JPH11186151A

JPH11186151A - 近接効果補正方法及びこれに用いられる補正用レチクル

Info

Publication number: JPH11186151A
Application number: JP36421097A
Authority: JP
Inventors: Yukisato Kawamura; 幸里川村
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-12-16
Filing date: 1997-12-16
Publication date: 1999-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】パターン形成用電子ビームの加速電圧を高め
ても、チップ領域の周辺部分においても近接効果を適正
に補正し、微細パターンの描画精度の向上を図る。【解決手段】補正用レチクルを介して感光基板１８上
に感光基板１８を感光させる補正用電子ビームを照射す
ることによって、感光基板１８上のチップ領域２１内の
領域２３へのパターン形成用電子ビームの照射による近
接効果を補正する。チップ領域２１内の領域２４のみな
らず、感光基板１８上におけるチップ領域２１の外側の
周辺領域２２にも、補正用電子ビームを照射する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、電子ビー
ム描画あるいは電子ビーム露光を行った感光基板等の試
料で生ずる近接効果を補正するための近接効果補正方
法、及びこれに用いられる補正用レチクルに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年のＬＳＩデバイスは、微細化傾向が
強まり、近い将来にも０．１μｍあるいはそれ以下の寸
法に達したデバイスが現われようとしている。このよう
に微細化されたデバイスパターンを、レジストが塗布さ
れた半導体ウエハ等の感光基板などの試料に電子ビーム
で描画する場合には、入射した電子の試料内での後方散
乱に起因する近接効果の補正がより一層重要なファクタ
ーとなる。

【０００３】この近接効果の補正方法には、（１）照射
量変動による補正、（２）マルチレイヤーレジストを用
いた補正、（３）リサイズ・リシェイプによる補正、
（４）いわゆるゴースト法を用いた補正、などを挙げる
ことができる。

【０００４】前記（１）の方法は、補正のためのドーズ
変動量を求めるために膨大な計算を行わなければならな
いのに加え、ラスタスキャン方式での適用が困難であ
る。前記（２）の方法は、レジスト塗布、現像のプロセ
スが複雑化するという欠点を有している。前記（３）の
方法は、パターンバイアッシングとも呼ばれる方法であ
るが、パターン寸法の極微細な調整、その調整量の計算
が必要になるという問題を抱える。

【０００５】そこで、これらの問題の生じない近接効果
の補正方法として、前記（４）のいわゆるゴースト法に
よる近接効果補正方法が着目されている。これは、後方
散乱電子による試料の露光量（すなわち、試料内のエネ
ルギー蓄積量）が試料全面で均一化されるように、パタ
ーン形成のための電子ビームの照射の前又は後に、補正
用レチクルを介して試料を感光させるエネルギービーム
を照射する近接効果補正方法である。

【０００６】このゴースト法のうち最も基本的な方法で
は、形成しようとするパターン形成予定領域以外の部分
に、該パターン形成のためのビーム照射量よりも少ない
照射量で、入射した電子が試料内で散乱する領域の水平
成分距離だけ、十分にぼかしたエネルギービームを照射
する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前述したような従来の
ゴースト法を用いて補正露光する場合に、印可する加速
電圧が低ければ、入射した電子が試料内で散乱する領域
の水平成分距離も短いため、あまり問題視されなかった
が、加速電圧が高くなると以下のような問題が生じる。

【０００８】すなわち、印可する加速電圧が高くなるに
従って、図６に示すように、入射した電子が試料（レジ
スト及び基板等）内で散乱する領域の水平成分距離も増
加する。図６は、試料を厚さ０．５μｍのレジストを塗
布したＳｉ基板とした場合のモンテカルロ・シミュレー
タによる電子散乱軌跡図であり、図６（ａ）は加速電圧
を３０ｋｅＶとした場合の電子散乱軌跡、図６（ｂ）は
加速電圧を１００ｋｅＶとした場合の電子散乱軌跡を示
す。なお、図６において、横軸は電子ビームの入射位置
を基準とした水平方向（基板と平行な方向）の距離を示
し、縦軸は当該試料の深さを示している。図６からわか
るように、電子散乱領域の水平成分距離は、電子ビーム
を加速電圧３０ｋｅＶで入射した場合に７μｍ程であっ
たものが、加速電圧５０ｋｅＶでは１５〜２０μｍ程度
（図示せず）、加速電圧７５ｋｅＶでは３５〜４０μｍ
程度（図示せず）、加速電圧１００ｋｅＶともなると６
５μｍを超える程拡がってしまう。したがって、印可す
る加速電圧が高加速化するに従って、試料内のエネルギ
ー蓄積量を正しく均一化するための補正照射領域も、当
然広領域化してくる。

