JPH11183742A - 半導体導波型偏波回転素子 - Google Patents
半導体導波型偏波回転素子Info
- Publication number
- JPH11183742A JPH11183742A JP35433897A JP35433897A JPH11183742A JP H11183742 A JPH11183742 A JP H11183742A JP 35433897 A JP35433897 A JP 35433897A JP 35433897 A JP35433897 A JP 35433897A JP H11183742 A JPH11183742 A JP H11183742A
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- JP
- Japan
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- waveguide
- polarization rotation
- layer
- substrate
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 曲線導波路を利用した半導体導波型偏波回転
素子において、偏波回転効率を大きくする。 【解決手段】 一対の直線導波路を、直列接続した複数
の曲線導波路セグメントにより結合することにより、光
の偏波面を回転させることのできる半導体導波型偏波回
転素子が構成されている。この半導体導波型偏波回転素
子の断面構造において、リブ側壁角度２８は、基板２３
に対して直角ではない角度に傾斜している。またガイド
層２１は、基板２３側にアンダーエッチ層２７を有して
いる。リブ側壁角度２８やアンダーエッチ層２７の厚さ
をパラメータとして最適値に設定することにより、偏波
回転特性を向上させることができる。
素子において、偏波回転効率を大きくする。 【解決手段】 一対の直線導波路を、直列接続した複数
の曲線導波路セグメントにより結合することにより、光
の偏波面を回転させることのできる半導体導波型偏波回
転素子が構成されている。この半導体導波型偏波回転素
子の断面構造において、リブ側壁角度２８は、基板２３
に対して直角ではない角度に傾斜している。またガイド
層２１は、基板２３側にアンダーエッチ層２７を有して
いる。リブ側壁角度２８やアンダーエッチ層２７の厚さ
をパラメータとして最適値に設定することにより、偏波
回転特性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体導波型偏波回
転素子に関するものであり、側壁の傾き角やアンダーエ
ッチ層の厚さを適切に選択することにより偏波回転特性
を最適化できるようにしたものである。
転素子に関するものであり、側壁の傾き角やアンダーエ
ッチ層の厚さを適切に選択することにより偏波回転特性
を最適化できるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体導波型光増幅器や半導体導波型光
変調器は、有用な光制御素子として広く利用されてい
る。しかしながら、半導体はその結晶構造に起因する異
方性を有しているため、これらの素子の性能は、入射さ
れる光信号の偏波方向により異なったものとなる。一
方、光信号の偏波面は光ファイバ伝送中に不規則に回転
するため、光ファイバを介して伝送されてきた光信号に
対し、半導体導波型光増幅器や半導体導波型光変調器を
使用する場合には、偏波面を半導体導波型光増幅器や半
導体導波型光変調器に適した偏波面に合わせる必要があ
る。半導体導波型偏波回転素子は入射した光の偏波面を
その構造から定まる一定角度回転することができるた
め、偏波面を合わせるために利用して有用である。
変調器は、有用な光制御素子として広く利用されてい
る。しかしながら、半導体はその結晶構造に起因する異
方性を有しているため、これらの素子の性能は、入射さ
れる光信号の偏波方向により異なったものとなる。一
方、光信号の偏波面は光ファイバ伝送中に不規則に回転
するため、光ファイバを介して伝送されてきた光信号に
対し、半導体導波型光増幅器や半導体導波型光変調器を
使用する場合には、偏波面を半導体導波型光増幅器や半
導体導波型光変調器に適した偏波面に合わせる必要があ
る。半導体導波型偏波回転素子は入射した光の偏波面を
その構造から定まる一定角度回転することができるた
め、偏波面を合わせるために利用して有用である。
【０００３】半導体導波型偏波回転素子としては、種々
の構造のものが使用されているが、その中に、曲線導波
路を利用するものがある（C. van Dam, et al, "Novel
compact InP-based polarization converters using ul
tra short bends ", pp. 468,Proceedings of the 199
6 Integrated Photonic Research Workshop.）。
の構造のものが使用されているが、その中に、曲線導波
