JPH11177178A - 半導体レーザモジュ−ル - Google Patents
半導体レーザモジュ−ルInfo
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- JPH11177178A JPH11177178A JP36361297A JP36361297A JPH11177178A JP H11177178 A JPH11177178 A JP H11177178A JP 36361297 A JP36361297 A JP 36361297A JP 36361297 A JP36361297 A JP 36361297A JP H11177178 A JPH11177178 A JP H11177178A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 モジュール外部での反射光がファブリペロー
型半導体レーザ素子やモニタ用受光素子に戻入せず、か
つ、安価に半導体レーザモジュールを構成すること。 【解決手段】 ファブリペロー型半導体レーザ素子１か
ら出射して拡がった光は、第１レンズ２で平行光に変換
され、狭帯域反射フィルタ３で一部反射される。反射さ
れた光が第１レンズ２を介してファブリペロー型半導体
レーザ素子１に戻ることによって、ファブリペロー型半
導体レーザ素子１の後面と狭帯域反射フィルタ３との間
で外部共振器が形成される。光アイソレータ６が第１レ
ンズ１と第２レンズ２の間に挿入されているので、モジ
ュール外部での反射光は光アイソレータ６で吸収され、
ファブリペロー型半導体レーザ素子１やモニタ用の受光
素子１０に戻ることが防止される。
型半導体レーザ素子やモニタ用受光素子に戻入せず、か
つ、安価に半導体レーザモジュールを構成すること。 【解決手段】 ファブリペロー型半導体レーザ素子１か
ら出射して拡がった光は、第１レンズ２で平行光に変換
され、狭帯域反射フィルタ３で一部反射される。反射さ
れた光が第１レンズ２を介してファブリペロー型半導体
レーザ素子１に戻ることによって、ファブリペロー型半
導体レーザ素子１の後面と狭帯域反射フィルタ３との間
で外部共振器が形成される。光アイソレータ６が第１レ
ンズ１と第２レンズ２の間に挿入されているので、モジ
ュール外部での反射光は光アイソレータ６で吸収され、
ファブリペロー型半導体レーザ素子１やモニタ用の受光
素子１０に戻ることが防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
と外部共振器とによって、狭帯域の光を安定して発振す
る半導体レーザモジュ−ルに関する。
と外部共振器とによって、狭帯域の光を安定して発振す
る半導体レーザモジュ−ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】ファブリペロー型半導体レーザ素子を用
いた半導体レーザモジュ−ルにおいて、狭帯域の波長で
発振させる方法として、ファブリペロー型半導体レーザ
素子の波長帯で回析するファイバグレ−ティングを有す
る光ファイバを用いた外部共振器を用いる方法がある。
いた半導体レーザモジュ−ルにおいて、狭帯域の波長で
発振させる方法として、ファブリペロー型半導体レーザ
素子の波長帯で回析するファイバグレ−ティングを有す
る光ファイバを用いた外部共振器を用いる方法がある。
【０００３】図３は、そのような外部共振器型の半導体
レーザを示す構成図である。図に示すように、光ファイ
バ９のコアの中に周期的な屈折率変化を形成することに
より回析格子が形成されたファイバグレ−ティング１６
が設けられる。ファブリペロー型半導体レーザ素子１か
ら出射して拡がった光は、第１レンズ２で平行光に変換
される。平行光は、光取り出し窓１５を通過後、第２レ
ンズ５で集光された後、光ファイバ９に結合する。そし
て、第２レンズ５からの光は、ファイバグレ−ティング
１６で一部反射される。反射した光は逆方向に光路をと
って、すなわち第２レンズ５から第１レンズ２を通っ
て、ファブリペロー型半導体レーザ素子１に戻る。この
ように、ファブリペロー型半導体レーザ素子１の後面と
ファイバグレ−ティング１６との間で外部共振器が形成
