JPH11181567A

JPH11181567A - 炭化珪素の製造方法

Info

Publication number: JPH11181567A
Application number: JP36532397A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Nagasawa; 弘幸長澤; Kuniaki Yagi; 邦明八木
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1997-12-19
Filing date: 1997-12-19
Publication date: 1999-07-06
Anticipated expiration: 2017-12-19
Also published as: JP3880717B2

Abstract

(57)【要約】【課題】反位相領域境界面の低減又は消滅を確実に実
現できる炭化珪素の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素の成長用基板上に炭化珪素の成
長を阻むマスク層を設け、このマスク層に一箇所以上の
開口部を設けて基板表面を露出させて炭化珪素の成長を
行う炭化珪素の製造方法であって、前記開口部の高さ
を、開口部の幅ｗの√2（＝２^1/2）倍以上で、かつ、形
成する炭化珪素の厚さ以上の高さとして、炭化珪素の成
長を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子材料としての
炭化珪素単結晶成長技術等に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、炭化珪素（ＳｉＣ）の成長は、昇
華法によるバルク成長と、基板上へのエピタキシャル成
長による薄膜形成とに分類されてきた。

【０００３】昇華法によるバルク成長では高温相の結晶
多形である６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣの成長が可能で
あり、かつ、ＳｉＣ自体の基板作製が実現されてきた。
しかしながら、結晶内に導入される欠陥（マイクロパイ
プ）が多く、かつ基板面積の拡大が困難であった。

【０００４】基板上へのエピタキシャル成長法に関して
は、不純物添加の制御性向上や基板面積の拡大、そして
昇華法で問題となっていたマイクロパイプの低減が実現
される反面、積層欠陥の増大や、ＳｉＣ成長層に内部応
力が発生することが問題となっている。特に、成長用基
板としてＳｉを用いた場合には、ＳｉＣとの格子不整合
が大きいことから、双晶（Ｔｗｉｎ）や反位相領域境界
面（ＡＰＢ：Anti Phase Boundary）の発生が著しく、
これらがＳｉＣの電子素子としての特性を損なわせてい
る。

【０００５】さらに、成長法に関わらず、ＳｉＣは化学
的、機械的に安定であるため、エッチング加工によって
微細パターンを形成して電子素子を得ることが著しく困
難であった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ＳｉＣ膜内の積層欠陥
を低減する方法として、成長用基板上に炭化珪素単結晶
の成長領域を設け、この成長領域にある厚さ以上の厚さ
で炭化珪素単結晶を成長させることで、ある厚さ以降の
積層欠陥を排除する技術が知られている（特公平６−４
１４００号公報）。ここで、ある厚さとは、成長領域の
代表的な寸法（例えば一辺）の√2倍以上であるとして
いる。

【０００７】しかしながら、特公平６−４１４００号公
報記載の方法で、実際に炭化珪素単結晶を成長させた場
合、反位相領域境界面を効果的に低減できないという問
題がある。

【０００８】すなわち、図１に示すように、開口部の高
さｔを、開口部の幅ｗの√2倍以上とすると、理論的に
はＳｉＣは非成長領域１ａ上には成長せず想像線２の形
状で成長するはずであるが、実際にはＳｉＣは非成長領
域１ａ上にも形成され実線３の形状で成長することを本
発明者らは突き止めた。したがって、開口部の高さｔ
を、開口部の幅ｗの√2倍以上としたとしても、非成長
領域上に形成されたＳｉＣから欠陥が派生してしまい、
反位相領域境界面を低減できない場合がある。

【０００９】また、実際にはＳｉＣは実線３の形状で成
長するため、隣り合う開口部間の間隔に制約があり、隣
り合う開口部間の間隔が狭いと成長したＳｉＣ同士が成
長に伴って結合してしまい、この結合部に新たに反位相
領域境界面が形成されてしまい、電気的特性等が損なわ
れる。