路を利用するものがある（C. van Dam, et al, "Novel
compact InP-based polarization converters using ul
tra short bends ", pp. 468,Proceedings of the 199
6 Integrated Photonic Research Workshop.）。
【０００４】図１は、曲線導波路を利用した半導体導波
型偏波回転素子の導波路アレイの典型例を示している。
このレイアウトにおいて、導波路幅１４となっている２
つの直線導波路１と直線導波路１０が、８個の曲り導波
路セグメント２〜９により結合されている。曲り導波路
セグメント２〜９の導波路幅１４は、直線導波路（直線
部分）１，１０の導波路幅１４と等しい。また、曲線導
波路セグメント２〜９において、曲り半径１１とセグメ
ント角１２は一定である。
型偏波回転素子の導波路アレイの典型例を示している。
このレイアウトにおいて、導波路幅１４となっている２
つの直線導波路１と直線導波路１０が、８個の曲り導波
路セグメント２〜９により結合されている。曲り導波路
セグメント２〜９の導波路幅１４は、直線導波路（直線
部分）１，１０の導波路幅１４と等しい。また、曲線導
波路セグメント２〜９において、曲り半径１１とセグメ
ント角１２は一定である。
【０００５】ここで、曲り導波路セグメント２〜９につ
いて説明する。曲線導波路を利用した半導体導波型偏波
回転素子では、リブ型の曲り導波路である曲り導波路セ
グメント２〜９が用いられており、図１に示すように、
各曲り導波路セグメント２〜９は、隣り合ったセグメン
トと構造を比較すると、基板に垂直な軸に対して左右反
転しており、この曲り導波路セグメント２〜９が１以上
の周期でカスケードに接続されている。
いて説明する。曲線導波路を利用した半導体導波型偏波
回転素子では、リブ型の曲り導波路である曲り導波路セ
グメント２〜９が用いられており、図１に示すように、
各曲り導波路セグメント２〜９は、隣り合ったセグメン
トと構造を比較すると、基板に垂直な軸に対して左右反
転しており、この曲り導波路セグメント２〜９が１以上
の周期でカスケードに接続されている。
【０００６】図１に示すレイアウトとなっている半導体
導波型偏波回転素子において、図１中での切断面Ａ−Ａ
での従来の断面斜視構造（今後、この断面構造を従来構
造と呼ぶことにする。）を図４に示す。
導波型偏波回転素子において、図１中での切断面Ａ−Ａ
での従来の断面斜視構造（今後、この断面構造を従来構
造と呼ぶことにする。）を図４に示す。
【０００７】図４の断面構造（従来構造）に示すよう
に、従来では、ガイド層０１は、クラッド層０２と基板
０３に挟まれると共に、オーバエッチ層０７によりオー
バエッチされて基板０３の上に形成されている。ガイド
層０１は、ガイド層厚０５の厚さを有し、クラッド層０
２はクラッド層厚０４の厚さを有している。またガイド
層０１は導波路幅０６の幅を有し、クラッド層０２は導
波路幅０６の幅を有している。つまり、ガイド層０１と
クラッド層０２の幅は等しくなっている。換言すると、
従来構造では、側壁は基板０３に対して垂直になってお
り、リブ側壁角度０８は直角になっている。
に、従来では、ガイド層０１は、クラッド層０２と基板
０３に挟まれると共に、オーバエッチ層０７によりオー
バエッチされて基板０３の上に形成されている。ガイド
層０１は、ガイド層厚０５の厚さを有し、クラッド層０
２はクラッド層厚０４の厚さを有している。またガイド
層０１は導波路幅０６の幅を有し、クラッド層０２は導
波路幅０６の幅を有している。つまり、ガイド層０１と
クラッド層０２の幅は等しくなっている。換言すると、
従来構造では、側壁は基板０３に対して垂直になってお
り、リブ側壁角度０８は直角になっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、曲線導波路
を利用した従来の半導体導波型偏波回転素子（C. vanDa
m, et al, "Novel compact InP-based polarization c
onverters usingultra short bends " , pp. 468,Proce
edings of the 1996 IntegratedPhotonic Research Wor
kshop. ）では、偏波回転効率は図１に示される導波路
のレイアウトにおける曲り半径１１とセグメント角１２
を適切に設定することにより、最適化が行われていた。
しかし、この二つのパラメータ（曲り半径１１とセグメ
ント角１２）だけでは、設計自由度が小さく、得られる
偏波回転効率も小さかった。
を利用した従来の半導体導波型偏波回転素子（C. vanDa
m, et al, "Novel compact InP-based polarization c
onverters usingultra short bends " , pp. 468,Proce
edings of the 1996 IntegratedPhotonic Research Wor
kshop. ）では、偏波回転効率は図１に示される導波路
