JPH11176848A - ダイボンディング設備及びこれに利用される接着部材残量検出方法 - Google Patents
ダイボンディング設備及びこれに利用される接着部材残量検出方法Info
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- JPH11176848A JPH11176848A JP10123458A JP12345898A JPH11176848A JP H11176848 A JPH11176848 A JP H11176848A JP 10123458 A JP10123458 A JP 10123458A JP 12345898 A JP12345898 A JP 12345898A JP H11176848 A JPH11176848 A JP H11176848A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接着部材の完全消耗時点を正確に把握するこ
とにより、生産性の向上と接着部材の浪費を防止するこ
とができるダイボンディング設備及びこれに利用される
接着部材残量検出方法を提供すること。 【解決手段】リードフレーム１のダイパッド２上に銀−
エポキシ３が滴下された状態を示す滴下パターンと基準
パターン形成部６３に形成された基準パターン６６とを
カメラ部６５で重畳撮影して、その重畳パターンが既に
入力されたパターンと同一であるかを判断部５４で判断
して、その判断結果から貯蔵チューブ内の銀−エポキシ
の残量有無を検出する。
とにより、生産性の向上と接着部材の浪費を防止するこ
とができるダイボンディング設備及びこれに利用される
接着部材残量検出方法を提供すること。 【解決手段】リードフレーム１のダイパッド２上に銀−
エポキシ３が滴下された状態を示す滴下パターンと基準
パターン形成部６３に形成された基準パターン６６とを
カメラ部６５で重畳撮影して、その重畳パターンが既に
入力されたパターンと同一であるかを判断部５４で判断
して、その判断結果から貯蔵チューブ内の銀−エポキシ
の残量有無を検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はダイボンディング設
備及びこれに利用される接着部材残量検出方法に係り、
より詳細には、リードフレームのダイパッド上の所定領
域に滴下される銀−エポキシ（接着部材）の存在有無を
検出して銀−エポキシの非滴下による半導体チップのボ
ンディング不良を防止できるようにしたダイボンディン
グ設備及びこれに利用される接着部材残量検出方法に関
するものである。
備及びこれに利用される接着部材残量検出方法に係り、
より詳細には、リードフレームのダイパッド上の所定領
域に滴下される銀−エポキシ（接着部材）の存在有無を
検出して銀−エポキシの非滴下による半導体チップのボ
ンディング不良を防止できるようにしたダイボンディン
グ設備及びこれに利用される接着部材残量検出方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に現代社会では科学技術の発展に
ともなって電子機器も多様に発展しており、電子機器が
高集積密度を持つ半導体素子の開発により高機能化、超
小型化されることにより半導体パッケージも発展を続け
ている。
ともなって電子機器も多様に発展しており、電子機器が
高集積密度を持つ半導体素子の開発により高機能化、超
小型化されることにより半導体パッケージも発展を続け
ている。
【０００３】ここで、半導体パッケージ製造工程は、複
数個の半導体チップが形成されたウェハをダイヤモンド
鋸刃で切削して個別半導体チップに分離するダイシング
工程と、接着剤を使用して前記半導体チップをリードフ
レームのダイパッドに付着させるダイボンディング工程
と、前記半導体チップの入出力パッドとリードフレーム
のインナリードとを電気伝導度が高く極細線化が容易な
金属線で連結するワイヤボンディング工程と、ワイヤボ
ンディングを完了した前記半導体チップを衝撃、水分、
ごみ等の外部環境から保護できるように熱硬化性樹脂で
封止するモールディグ工程と、前述の工程が完了された
リードフレームから半導体パッケージを各々のデバイス
として分離してリードフレームのアウタリード形状を規
定の形状に加工するトリム/ フォーム工程と、前記熱硬
化性樹脂の表面に商標及び製品番号を印刷するマーキン
グ工程とからなる。
数個の半導体チップが形成されたウェハをダイヤモンド
鋸刃で切削して個別半導体チップに分離するダイシング
工程と、接着剤を使用して前記半導体チップをリードフ
レームのダイパッドに付着させるダイボンディング工程
と、前記半導体チップの入出力パッドとリードフレーム
のインナリードとを電気伝導度が高く極細線化が容易な
金属線で連結するワイヤボンディング工程と、ワイヤボ
ンディングを完了した前記半導体チップを衝撃、水分、
ごみ等の外部環境から保護できるように熱硬化性樹脂で
封止するモールディグ工程と、前述の工程が完了された
リードフレームから半導体パッケージを各々のデバイス
として分離してリードフレームのアウタリード形状を規
定の形状に加工するトリム/ フォーム工程と、前記熱硬
化性樹脂の表面に商標及び製品番号を印刷するマーキン
グ工程とからなる。
【０００４】ここで、ダイボンディング工程についてよ
り詳細に説明すると、ローダにローディングされている
リードフレームは所定の移送手段により所定の位置にロ
ーディングされて、リードフレームの上方に位置したデ
ィスペンスヘッドによりリードフレームのダイパッド上
の銀−エポキシ滴下領域に銀−エポキシが滴下される。
り詳細に説明すると、ローダにローディングされている
リードフレームは所定の移送手段により所定の位置にロ
ーディングされて、リードフレームの上方に位置したデ
ィスペンスヘッドによりリードフレームのダイパッド上
の銀−エポキシ滴下領域に銀−エポキシが滴下される。
【０００５】次に、移送トラックに沿ってリードフレー
ムは１ピッチほど動き、その位置で、銀−エポキシが滴
下されたダイパッド上に半導体チップが、ウェハから各
々分離されてボンディングヘッドにより運ばれて付着さ
れる。このような工程の反復的な進行によりリードフレ
ームのダイパッド上には半導体チップが次々と付着され
る。その後、リードフレームは移送トラックに沿ってア
ンローダにアンローディングされる。
ムは１ピッチほど動き、その位置で、銀−エポキシが滴
下されたダイパッド上に半導体チップが、ウェハから各
々分離されてボンディングヘッドにより運ばれて付着さ
れる。このような工程の反復的な進行によりリードフレ
ームのダイパッド上には半導体チップが次々と付着され
る。その後、リードフレームは移送トラックに沿ってア
ンローダにアンローディングされる。
【０００６】以後、半導体チップの付着が完了したリー
ドフレームは硬化過程を経てダイボンディング工程を終
了する。
ドフレームは硬化過程を経てダイボンディング工程を終
了する。
【０００７】前記のようなダイボンディング工程を所定
時間実施すると、約10cc程度貯蔵された貯蔵チューブ内
の銀−エポキシは消耗される。その銀−エポキシの消耗
状態を把握して作業者は貯蔵チューブを交換する。
時間実施すると、約10cc程度貯蔵された貯蔵チューブ内
の銀−エポキシは消耗される。その銀−エポキシの消耗
状態を把握して作業者は貯蔵チューブを交換する。
【０００８】この貯蔵チューブの交換時期について説明
すると、ダイボンディング設備の制御部には、10cc容量
の銀−エポキシ貯蔵チューブに対するディスペンスヘッ
ドの銀−エポキシ滴下可能数が作業者により設定されい
て、ディスペンスヘッドで一回ずつリードフレームのダ
イパッド上に銀−エポキシを滴下する毎に設備内に設置
されている滴下計数器はこれを計数する。そして、この
計数値は設定された設定値と比較されて、もし計数値と
設定された設定値が同一になると、ダイボンディング設
備は新しい銀−エポキシ貯蔵チューブに交換するように
所定の警告音を発生する。
すると、ダイボンディング設備の制御部には、10cc容量
の銀−エポキシ貯蔵チューブに対するディスペンスヘッ
ドの銀−エポキシ滴下可能数が作業者により設定されい
て、ディスペンスヘッドで一回ずつリードフレームのダ