【００１０】さらに、矩形の開口部のいずれかの辺と、
成長用基板の成長面における立方晶の＜１１０＞方位と
の交差角度を一定範囲内としないと反位相領域境界面を
低減できないことを本発明者らは突き止めた。

【００１１】また、ＳｉＣ中に含まれる２種類の反位相
領域どうしは、ＳｉＣの膜厚増加に対して、互いに直交
した方向へと拡大する特性を有しているため、ＳｉＣの
平面パターン形状及びその配置する結晶方位を考慮しな
いと、反位相領域境界面を効果的に低減することができ
ない。さらに、成長したＳｉＣ表面に形成される超構造
の向きを任意に制御することができない。

【００１２】本発明は上述した背景の下になされたもの
であり、反位相領域境界面の低減又は消滅を確実に実現
できる炭化珪素の製造方法等の提供を目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、以下の構成としてある。（構成１）炭化珪素の成長用基板上に炭化珪素の成長を
阻むマスク層を設け、このマスク層に一箇所以上の開口
部を設けて基板表面を露出させて炭化珪素の成長を行う
炭化珪素の製造方法であって、前記開口部の高さを、開
口部の幅ｗの√2（＝２^1/2）倍以上で、かつ、形成する
炭化珪素の厚さを超える高さとして、炭化珪素の成長を
行うことを特徴とする炭化珪素の製造方法。

【００１４】（構成２）前記成長用基板の面方位が立方
晶の（１００）面に相当し、この面上に炭化珪素をエピ
タキシャル成長させることを特徴とする構成１記載の炭
化珪素の製造方法。

【００１５】（構成３）マスク層に形成する矩形の開口
部のいずれかの辺と、成長用基板の成長面における立方
晶の＜１１０＞方位との交差角度を、±１５°以内とす
ることを特徴とする構成１又は２記載の炭化珪素の製造
方法。

【００１６】（構成４）マスク層に形成する矩形の開口
部のいずれかの辺と、成長用基板の成長面における立方
晶の＜１１０＞方位との交差角度を、０°とすることを
特徴とする構成３記載の炭化珪素の製造方法。

【００１７】（構成５）前記炭化珪素の成長レートが、
０．０１〜３０μｍ／ｈｒであることを特徴とする構成
１乃至４記載の炭化珪素の製造方法。

【００１８】（構成６）前記炭化珪素の断面形状が、台
形であることを特徴とする構成１乃至５記載の炭化珪素
の製造方法。

【００１９】（構成７）マスク層に形成する矩形の開口
部の長辺が短辺の２倍以上であり、かつ、短辺の長さが
０．０５μｍから１０μｍであることを特徴とする構成
１乃至６記載の炭化珪素の製造方法。

【００２０】（構成８）前記成長用基板の面方位を単結
晶Ｓｉの（１００）面とし、炭化珪素の成長を阻むマス
ク層をＳｉＯ₂層とすることを特徴とする構成１乃至７
記載の炭化珪素の製造方法。

【００２１】（構成９）エピタキシャル成長させる炭化
珪素が立方晶であることを特徴とする構成１乃至８記載
の炭化珪素の製造方法。

【００２２】（構成１０）前記炭化珪素は、シラン系化
合物ガスと炭化水素ガスを交互に反応炉内へ供給して気
相化学堆積（ＣＶＤ）法で成長させることを特徴とする
構成１乃至９記載の炭化珪素の製造方法。

【００２３】（構成１１）構成１乃至１０記載の炭化珪
素の製造方法を用いて素子設計に基づいた形状を有する
炭化珪素パターンを形成し、この炭化珪素パターン自体
を活性領域として用いたことを特徴とする電子素子。