【０００９】しかしながら、前述したような従来のゴー
スト法による近接効果補正方法では、補正露光のための
照射領域の範囲を特に規定していなかったので、パター
ン形成のために印可する加速電圧を電子散乱領域が数十
μｍにも達する程度まで高めると、チップ領域の外側の
周辺領域において、試料内のエネルギー蓄積量を正しく
均一化するための補正照射領域が存在しないことによる
影響が大きくなり、チップ領域の周辺付近において十分
な近接効果補正を行うことができずに試料内のエネルギ
ー蓄積量の不均一化が生じることになる。このため、前
述したような従来のゴースト法では、高加速電圧でパタ
ーンを形成すると、チップ領域の周辺まで及んでいるパ
ターンに関して、当該パターンのチップ領域周辺の部分
が、予定外に太くなったり細くなってしまい、微細化さ
れたパターンを設計寸法通りに精度良く露光することが
困難になってしまう。

【００１０】この点について、前述した従来の基本的な
ゴースト法を例として、図４及び図５を参照して説明す
る。

【００１１】図４は、前記従来の基本的なゴースト法に
よる、試料としての感光基板（例えば、レジストが塗布
された基板）４１の露光領域及びそれにより形成される
パターンを模式的に示す図であり、図４（ａ）は感光基
板４１のある一部分を拡大して示した平面図、図４
（ｂ）は図４（ａ）中の点Ａ付近の一部を拡大した拡大
図、図４（ｃ）は現像処理後の残存パターン５１を示す
もので図４（ｂ）に対応する拡大図である。また、図５
は、本例で用いるパターン形成用レチクル４５及び補正
用レチクル４６の要部を示す平面図である。なお、本例
では、感光基板４１には、ネガレジストが塗布されてい
るものとする。

【００１２】図４（ａ）において４２はチップ領域であ
り、該チップ領域４２の範囲内において電子ビームによ
り露光される。チップ領域４２は、感光基板４１上に所
定間隔をあけて２次元に配置されている。図４（ｂ）に
は、１つのチップ領域４２の図中左上隅の点Ａ付近を拡
大したものを示している。図４（ｂ）において、４３は
チップ領域４２内においてパターン形成用の電子ビーム
が露光されるパターン形成用露光領域（この領域には補
正用電子ビームは露光されない。）であり、４４はチッ
プ領域４２内において補正用の電子ビームが露光される
補正用露光領域（この領域にはパターン形成用電子ビー
ムは露光されない。）である。