される。
レーザを示す構成図である。図に示すように、光ファイ
バ９のコアの中に周期的な屈折率変化を形成することに
より回析格子が形成されたファイバグレ−ティング１６
が設けられる。ファブリペロー型半導体レーザ素子１か
ら出射して拡がった光は、第１レンズ２で平行光に変換
される。平行光は、光取り出し窓１５を通過後、第２レ
ンズ５で集光された後、光ファイバ９に結合する。そし
て、第２レンズ５からの光は、ファイバグレ−ティング
１６で一部反射される。反射した光は逆方向に光路をと
って、すなわち第２レンズ５から第１レンズ２を通っ
て、ファブリペロー型半導体レーザ素子１に戻る。この
ように、ファブリペロー型半導体レーザ素子１の後面と
ファイバグレ−ティング１６との間で外部共振器が形成
される。
【０００４】なお、ファブリペロー型半導体レーザ素子
１はヒートシンク１２上に設置される。ヒートシンク１
２、第１レンズ２およびモニタ用の受光素子１０が、パ
ッケージ本体１４内でキャリア１１上に載置される。そ
して、キャリア１１の下部には、ファブリペロー型半導
体レーザ素子１を一定温度に保つための電子冷却素子が
設置されている。また、光ファイバ９はフェルール８で
固定され、フェルール８はフェルールサポ−ト７で第２
レンズ５に固定される。
１はヒートシンク１２上に設置される。ヒートシンク１
２、第１レンズ２およびモニタ用の受光素子１０が、パ
ッケージ本体１４内でキャリア１１上に載置される。そ
して、キャリア１１の下部には、ファブリペロー型半導
体レーザ素子１を一定温度に保つための電子冷却素子が
設置されている。また、光ファイバ９はフェルール８で
固定され、フェルール８はフェルールサポ−ト７で第２
レンズ５に固定される。
【０００５】この外部共振器によって、発振波長幅４０
ｎｍ（４０ｄＢダウン幅）以上と広いファブリペロー型
半導体レーザ素子１の波長範囲のうち、ファイバグレ−
ティング１６のブラッグ波長で決定される任意の波長
（例えば１ｎｍ以下）のみで狭帯域発振させることが可
能になる。
ｎｍ（４０ｄＢダウン幅）以上と広いファブリペロー型
半導体レーザ素子１の波長範囲のうち、ファイバグレ−
ティング１６のブラッグ波長で決定される任意の波長
（例えば１ｎｍ以下）のみで狭帯域発振させることが可
能になる。
【０００６】ところで、モジュール外部からの戻り光に
よって素子の発振状態が乱れないように、かつ、モニタ
用の受光素子１０がファブリペロー型半導体レーザ素子
１の後方出力光以外の光を受光しないように、ファブリ
ペロー型半導体レーザ素子１と同じ波長帯でアイソレ−
ション量の高い光アイソレ−タをモジュールの内部に挿
入する必要がある。例えば、第１レンズ２と第２レンズ
５の間に光アイソレ−タを挿入する。
よって素子の発振状態が乱れないように、かつ、モニタ
用の受光素子１０がファブリペロー型半導体レーザ素子
１の後方出力光以外の光を受光しないように、ファブリ
ペロー型半導体レーザ素子１と同じ波長帯でアイソレ−
ション量の高い光アイソレ−タをモジュールの内部に挿
入する必要がある。例えば、第１レンズ２と第２レンズ
５の間に光アイソレ−タを挿入する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図３に示され
るように、ファブリペロー型半導体レーザ素子１の後面
と光ファイバ９に形成されたファイバグレ−ティング１
６とで外部共振器が形成されている場合には、外部共振
器内すなわちモジュ−ル内部に光アイソ−タを挿入する
と、ファイバグレ−ティング１６で一部反射した光は、
光アイソレ−タで吸収されてしまう。よって、ファイバ
グレ−ティング１６で一部反射した光がファブリペロー
型半導体レーザ素子１に戻ることができなくなり、ファ
ブリペロー型半導体レーザ素子１の後面とファイバグレ
−ティング１６とで外部共振器を形成できなくなる。
るように、ファブリペロー型半導体レーザ素子１の後面
と光ファイバ９に形成されたファイバグレ−ティング１
６とで外部共振器が形成されている場合には、外部共振
器内すなわちモジュ−ル内部に光アイソ−タを挿入する
と、ファイバグレ−ティング１６で一部反射した光は、
光アイソレ−タで吸収されてしまう。よって、ファイバ