【００２４】

【作用】

【００２５】本発明では成長用基板（下地）とＳｉＣと
の界面で発生した面欠陥が、ＳｉＣの成長に伴って上層
に伝播するにつれ、互いに会合し結合する。また、会合
せずにさらに上層へと伝播する面欠陥も、いずれはＳｉ
Ｃ膜の側壁に到達し、消滅する。パターンの最も端点で
発生した面欠陥も、下地が立方晶の（１００）面に相当
する場合には（１１１）面として挿入されるため、Ｓｉ
Ｃ層の膜厚ｔとＳｉＣ層の短辺幅ｗの関係がｔ＝√2ｗ
となった時点でＳｉＣ側面に到達して消滅する。ただ
し、（１００）面上には４つの（１１１）面に等価な面
が存在するため、紙面に対して鏡面対称な面欠陥も存在
している。しかし、本発明では、ＳｉＣ層の平面パター
ン形状を矩形としかつ長辺が短辺の２倍以上と規定する
ことで、最終的に長辺方向に拡大する領域のみが最表面
を覆い、反位相領域境界面の消滅を確実に実現できると
ともに、離散したパターンすべてにわたり反位相領域境
界のない単一領域の形成が可能となる。

【００２６】上記構成１によれば、開口部の高さを形成
する炭化珪素の厚さを超える高さとしているので、反位
相領域境界面の低減又は消滅を確実に実現できる。すな
わち、開口部の高さを形成する炭化珪素の厚さを超える
高さとすることで、非成長領域上に形成されるＳｉＣか
ら派生する欠陥を排除し、反位相領域境界面の低減又は
消滅を確実に実現できる。また、構成１によれば、隣り
合う開口部間の間隔を狭くしても、成長したＳｉＣ同士
が成長に伴って結合することがない。したがって、開口
部間の間隔の制約がなくなり、設計上有利となる。具体
的には、開口部間の間隔を０．０５μｍ程度にまで狭く
でき、設計の自由度が向上し、微細化を達成できる。

【００２７】上記構成２によれば、成長用基板の面方位
を立方晶の（１００）面とすることで他の場合に比べＳ
ｉＣの応力を低減でき、この面上に炭化珪素をエピタキ
シャル成長させることでＳｉＣの結晶性や電気的特性が
向上する。

【００２８】上記構成３及び４によれば、マスク層に形
成する矩形の開口部のいずれかの辺と、成長用基板の成
長面における立方晶の＜１１０＞方位との交差角度を、
±１５°以内とすることで、反位相領域境界面の低減又
は消滅を確実に実現できる。これは、表６に示すよう
に、交差角度が±１５°以内であれば、反位相領域境界
面濃度は低く、許容レベル内にあるからである。逆に、
交差角度が±３０°、±４５°になるにつれ反位相領域
境界面濃度は極端に増大する。特に、マスク層に形成す
る矩形の開口部のいずれかの辺と、成長用基板の成長面
における立方晶の＜１１０＞方位との交差角度を、０°
とすることで、反位相領域境界面濃度はゼロとなり、反
位相領域境界面の消滅を確実に実現できる。また、これ
らのことを考慮してパターン設計を行うことで、反位相
領域境界面の低減又は消滅をすべてのパターンについて
確実に実現できる。

【００２９】上記構成５によれば、炭化珪素の成長レー
トを０．０１〜３０μｍ／ｈｒとすることで、反位相領
域境界面濃度を含めた積層欠陥が少なくなる。また、Ｓ
ｉＯ₂マスク層上にＳｉＣが形成されにくくなるため、
表面形状の悪化が防げるばかりでなく、ＳｉＣ層の除去
工程等の後工程が不要となる。同様の観点から炭化珪素
の成長レートは、０．０２〜１０μｍ／ｈｒとすること
が好ましく、０．０３〜０．１μｍ／ｈｒとすることが
より好ましい。

【００３０】上記構成６によれば、炭化珪素の断面形状
を台形とすることで、耐圧を高め、電圧に対するブレー
クダウンを回避できるなど、パフォーマンスのよい構造
となる。炭化珪素の断面形状を台形とするには、マスク
層に形成する開口部の断面形状をテーパー状とすればよ
い。

