JPH11167705A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH11167705A JPH11167705A JP10227341A JP22734198A JPH11167705A JP H11167705 A JPH11167705 A JP H11167705A JP 10227341 A JP10227341 A JP 10227341A JP 22734198 A JP22734198 A JP 22734198A JP H11167705 A JPH11167705 A JP H11167705A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
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-
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- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
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- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポール片の磁気飽和を回避し、記録磁界勾配
の劣化及び漏洩磁界による記録にじみを解消した薄膜磁
気ヘッドを提供する。 【解決手段】 書き込み素子２は、第１のポール部２０
１、第２のポール部２０２及びギャップ膜２３を有す
る。ギャップ膜２３は第１のポール部２０１と、第２の
ポール部２０２との間に備えられている。第２のポール
部２０２は第３の磁性膜２４及び第４の磁性膜２５を含
む。第３の磁性膜２４はギャップ膜２３に隣接し、第４
の磁性膜２５は第３の磁性膜２４に隣接する。第３の磁
性膜２４は、媒体対向面２４０から、後退量△Ｌだけ後
退した位置ＩＰにおいて、媒体対向面２４０における幅
Ｗ２１よりも拡大された幅Ｗ２０を有する。
の劣化及び漏洩磁界による記録にじみを解消した薄膜磁
気ヘッドを提供する。 【解決手段】 書き込み素子２は、第１のポール部２０
１、第２のポール部２０２及びギャップ膜２３を有す
る。ギャップ膜２３は第１のポール部２０１と、第２の
ポール部２０２との間に備えられている。第２のポール
部２０２は第３の磁性膜２４及び第４の磁性膜２５を含
む。第３の磁性膜２４はギャップ膜２３に隣接し、第４
の磁性膜２５は第３の磁性膜２４に隣接する。第３の磁
性膜２４は、媒体対向面２４０から、後退量△Ｌだけ後
退した位置ＩＰにおいて、媒体対向面２４０における幅
Ｗ２１よりも拡大された幅Ｗ２０を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュ−タの記憶装置を構成する磁気
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドとして、薄膜
書込素子と、磁気抵抗効果（ＭＲ）読み取り素子とを有
する複合型のものが主に用いられるようになっている。
ＭＲ読み取り素子は、磁気ディスクとの間の相対速度に
依存せず、高い分解能が得られる。ＭＲ読み取り素子
は、第１シ−ルド膜と、第２シ−ルド膜と、ＭＲ素子と
を含んでいる。第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド膜は、
適当な非磁性絶縁物を介して、互いに間隔を隔てて配置
され、ＭＲ素子は第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド膜の
間に配置されている。
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドとして、薄膜
書込素子と、磁気抵抗効果（ＭＲ）読み取り素子とを有
する複合型のものが主に用いられるようになっている。
ＭＲ読み取り素子は、磁気ディスクとの間の相対速度に
依存せず、高い分解能が得られる。ＭＲ読み取り素子
は、第１シ−ルド膜と、第２シ−ルド膜と、ＭＲ素子と
を含んでいる。第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド膜は、
適当な非磁性絶縁物を介して、互いに間隔を隔てて配置
され、ＭＲ素子は第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド膜の
間に配置されている。
【０００３】書込素子としては、誘導型電磁変換素子が
用いられ、ＭＲ読み取り素子の上に積層される。書込素
子となる誘導型薄膜磁気変換素子は、ＭＲ読み取り素子
に対する第２シ−ルド膜を兼ねている下部磁性膜、上部
ヨ−ク、ギャップ膜及び絶縁膜によって支持されたコイ
ル膜等を有している。
用いられ、ＭＲ読み取り素子の上に積層される。書込素
子となる誘導型薄膜磁気変換素子は、ＭＲ読み取り素子
に対する第２シ−ルド膜を兼ねている下部磁性膜、上部
ヨ−ク、ギャップ膜及び絶縁膜によって支持されたコイ
ル膜等を有している。
【０００４】下部磁性膜及び上部ヨ−クの先端部は微小
厚みのギャップ膜を隔てて対向する下部及び上部ポール
片とから構成されており、下部及び上部ポール片におい
て書込を行なう。下部磁性膜及び上部磁性膜は、そのヨ
−クが下部及び上部ポール片とは反対側にあるバックギ
ャップ部において、磁気回路を完成するように互いに結
合されている。コイル膜はヨ−クの結合部のまわりを渦
巻状にまわるように形成されている。
厚みのギャップ膜を隔てて対向する下部及び上部ポール
片とから構成されており、下部及び上部ポール片におい
て書込を行なう。下部磁性膜及び上部磁性膜は、そのヨ
−クが下部及び上部ポール片とは反対側にあるバックギ
ャップ部において、磁気回路を完成するように互いに結
合されている。コイル膜はヨ−クの結合部のまわりを渦
巻状にまわるように形成されている。
【０００５】この種の薄膜磁気ヘッドを用いて、高記録
密度に対応するためには、磁気ディスクの単位面積当た
りに記憶されるデ−タ量（面密度）を高めなければなら
ない。面密度の向上は、書込素子の能力向上とともに、
磁気ディスク等の磁気記録媒体の性能向上、及び、書込
回路の高周波化によって達成される。
密度に対応するためには、磁気ディスクの単位面積当た
りに記憶されるデ−タ量（面密度）を高めなければなら
ない。面密度の向上は、書込素子の能力向上とともに、
磁気ディスク等の磁気記録媒体の性能向上、及び、書込
回路の高周波化によって達成される。
【０００６】書込素子の能力を向上させて面密度を向上
させる一つの手段は、ポール片間のギャップ長を小さく
することである。但し、ギャップ長の短縮は、ポール片
間の記録磁界強度の減少を招くので、おのずと限界があ
る。
させる一つの手段は、ポール片間のギャップ長を小さく
することである。但し、ギャップ長の短縮は、ポール片
間の記録磁界強度の減少を招くので、おのずと限界があ
る。
【０００７】面密度を高めるもう一つの手段は、磁気デ
ィスクに記録できるデ−タトラック数を増やすことであ
る。磁気ディスクに記録できるトラック数は、通常、Ｔ
ＰＩ(track per inch)として表現される。書込素子のＴ
ＰＩ能力は、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド寸法
を小さくすることによって高めることができる。このヘ
ッド寸法は、通常、ヘッドのトラック幅と称されてい
る。
ィスクに記録できるデ−タトラック数を増やすことであ
る。磁気ディスクに記録できるトラック数は、通常、Ｔ
ＰＩ(track per inch)として表現される。書込素子のＴ
ＰＩ能力は、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド寸法
を小さくすることによって高めることができる。このヘ
ッド寸法は、通常、ヘッドのトラック幅と称されてい
る。
【０００８】上述した従来の一般的な薄膜磁気ヘッドの
場合、書込素子において、下部磁性膜がＭＲ読み取り素
子の第２シ−ルド膜として兼用されているため、下部の
幅を狭くすることができず、このため、記録中にかなり
大きなサイドフリンジング磁界が生じる。この磁界は、
幅を小さくした上部ポール片から、幅が縮小されていな
い下部磁性膜への磁束の漏れによって生じる。サイドフ
リンジング磁界は達成可能な最小幅を制限し、トラック
密度の向上に限界を生じさせる。また、書き込まれたト
ラック．デ−タをＭＲ素子で読み取るときのオフトラッ
ク性能を劣化させる。
場合、書込素子において、下部磁性膜がＭＲ読み取り素
子の第２シ−ルド膜として兼用されているため、下部の
幅を狭くすることができず、このため、記録中にかなり
大きなサイドフリンジング磁界が生じる。この磁界は、
