JPH11176764A

JPH11176764A - 拡散用フィルムとその製造方法および半導体基板の不純物拡散方法

Info

Publication number: JPH11176764A
Application number: JP9335644A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Kuramochi; 信一倉持
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-12-05
Filing date: 1997-12-05
Publication date: 1999-07-02
Anticipated expiration: 2017-12-05
Also published as: JP3651740B2

Abstract

(57)【要約】【課題】両面側における不純物濃度の差がほとんどな
く、しかも拡散処理後ウエハから容易に剥離することが
できる拡散用フィルムと、その製造方法を提供する。【解決手段】本発明の拡散用フィルムでは、それぞれ
対数正規分布に近く互いに重なり合わない粒径分布を有
し、16％累積値と84％累積値との差が20μm 以下となる
ように粒径が整えられた第１の粉体１ａと第２の粉体１
ｂとから成るＳｉＣ粉体１を基体とし、不純物化合物と
有機系バインダ２とをそれぞれ含んでいる。このフィル
ムは、前記ＳｉＣ粉体１と不純物化合物と有機系バイン
ダ２および有機溶剤を混合し、これをプラスチックシー
ト等の上に塗布してフィルム状に成形した後、乾燥させ
ることにより製造され、ウエハ間に挟んで密着させたス
タッキング状態で、安定した効率的な拡散処理を行なう
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板にリ
ン、ホウ素等の不純物を拡散するためのソースとして使
用される拡散用フィルムとその製造方法、並びにその拡
散用フィルムを使用して半導体基板に不純物を拡散する
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体装置の製造工程で、単
結晶シリコンから成る半導体基板（ウエハ）にリン、ホ
ウ素等のｎ型またはｐ型の不純物を注入し拡散するに
は、（ａ）拡散源である不純物化合物を溶かした溶液を
塗布する、（ｂ）固体の不純物をウエハの近くで蒸発さ
せて付着させるなどの方法で、シリコンウエハの表面に
不純物を被着させた後、高温、長時間の熱処理を加え
て、ウエハ内部に不純物を拡散させていく方法が採られ
ていた。

【０００３】また最近では、工程短縮のために、前記不
純物を高濃度に含む拡散用フィルムを、ウエハ間に挟ん
で密着させた状態（スタッキング状態）で1200℃付近の
温度で熱処理を加え、不純物をウエハ内部に拡散させる
方法が多用されており、この方法によれば、 500枚から
1000枚のウエハを一括して処理することができる。ま
た、このような拡散用フィルムを使用して、シリコンウ
エハ中にホウ素のような不純物拡散層を形成する方法
は、イオン注入法よりもはるかに安価で実現可能であ
り、特にコストの低減を要求されるダイオード用のウエ
ハ製造に好適している。

【０００４】この方法に使用される拡散用フィルムは、
耐熱性無機化合物の粉体を基体とし、ホウ素化合物のよ
うな不純物化合物と有機系バインダ（結合剤）等を含有
したものであり、無機化合物の粉体としては、従来から
アルミナの粉体が使用されていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなア
ルミナを基体とするホウ素拡散用フィルムでは、アルミ
ナ粉体の粒径が広い範囲に分布しているため、フィルム
内におけるホウ素濃度の分布が不均一になり易いという
問題があった。

【０００６】すなわち、ホウ素拡散用フィルムは、基体
となるアルミナ粉体を、数重量％程度のホウ素化合物と
有機系バインダおよび有機溶剤と混合したものを、プラ
スチック等のシート上に塗布してフィルム状に成形した
後、乾燥させることによって製造され、成形・乾燥工程
で、アルミナ粉体が拡散源であるホウ素化合物を粉体間
隙に保持しながら沈降する。一般に、粉体の沈降速度は
その粒径に依存するが、アルミナ粉体の粒径は、図６に
示すように、 2〜80μm の広い範囲に亘って分布してい
る（粒径の測定はマイクロトラック法による。以下同様
である。）ため、乾燥後のフィルム内において、シート
に接している面（裏面）側と反対の面（表面）側とで
は、アルミナ粉体の粒径が異なり、したがってホウ素化
合物の濃度に差異が生じる。