グレ−ティング１６で一部反射した光がファブリペロー
型半導体レーザ素子１に戻ることができなくなり、ファ
ブリペロー型半導体レーザ素子１の後面とファイバグレ
−ティング１６とで外部共振器を形成できなくなる。
【０００８】この不都合を回避するための方法として、
ファイバグレーティング１６の先にインラインアイソレ
−タと呼ばれる両端に光ファイバのついた光アイソレ−
タをスプライス等で接続する方法がある。しかし、イン
ラインアイソレータは高価であり、また収納スペースを
必要する。従って、半導体レーザモジュールが大型で高
価なものになってしまうという問題がある。
ファイバグレーティング１６の先にインラインアイソレ
−タと呼ばれる両端に光ファイバのついた光アイソレ−
タをスプライス等で接続する方法がある。しかし、イン
ラインアイソレータは高価であり、また収納スペースを
必要する。従って、半導体レーザモジュールが大型で高
価なものになってしまうという問題がある。
【０００９】本発明はそのような課題を解決するための
ものであって、モジュール外部での反射光がファブリペ
ロー型半導体レーザ素子やモニタ用受光素子に戻入せ
ず、かつ、安価に構成できる半導体レーザモジュールを
提供することを目的とする。なお、同様の目的を有する
発明として、特開平２−７７１８６号公報や特開平３−
１６１９８６号公報に記載されたものがあるが、いずれ
も解決手段が本発明とは異なる。
ものであって、モジュール外部での反射光がファブリペ
ロー型半導体レーザ素子やモニタ用受光素子に戻入せ
ず、かつ、安価に構成できる半導体レーザモジュールを
提供することを目的とする。なお、同様の目的を有する
発明として、特開平２−７７１８６号公報や特開平３−
１６１９８６号公報に記載されたものがあるが、いずれ
も解決手段が本発明とは異なる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザモジュ−ルは、外部共振器がファブリペロー型半導体
レーザ素子とモジュール内部に設けられた狭帯域反射フ
ィルタとで形成され、モジュール内の光路における外部
共振器の外側に光アイソレータが設けられているもので
ある。狭帯域反射フィルタは、パッケージ内部に設けら
れていてもよいし、パッケージの外部に設けられていて
もよい。光アイソレータは、ファブリペロー型半導体レ
ーザ素子の発振波長帯でアイソレーション量を有するも
のである。
ザモジュ−ルは、外部共振器がファブリペロー型半導体
レーザ素子とモジュール内部に設けられた狭帯域反射フ
ィルタとで形成され、モジュール内の光路における外部
共振器の外側に光アイソレータが設けられているもので
ある。狭帯域反射フィルタは、パッケージ内部に設けら
れていてもよいし、パッケージの外部に設けられていて
もよい。光アイソレータは、ファブリペロー型半導体レ
ーザ素子の発振波長帯でアイソレーション量を有するも
のである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明による半導体レーザ
モジュールの第１の実施の形態を示す構成図である。図
に示すように、この半導体レーザモジュールは、ファブ
リペロー型半導体レーザ素子１と光ファイバ９とを高効
率で結合し、ファブリペロー型半導体レーザ素子１から
の出射光を光ファイバ９から取り出すものである。
を参照して説明する。図１は本発明による半導体レーザ
モジュールの第１の実施の形態を示す構成図である。図
に示すように、この半導体レーザモジュールは、ファブ
リペロー型半導体レーザ素子１と光ファイバ９とを高効
率で結合し、ファブリペロー型半導体レーザ素子１から
の出射光を光ファイバ９から取り出すものである。
【００１２】図１において、ヒ−トシンク１２は、ファ
ブリペロー型半導体レーザ素子１とほぼ同じ熱膨張係数
を有す材料（例えば、シリコン等）で形成され、ファブ
リペロー型半導体レーザ素子１を搭載してその放熱を行
う。モニタ用の受光素子１０は、ファブリペロー型半導
体レーザ素子１の後面からの光出力をモニタするもので
ある。そして、受光素子１０でモニタされた光出力が一
定となるように、駆動回路（図示せず）がファブリペロ