イパッド上に銀−エポキシを滴下する毎に設備内に設置
されている滴下計数器はこれを計数する。そして、この
計数値は設定された設定値と比較されて、もし計数値と
設定された設定値が同一になると、ダイボンディング設
備は新しい銀−エポキシ貯蔵チューブに交換するように
所定の警告音を発生する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体チップ
の大きさによってリードフレームのダイパッド上に滴下
される銀−エポキシの滴下量に差が発生する。例えば、
小さい半導体チップをボンディングするときは、大きい
半導体チップをボンディングするときより、リードフレ
ームのダイパッド上に滴下される銀−エポキシの量は少
ない。したがって、設定された設定値と計数値が一致し
ても、貯蔵チューブ内に所定量の銀−エポキシが残存し
ている場合があり、残存しているにも係わらず銀−エポ
キシ貯蔵チューブを交換することにより必要以上の銀−
エポキシが浪費される問題点があった。
の大きさによってリードフレームのダイパッド上に滴下
される銀−エポキシの滴下量に差が発生する。例えば、
小さい半導体チップをボンディングするときは、大きい
半導体チップをボンディングするときより、リードフレ
ームのダイパッド上に滴下される銀−エポキシの量は少
ない。したがって、設定された設定値と計数値が一致し
ても、貯蔵チューブ内に所定量の銀−エポキシが残存し
ている場合があり、残存しているにも係わらず銀−エポ
キシ貯蔵チューブを交換することにより必要以上の銀−
エポキシが浪費される問題点があった。
【００１０】また、逆に大きい半導体チップをボンディ
ングするときは、小さい半導体チッップをボンディング
するときより、リードフレームのダイパッド上に滴下さ
れる銀−エポキシ量が多いから、設定された設定値と計
数値が一致する前に既に貯蔵チューブ内の銀−エポキシ
が全て消耗されてしまって、それ以後、設定値と計数値
が一致するまで非滴下の状態でボンディングが実行され
て、製品の不良が発生して生産量が減少する問題点があ
った。
ングするときは、小さい半導体チッップをボンディング
するときより、リードフレームのダイパッド上に滴下さ
れる銀−エポキシ量が多いから、設定された設定値と計
数値が一致する前に既に貯蔵チューブ内の銀−エポキシ
が全て消耗されてしまって、それ以後、設定値と計数値
が一致するまで非滴下の状態でボンディングが実行され
て、製品の不良が発生して生産量が減少する問題点があ
った。
【００１１】したがって、本発明はこのような問題点に
着眼して案出されたもので、その目的は、リードフレー
ムのダイパッド上に接着部材が滴下された状態を実際に
検出して、貯蔵チューブ内の接着部材の残量の有無を判
断できるようにしたダイボンディング設備及びこれに利
用される接着部材残量検出方法を提供することにある。
着眼して案出されたもので、その目的は、リードフレー
ムのダイパッド上に接着部材が滴下された状態を実際に
検出して、貯蔵チューブ内の接着部材の残量の有無を判
断できるようにしたダイボンディング設備及びこれに利
用される接着部材残量検出方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決し前記目
的を達成するために本発明のダイボンディング設備は、
ダイボンディング工程に必要なリードフレームをローデ
ィングするローディング部と、このローディング部から
ローディングされた前記リードフレームのダイパッド上
の所定領域に噴射ノズルを通して接着部材を滴下するデ
ィスペンスヘッド部と、前記ダイパッド上の所定領域に
前記接着部材が滴下された状態を示す滴下パターンと前
記接着部材滴下領域を示す基準パターンとを重畳撮影し
て形成された重畳パターンと、既に入力されたパターン
とを比較して、それらが同一であるかを判断した後、そ
の判断結果によって貯蔵チューブ内の前記接着部材の残
量有無を検出する接着部材残量検出装置と、ウェハから
分離された各々の半導体チップを真空吸着して前記接着
部材が滴下された前記リードフレームのダイパッド上に
付着させるボンディングヘッド部と、前記半導体チップ
が付着された前記リードフレームをアンローディングす
るアンローディング部とを具備する。
的を達成するために本発明のダイボンディング設備は、
ダイボンディング工程に必要なリードフレームをローデ
ィングするローディング部と、このローディング部から
ローディングされた前記リードフレームのダイパッド上
の所定領域に噴射ノズルを通して接着部材を滴下するデ
ィスペンスヘッド部と、前記ダイパッド上の所定領域に
前記接着部材が滴下された状態を示す滴下パターンと前
記接着部材滴下領域を示す基準パターンとを重畳撮影し
て形成された重畳パターンと、既に入力されたパターン
とを比較して、それらが同一であるかを判断した後、そ
の判断結果によって貯蔵チューブ内の前記接着部材の残
量有無を検出する接着部材残量検出装置と、ウェハから
分離された各々の半導体チップを真空吸着して前記接着
部材が滴下された前記リードフレームのダイパッド上に
付着させるボンディングヘッド部と、前記半導体チップ
が付着された前記リードフレームをアンローディングす
るアンローディング部とを具備する。
【００１３】この設備において、好ましくは、前記接着
部材残量検出装置は、前記滴下パターンと前記基準パタ
ーンとを重畳形成する重畳パターン形成手段と、この重
畳パターン形成手段から前記重畳パターンに対する映像
信号の入力を受けて、それを既に入力されたパターンに
対応する映像信号と比較して同一であるかを判断する判
断部と、この判断部による判断結果によって前記接着部
材の残量有無を出力部に表示する制御部とを具備する。
接着部材残量検出装置は、前記判断部の判断結果によっ
て前記制御部を通して作業者に警告信号を発生する警告
部を更に含むこともできる。
部材残量検出装置は、前記滴下パターンと前記基準パタ
ーンとを重畳形成する重畳パターン形成手段と、この重
畳パターン形成手段から前記重畳パターンに対する映像
信号の入力を受けて、それを既に入力されたパターンに
対応する映像信号と比較して同一であるかを判断する判
断部と、この判断部による判断結果によって前記接着部
材の残量有無を出力部に表示する制御部とを具備する。
接着部材残量検出装置は、前記判断部の判断結果によっ
て前記制御部を通して作業者に警告信号を発生する警告
部を更に含むこともできる。
【００１４】また、本発明の第１具体例で、前記重畳パ
ターン形成手段は、基体と、この基体内に設置され、前
記接着部材が滴下された前記リードフレームに対して所
定角度で対向し、所定の光透過率を持つ半透明部材と、
この半透明部材から所定間隔離れて前記基体内の一側領
域に設置され、前記基準パターンが形成された基準パタ
ーン形成部と、前記半透明部材から所定間隔離れて前記
基体の他側領域に設置され、前記半透明部材に投影され
た前記基準パターンと前記滴下パターンとを撮影するカ
メラ部と、このカメラ部から前記半透明部材方向に前記
基体内に所定量の光を発散させる発光部とを具備する。
ターン形成手段は、基体と、この基体内に設置され、前
記接着部材が滴下された前記リードフレームに対して所
定角度で対向し、所定の光透過率を持つ半透明部材と、
この半透明部材から所定間隔離れて前記基体内の一側領
域に設置され、前記基準パターンが形成された基準パタ
ーン形成部と、前記半透明部材から所定間隔離れて前記
基体の他側領域に設置され、前記半透明部材に投影され
た前記基準パターンと前記滴下パターンとを撮影するカ
メラ部と、このカメラ部から前記半透明部材方向に前記
基体内に所定量の光を発散させる発光部とを具備する。
【００１５】ここで、前記半透明部材としては所定の光
透過率を持つハーフミラーを使用でき、その半透明部材
は一側面には前記滴下パターンが投影され、他側面には
前記基準パターンが投影されて、好ましくは45°の角度
を持つ。また、ハーフミラーの光透過率は約45〜55％で
あり、好ましくは50％である。
透過率を持つハーフミラーを使用でき、その半透明部材
は一側面には前記滴下パターンが投影され、他側面には
前記基準パターンが投影されて、好ましくは45°の角度
を持つ。また、ハーフミラーの光透過率は約45〜55％で
あり、好ましくは50％である。
