JPH11177838A - 水平偏向励振回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 水平出力トランジスタの順方向ベース電流を
時間と共に増加傾向を持たせ、蓄積時間と降下時間を短
くし、回路の電力損失を低減する。 【解決手段】 水平励振トランス１５の２次巻線１５ｂ
を抵抗１１，１３を介して水平出力トランジスタ５のベ
ース・エミッタ間に接続する。逆ベース電流引き抜きス
イッチ素子１２は、抵抗１１に生じる電圧Ｖｒに応じ
て、トランジスタ５のベース電極からの電流を負電源へ
と流す。整流ダイオード１６は、３次巻線１５ｎに発生
する方形波パルスＶｎを受け、トランジスタ５の順方向
ベース電流が流れ始めるのと同じタイミングで導通を開
始する。平滑コンデンサ１７は整流ダイオード１６に流
れる電流に起因して充電される。この平滑コンデンサ１
７両端の電圧を上記の負電源とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、受像管ディスプレ
イ機器の水平出力トランジスタを励振する水平偏向励振
回路に係り、特に、水平出力トランジスタの順方向ベー
ス電流を時間と共に増加傾向の傾斜を持った波形とする
ことによって、ベースに過剰な電流が流れることを防止
して電力効率を改善することができ、水平出力トランジ
スタの逆ベース電流を効果的に増大せしめることによ
り、水平出力トランジスタのスイッチング特性を改善し
た水平偏向励振回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１０は、従来の水平偏向励振回路とそ
れに連なる水平出力回路の一例を示す回路図である。図
１０において、水平励振スイッチ素子１は、図示しない
前段の水平発振段からの水平発振パルスＶosc を受けて
オンオフ動作を行う。ここでは、このスイッチ素子１と
してＦＥＴを例示しており、そのドレイン端子には水平
励振トランス２の１次巻線２ａの一端が接続されてい
る。１次巻線２ａの他の一端には、電流制限抵抗３を介
して直流電源Ｅが接続されている。

【０００３】水平励振トランス２の２次巻線２ｂの一端
は接地され、他の一端はベース抵抗４を介して水平出力
トランジスタ５のベース電極に導かれている。水平出力
トランジスタ５のエミッタ電極は接地され、コレクタ電
極とエミッタ電極との間にはダンパーダイオード６と帰
線共振コンデンサ７が並列に接続されている。また、コ
レクタ電極とエミッタ電極との間には他に、水平偏向コ
イル８とＳ字補正コンデンサ９との直列回路が接続され
ている。そして、さらに、コレクタ電極には水平出力ト
ランスの１次巻線１０の一端が接続され、その他端には
直流電源Ｅｂが接続されている。

【０００４】このようにすると、周知の原理により水平
出力トランジスタ５のコレクタには正弦半波のパルスＶ
ｃが発生し、水平偏向コイル８にはのこぎり波電流（水
平偏向電流）Ｉｙが流れて、受像管電子ビームの水平偏
向作用を行う。

【０００５】この図１０の動作を図１１の波形図を用い
てさらに説明する。図１１において、（Ａ）は水平励振
スイッチ素子１におけるドレイン電圧Ｖｄを示してい
る。即ち、このスイッチ素子１はベース入力のＶosc の
波形に従って水平偏向周期ｔｈでオンオフを繰り返す。
水平偏向周期ｔｈにおけるオン期間ｔonでは波形はほぼ
ゼロ電圧にボトミングし、オフ期間ｔoff ではほぼ電源
電圧Ｅのレベルとなる。

【０００６】図１１において、（Ｂ）は水平出力トラン
ジスタ５のベース電流Ｉｂを示している。ドレイン電圧
Ｖｄのハイレベル期間ｔoff の間、図示のように正のベ
ース電流Ｉｂが流れる。期間ｔoff が終了すると、ベー
ス電流Ｉｂは負方向に転じ、蓄積時間ｔstだけ経過した
後、ゼロレベルに戻る。

【０００７】さらに、図１１において、（Ｃ）は水平出
力トランジスタ５のコレクタパルス（コレクタ電圧）Ｖ
ｃを示している。前述の蓄積時間ｔstが終了すると、水
平出力トランジスタ５のコレクタ・エミッタ間が遮断状
態となり、同時に正弦半波のパルスＶｃがコレクタに発
生する。この正弦波の周期は主として帰線共振コンデン
サ７と水平偏向コイル８との共振周期で定まり、その半
周期ｔｒが過ぎると自動的にパルスＶｃが終了し、これ
が水平偏向の帰線時間となる。