【００１３】このような露光を行うため、パターン形成
用の電子ビームを露光する際には図５（ａ）に示すよう
なパターン形成用レチクル４５を用い、補正用の電子ビ
ームを露光する際には図５（ｂ）に示すような補正用レ
チクル４６を用いる。周知のように電子ビームは通常分
割露光されるため、図面には示していないが、チップ領
域４２は複数の副視野に分割され、チップ領域４２の各
副視野に対応する複数の副視野がレチクル４５，４６上
に適当間隔をあけて２次元にそれぞれ形成されている。
図５（ａ）（ｂ）中の点Ａ’は図４（ａ）〜（ｃ）中の
点Ａに対応している。なお、レチクル４５，４６の各副
視野のパターンは、本来は例えば左右反転したものとな
るが、図５（ａ）（ｂ）では、理解を容易にするため、
反転させないで記載している。図５（ａ）には、チップ
領域４２の点Ａを含む図中左上隅部の副視野に対応する
パターン形成用レチクル４５の１つの副視野４７の一部
のみを示している。同様に、図５（ｂ）には、チップ領
域４２の点Ａを含む図中左上隅部の副視野に対応する補
正用レチクル４６の１つの副視野４８の一部のみを示し
ている。レチクル４５の副視野４７が対応するチップ領
域４２の副視野とレチクル４６の副視野４８が対応する
チップ領域４２の副視野とは、完全に一致している。な
お、本例では、図面には示していないが、レチクル４
５，４６として、電子ビームの透過率が高い薄膜上に電
子ビームの散乱角の大きい散乱体が転写すべきパターン
に応じて形成された構成のレチクルが用いられている。
図５（ａ）において、４９は散乱体が形成されていない
領域であり、残りの領域には散乱体が形成されている。
この領域４９を透過した電子ビームによって、図４
（ｂ）中のパターン形成用露光領域４３が縮小投影によ
り露光されることとなる。同様に、図５（ｂ）におい
て、５０は散乱体が形成されていない領域であり、残り
の領域には散乱体が形成されている。この領域５０を透
過した電子ビームによって、図４（ｂ）中の補正用露光
領域４４が縮小投影により露光されることとなる。な
お、レチクル４５，４６として、電子ビームを遮断する
基板にパターンに応じた開口を形成した構成のレチクル
を用いてもよいことは、言うまでもない。

【００１４】従来の基本的なゴースト法では、レチクル
４５を用いて図４（ｂ）中のパターン形成用露光領域４
３を、パターン形成用の電子ビームを照射する前又は後
に、レチクル４６を用いて図４（ｂ）中の補正用露光領
域４４を補正用の電子ビーム（照射量がパターン形成用
の電子ビームよりも少ない）で露光する。

【００１５】この従来の基本的なゴースト法による近接
効果補正方法では、補正露光のための照射領域の範囲を
特に規定していないので、パターン形成のために印可す
る加速電圧を電子散乱領域が数十μｍにも達する程度ま
で高めると、チップ領域４２の外側の周辺領域におい
て、感光基板４１内のエネルギー蓄積量を正しく均一化
するための補正照射領域が存在しないことによる影響が
大きくなり、チップ領域４２内の周辺付近において十分
な近接効果補正を行うことができずに感光基板４１内の
エネルギー蓄積量の不均一化が生じることになる。この
ため、図４（ｂ）のように露光された感光基板４１を現
像すると、図４（ｃ）のように、チップ領域４２の周辺
まで及んでいるパターン５１に関して、当該パターン５
１のチップ領域周辺の部分が、目的とする描画パターン
よりも細くなってしまう。

【００１６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、パターン形成用電子ビームの加速電圧を高め
ても、チップ領域の周辺部分においても近接効果を適正
に補正することができ、微細パターンの描画精度の向上
を図ることができる近接効果補正方法及びこれに用いら
れる補正用レチクルを提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１の態様による近接効果補正方法は、補
正用レチクルを介して試料上に該試料を感光させるエネ
ルギービームを照射することによって、前記試料内での
電子の後方散乱による近接効果を補正する近接効果補正
方法において、前記試料上におけるチップ領域の外側の
周辺領域の全部又は一部にも前記エネルギービームを照
射するものである。なお、前記エネルギービームとして
は、電子ビームの他、Ｘ線ビームや光等であってもよ
い。

【００１８】この第１の態様は、補正用レチクルを介し
て試料上に該試料を感光させるエネルギービームを照射
することによって、前記試料内での電子の後方散乱によ
る近接効果を補正する近接効果補正方法であるので、従
来の種々のゴースト法と同様の原理に従って、試料上で
の電子ビームの照射による近接効果を補正することがで
きる。

【００１９】そして、前記第１の態様によれば、試料上
におけるチップ領域内のみならず、チップ領域の外側の
周辺領域の全部又は一部にも補正用のエネルギービーム
が照射されるので、パターン形成用電子ビームの加速電
圧を高めても、チップ領域の周辺部分においても近接効
果を適正に補正することができて試料内のエネルギー蓄
積量を均一化することができ、微細パターンの描画精度
の向上を図ることができる。