のレイアウトにおける曲り半径１１とセグメント角１２
を適切に設定することにより、最適化が行われていた。
しかし、この二つのパラメータ（曲り半径１１とセグメ
ント角１２）だけでは、設計自由度が小さく、得られる
偏波回転効率も小さかった。
【０００９】本発明の目的は、設計自由度となるパラメ
ータを増やして偏波回転効率の大きな半導体導波型偏波
回転素子を提供することである。
ータを増やして偏波回転効率の大きな半導体導波型偏波
回転素子を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の構成は、半導体基板上に形成され、リブ型の曲り導
波路を１つのセグメントとし、そのセグメント構造を基
板に垂直な軸に対して左右反転した構造を有するセグメ
ントが１以上の周期でカスケードに接続された半導体導
波型偏波回転素子において、前記リブの側壁が基板に対
して垂直では無い傾き角を有することを特徴とする。
明の構成は、半導体基板上に形成され、リブ型の曲り導
波路を１つのセグメントとし、そのセグメント構造を基
板に垂直な軸に対して左右反転した構造を有するセグメ
ントが１以上の周期でカスケードに接続された半導体導
波型偏波回転素子において、前記リブの側壁が基板に対
して垂直では無い傾き角を有することを特徴とする。
【００１１】また本発明の構成は、半導体基板上に形成
され、リブ型の曲り導波路を１つのセグメントとし、そ
のセグメント構造を基板に垂直な軸に対して左右反転し
た構造を有するセグメントが１以上の周期でカスケード
に接続され、ガイド層の基板側にアンダーエッチ層を有
することを特徴とする。
され、リブ型の曲り導波路を１つのセグメントとし、そ
のセグメント構造を基板に垂直な軸に対して左右反転し
た構造を有するセグメントが１以上の周期でカスケード
に接続され、ガイド層の基板側にアンダーエッチ層を有
することを特徴とする。
【００１２】結局本発明では、上記の問題を解決するた
めに、曲線導波路を利用した半導体導波型偏波回転素子
の断面構造において、リブ側壁は基板に対して傾いてお
り、傾き角は０度ではない構造とした。また、アンダー
エッチ層を存在させた。本発明の断面構造は、通常の結
晶成長技術とドライエッチング技術により、容易に作製
できる。
めに、曲線導波路を利用した半導体導波型偏波回転素子
の断面構造において、リブ側壁は基板に対して傾いてお
り、傾き角は０度ではない構造とした。また、アンダー
エッチ層を存在させた。本発明の断面構造は、通常の結
晶成長技術とドライエッチング技術により、容易に作製
できる。
【００１３】〔作用〕最近報告された曲線導波路を利用
した半導体導波型偏波回転素子の理論的研究（Lui et a
l., "Modeling and Design of Bending Waveguide Base
dSemiconductor Polarization Rotators,"IEEE Photoni
cs Technology Letters,Vol.9.,No.10,pp.1379-1381,19
97) は、偏波回転素子の特性が、曲線導波路内を伝播す
る光のフィールドプロファイルによって定まる、４つの
基本的パラメータｋxx，ｋyy，ｋxy，ｋyxにより支配さ
れることを明らかにしている。曲線導波路の側壁の傾き
角やアンダーエッチ層の厚さを変えることにより、フィ
ールドプロファイルを変えることができる。その結果、
４つのパラメータｋxx，ｋyy，ｋxy，ｋyxを精密に選択
することができる。”従来構造”では、このようなこと
は不可能であった。
した半導体導波型偏波回転素子の理論的研究（Lui et a
l., "Modeling and Design of Bending Waveguide Base
dSemiconductor Polarization Rotators,"IEEE Photoni
cs Technology Letters,Vol.9.,No.10,pp.1379-1381,19
97) は、偏波回転素子の特性が、曲線導波路内を伝播す
る光のフィールドプロファイルによって定まる、４つの
基本的パラメータｋxx，ｋyy，ｋxy，ｋyxにより支配さ
れることを明らかにしている。曲線導波路の側壁の傾き
角やアンダーエッチ層の厚さを変えることにより、フィ
ールドプロファイルを変えることができる。その結果、
４つのパラメータｋxx，ｋyy，ｋxy，ｋyxを精密に選択
することができる。”従来構造”では、このようなこと
は不可能であった。
【００１４】本発明では、側壁の傾き角とアンダーエッ
チ層の厚さを適切に選択することにより、曲線導波路を
利用した半導体導波型偏波回転素子の特性を最適化する
ことができる。
チ層の厚さを適切に選択することにより、曲線導波路を
利用した半導体導波型偏波回転素子の特性を最適化する
ことができる。
【００１５】よって、曲線導波路を利用した半導体導波
型偏波回転素子の導波路断面構造に関する本発明におい
て、新規な設計パラメータを導入でき、それらのパラメ
ータを適切に設定することにより、偏波回転効率を大き
くさせることができる。