【００３１】上記構成７では、マスク層に形成する矩形
の開口部の長辺を短辺の２倍以上とすることで、上述し
たように最終的に長辺方向に拡大する領域のみが最表面
を覆い、反位相領域境界面の消滅を確実に実現できる。
また、短辺の長さを０．０５μｍから１０μｍとするこ
とで、デバイス製造上実用的なＳｉＣ面積となる。

【００３２】上記構成８では、成長用基板の面方位を単
結晶Ｓｉの（１００）面とすることで、他の場合に比べ
ＳｉＣの応力を最も低くでき、また、炭化珪素の成長を
阻むマスク層をＳｉＯ₂層とすることで、Ｓｉを熱酸化
してＳｉＯ₂層を形成できるため、工程を簡略化でき
る。

【００３３】上記構成９によれば、エピタキシャル成長
させる炭化珪素を立方晶とすることで、面欠陥の低減効
果が確実となる。

【００３４】上記構成１０によれば、炭化珪素を、シラ
ン系化合物ガスと炭化水素ガスを交互に反応炉内へ供給
して気相化学堆積（ＣＶＤ）法でエピタキシャル成長さ
せることで、他の場合に比べ結晶性、面内均一性及び表
面ホモロジーに優れる。この場合、特にジクロルシラン
とアセチレンを用いることで、他のガスを用いた場合に
比べ成長温度の低温化、制御性の向上が可能となる。そ
の他に、上記構成１０によれば、ＳｉＣの選択成長性を
助長でき、また、分子吸着の自己制御機構が発現し再現
性、均一性が向上し、さらに、より微細なパターン内へ
のＳｉＣ成長が可能となる。

【００３５】上記構成１１によれば、反位相領域境界面
の低減又は消滅を実現した電子素子が得られる。また、
ＳｉＣの成長パターンを適当な素子設計パターンに相当
させることにより、エッチング加工を行うことなく素子
製造が実現できる。さらに、ＳｉＣと基板との間に応力
が発生したとしても、それらの応力はＳｉＣが被覆して
いない部分にも分散し、望まざる応力値の増大を防ぐこ
とが可能となる。

【００３６】

【実施例】以下、実施例に基づき本発明をさらに具体的
に説明する。

【００３７】実施例１Ｓｉ（１００）面を成長用基板とし、この表面を熱酸化
し、３μｍの酸化膜（ＳｉＯ₂層）を形成した。熱酸化
条件を表１に示す。

【００３８】

【表１】

【００３９】熱酸化後に、フォトリソグラフィー技術を
用いて熱酸化膜上に短辺１．２５μｍ、長辺３μｍの矩
形開口パターンをレジストにて形成した。ただし、矩形
開口パターンの辺は＜１１０＞方位に平行にした。この
後、１０％ＨＦ溶液中にて熱酸化膜の露出部をエッチン
グし、矩形のＳｉ露出部を形成した。レジストを過酸化
水素と硫酸の混合液中で除去した後、ＳｉＣの成長を実
施した。ＳｉＣの成長は、基板表面の炭化工程と、原料
ガスの交互供給によるＳｉＣ成長工程に分けられる。炭
化工程では、アセチレン雰囲気中で上記加工済みの基板
を室温から１０５０℃まで１２０分間かけて加熱した。
炭化工程の後に、１０５０℃にてジクロルシランガスと
アセチレンとを交互に基板表面に暴露して、ＳｉＣの成
長を実施した。炭化工程の詳細を表２に、ＳｉＣ成長工
程の詳細を表３にそれぞれ示す。

【００４０】

【表２】

【００４１】

【表３】

【００４２】ＳｉＣ成長工程において、原料ガスの供給
サイクル数を変化させることにより、ＳｉＣの膜厚を変
化させて、反位相領域境界面の濃度を測定したところ、
表４に示す結果を得た。なお、反位相領域境界面の濃度
は、炭化珪素表面をＡＦＭ観察して求めた。この際、炭
化珪素の表面を熱酸化処理しさらに熱酸化膜を除去する
ことにより反位相境界を顕在化させたあとに観察を行っ
た。