【０００８】図１１において、（Ｄ）は水平出力トラン
ジスタ５のコレクタ電流Ｉｃと、ダンパーダイオード６
のダンパー電流Ｉｄを示している。なお、図１１（Ｄ）
においては、ダンパー電流Ｉｄを図示の方向に描いてい
るので、図１０においては便宜上、ダンパー電流Ｉｄの
矢印の向きを接地側に示している。まず、帰線時間ｔｒ
が終了した時点で、ダンパー電流Ｉｄが破線で示すよう
にある一定値から流れ出し、主として電源電圧Ｅｂと水
平偏向コイル８のインダクタンス値とで定まる一定傾斜
で上昇する。

【０００９】次に、ベース電流Ｉｂが流れ出した時点か
ら実線で示すコレクタ電流Ｉｃがダンパー電流Ｉｄに肩
代わりして流れる。この電流Ｉｃは、次の帰線時間ｔｒ
の始点で降下時間ｔｆだけかかって急速にゼロに戻る。

【００１０】ところで、この降下時間ｔｆの間は、コレ
クタ電流Ｉｃとコレクタ電圧Ｖｃとの両方が存在してい
るので水平出力トランジスタ５の内部での電力損失とな
り、水平出力トランジスタ５の温度上昇を招く。特に、
高精細ディスプレイ等、水平偏向周期ｔｈが短い場合は
相対的に降下時間ｔｆの割合が高くなるため、この電力
損失を無視することができない。

【００１１】また、この図１１から分かるように、ドレ
イン電圧Ｖｄのボトミング期間ｔonは、蓄積時間ｔstと
帰線時間ｔｒとの和より長くなければならない。従っ
て、水平周期ｔｈが短い場合、十分に蓄積時間ｔstが短
くないと、ドレイン電圧Ｖｄの期間ｔoff が極度に短く
なり、十分なベース電流Ｉｂが流せないばかりか、設計
そのものが成り立たない場合が生じる。ところが、蓄積
時間ｔstは主として水平出力トランジスタ５の特性で決
まる要素が大きく、簡単には短縮化することができな
い。

【００１２】次に、図１２は図１０に示す回路の欠点を
改良した他の従来例を示す回路図である。図１２におい
て、図１０と同一の動作をする部分には同一符号を付
し、その説明を適宜省略する。

【００１３】図１２において、図１０と異なって特徴的
な点は、水平出力トランジスタ５のベース回路の部分で
ある。即ち、水平出力トランジスタ５のベース抵抗１１
の両端に発生する電圧Ｖｒを新たに設けられた逆ベース
電流引き抜きトランジスタ１２のベース・エミッタ間に
加え、そのコレクタ電極を負電源−Ｅｎに接続したもの
である。なお、抵抗１３，１４はそれぞれベース電流、
コレクタ電流の制限抵抗であって、場合によっては省略
も可能である。

【００１４】この図１２の動作を図１３の波形図を用い
てさらに説明する。図１３において、（Ａ）は水平出力
トランジスタ５のベース抵抗１１の両端に発生する電圧
Ｖｒを示している。これは先に説明した図１１（Ｂ）に
示すベース電流Ｉｂの波形とほとんど相似形となる。電
圧Ｖｒを引き抜きトランジスタ１２のベース・エミッタ
間に加えると、電圧Ｖｒの−０．６Ｖより負の期間で引
き抜きトランジスタ１２のエミッタ・コレクタ間が導通
し、その結果、図１３（Ｂ）に示すようなコレクタ電流
Ｉcnが流れる。この電流Ｉcnが流れる期間ｔｎは、図よ
り分かるように蓄積時間ｔstよりも短くなる。

【００１５】この期間ｔｎに流れる電流Ｉcnの値は、負
電源−Ｅｎの値によって十分大きくすることができる。
従って、水平出力トランジスタ５のベース電流Ｉｂは、
図６（Ｃ）に示すように期間ｔｎの間だけ、本来の破線
で示した逆ベース電流Ｉb2よりも大きな値の逆ベース電
流Ｉb2s を流すことができる。