幅を小さくした上部ポール片から、幅が縮小されていな
い下部磁性膜への磁束の漏れによって生じる。サイドフ
リンジング磁界は達成可能な最小幅を制限し、トラック
密度の向上に限界を生じさせる。また、書き込まれたト
ラック．デ−タをＭＲ素子で読み取るときのオフトラッ
ク性能を劣化させる。
【０００９】上述する問題点を解決する手段として、特
開平7-262519号公報及び特開平7-225917号公報は、イオ
ン．ビ−ム．ミリングにより、下部の幅を、上部ポール
片の幅に合わせる手段を開示している。
開平7-262519号公報及び特開平7-225917号公報は、イオ
ン．ビ−ム．ミリングにより、下部の幅を、上部ポール
片の幅に合わせる手段を開示している。
【００１０】次に、U.S.Pat.No.5,600,519号は、下部磁
性膜及び上部磁性膜について、ゼロスロート点と、拡張
部との間にテーパ部を設ける構造を開示している。
性膜及び上部磁性膜について、ゼロスロート点と、拡張
部との間にテーパ部を設ける構造を開示している。
【００１１】更に、U.S.Pat.No.5,452,164号は、上部ヨ
ーク幅を上部ポール片の幅よりも大きくし、上部ヨーク
の幅方向の両側面を、上部ポール片の両側面から突出さ
せた構造を開示している。
ーク幅を上部ポール片の幅よりも大きくし、上部ヨーク
の幅方向の両側面を、上部ポール片の両側面から突出さ
せた構造を開示している。
【００１２】ところが、ヘッドのトラック幅を縮小する
と、ポール片が磁気飽和を生じ易くなり、その結果、記
録磁界勾配が劣化すると共に、ポール片の幅方向両側か
ら磁界が漏洩し易くなり、漏洩磁界による記録にじみを
招く。上述した先行技術文献には、このような問題点を
解決する手段は開示されていない。
と、ポール片が磁気飽和を生じ易くなり、その結果、記
録磁界勾配が劣化すると共に、ポール片の幅方向両側か
ら磁界が漏洩し易くなり、漏洩磁界による記録にじみを
招く。上述した先行技術文献には、このような問題点を
解決する手段は開示されていない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ヨー
クとポールとを分離した分離型の薄膜磁気ヘッドを提供
することである。
クとポールとを分離した分離型の薄膜磁気ヘッドを提供
することである。
【００１４】本発明のもう一つの課題は、分離型にした
場合に、ポール片の磁気飽和を回避し、記録磁界勾配の
劣化及び漏洩磁界による記録にじみを解消した薄膜磁気
ヘッドを提供することである。
場合に、ポール片の磁気飽和を回避し、記録磁界勾配の
劣化及び漏洩磁界による記録にじみを解消した薄膜磁気
ヘッドを提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、少なくとも１つの
書込素子を有する。前記書込素子は、前記書込素子は、
第１のポール部と、第２のポール部と、ギャップ膜とを
含み、前記ギャップ膜が前記第１のポール部と、前記第
２のポール部との間に備えられている。前記第２のポー
ル部は、第３の磁性膜と、第４の磁性膜とを含み、前記
第３の磁性膜が前記ギャップ膜に隣接して設けられ、前
記第４の磁性膜が前記第３の磁性膜に隣接して設けられ
ている。前記第３の磁性膜は、媒体対向面から後退した
位置において、前記媒体対向面における幅Ｗ２１よりも
拡大された幅Ｗ２０を有する。
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、少なくとも１つの
書込素子を有する。前記書込素子は、前記書込素子は、
第１のポール部と、第２のポール部と、ギャップ膜とを
含み、前記ギャップ膜が前記第１のポール部と、前記第
２のポール部との間に備えられている。前記第２のポー
ル部は、第３の磁性膜と、第４の磁性膜とを含み、前記
第３の磁性膜が前記ギャップ膜に隣接して設けられ、前
記第４の磁性膜が前記第３の磁性膜に隣接して設けられ
ている。前記第３の磁性膜は、媒体対向面から後退した
位置において、前記媒体対向面における幅Ｗ２１よりも
拡大された幅Ｗ２０を有する。
【００１６】上述したように、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、第２のポール部の第３の磁性膜はギャッ
プ膜に隣り合っている。従って、第３の磁性膜をポール
片として用い、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド寸
法を、第３の磁性膜の幅によって定まる微小寸法に設定
し、ＴＰＩ能力を高め、高密度記録を達成することがで
きる。
ッドにおいて、第２のポール部の第３の磁性膜はギャッ
プ膜に隣り合っている。従って、第３の磁性膜をポール
片として用い、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド寸
法を、第３の磁性膜の幅によって定まる微小寸法に設定
し、ＴＰＩ能力を高め、高密度記録を達成することがで
きる。
【００１７】一方、第２のポール部に含まれる第４の磁
性膜は、第３の磁性膜に隣り合って設けられている。こ
の第４の磁性膜をヨークとして用い、第４の磁性膜か
ら、ポール片を構成する第３の磁性膜に対して、書き込
みに必要な磁束を供給することができる。すなわち、本
発明によれば、ポール片とヨークとを分離した分離型薄
膜磁気ヘッドを得ることができる。
性膜は、第３の磁性膜に隣り合って設けられている。こ
の第４の磁性膜をヨークとして用い、第４の磁性膜か
ら、ポール片を構成する第３の磁性膜に対して、書き込
みに必要な磁束を供給することができる。すなわち、本
発明によれば、ポール片とヨークとを分離した分離型薄
膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００１８】本発明において、前記第３の磁性膜は、媒
体対向面から後退した位置において、前記媒体対向面に
おける幅Ｗ２１よりも拡大された幅Ｗ２０を有する。こ
の構造によれば、第３の磁性膜によって構成されるポー
ル片の磁気飽和を回避し、記録磁界勾配の劣化及び漏洩
磁界による記録にじみを解消することができる。
体対向面から後退した位置において、前記媒体対向面に
おける幅Ｗ２１よりも拡大された幅Ｗ２０を有する。こ
の構造によれば、第３の磁性膜によって構成されるポー
ル片の磁気飽和を回避し、記録磁界勾配の劣化及び漏洩
磁界による記録にじみを解消することができる。
【００１９】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一つの具体
的態様として、第１のポール部は、第１の磁性膜と、第
２の磁性膜とを含む。第２の磁性膜は、ギャップ膜に隣
り合っている。第１の磁性膜は、第２の磁性膜に隣り合
っている。第１のポール部のこの構造と、上述した第２
のポール部の構造により、第１の磁性膜、第２の磁性
膜、ギャップ膜、第３の磁性膜及び第４の磁性膜を、こ
の順序で隣接させた構造が得られる。この構造によれ
ば、第１の磁性膜〜第４の磁性膜の４つの磁性膜のう
ち、第２の磁性膜及び第３の磁性膜をポール片として用
い、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド寸法を、第２
の磁性膜及び第３の磁性膜の幅によって定まる微小寸法
に設定し、ＴＰＩ能力を高め、高密度記録を達成するこ
とができる。
的態様として、第１のポール部は、第１の磁性膜と、第
２の磁性膜とを含む。第２の磁性膜は、ギャップ膜に隣
り合っている。第１の磁性膜は、第２の磁性膜に隣り合
っている。第１のポール部のこの構造と、上述した第２
のポール部の構造により、第１の磁性膜、第２の磁性
膜、ギャップ膜、第３の磁性膜及び第４の磁性膜を、こ
の順序で隣接させた構造が得られる。この構造によれ
ば、第１の磁性膜〜第４の磁性膜の４つの磁性膜のう
ち、第２の磁性膜及び第３の磁性膜をポール片として用
い、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド寸法を、第２
の磁性膜及び第３の磁性膜の幅によって定まる微小寸法
に設定し、ＴＰＩ能力を高め、高密度記録を達成するこ
とができる。
【００２０】一方、第１の磁性膜及び第４の磁性膜は、
ポール部から後方に延ばし、後方に延ばされた部分でヨ
ークを構成させることができる。この構造により、ヨー
クとなる第１の磁性膜及び第４の磁性膜から、ポール片
を構成する第２の磁性膜及び第３の磁性膜に対して、書
き込みに必要な磁束が供給される。
ポール部から後方に延ばし、後方に延ばされた部分でヨ
ークを構成させることができる。この構造により、ヨー
クとなる第１の磁性膜及び第４の磁性膜から、ポール片
を構成する第２の磁性膜及び第３の磁性膜に対して、書
き込みに必要な磁束が供給される。
【００２１】本発明は、更に、書込磁界の維持及び漏洩
磁界による記録にじみの防止に有効なポールディメンシ