【００４３】

【表４】

【００４４】表４から、ＳｉＣの膜厚の増加に伴い反位
相領域境界面の濃度が減少することがわかる。また、Ｓ
ｉＣの厚さが短辺の√2倍である１．７７μｍ以上にな
ると反位相領域境界面の濃度が完全にゼロになることが
わかる。さらに、本発明では、酸化膜（ＳｉＯ₂層）厚
さを３μｍとしているので、ＳｉＣの厚さを２μｍとし
ても、位相領域境界面の濃度は完全にゼロになった。ま
た、ＳｉＣの断面形状は矩形であった。さらに、開口間
隔を０．０５μｍとしたこと以外は上記と同様にしてＳ
ｉＣの成長を実施したところ、隣り合うＳｉＣどうしが
結合することはなかった。比較のため、酸化膜（ＳｉＯ
₂層）厚さを１．５μｍ又は１．８μｍとし、２μｍの
高さのＳｉＣを成長させたが、いずれの場合も位相領域
境界面の濃度はゼロにならず、断面形状は山状であっ
た。さらに、開口間隔を０．０５μｍとしてＳｉＣの成
長を実施したところ、隣り合うＳｉＣどうしの結合が確
認された。

【００４５】実施例２Ｓｉ（１００）面を成長用基板とし、この表面を熱酸化
し、３μｍの酸化膜（ＳｉＯ₂層）を形成した。熱酸化
条件は表１と同じとした。熱酸化後に、フォトリソグラ
フィー技術を用いて熱酸化膜上に短辺１．２５μｍ、長
辺３μｍの矩形開口パターンをレジストにて形成した。
ただし、複数の矩形開口パターンを設け、矩形開口パタ
ーンの辺と＜１１０＞方位との交差角度をそれぞれ変化
させた。この後、１０％ＨＦ溶液中にて熱酸化膜の露出
部をエッチングし、＜１１０＞方位との交差角度が異な
る複数の矩形のＳｉ露出部を形成した。レジストを過酸
化水素と硫酸の混合液中で除去した後、ＳｉＣの成長を
実施した。ＳｉＣの成長は、基板表面の炭化工程と、原
料ガスの交互供給によるＳｉＣ成長工程に分けて行っ
た。炭化工程では、アセチレン雰囲気中で上記加工済み
の基板を室温から１０５０℃まで１２０分間かけて加熱
した。炭化工程の後に、１０５０℃にてジクロルシラン
ガスとアセチレンとを交互に基板表面に暴露して、Ｓｉ
Ｃの成長を実施した。炭化工程の条件は表２と同じと
し、ＳｉＣ成長工程の詳細は表５に示す通りとした。

【００４６】

【表５】

【００４７】形成した矩形開口パターンの長辺と＜１１
０＞方位との交差角度θ（図２）に対する反位相領域境
界面の濃度を測定したところ、表６に示す結果を得た。

【００４８】

【表６】

【００４９】表６から、矩形開口パターンの辺が＜１１
０＞方位に配向するに従い、反位相領域境界面の濃度が
減少することがわかる。また、交差角度が±１５°以内
であれば反位相領域境界面の濃度は小さいことがわか
る。