【００１６】一般に、順方向ベース電流Ｉb1の最終値に
対する逆ベース電流Ｉb2の値の割合が大きくなると、蓄
積時間ｔstや降下時間ｔｆの長さは短くなる。従って、
この逆ベース電流Ｉb2の値が大きくなったことにより、
先に説明したように、走査時間ｔｈの短い高精細ディス
プレイに好適な回路となる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、水平出力ト
ランジスタ５を十分に導通状態に保つには、コレクタ電
流Ｉｃに対して一定割合のベース電流Ｉｂを流す必要が
ある。しかし、それ以上過大にベース電流Ｉｂを流した
としても、導通状態が改善される訳ではなく、逆にベー
ス層の過剰キャリアにより、スイッチングスピードが悪
化する。即ち、降下時間ｔｆあるいは蓄積時間ｔst等が
長くなる。その上、直流電源Ｅから流れ込む励振段とし
ての消費電力が多くなり、デメリットが目立つようにな
る。

【００１８】まず、図１０に示す回路においては、図１
１（Ｄ）に示すコレクタ電流Ｉｃと図１１（Ｂ）に示す
ベース電流Ｉｂとを比較すると、コレクタ電流Ｉｃは時
間と共に単調に増加傾向であるのに対し、ベース電流Ｉ
ｂは逆に最初の値Ｉb0が大きく次第に減少傾向になって
いることが分かる。これは望ましいことではなく、本来
であればベース電流Ｉｂはコレクタ電流Ｉｃに合わせ
て、最初の値Ｉb0は小さく、その後、徐々に大きくなっ
ていくような波形が適当である。

【００１９】また、図１２に示す回路においても、図１
３（Ｃ）に示すように、やはりベース電流Ｉｂは時間と
共に減少傾向を示し、理想とは逆になっている。さらに
図１２に示す回路は、蓄積時間ｔstや降下時間ｔｆの改
善効果は著しいものの、負電源−Ｅｎが受け持つ電力が
必要になることも欠点の一つに挙げられる。

【００２０】本発明はこのような問題点に鑑みなされた
ものであり、水平出力トランジスタの順方向ベース電流
を時間と共に増加傾向を持たせることができ、水平出力
トランジスタの蓄積時間と降下時間を短くすることがで
き、もって、回路の電力損失を低減することができる水
平偏向励振回路を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述した従来
の技術の課題を解決するため、受像管の電子ビームを偏
向する水平偏向コイル（８）と、水平偏向周期のスイッ
チング作用を行うことにより、前記水平偏向コイルにの
こぎり波電流を流す水平出力トランジスタ（５）と、２
次巻線（１５ｂ，２３ｂ）がインピーダンス素子（１
１，１３，１９〜２２）を介して前記水平出力トランジ
スタのベース・エミッタ間に接続された水平励振トラン
ス（１５，２３）と、前記水平励振トランスの１次巻線
（１５ａ，２３ａ）に接続され、水平偏向周期でオンオ
フ動作を行う水平励振スイッチ素子（１）と、前記イン
ピーダンス素子の一部もしくは全部に生じる電圧に応じ
て、前記水平出力トランジスタのベース電極からの電流
を負電源へと流す逆ベース電流引き抜きスイッチ素子
（１２）とを備えた水平偏向励振回路において、前記水
平励振トランスの巻線上に発生する方形波パルスを受
け、前記水平出力トランジスタの順方向ベース電流が流
れ始めるのと同じタイミングで導通を開始する整流ダイ
オード（１６，２５，２６）と、前記整流ダイオードに
流れる電流に起因して充電される平滑コンデンサ（１
７，２７）とを設け、前記負電源として、前記平滑コン
デンサ両端の電圧を使用するよう構成したことを特徴と
する水平偏向励振回路を提供するものである。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の水平偏向励振回路
について、添付図面を参照して説明する。図１は本発明
の水平偏向励振回路の一実施例を示す回路図、図２は本
発明の水平偏向励振回路の動作を説明するための波形
図、図３は本発明の水平偏向励振回路の他の実施例を示
す回路図、図４は本発明の水平偏向励振回路の変形例、
図５は図４に示す回路の動作を説明するための波形図、
図６は本発明の水平偏向励振回路の他の変形例、図７は
図６に示す回路の動作を説明するための波形図、図８は
本発明のさらに他の実施例を示す回路図、図９は図８に
示す実施例の動作を説明するための波形図である。な
お、図１，図３，図４，図６，図８において、図１０，
図１２と同一部分には同一符号が付してある。