【００２０】なお、前記第１の態様では、チップ領域の
外側の周辺領域の全部に補正用のエネルギービームを照
射してもよいが、通常はチップ領域の全周に沿ってパタ
ーンが形成されるわけではないので、チップ領域の外側
の周辺領域のうち、チップ領域の周辺に至るパターンに
応じた部分にのみ補正用のエネルギービームを照射して
もよい。

【００２１】本発明の第２の態様による近接効果補正方
法は、前記第１の態様による近接効果補正方法におい
て、前記周辺領域の幅が、前記電子ビームの加速電圧に
応じて定められたものである。

【００２２】この第２の態様のように、補正用のエネル
ギービームを照射すべき周辺領域の幅を、パターン形成
用の電子ビームの加速電圧に応じて定めると、チップ領
域の周辺部分における試料内のエネルギー蓄積量を均一
化する上で一層好ましい。

【００２３】本発明の第３の態様による補正用レチクル
は、試料内での電子の後方散乱による近接効果を補正す
るために前記試料上に照射され該試料を感光させるエネ
ルギービームをマスクする補正用レチクルにおいて、前
記試料上のチップ領域の外側の周辺領域の全部又は一部
に対応する部分であって、前記エネルギービームを前記
試料に向かうように通過させる部分を有するものであ
る。

【００２４】本発明の第４の態様による補正用レチクル
は、前記第３の態様による補正用レチクルにおいて、前
記周辺領域の幅が、前記電子ビームの加速電圧に応じて
定められたものである。

【００２５】前記第３及び第４の態様による補正用レチ
クルを用いることにより、前記第１及び第２の態様によ
る近接効果補正方法を行うことができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態によ
る近接効果補正方法及び補正用レチクルについて、図面
を参照して説明する。

【００２７】図１は、本実施の形態による近接効果補正
方法が使用される電子ビーム露光装置の一例を示す概略
構成図である。電子銃１０から放出された電子ビームＥ
Ｂは、コンデンサレンズ１１で平行ビームとされ、視野
選択偏向器１２によりＸ−Ｙ平面（Ｘ軸及びＹ軸と平行
な平面）内で偏向されてレチクル（マスク）１３の副視
野に導かれる。レチクル１３は、レチクルステージ１４
内にＸ−Ｙ平面と平行に取り付けられている。レチクル
１３を通過した電子ビームＥＢは、偏向器１５によりあ
る量だけ偏向され、レンズ１６，１７により試料として
の感光基板１８上のある位置に任意の縮小率（例えば１
／４）で結像され、感光基板１８を露光する。また、感
光基板１８は、感光基板台１９の可動ステージ２０上
に、Ｘ−Ｙ平面と平行に取り付けられている。なお、図
１において、Ｘ軸方向は紙面と直交する方向である。

【００２８】本実施の形態では、前記電子ビームＥＢ
は、補正露光時には、パターン形成ののための露光時に
比べて少ないビーム照射量となるように設定されるとと
もに、入射した電子が感光基板１８内で散乱する領域の
水平成分距離だけ十分にぼけるように設定される。ま
た、本実施の形態では、前記感光基板１８は、例えば、
レジストが塗布されたＳｉ（シリコン）ウエハで構成さ
れている。本実施の形態では、感光基板１８には、ネガ
レジストが塗布されているものとする。勿論、感光基板
１８には、ポジレジストが塗布されていてもよい。

【００２９】次に、本実施の形態による近接効果補正方
法及び前記レチクル１３として用いるパターン形成用レ
チクル１３Ａ及び補正用レチクル１３Ｂについて、図２
乃至図３を参照して説明する。

【００３０】図２は、前記感光基板１８の露光領域及び
それにより形成されるパターンを模式的に示す図であ
り、図２（ａ）は感光基板１８のある一部分を拡大して
示した平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）中の点Ａ付近の
一部を拡大した拡大図、図２（ｃ）は現像処理後の残存
パターン３０を示すもので図２（ｂ）に対応する拡大図
である。また、図３は、前記レチクル１３として、本実
施の形態で用いるパターン形成用レチクル１３Ａ及び補
正用レチクル１３Ｂの要部を示す平面図である。