【００１６】また、好ましくは、前記リードフレームと
前記半透明部材との間の離隔距離によって半透明部材と
前記基準パターン形成部との間の離隔距離が変化して、
リードフレームと半透明部材との間の離隔距離は半透明
部材と基準パターン形成部との間の離隔距離と同一であ
る。好ましくは、半透明部材と前記基準パターン形成部
間の離隔距離は４〜５cmである。
前記半透明部材との間の離隔距離によって半透明部材と
前記基準パターン形成部との間の離隔距離が変化して、
リードフレームと半透明部材との間の離隔距離は半透明
部材と基準パターン形成部との間の離隔距離と同一であ
る。好ましくは、半透明部材と前記基準パターン形成部
間の離隔距離は４〜５cmである。
【００１７】また、基準パターン形成部は、具体的に
は、前記接着部材が滴下されるリードフレームのダイパ
ッド上の所定領域を表示する基準パターンが形成された
反射体であり、反射体は前記リードフレームの反射率と
同一である。好ましくは、反射体はリードフレームと同
一材質で形成される。
は、前記接着部材が滴下されるリードフレームのダイパ
ッド上の所定領域を表示する基準パターンが形成された
反射体であり、反射体は前記リードフレームの反射率と
同一である。好ましくは、反射体はリードフレームと同
一材質で形成される。
【００１８】本発明の第２具体例で、重畳パターン形成
手段は、基体と、この基体内に設置され、前記接着部材
が滴下された前記リードフレームに対して所定角度で対
向し、所定の光透過率を持つ半透明部材と、この半透明
部材から所定間隔離れて前記基体内に設置され、前記基
準パターンが形成された基準パターン形成部と、前記基
体内に設置され、前記半透明部材に投影された前記滴下
パターンと前記基準パターンとを所定角度で反射させる
反射部材と、この反射部材から反射された前記滴下パタ
ーン及び前記基準パターンを撮影するカメラ部と、この
カメラ部から前記半透明部材方向に前記基体内に所定量
の光を発散させる発光部とを具備する。
手段は、基体と、この基体内に設置され、前記接着部材
が滴下された前記リードフレームに対して所定角度で対
向し、所定の光透過率を持つ半透明部材と、この半透明
部材から所定間隔離れて前記基体内に設置され、前記基
準パターンが形成された基準パターン形成部と、前記基
体内に設置され、前記半透明部材に投影された前記滴下
パターンと前記基準パターンとを所定角度で反射させる
反射部材と、この反射部材から反射された前記滴下パタ
ーン及び前記基準パターンを撮影するカメラ部と、この
カメラ部から前記半透明部材方向に前記基体内に所定量
の光を発散させる発光部とを具備する。
【００１９】ここで、前記半透明部材は反射部材の光入
射面の角度と同一の角度で設置される。
射面の角度と同一の角度で設置される。
【００２０】本発明の第３具体例で、重畳パターン形成
手段は、基体と、この基体内に設置され、前記接着部材
が滴下された前記リードフレームに対して所定角度で対
向し、所定の光透過率を持つ半透明部材と、この半透明
部材から所定間隔離れて前記基体内に設置され、前記半
透明部材に所定の画像を反射できるように反射面が所定
角度で傾斜している第２反射部材と、前記基体内に設置
され、前記第２反射部材の反射面に投影される前記リー
ドフレームのダイパッド上に前記接着部材が滴下される
領域を示す基準パターンが形成された基準パターン形成
部と、前記第２反射部材と反対側で前記半透明部材から
所定間隔離れて前記基体内に設置され、前記半透明部材
に投影された前記滴下パターンと前記基準パターンとを
反射させる反射面が所定角度で傾斜している第１反射部
材と、この第１反射部材から反射された前記滴下パター
ンと前記基準パターンとを撮影するカメラ部と、このカ
メラ部から前記半透明部材方向に前記基体内に所定量の
光を発散させる発光部とを具備する。
手段は、基体と、この基体内に設置され、前記接着部材
が滴下された前記リードフレームに対して所定角度で対
向し、所定の光透過率を持つ半透明部材と、この半透明
部材から所定間隔離れて前記基体内に設置され、前記半
透明部材に所定の画像を反射できるように反射面が所定
角度で傾斜している第２反射部材と、前記基体内に設置
され、前記第２反射部材の反射面に投影される前記リー
ドフレームのダイパッド上に前記接着部材が滴下される
領域を示す基準パターンが形成された基準パターン形成
部と、前記第２反射部材と反対側で前記半透明部材から
所定間隔離れて前記基体内に設置され、前記半透明部材
に投影された前記滴下パターンと前記基準パターンとを
反射させる反射面が所定角度で傾斜している第１反射部
材と、この第１反射部材から反射された前記滴下パター
ンと前記基準パターンとを撮影するカメラ部と、このカ
メラ部から前記半透明部材方向に前記基体内に所定量の
光を発散させる発光部とを具備する。
【００２１】また、前記課題を解決し前記目的を達成す
るための本発明の接着部材残量検出方法は、接着部材が
リードフレームのダイパッド上に滴下される領域を示す
基準パターンと、この基準パターンに対応する前記リー
ドフレームのダイパッド上の所定領域に前記接着部材が
滴下された状態を示す最初の滴下パターンとを撮影して
形成された比較用重畳パターンを入力する第１段階と、
前記基準パターンを読み取って入力する第２段階と、滴
下パターンを読み取って入力する第３段階と、前記第
２、第３段階による滴下パターンと基準パターンとの重
畳状態を既に入力された前記比較用重畳パターンと比較
して前記接着部材の滴下状態を判断する第４段階と、こ
の第４段階による判断結果によって前記接着部材の残量
の有無について作業者に警告信号を発生する第５段階と
を具備する。
るための本発明の接着部材残量検出方法は、接着部材が
リードフレームのダイパッド上に滴下される領域を示す
基準パターンと、この基準パターンに対応する前記リー
ドフレームのダイパッド上の所定領域に前記接着部材が
滴下された状態を示す最初の滴下パターンとを撮影して
形成された比較用重畳パターンを入力する第１段階と、
前記基準パターンを読み取って入力する第２段階と、滴
下パターンを読み取って入力する第３段階と、前記第
２、第３段階による滴下パターンと基準パターンとの重
畳状態を既に入力された前記比較用重畳パターンと比較
して前記接着部材の滴下状態を判断する第４段階と、こ
の第４段階による判断結果によって前記接着部材の残量
の有無について作業者に警告信号を発生する第５段階と
を具備する。
【００２２】そして、本発明によれば、上記のように、
読み取った滴下パターンと基準パターンとの重畳パッタ
ーンを既に入力した重畳パターンと比較することによ
り、貯蔵チューブの交替時期を正確に把握することがで
き、したがって、接着部材未滴下による製品の不良を防
止することができるとともに、接着部材が残存している
貯蔵チューブを交替することにより発生する接着部材の
浪費も防止できる。
読み取った滴下パターンと基準パターンとの重畳パッタ
ーンを既に入力した重畳パターンと比較することによ
り、貯蔵チューブの交替時期を正確に把握することがで
き、したがって、接着部材未滴下による製品の不良を防
止することができるとともに、接着部材が残存している
貯蔵チューブを交替することにより発生する接着部材の
浪費も防止できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
による好ましい実施の形態について詳細に説明する。
による好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２４】図１は本発明の実施の形態によるダイボン
ディング設備を概略的に示すブロック図、図２は図１の
設備中の接着部材残量検出装置を具体的に示す構成図、
図３（Ａ）は本発明の実施の形態による滴下状態検出過
程を示すパターン図、図３（Ｂ）は既に入力された重畳
パターンを示すパターン図、図４（Ａ）は本発明の実施
の形態による未滴下状態検出過程を示すパターン図、図
４（Ｂ）は既に入力された重畳パターンを示すパターン
図である。
ディング設備を概略的に示すブロック図、図２は図１の
設備中の接着部材残量検出装置を具体的に示す構成図、
図３（Ａ）は本発明の実施の形態による滴下状態検出過
程を示すパターン図、図３（Ｂ）は既に入力された重畳