【００２３】図１において、水平励振スイッチ素子１
は、図示しない前段の水平発振段からの水平発振パルス
Ｖosc を受けてオンオフ動作を行う。ここでは、このス
イッチ素子１としてＦＥＴを例示しており、そのドレイ
ン端子には水平励振トランス１５の１次巻線１５ａの一
端が接続されている。１次巻線１５ａの他の一端には、
電流制限抵抗３を介して直流電源Ｅが接続されている。

【００２４】水平励振トランス１５の２次巻線１５ｂの
一端は接地され、他の一端はベース抵抗１１を介して水
平出力トランジスタ５のベース電極に導かれている。水
平出力トランジスタ５のエミッタ電極は接地され、コレ
クタ電極とエミッタ電極との間にはダンパーダイオード
６と帰線共振コンデンサ７が並列に接続されている。ま
た、コレクタ電極とエミッタ電極との間には他に、水平
偏向コイル８とＳ字補正コンデンサ９との直列回路が接
続されている。そして、さらに、コレクタ電極には水平
出力トランスの１次巻線１０の一端が接続され、その他
端には直流電源Ｅｂが接続されている。

【００２５】このようにすると、周知の原理により水平
出力トランジスタ５のコレクタには正弦半波のパルスＶ
ｃが発生し、水平偏向コイル８にはのこぎり波電流（水
平偏向電流）Ｉｙが流れて、受像管電子ビームの水平偏
向作用を行う。

【００２６】また、水平出力トランジスタ５のベース抵
抗１１の両端に発生する電圧Ｖｒをベース抵抗１３を介
して逆ベース電流引き抜きトランジスタ１２のベース・
エミッタ間に加えている。引き抜きトランジスタ１２の
コレクタ電極には、電流制限抵抗１４が接続されてい
る。この引き抜きトランジスタ１２による水平出力トラ
ンジスタ５のベース電流Ｉｂの引き抜き作用は、図１２
において説明した通りである。

【００２７】さらに、図１においては、水平励振トラン
ス１５に３次巻線１５ｎが設けられており、この３次巻
線１５ｎに整流ダイオード１６と平滑コンデンサ１７が
接続されている。３次巻線１５ｎの両端に発生した方形
波パルスＶｎは、整流ダイオード１６を通して平滑コン
デンサ１７に充電される。平滑コンデンサ１７の一端は
接地されており、整流ダイオード１６が接続された方の
一端には電圧−Ｅn1が発生する。この電圧−Ｅn1は、電
流制限抵抗１４を介して引き抜きトランジスタ１２のコ
レクタに接続されている。なお、電流制限抵抗１４の一
端を、図示していない他の回路に接続してもよい。

【００２８】この図１の動作を図２の波形図を用いてさ
らに説明する。図２において、（Ａ）は水平励振スイッ
チ素子１のドレイン電圧Ｖｄを示している。、ドレイン
電圧Ｖｄは、水平励振スイッチ素子１のオフ期間ｔoff
でハイレベルとなり、オン期間ｔonでローレベルにな
る。この波形は水平励振トランス１５の１次巻線１５ａ
に加えられ、その２次巻線１５ｂには、図２（Ｂ）に示
すような波形（方形波）Ｖｂが生じる。この波形Ｖｂの
主としてハイレベル期間で水平出力トランジスタ５の正
方向ベース電流Ｉｂが流れる。このベース電流Ｉｂに応
じて水平出力トランジスタ５のコレクタ電流Ｉｃ及び水
平偏向コイル８の水平偏向電流Ｉｙが流れ、水平偏向動
作を行う。

【００２９】本発明により新たに設けられた水平励振ト
ランス１５の３次巻線１５ｎの一端には、図２（Ｃ）に
示すように、図２（Ｂ）に示す波形Ｖｂとは逆極性の波
形Ｖｎが発生する。そして、この波形Ｖｎが負レベルに
なった所で整流ダイオード１６が導通して平滑コンデン
サ１７を充電し、負の直流電圧−Ｅn1を生じる。即ち、
整流ダイオード１６は、水平出力トランジスタ５の順方
向ベース電流Ｉb1が流れ始めるのと同じタイミングで導
通を開始する。図２（Ｄ）はこのとき流れる充電電流Ｉ
ｎを示している。

