにより、所望抵抗値のＰＴＣサーミスタ
素子を得るものである。しかし、本発明はそれにとどま
らず、上記第１工程の処理の前に、予め意図的に低めの
抵抗値を有するチタン酸バリウム系セラミックス半導体
を製造する工程を付加し、その後、上記第１工程に移行
するようにすることもできる。
【００１９】次に、第２工程として、チタン酸バリウム
系セラミックス半導体の片面又は両面にガスイオンを注
入した後、両面に電極を形成する。
系セラミックス半導体の片面又は両面にガスイオンを注
入した後、両面に電極を形成する。
【００２０】電極２ａ及び２ｂを形成する方法には特別
なものはなく、所定素子の面上に、必要に応じてニッケ
ルメッキ等を施したのち、銀等の電極材料をスクリーン
印刷等で印刷し、更に加熱焼付けし、冷却する方法を適
用することができる。
なものはなく、所定素子の面上に、必要に応じてニッケ
ルメッキ等を施したのち、銀等の電極材料をスクリーン
印刷等で印刷し、更に加熱焼付けし、冷却する方法を適
用することができる。
【００２１】二つの電極２ａ及び２ｂは、図示するよう
に、対向する面上に形成することができる。電極材料と
してはオーム性接触を有するものであれば特に制限され
るものではなく、通常はＮｉやオーミック銀等を用いる
ことができる。
に、対向する面上に形成することができる。電極材料と
してはオーム性接触を有するものであれば特に制限され
るものではなく、通常はＮｉやオーミック銀等を用いる
ことができる。
【００２２】このような製造方法により得られたＰＴＣ
サーミスタ素子１は、少なくとも電極２ａ及び２ｂの形
成面に、酸素イオン又は窒素イオン等のガスイオンが坦
持されている。このガスイオンは、素子の表面に付着し
た状態で坦持されていてもよく、また表面近傍（数十ｎ
ｍ程度の深さ）に入り込んだ状態で坦持されていてもよ
い。
サーミスタ素子１は、少なくとも電極２ａ及び２ｂの形
成面に、酸素イオン又は窒素イオン等のガスイオンが坦
持されている。このガスイオンは、素子の表面に付着し
た状態で坦持されていてもよく、また表面近傍（数十ｎ
ｍ程度の深さ）に入り込んだ状態で坦持されていてもよ
い。
【００２３】実用時においては、ＰＴＣサーミスタ素子
１の電極２ａ及び２ｂにはリード線が接続され、このリ
ード線を介して、電気抵抗の変化を計測するためのデジ
タルマルチメーター等に接続される。
１の電極２ａ及び２ｂにはリード線が接続され、このリ
ード線を介して、電気抵抗の変化を計測するためのデジ
タルマルチメーター等に接続される。
【００２４】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれらにより限定されるものではな
い。
するが、本発明はこれらにより限定されるものではな
い。
【００２５】実施例１〜４ 上記した製造例にしたがい、チタン酸バリウム系セラミ
ックス半導体素子（φ１３ｍｍ）を４枚調製した。な
お、仮焼成温度は１０５０℃、最終焼成温度は１３５０
℃とした。これらの基板を用い、下記の製造方法によ
り、４つのＰＴＣサーミスタ素子を得た。なお、チタン
酸バリウム系セラミックス半導体の組成は、いずれもＢ
ａ0.8175Ｓｒ0.1 Ｃａ0.08Ｙ0.0025ＴｉＯ3 であった。
ックス半導体素子（φ１３ｍｍ）を４枚調製した。な
お、仮焼成温度は１０５０℃、最終焼成温度は１３５０
℃とした。これらの基板を用い、下記の製造方法によ
り、４つのＰＴＣサーミスタ素子を得た。なお、チタン
酸バリウム系セラミックス半導体の組成は、いずれもＢ
ａ0.8175Ｓｒ0.1 Ｃａ0.08Ｙ0.0025ＴｉＯ3 であった。
【００２６】次に、素子の電極を形成しようとする面が
上向きになるようにして平板治具（１００×１００mm）
上に固定し、この治具を簡易型イオン注入装置（機種名
「ＩＩＭ−１０２」）のチャンバ内においてイオンの加
速方向に垂直になるようにして取り付けた。その後、チ
ャンバ内を１０-5Torr程度に減圧したのち、酸素ガスを
所要量導入した。次に、付属のマイクロ波装置を用いて
酸素ガスをプラズマ化し、加速電圧４０ｋｖで５秒、１
０秒、５０秒及び１００秒間ずつ酸素イオンを注入し
た。その後、反対面についても同様のイオン注入処理を
した。
上向きになるようにして平板治具（１００×１００mm）
上に固定し、この治具を簡易型イオン注入装置（機種名
「ＩＩＭ−１０２」）のチャンバ内においてイオンの加
速方向に垂直になるようにして取り付けた。その後、チ
ャンバ内を１０-5Torr程度に減圧したのち、酸素ガスを
所要量導入した。次に、付属のマイクロ波装置を用いて
酸素ガスをプラズマ化し、加速電圧４０ｋｖで５秒、１
０秒、５０秒及び１００秒間ずつ酸素イオンを注入し
た。その後、反対面についても同様のイオン注入処理を
した。
【００２７】次に、前工程で得られた素子の両面にニッ
ケルメッキを施したのち、一面にスクリーン印刷法によ