パターンを示すパターン図、図４（Ａ）は本発明の実施
の形態による未滴下状態検出過程を示すパターン図、図
４（Ｂ）は既に入力された重畳パターンを示すパターン
図である。
【００２５】図１に図示されるように、ダイボンディン
グ設備は, ダイボンディング工程に必要なリードフレー
ムをローディングするローダ（ローディング部）10と、
このローダ10からローディングされたリードフレームの
ダイパッド上の所定位置に接着部材、例えば銀−エポキ
シを噴射ノズル( 図示せず) を通して滴下するディスペ
ンスヘッド30と、前記リードフレームのダイパッド上の
所定領域に銀−エポキシが滴下された状態を示す滴下パ
ターンと銀−エポキシ滴下領域を示す基準パターンとを
重畳撮影して形成された重畳パターンと既に入力された
パターンとを比較して、それらが同一であるかを判断し
た後、その判断結果によって貯蔵チューブ内の前記接着
部材の残量有無を検出する接着部材残量検出装置50と、
ウェハから個々に分離された半導体素子を真空吸着して
銀−エポキシが滴下されたリードフレームのダイパッド
上に付着させるボンディングヘッド70と、ダイボンディ
ングが完了したリードフレームをアンローディングする
アンローダ（アンローディング部）90とを含む。
グ設備は, ダイボンディング工程に必要なリードフレー
ムをローディングするローダ（ローディング部）10と、
このローダ10からローディングされたリードフレームの
ダイパッド上の所定位置に接着部材、例えば銀−エポキ
シを噴射ノズル( 図示せず) を通して滴下するディスペ
ンスヘッド30と、前記リードフレームのダイパッド上の
所定領域に銀−エポキシが滴下された状態を示す滴下パ
ターンと銀−エポキシ滴下領域を示す基準パターンとを
重畳撮影して形成された重畳パターンと既に入力された
パターンとを比較して、それらが同一であるかを判断し
た後、その判断結果によって貯蔵チューブ内の前記接着
部材の残量有無を検出する接着部材残量検出装置50と、
ウェハから個々に分離された半導体素子を真空吸着して
銀−エポキシが滴下されたリードフレームのダイパッド
上に付着させるボンディングヘッド70と、ダイボンディ
ングが完了したリードフレームをアンローディングする
アンローダ（アンローディング部）90とを含む。
【００２６】ここで、接着部材残量検出装置５０につい
て図２および図３を参照して説明すると次のようであ
る。
て図２および図３を参照して説明すると次のようであ
る。
【００２７】図示されるように、重畳パターン形成手段
60は、滴下パターン５と基準パターン66とを撮影してそ
れに対する映像信号を判断部54に印加する。
60は、滴下パターン５と基準パターン66とを撮影してそ
れに対する映像信号を判断部54に印加する。
【００２８】ここで、滴下パターン５は噴射ノズルを通
してリードフレーム１のダイパッド２上の所定領域に銀
−エポキシ３が滴下された状態を示すパターンであり、
基準パターン66は銀−エポキシ３がリードフレーム１の
ダイパッド２上に滴下される領域を示すｘ形状のマーク
で、その基準パターン66と滴下パターン５は本発明の特
徴上互いに同一の座標領域に位置する。
してリードフレーム１のダイパッド２上の所定領域に銀
−エポキシ３が滴下された状態を示すパターンであり、
基準パターン66は銀−エポキシ３がリードフレーム１の
ダイパッド２上に滴下される領域を示すｘ形状のマーク
で、その基準パターン66と滴下パターン５は本発明の特
徴上互いに同一の座標領域に位置する。
【００２９】次に、判断部54は重畳パターン形成手段60
から印加された映像信号を既に入力された重畳パターン
68の映像信号と比較して、銀−エポキシ３の滴下状態を
判断する。即ち、図３（Ａ）に図示されるように、滴下
パターン５と基準パターン66が重畳されて形成された重
畳パターン67と、図３（Ｂ）に図示された既に入力され
た重畳パターン68とが同一であるかを判断して、判断結
果を制御部55に供給する。判断部54の判断結果によって
制御部55は所定の電気的な信号を警告部57に印加し、そ
れによって、警告部57は警告信号を発生して作業者に銀
−エポキシ３の滴下状態を知らせる。
から印加された映像信号を既に入力された重畳パターン
68の映像信号と比較して、銀−エポキシ３の滴下状態を
判断する。即ち、図３（Ａ）に図示されるように、滴下
パターン５と基準パターン66が重畳されて形成された重
畳パターン67と、図３（Ｂ）に図示された既に入力され
た重畳パターン68とが同一であるかを判断して、判断結
果を制御部55に供給する。判断部54の判断結果によって
制御部55は所定の電気的な信号を警告部57に印加し、そ
れによって、警告部57は警告信号を発生して作業者に銀
−エポキシ３の滴下状態を知らせる。
【００３０】この時、重畳パターン形成手段60から発生
した映像信号（映像）は制御部55を通してで出力部56、
例えばモニタに出力される。作業者はその映像を通して
銀−エポキシ３の滴下状態を把握して貯蔵チューブ( 図
示せず) を交換する。
した映像信号（映像）は制御部55を通してで出力部56、
例えばモニタに出力される。作業者はその映像を通して
銀−エポキシ３の滴下状態を把握して貯蔵チューブ( 図
示せず) を交換する。
【００３１】ここで、重畳パターン形成手段60について
より詳細に説明すると、図示されるように、重畳パター
ン形成手段60は、基体61と、この基体61内で設置され、
銀−エポキシ３が滴下されたリードフレーム１に対して
所定角度で対向し、所定の光透過率を持つ半透明部材例
えばハーフミラー62と、このハーフミラー62から所定間
隔離れて基体61内の一側領域に設置され、前記基準パタ
ーン66が形成された基準パターン形成部63と、前記ハー
フミラー62から所定間隔離れて基体61の他側領域に設置
され、ハーフミラー62に投影される基準パターン66と滴
下パターン５とを撮影するカメラ部65と、このカメラ部
65からハーフミラー62方向に基体61内に所定量の光を発
散させる発光部69例えばランプとを含む。
より詳細に説明すると、図示されるように、重畳パター
ン形成手段60は、基体61と、この基体61内で設置され、
銀−エポキシ３が滴下されたリードフレーム１に対して
所定角度で対向し、所定の光透過率を持つ半透明部材例
えばハーフミラー62と、このハーフミラー62から所定間
隔離れて基体61内の一側領域に設置され、前記基準パタ
ーン66が形成された基準パターン形成部63と、前記ハー
フミラー62から所定間隔離れて基体61の他側領域に設置
され、ハーフミラー62に投影される基準パターン66と滴
下パターン５とを撮影するカメラ部65と、このカメラ部
65からハーフミラー62方向に基体61内に所定量の光を発
散させる発光部69例えばランプとを含む。
【００３２】この重畳パターン形成手段60において、前
記ハーフミラー62は約45〜55％、より好ましくは50％の
光透過率を持ち、一側面には滴下パターン５が投影さ
れ、他側面には基準パターン66が投影されるようにリー
ドフレーム１に対して45°の角度で設置される。
記ハーフミラー62は約45〜55％、より好ましくは50％の
光透過率を持ち、一側面には滴下パターン５が投影さ
れ、他側面には基準パターン66が投影されるようにリー
ドフレーム１に対して45°の角度で設置される。
【００３３】また、リードフレーム１とハーフミラー62
間の離隔距離と、ハーフミラー62と基準パターン形成部
63間の離隔距離は同一であり、どちらか一方の離隔距離
が変化すると、他方の離間距離も同一に変化する。これ
はカメラ部65のフォーカスにより鮮明な画像を維持する
ためで、前記離隔距離は４〜５cm程度が好ましい。ま
た、カメラ部65としては、CCD(Charge Coupled Device)
カメラが使用される。
間の離隔距離と、ハーフミラー62と基準パターン形成部
63間の離隔距離は同一であり、どちらか一方の離隔距離
が変化すると、他方の離間距離も同一に変化する。これ
はカメラ部65のフォーカスにより鮮明な画像を維持する
ためで、前記離隔距離は４〜５cm程度が好ましい。ま
た、カメラ部65としては、CCD(Charge Coupled Device)
カメラが使用される。