【００３０】さらに、図２（Ｅ）には、水平出力トラン
ジスタ５のベース電流Ｉｂを実線にて示している。図１
２に示す従来の回路においては、ベース電流Ｉｂは図２
（Ｅ）に破線にて示しているように、流れ始めが正の最
大値となり、その後は徐々に減少していく波形になる
が、図１に示す本発明の回路においては、図示のよう
に、流れ始めは小さい値で、その後、増加する傾向を有
している。

【００３１】これは、平滑コンデンサ１７の充電電流Ｉ
ｎが流れて、その分、本来のベース電流Ｉｂが減殺され
たことによる。そして、この充電電流Ｉｎの充電によっ
て得た負電圧−Ｅn1が電源となって逆ベース電流Ｉb2を
流すエネルギーの基となっている。換言すれば、期間ｔ
off 初期の不要なエネルギーを、必要な蓄積時間ｔst期
間中の逆ベース電流Ｉb2を流すためのエネルギーに振り
替えたことになる。

【００３２】このことから、本発明の図１によれば、励
振段の電力（電源Ｅから流れ込む電流）を増やすことな
く、逆ベース電流Ｉb2を増やすことができる。その結
果、水平出力トランジスタ５の蓄積時間ｔstや降下時間
ｔｆを減少させることができ、動作の安定化、水平出力
トランジスタ５のコレクタ電力損失の減少等の改善がな
される。

【００３３】また、３次巻線１５ｎの波形を整流して得
られた電圧を、図１中に破線で示すように、機器内の他
の部分の負電源として使用することも可能である。この
ようにすると、図２（Ｄ）に示す充電電流Ｉｎの値が増
えるので、初期ベース電流Ｉb0の削減効果が大きくな
る。また、電源回路に専用の負電源回路を設ける必要が
なく、機器の簡素化に役立つ。

【００３４】ところで、図１における水平励振トランス
１５の２次巻線１５ｂ及び３次巻線１５ｎの一端、平滑
コンデンサ１７の一端、水平出力トランジスタ５のエミ
ッタ、ダンパーダイオード６のカソード、帰線共振コン
デンサ７の一端の共通接続部分であるｄ点は接地されて
いる。しかし場合によっては、このｄ点が接地ではな
く、パルス電圧が加わる場合がある。例えば、本発明者
による先願、特願平８−６００４３号（特開平９−２３
３３６０号）や特願平９−１９６４５８号のように、こ
のｄ点にパルスを加えることによって、高圧制御や水平
偏向コイル８の高インピーダンス化、また、水平出力ト
ランジスタ５の降下時間ｔｆの短縮化等を図ることがで
きる。

【００３５】このような場合、従来の図１２において
は、専用の負電源−Ｅｎが接地基準の電圧であるため、
水平出力トランジスタ５のエミッタにパルス電圧を印加
することはできない。よって、図１２に示す構成を上記
２つの先願に応用することはできない。しかしながら、
本発明においては、逆ベース電流引き抜き用の負電源−
Ｅn1が、水平励振トランス１５の２次巻線１５ｂの一端
と水平出力トランジスタ５のエミッタを基準として生成
されるので、この構成を上記２つの先願に応用すること
が可能である。これを示したのが図３である。

【００３６】図３において、ｄ点と接地との間に新たに
補助パルス発生回路１８が設けられており、これによっ
てｄ点には、コレクタパルス（水平帰線パルス）Ｖｃに
同期した補助パルスＶｍが生じている。そして、この補
助パルスＶｍの位相、波高値等は目的に応じて補助パル
ス発生回路１８の動作によって調整される。

【００３７】この図３では、補助パルスＶｍの値の如何
に関わらず、ベース電流Ｉｂの適正化がなされる。即
ち、充電電流Ｉｎによる初期ベース電流Ｉb0値の削減効
果や、負電圧−Ｅn1による逆ベース電流Ｉb2の引き抜き
作用については影響なく行われる。従って、水平出力ト
ランジスタ５の蓄積時間ｔstや降下時間ｔｆの短縮が可
能であり、高い水平偏向周波数（短い水平偏向周期ｔ
ｈ）に対して好適なものとなる。

