JPH1116917A - バンプ形成方法およびその装置 - Google Patents
バンプ形成方法およびその装置Info
- Publication number
- JPH1116917A JPH1116917A JP18172597A JP18172597A JPH1116917A JP H1116917 A JPH1116917 A JP H1116917A JP 18172597 A JP18172597 A JP 18172597A JP 18172597 A JP18172597 A JP 18172597A JP H1116917 A JPH1116917 A JP H1116917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- conductive balls
- bump forming
- semiconductor chips
- positioning means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 効率的にしかも適正かつ確実にバンプを形成
し得るバンプ形成方法及び接合装置を提供する。 【解決手段】 ２つ以上のダイシングした半導体チップ
Ｓまたはプリント基板を所定位置に位置決め配置し、一
括で導電性ボールを用いたバンプを形成する。半導体チ
ップＳまたはプリント基板の電極部とボール配列手段に
よって配列保持された導電性ボールとを位置合わせする
ための位置出し手段を含んでいる。位置出し手段は、各
半導体チップＳに対応した位置に凹溝１１が形成されて
成るトレー１０を含んでいる。２つ以上のダイシングし
た半導体チップＳを用いることにより、複数個同時にバ
ンプ形成を行うことで生産性を格段に向上させることが
できる。
し得るバンプ形成方法及び接合装置を提供する。 【解決手段】 ２つ以上のダイシングした半導体チップ
Ｓまたはプリント基板を所定位置に位置決め配置し、一
括で導電性ボールを用いたバンプを形成する。半導体チ
ップＳまたはプリント基板の電極部とボール配列手段に
よって配列保持された導電性ボールとを位置合わせする
ための位置出し手段を含んでいる。位置出し手段は、各
半導体チップＳに対応した位置に凹溝１１が形成されて
成るトレー１０を含んでいる。２つ以上のダイシングし
た半導体チップＳを用いることにより、複数個同時にバ
ンプ形成を行うことで生産性を格段に向上させることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップの電
極やプリント基板等に微小金属ボールで成るバンプを形
成するための方法および装置に関するものである。
極やプリント基板等に微小金属ボールで成るバンプを形
成するための方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体チップの電極と外部回路
等との接合媒体となるバンプとして、ウェハバンプ，ス
タッドバンプおよび転写バンプ等が知られている。近
年、半導体装置の高密度化に伴って、電極の狭ピッチ化
あるいはバンプの微小化が進んでいる。バンプを形成す
べき微小金属ボールを予め半導体チップの電極と同一座
標に配列させ、それを一括で電極上に接合するようにし
たバンプの形成方法が実用化されつつある。
等との接合媒体となるバンプとして、ウェハバンプ，ス
タッドバンプおよび転写バンプ等が知られている。近
年、半導体装置の高密度化に伴って、電極の狭ピッチ化
あるいはバンプの微小化が進んでいる。バンプを形成す
べき微小金属ボールを予め半導体チップの電極と同一座
標に配列させ、それを一括で電極上に接合するようにし
たバンプの形成方法が実用化されつつある。
【０００３】例えば本出願人はすでに、特開平７−１５
３７６７５号公報により開示されるように、半導体チッ
プの電極パッドと同一位置となるように微小金属ボール
が配列されている配列基板から、半導体チップ１つ分の
金属ボール群を一括でピックアップし、これを接合用ス
テージまで搬送し、被接合部に接合するようにしたバン
プ形成方法を提案した。
３７６７５号公報により開示されるように、半導体チッ
プの電極パッドと同一位置となるように微小金属ボール
が配列されている配列基板から、半導体チップ１つ分の
金属ボール群を一括でピックアップし、これを接合用ス
テージまで搬送し、被接合部に接合するようにしたバン
プ形成方法を提案した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な従来のバンプ形成方法において、ダイシングした半導
