JPH11181572A - Plasma CVD equipment - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣＰコイル４によるクリーニング効果をよ
り高めることができるプラズマＣＶＤ装置を得る。
【解決手段】 ガスシャワー板３を絶縁材１０、１１、
１２によりチャンバ本体より電気的に絶縁し、ガスシャ
ワー板３に高周波電力を印加し、ガスシャワー板３をク
リーニングするためのＲＦ電源１３を備え、ＩＣＰコイ
ル４によって発生したプラズマをガスシャワー板３の近
傍に引き込んで、その衝突作用によるガスヘッド部のク
リーニング効果を高めるようにした。
(57) Abstract: A plasma CVD apparatus capable of further enhancing a cleaning effect by an ICP coil 4 is provided. SOLUTION: The gas shower plate 3 is made of insulating materials 10, 11,
An RF power supply 13 is provided to electrically insulate the gas shower plate 3 from the chamber body and apply high frequency power to the gas shower plate 3 to clean the gas shower plate 3. By pulling in the vicinity, the effect of cleaning the gas head portion by the collision action is enhanced.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、チャンバ本体内
に設けられたガスシャワー板を有するガスヘッド部をＩ
ＣＰコイルの放電によりクリーニングするようにしたプ
ラズマＣＶＤ装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a gas head having a gas shower plate provided in a chamber body.
The present invention relates to a plasma CVD apparatus configured to perform cleaning by discharging a CP coil.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３は、従来のプラズマＣＶＤ装置のチ
ャンバ本体部の一部を示す一部断面側面図である。図３
において、１、２はガス導入ポート、３はガス導入ポー
ト１、２を取り付けるガス導入ポート取付け板３ａと、
取付け板３ａに対向して設けられ、ガス導入ポート１、
２より導入されたガスをチャンバ内にシャワー状に噴出
するガス噴出板３ｂとからなるガスシャワー板である。
このガスシャワー板３はアース９に接続されている。ま
た、ガス導入ポート１、２はそれぞれポート固定部材１
ａ，２ａを介してガス導入ポート取付け板３ａに固定さ
れている。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a partially sectional side view showing a part of a chamber body of a conventional plasma CVD apparatus. FIG.
In the figures, 1 and 2 are gas introduction ports, 3 is a gas introduction port mounting plate 3a for attaching the gas introduction ports 1 and 2,
The gas introduction port 1, which is provided to face the mounting plate 3a,
And a gas ejection plate 3b for ejecting the gas introduced from 2 into the chamber in a shower shape.
This gas shower plate 3 is connected to the ground 9. Further, the gas introduction ports 1 and 2 are respectively port fixing members 1
It is fixed to the gas introduction port mounting plate 3a via a and 2a.
【０００３】また、図３において、４はガスシャワー板
３の周縁下部に周回状に設けられた成膜用のＩＣＰコイ
ル、５はＩＣＰコイル４に接続可能なＩＣＰ用ＲＦ電
源、６ａ，６ｂはガスノズル、７はチャンバの下部に設
けられた静電チャック、８は静電チャック７に接続可能
なバイアス用ＲＦ電源である。In FIG. 3, reference numeral 4 denotes an ICP coil for film formation provided in a circular shape below the peripheral edge of the gas shower plate 3, 5 denotes an RF power source for ICP connectable to the ICP coil 4, and 6a and 6b denote A gas nozzle 7 is an electrostatic chuck provided at the lower part of the chamber, and 8 is a bias RF power supply connectable to the electrostatic chuck 7.
【０００４】以上の構成において、従来のプラズマＣＶ
Ｄ装置におけるガスシャワー板３から構成されるガスヘ
ッド部のクリーニングは、ＩＣＰコイル４にＩＣＰ用Ｒ
Ｆ電源５を接続して高周波電力（電圧）を印加し、この
とき発生するプラズマの衝突作用でガスシャワー板３等
に付着した生成物を除去するようにしていた。In the above configuration, a conventional plasma CV
The cleaning of the gas head portion composed of the gas shower plate 3 in the D apparatus is performed by applying the ICP coil R to the ICP coil 4.