【００３８】さらに、本発明の図１及び図３の回路にお
いて、水平出力トランジスタ５のベース回路を工夫する
ことによって、初期ベース電流Ｉb0の一層の削減効果を
得ることができる。その一例として、図１，図３中の
ｐ，ｑ，ｒの３点で囲まれた内部の回路を図４に示すよ
うな回路で置き換えた場合について説明する。

【００３９】この図４は、図１，図３中のベース抵抗１
１と水平励振トランス１５の２次巻線１５ｂの一端であ
るｐ点との間にインダクタ１９を挿入したものである。
インダクタ１９と並列に接続された抵抗２０は不要振動
を抑えるためのダンピング抵抗である。図１，図３に示
す構成は、水平励振トランス１５の２次巻線１５ｂをイ
ンピーダンス素子を介して水平出力トランジスタ５のベ
ース・エミッタ間に接続するに際し、そのインピーダン
ス素子として、抵抗（１１，１３）のみを用いたもので
あるが、図４の構成では、それに加えてインダクタ（１
９）を含んで構成したものである。

【００４０】この図４のように構成すると、ベース電流
Ｉｂが流れるとき、ベース電流Ｉｂと充電電流Ｉｎとの
電流分配比が変わり、ベース電流Ｉｂの電流がより減少
する。これを図５に示す。ベース電流Ｉｂは、インダク
タ１９がない場合、図５の実線のようになるが、インダ
クタ１９と抵抗２０が図示のように挿入されると、図５
の破線のようになり、ベース電流Ｉｂの導通期間の特に
前半で電流値が削減され、電流値が時間と共に増加して
いく理想形に近付く。

【００４１】一般には、このように水平出力トランジス
タ５のベース回路にインダクタを挿入すると、同時に逆
ベース電流Ｉb2の期間での電流波形傾斜が緩くなり、そ
の結果、蓄積時間ｔstが伸びるという弊害を生じる。し
かしながら、本発明の構成においては、逆ベース電流Ｉ
b2は主として引き抜きトランジスタ１２のエミッタ・コ
レクタ間電流Ｉcnの方に流れるので、このような弊害は
ほとんど生じない。

【００４２】図６は、ベース回路にインダクタを挿入し
て性能向上を図る他の構成を示したものである。ここで
は図４と異なり、引き抜きトランジスタ１２のベース電
流を導く抵抗１３の一端は抵抗１１の一端ではなく、水
平励振トランス１５の２次巻線１５ｂの一端であるｐ点
に接続され、この点と抵抗１１の一端との間にインダク
タ２１とダンピング抵抗２２の並列回路が挿入されてい
る。

【００４３】このようにすると、抵抗１１の両端の電圧
だけでなくインダクタ２１の両端に発生するスパイク電
圧も加わって、この合成電圧によって引き抜きトランジ
スタ１２のベース電流Ｉｂが流れる。その結果、蓄積時
間ｔstの初期でスパイク電圧により従来の抵抗１１の単
独の場合よりベース合成電圧値が負になる。

【００４４】すると、引き抜きトランジスタ１２がオン
する期間が蓄積時間ｔstの最初の方にまで拡がり、図７
の破線で示すようにほとんど蓄積時間ｔst全域で流れる
ようになる。これにより、同じ電荷量（図の電流面積に
相当）を引き出すのにより短い時間で済むようになり、
蓄積時間ｔstが短縮される。

【００４５】また、このとき、順方向のベース電流Ｉｂ
がインダクタ２１によって傾斜が付くことは先の図４の
場合と同じである。従って、図７に実線で示す図１ある
いは図３のベース電流Ｉｂと異なり、図７に破線で示す
ように、正方向は上向傾斜を持ち、逆方向は十分短い時
間幅（蓄積時間ｔst）を持つ極めて理想に近い波形とな
る。

【００４６】次に、図８を用いて本発明のさらに他の実
施例について説明する。この図８に示す構成は、図１や
図３ように水平励振トランス１５に３次巻線１５ｎを設
けるのではなく、従来と同様、１次及び２次巻線のみを
備えた水平励振トランスを用いることによって、本発明
の効果を得られるようにしたものである。なお、図１，
図３と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。