体チップを接合ステージに１つずつ配置し、各半導体チ
ップにバンプを形成するようにしている。従って、従来
方法においては製造効率もしくは生産性の点で改善の余
地があった。
な従来のバンプ形成方法において、ダイシングした半導
体チップを接合ステージに１つずつ配置し、各半導体チ
ップにバンプを形成するようにしている。従って、従来
方法においては製造効率もしくは生産性の点で改善の余
地があった。
【０００５】また、従来ウェハ段階で、つまりウェハを
ダイシングする前の状態で１つ以上の半導体チップにバ
ンプを形成するものが知られている。しかしながら、そ
のウェハ内に不良品半導体チップが含まれている場合に
は、良品の半導体チップのみならず不良品半導体チップ
にもバンプを形成してしまう。この方法においても高い
生産性を実現するのが難しかった。
ダイシングする前の状態で１つ以上の半導体チップにバ
ンプを形成するものが知られている。しかしながら、そ
のウェハ内に不良品半導体チップが含まれている場合に
は、良品の半導体チップのみならず不良品半導体チップ
にもバンプを形成してしまう。この方法においても高い
生産性を実現するのが難しかった。
【０００６】本発明はかかる実情に鑑み、効率的にしか
も適正かつ確実にバンプを形成し得るバンプ形成方法及
び接合装置を提供することを目的とする。
も適正かつ確実にバンプを形成し得るバンプ形成方法及
び接合装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によるバンプ形成
方法は、２つ以上のダイシングした半導体チップまたは
プリント基板を所定位置に位置決め配置し、一括で導電
性ボールを用いたバンプを形成する。
方法は、２つ以上のダイシングした半導体チップまたは
プリント基板を所定位置に位置決め配置し、一括で導電
性ボールを用いたバンプを形成する。
【０００８】また、本発明によるバンプ形成方法は、２
つ以上のダイシングした半導体チップまたはプリント基
板の電極部に対応する位置に導電性ボールを配列保持す
る工程と、半導体チップまたはプリント基板の電極部と
配列保持された前記導電性ボールとを位置合わせする工
程と、配列保持された前記導電性ボールを半導体チップ
またはプリント基板の電極部に転写接合する工程と、を
含んでいる。また、本発明によるバンプ形成方法におい
て、前記配列保持された導電性ボールの配列状態を検査
する工程を、さらに含んでいることを特徴とする。
つ以上のダイシングした半導体チップまたはプリント基
板の電極部に対応する位置に導電性ボールを配列保持す
る工程と、半導体チップまたはプリント基板の電極部と
配列保持された前記導電性ボールとを位置合わせする工
程と、配列保持された前記導電性ボールを半導体チップ
またはプリント基板の電極部に転写接合する工程と、を
含んでいる。また、本発明によるバンプ形成方法におい
て、前記配列保持された導電性ボールの配列状態を検査
する工程を、さらに含んでいることを特徴とする。
【０００９】また、本発明によるバンプ形成装置は、２
つ以上のダイシングした半導体チップまたはプリント基
板の電極部に対応する位置に導電性ボールを配列保持す
るボール配列手段と、半導体チップまたはプリント基板
の電極部と前記ボール配列手段によって配列保持された
導電性ボールとを位置合わせするための位置出し手段
と、前記配列保持された導電性ボールを半導体チップま
たはプリント基板の電極部に転写接合する転写接合手段
と、を含んでいる。
つ以上のダイシングした半導体チップまたはプリント基
板の電極部に対応する位置に導電性ボールを配列保持す
るボール配列手段と、半導体チップまたはプリント基板
の電極部と前記ボール配列手段によって配列保持された
導電性ボールとを位置合わせするための位置出し手段
と、前記配列保持された導電性ボールを半導体チップま
たはプリント基板の電極部に転写接合する転写接合手段
と、を含んでいる。
【００１０】また、本発明によるバンプ形成装置におい
て、前記位置出し手段は、各半導体チップに対応した位
置に凹溝が形成されて成るトレーを含んでいることを特
徴とする。また、本発明によるバンプ形成装置におい
て、前記位置出し手段は、各半導体チップに対応した位
置に凹溝が形成されたステージを含んでいることを特徴
とする。また、本発明によるバンプ形成装置において、
前記位置出し手段は、直交および回転座標が独立に制御
可能な２つ以上のステージを含んでいることを特徴とす
る。また、本発明によるバンプ形成装置において、前記