【００３４】また、基準パターン形成部63は、基準パタ
ーン66が形成された反射体であり、図示されるように、
ｘ形状のマークはダイパッド２上に銀−エポキシ３が滴
下される所定領域と対応する基準パターン形成部63の領
域に形成されている。基準パターン66は、ｘ形状以外に
も、□、△、○形状のマークが可能である。
ーン66が形成された反射体であり、図示されるように、
ｘ形状のマークはダイパッド２上に銀−エポキシ３が滴
下される所定領域と対応する基準パターン形成部63の領
域に形成されている。基準パターン66は、ｘ形状以外に
も、□、△、○形状のマークが可能である。
【００３５】また、基準パターン形成部63は、リードフ
レーム１の反射率と同一であり、これを充足するためダ
イボンディング工程が進行されるリードフレーム１と同
一の材質で形成されることが好ましい。反射体として使
用される基準パターン形成部63は、一般的に合金系リー
ドフレーム例えばＣｕ合金系リードフレームと同一材質
が使用され、あるいはＣｕリードフレームと同一材質が
使用される。
レーム１の反射率と同一であり、これを充足するためダ
イボンディング工程が進行されるリードフレーム１と同
一の材質で形成されることが好ましい。反射体として使
用される基準パターン形成部63は、一般的に合金系リー
ドフレーム例えばＣｕ合金系リードフレームと同一材質
が使用され、あるいはＣｕリードフレームと同一材質が
使用される。
【００３６】このように構成されたダイボンディング設
備の作用について詳細に説明すると次のようである。ま
ず、ローダ10からローディングされたリードフレーム１
のダイパッド２上の所定位置にディスペンスヘッド30よ
り所定量の銀−エポキシ３が滴下される。
備の作用について詳細に説明すると次のようである。ま
ず、ローダ10からローディングされたリードフレーム１
のダイパッド２上の所定位置にディスペンスヘッド30よ
り所定量の銀−エポキシ３が滴下される。
【００３７】次に、リードフレーム１は一ピッチほど移
動して、銀−エポキシ３が滴下されたリードフレーム１
のダイパッド２が接着部材残量検出装置50の下部に位置
する。すると、接着部材残量検出装置50はリードフレー
ム１を撮影してダイパッド２上に銀−エポキシ３が滴下
された状態を検出し、それに対する結果を出力部56に表
示するとともに、必要ならば警告信号で作業者に知らせ
る。
動して、銀−エポキシ３が滴下されたリードフレーム１
のダイパッド２が接着部材残量検出装置50の下部に位置
する。すると、接着部材残量検出装置50はリードフレー
ム１を撮影してダイパッド２上に銀−エポキシ３が滴下
された状態を検出し、それに対する結果を出力部56に表
示するとともに、必要ならば警告信号で作業者に知らせ
る。
【００３８】ここで、接着部材残量検出装置50による接
着部材残量検出方法について詳細に説明すると次のよう
である。図５は接着部材残量検出方法を概略的に示す流
れ図である。
着部材残量検出方法について詳細に説明すると次のよう
である。図５は接着部材残量検出方法を概略的に示す流
れ図である。
【００３９】まず、S310段階でカメラは、比較用として
基準パターン66と滴下パターン５を重畳撮影してこれを
入力する。
基準パターン66と滴下パターン５を重畳撮影してこれを
入力する。
【００４０】次に、S320段階では、正確なフォーカシン
グ(Focusing)のため発光部69から基体61内に所定の光Ｌ
が流入される。流入された光Ｌはハーフミラー62によっ
て所定量が反射され、かつ所定量がハーフミラー62を透
過する。この時、ハーフミラー62を通して透過された光
Ltは基準パターン形成部63から反射される。これにより
ハーフミラー62の一側面には基準パターン66が投影され
る。この投影されった基準パターン66はカメラ部65で撮
影されて出力部56に表示される。
グ(Focusing)のため発光部69から基体61内に所定の光Ｌ
が流入される。流入された光Ｌはハーフミラー62によっ
て所定量が反射され、かつ所定量がハーフミラー62を透
過する。この時、ハーフミラー62を通して透過された光
Ltは基準パターン形成部63から反射される。これにより
ハーフミラー62の一側面には基準パターン66が投影され
る。この投影されった基準パターン66はカメラ部65で撮
影されて出力部56に表示される。
【００４１】S330段階では、ハーフミラー62によって反
射された光Lrが、銀−エポキシ３が滴下されたリードフ
レーム１のダイパッド２から反射されることにより、ハ
ーフミラー62の他側面に滴下パターン５が投影されル。
この投影された滴下パターン５はカメラ部65で撮影され
て出力部56に表示される。
射された光Lrが、銀−エポキシ３が滴下されたリードフ
レーム１のダイパッド２から反射されることにより、ハ
ーフミラー62の他側面に滴下パターン５が投影されル。
この投影された滴下パターン５はカメラ部65で撮影され
て出力部56に表示される。
【００４２】滴下パターン５の座標は既に撮影された基
準パターン66の座標と同一の座標を持つので、S340段階
で、滴下パターン５と基準パターン66は重畳されて出力
部56に表示される。
準パターン66の座標と同一の座標を持つので、S340段階
で、滴下パターン５と基準パターン66は重畳されて出力
部56に表示される。
【００４３】次に、S350段階で、判断部54は、滴下パタ
ーン５と基準パターン66が重畳された重畳パターン67の
映像信号が、既に入力された重畳パターン68の映像信号
と同一であるかを判断する。
ーン５と基準パターン66が重畳された重畳パターン67の
映像信号が、既に入力された重畳パターン68の映像信号
と同一であるかを判断する。
【００４４】もし、銀−エポキシが未滴下で、滴下パタ
ーン５と基準パターン66の重畳パターンの映像信号が、
既に入力された重畳パターン68の映像信号と同一でない
と、S360段階で、警告部57は銀−エポキシの未滴下状態
による銀−エポキシの残量有無に関する警告信号を発生
する。したがって、S370段階では、作業者は設備を臨時
中断させた後、貯蔵チューブ( 図示せず) を交換する。
ーン５と基準パターン66の重畳パターンの映像信号が、
既に入力された重畳パターン68の映像信号と同一でない
と、S360段階で、警告部57は銀−エポキシの未滴下状態
による銀−エポキシの残量有無に関する警告信号を発生
する。したがって、S370段階では、作業者は設備を臨時
中断させた後、貯蔵チューブ( 図示せず) を交換する。
【００４５】以下、図２及び図３を参照して出力部56に
画像が表示される過程についてより詳細に説明する。
画像が表示される過程についてより詳細に説明する。
【００４６】作業者のプログラム設定によるカメラ部65
が、銀−エポキシ３が滴下されたリードフレーム１のダ
イパッド２上の所定領域をフォーカシングして撮影する
と、撮影された領域の滴下状態を示すマーク、即ち、滴
下パターン５が出力部56に表示される。
が、銀−エポキシ３が滴下されたリードフレーム１のダ
イパッド２上の所定領域をフォーカシングして撮影する
と、撮影された領域の滴下状態を示すマーク、即ち、滴
下パターン５が出力部56に表示される。
【００４７】この時、図示されるように、滴下パターン
５は出力部56に黒色で表示され、他の領域は白色で表示
される。
５は出力部56に黒色で表示され、他の領域は白色で表示
される。
【００４８】一方、基準パターン66は既に出力部56に表
示された状態にあり、この時、ｘ形状の基準パターン66
は白色で表示され、他の領域は黒色で表示される。ここ
で、基準パターン66の形状はｘ以外、□、△、○形状が
可能であるが、この例ではｘ形状について説明する。
示された状態にあり、この時、ｘ形状の基準パターン66
は白色で表示され、他の領域は黒色で表示される。ここ
で、基準パターン66の形状はｘ以外、□、△、○形状が
可能であるが、この例ではｘ形状について説明する。
【００４９】このように基準パターン66が出力部56に表
示された状態で滴下パターン５が表示されると、基準パ
ターン66と滴下パターン５は互いに重畳される。この
時、出力部56には、白色で表示される基準パターン66と
黒色で表示される滴下パターン５が重畳されて、図３
（Ａ）のような重畳パターン67が形成されて表示され