【０００７】そして、このような拡散用フィルムを使用
して拡散処理を行なった場合には、フィルムの表面に接
するウエハと裏面に接するウエハとで、ホウ素拡散層の
接合深さや接合面の波打ち振幅等が異なることになる。
そのため、２枚の拡散用フィルムを貼り合わせて、その
両面の特性（ホウ素濃度）に差が生じないようにする必
要があった。

【０００８】このような拡散用フィルムの両面での不純
物濃度の不均一をなくすために、基体として、アルミナ
粉体に代わり、粒径がより揃ったＳｉＣ（炭化ケイ素）
の粉体を用いた拡散用フィルムが開発されており、特に
粒径が小さいＳｉＣ粉体が用いられた拡散用フィルムで
は、その両面側でそれぞれの面に接するウエハに形成さ
れる不純物拡散層の差が小さくなることが確認されてい
る。

【０００９】しかしながら、このようなＳｉＣ粉体を基
体とする拡散用フィルムでは、ＳｉＣ粉体の粒径がアル
ミナ粉体に比べて小さいため、拡散処理後のウエハから
の剥離に要する時間が、アルミナ粉体を基体とする拡散
用フィルムに比べて大幅に増大するという問題があっ
た。すなわち、拡散用フィルムをウエハ間に挟んで密着
させたスタッキング状態で拡散処理を行なった後、ＨＦ
溶液に浸漬することによりフィルムの剥離を行なってい
るが、フィルム基体であるＳｉＣ粉体の粒径が小さく、
フィルムとウエハとの界面への剥離液の浸透性が悪いた
め、例えばアルミナ粉体を基体とする拡散用フィルムの
場合には、約70時間でウエハから剥離することができる
のに対して、ＳｉＣ粉体を基体とする拡散用フィルムで
は、剥離に約 170時間と長時間を要するという問題があ
った。

【００１０】本発明は、これらの問題を解決するために
なされたもので、両面側における不純物濃度の差がほと
んどなく、しかも拡散処理後ウエハから容易に剥離する
ことができる拡散用フィルムと、その製造方法を提供す
ることを目的とする。

【００１１】また、このような拡散用フィルムを用いる
ことで、ウエハに対して不純物を安定して効率良く拡散
することができ、作業性の向上および半導体装置のコス
トの低減を図ることができる半導体基板の不純物拡散方
法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の拡散用フィルム
は、耐熱性無機化合物の粉体を基体とし、ｐ型またはｎ
型不純物の拡散源となる前記不純物の化合物、および有
機系バインダを含む拡散用フィルムであって、前記無機
化合物の粉体が、それぞれの粒径分布がほとんど重なら
ず、かつ各粒径分布の16％累積に対応する値と84％累積
に対応する値との差が20μm 以下となるようにそれぞれ
規定された、第１の粉体と該粉体よりも平均粒径の大き
い第２の粉体とから成ることを特徴とする。

【００１３】また、本発明の拡散用フィルムの製造方法
は、基体である耐熱性無機化合物の粉体と、ｐ型または
ｎ型不純物の拡散源となる前記不純物の化合物と、有機
系バインダおよび有機溶剤を混合し、フィルム状に成形
した後乾燥させる拡散用フィルムの製造方法であって、
前記無機化合物の粉体が、それぞれの粒径分布がほとん
ど重ならず、かつ各粒径分布の16％累積に対応する値と
84％累積に対応する値との差が20μm 以下となるように
それぞれ規定された、第１の粉体と該粉体よりも平均粒
径の大きい第２の粉体とから成ることを特徴とする。

【００１４】さらに、本発明の半導体基板の不純物拡散
方法は、前記拡散用フィルムを、半導体基板間に挟んで
密着させた状態で、複数枚の前記半導体基板を積重した
後、加熱して前記不純物を前記半導体基板内部に拡散さ
せることを特徴とする。

【００１５】本発明において、ｐ型不純物としては例え
ばホウ素が挙げられ、このようなホウ素の拡散源となる
化合物としては、ホウ酸（Ｈ₃ＢＯ₃）、酸化ホウ素
（Ｂ₂Ｏ₃）等が使用される。また、フィルム基体であ
る耐熱性無機化合物の粉体としては、例えばＳｉＣの粉
体が挙げられ、有機系バインダとしては、ポリビニルア
ルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリメチルビニルケトン、
ポリビニルピロリドン、アクリル酸メチル、アクリル酸
エチル等の重合体のようなビニル系のポリマーが挙げら
れる。