ョンを開示する。
磁界による記録にじみの防止に有効なポールディメンシ
ョンを開示する。
【００２２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、通常は、
ＭＲ読み取り素子を含んでいる。ＭＲ読み取り素子は、
第１シ−ルド膜と、第２シ−ルド膜と、ＭＲ素子とを含
み、第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド膜が互いに間隔を
隔てて配置され、ＭＲ素子が第１シ−ルド膜及び第２シ
−ルド膜の間に配置されている。
ＭＲ読み取り素子を含んでいる。ＭＲ読み取り素子は、
第１シ−ルド膜と、第２シ−ルド膜と、ＭＲ素子とを含
み、第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド膜が互いに間隔を
隔てて配置され、ＭＲ素子が第１シ−ルド膜及び第２シ
−ルド膜の間に配置されている。
【００２３】書込素子は、ＭＲ読み取り素子の上に積層
される。この場合、第２シ−ルド膜は、書込素子の第１
の磁性膜として兼用される。この構造によれば、薄型化
が可能である。
される。この場合、第２シ−ルド膜は、書込素子の第１
の磁性膜として兼用される。この構造によれば、薄型化
が可能である。
【００２４】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明
する。
は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明
する。
【００２５】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図、図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドのポー
ル部の拡大斜視図、図３は第４の磁性膜を除去して示す
拡大斜視図、図４は図２及び図３に示したポール部の拡
大平面図である。図において、寸法は誇張されている。
この実施例は、書込素子２と、ＭＲ読み取り素子３とを
併せ持つ複合型の薄膜磁気ヘッドを示している。書込素
子２及びＭＲ読み取り素子３は、スライダとして用いら
れる基体１の上に付着されて、読み書き部分が基体１の
空気ベアリング面（以下ＡＢＳと称する）１０に位置し
ている。矢印ａは磁気記録媒体の回転方向（空気の流れ
方向）を示している。
ドの断面図、図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドのポー
ル部の拡大斜視図、図３は第４の磁性膜を除去して示す
拡大斜視図、図４は図２及び図３に示したポール部の拡
大平面図である。図において、寸法は誇張されている。
この実施例は、書込素子２と、ＭＲ読み取り素子３とを
併せ持つ複合型の薄膜磁気ヘッドを示している。書込素
子２及びＭＲ読み取り素子３は、スライダとして用いら
れる基体１の上に付着されて、読み書き部分が基体１の
空気ベアリング面（以下ＡＢＳと称する）１０に位置し
ている。矢印ａは磁気記録媒体の回転方向（空気の流れ
方向）を示している。
【００２６】書込素子２は、誘導型薄膜磁気変換素子で
あり、ＭＲ読み取り素子３の上に積層されている。書込
素子２は、ポール部２０を有する。
あり、ＭＲ読み取り素子３の上に積層されている。書込
素子２は、ポール部２０を有する。
【００２７】ポール部２０は、図３を参照すると明らか
なように、第２のポール部２０２と、第１のポール部２
０１と、ギャップ膜２３とを含む。ギャップ膜２３は第
２のポール部２０２と、第１のポール部２０１との間に
設けられている。
なように、第２のポール部２０２と、第１のポール部２
０１と、ギャップ膜２３とを含む。ギャップ膜２３は第
２のポール部２０２と、第１のポール部２０１との間に
設けられている。
【００２８】第２のポール部２０２は、第３の磁性膜２
４と、第４の磁性膜２５とを含んでいる。第３の磁性膜
２４は、ギャップ膜２３の一面上に隣接して積層されて
いる。従って、第３の磁性膜２４をポール片として用
い、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド寸法を、第３
の磁性膜２４の幅Ｗ２１によって定まる微小寸法に設定
し、ＴＰＩ能力を高め、高密度記録を達成することがで
きる。
４と、第４の磁性膜２５とを含んでいる。第３の磁性膜
２４は、ギャップ膜２３の一面上に隣接して積層されて
いる。従って、第３の磁性膜２４をポール片として用
い、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド寸法を、第３
の磁性膜２４の幅Ｗ２１によって定まる微小寸法に設定
し、ＴＰＩ能力を高め、高密度記録を達成することがで
きる。
【００２９】一方、第２のポール部２０２を構成する第
４の磁性膜２５は、第３の磁性膜２４の一面上に積層さ
れている。このように、ポール片となる第３の磁性膜２
４とは異なる第４の磁性膜２５を有するので、この第４
の磁性膜２５をヨークとして用い、第４の磁性膜２５か
ら、ポール片を構成する第３の磁性膜２４に対して、書
き込みに必要な磁束を供給することができる。すなわ
ち、本発明によれば、ポール片とヨークとを分離した分
離型薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
４の磁性膜２５は、第３の磁性膜２４の一面上に積層さ
れている。このように、ポール片となる第３の磁性膜２
４とは異なる第４の磁性膜２５を有するので、この第４
の磁性膜２５をヨークとして用い、第４の磁性膜２５か
ら、ポール片を構成する第３の磁性膜２４に対して、書
き込みに必要な磁束を供給することができる。すなわ
ち、本発明によれば、ポール片とヨークとを分離した分
離型薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００３０】実施例において、第１のポール部２０１
は、第１の磁性膜２１と、第２の磁性膜２２とを含む。
第２の磁性膜２２は、ギャップ膜２３に隣り合ってい
る。第１の磁性膜２１は、第２の磁性膜２２に隣り合っ
ている。第１のポール部２０１のこの構造と、上述した
第２のポール部２０２の構造により、第１の磁性膜２
１、第２の磁性膜２２、ギャップ膜２３、第３の磁性膜
２４及び第４の磁性膜２５を、この順序で隣接させた構
造が得られる。この構造によれば、第２の磁性膜２２及
び第３の磁性膜２４をポール片として用い、デ−タ．ト
ラックの幅を決めるヘッド寸法を、第２の磁性膜２２及
び第３の磁性膜２４の幅Ｗ１１、Ｗ２１によって定まる
微小寸法に設定し、ＴＰＩ能力を高め、高密度記録を達
成することができる。
は、第１の磁性膜２１と、第２の磁性膜２２とを含む。
第２の磁性膜２２は、ギャップ膜２３に隣り合ってい
る。第１の磁性膜２１は、第２の磁性膜２２に隣り合っ
ている。第１のポール部２０１のこの構造と、上述した
第２のポール部２０２の構造により、第１の磁性膜２
１、第２の磁性膜２２、ギャップ膜２３、第３の磁性膜
２４及び第４の磁性膜２５を、この順序で隣接させた構
造が得られる。この構造によれば、第２の磁性膜２２及
び第３の磁性膜２４をポール片として用い、デ−タ．ト
ラックの幅を決めるヘッド寸法を、第２の磁性膜２２及
び第３の磁性膜２４の幅Ｗ１１、Ｗ２１によって定まる
微小寸法に設定し、ＴＰＩ能力を高め、高密度記録を達
成することができる。
【００３１】第１の磁性膜２１及び第４の磁性膜２５に
よるヨーク２１１、２５１は、後方結合部２５２におい
て互いに結合させ、薄膜磁気回路を完成させる。結合部
２５２の周りには、渦巻き状に回るコイル膜２６が備え
られており、コイル膜２６は絶縁膜２７によって支持さ
れている。コイル膜２６の巻数および層数は任意であ
る。この構造により、ヨーク２１１、２５１となる第１
の磁性膜２１及び第４の磁性膜２５から、ポール片とな
る第２の磁性膜２２及び第３の磁性膜２４に対して、書
込に必要な磁束が供給される。すなわち、ポール部とヨ
ークとを分離した磁極分離型磁気ヘッドを得ることがで
きる。
よるヨーク２１１、２５１は、後方結合部２５２におい
て互いに結合させ、薄膜磁気回路を完成させる。結合部
２５２の周りには、渦巻き状に回るコイル膜２６が備え
られており、コイル膜２６は絶縁膜２７によって支持さ
れている。コイル膜２６の巻数および層数は任意であ
る。この構造により、ヨーク２１１、２５１となる第１
の磁性膜２１及び第４の磁性膜２５から、ポール片とな
る第２の磁性膜２２及び第３の磁性膜２４に対して、書
込に必要な磁束が供給される。すなわち、ポール部とヨ
ークとを分離した磁極分離型磁気ヘッドを得ることがで
きる。
【００３２】第１の磁性膜２１〜第４の磁性膜２５は、
一般には、パーマロイで構成できる。ギャップ膜２３は