位置出し手段は、各半導体チップを位置決めし、その位
置に吸引固定し得るように構成されたステージを含んで
いることを特徴とする。
て、前記位置出し手段は、各半導体チップに対応した位
置に凹溝が形成されて成るトレーを含んでいることを特
徴とする。また、本発明によるバンプ形成装置におい
て、前記位置出し手段は、各半導体チップに対応した位
置に凹溝が形成されたステージを含んでいることを特徴
とする。また、本発明によるバンプ形成装置において、
前記位置出し手段は、直交および回転座標が独立に制御
可能な２つ以上のステージを含んでいることを特徴とす
る。また、本発明によるバンプ形成装置において、前記
位置出し手段は、各半導体チップを位置決めし、その位
置に吸引固定し得るように構成されたステージを含んで
いることを特徴とする。
【００１１】本発明によれば、２つ以上のダイシングし
た半導体チップを位置決め配置し、これらの半導体チッ
プに導電性ボールを接合してバンプを形成する。ダイシ
ング後の半導体チップ、しかも良品を選択して用いるこ
とで生産性を格段に向上させることができる。ちなみに
ウェハ段階で、ダイシングする前の２つ以上の半導体チ
ップにバンプ形成する場合では、不良品の半導体チップ
が含まれるため生産効率を上げるのが難しい。
た半導体チップを位置決め配置し、これらの半導体チッ
プに導電性ボールを接合してバンプを形成する。ダイシ
ング後の半導体チップ、しかも良品を選択して用いるこ
とで生産性を格段に向上させることができる。ちなみに
ウェハ段階で、ダイシングする前の２つ以上の半導体チ
ップにバンプ形成する場合では、不良品の半導体チップ
が含まれるため生産効率を上げるのが難しい。
【００１２】また、ダイシング後の２つ以上の半導体チ
ップを所定のステージ上に位置決め配置する際、位置出
し手段によって半導体チップを相互に正確に位置決めす
ることができる。これによりボール配列手段と導電性ボ
ールの位置合わせを効率よく、正確に行うことができ
る。
ップを所定のステージ上に位置決め配置する際、位置出
し手段によって半導体チップを相互に正確に位置決めす
ることができる。これによりボール配列手段と導電性ボ
ールの位置合わせを効率よく、正確に行うことができ
る。
【００１３】なお、位置出し手段の例として、トレーま
たはステージに形成された半導体チップあるいはプリン
ト基板等の大きさよりも大きな凹溝に半導体チップある
いはプリント基板等を置き、トレーまたはステージを適
度に傾斜することで凹溝の角部で半導体チップ等の位置
合わせを行うことができる。
たはステージに形成された半導体チップあるいはプリン
ト基板等の大きさよりも大きな凹溝に半導体チップある
いはプリント基板等を置き、トレーまたはステージを適
度に傾斜することで凹溝の角部で半導体チップ等の位置
合わせを行うことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき、本発明によ
るバンプ形成方法およびその装置の好適な実施の形態を
説明する。この実施形態において、２つ以上のダイシン
グした半導体チップを所定位置に位置決め配置し、一括
で導電性ボールを用いたバンプを形成する。図１のよう
にウェハＷがダイシングされる。ダイシングされた半導
体チップＳは、図２のように搬送ヘッド１００によって
ステージ１上の所定位置に位置決め配置される。搬送ヘ
ッド１００は、ダイシングされたウェハＷのうちから選
択された良品の半導体チップＳのみをステージ１に配置
する。このとき２つ以上の搬送ヘッド１００を用いれ
ば、２つ以上の半導体チップＳを迅速に配置することが
できる。
るバンプ形成方法およびその装置の好適な実施の形態を
説明する。この実施形態において、２つ以上のダイシン
グした半導体チップを所定位置に位置決め配置し、一括
で導電性ボールを用いたバンプを形成する。図１のよう
にウェハＷがダイシングされる。ダイシングされた半導
体チップＳは、図２のように搬送ヘッド１００によって
ステージ１上の所定位置に位置決め配置される。搬送ヘ
ッド１００は、ダイシングされたウェハＷのうちから選
択された良品の半導体チップＳのみをステージ１に配置
する。このとき２つ以上の搬送ヘッド１００を用いれ
ば、２つ以上の半導体チップＳを迅速に配置することが
できる。
【００１５】また、図３のようにバンプを形成すべき導
電性ボールＢを配列保持するボール配列手段として、ボ
ール配列ヘッド２００を備えている。配列ヘッド２００
は、２つ以上の半導体チップＳの電極部に対応する多数