【００１６】そして本発明においては、前記したＳｉＣ
のような無機化合物の粉体として、以下に示す粒径分布
を有する第１の粉体と第２の粉体とを混合したものが使
用される。すなわち、第１の粉体と第２の粉体は、いず
れも粒径分布の16％累積に対応する値（以下、16％累積
値と示す。）と84％累積に対応する値（以下、84％累積
値と示す。）との差が20μm 以下となるように、粒径が
揃えられたものである。また、第１の粉体に比べて、第
２の粉体の平均粒径が大きくなっており、かつ各粉体の
粒径分布は、ほとんど重なり部がないように整えられて
いる。さらに、第１の粉体と第２の粉体とは、ともに対
数正規分布に近い粒径分布を有し、第１の粉体において
は 7〜20μm の範囲内に、第２の粉体においては35〜50
μm の範囲内に、それぞれ全体の90％以上が分布するよ
うに、粒径が揃えられていることが望ましい。

【００１７】ここで、粒径分布の16％累積値および84％
累積値は、それぞれ粉体を粒径の小さいものから累積し
て全体の16％および84％に達するときの粒径の値を示
し、粒径分布が正規分布に近い場合には、（ｍ−δ）の
値および（ｍ＋δ）の値にそれぞれ相当する。なお、ｍ
は粒径分布の平均値（平均粒径）を、δは標準偏差をそ
れぞれ表わす。

【００１８】本発明において、このような粒径分布を有
する第１の粉体と第２の粉体との配合の割合は、第１の
粉体に対する第２の粉体の割合が、 0.5〜 5重量％とな
るようにすることが望ましい。第２の粉体の配合割合が
第１の粉体の 0.5重量％未満の場合には、無機化合物の
粉体の粒径が小さく揃いすぎるため、拡散処理後のウエ
ハからの拡散用フィルムの剥離性が悪くなる。また、第
２の粉体の配合割合が第１の粉体の 5重量％を越えた場
合には、拡散用フィルムの表面側と裏面側とで不純物濃
度の差が大きくなり、好ましくない。

【００１９】本発明の拡散用フィルムにおいては、フィ
ルム基体である無機化合物粉体として、粒径分布がほと
んど重ならず、かつ各粒径分布の16％累積値と84％累積
値との差が20μm 以下となるように規定された第１の粉
体と第２の粉体とを混合したものが使用されているの
で、フィルムの両面ともに微視的に見ると、粒径が細か
く均一に揃った第１の粉体に粒径の大きい第２の粉体が
混じり合い、適度に荒れた状態となっている。そのた
め、このような拡散用フィルムを使用して拡散処理を行
なった後、剥離液であるＨＦ溶液が、拡散用フィルムと
ウエハとの界面に浸透しやすく、ウエハからの拡散用フ
ィルムの剥離時間が、粒径分布の広いアルミナ粉体を基
体とする拡散用フィルム並みに短縮される。

【００２０】また本発明の拡散用フィルムでは、表面と
裏面との不純物濃度の差がほとんどないので、このフィ
ルムの表裏両面を用いて形成した不純物拡散層の接合深
さや接合面の波打ち振幅等が等しくなる。したがって、
１枚の拡散用フィルムの両面側でそれぞれウエハに対し
て拡散処理をすることができる。すなわち、本発明の拡
散用フィルムを使用した場合には、これをウエハ間に挟
んで密着させたスタッキング状態で複数枚（大量）のウ
エハを積層して拡散処理を行なうことで、ウエハに対し
て不純物を安定的に効率良く拡散することが可能とな
り、このような半導体ウエハの不純物拡散方法により、
半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。

【００２２】図１は、本発明に係わる拡散用フィルムの
一実施例であるホウ素拡散用フィルムを示す断面図であ
る。このホウ素拡散用フィルムは、図に示すように、Ｓ
ｉＣの粉体１を基体とし、ホウ酸や酸化ホウ素のような
ホウ素化合物（図示を省略。）および有機系バインダ２
を含んでいる。そして、ＳｉＣ粉体１として、以下に示
す粒径分布を有する第１の粉体１ａと、それより平均粒
径の大きい第２の粉体１ｂとが含有されている。すなわ
ち、第１の粉体１ａと第２の粉体１ｂとは、それぞれ対
数正規分布に近い分布で互いに重なり合わない粒径分布
を有し、粒径分布の16％累積値と84％累積値との差が20
μm 以下となるように、粒径が整えられている。また、
第１の粉体１ａでは、粒径が 7〜20μm の範囲内に全体
の90％以上が分布しており、第２の粉体１ｂでは、粒径
が35〜50μm の範囲内に全体の90％以上が分布してい
る。なお、ＳｉＣおよびホウ素化合物中のアルミニウム
単体の濃度は、1ppm以下とすることが望ましく、理想的
には全く含まれていないことが望ましい。