Al2O3、SiO2等の金属酸化物や、AlN、BN、SiN等の窒化
物によって構成できる。あるいは、Au、CuまたはNiP等
の導電性非磁性材料によって構成してもよい。
一般には、パーマロイで構成できる。ギャップ膜２３は
Al2O3、SiO2等の金属酸化物や、AlN、BN、SiN等の窒化
物によって構成できる。あるいは、Au、CuまたはNiP等
の導電性非磁性材料によって構成してもよい。
【００３３】本発明の特徴点は、第３の磁性膜２４が、
媒体対向面２４０から、後退量△Ｌだけ後退した位置Ｉ
Ｐ（図４参照）において、媒体対向面２４０における幅
Ｗ２１よりも拡大された幅Ｗ２０を有する点にある。こ
の構造によれば、第３の磁性膜２４によって構成される
ポール片の磁気飽和を回避し、記録磁界勾配の劣化及び
漏洩磁界による記録にじみを解消することができる。
媒体対向面２４０から、後退量△Ｌだけ後退した位置Ｉ
Ｐ（図４参照）において、媒体対向面２４０における幅
Ｗ２１よりも拡大された幅Ｗ２０を有する点にある。こ
の構造によれば、第３の磁性膜２４によって構成される
ポール片の磁気飽和を回避し、記録磁界勾配の劣化及び
漏洩磁界による記録にじみを解消することができる。
【００３４】図４を参照すると、第３の磁性膜２４は、
第１のセクション２４１と、第２のセクション２４２
と、第３のセクション２４３とを含んでいる。第１のセ
クション２４１は、媒体対向面２４０の幅Ｗ２１を保っ
て、媒体対向面２４０の後方に後退する領域である。従
って、第１のセクション２４１はほぼ矩形状の領域とな
る。
第１のセクション２４１と、第２のセクション２４２
と、第３のセクション２４３とを含んでいる。第１のセ
クション２４１は、媒体対向面２４０の幅Ｗ２１を保っ
て、媒体対向面２４０の後方に後退する領域である。従
って、第１のセクション２４１はほぼ矩形状の領域とな
る。
【００３５】第２のセクション２４２は、前記第１のセ
クション２４１の後方に連なり、媒体対向面２４０の幅
Ｗ２１から、幅Ｗ２０に向かって拡大される領域であ
る。すなわち、第２のセクション２４２の始点が第１の
セクション２４１の終点と一致し、第２のセクション２
４２の始点の幅が、第１のセクション２４１の幅Ｗ２１
とほぼ等しくなる。
クション２４１の後方に連なり、媒体対向面２４０の幅
Ｗ２１から、幅Ｗ２０に向かって拡大される領域であ
る。すなわち、第２のセクション２４２の始点が第１の
セクション２４１の終点と一致し、第２のセクション２
４２の始点の幅が、第１のセクション２４１の幅Ｗ２１
とほぼ等しくなる。
【００３６】第３のセクション２４３は、第２のセクシ
ョン２４２の後方に連なり、第２のセクション２４２に
よって拡大された幅Ｗ２０以上の幅を保って後方に延び
る領域である。従って、第３のセクション２４３の始点
が第２のセクション２４２の終点と一致し、この部分の
幅がＷ２０となる。後退量△Ｌは、第３の磁性膜２４の
媒体対向面２４０から第３のセクション２４３の始点Ｉ
Ｐまでの距離で与えられる。
ョン２４２の後方に連なり、第２のセクション２４２に
よって拡大された幅Ｗ２０以上の幅を保って後方に延び
る領域である。従って、第３のセクション２４３の始点
が第２のセクション２４２の終点と一致し、この部分の
幅がＷ２０となる。後退量△Ｌは、第３の磁性膜２４の
媒体対向面２４０から第３のセクション２４３の始点Ｉ
Ｐまでの距離で与えられる。
【００３７】幅Ｗ２０と幅Ｗ２１との幅比（Ｗ２０／Ｗ
２１）は、１．２≦（Ｗ２０／Ｗ２１）≦１．８を満た
すことが好ましい。この範囲内であれば、高い書込磁界
強度を得ることができる。この範囲外では、書込磁界強
度が著しく低下する。
２１）は、１．２≦（Ｗ２０／Ｗ２１）≦１．８を満た
すことが好ましい。この範囲内であれば、高い書込磁界
強度を得ることができる。この範囲外では、書込磁界強
度が著しく低下する。
【００３８】また、媒体対向面から幅Ｗ２０に拡大され
る位置ＩＰまでの後退量△Ｌは、０．２〜０．８μｍの
範囲にあることが望ましい。この範囲であれば、磁気記
録に充分な書込磁界強度を確保することができる。この
範囲外では書込磁界強度が急激に低下する。
る位置ＩＰまでの後退量△Ｌは、０．２〜０．８μｍの
範囲にあることが望ましい。この範囲であれば、磁気記
録に充分な書込磁界強度を確保することができる。この
範囲外では書込磁界強度が急激に低下する。
【００３９】図５は幅比（Ｗ２０／Ｗ２１）と規格化書
込磁界強度との関係を示すデータである。図５のデータ
は後退量△Ｌを０．６μｍとして得られたものである。
図５のデータを参照すると、１．２≦（Ｗ２０／Ｗ２
１）≦１．８の範囲内で、上に凸となる書込磁界強度特
性が得られ、高い書込磁界強度を確保できることがわか
る。幅比（Ｗ２０／Ｗ２１）が１．２よりも小さくなる
と、規格化磁界強度が急激に低下する。幅比（Ｗ２０／
Ｗ２１）が１．８よりも大きくなると、やはり、書込磁
界強度の低下が著しくなる。図示は省略するが、後退量
△Ｌを０．２μｍ、０．８μｍとした場合も、図５と同
様の傾向を示すデータが得られた。
込磁界強度との関係を示すデータである。図５のデータ
は後退量△Ｌを０．６μｍとして得られたものである。
図５のデータを参照すると、１．２≦（Ｗ２０／Ｗ２
１）≦１．８の範囲内で、上に凸となる書込磁界強度特
性が得られ、高い書込磁界強度を確保できることがわか
る。幅比（Ｗ２０／Ｗ２１）が１．２よりも小さくなる
と、規格化磁界強度が急激に低下する。幅比（Ｗ２０／
Ｗ２１）が１．８よりも大きくなると、やはり、書込磁
界強度の低下が著しくなる。図示は省略するが、後退量
△Ｌを０．２μｍ、０．８μｍとした場合も、図５と同
様の傾向を示すデータが得られた。
【００４０】図６は後退量△Ｌと規格化書込磁界強度と
の関係を示すデータである。図６のデータは幅比（Ｗ２
０／Ｗ２１）を１．４として得られたものである。図６
のデータを参照すると、０．２≦△Ｌ≦０．８の範囲内
で、上に凸となる書込磁界強度特性が得られ、高い書込
磁界強度を確保できることがわかる。後退量△Ｌが０．
２よりも小さくなると、規格化磁界強度が急激に低下す
る。後退量△Ｌが０．８よりも大きくなると、やはり、
書込磁界強度の低下が著しくなる。図示は省略するが、
幅比（Ｗ２０／Ｗ２１）を１．２及び１．８とした場合
も、それぞれ、図６と同様の傾向を示すデータが得られ
た。
の関係を示すデータである。図６のデータは幅比（Ｗ２
０／Ｗ２１）を１．４として得られたものである。図６
のデータを参照すると、０．２≦△Ｌ≦０．８の範囲内
で、上に凸となる書込磁界強度特性が得られ、高い書込
磁界強度を確保できることがわかる。後退量△Ｌが０．
２よりも小さくなると、規格化磁界強度が急激に低下す
る。後退量△Ｌが０．８よりも大きくなると、やはり、
書込磁界強度の低下が著しくなる。図示は省略するが、
幅比（Ｗ２０／Ｗ２１）を１．２及び１．８とした場合
も、それぞれ、図６と同様の傾向を示すデータが得られ
た。
【００４１】実施例において、第４の磁性膜２５は、媒
体対向面２５０の幅Ｗ２２が、第３の磁性膜２４の媒体
対向面２４０の幅Ｗ２１よりも大きくなっており、幅方
向の両側において、第３の磁性膜２４よりも外側に突き
出ている。幅Ｗ２２と第３の磁性膜２４の媒体対向面２
４０の幅Ｗ２１との差に起因して、媒体対向面２４０、
２５０の幅方向の両側に現れる幅差△Ｗ１＝（Ｗ２２−
Ｗ２１）／２は、０．３μｍ以下である。幅差△Ｗ１が
０．３μｍ以下となる範囲では、第４の磁性膜２５の幅
方向の両端から漏洩する磁界を、２．０(kOe)以下の小
さな値に低下させることができる。
体対向面２５０の幅Ｗ２２が、第３の磁性膜２４の媒体
対向面２４０の幅Ｗ２１よりも大きくなっており、幅方
向の両側において、第３の磁性膜２４よりも外側に突き
出ている。幅Ｗ２２と第３の磁性膜２４の媒体対向面２
４０の幅Ｗ２１との差に起因して、媒体対向面２４０、
２５０の幅方向の両側に現れる幅差△Ｗ１＝（Ｗ２２−
Ｗ２１）／２は、０．３μｍ以下である。幅差△Ｗ１が
０．３μｍ以下となる範囲では、第４の磁性膜２５の幅
方向の両端から漏洩する磁界を、２．０(kOe)以下の小
さな値に低下させることができる。
【００４２】図７は幅差△Ｗ１と磁界強度Ｈｘとの関係
を示すデータ、図８は図１〜図３に示した薄膜磁気ヘッ
ドのポール部をＡＢＳから見た図で、図７に図示された
磁界強度の測定位置を示す。図７において、曲線Ｈｘ１
は書込磁界強度特性、曲線Ｈｘ２は第４の磁性膜２５の
エッジ部分から漏洩する磁界強度特性をそれぞれ示す。
を示すデータ、図８は図１〜図３に示した薄膜磁気ヘッ
ドのポール部をＡＢＳから見た図で、図７に図示された
磁界強度の測定位置を示す。図７において、曲線Ｈｘ１
は書込磁界強度特性、曲線Ｈｘ２は第４の磁性膜２５の
エッジ部分から漏洩する磁界強度特性をそれぞれ示す。
【００４３】図７に示すように、幅差△Ｗ１が約０．３
μｍ以下の範囲では、漏洩磁界Ｈｘ２は２．０(kOe)以