型偏波回転素子の導波路断面構造に関する本発明におい
て、新規な設計パラメータを導入でき、それらのパラメ
ータを適切に設定することにより、偏波回転効率を大き
くさせることができる。
【００１６】さらに、本発明の設計パラメータを従来の
設計パラメータ（曲り半径１１とセグメント角１２）と
一緒に最適化することにより、偏波回転効率の最適化は
容易となり、かつ、得られる偏波回転効率も高い。
設計パラメータ（曲り半径１１とセグメント角１２）と
一緒に最適化することにより、偏波回転効率の最適化は
容易となり、かつ、得られる偏波回転効率も高い。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態にかか
る半導体導波型偏波回転素子を、図面に基づき詳細に説
明する。
る半導体導波型偏波回転素子を、図面に基づき詳細に説
明する。
【００１８】本実施の形態にかかる半導体導波型偏波回
転素子の導波路レイアウトは図１に示されるものと同様
であり、曲り半径１１が５０μｍに固定されているもの
を取り上げる。そして、本実施の形態にかかる半導体導
波型偏波回転素子の断面構造（図１におけるＡ−Ａ断面
部での構造）は、図２に示される構造のものとした。
転素子の導波路レイアウトは図１に示されるものと同様
であり、曲り半径１１が５０μｍに固定されているもの
を取り上げる。そして、本実施の形態にかかる半導体導
波型偏波回転素子の断面構造（図１におけるＡ−Ａ断面
部での構造）は、図２に示される構造のものとした。
【００１９】図２の断面構造（本実施の形態の断面構
造）に示すように、本実施の形態にかかる半導体導波型
偏波回転素子の曲り導波路セグメントの断面構造では、
ガイド層２１は、クラッド層２２と基板２３に挟まれる
と共に、アンダーエッチ層２７によりアンダーエッチさ
れて基板２３の上に形成されている。なお、アンダーエ
ッチ層２７はガイド層２１と同一組成であり、このアン
ダーエッチ層２７により導波路周辺を覆っている。
造）に示すように、本実施の形態にかかる半導体導波型
偏波回転素子の曲り導波路セグメントの断面構造では、
ガイド層２１は、クラッド層２２と基板２３に挟まれる
と共に、アンダーエッチ層２７によりアンダーエッチさ
れて基板２３の上に形成されている。なお、アンダーエ
ッチ層２７はガイド層２１と同一組成であり、このアン
ダーエッチ層２７により導波路周辺を覆っている。
【００２０】ガイド層２１は、ガイド層厚２５の厚さを
有し、クラッド層２２はクラッド層厚２４の厚さを有し
ている。またクラッド層２２は導波路上部幅２６の幅を
有し、ガイド層２１は導波路上部幅２６の幅よりも広く
なっている。具体的には、クラッド層上部幅２６を１．
４μｍとし、クラッド層厚２４は０．３μｍとした。ガ
イド層厚２５は０．６μｍとした。結局、本実施の形態
の構造では、側壁は基板２３に対して垂直ではない傾き
角を有している。即ち、リブ側壁角度２８は、従来とは
異なり、直角にはなっていない。
有し、クラッド層２２はクラッド層厚２４の厚さを有し
ている。またクラッド層２２は導波路上部幅２６の幅を
有し、ガイド層２１は導波路上部幅２６の幅よりも広く
なっている。具体的には、クラッド層上部幅２６を１．
４μｍとし、クラッド層厚２４は０．３μｍとした。ガ
イド層厚２５は０．６μｍとした。結局、本実施の形態
の構造では、側壁は基板２３に対して垂直ではない傾き
角を有している。即ち、リブ側壁角度２８は、従来とは
異なり、直角にはなっていない。
【００２１】このように、本実施の形態では、リブ側壁
角度２８を、基板２３に対して垂直では無い傾き角とす
ると共に、アンダーエッチ層２７を設けたことにより、
偏波回転効率が向上する（詳細は後述する）。
角度２８を、基板２３に対して垂直では無い傾き角とす
ると共に、アンダーエッチ層２７を設けたことにより、
偏波回転効率が向上する（詳細は後述する）。
【００２２】次に、本実施の形態の構造を採用すること
により、偏波回転効率が向上したことを説明する。
により、偏波回転効率が向上したことを説明する。
【００２３】ここでは、図１の直線導波路１への入射光
は純粋にＴＥ（transverse-electric）光とする。偏波
回転効率ηは次式（１）で示される。なお式（１）にお
いてＥx とＥy は、図１で出力ポート側となっている直
線導波路１０における出力光の電解強度のＴＭ（transv
erse-magnetic ）成分と、ＴＥ（transverse-electri
c）成分とを示す。
は純粋にＴＥ（transverse-electric）光とする。偏波
回転効率ηは次式（１）で示される。なお式（１）にお
いてＥx とＥy は、図１で出力ポート側となっている直
線導波路１０における出力光の電解強度のＴＭ（transv
erse-magnetic ）成分と、ＴＥ（transverse-electri
c）成分とを示す。
【００２４】
【数１】
【００２５】曲り半径１１（図１参照）を５０μｍに設
定し、アンダーエッチ層２７（図２参照）の厚さをパラ
メータとして０から、０．１μｍまでの値を種々与えた
場合における、最大偏波回転効率のリブ側壁角度２８