のボール配列孔２０１ａを有する配列基板２０１を備
え、吸引チャンバ２０２を介して真空引されるようにな
っている。吸引チャンバ２０２には、真空吸引源として
の真空ポンプ２０３が接続され、図示のようにボール配
列ヘッド２００は、そのボール配列孔２０１ａにて導電
性ボールＢを配列保持する。
電性ボールＢを配列保持するボール配列手段として、ボ
ール配列ヘッド２００を備えている。配列ヘッド２００
は、２つ以上の半導体チップＳの電極部に対応する多数
のボール配列孔２０１ａを有する配列基板２０１を備
え、吸引チャンバ２０２を介して真空引されるようにな
っている。吸引チャンバ２０２には、真空吸引源として
の真空ポンプ２０３が接続され、図示のようにボール配
列ヘッド２００は、そのボール配列孔２０１ａにて導電
性ボールＢを配列保持する。
【００１６】ボール配列ヘッド２００は図示しない移動
搬送機構によって、図４のように水平および上下方向に
移動可能に支持されている。導電性ボールＢの供給部で
導電性ボールＢを配列保持したボール配列ヘッド２００
は、この移動搬送機構によってステージ１まで搬送され
る。ボール配列ヘッド２００は、ステージ１上の所定位
置に位置決め配置されている半導体チップＳに対して位
置合わせされながら、導電性ボールＢを対応する半導体
チップＳに接合するように構成される。
搬送機構によって、図４のように水平および上下方向に
移動可能に支持されている。導電性ボールＢの供給部で
導電性ボールＢを配列保持したボール配列ヘッド２００
は、この移動搬送機構によってステージ１まで搬送され
る。ボール配列ヘッド２００は、ステージ１上の所定位
置に位置決め配置されている半導体チップＳに対して位
置合わせされながら、導電性ボールＢを対応する半導体
チップＳに接合するように構成される。
【００１７】搬送ヘッド１００によって半導体チップＳ
をステージ１に配置する際、図５に示したように各半導
体チップＳに対応した位置に凹溝１１が形成されて成る
トレー１０を使用する。このトレー１０は、半導体チッ
プＳの電極部と、ボール配列ヘッド２００によって配列
保持された導電性ボールＢとを位置合わせするための位
置合わせ手段として機能する。凹溝１１はそれ自体、お
よび相互間で高い寸法精度で形成されており、半導体チ
ップＳを正確に位置決めすることができる。
をステージ１に配置する際、図５に示したように各半導
体チップＳに対応した位置に凹溝１１が形成されて成る
トレー１０を使用する。このトレー１０は、半導体チッ
プＳの電極部と、ボール配列ヘッド２００によって配列
保持された導電性ボールＢとを位置合わせするための位
置合わせ手段として機能する。凹溝１１はそれ自体、お
よび相互間で高い寸法精度で形成されており、半導体チ
ップＳを正確に位置決めすることができる。
【００１８】トレー１０に形成される凹溝１１は好まし
くは、図６に示したように適度なテーパ状に形成された
ガイド部１２を有する。このようなガイド部１２を設け
ることで半導体チップＳを凹溝１１に円滑にセットする
ことができる。なお、これらの凹溝１１およびガイド部
１２は、別体のトレー１０を用いずに、すなわちステー
ジ１自体に予め形成しておくこともできる。
くは、図６に示したように適度なテーパ状に形成された
ガイド部１２を有する。このようなガイド部１２を設け
ることで半導体チップＳを凹溝１１に円滑にセットする
ことができる。なお、これらの凹溝１１およびガイド部
１２は、別体のトレー１０を用いずに、すなわちステー
ジ１自体に予め形成しておくこともできる。
【００１９】前述のようにステージ１上には、２つ以上
のダイシングした半導体チップＳが配置される。図７は
その場合の半導体チップＳの配置例を示すもので、４つ
の半導体チップＳ1 〜Ｓ4 を正方形状に（図７
（Ａ））、あるいは４つの半導体チップＳ1 〜Ｓ4 を列
設するかたちで（図７（Ｂ））配置する。なお、これら
図示した配置例に限らず、２つ以上のダイシングした半
導体チップＳを所定位置に位置決め配置してもよい。
のダイシングした半導体チップＳが配置される。図７は
その場合の半導体チップＳの配置例を示すもので、４つ
の半導体チップＳ1 〜Ｓ4 を正方形状に（図７
（Ａ））、あるいは４つの半導体チップＳ1 〜Ｓ4 を列
設するかたちで（図７（Ｂ））配置する。なお、これら
図示した配置例に限らず、２つ以上のダイシングした半
導体チップＳを所定位置に位置決め配置してもよい。
【００２０】あるいはまた、トレー１０またはステージ
１に２つ以上の半導体チップあるいはプリント基板等を