【００３１】図２（ａ）において、２１はチップ領域、
２２は該チップ領域２１の外側の周辺領域である。本実
施の形態では、図４及び図５を参照して説明した従来の
ゴースト法と異なり、チップ領域２１の範囲内のみなら
ず、近接効果補正時には周辺領域２２の全体も、電子ビ
ームＥＢにより露光される。すなわち、周辺領域２２
は、補正露光用の電子ビームが露光される補正用露光領
域（本実施の形態では、この領域にはパターン形成用電
子ビームは露光されない。）となっている。この周辺領
域２２の幅δ_dは、パターン形成のための電子ビームの
加速電圧に応じて定められ、感光基板１８内における電
子散乱領域水平成分距離より大きくなるように定めるこ
とが好ましい。例えば、パターン形成のための電子ビー
ムの加速電圧を１００ｋｅＶとした場合において感光基
板１８のモンテカルロ・シミュレータによる電子散乱軌
跡図が前述した図６（ｂ）に示すようになる場合には、
周辺領域２２の幅δ_dは、６５μｍより大きくなるよう
に定めることが好ましい。チップ領域２１は、感光基板
１８上に所定間隔をあけて２次元に配置されている。こ
れらの位置は、前記可動ステージ２０の位置や偏向器１
５の偏向量によって決定される。

【００３２】図２（ｂ）には、１つのチップ領域２１の
図中左上隅の点Ａ付近を拡大したものを示している。図
２（ｂ）において、２３はチップ領域２１内においてパ
ターン形成用の電子ビームが露光されるパターン形成用
露光領域（本実施の形態では、この領域には補正用電子
ビームは露光されない。）であり、２４はチップ領域２
１内において補正用の電子ビームが露光される補正用露
光領域（本実施の形態では、この領域にはパターン形成
用電子ビームは露光されない。）である。前述したよう
に、前記周辺部２２も、補正用露光領域である。

【００３３】このような露光を行うため、前記レチクル
１３として、パターン形成用の電子ビームを露光する際
には図３（ａ）に示すようなパターン形成用レチクル１
３Ａを用い、補正用の電子ビームを露光する際には図３
（ｂ）に示すような補正用レチクル１３Ｂを用いる。周
知のように電子ビームは通常分割露光されるため、図面
には示していないが、チップ領域２１は複数の副視野に
分割され、チップ領域２１の各副視野に対応する複数の
副視野がパターン形成用レチクル１３Ａ上に適当間隔を
あけて２次元にそれぞれ形成されている。また、本実施
の形態では、チップ領域２１及び周辺領域２２の全体を
１つの領域してこれが複数の副視野に分割され、これら
の各副視野に対応する複数の副視野が補正用レチクル１
３Ｂ上に適当間隔をあけて２次元にそれぞれ形成されて
いる。したがって、本実施の形態では、パターン形成用
レチクル１３Ａ上の副視野に対応する感光基板１８上の
副視野と補正用レチクル１３Ｂ上の副視野に対応する感
光基板１８上の副視野とでは、少なくとも周辺領域２２
に沿った副視野に関しては異なることとなる。図３
（ａ）（ｂ）中の点Ａ’は図２（ａ）〜（ｃ）中の点Ａ
に対応している。なお、レチクル１３Ａ，１３Ｂの各副
視野のパターンは、本来は例えば左右反転したものとな
るが、図３（ａ）（ｂ）では、理解を容易にするため、
反転させないで記載している。図３（ａ）には、感光基
板１８上の点Ａを含む図中左上隅部の副視野に対応する
パターン形成用レチクル１３Ａの１つの副視野２５の一
部のみを示している。同様に、図３（ｂ）には、感光基
板１８上の点Ａを含む図中左上隅部の副視野に対応する
補正用レチクル１３Ｂの１つの副視野２６の一部のみを
示している。図３からわかるように、レチクル１３Ａの
副視野２５が対応する感光基板１８上の副視野とレチク
ル１３Ｂの副視野２６が対応する感光基板１８上の副視
野とは、一致していない。なお、本実施の形態では、図
面には示していないが、レチクル１３Ａ，１３Ｂとし
て、電子ビームの透過率が高い薄膜上に電子ビームの散
乱角の大きい散乱体が転写すべきパターンに応じて形成
された構成のレチクルが用いられている。図３（ａ）に
おいて、２７は散乱体が形成されていない領域であり、
残りの領域には散乱体が形成されている。この領域２７
を透過した電子ビームによって、図２（ｂ）中のパター
ン形成用露光領域２３が縮小投影により露光されること
となる。同様に、図３（ｂ）において、２８，２９は散
乱体が形成されていない領域であり、残りの領域には散
乱体が形成されている。この領域２８，２９を透過した
電子ビームによって、図２（ｂ）中の補正用露光領域２
４及び周辺領域２２が縮小投影により露光されることと
なる。レチクル１３Ｂ上の領域２８，２９はそれぞれ感
光基板１８上の領域２２，２４に対応しており、レチク
ル１３Ｂ上の領域２９が、感光基板１８上の周辺領域２
２に対応する部分であって、補正用の電子ビームを感光
基板１８に向かうように通過させる部分となっている。
なお、レチクル１３Ａ，１３Ｂとして、電子ビームを遮
断する基板にパターンに応じた開口を形成した構成のレ
チクルを用いてもよいことは、言うまでもない。