The F power source 5 was connected to apply high-frequency power (voltage) to remove products attached to the gas shower plate 3 and the like due to the collision action of plasma generated at this time.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣＰ
コイル４により生成されるプラズマは、ＩＣＰコイルに
沿って周回状に運動するため、ガスシャワー板３に衝突
するプラズマは生成プラズマの一部に過ぎない。従って
ＩＣＰコイル４の作用のみによるクリーニングでは、ガ
スシャワー板３に付着した生成物の除去が十分ではな
く、生成物がガスシャワー板３等に残り、このため、頻
繁にガスシャワー板３のメンテナンスを行わなければな
らず、メンテナンス周期が短くなるという問題点があっ
た。SUMMARY OF THE INVENTION However, the ICP
Since the plasma generated by the coil 4 moves in a circular shape along the ICP coil, the plasma colliding with the gas shower plate 3 is only a part of the generated plasma. Therefore, in the cleaning by the action of the ICP coil 4 alone, the products attached to the gas shower plate 3 are not sufficiently removed, and the products remain on the gas shower plate 3 and the like. However, there is a problem that the maintenance cycle is shortened.
【０００６】この発明は、かかる従来の問題点を解決す
るためになされたもので、ガスシャワー板等のガスヘッ
ド部に付着する生成物を十分に除去することができ、も
って頻繁にメンテナンスを行う必要がないプラズマＣＶ
Ｄ装置を得ることを目的としている。The present invention has been made to solve such a conventional problem, and can sufficiently remove a product adhering to a gas head portion such as a gas shower plate, thereby performing frequent maintenance. No need for plasma CV
The purpose is to obtain a D device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、この発明は、チャンバ本体内に設けられたガスヘ
ッド部（ガスシャワー板３）をＩＣＰコイル４の放電に
よりクリーニングするようにしたプラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記ガスヘッド部（ガスシャワー板３）を前記
チャンバ本体より電気的に絶縁し、前記ガスヘッド部に
高周波電力を印加し、前記ガスヘッド部をクリーニング
するためのＲＦ電力印加手段（例えばＲＦ電源１３）を
備えたものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is directed to a plasma in which a gas head (gas shower plate 3) provided in a chamber body is cleaned by discharging an ICP coil 4. In the CVD apparatus, the gas head unit (gas shower plate 3) is electrically insulated from the chamber main body, RF power is applied to the gas head unit, and RF power applying means for cleaning the gas head unit ( For example, an RF power supply 13) is provided.
【０００８】このような構成において、ガスヘッド部
（ガスシャワー板３）はＲＦ電力が印加される電極とし
て作用し、ＩＣＰコイルにより生成されたプラズマの運
動方向をガスシャワー板の方向へ向けることができ、従
って、生成されたプラズマを効率よく、ガスシャワー板
３に衝突させることができ、ＩＣＰコイルによるクリー
ニング効果をより高めることができる。In such a configuration, the gas head portion (gas shower plate 3) acts as an electrode to which RF power is applied, and can direct the motion direction of the plasma generated by the ICP coil toward the gas shower plate. Therefore, the generated plasma can efficiently collide with the gas shower plate 3, and the cleaning effect by the ICP coil can be further enhanced.
【０００９】なお、ＲＦ電力印加手段におけるＲＦ電源
としては、新たに設備する他、静電チャックに印加され
るＲＦ電力を発生するバイアス用ＲＦ電源を用いること
もでき、この場合は、バイアス用ＲＦ電源をスイッチを
用いてクリーニング時にガスヘッド部に切り換え接続す
ることによりＲＦ電力印加手段を構成することができ
る。As the RF power source in the RF power applying means, a bias RF power source for generating RF power to be applied to the electrostatic chuck can be used in addition to newly provided equipment. In this case, the bias RF power source is used. The RF power application means can be configured by switching and connecting the power supply to the gas head unit during cleaning using a switch.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に従って説明する。 実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１におけ
るチャンバ本体部の一部を示す一部断面側面図である。
なお、同図において、図３と同一符号は図３に示したも
のと同一または相当物を示し、ここでの説明を省略す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a partial cross-sectional side view showing a part of a chamber main body according to Embodiment 1 of the present invention.
3, the same reference numerals as those in FIG. 3 denote the same or corresponding components as those shown in FIG. 3, and a description thereof will be omitted.