下となる。しかも、幅差△Ｗ１が約０．３μｍ以下の範
囲では、６．０(kOe)以上の高い書込磁界強度Ｈｘ１が
得られており、かつ、書込磁界強度Ｈｘ１の劣化が見ら
れない。
μｍ以下の範囲では、漏洩磁界Ｈｘ２は２．０(kOe)以
下となる。しかも、幅差△Ｗ１が約０．３μｍ以下の範
囲では、６．０(kOe)以上の高い書込磁界強度Ｈｘ１が
得られており、かつ、書込磁界強度Ｈｘ１の劣化が見ら
れない。
【００４４】第３の磁性膜２４の媒体対向面２４０の幅
Ｗ２１は２．０μｍ未満にする。これにより、トラック
密度を向上させることができる。このような狭いポール
幅は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドが磁極分離型である
ために実現できるものであり、磁極分離型にすることに
よる大きなメリットでもある。磁極分離型でない従来タ
イプの磁気ヘッドでは、このような微少なポール幅を実
現することは困難である。
Ｗ２１は２．０μｍ未満にする。これにより、トラック
密度を向上させることができる。このような狭いポール
幅は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドが磁極分離型である
ために実現できるものであり、磁極分離型にすることに
よる大きなメリットでもある。磁極分離型でない従来タ
イプの磁気ヘッドでは、このような微少なポール幅を実
現することは困難である。
【００４５】第１の磁性膜２１、第２の磁性膜２２、ギ
ャップ膜２３、第３の磁性膜２４及び第４の磁性膜２５
は、各媒体対向面２１０、２２０、２３０、２４０及び
２５０が同一の平面を構成する。各媒体対向面２１０〜
２５０で構成される平面は、ＡＢＳ１０の一部を構成す
る。第２の磁性膜２２、ギャップ膜２３及び第３の磁性
膜２４は、媒体対向面２２０〜２４０とは反対側におい
て、実質的に同一の平面である後方壁面を構成する。こ
の後方壁面は、媒体対向面が作るＡＢＳ１０と実質的に
平行である。
ャップ膜２３、第３の磁性膜２４及び第４の磁性膜２５
は、各媒体対向面２１０、２２０、２３０、２４０及び
２５０が同一の平面を構成する。各媒体対向面２１０〜
２５０で構成される平面は、ＡＢＳ１０の一部を構成す
る。第２の磁性膜２２、ギャップ膜２３及び第３の磁性
膜２４は、媒体対向面２２０〜２４０とは反対側におい
て、実質的に同一の平面である後方壁面を構成する。こ
の後方壁面は、媒体対向面が作るＡＢＳ１０と実質的に
平行である。
【００４６】第１の磁性膜２１、第３の磁性膜２４及び
ギャップ膜２３の周りは、非磁性絶縁膜２８によって埋
められている（図１参照）。非磁性絶縁膜２８は、上面
が平坦化され、平坦化された上面が第３の磁性膜２４の
表面と実質的に同一平面を形成している。非磁性絶縁膜
２８としては、Al2O3、SiO2等が用いられる。参照符号２
９は全体を覆う保護膜であり、Al2O3、SiO2等で構成され
る。
ギャップ膜２３の周りは、非磁性絶縁膜２８によって埋
められている（図１参照）。非磁性絶縁膜２８は、上面
が平坦化され、平坦化された上面が第３の磁性膜２４の
表面と実質的に同一平面を形成している。非磁性絶縁膜
２８としては、Al2O3、SiO2等が用いられる。参照符号２
９は全体を覆う保護膜であり、Al2O3、SiO2等で構成され
る。
【００４７】第２の磁性膜２２及び第３の磁性膜２４
は、一般には、パーマロイで構成される。別の態様とし
て、第２の磁性膜２２及び第３の磁性膜２４の少なくと
も一方は、パ−マロイとの比較において、高飽和磁束密
度材料で構成することができる。この場合には、高保持
力の磁気記録媒体に対しても、充分な記録性能を発揮す
ることができる。高飽和磁束密度材料は、パーマロイと
の比較において、飽和磁束密度の高いものを選択する。
例としては、Fe-Co,Fe-MまたはFe-Co-Mから選択された
少なくとも一種を挙げることができる。ここで、ＭはN,
C,B,Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb（何れも化学記号）
から選択された少なくとも一種である。第２の磁性膜２
２及び第３の磁性膜２４の両者を上述した高飽和磁束密
度材料で構成してもよいし、何れか一方だけを上述した
高飽和磁束密度材料で構成してもよい。
は、一般には、パーマロイで構成される。別の態様とし
て、第２の磁性膜２２及び第３の磁性膜２４の少なくと
も一方は、パ−マロイとの比較において、高飽和磁束密
度材料で構成することができる。この場合には、高保持
力の磁気記録媒体に対しても、充分な記録性能を発揮す
ることができる。高飽和磁束密度材料は、パーマロイと
の比較において、飽和磁束密度の高いものを選択する。
例としては、Fe-Co,Fe-MまたはFe-Co-Mから選択された
少なくとも一種を挙げることができる。ここで、ＭはN,
C,B,Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb（何れも化学記号）
から選択された少なくとも一種である。第２の磁性膜２
２及び第３の磁性膜２４の両者を上述した高飽和磁束密
度材料で構成してもよいし、何れか一方だけを上述した
高飽和磁束密度材料で構成してもよい。
【００４８】第１の磁性膜２１及び第４の磁性膜２５の
少なくとも一方を、パ−マロイとの比較において、高抵
抗率材料で構成することもできる。この場合には、書込
回路が高周波化された場合の渦電流損失を、パーマロイ
を用いた場合に比較して、低減させることができる。高
抵抗率材料の具体例としては、Fe-Co系アモルファス，F
e-M-N,Fe-M-O,Fe-Co-M-N,Fe-Co-M-OまたはFe-Co-Nから
選択された少なくとも一種を挙げることができる。ここ
で、Ｍは、B,Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb（何れも化
学記号）から選択された少なくとも一種である。第１の
磁性膜２１及び第４の磁性膜２５の両者を上述した高抵
抗率材料で構成してもよいし、何れか一方のみを上述し
た高抵抗率材料で構成してもよい。
少なくとも一方を、パ−マロイとの比較において、高抵
抗率材料で構成することもできる。この場合には、書込
回路が高周波化された場合の渦電流損失を、パーマロイ
を用いた場合に比較して、低減させることができる。高
抵抗率材料の具体例としては、Fe-Co系アモルファス，F
e-M-N,Fe-M-O,Fe-Co-M-N,Fe-Co-M-OまたはFe-Co-Nから
選択された少なくとも一種を挙げることができる。ここ
で、Ｍは、B,Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb（何れも化
学記号）から選択された少なくとも一種である。第１の
磁性膜２１及び第４の磁性膜２５の両者を上述した高抵
抗率材料で構成してもよいし、何れか一方のみを上述し
た高抵抗率材料で構成してもよい。
【００４９】図１において、ＭＲ読み取り素子３は、第
１シ−ルド膜３１と、第２シ−ルド膜３２と、ＭＲ素子
３３と、リード導体膜３５とを含む。第１シ−ルド膜３
１及び第２シ−ルド膜３２は互いに間隔を隔てて配置さ
れており、ＭＲ素子３３は第１シ−ルド膜３１及び第２
シ−ルド膜３２の間に配置されている。第２シ−ルド膜
３２は書込素子２の第１の磁性膜２１を構成している。
第１シ−ルド膜３１及び第２シ−ルド膜３２の間には非
磁性絶縁膜３４があり、ＭＲ素子３３及びリード導体膜
３５は非磁性絶縁膜３４の内部に配置されている。
１シ−ルド膜３１と、第２シ−ルド膜３２と、ＭＲ素子
３３と、リード導体膜３５とを含む。第１シ−ルド膜３
１及び第２シ−ルド膜３２は互いに間隔を隔てて配置さ
れており、ＭＲ素子３３は第１シ−ルド膜３１及び第２
シ−ルド膜３２の間に配置されている。第２シ−ルド膜
３２は書込素子２の第１の磁性膜２１を構成している。
第１シ−ルド膜３１及び第２シ−ルド膜３２の間には非
磁性絶縁膜３４があり、ＭＲ素子３３及びリード導体膜
３５は非磁性絶縁膜３４の内部に配置されている。
【００５０】書込素子２は、ＭＲ読み取り素子３の上に
積層される。この場合、第２シ−ルド膜３２は、書込素
子２の第１の磁性膜２１として兼用される。第２の磁性
膜２２は第１の磁性膜２１の上に突出して設けられてい
るから、第２シ−ルド膜３２の幅を、ＭＲ読み取り素子
３を保護するのに必要な寸法に保ったままで、第２の磁
性膜２２の幅Ｗ１１を狭小化することができる。
積層される。この場合、第２シ−ルド膜３２は、書込素
子２の第１の磁性膜２１として兼用される。第２の磁性
膜２２は第１の磁性膜２１の上に突出して設けられてい
るから、第２シ−ルド膜３２の幅を、ＭＲ読み取り素子
３を保護するのに必要な寸法に保ったままで、第２の磁
性膜２２の幅Ｗ１１を狭小化することができる。
【００５１】本発明において、書込素子２を構成する誘