【００２３】この実施例のホウ素拡散用フィルムを製造
するには、第１の粉体１ａと第２の粉体１ｂとからなる
ＳｉＣ粉体１と、ホウ素化合物と有機系バインダおよび
有機溶剤を混合し、これをプラスチックシート等の上に
スプレイコートすることによりフィルム状に成形した
後、加熱乾燥させる方法が採られる。このような成形・
乾燥により、有機溶剤の大部分は揮発するが、一部の有
機溶剤は、ＳｉＣ粉体およびホウ素化合物とともに有機
系バインダにより結合されてフィルム中に残留する。な
お、成形前に、ＳｉＣ粉体またはホウ酸のようなホウ素
化合物あるいはこれらの混合物を、窒素雰囲気中で 900
℃以上の温度に加熱し、これらの原料中に単体で含まれ
ているアルミニウムを窒化アルミニウムに変換して、ア
ルミニウム単体の濃度を下げておくことにより、残留ア
ルミニウム濃度の低減されたホウ素拡散用フィルムが得
られる。

【００２４】このように製造される実施例のホウ素拡散
用フィルムにおいては、ＳｉＣ粉体１が、粒径が所定の
条件を満たす範囲内に分布するように整えられた第１の
粉体１ａと第２の粉体１ｂとから構成されているので、
拡散処理後の拡散用フィルムのウエハからの剥離が容易
である。また、実施例の拡散用フィルムでは、両面にお
けるホウ素濃度の差が極めて少なくなっているので、従
来のように２枚の拡散用フィルムを貼り合わせて使用す
る必要がなく、１枚の拡散用フィルムの両面側でそれぞ
れシリコンウエハに対して同様に拡散処理をすることが
できる。そして、このホウ素拡散用フィルムをシリコン
ウエハ間に挟んで密着させたスタッキング状態で複数枚
のウエハを積層し、加熱して拡散処理を行なうことによ
り、ウエハの内部にホウ素を安定して効率良く拡散する
ことができ、フィルムの表面に接するウエハと裏面に接
するウエハとで、ホウ素拡散層の接合深さ、接合面の波
打ち振幅等が同等に得られる。

【００２５】さらに、実施例の拡散用フィルムにおいて
は、ＳｉＣ粉体およびホウ素化合物中のアルミニウム単
体の濃度が1ppm以下に下げられているので、このフィル
ムを使用してシリコンウエハにホウ素拡散層を形成した
とき、ホウ素とアルミニウムとの拡散速度の差に起因す
る拡散層の接合面の不均一（波打ち）が生じにくい。

【００２６】以下、具体的な実施例について説明する。

【００２７】実施例まず、以下に示すようにして、高純度のホウ酸を調製し
た。すなわち、粉状のホウ酸を窒素雰囲気中で 900℃以
上の温度で加熱して、ホウ酸を酸化ホウ素とするととも
に、その中のアルミニウム単体の濃度を1ppm以下に下げ
た後、酸化ホウ素を水と反応させて再びホウ酸に戻し
た。また、以下に示すようにして、高純度のＳｉＣ粉体
を調製した。すなわち、図２（ａ）に示す粒径分布を有
する平均粒径が12μm の第１のＳｉＣ粉体に対して、図
２（ｂ）に示す粒径分布を有する平均粒径が40μm の第
２のＳｉＣ粉体を、 1重量％の割合で混合したものを、
窒素雰囲気中で 900℃以上の温度で加熱し、これらの粉
体中のアルミニウム単体の濃度を1ppm以下に下げた。

【００２８】次に、こうして得られた高純度のＳｉＣ粉
体に、30重量％の割合の前記ホウ酸と15重量％の割合の
有機系バインダであるポリビニルアルコールのような有
機溶剤をそれぞれ混合し、得られた混合分散液を、プラ
スチックシートの上にスプレイコートにより塗布し乾燥
させて、厚さ約 0.1mmのフィルムを成形した。