【００１１】図１において、ガス導入ポート１、２の固
定部材１ａ，２ａとガス導入ポート取付け部材３ａとの
間には、例えば、ゴム製の絶縁材１１、１２が設けら
れ、ガスシャワー板３と各ガス導入ポート１、２との絶
縁が図られている。また、ガスシャワー板３と該ガスシ
ャワー板３の周囲を固定するガスヘッド部取付け部１５
との間には、ガスシャワー板３を周回して、例えばゴム
製の絶縁材１０が設けられている。In FIG. 1, for example, rubber insulating materials 11 and 12 are provided between fixing members 1a and 2a of gas introduction ports 1 and 2 and a gas introduction port mounting member 3a. And the respective gas introduction ports 1 and 2 are insulated. Further, the gas shower plate 3 and a gas head portion mounting portion 15 for fixing the periphery of the gas shower plate 3.
Around the gas shower plate 3, an insulating material 10 made of rubber, for example, is provided.
【００１２】これら絶縁材１０、１１、及び１２は、ガ
スヘッド部をなすガスシャワー板３をその周囲の物から
絶縁するために用いられている。こうして絶縁されたガ
スシャワー板３には、シャワー板クリーニング用ＲＦ電
源１３がアース９との間に接続可能に設けられている。The insulating members 10, 11, and 12 are used to insulate the gas shower plate 3 forming the gas head from surrounding objects. The gas shower plate 3 thus insulated is provided with a shower plate cleaning RF power supply 13 so as to be connectable to the ground 9.
【００１３】以下、実施の形態１の動作について説明す
る。ガスシャワー板３等、ガスヘッド部のクリーニング
に際しては、ＩＣＰ用ＲＦ電源５とＲＦ電源１３をそれ
ぞれＩＣＰコイル４とガスシャワー板３に接続状態とす
る。このときＩＣＰコイル４により生じたプラズマはガ
スシャワー板３に印加された高周波電力により、その運
動方向がガスシャワー板３方向に変更されて、ガスシャ
ワー板３近傍に引き込まれ、ガスシャワー板３及びその
周囲の図示しない石英リング等に衝突する割合が増加
し、従って、これらガスヘッド部及びそれら周辺のクリ
ーニング効果が高められる。The operation of the first embodiment will be described below. When cleaning the gas head such as the gas shower plate 3, the IC power supply 5 and the RF power supply 13 are connected to the ICP coil 4 and the gas shower plate 3, respectively. At this time, the direction of movement of the plasma generated by the ICP coil 4 is changed to the direction of the gas shower plate 3 by the high-frequency power applied to the gas shower plate 3, and the plasma is drawn in the vicinity of the gas shower plate 3. The rate of collision with the surrounding quartz ring (not shown) increases, and the cleaning effect of these gas heads and their surroundings is enhanced.
【００１４】実施の形態２．図２は、この発明の実施の
形態２を示す一部断面側面図である。なお、同図におい
て、図１、図３と同一符号はこれらの図に示したものと
同一または相当物を示し、ここでの説明を省略する。実
施の形態２は、実施の形態１（図１）で示したバイアス
用ＲＦ電源８をシャワー板３のクリーニング用のＲＦ電
源（バイアス兼クリーニング用ＲＦ電源８Ａ）としても
使用できるようにすることにより、実施の形態１に示し
たシャワー板クリーニング用ＲＦ電源１３を省略するよ
うにしたものである。Embodiment 2 FIG. FIG. 2 is a partial cross-sectional side view showing Embodiment 2 of the present invention. 1 and 3, the same reference numerals as those shown in these figures indicate the same or corresponding elements, and a description thereof will be omitted. In the second embodiment, the bias RF power supply 8 shown in the first embodiment (FIG. 1) can be used as an RF power supply for cleaning the shower plate 3 (bias and cleaning RF power supply 8A). In this embodiment, the shower plate cleaning RF power supply 13 shown in the first embodiment is omitted.
【００１５】図２において、１４は、静電チャック７と
ガスシャワー板３とＲＦ電源８Ａとの間に設けられ、Ｒ
Ｆ電源８Ａを静電チャック７とガスシャワー板３との間
で切替接続する切替スイッチである。この切替スイッチ
１４は図示しないウェーハの成膜処理に際しては、その
可動片１４ａが静電チャック側端子１４ｂに接続され、
ＲＦ電源８Ａをバイアス用として使用し、ガスシャワー
板３のクリーニングに際しては、その可動片１４ａがガ
スシャワー板側端子１４ｃに接続され、ＲＦ電源８Ａを
クリーニング用ＲＦ電源として使用するようにしたもの
である。In FIG. 2, reference numeral 14 is provided between the electrostatic chuck 7, the gas shower plate 3, and the RF power source 8A,
This is a changeover switch for switching and connecting the F power supply 8A between the electrostatic chuck 7 and the gas shower plate 3. The switch 14 has a movable piece 14a connected to an electrostatic chuck side terminal 14b during a film formation process of a wafer (not shown).