【００４７】図８において、水平励振トランス２３は１
次巻線２３ａと２次巻線２３ｂのみを有する単純な形に
なっている。この２次巻線２３ｂの一端は、インダクタ
１９と抵抗２０の並列回路及び抵抗１１を介して水平出
力トランジスタ５のベースに接続されている。この構成
によってベース電流Ｉｂを流す点は先の図１や図４と同
一である。また、抵抗１１の両端の電圧によって抵抗１
３を通して引き抜きトランジスタ１２に電流Ｉcnを流
し、水平出力トランジスタ５の逆ベース電流Ｉb2を流す
点も同じである。

【００４８】この図８の場合、２次巻線２３ｂには、さ
らに、コンデンサ２４以降の整流回路が接続されてい
る。即ち、２次巻線２３ｂには、入力コンデンサ２４，
第１の整流ダイオード２５，第２の整流ダイオード２
６，平滑コンデンサ２７よりなる整流回路を接続してい
る。

【００４９】このように構成すると、２次巻線２３ｂに
発生する方形波Ｖｂが両波整流され、コンデンサ２７の
両端に負電圧−Ｅn2となって現れる。この負電圧−Ｅn2
を電源として抵抗１４を介して引き抜きトランジスタ１
２のコレクタ電流Ｉcnを流すようにする。これが水平出
力トランジスタ５の逆ベース電流Ｉb2を加勢することは
先の図１や図３と同じである。

【００５０】この図８の動作を図９の波形図を用いてさ
らに説明する。図９において、（Ａ）は２次巻線２３ｂ
の波形Ｖｂを接地（ｄ点）を基準点として示したもので
ある。この電圧波形Ｖｂが正方向に転じた瞬間から、図
９（Ｂ）に示すように電流Ｉc1がコンデンサ２４及びダ
イオード２５を通して流れ、その後、急速に減衰する。
この電流Ｉc1によって図８に示すような極性でコンデン
サ２４にチャージされた電荷は次の半サイクルでダイオ
ード２６を通してコンデンサ２７に移り、負電圧−Ｅn2
を作る。

【００５１】従って、先に説明したのと同様、電流Ｉc1
によって順方向ベース電流Ｉb1の最初の部分の電流値が
削減され、また、負電圧−Ｅn2によって引き抜きトラン
ジスタ１２のコレクタ電流Ｉcnとして十分な量の逆ベー
ス電流Ｉb2が流れる。図９（Ｃ）はこのときのベース電
流Ｉｂを示している。図９（Ｃ）の破線は従来のベース
電流Ｉｂであり、これに対し、図８の構成では、ベース
電流Ｉｂは、実線で示すように、順方向ベース電流Ｉb1
は増加傾向を持ち、逆ベース電流Ｉb2の量が増加した理
想に近い波形となる。

【００５２】なお、図８の構成においては、水平出力ト
ランジスタ５のベース回路を、図４に示すようなインダ
クタ１９を挿入した構成としているが、勿論、図６に示
すような構成でも、あるいは、あるいは図１や図３のよ
うにインダクタがなくても、この両波整流方式を使って
水平励振トランス２３を１次巻線２３ａと２次巻線２３
ｂだけで構成することが可能である。