並べる際、たとえば図８に示すように対象とする半導体
チップＳあるいはプリント基板等の大きさよりも大きな
凹溝１１を形成する。この凹溝１１にまず、図８（Ａ）
のように半導体チップＳ1 〜Ｓ4 あるいはプリント基板
等を置き、トレー１０またはステージ１を適度に傾斜す
ることで凹溝１１の角部で半導体チップＳ1 〜Ｓ4 等の
位置合わせを行う（図８（Ｂ））。
１に２つ以上の半導体チップあるいはプリント基板等を
並べる際、たとえば図８に示すように対象とする半導体
チップＳあるいはプリント基板等の大きさよりも大きな
凹溝１１を形成する。この凹溝１１にまず、図８（Ａ）
のように半導体チップＳ1 〜Ｓ4 あるいはプリント基板
等を置き、トレー１０またはステージ１を適度に傾斜す
ることで凹溝１１の角部で半導体チップＳ1 〜Ｓ4 等の
位置合わせを行う（図８（Ｂ））。
【００２１】凹溝１１内で半導体チップＳ1 〜Ｓ4 等を
位置合わせする際、図８（Ｂ）のように半導体チップＳ
1 〜Ｓ4 をその背面側から吸引孔１３で吸引固定する。
そしてこの位置決め状態を保持しながら、図８（Ｃ）の
ようにトレー１０またはステージ１が元の状態位置に戻
される。
位置合わせする際、図８（Ｂ）のように半導体チップＳ
1 〜Ｓ4 をその背面側から吸引孔１３で吸引固定する。
そしてこの位置決め状態を保持しながら、図８（Ｃ）の
ようにトレー１０またはステージ１が元の状態位置に戻
される。
【００２２】一方、ボール配列ヘッド２００は導電性ボ
ールＢの供給部において、バンプを形成するための導電
性ボールＢを収容する容器２０上方から、所定タイミン
グで該容器２０内に下降する（図９（Ａ））。さらに、
図９（Ｂ）のように吸引チャンバ２０２を介して真空引
することで、配列基板２０１のボール配列孔２０１ａに
て導電性ボールＢを配列保持する。なお、配列基板２０
１のボール配列孔２０１ａに導電性ボールＢを吸着させ
る際、容器２０を加振することで容器２０内で導電性ボ
ールＢを浮遊状態にし、吸着し易くする等の手段がとら
れる。
ールＢの供給部において、バンプを形成するための導電
性ボールＢを収容する容器２０上方から、所定タイミン
グで該容器２０内に下降する（図９（Ａ））。さらに、
図９（Ｂ）のように吸引チャンバ２０２を介して真空引
することで、配列基板２０１のボール配列孔２０１ａに
て導電性ボールＢを配列保持する。なお、配列基板２０
１のボール配列孔２０１ａに導電性ボールＢを吸着させ
る際、容器２０を加振することで容器２０内で導電性ボ
ールＢを浮遊状態にし、吸着し易くする等の手段がとら
れる。
【００２３】図９（Ｃ）のように配列基板２０１の各ボ
ール配列孔２０１ａに１つの導電性ボールＢが吸着され
る。ここで、導電性ボールＢを吸着する際、配列基板２
０１から余剰ボールを除去して各ボール配列孔２０１ａ
に１つの導電性ボールＢを吸着させるための余剰ボール
除去手段をさらに含んでいる。この余剰ボール除去手段
は例えば、配列基板２０１に微振動を与えることにより
余分な導電性ボールＢを配列基板２０１から離脱させる
ように構成することができる。
ール配列孔２０１ａに１つの導電性ボールＢが吸着され
る。ここで、導電性ボールＢを吸着する際、配列基板２
０１から余剰ボールを除去して各ボール配列孔２０１ａ
に１つの導電性ボールＢを吸着させるための余剰ボール
除去手段をさらに含んでいる。この余剰ボール除去手段
は例えば、配列基板２０１に微振動を与えることにより
余分な導電性ボールＢを配列基板２０１から離脱させる
ように構成することができる。
【００２４】さらに、上記のように配列基板２０１に配
列保持された導電性ボールＢの配列状態が検査される。
この場合、図９（Ｃ）に示すように配列基板２０１の下
方から画像認識手段（ＴＶカメラ）３０により導電性ボ
ールＢの配列状態を撮影し、配列状態の良否を確認する
ことができる。
列保持された導電性ボールＢの配列状態が検査される。
この場合、図９（Ｃ）に示すように配列基板２０１の下
方から画像認識手段（ＴＶカメラ）３０により導電性ボ
ールＢの配列状態を撮影し、配列状態の良否を確認する
ことができる。
【００２５】導電性ボールＢを適正に配列保持したボー
ル配列ヘッド２００は、ステージ１上の半導体チップＳ
に対して位置合わせされながら降下し、これにより導電
性ボールＢを対応する各半導体チップＳの電極に接合す
ることができる。
ル配列ヘッド２００は、ステージ１上の半導体チップＳ
に対して位置合わせされながら降下し、これにより導電
性ボールＢを対応する各半導体チップＳの電極に接合す
ることができる。