The RF power source 8A is used for biasing, and when cleaning the gas shower plate 3, the movable piece 14a is connected to the gas shower plate side terminal 14c, and the RF power source 8A is used as an RF power source for cleaning. is there.
【００１６】以上のような構成によれば、クリーニング
用のＲＦ電源にバイアス用のＲＦ電源を使用することが
でき、新たにクリーニング用ＲＦ電源を設備しなくて
も、既存の設備が使用できることとなり、コスト的に
も、また装置の大型化防止にも優れたものとなる。According to the above configuration, the RF power supply for bias can be used as the RF power supply for cleaning, and the existing equipment can be used without newly providing the RF power supply for cleaning. This is excellent in terms of cost and prevention of an increase in the size of the apparatus.
【００１７】[0017]
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、この発
明に係るプラズマＣＶＤ装置では、ガスヘッド部をチャ
ンバ本体より電気的に絶縁し、ガスヘッド部に高周波電
力を印加し、ガスヘッド部をクリーニングするためのＲ
Ｆ電力印加手段を備えるようにしたため、ガスヘッド部
のクリーニング時に該ガスヘッド部はＲＦ電力が印加さ
れる電極として作用し、ＩＣＰコイルにより生成された
プラズマをガスヘッド部の近傍に引き込むことができ、
プラズマの衝突作用によるクリーニング効果をより高め
ることができる。As is apparent from the above description, in the plasma CVD apparatus according to the present invention, the gas head is electrically insulated from the chamber body, high frequency power is applied to the gas head, and the gas head is R for cleaning
The provision of the F power application means allows the gas head to act as an electrode to which RF power is applied during cleaning of the gas head, thereby drawing the plasma generated by the ICP coil into the vicinity of the gas head. ,
The cleaning effect by the collision action of the plasma can be further enhanced.
【図１】この発明の実施の形態１を示す一部断面側面図
である。FIG. 1 is a partial cross-sectional side view showing Embodiment 1 of the present invention.
【図２】この発明の実施の形態２を示す一部断面側面図
である。FIG. 2 is a partial cross-sectional side view showing Embodiment 2 of the present invention.
【図３】従来の技術を示す一部断面側面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional side view showing a conventional technique.
１、２ ガス導入ポート ３ ガスシャワー板 ４ ＩＣＰコイル ５ ＩＣＰ用ＲＦ電源 ７ 静電チャック ８ バイアス用電源 ８Ａ バイアス兼クリーニング用ＲＦ電源 １０、１１、１２ 絶縁材 １３ シャワー板クリーニング用ＲＦ電源 １４ 切替スイッチ 1, 2 gas introduction port 3 gas shower plate 4 ICP coil 5 RF power supply for ICP 7 electrostatic chuck 8 power supply for bias 8A RF power supply for bias and cleaning 10, 11, 12 insulating material 13 RF power supply for shower plate cleaning 14 changeover switch
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 崇之 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内Continuation of the front page (72) Inventor Takayuki Sato 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo Inside Kokusai Electric Corporation
Claims (1)
部をＩＣＰコイルの放電によりクリーニングするように
したプラズマＣＶＤ装置において、 前記ガスヘッド部を前記チャンバ本体より電気的に絶縁
し、前記ガスヘッド部に高周波電力を印加し、前記ガス
ヘッド部をクリーニングするためのＲＦ電力印加手段を
備えたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。1. A plasma CVD apparatus wherein a gas head provided in a chamber main body is cleaned by discharging an ICP coil, wherein the gas head is electrically insulated from the chamber main body. A plasma CVD apparatus comprising: RF power applying means for applying high-frequency power to the substrate and cleaning the gas head.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35373697A JPH11181572A (en) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | Plasma CVD equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35373697A JPH11181572A (en) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | Plasma CVD equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11181572A true JPH11181572A (en) | 1999-07-06 |
Family
ID=18432877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35373697A Withdrawn JPH11181572A (en) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | Plasma CVD equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11181572A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2808224A1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Unaxis Balzers Ag | HF PLASMA REACTOR |
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-
1997
- 1997-12-22 JP JP35373697A patent/JPH11181572A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050301 |