導型薄膜磁気変換素子としては、これまで提案され、ま
たはこれから提案されることのある各種のタイプのもの
が使用できる。ＭＲ読み取り素子３としては、パ−マロ
イ膜等の磁気異方性磁気抵抗効果膜を利用したもの、ス
ピンバルブ膜や、トンネル接合効果膜等で代表される巨
大磁気抵抗効果を利用したもの等、これまで提案され、
またはこれから提案されることのある各種のタイプのも
のが使用できる。書込素子２及びＭＲ読み取り素子３
は、スライダ上に搭載される。スライダは、一本以上の
レ−ルを有するタイプの他、レ−ルを持たないものであ
っても用いることができる。
導型薄膜磁気変換素子としては、これまで提案され、ま
たはこれから提案されることのある各種のタイプのもの
が使用できる。ＭＲ読み取り素子３としては、パ−マロ
イ膜等の磁気異方性磁気抵抗効果膜を利用したもの、ス
ピンバルブ膜や、トンネル接合効果膜等で代表される巨
大磁気抵抗効果を利用したもの等、これまで提案され、
またはこれから提案されることのある各種のタイプのも
のが使用できる。書込素子２及びＭＲ読み取り素子３
は、スライダ上に搭載される。スライダは、一本以上の
レ−ルを有するタイプの他、レ−ルを持たないものであ
っても用いることができる。
【００５２】図９はポール部の別の実施例を示す斜視
図、図１０は図９に示したポール部の拡大平面図であ
る。図において、図２〜図４と同一の構成部分には同一
の参照符号を付してある。
図、図１０は図９に示したポール部の拡大平面図であ
る。図において、図２〜図４と同一の構成部分には同一
の参照符号を付してある。
【００５３】この実施例でも、第３の磁性膜２４は、図
２〜図４で述べた通りの構造を有する。第４の磁性膜２
５は、媒体対向面２５０の幅Ｗ２２が第３の磁性膜２４
の媒体対向面２４０の幅Ｗ２１よりも大きく、かつ、拡
大された幅Ｗ２０よりも小さくなっている。媒体対向面
２５０の幅Ｗ２２と、媒体対向面２４０の幅Ｗ２１との
差に起因して、媒体対向面２４０、２５０の幅方向の両
側に現れる幅差△Ｗ１＝（Ｗ２２−Ｗ２１）／２は、
０．３μｍ以下である。従って、図２〜図４と同様の作
用効果を奏する。
２〜図４で述べた通りの構造を有する。第４の磁性膜２
５は、媒体対向面２５０の幅Ｗ２２が第３の磁性膜２４
の媒体対向面２４０の幅Ｗ２１よりも大きく、かつ、拡
大された幅Ｗ２０よりも小さくなっている。媒体対向面
２５０の幅Ｗ２２と、媒体対向面２４０の幅Ｗ２１との
差に起因して、媒体対向面２４０、２５０の幅方向の両
側に現れる幅差△Ｗ１＝（Ｗ２２−Ｗ２１）／２は、
０．３μｍ以下である。従って、図２〜図４と同様の作
用効果を奏する。
【００５４】図１１はポール部の更に別の実施例を示す
斜視図、図１２は図１１に示したポール部の拡大平面図
である。図において、図２〜図４と同一の構成部分には
同一の参照符号を付してある。この実施例でも、第３の
磁性膜２４は、図２〜図４で述べた通りの構造を有す
る。従って、図２〜図４と同様の作用効果を奏する。
斜視図、図１２は図１１に示したポール部の拡大平面図
である。図において、図２〜図４と同一の構成部分には
同一の参照符号を付してある。この実施例でも、第３の
磁性膜２４は、図２〜図４で述べた通りの構造を有す
る。従って、図２〜図４と同様の作用効果を奏する。
【００５５】第３の磁性膜２４と第４の磁性膜２５との
相対関係については、第４の磁性膜２５の媒体対向面２
５０が、第３の磁性膜２４の媒体対向面２４０における
幅Ｗ２１内に位置する。従って、第３の磁性膜２４の媒
体対向面２４０における幅Ｗ２１と、第４の磁性膜２５
の媒体対向面２５０における幅Ｗ２２とは、Ｗ２２≦Ｗ
２１の関係を満たす。この構造によれば、第３の磁性膜
２４に磁束を供給する第４の磁性膜２５において、その
媒体対向面２５０の幅方向Ｗの両側から漏洩する磁束を
抑制し、漏洩磁界による磁気記録媒体への磁気記録を阻
止できる。よって、トラック密度を高め、高密度記録を
達成することができる。
相対関係については、第４の磁性膜２５の媒体対向面２
５０が、第３の磁性膜２４の媒体対向面２４０における
幅Ｗ２１内に位置する。従って、第３の磁性膜２４の媒
体対向面２４０における幅Ｗ２１と、第４の磁性膜２５
の媒体対向面２５０における幅Ｗ２２とは、Ｗ２２≦Ｗ
２１の関係を満たす。この構造によれば、第３の磁性膜
２４に磁束を供給する第４の磁性膜２５において、その
媒体対向面２５０の幅方向Ｗの両側から漏洩する磁束を
抑制し、漏洩磁界による磁気記録媒体への磁気記録を阻
止できる。よって、トラック密度を高め、高密度記録を
達成することができる。
【００５６】更に、媒体対向面２５０の幅Ｗ２２と、媒
体対向面２４０の幅Ｗ２１との差に起因して、媒体対向
面２４０、２５０の幅方向の両側に現れる幅差△Ｗ１＝
（Ｗ２１−Ｗ２２）／２は、０．３μｍ以下である。す
なわち、本発明において、幅差△Ｗ１は、媒体対向面２
５０の幅Ｗ２２と、媒体対向面２４０の幅Ｗ２１との差
の絶対値であり、その値が０．３μｍ以下であることを
意味する。これにより、図２〜図４を参照して説明した
と同様の作用効果を奏する。
体対向面２４０の幅Ｗ２１との差に起因して、媒体対向
面２４０、２５０の幅方向の両側に現れる幅差△Ｗ１＝
（Ｗ２１−Ｗ２２）／２は、０．３μｍ以下である。す
なわち、本発明において、幅差△Ｗ１は、媒体対向面２
５０の幅Ｗ２２と、媒体対向面２４０の幅Ｗ２１との差
の絶対値であり、その値が０．３μｍ以下であることを
意味する。これにより、図２〜図４を参照して説明した
と同様の作用効果を奏する。
【００５７】図１３はポール部の更に別の実施例を示す
斜視図、図１４は図１３に示したポール部の拡大平面図
である。図において、図２〜図４と同一の構成部分には
同一の参照符号を付してある。この実施例でも、第３の
磁性膜２４は、図２〜図４で述べた通りの構造を有す
る。従って、図２〜図４と同様の作用効果を奏する。
斜視図、図１４は図１３に示したポール部の拡大平面図
である。図において、図２〜図４と同一の構成部分には
同一の参照符号を付してある。この実施例でも、第３の
磁性膜２４は、図２〜図４で述べた通りの構造を有す
る。従って、図２〜図４と同様の作用効果を奏する。
【００５８】第３の磁性膜２４と第４の磁性膜２５との
相対関係については、第４の磁性膜２５の媒体対向面２
５０が、第３の磁性膜２４の媒体対向面２４０における
幅Ｗ２１内に位置する。従って、第３の磁性膜２４の媒
体対向面２４０における幅Ｗ２１と、第４の磁性膜２５
の媒体対向面２５０における幅Ｗ２２とは、Ｗ２２≦Ｗ
２１の関係を満たす。この構造による利点については、
図１１及び図１２を参照して説明した通りである。
相対関係については、第４の磁性膜２５の媒体対向面２
５０が、第３の磁性膜２４の媒体対向面２４０における
幅Ｗ２１内に位置する。従って、第３の磁性膜２４の媒
体対向面２４０における幅Ｗ２１と、第４の磁性膜２５
の媒体対向面２５０における幅Ｗ２２とは、Ｗ２２≦Ｗ
２１の関係を満たす。この構造による利点については、
図１１及び図１２を参照して説明した通りである。
【００５９】図１３及び図１４の実施例では、更に、第
４の磁性膜２５が、媒体対向面２５０から後方に向かう
につれて、幅が拡大する。この構造によれば、第４の磁
性膜２５から漏洩する磁界による磁気記録を生じること
なしに、第４の磁性膜２５から第３の磁性膜２４へ書込
磁束を集中させ、書込能力を維持することができる。こ
の場合、第４の磁性膜２５は、図１４に示すように、媒
体対向面２５０と平行な線分Ｌ１と、幅方向Ｗに位置す
る両側面２５３とのなす角度θが、２０°≦θ≦９０°
を満たすような広がりを持たせる。特に好ましくは、３
０°≦θ≦９０°の範囲である。
４の磁性膜２５が、媒体対向面２５０から後方に向かう
につれて、幅が拡大する。この構造によれば、第４の磁
性膜２５から漏洩する磁界による磁気記録を生じること
なしに、第４の磁性膜２５から第３の磁性膜２４へ書込
磁束を集中させ、書込能力を維持することができる。こ
の場合、第４の磁性膜２５は、図１４に示すように、媒
体対向面２５０と平行な線分Ｌ１と、幅方向Ｗに位置す
る両側面２５３とのなす角度θが、２０°≦θ≦９０°
を満たすような広がりを持たせる。特に好ましくは、３
０°≦θ≦９０°の範囲である。
【００６０】角度θが２０°よりも小さいと、第４の磁
性膜２５から第３の磁性膜２４へ集中する磁束のため
に、第３の磁性膜２４が磁気飽和し、記録減磁を引き起
こす。角度θが９０°よりも大きくなると、第４の磁性
膜２５から第３の磁性膜２４へ充分な磁束を供給できな
いために、書込能力が低下する。第４の磁性膜２５の媒
体対向面２５０の幅方向Ｗの両端は、最大広がった場合
でも、第３の磁性膜２４の両隅の位置に制限される。
性膜２５から第３の磁性膜２４へ集中する磁束のため
に、第３の磁性膜２４が磁気飽和し、記録減磁を引き起
こす。角度θが９０°よりも大きくなると、第４の磁性