る。この重畳パターン67により、作業者はダイパッド上
に銀−エポキシ３が滴下されていると判断するようにな
る。
示された状態で滴下パターン５が表示されると、基準パ
ターン66と滴下パターン５は互いに重畳される。この
時、出力部56には、白色で表示される基準パターン66と
黒色で表示される滴下パターン５が重畳されて、図３
（Ａ）のような重畳パターン67が形成されて表示され
る。この重畳パターン67により、作業者はダイパッド上
に銀−エポキシ３が滴下されていると判断するようにな
る。
【００５０】一方、図２ないし図４に図示されるよう
に、もし、貯蔵チューブ( 図示せず)内の銀−エポキシ
３が全て消耗されて、ダイパッド２上に銀−エポキシ３
が滴下されないと、図４（Ａ）に図示されるように、カ
メラ部65は基準パターン66のみを撮影して出力部56に表
示し、滴下パターン５は撮影されない。したがって、基
準パターン66の白色と滴下されなかったダイパッド２上
の所定領域の白色が重畳されて、結局白色で出力部56に
表示されて、記憶された図４（Ｂ）の重畳パターン68と
は異なるようになって、貯蔵チューブ内の銀−エポキシ
が全て消費されたことを警告音等で知らせる。したがっ
て、作業者はダイパッド２上に銀−エポキシ３が未滴下
されたことを知り、貯蔵チューブを交換する。
に、もし、貯蔵チューブ( 図示せず)内の銀−エポキシ
３が全て消耗されて、ダイパッド２上に銀−エポキシ３
が滴下されないと、図４（Ａ）に図示されるように、カ
メラ部65は基準パターン66のみを撮影して出力部56に表
示し、滴下パターン５は撮影されない。したがって、基
準パターン66の白色と滴下されなかったダイパッド２上
の所定領域の白色が重畳されて、結局白色で出力部56に
表示されて、記憶された図４（Ｂ）の重畳パターン68と
は異なるようになって、貯蔵チューブ内の銀−エポキシ
が全て消費されたことを警告音等で知らせる。したがっ
て、作業者はダイパッド２上に銀−エポキシ３が未滴下
されたことを知り、貯蔵チューブを交換する。
【００５１】このように基準パターンと滴下パターンの
画像信号を判断部54から受けて既に入力された重畳パタ
ーンの画像信号と同一であるかを判断した後、判断結果
によって作業者に警告音を発生することにより、作業者
は銀−エポキシ貯蔵チューブの交換時期を正確に把握す
ることができる。したがって、銀−エポキシが貯蔵され
た状態の貯蔵チューブを早期交換することにより発生す
る銀−エポキシの浪費及び貯蔵チューブ内の銀−エポキ
シ完全消耗による銀−エポキシ未滴下により発生する製
品の不良を防止できる。
画像信号を判断部54から受けて既に入力された重畳パタ
ーンの画像信号と同一であるかを判断した後、判断結果
によって作業者に警告音を発生することにより、作業者
は銀−エポキシ貯蔵チューブの交換時期を正確に把握す
ることができる。したがって、銀−エポキシが貯蔵され
た状態の貯蔵チューブを早期交換することにより発生す
る銀−エポキシの浪費及び貯蔵チューブ内の銀−エポキ
シ完全消耗による銀−エポキシ未滴下により発生する製
品の不良を防止できる。
【００５２】図６は、本発明の第２具体例による接着部
材残量検出装置150 を概略的に示す構成図である。この
接着部材残量検出装置150 が、重畳パターン形成手段16
0 と、判断部154 と、制御部155 と、出力部156 と、警
告部157 を含むことは図２と同一である。この接着部材
残量検出装置150 は、重畳パターン形成手段160 の具体
的構成が図２と異なる。
材残量検出装置150 を概略的に示す構成図である。この
接着部材残量検出装置150 が、重畳パターン形成手段16
0 と、判断部154 と、制御部155 と、出力部156 と、警
告部157 を含むことは図２と同一である。この接着部材
残量検出装置150 は、重畳パターン形成手段160 の具体
的構成が図２と異なる。
【００５３】図示されるように、重畳パターン形成手段
160 は、基体161 と、この基体161内に設置され、銀−
エポキシ３が滴下されたリードフレーム１に対して所定
角度で対向し、所定の光透過率を持つ半透明部材例えば
ハーフミラー162 と、このハーフミラー162 から所定間
隔離れて基体161 内に設置され、基準パターンが形成さ
れた基準パターン形成部163 と、前記基体161 内に設置
され、ハーフミラー162 に投影された滴下パターンと基
準パターンとを所定角度で反射させる反射部材例えば反
射鏡164 と、この反射鏡164 から反射された滴下パター
ンと基準パターンとを撮影するカメラ部165 と、このカ
メラ部165 からハーフミラー162 方向に基体161 内に所
定量の光を発散させる発光部169 例えばランプとを含
む。
160 は、基体161 と、この基体161内に設置され、銀−
エポキシ３が滴下されたリードフレーム１に対して所定
角度で対向し、所定の光透過率を持つ半透明部材例えば
ハーフミラー162 と、このハーフミラー162 から所定間
隔離れて基体161 内に設置され、基準パターンが形成さ
れた基準パターン形成部163 と、前記基体161 内に設置
され、ハーフミラー162 に投影された滴下パターンと基
準パターンとを所定角度で反射させる反射部材例えば反
射鏡164 と、この反射鏡164 から反射された滴下パター
ンと基準パターンとを撮影するカメラ部165 と、このカ
メラ部165 からハーフミラー162 方向に基体161 内に所
定量の光を発散させる発光部169 例えばランプとを含
む。
【００５４】なお、ハーフミラー162 は約45〜55％、よ
り好ましくは50％の光透過率を持ち、一側面には滴下パ
ターンが投影され、他側面には基準パターンが投影され
るようにリードフレーム１に対して45°の角度で設置さ
れる。これは反射鏡164 の光入射面の角度と同一の角度
である。
り好ましくは50％の光透過率を持ち、一側面には滴下パ
ターンが投影され、他側面には基準パターンが投影され
るようにリードフレーム１に対して45°の角度で設置さ
れる。これは反射鏡164 の光入射面の角度と同一の角度
である。
【００５５】このように構成された重畳パターン形成手
段160 は、ハーフミラー162 に投影された基準パターン
と滴下パターンが反射鏡164 を通してカメラ部165 に撮
影されることの他は図２の重畳パターン形成手段60と同
一である。
段160 は、ハーフミラー162 に投影された基準パターン
と滴下パターンが反射鏡164 を通してカメラ部165 に撮
影されることの他は図２の重畳パターン形成手段60と同
一である。
【００５６】また、この重畳パターン形成手段160 を利
用した接着部材残量検出装置150 は、図２の接着部材残
量検出装置50と同一の機能及び同一の効果が得られる。
用した接着部材残量検出装置150 は、図２の接着部材残
量検出装置50と同一の機能及び同一の効果が得られる。
【００５７】図７は、第３具体例による接着部材残量検
出装置250 を概略的に示す構成図である。この接着部材
残量検出装置250 が、重畳パターン形成手段260 と、判
断部254 と、制御部255 と、出力部256 と、警告部257
とを含むことは、図２及び図６と同一である。この接着
部材残量検出装置250 は、重畳パターン形成手段260の
具体的構成が図２および図６と相違する。
出装置250 を概略的に示す構成図である。この接着部材
残量検出装置250 が、重畳パターン形成手段260 と、判
断部254 と、制御部255 と、出力部256 と、警告部257
とを含むことは、図２及び図６と同一である。この接着
部材残量検出装置250 は、重畳パターン形成手段260の
具体的構成が図２および図６と相違する。
【００５８】図示されるように、重畳パターン形成手段
260 は、基体261 、この基体261 内に設置され、接着部
材例えば銀−エポキシ３が滴下されたリードフレーム１
に対して所定角度で対向し、所定の光透過率を持つ半透
明部材例えばハーフミラー262 と、このハーフミラー26
2 から所定間隔離れて前記基体261 内に設置され、前記
ハーフミラー262 に所定の画像を反射できるように反射
面が所定角度で傾斜している第２反射部材267 と、前記