り銀ペーストを印刷した。その後、５８０℃で１５分間
焼成し、再び室温まで徐冷することにより電極を形成
し、塗装して、ＰＴＣサーミスタ素子を得た。
ケルメッキを施したのち、一面にスクリーン印刷法によ
り銀ペーストを印刷した。その後、５８０℃で１５分間
焼成し、再び室温まで徐冷することにより電極を形成
し、塗装して、ＰＴＣサーミスタ素子を得た。
【００２８】なお、本発明において、簡易型イオン注入
装置によるガスイオン注入量の理論値は、照射されるイ
オンがすべて１価のものと仮定した場合、次式により求
めることができる。
装置によるガスイオン注入量の理論値は、照射されるイ
オンがすべて１価のものと仮定した場合、次式により求
めることができる。
【００２９】
【数１】 イオン注入量＝Ｉ・ｔ／［（ｅ／ｍe ）・ｍe ］
【００３０】式中、Ｉは電流密度（Ａ／cm2 ）、ｔは注
入時間（秒）、ｅ／ｍe は電子の比電荷及びｍe は電子
の質量を表す。
入時間（秒）、ｅ／ｍe は電子の比電荷及びｍe は電子
の質量を表す。
【００３１】実施例１においては、Ｉ＝２６．５μＡ／
cm2 であるため、１秒当たりのイオン注入量（理論値）
は１．６５×１０14個／cm2 となる。よって、５秒間の
イオン注入量は８．２５×１０14個／cm2 、１０秒間の
イオン注入量は１．６５×１０15個／cm2 、５０秒間の
イオン注入量は８．２５×１０15個／cm2 、１００秒間
のイオン注入量は１．６５×１０16個／cm2 となる。
cm2 であるため、１秒当たりのイオン注入量（理論値）
は１．６５×１０14個／cm2 となる。よって、５秒間の
イオン注入量は８．２５×１０14個／cm2 、１０秒間の
イオン注入量は１．６５×１０15個／cm2 、５０秒間の
イオン注入量は８．２５×１０15個／cm2 、１００秒間
のイオン注入量は１．６５×１０16個／cm2 となる。
【００３２】実施例５、６ 実施例１と同様にして得た素子に、実施例１に準じて、
それぞれ５０秒間、窒素イオンを注入した。なお、実施
例５は、素子の両面に窒素イオンを注入し、実施例６は
素子の片面のみに窒素イオンを注入した。イオン注入処
理後、更に実施例１と同様にして、ＰＴＣサーミスタ素
子を得た。
それぞれ５０秒間、窒素イオンを注入した。なお、実施
例５は、素子の両面に窒素イオンを注入し、実施例６は
素子の片面のみに窒素イオンを注入した。イオン注入処
理後、更に実施例１と同様にして、ＰＴＣサーミスタ素
子を得た。
【００３３】試験例１ 実施例１〜４で得た合計で４つのＰＴＣサーミスタ素子
を用いて、イオン注入時間による抵抗値変化を測定し
た。なお、酸素イオンを未注入のものを比較品として用
いた。結果を図２に示す。
を用いて、イオン注入時間による抵抗値変化を測定し
た。なお、酸素イオンを未注入のものを比較品として用
いた。結果を図２に示す。
【００３４】図２から明らかなとおり、イオン注入時間
と抵抗値の変化は直線的な関係を示した。また、未注入
の場合と比べると抵抗値の増加が認められた。
と抵抗値の変化は直線的な関係を示した。また、未注入
の場合と比べると抵抗値の増加が認められた。
【００３５】試験例２ 実施例１〜４で得られたＰＴＣサーミスタ素子を用い、
約４０〜２８０℃の範囲の温度変化における抵抗値の変
化を測定した。なお、酸素イオンを未注入のものを比較
品として用いた。結果を図３に示す。
約４０〜２８０℃の範囲の温度変化における抵抗値の変
化を測定した。なお、酸素イオンを未注入のものを比較
品として用いた。結果を図３に示す。
【００３６】図３から明らかなとおり、通常の使用環境
温度域である約６０℃以下の温度において、実施例１〜
４で得られたＰＴＣサーミスタ素子は未注入品と比べる
と抵抗値が高くなっていた。
温度域である約６０℃以下の温度において、実施例１〜
４で得られたＰＴＣサーミスタ素子は未注入品と比べる
と抵抗値が高くなっていた。
【００３７】試験例３ 実施例５、６で得られたＰＴＣサーミスタ素子を用い、
約４０〜２８０℃の範囲の温度変化における抵抗値の変
化を測定した。なお、窒素イオンを未注入のものを比較
品として用いた。結果を図４に示す。
約４０〜２８０℃の範囲の温度変化における抵抗値の変
化を測定した。なお、窒素イオンを未注入のものを比較
品として用いた。結果を図４に示す。
【００３８】図４から明らかなとおり、通常の使用環境
温度域である約６０℃以下の温度において、実施例５、
６で得られたＰＴＣサーミスタ素子は未注入品と比べる
と抵抗値が高くなっていた。
温度域である約６０℃以下の温度において、実施例５、
６で得られたＰＴＣサーミスタ素子は未注入品と比べる
と抵抗値が高くなっていた。
【００３９】
【発明の効果】本発明のＰＴＣサーミスタ素子の製造方
法によれば、ガスイオンの注入量を増加させることによ
り、常温抵抗値を確実に上昇させることができる。よっ
て、抵抗が低過ぎるために通信機器分野において不適と