膜２５から第３の磁性膜２４へ充分な磁束を供給できな
いために、書込能力が低下する。第４の磁性膜２５の媒
体対向面２５０の幅方向Ｗの両端は、最大広がった場合
でも、第３の磁性膜２４の両隅の位置に制限される。
【００６１】次に、図１１〜図１４に図示された薄膜磁
気ヘッドの効果について、具体的な実験データを参照し
て説明する。図１５は薄膜磁気ヘッドを用いて書き込ま
れた磁気記録を読み出したときの再生波形データであ
る。このデータを得るために用いられた薄膜磁気ヘッド
は、次の構成になる。
気ヘッドの効果について、具体的な実験データを参照し
て説明する。図１５は薄膜磁気ヘッドを用いて書き込ま
れた磁気記録を読み出したときの再生波形データであ
る。このデータを得るために用いられた薄膜磁気ヘッド
は、次の構成になる。
【００６２】 幅Ｗ１１及びＷ２１：１．３μｍ 幅Ｗ２２：１．１μｍ 角度θ：４５° 幅比（Ｗ２０／Ｗ２１）：１．４ △Ｌ：０．６μｍ ギャップ膜２３によるギャップ：０．３μｍ 第１の磁性膜２１：膜厚２．５μｍ、NiFeメッキ膜 第２の磁性膜２２：膜厚０．５μｍ、NiFeメッキ膜 第３の磁性膜２４：膜厚０．５μｍ、NiFeメッキ膜 第４の磁性膜２５：膜厚２．５μｍ、NiFeメッキ膜 コイル膜２６：１０ターン 上記構造の薄膜磁気ヘッドを用い、コイル膜２６に４０
mAopの記録電流を供給し、保磁力Ｈｃが２３００(Oe)、
残留磁化ｔ・Ｂｒが８０Gμmである磁気記録媒体に磁気
記録を行なった。次に、再生トラック幅１．０μｍの磁
気異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ素子）を有する再生
ヘッドで再生した。
mAopの記録電流を供給し、保磁力Ｈｃが２３００(Oe)、
残留磁化ｔ・Ｂｒが８０Gμmである磁気記録媒体に磁気
記録を行なった。次に、再生トラック幅１．０μｍの磁
気異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ素子）を有する再生
ヘッドで再生した。
【００６３】比較例として、従来の薄膜磁気ヘッドを用
いて磁気記録を行ない、上記と同じＡＭＲ素子を有する
再生ヘッドで再生した。実験に供された従来の薄膜磁気
ヘッドは、幅比（Ｗ２０／Ｗ２１）が１、幅Ｗ２２が
２．０μｍ、角度θが９０°である点を除いて、本発明
に係る上記薄膜磁気ヘッドと同じ構成を持つ。
いて磁気記録を行ない、上記と同じＡＭＲ素子を有する
再生ヘッドで再生した。実験に供された従来の薄膜磁気
ヘッドは、幅比（Ｗ２０／Ｗ２１）が１、幅Ｗ２２が
２．０μｍ、角度θが９０°である点を除いて、本発明
に係る上記薄膜磁気ヘッドと同じ構成を持つ。
【００６４】図１５において、実線で表示された特性Ｐ
ｍ（メインパルス）が本発明に係る薄膜磁気ヘッドを用
いて記録した場合の再生波形、実線で表示された特性Ｐ
ｍと、点線Ｐｓ１、Ｐｓ２（サイドパルス）とを含む特
性が従来の薄膜磁気ヘッドの再生波形である。図１５を
参照すると、従来の薄膜磁気ヘッドを用いて記録した場
合、再生波形に、メインパルスＰｍの他、サイドパルス
Ｐｓ１、Ｐｓ２が現れている。これに対して、本発明に
係る薄膜磁気ヘッドでは、メインパルスＰｍのみが現れ
ており、漏洩磁界による磁気記録に起因するサイドパル
スＰｓ１、Ｐｓ２が読み出されていない。
ｍ（メインパルス）が本発明に係る薄膜磁気ヘッドを用
いて記録した場合の再生波形、実線で表示された特性Ｐ
ｍと、点線Ｐｓ１、Ｐｓ２（サイドパルス）とを含む特
性が従来の薄膜磁気ヘッドの再生波形である。図１５を
参照すると、従来の薄膜磁気ヘッドを用いて記録した場
合、再生波形に、メインパルスＰｍの他、サイドパルス
Ｐｓ１、Ｐｓ２が現れている。これに対して、本発明に
係る薄膜磁気ヘッドでは、メインパルスＰｍのみが現れ
ており、漏洩磁界による磁気記録に起因するサイドパル
スＰｓ１、Ｐｓ２が読み出されていない。
【００６５】図１６は幅比（Ｗ２２／Ｗ２１）とオーバ
ーライト特性との関係を示すデータである。実験に供さ
れた薄膜磁気ヘッドは、図１５のデータを得る際に用い
られた本発明に係る薄膜磁気ヘッドである。但し、幅Ｗ
１１及びＷ２１を、１．３μｍの一定値に固定し、幅Ｗ
２２を変化させて、幅比（Ｗ２２／Ｗ２１）を変えた。
ーライト特性との関係を示すデータである。実験に供さ
れた薄膜磁気ヘッドは、図１５のデータを得る際に用い
られた本発明に係る薄膜磁気ヘッドである。但し、幅Ｗ
１１及びＷ２１を、１．３μｍの一定値に固定し、幅Ｗ
２２を変化させて、幅比（Ｗ２２／Ｗ２１）を変えた。
【００６６】図１６を参照すると、０．５≦Ｗ２２／Ｗ
２１≦１．０の範囲で２６（ｄＢ）以上のオーバーライ
ト特性が得られている。特に、０．７≦Ｗ２２／Ｗ２１
≦１．０の範囲では、３０（ｄＢ）以上のオーバーライ
ト特性が得られ、しかも、（Ｗ２２／Ｗ２１）の変化に
対するオーバーライト特性の増加率が著しくなる。
２１≦１．０の範囲で２６（ｄＢ）以上のオーバーライ
ト特性が得られている。特に、０．７≦Ｗ２２／Ｗ２１
≦１．０の範囲では、３０（ｄＢ）以上のオーバーライ
ト特性が得られ、しかも、（Ｗ２２／Ｗ２１）の変化に
対するオーバーライト特性の増加率が著しくなる。
【００６７】通常、磁気記録分野では、２６（ｄＢ）以
上、好ましくは３０ｄＢ以上のオーバーライト特性を満
たすことが要求されている。図１６を参照すれば、０．
５≦Ｗ２２／Ｗ２１≦１．０の範囲、好ましくは０．７
≦Ｗ２２／Ｗ２１≦１．０の範囲に設定することによ
り、この要求を満たし得ることは明らかである。特に、
０．７≦Ｗ２２／Ｗ２１≦１．０の範囲では、（Ｗ２２
／Ｗ２１）の変化に対するオーバーライト特性の増加率
が著しくなるので、優れたオーバーライト特性改善効果
が得られる。
上、好ましくは３０ｄＢ以上のオーバーライト特性を満
たすことが要求されている。図１６を参照すれば、０．
５≦Ｗ２２／Ｗ２１≦１．０の範囲、好ましくは０．７
≦Ｗ２２／Ｗ２１≦１．０の範囲に設定することによ
り、この要求を満たし得ることは明らかである。特に、
０．７≦Ｗ２２／Ｗ２１≦１．０の範囲では、（Ｗ２２
／Ｗ２１）の変化に対するオーバーライト特性の増加率
が著しくなるので、優れたオーバーライト特性改善効果
が得られる。
【００６８】図１７は角度θとオーバーライト特性との
関係を示すデータである。実験に供された薄膜磁気ヘッ
ドは、図１５のデータを得る際に用いられた本発明に係
る薄膜磁気ヘッドである。但し、幅Ｗ１１及びＷ２１を
１．３μｍとし、幅Ｗ２２を１．１μｍとし、角度θを
変え、オーバーライト特性を測定した。
関係を示すデータである。実験に供された薄膜磁気ヘッ
ドは、図１５のデータを得る際に用いられた本発明に係
る薄膜磁気ヘッドである。但し、幅Ｗ１１及びＷ２１を
１．３μｍとし、幅Ｗ２２を１．１μｍとし、角度θを
変え、オーバーライト特性を測定した。
【００６９】既に述べたように、磁気記録分野では、２
６（ｄＢ）以上、好ましくは３０ｄＢ以上のオーバーラ
イト特性を満たすことが要求されている。図１７を参照
すれば、角度θを、２０°≦θ≦９０°の範囲、特に好
ましくは、３０°≦θ≦９０°の範囲に設定することに
より、この要求を満たし得ることは明らかである。
６（ｄＢ）以上、好ましくは３０ｄＢ以上のオーバーラ
イト特性を満たすことが要求されている。図１７を参照
すれば、角度θを、２０°≦θ≦９０°の範囲、特に好
ましくは、３０°≦θ≦９０°の範囲に設定することに
より、この要求を満たし得ることは明らかである。
【００７０】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
【００７１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 （ａ）ヨークとポールとを分離した分離型の薄膜磁気ヘ
ッドを提供することができる。 （ｂ）分離型にした場合に、ポール片の磁気飽和を回避
し、記録磁界勾配の劣化及び漏洩磁界による記録にじみ
を解消した薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
のような効果を得ることができる。 （ａ）ヨークとポールとを分離した分離型の薄膜磁気ヘ
ッドを提供することができる。 （ｂ）分離型にした場合に、ポール片の磁気飽和を回避
し、記録磁界勾配の劣化及び漏洩磁界による記録にじみ
を解消した薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドのポール部の拡大
斜視図である。
斜視図である。
【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドのポール部におい
て、第４の磁性膜を除去して示す拡大斜視図である。
て、第４の磁性膜を除去して示す拡大斜視図である。
【図４】図２及び図３に示したポール部の拡大平面図で