ー型半導体レーザ素子１の駆動電流にフィードバックを
かける。第１レンズ２は、ファブリペロー型半導体レー
ザ素子１から拡がった出射光を平行光に変換し、第２レ
ンズ５は、その平行光を効率よく光ファイバ９に入射さ
せるために光ファイバ９の端面に焦点を結ぶ。
ブリペロー型半導体レーザ素子１とほぼ同じ熱膨張係数
を有す材料（例えば、シリコン等）で形成され、ファブ
リペロー型半導体レーザ素子１を搭載してその放熱を行
う。モニタ用の受光素子１０は、ファブリペロー型半導
体レーザ素子１の後面からの光出力をモニタするもので
ある。そして、受光素子１０でモニタされた光出力が一
定となるように、駆動回路（図示せず）がファブリペロ
ー型半導体レーザ素子１の駆動電流にフィードバックを
かける。第１レンズ２は、ファブリペロー型半導体レー
ザ素子１から拡がった出射光を平行光に変換し、第２レ
ンズ５は、その平行光を効率よく光ファイバ９に入射さ
せるために光ファイバ９の端面に焦点を結ぶ。
【００１３】この実施の形態では、狭帯域反射フィルタ
３が、モジュール内部に設けられている。狭帯域反射フ
ィルタ３は、ファブリペロー型半導体レーザ素子１の波
長帯での回析格子を有し、０．１〜５０％の反射率、好
ましくは２〜２０％の反射率を有する光フィルタであ
る。なお、狭帯域反射フィルタ３の半値幅は、ファブリ
ペロー型半導体レーザ素子１を狭帯域に発振させたい任
意の半値幅に設定する。また、狭帯域反射フィルタ３
は、狭帯域化させたい所望の波長、半値幅になるよう
に、石英基板等のガラス基板にＳｉＯ2 等のなどの誘電
体膜を蒸着して作製されたものである。キャリア１１
は、ファブリペロー型半導体レーザ素子１を搭載したヒ
ートシンク１２、モニタ用の受光素子１０、第１レンズ
２および狭帯域反射フィルタ３を搭載するものである。
３が、モジュール内部に設けられている。狭帯域反射フ
ィルタ３は、ファブリペロー型半導体レーザ素子１の波
長帯での回析格子を有し、０．１〜５０％の反射率、好
ましくは２〜２０％の反射率を有する光フィルタであ
る。なお、狭帯域反射フィルタ３の半値幅は、ファブリ
ペロー型半導体レーザ素子１を狭帯域に発振させたい任
意の半値幅に設定する。また、狭帯域反射フィルタ３
は、狭帯域化させたい所望の波長、半値幅になるよう
に、石英基板等のガラス基板にＳｉＯ2 等のなどの誘電
体膜を蒸着して作製されたものである。キャリア１１
は、ファブリペロー型半導体レーザ素子１を搭載したヒ
ートシンク１２、モニタ用の受光素子１０、第１レンズ
２および狭帯域反射フィルタ３を搭載するものである。
【００１４】ファブリペロー型半導体レーザ素子１とモ
ニタ用の受光素子１０とは半田付けでキャリア１１に固
定され、第１レンズ２は、ファブリペロー型半導体レー
ザ素子１からの出射され拡がった光が平行光になるよう
に精度よく調整され、半田またはＹＡＧレーザ溶接でキ
ャリア１１に固定される。また、狭帯域反射フィルタ３
は、第１レンズ２で平行光に変換された光を受光できる
位置に設定され、フィルタホルダ４に接着等で固定され
た後、半田またはＹＡＧレーザ溶接でキャリア１１に固
定される。
ニタ用の受光素子１０とは半田付けでキャリア１１に固
定され、第１レンズ２は、ファブリペロー型半導体レー
ザ素子１からの出射され拡がった光が平行光になるよう
に精度よく調整され、半田またはＹＡＧレーザ溶接でキ
ャリア１１に固定される。また、狭帯域反射フィルタ３
は、第１レンズ２で平行光に変換された光を受光できる
位置に設定され、フィルタホルダ４に接着等で固定され
た後、半田またはＹＡＧレーザ溶接でキャリア１１に固
定される。
【００１５】キャリア１１の下部に設けられた電子冷却
素子１３は、ファブリペロー型半導体レーザ素子１の温
度が一定になるよう調整するためのものである。ファブ
リペロー型半導体レーザ素子１の光出力特性は温度依存
性を有し、発熱で温度が高くなるにつれ光出力が低下す
るので、それを防ぐために、電子冷却素子１２はファブ
リペロー型半導体レーザ素子１が一定温度になるよう調
整する。
素子１３は、ファブリペロー型半導体レーザ素子１の温
度が一定になるよう調整するためのものである。ファブ
リペロー型半導体レーザ素子１の光出力特性は温度依存