基体261 内に設置され、第２反射部材267 の反射面に投
影される基準パターンが形成された基準パターン形成部
263 と、前記第２反射部材267 と反対側でハーフミラー
262 から所定間隔離れて前記基体261 内に設置され、ハ
ーフミラー262 に投影される滴下パターンと前記基準パ
ターンとを反射させる反射面が所定角度で傾斜している
第１反射部材264 と、この第１反射部材264 から反射さ
れた滴下パターンと基準パターンを撮影するカメラ部26
5と、このカメラ部265 からハーフミラー262 方向に基
体261 内に所定量の光を発散させる発光部269 例えばラ
ンプとを含む。
260 は、基体261 、この基体261 内に設置され、接着部
材例えば銀−エポキシ３が滴下されたリードフレーム１
に対して所定角度で対向し、所定の光透過率を持つ半透
明部材例えばハーフミラー262 と、このハーフミラー26
2 から所定間隔離れて前記基体261 内に設置され、前記
ハーフミラー262 に所定の画像を反射できるように反射
面が所定角度で傾斜している第２反射部材267 と、前記
基体261 内に設置され、第２反射部材267 の反射面に投
影される基準パターンが形成された基準パターン形成部
263 と、前記第２反射部材267 と反対側でハーフミラー
262 から所定間隔離れて前記基体261 内に設置され、ハ
ーフミラー262 に投影される滴下パターンと前記基準パ
ターンとを反射させる反射面が所定角度で傾斜している
第１反射部材264 と、この第１反射部材264 から反射さ
れた滴下パターンと基準パターンを撮影するカメラ部26
5と、このカメラ部265 からハーフミラー262 方向に基
体261 内に所定量の光を発散させる発光部269 例えばラ
ンプとを含む。
【００５９】このように構成された重畳パターン形成手
段260 は、基準パターンが第２反射部材267 に反射され
てハーフミラー262 に投影されることの他は図６の重畳
パターン形成手段160 と同一である。
段260 は、基準パターンが第２反射部材267 に反射され
てハーフミラー262 に投影されることの他は図６の重畳
パターン形成手段160 と同一である。
【００６０】また、この重畳パターン形成手段260 を利
用した接着部材残量検出装置250 は、図６の接着部材残
量検出装置150 と同一の機能を持ち、それと同一の効果
を得られる。
用した接着部材残量検出装置250 は、図６の接着部材残
量検出装置150 と同一の機能を持ち、それと同一の効果
を得られる。
【００６１】
【発明の効果】以上のように本発明によると、リードフ
レームのダイパッド上に接着部材が滴下された状態を示
す滴下パターンと基準パターン形成部に形成された基準
パターンとを重畳撮影して、その重畳パターンが既に入
力されたパターンと同一であるかを判断することによ
り、接着部材の完全消耗時点で貯蔵チューブの交換時期
を正確に把握することができる。したがって、接着部材
が滴下されない状態でボンディング設備が作動すること
を防止して製品の生産性を向上させることができるとと
もに、接着部材が残存している貯蔵チューブの交換によ
る接着部材の浪費を防止して原価を節減できる。
レームのダイパッド上に接着部材が滴下された状態を示
す滴下パターンと基準パターン形成部に形成された基準
パターンとを重畳撮影して、その重畳パターンが既に入
力されたパターンと同一であるかを判断することによ
り、接着部材の完全消耗時点で貯蔵チューブの交換時期
を正確に把握することができる。したがって、接着部材
が滴下されない状態でボンディング設備が作動すること
を防止して製品の生産性を向上させることができるとと
もに、接着部材が残存している貯蔵チューブの交換によ
る接着部材の浪費を防止して原価を節減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のダイボンディング設備の実施の形態を
概略的に示すブロック図。
概略的に示すブロック図。
【図２】図１の設備中の接着部材残量検出装置を具体的
に示す構成図。
に示す構成図。
【図３】本発明の実施の形態におけるパターン図で、
（Ａ）は滴下状態検出過程を示すパターン図、（Ｂ）は
既に入力された重畳パターンを示すパターン図。
（Ａ）は滴下状態検出過程を示すパターン図、（Ｂ）は
既に入力された重畳パターンを示すパターン図。
【図４】本発明の実施の形態におけるパターン図で、
（Ａ）は未滴下状態検出過程を示すパターン図、（Ｂ）
は既に入力された重畳パターンを示すパターン図。
（Ａ）は未滴下状態検出過程を示すパターン図、（Ｂ）
は既に入力された重畳パターンを示すパターン図。
【図５】本発明の実施の形態による接着部材残量検出方
法を概略的に示す流れ図。
法を概略的に示す流れ図。
【図６】本発明における接着部材残量検出装置の第２の
具体例を示す構成図。
具体例を示す構成図。
【図７】本発明における接着部材残量検出装置の第３の
具体例を示す構成図。
具体例を示す構成図。
１ リードフレーム ２ ダイパッド ３ 銀−エポキシ ５４ 判断部 ６２ ハーフミラー ６３ 基準パターン形成部 ６５ カメラ部 ６６ 基準パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黄 永 坤 大韓民国忠清南道天安市院盛洞567番地25 号
Claims (20)
- 【請求項１】 ダイボンディング工程に必要なリードフ
レームをローディングするローディング部と、 このローディング部からローディングされた前記リード
フレームのダイパッド上の所定領域に噴射ノズルを通し
て接着部材を滴下するディスペンスヘッド部と、 前記ダイパッド上の所定領域に前記接着部材が滴下され
た状態を示す滴下パターンと前記接着部材滴下領域を示
す基準パターンとを重畳撮影して形成された重畳パター
ンと、既に入力されたパターンとを比較して、それらが
同一であるかを判断した後、その判断結果によって貯蔵
チューブ内の前記接着部材の残量有無を検出する接着部
材残量検出装置と、 ウェハから分離された各々の半導体チップを真空吸着し
て前記接着部材が滴下された前記リードフレームのダイ
パッド上に付着させるボンディングヘッド部と、 前記半導体チップが付着された前記リードフレームをア
ンローディングするアンローディング部とを具備するこ
とを特徴とするダイボンディング設備。 - 【請求項２】 前記接着部材残量検出装置は、 前記滴下パターンと前記基準パターンとを重畳形成する
重畳パターン形成手段と、 この重畳パターン形成手段から前記重畳パターンに対す
る映像信号の入力を受けて、それを既に入力されたパタ
ーンに対応する映像信号と比較して同一であるかを判断
する判断部と、 この判断部による判断結果によって前記接着部材の残量
有無を出力部に表示する制御部とを具備することを特徴
とする請求項１記載のダイボンディング設備。 - 【請求項３】 前記接着部材残量検出装置は、前記判断
部の判断結果によって前記制御部を通して作業者に警告
信号を発生する警告部を更に含むことを特徴とする請求
項２記載のダイボンディング設備。 - 【請求項４】 前記重畳パターン形成手段は、 基体と、 この基体内に設置され、前記接着部材が滴下された前記
リードフレームに対して所定角度で対向し、所定の光透
過率を持つ半透明部材と、 この半透明部材から所定間隔離れて前記基体内の一側領
域に設置され、前記基準パターンが形成された基準パタ
ーン形成部と、 前記半透明部材から所定間隔離れて前記基体の他側領域
に設置され、前記半透明部材に投影された前記基準パタ
ーンと前記滴下パターンとを撮影するカメラ部と、 このカメラ部から前記半透明部材方向に前記基体内に所
定量の光を発散させる発光部とを具備することを特徴と
する請求項２記載のダイボンディング設備。 - 【請求項５】 前記半透明部材は所定の光透過率を持つ
ハーフミラーであることを特徴とする請求項４記載のダ
イボンディング設備。 - 【請求項６】 前記ハーフミラーの光透過率は約45〜55
％であることを特徴とする請求項５記載のダイボンディ
ング設備。 - 【請求項７】 前記ハーフミラーの光透過率は50％であ
ることを特徴とする請求項５記載のダイボンディング設
備。 - 【請求項８】 前記半透明部材は、一側面には前記滴下