【００５０】実施例３直形３インチのＳｉ（１００）面を成長用基板とし、こ
の表面を熱酸化し、３μｍの酸化膜（ＳｉＯ₂層）を形
成した。熱酸化条件は表１と同じとした。熱酸化後に、
フォトリソグラフィー技術を用いて熱酸化膜上に短辺
１．２５μｍのラインアンドスペースをレジストにて形
成した。ただし、ラインアンドスペースの辺は＜１１０
＞方位に平行にした。この後、１０％ＨＦ溶液中にて熱
酸化膜の露出部をエッチングし、上記ラインアンドスペ
ースのＳｉ露出部を形成した。レジストを過酸化水素と
硫酸の混合液中で除去した後、ＳｉＣの成長を実施し
た。ＳｉＣの成長は、基板表面の炭化工程と、原料ガス
の交互供給によるＳｉＣ成長工程に分けて行った。炭化
工程では、アセチレン雰囲気中で上記加工済みの基板を
室温から１０５０℃まで１２０分間かけて加熱した。炭
化工程の後に、１０５０℃にてジクロルシランガスとア
セチレンとを交互に基板表面に暴露して、ＳｉＣの成長
を実施した。炭化工程の条件は表２と同じとし、ＳｉＣ
成長工程の詳細は表５に示す通りとした。

【００５１】反位相領域境界面の濃度を測定したとこ
ろ、すべてのパターンについて反位相領域境界面の消滅
を実現した電子素子が得られた。また、隣り合うＳｉＣ
どうしが結合することはなかった。また、成長後の基板
の反り量を６３３ｎｍの干渉計を用いて測定し、そこか
らＳｉＣ膜の内部応力求めたところ、表７に示すよう
に、ラインアンドスペースパターン状に形成したＳｉＣ
膜に関して、著しい応力の低減が認められた。

【００５２】

【表７】

【００５３】比較例１Ｓｉ（１００）面を成長用基板とし、この表面を熱酸化
し、４０００オンク゛ストロームの酸化膜（ＳｉＯ₂層）を形成し
た。熱酸化条件を表８に示す。

【００５４】

【表８】

【００５５】熱酸化後に、フォトリソグラフィー技術を
用いて熱酸化膜上に短辺１．０μｍ、長辺１０００μｍ
の矩形開口パターンをレジストにて形成した。ただし、
矩形開口パターンの辺は＜１１０＞方位に平行にした。
この後、１０％ＨＦ溶液中にて熱酸化膜の露出部をエッ
チングし、矩形のＳｉ露出部を形成した。レジストを過
酸化水素と硫酸の混合液中で除去した後、ＳｉＣの成長
を実施した。ＳｉＣの成長は、基板表面の炭化工程と、
原料ガスの交互供給によるＳｉＣ成長工程に分けられ
る。炭化工程では、アセチレン雰囲気中で上記加工済み
の基板を室温から１０５０℃まで１２０分間かけて加熱
した。炭化工程の後に、１０５０℃にてジクロルシラン
ガスとアセチレンとを交互に基板表面に暴露して、Ｓｉ
Ｃの成長を実施した。炭化工程の条件は表２と同じと
し、ＳｉＣ成長工程の詳細は表９に示す通りとした。

【００５６】

【表９】

【００５７】以上の方法により、成長したＳｉＣ層断面
の様子を図３に示し、このＳｉＣ層断面の走査型電子顕
微鏡写真を図４及び図５に示す。これらの図面に示され
たように、ＳｉＣ層はＳｉＯ₂層上には成長せず、Ｓｉ
Ｏ₂から露出したＳｉ面上に成長している。ただし、成
長したＳｉＣ層はＳｉＯ₂層上を横方向にも成長し、互
いに結合し合っている。そして、ＳｉＣ層の結合部に予
期せぬ面欠陥を導入している。したがって、ＳｉＣの膜
厚が短辺の幅（１．０μｍ）の√2倍以上であるにもか
かわらず、反位相領域境界面濃度の低減はもたらされな
かった。

【００５８】以上実施例をあげて本発明を説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではない。

【００５９】例えば、炭化珪素膜の成膜条件や膜厚等は
実施例のものに限定されない。

【００６０】また、成長用基板としては、例えば、炭化
珪素、サファイヤなどの単結晶基板等を使用でき、マス
ク層としては、他に窒化珪素、アモルファスシリコンな
どを使用できる。