性を有し、発熱で温度が高くなるにつれ光出力が低下す
るので、それを防ぐために、電子冷却素子１２はファブ
リペロー型半導体レーザ素子１が一定温度になるよう調
整する。
【００１６】パッケージ本体１４は、側面において端子
がハーメチックで設けられたバタフライ型やＤＩＰ型の
パッケージを構成されている。パッケ−ジ本体１４に
は、光軸方向に光取り出し窓１４が設けられている。電
子冷却素子１２の上には、キャリア１１が半田固定さ
れ、電子冷却素子１２の下側はパッケージ１３の底面に
半田固定される。このとき、ファブリペロー型半導体レ
ーザ素子１から出射し第１レンズ２で平行光に変換され
た光が、パッケージ本体１４に設けられた光取り出し窓
１５の中心を通過するよう、キャリア１１は、精度よく
調整された後に電子冷却素子１３の上に固定される。
がハーメチックで設けられたバタフライ型やＤＩＰ型の
パッケージを構成されている。パッケ−ジ本体１４に
は、光軸方向に光取り出し窓１４が設けられている。電
子冷却素子１２の上には、キャリア１１が半田固定さ
れ、電子冷却素子１２の下側はパッケージ１３の底面に
半田固定される。このとき、ファブリペロー型半導体レ
ーザ素子１から出射し第１レンズ２で平行光に変換され
た光が、パッケージ本体１４に設けられた光取り出し窓
１５の中心を通過するよう、キャリア１１は、精度よく
調整された後に電子冷却素子１３の上に固定される。
【００１７】さらに、この実施の形態では、ファブリペ
ロー型半導体レーザ素子１と同じ波長帯でのアイソレ−
ション量を有する光アイソレ−タ６が、パッケージ本体
１４に設けられた光取り出し窓１５を通過する光が光ア
イソレ−タ６の中心を通るように調整された後、パッケ
−ジ本体１４にＹＡＧレーザ溶接で固定されている。な
お、光ファイバ９はフェルール８で固定され、フェル−
ル８フェル−ルサポート７によって第２レンズ５に固定
される。ここで、第２レンズ５からの出射光が光ファイ
バ９に効率よく入射するように、光ファイバ９の光軸が
調整され、フェル−ルサポ−ト７とフェル−ル８とがＹ
ＡＧレーザ溶接で固定される。
ロー型半導体レーザ素子１と同じ波長帯でのアイソレ−
ション量を有する光アイソレ−タ６が、パッケージ本体
１４に設けられた光取り出し窓１５を通過する光が光ア
イソレ−タ６の中心を通るように調整された後、パッケ
−ジ本体１４にＹＡＧレーザ溶接で固定されている。な
お、光ファイバ９はフェルール８で固定され、フェル−
ル８フェル−ルサポート７によって第２レンズ５に固定
される。ここで、第２レンズ５からの出射光が光ファイ
バ９に効率よく入射するように、光ファイバ９の光軸が
調整され、フェル−ルサポ−ト７とフェル−ル８とがＹ
ＡＧレーザ溶接で固定される。
【００１８】次に動作について説明する。ファブリペロ
ー型半導体レーザ素子１から出射して拡がった光は、第
１レンズ２で平行光に変換され、狭帯域反射フィルタ３
で一部反射される。反射された光が第１レンズ２を介し
てファブリペロー型半導体レーザ素子１に戻ることによ
って、ファブリペロー型半導体レーザ素子１の後面と狭
帯域反射フィルタ３との間で外部共振器が形成される。
この外部共振器によって、発振波長幅４０ｎｍ（４０ｄ
Ｂダウン幅）以上と広いファブリペロー型半導体レーザ
素子の波長範囲のうち、狭帯域反射フィルタ３の回析格
子で決定される任意の波長（例えば１ｎｍ以下）のみを
狭帯域発振させることが可能になる。
ー型半導体レーザ素子１から出射して拡がった光は、第
１レンズ２で平行光に変換され、狭帯域反射フィルタ３
で一部反射される。反射された光が第１レンズ２を介し
てファブリペロー型半導体レーザ素子１に戻ることによ
って、ファブリペロー型半導体レーザ素子１の後面と狭
帯域反射フィルタ３との間で外部共振器が形成される。
この外部共振器によって、発振波長幅４０ｎｍ（４０ｄ
Ｂダウン幅）以上と広いファブリペロー型半導体レーザ
素子の波長範囲のうち、狭帯域反射フィルタ３の回析格
子で決定される任意の波長（例えば１ｎｍ以下）のみを
狭帯域発振させることが可能になる。
【００１９】その狭帯域で発振した光は、パッケージ本
体１４に設けられた光取り出し窓１５および光アイソレ
ータ６を通過した後、第２レンズ５で集光された、光フ