パターンが投影され、他側面には前記基準パターンが投
影されることを特徴とする請求項４記載のダイボンディ
ング設備。 - 【請求項９】 前記半透明部材の角度は45°であること
を特徴とする請求項４記載のダイボンディング設備。 - 【請求項１０】 前記リードフレームから前記半透明部
材までの離隔距離によって半透明部材から前記基準パタ
ーン形成部までの離隔距離が変わることを特徴とする請
求項４記載のダイボンディング設備。 - 【請求項１１】 前記リードフレームから前記半透明部
材までの離隔距離は、前記半透明部材から前記基準パタ
ーン形成部までの離隔距離と同一であることを特徴とす
る請求項１０記載のダイボンディング設備。 - 【請求項１２】 前記半透明部材から前記基準パターン
形成部までの離隔距離は４〜５cmであることを特徴とす
る請求項１１記載のダイボンディング設備。 - 【請求項１３】 前記基準パターン形成部は、前記接着
部材が滴下される前記リードフレームのダイパッド上の
所定領域を表示する基準パターンが形成された反射体で
あることを特徴とする請求項４記載のダイボンディング
設備。 - 【請求項１４】 前記反射体は、前記リードフレームの
反射率と同一であることを特徴とする請求項１３記載の
ダイボンディング設備。 - 【請求項１５】 前記反射体は、合金系リードフレーム
と同一材質であることを特徴とする請求項１４記載のダ
イボンディング設備。 - 【請求項１６】 前記反射体はＣｕ合金で形成されるこ
とを特徴とする請求項１４記載のダイボンディング設
備。 - 【請求項１７】 前記重畳パターン形成手段は、 基体と、 この基体内に設置され、前記接着部材が滴下された前記
リードフレームに対して所定角度で対向し、所定の光透
過率を持つ半透明部材と、 この半透明部材から所定間隔離れて前記基体内に設置さ
れ、前記基準パターンが形成された基準パターン形成部
と、 前記基体内に設置され、前記半透明部材に投影された前
記滴下パターンと前記基準パターンとを所定角度で反射
させる反射部材と、 この反射部材から反射された前記滴下パターン及び前記
基準パターンを撮影するカメラ部と、 このカメラ部から前記半透明部材方向に前記基体内に所
定量の光を発散させる発光部とを具備することを特徴と
する請求項２記載のダイボンディング設備。 - 【請求項１８】 前記半透明部材は、前記反射部材の光
入射面の角度と同一の角度で設置されることを特徴とす
る請求項１７記載のダイボンディング設備。 - 【請求項１９】 前記重畳パターン形成手段は、 基体と、 この基体内に設置され、前記接着部材が滴下された前記
リードフレームに対して所定角度で対向し、所定の光透
過率を持つ半透明部材と、 この半透明部材から所定間隔離れて前記基体内に設置さ
れ、前記半透明部材に所定の画像を反射できるように反
射面が所定角度で傾斜している第２反射部材と、 前記基体内に設置され、前記第２反射部材の反射面に投
影される前記リードフレームのダイパッド上に前記接着
部材が滴下される領域を示す基準パターンが形成された
基準パターン形成部と、 前記第２反射部材と反対側で前記半透明部材から所定間
隔離れて前記基体内に設置され、前記半透明部材に投影
された前記滴下パターンと前記基準パターンとを反射さ
せる反射面が所定角度で傾斜している第１反射部材と、 この第１反射部材から反射された前記滴下パターンと前
記基準パターンとを撮影するカメラ部と、 このカメラ部から前記半透明部材方向に前記基体内に所
定量の光を発散させる発光部とを具備することを特徴と
する請求項２記載のダイボンディング設備。 - 【請求項２０】 接着部材がリードフレームのダイパッ
ド上に滴下される領域を示す基準パターンと、この基準
パターンに対応する前記リードフレームのダイパッド上
の所定領域に前記接着部材が滴下された状態を示す最初
の滴下パターンとを撮影して形成された比較用重畳パタ
ーンを入力する第１段階と、 前記基準パターンを読み取って入力する第２段階と、 滴下パターンを読み取って入力する第３段階と、 前記第２、第３段階による滴下パターンと基準パターン
との重畳状態を既に入力された前記比較用重畳パターン
と比較して前記接着部材の滴下状態を判断する第４段階
と、 この第４段階による判断結果によって前記接着部材の残
量の有無について作業者に警告信号を発生する第５段階
とを具備することを特徴とする接着部材残量検出方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970062581A KR100246853B1 (ko) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 다이 본딩 설비 및 이를 이용한 접착부재 잔량 검출 방법 |
| KR1997P-62581 | 1997-11-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176848A true JPH11176848A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=19525506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10123458A Pending JPH11176848A (ja) | 1997-11-25 | 1998-05-06 | ダイボンディング設備及びこれに利用される接着部材残量検出方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6187121B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11176848A (ja) |
| KR (1) | KR100246853B1 (ja) |
| TW (1) | TW389974B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3967518B2 (ja) * | 2000-03-06 | 2007-08-29 | 株式会社新川 | オフセット測定方法、ツール位置検出方法およびボンディング装置 |
| US6468813B1 (en) * | 2000-05-01 | 2002-10-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation |
| EP1621058B1 (en) * | 2003-05-02 | 2008-05-21 | Ericsson AB | Gluing method and device |
| KR101503170B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2015-03-16 | 세메스 주식회사 | 접착제 도팅 사이즈 검사 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-11-25 KR KR1019970062581A patent/KR100246853B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-21 TW TW087106098A patent/TW389974B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-05-06 JP JP10123458A patent/JPH11176848A/ja active Pending
- 1998-11-06 US US09/187,353 patent/US6187121B1/en not_active Expired - Fee Related
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| KR19990041906A (ko) | 1999-06-15 |
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| US6187121B1 (en) | 2001-02-13 |
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