【００２６】このように２つ以上のダイシングした半導
体チップＳをステージ１上に位置決め配置し、これらの
半導体チップＳに導電性ボールＢを接合してバンプを形
成する。ダイシング後の良品の半導体チップＳを用いる
ことで、製造工程から不良品を除くことができ生産性を
格段に向上させることができる。
体チップＳをステージ１上に位置決め配置し、これらの
半導体チップＳに導電性ボールＢを接合してバンプを形
成する。ダイシング後の良品の半導体チップＳを用いる
ことで、製造工程から不良品を除くことができ生産性を
格段に向上させることができる。
【００２７】上記実施形態における位置出し手段の他の
態様として、直交（ｘ−ｙ）および回転座標（θ）が独
立に制御可能な２つ以上のステージを含んでいる。この
場合１つのステージ上で１つの半導体チップを位置決め
配置して導電性ボールＢを接合し、つぎのステージ上で
つぎの半導体チップを位置決め配置して導電性ボールＢ
を接合し、この操作が必要回数だけ繰り返される。位置
出し手段のさらに別の態様として、各半導体チップを位
置決めし、その位置に吸引固定し得るように構成された
ステージを含んでいる。
態様として、直交（ｘ−ｙ）および回転座標（θ）が独
立に制御可能な２つ以上のステージを含んでいる。この
場合１つのステージ上で１つの半導体チップを位置決め
配置して導電性ボールＢを接合し、つぎのステージ上で
つぎの半導体チップを位置決め配置して導電性ボールＢ
を接合し、この操作が必要回数だけ繰り返される。位置
出し手段のさらに別の態様として、各半導体チップを位
置決めし、その位置に吸引固定し得るように構成された
ステージを含んでいる。
【００２８】上記実施形態においては、半導体チップの
電極にバンプを形成する例を説明した。本発明によれば
２つ以上の半導体チップは、同種のものである必要はな
く、異なる種類の半導体チップを含んでいてもよい。半
導体チップの場合に限らず、たとえばプリント基板等に
対しても本発明を有効を適用可能であり、上記実施形態
と同様な作用効果を得ることができる。
電極にバンプを形成する例を説明した。本発明によれば
２つ以上の半導体チップは、同種のものである必要はな
く、異なる種類の半導体チップを含んでいてもよい。半
導体チップの場合に限らず、たとえばプリント基板等に
対しても本発明を有効を適用可能であり、上記実施形態
と同様な作用効果を得ることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、こ
の種のバンプを形成する際、２つ以上のダイシングした
半導体チップを用いることにより、複数個同時にバンプ
形成を行うことで生産性を格段に向上させることができ
る。この場合、良品の半導体チップを選択可能としたこ
とで、１００％近くまで良品率を高めよく、歩留り向上
を図ることができる等の利点を有している。
の種のバンプを形成する際、２つ以上のダイシングした
半導体チップを用いることにより、複数個同時にバンプ
形成を行うことで生産性を格段に向上させることができ
る。この場合、良品の半導体チップを選択可能としたこ
とで、１００％近くまで良品率を高めよく、歩留り向上
を図ることができる等の利点を有している。
【図１】本発明におけるウェハダイシング工程を示す斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明におけるダイシング後の半導体チップの
位置決め配置工程を示す斜視図である。
位置決め配置工程を示す斜視図である。
【図３】本発明に係るボール配列ヘッドの構成例を示す
図である。
図である。
【図４】本発明におけるボール配列ヘッドの移動搬送の
様子を示す図である。
様子を示す図である。
【図５】本発明に係る半導体チップのためのトレーの構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図６】本発明に係る上記トレーの凹溝の構成例を示す
図である。
図である。
【図７】本発明におけるステージ上の半導体チップの配
置例を示す平面図である。
置例を示す平面図である。
【図８】本発明におけるステージ等での半導体チップ等
の位置決め手段の例を示すそれぞれ斜視図である。
の位置決め手段の例を示すそれぞれ斜視図である。
【図９】本発明に係るボール配列ヘッドのボール配列工
程を順に示す図である。
程を順に示す図である。