【００６１】珪素の原料ガスとしては、ジクロルシラン
（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂）を使用したが、ＳｉＨ₄、ＳｉＣｌ₄、
ＳｉＨＣｌ₃などを使用することもできる。また、炭素
の原料ガスとしては、アセチレン（Ｃ₂Ｈ₂）を使用した
が、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈などを使用することもでき
る。

【００６２】なお、炭化珪素のエピタキシャル成長法と
しては、気相化学堆積（ＣＶＤ）法の他に、液相エピタ
キシャル成長法、スパッタリング法、分子線エピタキシ
ー（ＭＢＥ）法などを使用することもできる。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように本発明の炭化珪素の
製造方法によれば、反位相領域境界面の低減又は消滅を
確実に実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】炭化珪素の成長の様子を説明するための断面図
である。

【図２】矩形開口パターンの長辺と＜１１０＞方位との
交差角度を説明するための斜視図である。

【図３】比較例における成長したＳｉＣの断面の様子を
示す断面図である。

【図４】基板上に形成された微細パターンであるＳｉＣ
の走査型電子顕微鏡写真である。

【図５】基板上に形成された微細パターンであるＳｉＣ
の走査型電子顕微鏡写真である。

【符号の説明】

１マスク層１ａ非成長領域２理論上の炭化珪素の成長面３実際の炭化珪素の成長面ｔ開口部の高さｗ開口部の幅

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】炭化珪素の成長用基板上に炭化珪素の成
長を阻むマスク層を設け、このマスク層に一箇所以上の
開口部を設けて基板表面を露出させて炭化珪素の成長を
行う炭化珪素の製造方法であって、前記開口部の高さを、開口部の幅ｗの√2（＝２^1/2）倍
以上で、かつ、形成する炭化珪素の厚さを超える高さと
して、炭化珪素の成長を行うことを特徴とする炭化珪素
の製造方法。
【請求項２】前記成長用基板の面方位が立方晶の（１
００）面に相当し、この面上に炭化珪素をエピタキシャ
ル成長させることを特徴とする請求項１記載の炭化珪素
の製造方法。
【請求項３】マスク層に形成する矩形の開口部のいず
れかの辺と、成長用基板の成長面における立方晶の＜１
１０＞方位との交差角度を、±１５°以内とすることを
特徴とする請求項１又は２記載の炭化珪素の製造方法。
【請求項４】マスク層に形成する矩形の開口部のいず
れかの辺と、成長用基板の成長面における立方晶の＜１
１０＞方位との交差角度を、０°とすることを特徴とす
る請求項３記載の炭化珪素の製造方法。
【請求項５】前記炭化珪素の成長レートが、０．０１
〜３０μｍ／ｈｒであることを特徴とする請求項１乃至
４記載の炭化珪素の製造方法。
【請求項６】前記炭化珪素の断面形状が、台形である
ことを特徴とする請求項１乃至５記載の炭化珪素の製造
方法。
【請求項７】マスク層に形成する矩形の開口部の長辺
が短辺の２倍以上であり、かつ、短辺の長さが０．０５
μｍから１０μｍであることを特徴とする請求項１乃至
６記載の炭化珪素の製造方法。
【請求項８】前記成長用基板の面方位を単結晶Ｓｉの
（１００）面とし、炭化珪素の成長を阻むマスク層をＳ
ｉＯ₂層とすることを特徴とする請求項１乃至７記載の
炭化珪素の製造方法。
【請求項９】エピタキシャル成長させる炭化珪素が立
方晶であることを特徴とする請求項１乃至８記載の炭化
珪素の製造方法。
【請求項１０】前記炭化珪素は、シラン系化合物ガス
と炭化水素ガスを交互に反応炉内へ供給して気相化学堆
積（ＣＶＤ）法で成長させることを特徴とする請求項１
乃至９記載の炭化珪素の製造方法。
【請求項１１】請求項１乃至１０記載の炭化珪素の製
造方法を用いて素子設計に基づいた形状を有する炭化珪
素パターンを形成し、この炭化珪素パターン自体を活性
領域として用いたことを特徴とする電子素子。