（図２参照）の依存性を図３に示す。セグメント角１２
（図１参照）は、偏波回転効率が最大になるように適宜
変化させた。図３の実線・破線・点線はそれぞれアンダ
ーエッチ層２７の厚さが０μｍ、０．０５μｍ、０．１
０μｍの場合である。
定し、アンダーエッチ層２７（図２参照）の厚さをパラ
メータとして０から、０．１μｍまでの値を種々与えた
場合における、最大偏波回転効率のリブ側壁角度２８
（図２参照）の依存性を図３に示す。セグメント角１２
（図１参照）は、偏波回転効率が最大になるように適宜
変化させた。図３の実線・破線・点線はそれぞれアンダ
ーエッチ層２７の厚さが０μｍ、０．０５μｍ、０．１
０μｍの場合である。
【００２６】リブ側壁角度が０度でアンダーエッチ層の
厚さが０μｍの場合が従来構造に対応し、この場合、最
大偏波回転効率は１５％である。アンダーエッチ層２７
の厚さが０より大きい場合、もしくは、リブ側壁角度２
８が０度より大きい場合が本発明に該当する。アンダー
エッチ層２７の厚さが徐々に増加するにつれ、最大偏波
回転効率は全般的に増加する。リブ側壁角度２８が１
２．５度の場合、最大偏波回転効率は９９％以上とな
る。
厚さが０μｍの場合が従来構造に対応し、この場合、最
大偏波回転効率は１５％である。アンダーエッチ層２７
の厚さが０より大きい場合、もしくは、リブ側壁角度２
８が０度より大きい場合が本発明に該当する。アンダー
エッチ層２７の厚さが徐々に増加するにつれ、最大偏波
回転効率は全般的に増加する。リブ側壁角度２８が１
２．５度の場合、最大偏波回転効率は９９％以上とな
る。
【００２７】このように、リブ側壁角度２８とアンダー
エッチ層２７の厚さを適切に設定することにより、曲線
導波路を利用した半導体導波型偏波回転素子の偏波回転
効率を極めて大きく改善することができる。つまり、図
３に示されるように、本発明により、９９％以上の偏波
回転効率が達成できる。このように本実施の形態におけ
る偏波回転効率は、従来構造の低い偏波回転効率とは大
きく異なる。
エッチ層２７の厚さを適切に設定することにより、曲線
導波路を利用した半導体導波型偏波回転素子の偏波回転
効率を極めて大きく改善することができる。つまり、図
３に示されるように、本発明により、９９％以上の偏波
回転効率が達成できる。このように本実施の形態におけ
る偏波回転効率は、従来構造の低い偏波回転効率とは大
きく異なる。
【００２８】
【発明の効果】以上実施の形態と共に具体的に説明した
ように、本発明では、リブの側壁が基板に対して直角で
はない傾き角を有するようにしたり、アンダーエッチ層
を有するようにした構成としたため、リブ側壁角度やア
ンダーエッチ層の厚さを適切に設定することにより、曲
線導波路を利用した半導体導波型偏波回転素子の偏波回
転効率を極めて大きく改善することができる。
ように、本発明では、リブの側壁が基板に対して直角で
はない傾き角を有するようにしたり、アンダーエッチ層
を有するようにした構成としたため、リブ側壁角度やア
ンダーエッチ層の厚さを適切に設定することにより、曲
線導波路を利用した半導体導波型偏波回転素子の偏波回
転効率を極めて大きく改善することができる。
【図１】曲線導波路を利用した半導体導波型偏波回転素
子を基板の上方から見た場合の導波路アレイを示す模式
図。
子を基板の上方から見た場合の導波路アレイを示す模式
図。
【図２】本発明の実施の形態にかかる半導体導波型偏波
回転素子の断面構造を示す断面斜視図。
回転素子の断面構造を示す断面斜視図。
【図３】アンダーエッチ層の厚さをパラメータとして０
μｍ、０．０５μｍ、０．１０μｍとした場合の最大偏
波回転効率の傾き角依存性を示す特性図。
μｍ、０．０５μｍ、０．１０μｍとした場合の最大偏
波回転効率の傾き角依存性を示す特性図。
【図４】半導体導波型偏波回転素子の従来の断面構造を
示す断面斜視図。
示す断面斜視図。
１，１０ 直線導波路 ２〜９ 曲線導波路セグメント １１ 曲り半径 １２ セグメント角 １４ 導波路幅 ０１，２１ ガイド層 ０２，２２ クラッド層 ０３，２３ 基板 ０４，２４ クラッド層厚 ０５，２５ ガイド層厚 ０６ 導波路幅 ２６ 導波路上部幅 ０７ オーバエッチ層 ２７ アンダーエッチ層 ０８，２８ リブ側壁角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥 哲 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 吉本 直人 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 伊藤 敏夫 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成され、リブ型の曲り
導波路を１つのセグメントとし、そのセグメント構造を
基板に垂直な軸に対して左右反転した構造を有するセグ
メントが１以上の周期でカスケードに接続された半導体
導波型偏波回転素子において、 前記リブの側壁が基板に対して垂直では無い傾き角を有