ァイバ９に結合して出射する。このとき、フェルール８
での反射光や光ファイバ９の線路上からの反射光が、第
２レンズ５を通過してファブリペロー型半導体レーザ素
子１に戻り、その発振状態を不安定にしたり、モニタ用
の受光素子１０に入射する可能性がある。しかし、この
実施の形態では、光アイソレータ６が第１レンズ１と第
２レンズ２の間に挿入されている。従って、モジュール
の外部での反射光、すなわち、フェルール８での反射光
や光ファイバ９の線路上からの反射光は光アイソレータ
６で吸収され、ファブリペロー型半導体レーザ素子１や
モニタ用の受光素子１０に戻ることは防止される。
体１４に設けられた光取り出し窓１５および光アイソレ
ータ６を通過した後、第２レンズ５で集光された、光フ
ァイバ９に結合して出射する。このとき、フェルール８
での反射光や光ファイバ９の線路上からの反射光が、第
２レンズ５を通過してファブリペロー型半導体レーザ素
子１に戻り、その発振状態を不安定にしたり、モニタ用
の受光素子１０に入射する可能性がある。しかし、この
実施の形態では、光アイソレータ６が第１レンズ１と第
２レンズ２の間に挿入されている。従って、モジュール
の外部での反射光、すなわち、フェルール８での反射光
や光ファイバ９の線路上からの反射光は光アイソレータ
６で吸収され、ファブリペロー型半導体レーザ素子１や
モニタ用の受光素子１０に戻ることは防止される。
【００２０】以上のように、この実施の形態では、ファ
ブリペロー型半導体レーザ素子１の波長帯での回析格子
を有する狭帯域反射フィルタ３がモジュール内部に設け
られてファブリペロー型半導体レーザ素子１と狭帯域反
射フィルタ３とで外部共振器が形成されるとともに、モ
ジュール内部であって外部共振器の外側に光アイソレー
タ６が設けられている。よって、ファブリペロー型半導
体レーザ素子１の波長を狭帯域化することができるとと
もに、モジュール外部からの反射光がファブリペロー型
半導体レーザ素子１およびモニタ用の受光素子１０に戻
っしまうことが防止される。つまり、ファブリペロー型
半導体レーザ素子１と同じ波長帯でアイソレ−ション量
の高い光アイソレータ６が、外部共振器よりも光ファイ
バ９側で、かつモジュール内部に設けられているので、
フェルール８や外部からの反射光は光アイソレータ６で
吸収される。この結果、ファブリペロー型半導体レーザ
素子１の発振状態を不安定にしたり、モニタ用受光素子
１０がファブリペロー型半導体レーザ素子１の後面以外
からの光出力を受光することはなく、半導体レーザモジ
ュールを安定動作させることが可能になる。
ブリペロー型半導体レーザ素子１の波長帯での回析格子
を有する狭帯域反射フィルタ３がモジュール内部に設け
られてファブリペロー型半導体レーザ素子１と狭帯域反
射フィルタ３とで外部共振器が形成されるとともに、モ
ジュール内部であって外部共振器の外側に光アイソレー
タ６が設けられている。よって、ファブリペロー型半導
体レーザ素子１の波長を狭帯域化することができるとと
もに、モジュール外部からの反射光がファブリペロー型
半導体レーザ素子１およびモニタ用の受光素子１０に戻
っしまうことが防止される。つまり、ファブリペロー型
半導体レーザ素子１と同じ波長帯でアイソレ−ション量
の高い光アイソレータ６が、外部共振器よりも光ファイ
バ９側で、かつモジュール内部に設けられているので、
フェルール８や外部からの反射光は光アイソレータ６で
吸収される。この結果、ファブリペロー型半導体レーザ
素子１の発振状態を不安定にしたり、モニタ用受光素子
１０がファブリペロー型半導体レーザ素子１の後面以外
からの光出力を受光することはなく、半導体レーザモジ
ュールを安定動作させることが可能になる。
【００２１】図２に示すように、狭帯域反射フィルタ３
は、キャリア１１上に搭載されるのではなく、パッケ−
ジ本体１４よりも外側すなわち光取り出し窓１５の光フ
ァイバ側にあってもよい。つまり、狭帯域反射フィルタ
３は、ファブリペロー型半導体レーザ素子１と光アイソ
レータ６との間に挿入されていればよい。このような構
成であっても、第１の実施の形態の場合と同様の効果を
奏する。また、このような構成によれば、半導体レーザ
モジュールの作製が容易になる。