１ ステージ １０ トレー １１ 凹溝 １２ ガイド部 ２０ ボール容器 １００ 搬送ヘッド ２００ ボール配列ヘッド ２０１ 配列基板 ２０１ａ ボール配列孔 ２０２ 吸引チャンバ ２０３ 真空ポンプ Ｂ 導電性ボール Ｓ 半導体チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊地 利治 川崎市中原区井田３−35−１ 新日本製鐵 株式会社技術開発本部内
Claims (8)
- 【請求項１】 ２つ以上のダイシングした半導体チップ
またはプリント基板を所定位置に位置決め配置し、一括
で導電性ボールを用いたバンプを形成することを特徴と
するバンプ形成方法。 - 【請求項２】 ２つ以上のダイシングした半導体チップ
またはプリント基板の電極部に対応する位置に導電性ボ
ールを配列保持する工程と、 半導体チップまたはプリント基板の電極部と、配列保持
された前記導電性ボールとを位置合わせする工程と、 配列保持された前記導電性ボールを半導体チップまたは
プリント基板の電極部に転写接合する工程と、を含んで
いることを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項３】 前記配列保持された導電性ボールの配列
状態を検査する工程を、さらに含んでいることを特徴と
する請求項２に記載のバンプ形成方法。 - 【請求項４】 ２つ以上のダイシングした半導体チップ
またはプリント基板の電極部に対応する位置に導電性ボ
ールを配列保持するボール配列手段と、 半導体チップまたはプリント基板の電極部と前記ボール
配列手段によって配列保持された導電性ボールとを位置
合わせするための位置出し手段と、 前記配列保持された導電性ボールを半導体チップまたは
プリント基板の電極部に転写接合する転写接合手段と、
を含んでいることを特徴とするバンプ形成装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載のバンプ形成装置におい
て、 前記位置出し手段は、各半導体チップに対応した位置に
凹溝が形成されて成るトレーを含んでいることを特徴と
するバンプ形成装置。 - 【請求項６】 請求項４に記載のバンプ形成装置におい
て、 前記位置出し手段は、各半導体チップに対応した位置に
凹溝が形成されたステージを含んでいることを特徴とす
るバンプ形成装置。 - 【請求項７】 請求項４に記載のバンプ形成装置におい
て、 前記位置出し手段は、直交および回転座標が独立に制御
可能な２つ以上のステージを含んでいることを特徴とす
るバンプ形成装置。 - 【請求項８】 請求項４に記載のバンプ形成装置におい
て、 前記位置出し手段は、各半導体チップを位置決めし、そ
の位置に吸引固定し得るように構成されたステージを含
んでいることを特徴とするバンプ形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18172597A JPH1116917A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | バンプ形成方法およびその装置 |
| PCT/JP1997/002996 WO1998009323A1 (fr) | 1996-08-29 | 1997-08-28 | Procede et dispositif visant a former des bosses composees de boules de tres petite taille |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18172597A JPH1116917A (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | バンプ形成方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116917A true JPH1116917A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=16105796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18172597A Pending JPH1116917A (ja) | 1996-08-29 | 1997-06-23 | バンプ形成方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116917A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100425946B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2004-04-01 | 주식회사 칩팩코리아 | 플립 칩 패키지의 금 스터드 범프 형성방법 |