ある。
ある。
【図５】幅比（Ｗ２０／Ｗ２１）と規格化書込磁界強度
との関係を示すデータである。
との関係を示すデータである。
【図６】後退量△Ｌと規格化書込磁界強度との関係を示
すデータである。
すデータである。
【図７】幅差△Ｗ１と磁界強度Ｈｘとの関係を示すデー
タである。
タである。
【図８】図１〜図３に示した薄膜磁気ヘッドのポール部
をＡＢＳから見た図で、図７に図示された磁界強度の測
定位置を示す。
をＡＢＳから見た図で、図７に図示された磁界強度の測
定位置を示す。
【図９】ポール部の別の実施例を示す斜視図である。
【図１０】図９に示したポール部の拡大平面図である。
【図１１】ポール部の更に別の実施例を示す斜視図であ
る。
る。
【図１２】図１１に示したポール部の拡大平面図であ
る。
る。
【図１３】ポール部の更に別の実施例を示す斜視図であ
る。
る。
【図１４】図１３に示したポール部の拡大平面図であ
る。
る。
【図１５】薄膜磁気ヘッドを用いて書き込まれた磁気記
録を読み出したときの再生波形データである。
録を読み出したときの再生波形データである。
【図１６】幅比（Ｗ２２／Ｗ２１）とオーバーライト特
性との関係を示すデータである。
性との関係を示すデータである。
【図１７】角度θとオーバーライト特性との関係を示す
データである。
データである。
１ 基体 １０ 空気ベアリング面 ２ 書込素子 ２１ 第１の磁性膜 ２２ 第２の磁性膜 ２３ ギャップ膜 ２５ 第４の磁性膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇野 泰史 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (18)
- 【請求項１】 少なくとも１つの書込素子を有する薄膜
磁気ヘッドであって、 前記書込素子は、第１のポール部と、第２のポール部
と、ギャップ膜とを含み、前記ギャップ膜が前記第１の
ポール部と、前記第２のポール部との間に備えられてお
り、 前記第２のポール部は、第３の磁性膜と、第４の磁性膜
とを含み、前記第３の磁性膜が前記ギャップ膜に隣接し
て設けられ、前記第４の磁性膜が前記第３の磁性膜に隣
接して設けられており、 前記第３の磁性膜は、媒体対向面から後退した位置にお
いて、前記媒体対向面における幅Ｗ２１よりも拡大され
た幅Ｗ２０を有する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記第１のポール部は、第１の磁性膜と、第２の磁性膜
とを含み、前記第２の磁性膜が前記ギャップ膜に隣接し
て設けられ、前記第１の磁性膜が前記第２の磁性膜に隣
接して設けられている薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１または２の何れかに記載された
薄膜磁気ヘッドであって、 前記第３の磁性膜は、第１のセクションと、第２のセク
ションと、第３のセクションとを含み、 前記第１のセクションは、前記媒体対向面の幅Ｗ２１を
保って、前記媒体対向面の後方に後退する領域であり、 前記第２のセクションは、前記第１のセクションの後方
に連なり、幅が、前記媒体対向面の幅Ｗ２１から、幅Ｗ
２０に向かって拡大される領域であり、 前記第３のセクションは、前記第２のセクションの後方
に連なり、前記第２のセクションによって拡大された幅
Ｗ２０以上の幅を保って後方に延びる領域である薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッドであって、 前記媒体対向面から幅Ｗ２０に拡大される位置までの後
退量は、０．２〜０．８μｍの範囲にある薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッドであって、 幅Ｗ２０と、幅Ｗ２１の比（Ｗ２０／Ｗ２１）は、 １．２≦（Ｗ２０／Ｗ２１）≦１．８ の条件を満たす薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 請求項１乃至５の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッドであって、 前記第４の磁性膜の媒体対向面の幅をＷ２２としたと
き、幅Ｗ２２と前記第３の磁性膜の媒体対向面の幅Ｗ２
１との差に起因して、媒体対向面の幅方向の両側に現れ
る幅差△Ｗ１は、０．３μｍ以下である薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項７】 請求項１乃至６の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッドであって、 前記第４の磁性膜の媒体対向面は第３の磁性膜の媒体対
向面における幅Ｗ２１内に位置する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 請求項７に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記第４の磁性膜の媒体対向面の幅をＷ２２としたと
き、前記幅Ｗ２１及びＷ２２は、０．５≦Ｗ２２／Ｗ２
１≦１．０の関係を満たす薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 請求項８に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記幅Ｗ２１及びＷ２２は、０．７≦Ｗ２２／Ｗ２１の
関係を満たす薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９の何れかに記載された
薄膜磁気ヘッドであって、 前記幅Ｗ２１は、２．０μｍ未満である薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッドであって、 前記第１の磁性膜は、前記ポール部から後方に延びる部
分を持ち、この部分がヨークを構成しており、 前記第２の磁性膜及び前記第３の磁性膜は、ポール片を
構成しており、 前記第４の磁性膜は、前記ポール部から後方に延びる部
分を持ち、この部分がヨークを構成し、前記ヨークの後
方において、前記第１の磁性膜の前記ヨークと結合され
ている薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１１の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッドであって、 前記第１の磁性膜、前記第２の磁性膜、前記ギャップ
膜、前記第３の磁性膜及び前記第４の磁性膜は、それぞ
れの媒体対向面が実質的に同一平面を構成する薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記第２の磁性膜、前記ギャップ膜及び前記第３の磁性
膜は、前記媒体対向面とは反対側において、実質的に同
一の平面である後方壁面を構成しており、 前記後方壁面は、前記媒体対向面の作る前記平面と実質
的に平行である薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１４】 請求項１乃至１３の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッドであって、 前記第４の磁性膜は、前記媒体対向面から後方に向かう
につれて、幅が拡大する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記第４の磁性膜は、前記媒体対向面と平行な線分と、
幅方向に位置する両側面とのなす角度θが、２０°≦θ
≦９０°を満たす薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記角度θは、３０°≦θ≦９０°を満たす薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項１７】 請求項１乃至１６の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッドであって、 更に、ＭＲ読み取り素子を含んでいる薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１８】 請求項１７に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 更に、ＭＲ読み取り素子を含んでいる前記ＭＲ読み取り
素子は、第１シ−ルド膜と、第２シ−ルド膜と、ＭＲ素
子とを含み、前記ＭＲ素子が前記第１シ−ルド膜及び前
記第２シ−ルド膜の間に配置され、前記第２シ−ルド膜
が前記書込素子の前記第１の磁性膜を構成する薄膜磁気
ヘッド。
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