は、キャリア１１上に搭載されるのではなく、パッケ−
ジ本体１４よりも外側すなわち光取り出し窓１５の光フ
ァイバ側にあってもよい。つまり、狭帯域反射フィルタ
３は、ファブリペロー型半導体レーザ素子１と光アイソ
レータ６との間に挿入されていればよい。このような構
成であっても、第１の実施の形態の場合と同様の効果を
奏する。また、このような構成によれば、半導体レーザ
モジュールの作製が容易になる。
【００２２】なお、上記の各実施の形態では、拡散光を
平行光に変換する第１のレンズ２と焦点を結ぶための第
２レンズとの２枚のレンズによるレンズ系を用いたが、
１枚レンズ系を用いてもよい。また、上記の各実施の形
態では、電子冷却素子１３を用いてファブリペロー型半
導体レーザ素子１の温度を制御しているが、電子冷却素
子１３を使用しない構成でもよい。
平行光に変換する第１のレンズ２と焦点を結ぶための第
２レンズとの２枚のレンズによるレンズ系を用いたが、
１枚レンズ系を用いてもよい。また、上記の各実施の形
態では、電子冷却素子１３を用いてファブリペロー型半
導体レーザ素子１の温度を制御しているが、電子冷却素
子１３を使用しない構成でもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、半導体
レーザモジュ−ルを、外部共振器がファブリペロー型半
導体レーザ素子とモジュール内部に設けられた狭帯域反
射フィルタとで形成され、モジュール内の光路における
外部共振器の外側に光アイソレータが設けられている構
成としたので、半導体レーザモジュ−ルの発振波長を所
望の波長で狭帯域化でき、モジュール外部での反射光が
ファブリペロー型半導体レーザ素子やモニタ用受光素子
に戻入せず安定して発振動作が行われる効果がある。
レーザモジュ−ルを、外部共振器がファブリペロー型半
導体レーザ素子とモジュール内部に設けられた狭帯域反
射フィルタとで形成され、モジュール内の光路における
外部共振器の外側に光アイソレータが設けられている構
成としたので、半導体レーザモジュ−ルの発振波長を所
望の波長で狭帯域化でき、モジュール外部での反射光が
ファブリペロー型半導体レーザ素子やモニタ用受光素子
に戻入せず安定して発振動作が行われる効果がある。
【図１】 本発明による半導体レーザモジュールの第１
の実施の形態を示す構成図である。
の実施の形態を示す構成図である。
【図２】 本発明による半導体レーザモジュールの第２
の実施の形態を示す構成図である。
の実施の形態を示す構成図である。
【図３】 従来の半導体レーザモジュールを示す構成図
である。
である。
１ ファブリペロー型半導体レーザ素子 ２ 第１レンズ ３ 狭帯域反射フィルタ ４ フィルタサポート ５ 第２レンズ ６ 光アイソレータ ７ フェルールサポート ８ フェルール ９ 光ファイバ １０ 受光素子 １１ キャリア １２ ヒートシンク １３ 電子冷却素子 １４ パッケージ本体 １５ 光取り出し窓 １６ ファイバグレーティング
Claims (4)
- 【請求項１】 ファブリペロー型半導体レーザ素子と外
部共振器によって所望の波長の光を発振するものであっ
て、パッケージ内部に前記ファブリペロー型半導体レー
ザ素子とモニタ用の受光素子とが設けられている半導体
レーザモジュ−ルにおいて、 前記外部共振器は前記ファブリペロー型半導体レーザ素
子と狭帯域反射フィルタとで形成され、 モジュール内の光路における前記外部共振器の外側に光
アイソレータが設けられていることを特徴とする半導体
レーザモジュ−ル。 - 【請求項２】 狭帯域反射フィルタはパッケージ内部に
設けられている請求項１記載の半導体レーザモジュ−
ル。 - 【請求項３】 狭帯域反射フィルタはパッケージの外部
に設けられている請求項１記載の半導体レーザモジュ−
ル。 - 【請求項４】 光アイソレータは、ファブリペロー型半
導体レーザ素子の発振波長帯でアイソレーション量を有
する請求項１ないし請求項３記載の半導体レーザモジュ
−ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36361297A JPH11177178A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 半導体レーザモジュ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36361297A JPH11177178A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 半導体レーザモジュ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11177178A true JPH11177178A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18479747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36361297A Pending JPH11177178A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 半導体レーザモジュ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11177178A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085785A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュール |
| JP2003086893A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュール及びこれを用いたラマン増幅器 |
| US6697414B1 (en) | 1999-09-20 | 2004-02-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting apparatus |
| JP2007086757A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-04-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
| US8363685B2 (en) | 2010-10-14 | 2013-01-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Wavelength tunable external cavity laser beam generating device |
-
1997
- 1997-12-16 JP JP36361297A patent/JPH11177178A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085785A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュール |
| US6697414B1 (en) | 1999-09-20 | 2004-02-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting apparatus |
| JP2003086893A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュール及びこれを用いたラマン増幅器 |
| JP2007086757A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-04-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
| US8363685B2 (en) | 2010-10-14 | 2013-01-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Wavelength tunable external cavity laser beam generating device |
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