なっていたＰＴＣサーミスタ素子も製品として利用でき
るようになるため、結果として製品歩留を向上させるこ
とができ、これにより製造コストを引き下げることがで
きる。
法によれば、ガスイオンの注入量を増加させることによ
り、常温抵抗値を確実に上昇させることができる。よっ
て、抵抗が低過ぎるために通信機器分野において不適と
なっていたＰＴＣサーミスタ素子も製品として利用でき
るようになるため、結果として製品歩留を向上させるこ
とができ、これにより製造コストを引き下げることがで
きる。
【図１】ＰＴＣサーミスタ素子の一実施例の概略斜視図
である。
である。
【図２】ガスイオンの注入時間と抵抗値の変化の関係を
示す図である。
示す図である。
【図３】ＰＴＣサーミスタ素子の温度変化と抵抗値変化
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図４】ＰＴＣサーミスタ素子の温度変化と抵抗値変化
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
１…ＰＴＣサーミスタ素子 ２ａ，２ｂ…電極
フロントページの続き (72)発明者 坪根 大輔 東京都豊島区高田三丁目18番14号 株式会 社白山製作所内 (72)発明者 粟津 薫 石川県金沢市戸水町口１番地 石川県工業 試験場内 (72)発明者 舟田 義則 石川県金沢市戸水町口１番地 石川県工業 試験場内
Claims (3)
- 【請求項１】 チタン酸バリウム系セラミックス半導体
にガスイオンを注入することを特徴とするチタン酸バリ
ウム系セラミックス半導体の抵抗値上昇方法。 - 【請求項２】 チタン酸バリウム系セラミックス半導体
の片面又は両面に、ガスイオンを注入する工程及び少な
くともガスイオンを注入した若しくは注入しようとする
面に電極を形成する工程を具備することを特徴とするＰ
ＴＣサーミスタ素子の製造方法。 - 【請求項３】 チタン酸バリウム系セラミックス半導体
の両面に電極を有しており、前記半導体の少なくとも電
極形成面にガスイオンが坦持されていることを特徴とす
るＰＴＣサーミスタ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16582997A JPH1116706A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Ｐｔｃサーミスタ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16582997A JPH1116706A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Ｐｔｃサーミスタ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116706A true JPH1116706A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15819801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16582997A Pending JPH1116706A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | Ｐｔｃサーミスタ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116706A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7304562B2 (en) | 2004-03-09 | 2007-12-04 | Tdk Corporation | Organic PTC thermistor and production |
-
1997
- 1997-06-23 JP JP16582997A patent/JPH1116706A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7304562B2 (en) | 2004-03-09 | 2007-12-04 | Tdk Corporation | Organic PTC thermistor and production |
| CN100405031C (zh) * | 2004-03-09 | 2008-07-23 | Tdk株式会社 | 有机ptc热敏电阻及其制造方法 |
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Effective date: 20060912 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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