【００５３】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の水
平偏向励振回路は、受像管の電子ビームを偏向する水平
偏向コイルと、水平偏向周期のスイッチング作用を行う
ことにより、水平偏向コイルにのこぎり波電流を流す水
平出力トランジスタと、２次巻線がインピーダンス素子
を介して水平出力トランジスタのベース・エミッタ間に
接続された水平励振トランスと、水平励振トランスの１
次巻線に接続され、水平偏向周期でオンオフ動作を行う
水平励振スイッチ素子と、インピーダンス素子の一部も
しくは全部に生じる電圧に応じて、前記水平出力トラン
ジスタのベース電極からの電流を負電源へと流す逆ベー
ス電流引き抜きスイッチ素子とを備えた水平偏向励振回
路において、水平励振トランスの巻線上に発生する方形
波パルスを受け、水平出力トランジスタの順方向ベース
電流が流れ始めるのと同じタイミングで導通を開始する
整流ダイオードと、この整流ダイオードに流れる電流に
起因して充電される平滑コンデンサとを設け、負電源と
して、平滑コンデンサ両端の電圧を使用するよう構成し
たので、水平出力トランジスタの順方向ベース電流を時
間と共に増加傾向の傾斜を持った理想的な波形とするこ
とができ、これによって、ベースに過剰な電流が流れる
ことを防止して電力効率を改善することができる。ま
た、逆ベース電流を効果的に増大することができ、水平
出力トランジスタの蓄積時間と降下時間を短くすること
ができる。これによって、水平出力トランジスタのスイ
ッチング特性を改善し、回路の電力損失を低減すること
ができる。従って、水平偏向周期の短い超高精細度の受
像管ディスプレイ機器に用いて極めて有効である。さら
に、この回路を利用して機器内の他の部分の電源を兼ね
ることもでき、回路を簡素化することができる。また、
水平出力トランジスタのエミッタ端子に波形が重畳され
ているような回路とすることも容易にでき、さらなる降
下時間の短縮化や、高圧制御等の他の機能と併用させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す回路図である。

【図２】本発明の動作を説明するための波形図である。

【図３】本発明の他の実施例を示す回路図である。

【図４】本発明の変形例である。

【図５】図４に示す回路の動作を説明するための波形図
である。

【図６】本発明の他の変形例である。

【図７】図６に示す回路の動作を説明するための波形図
である。

【図８】本発明のさらに他の実施例を示す回路図であ
る。

【図９】図８に示す実施例の動作を説明するための波形
図である。

【図１０】従来例を示す回路図である。

【図１１】図１０に示す従来例の動作を説明するための
波形図である。

【図１２】他の従来例を示す回路図である。

【図１３】図１２に示す従来例の動作を説明するための
波形図である。

【符号の説明】

１ 水平励振スイッチ素子（ＦＥＴ） ５ 水平出力トランジスタ ６ ダンパーダイオード ７ 帰線共振コンデンサ ８ 水平偏向コイル ９ Ｓ字補正コンデンサ １１，１３ ベース抵抗 １２ 引き抜きスイッチ素子（ｐｎｐトランジスタ） １５，２３ 水平励振トランス １５ａ，２３ａ １次巻線 １５ｂ，２３ｂ ２次巻線 １５ｎ ３次巻線 １６，２５，２６ 整流ダイオード １７，２７ 平滑コンデンサ １８ 補助パルス発生回路 １９，２１ インダクタ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】受像管の電子ビームを偏向する水平偏向コ
   イルと、 水平偏向周期のスイッチング作用を行うことにより、前
   記水平偏向コイルにのこぎり波電流を流す水平出力トラ
   ンジスタと、 ２次巻線がインピーダンス素子を介して前記水平出力ト
   ランジスタのベース・エミッタ間に接続された水平励振
   トランスと、 前記水平励振トランスの１次巻線に接続され、水平偏向
   周期でオンオフ動作を行う水平励振スイッチ素子と、 前記インピーダンス素子の一部もしくは全部に生じる電
   圧に応じて、前記水平出力トランジスタのベース電極か
   らの電流を負電源へと流す逆ベース電流引き抜きスイッ
   チ素子とを備えた水平偏向励振回路において、 前記水平励振トランスの巻線上に発生する方形波パルス
   を受け、前記水平出力トランジスタの順方向ベース電流
   が流れ始めるのと同じタイミングで導通を開始する整流
   ダイオードと、 前記整流ダイオードに流れる電流に起因して充電される
   平滑コンデンサとを設け、 前記負電源として、前記平滑コンデンサ両端の電圧を使
   用するよう構成したことを特徴とする水平偏向励振回
   路。
2. 【請求項２】前記整流ダイオードは、前記水平励振トラ
   ンスにおける前記水平出力トランジスタのベース端子に
   接続される２次巻線とは独立して設けられた３次巻線に
   接続されることを特徴とする請求項１記載の水平偏向励
   振回路
3. 【請求項３】前記平滑コンデンサ両端の電圧を、機器内
   の他の回路部分の電源として使用することを特徴とする
   請求項１または２に記載の水平偏向励振回路。
4. 【請求項４】前記インピーダンス素子として、インダク
   タを含んで構成したことを特徴とする求項１ないし３の
   いずれかに記載の水平偏向励振回路。