【００２９】また比較のために、ＳｉＣ粉体の代わり
に、図６に示した粒径分布を有する50％累積粒径が16μ
m のアルミナ粉体を使用し、実施例と同様にしてホウ素
拡散用フィルムを製造した（比較例１）。さらに、図２
（ａ）に示した粒径分布を有する50％累積粒径が12μm
の第１のＳｉＣ粉体のみを使用し、実施例と同様にして
ホウ素拡散用フィルムを製造した（比較例２）。

【００３０】次に、こうして実施例および比較例１、２
で得られたホウ素拡散用フィルムを、それぞれシリコン
ウエハ間に挟んで密着させたスタッキング状態で、1200
℃付近の温度で熱処理を加えた。こうして拡散用フィル
ムの表面と裏面をそれぞれ用いて拡散処理を行なった
後、シリコンウエハの広がり抵抗を各ポイントで測定
し、広がり抵抗の面内分布を求めた。測定結果を、実施
例の拡散用フィルムについては図３に、比較例１および
２の拡散用フィルムについては図４および図５にそれぞ
れ示す。なお、これらの図において、◆（黒塗り菱形）
は、フィルムの表面を用いて拡散処理を行なったときの
広がり抵抗の分布を、黒塗り四角形は、フィルムの裏面
を用いて拡散処理を行なったときの広がり抵抗の分布
を、それぞれ示している。

【００３１】これらの図から、実施例の拡散用フィルム
を使用した場合には、比較例２の拡散用フィルムを使用
した場合と同様に、フィルムの表面で拡散処理されたシ
リコンウエハと裏面で拡散処理されたシリコンウエハと
で、広がり抵抗の差がほとんどなく、１枚の拡散用フィ
ルムの両面側でそれぞれシリコンウエハに対して安定し
た拡散処理を行なうことができた。これに対して、比較
例１の拡散用フィルムを使用した場合には、フィルムの
表裏両面でそれぞれ拡散処理されたシリコンウエハにお
いて、広がり抵抗の差が大きかった。

【００３２】さらに、実施例および比較例１、２で得ら
れたホウ素拡散用フィルムを用いて拡散処理を行なった
後、約50重量％のＨＦ溶液に浸漬することにより、シリ
コンウエハから拡散用フィルムを剥離した。実施例の拡
散用フィルムでは、フィルム剥離に要する時間は約80時
間であり、基体としてアルミナ粉体を使用した比較例１
の拡散用フィルムと同程度であった。これに対して、粒
径が細かく揃った第１のＳｉＣ粉体のみを使用した比較
例２の拡散用フィルムでは、剥離に約 170時間と長時間
を要した。

【００３３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の拡散用フィルムにおいては、フィルム基体である無機
化合物の粉体が、それぞれ粒径が所定の条件を満たす範
囲内に分布するように揃えられている第１の粉体と第２
の粉体とから構成されているので、この拡散用フィルム
を半導体ウエハ間に挟んで密着させたスタッキング状態
で拡散処理を行なった後に、フィルムをウエハから容易
に剥離することができ、剥離作業性が良好である。

【００３４】また、フィルムの両面における不純物濃度
の差がほとんどないので、２枚の拡散用フィルムを貼り
合わせて使用する必要がなく、１枚の拡散用フィルムの
両面側で、それぞれウエハに対して安定して効率良く不
純物を拡散することができる。

【００３５】したがって、本発明の拡散用フィルムの両
面にそれぞれウエハを密着させた状態で、複数枚のウエ
ハを積層し不純物を拡散する不純物拡散方法によれば、
拡散用フィルムの表面に接するウエハと裏面に接するウ
エハとで、不純物拡散層の接合深さ、接合面の波打ち振
幅等が同等に得られ、かつ拡散後に拡散用フィルムをウ
エハから容易に剥離することが可能になるので、作業性
の向上および半導体装置のコストの低減を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる拡散用フィルムの実施の形態を
示す断面図。

【図２】本発明の実施例において、フィルム基体である
ＳｉＣ粉体の粒径分布を示し、（ａ）は第１の粉体の粒
径分布を示すグラフ、（ｂ）は第２の粉体の粒径分布を
示すグラフ。

