JPH1116888A5 - - Google Patents
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- JPH1116888A5 JPH1116888A5 JP1997166888A JP16688897A JPH1116888A5 JP H1116888 A5 JPH1116888 A5 JP H1116888A5 JP 1997166888 A JP1997166888 A JP 1997166888A JP 16688897 A JP16688897 A JP 16688897A JP H1116888 A5 JPH1116888 A5 JP H1116888A5
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Claims (7)
- 真空処理室内に設けられた試料搭載を兼ねた第１の電極と，該第１の電極に対向して設置された第２の電極と，この電極間に高周波電力を印加する手段とを備え，前記第２の電極面よりエッチングガスが供給され，前記第２の電極面におけるエッチングガスの供給系統用の複数の領域が，該第２の電極面上の中心を共通とする円或いはリング状の領域に分布されたガス噴き出し孔群よりなるように構成したことを特徴とするエッチング装置。
- 請求項１記載のエッチングガスの供給系統用の複数の領域が独立して設けられた第２電極面が，Ｓｉ或いはＣを主材としていることを特徴とする請求項１記載のエッチング装置。
- 請求項１記載のエッチングガスの供給系統用の複数の領域が独立して設けられた第２電極面が，５０〜２００℃の範囲で温度制御可能であることを特徴とする請求項１記載のエッチング装置。
- 半導体基板上に形成したレジストマスク開孔部から露出した酸化ケイ素膜をエッチングする工程が，真空処理室内に設けられた試料搭載を兼ねた第１の電極と，該電極に対向して設置された第２の電極とに各々独立に高周波電力の印加が可能であり，前記第２の電極面よりエッチングガスが供給され，該エッチングガスの供給系統が第２の電極面を複数の領域に独立して分割されたエッチング装置を用いて，フルオロカーボン系ガスを前記複数の領域に独立して分割されたガス供給系統により供給し，エッチングすることを特徴とするエッチング装置の運転方法。
- 半導体基板上に形成したレジストマスク開孔部から露出した酸化ケイ素膜をエッチングする工程が，真空処理室内に設けられた試料搭載を兼ねた第１の電極と，該電極に対向して設置された第２の電極とに各々独立に高周波電力の印加が可能であり，前記第２の電極面よりエッチングガスが供給され，該エッチングガスの供給系統が第２の電極面を複数の領域に独立，分割されたエッチング装置を用いて，フルオロカーボン系ガス及び希ガスを前記複数の領域に独立して分割されたガス供給系統により供給し，エッチングすることを特徴とするエッチング装置の運転方法。
- 請求項５に記載したフルオロカーボン系ガス及び希ガスを前記複数の領域に独立して分割されたガス供給系統により供給する運転方法が，各ガス供給系統に対して，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅの中から選ばれた複数種以上の希ガスの流量比を変えていることを特徴とする請求項５記載のエッチング装置の運転方法。
- 請求項４及び請求項５に記載したフルオロカーボン系ガスがＣＦ４,Ｃ２Ｆ６,Ｃ３Ｆ８，Ｃ4Ｆ８，ＣＦ３ＯＣＨＦＣＦ３ の少なくとも一つ以上からなることを特徴とする請求項４及び請求項５記載のエッチング装置の運転方法。
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|---|---|---|---|
| JP16688897A JPH1116888A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | エッチング装置及びその運転方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16688897A JPH1116888A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | エッチング装置及びその運転方法 |
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Family Applications (1)
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| JP16688897A Pending JPH1116888A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | エッチング装置及びその運転方法 |
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1997
- 1997-06-24 JP JP16688897A patent/JPH1116888A/ja active Pending
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