することを特徴とする半導体導波型偏波回転素子。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成され、リブ型の曲り
導波路を１つのセグメントとし、そのセグメント構造を
基板に垂直な軸に対して左右反転した構造を有するセグ
メントが１以上の周期でカスケードに接続され、ガイド
層の基板側にアンダーエッチ層を有することを特徴とす
る半導体導波型偏波回転素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35433897A JPH11183742A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 半導体導波型偏波回転素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35433897A JPH11183742A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 半導体導波型偏波回転素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11183742A true JPH11183742A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18436886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35433897A Pending JPH11183742A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 半導体導波型偏波回転素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11183742A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512860B2 (en) | 2000-08-18 | 2003-01-28 | Danmarks Tekniske Universitet | Bent electro-absorption modulator |
| WO2014188552A1 (ja) * | 2013-05-23 | 2014-11-27 | 富士通株式会社 | 光半導体集積素子及びその製造方法 |
| JP2015152633A (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-24 | 沖電気工業株式会社 | 光素子及び波長合分波素子 |
| JP2017518524A (ja) * | 2014-03-31 | 2017-07-06 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | 一連のベンドを備える導波路型偏光子のための装置および方法 |
-
1997
- 1997-12-24 JP JP35433897A patent/JPH11183742A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512860B2 (en) | 2000-08-18 | 2003-01-28 | Danmarks Tekniske Universitet | Bent electro-absorption modulator |
| WO2014188552A1 (ja) * | 2013-05-23 | 2014-11-27 | 富士通株式会社 | 光半導体集積素子及びその製造方法 |
| JPWO2014188552A1 (ja) * | 2013-05-23 | 2017-02-23 | 富士通株式会社 | 光半導体集積素子及びその製造方法 |
| US9711938B2 (en) | 2013-05-23 | 2017-07-18 | Fujitsu Limited | Integrated semiconductor optical element and manufacturing method for same |
| US10027088B2 (en) | 2013-05-23 | 2018-07-17 | Fujitsu Limited | Integrated semiconductor optical element and manufacturing method for same |
| JP2015152633A (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-24 | 沖電気工業株式会社 | 光素子及び波長合分波素子 |
| JP2017518524A (ja) * | 2014-03-31 | 2017-07-06 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | 一連のベンドを備える導波路型偏光子のための装置および方法 |
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