【図３】実施例の拡散用フィルムを用いて拡散処理され
たシリコンウエハの広がり抵抗の面内分布を示すグラ
フ。

【図４】比較例１の拡散用フィルムを用いて拡散処理さ
れたシリコンウエハの広がり抵抗の面内分布を示すグラ
フ。

【図５】比較例２の拡散用フィルムを用いて拡散処理さ
れたシリコンウエハの広がり抵抗の面内分布を示すグラ
フ。

【図６】従来からの拡散用フィルムの基体であるアルミ
ナ粉体の粒径分布を示すグラフ。

【符号の説明】

１………ＳｉＣの粉体１ａ………第１の粉体１ｂ………第２の粉体２………有機系バインタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】耐熱性無機化合物の粉体を基体とし、ｐ
型またはｎ型不純物の拡散源となる前記不純物の化合
物、および有機系バインダを含む拡散用フィルムであっ
て、前記無機化合物の粉体が、それぞれの粒径分布がほとん
ど重ならず、かつ各粒径分布の16％累積に対応する値と
84％累積に対応する値との差が20μm 以下となるように
それぞれ規定された、第１の粉体と該粉体よりも平均粒
径の大きい第２の粉体とから成ることを特徴とする拡散
用フィルム。
【請求項２】前記第１の粉体に対する前記第２の粉体
の割合が、 0.5〜 5重量％であることを特徴とする請求
項１記載の拡散用フィルム。
【請求項３】前記第１の粉体が、対数正規分布に近い
粒径分布を有し、かつ粒径が 7〜20μm の範囲内に全体
の90％以上が分布するように揃えられていることを特徴
とする請求項１または２記載の拡散用フィルム。
【請求項４】前記第２の粉体が、対数正規分布に近い
粒径分布を有し、かつ粒径が35〜50μm の範囲内に全体
の90％以上が分布するように揃えられていることを特徴
とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の拡散用フィ
ルム。
【請求項５】前記無機化合物が炭化ケイ素であり、前
記不純物化合物がホウ素化合物であることを特徴とする
請求項１乃至４のいずれか１項記載の拡散用フィルム。
【請求項６】基体である耐熱性無機化合物の粉体と、
ｐ型またはｎ型不純物の拡散源となる前記不純物の化合
物と、有機系バインダおよび有機溶剤を混合し、フィル
ム状に成形した後乾燥させる拡散用フィルムの製造方法
であって、前記無機化合物の粉体が、それぞれの粒径分布がほとん
ど重ならず、かつ各粒径分布の16％累積に対応する値と
84％累積に対応する値との差が20μm 以下となるように
それぞれ規定された、第１の粉体と該粉体よりも平均粒
径の大きい第２の粉体とから成ることを特徴とする拡散
用フィルムの製造方法。
【請求項７】前記第１の粉体に対する前記第２の粉体
の割合が、 0.5〜 5重量％であることを特徴とする請求
項６記載の拡散用フィルムの製造方法。
【請求項８】前記第１の粉体が、対数正規分布に近い
粒径分布を有し、かつ粒径が 7〜20μm の範囲内に全体
の90％以上が分布するように揃えられていることを特徴
とする請求項６または７記載の拡散用フィルムの製造方
法。
【請求項９】前記第２の粉体が、対数正規分布に近い
粒径分布を有し、かつ粒径が35〜50μm の範囲内に全体
の90％以上が分布するように揃えられていることを特徴
とする請求項６乃至８のいずれか１項記載の拡散用フィ
ルムの製造方法。
【請求項１０】前記無機化合物が炭化ケイ素であり、
前記不純物化合物がホウ素化合物であることを特徴とす
る請求項６乃至９のいずれか１項記載の拡散用フィルム
の製造方法。
【請求項１１】前記炭化ケイ素の粉体または前記ホウ
素化合物あるいはそれらの混合物を、窒素雰囲気中で加
熱し、それらの中に単体で含まれているアルミニウムを
窒化アルミニウムとした後、前記有機系バインダおよび
有機溶剤をそれぞれ混合し、成形することを特徴とする
請求項１０記載の拡散用フィルムの製造方法。
【請求項１２】請求項１乃至５のいずれか１項記載の
拡散用フィルムを、半導体基板間に挟んで密着させた状
態で、複数枚の前記半導体基板を積重した後、加熱して
前記不純物を前記半導体基板内部に拡散させることを特
徴とする半導体基板の不純物拡散方法。