| JP2011077493A (ja) * | 2009-02-10 | 2011-04-14 | Hioki Ee Corp | 基板製造装置、基板製造方法、球状体搭載済基板および電子部品搭載済基板 |
-
1997
- 1997-06-23 JP JP18172597A patent/JPH1116917A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100425946B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2004-04-01 | 주식회사 칩팩코리아 | 플립 칩 패키지의 금 스터드 범프 형성방법 |
| JP2011077493A (ja) * | 2009-02-10 | 2011-04-14 | Hioki Ee Corp | 基板製造装置、基板製造方法、球状体搭載済基板および電子部品搭載済基板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI666720B (zh) | 帶有多個用於傳送電子器件進行鍵合的旋轉傳送臂的鍵合裝置 | |
| KR102080214B1 (ko) | 전자 부품의 실장 장치와 실장 방법, 및 패키지 부품의 제조 방법 | |
| JP2001148395A (ja) | バンプ形成方法およびそのシステム | |
| KR101217505B1 (ko) | 다이 본딩 장비 및 이를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법 | |
| JP2001244288A (ja) | バンプ形成システムおよび真空吸着ヘッド | |
| KR20120128870A (ko) | 솔더볼 리볼링 장치 | |
| JP2013179207A (ja) | 電子部品の載置テーブルと同テーブルを備えたダイボンダ | |
| US4878610A (en) | Die bonding apparatus | |
| JPH1116917A (ja) | バンプ形成方法およびその装置 | |
| JP3549340B2 (ja) | バンプ形成方法及びその装置 | |
| JP3251893B2 (ja) | ボール搬送装置 | |
| JP4184592B2 (ja) | 導電性ボールの吸引配列方法及び吸引配列装置 | |
| JP3898401B2 (ja) | 部品供給装置 | |
| JP7298887B2 (ja) | ボール搭載装置及びボール搭載方法 | |
| JP3896516B2 (ja) | ウエハへの半田ボールマウント装置 | |
| TWI844313B (zh) | 電子零件的安裝裝置及安裝方法 | |
| TWI900104B (zh) | 拾取單元、安裝裝置及拾取方法 | |
| US20250246458A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP2000022031A (ja) | 導電性ボールの実装方法 | |
| JP2000353717A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| JP2021048375A (ja) | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2003124253A (ja) | ベアチップ実装方法および実装システム | |
| JP3896517B2 (ja) | ウエハに対する半田ボールマウント装置 | |
| JP4105022B2 (ja) | 導電性ボールの配列搭載方法および装置ならびにバンプ形成方法および装置 | |
| JP3462944B2 (ja) | バンプボンダーおよびバンプボンダー用チップ搬送方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050517 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050715 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050809 |