【００３４】なお、パターン形成のための露光時と補正
用の露光時とで、パターン形成用レチクル１３Ａと補正
用レチクル１３Ｂとが図示しないレチクルローダにより
交換されて所定の露光位置に位置決めされる。前記パタ
ーン形成用レチクル１３Ａの各副視野と補正用レチクル
１３Ｂの各副視野とを同一のレチクル上に形成してお
き、両者を１つのレチクルで兼用することも可能であ
る。

【００３５】本実施の形態では、前述した図１に示す電
子ビーム露光装置を用い、前記レチクル１３Ａを用いて
図２（ｂ）中のパターン形成用露光領域２３をパターン
形成用の電子ビームを照射する前又は後に、前記レチク
ル１３Ｂを用いて図２（ｂ）中の補正用露光領域２４及
び周辺領域２２を補正用の電子ビーム（照射量がパター
ン形成用の電子ビームよりも少ない）で露光する。

【００３６】この本実施の形態による近接効果補正方法
によれば、図４及び図５を参照して説明した従来のゴー
スト法による近接効果補正方法と同様に、補正用の電子
ビームによって図２（ｂ）中の補正露光領域２４を露光
するので、感光基板１８上でのパターン形成用の電子ビ
ームの照射による近接効果を補正することができる。

【００３７】そして、本実施の形態では、前記従来のゴ
ースト法による近接効果補正方法と異なり、感光基板１
８上におけるチップ領域２１内の補正露光領域２４のみ
ならず、チップ領域２１の外側の周辺領域２２にも補正
用の電子ビームが照射されるので、パターン形成用電子
ビームの加速電圧を高めても、チップ領域２１の周辺部
分においても近接効果を適正に補正することができて感
光基板１８内のエネルギー蓄積量を均一化することがで
きる。このため、図２（ｂ）のように露光された感光基
板１８を現像すると、図２（ｃ）のように、チップ領域
２１の周辺まで及んでいるパターン３０に関しても、目
的とする描画パターンよりも細くなったり太くなったり
するようなことがない。

【００３８】このように、本実施の形態によれば、チッ
プ領域２１の外側の周辺領域２２にも補正用のエネルギ
ービームが照射されるので、パターン形成用電子ビーム
の加速電圧を高めても、チップ領域２１の周辺部分にお
いても近接効果を適正に補正することができて感光基板
１８内のエネルギー蓄積量を均一化することができ、微
細パターンの描画精度の向上を図ることができる。

【００３９】以上、本発明の一実施の形態について説明
したが、本発明はこの実施の形態に限定されるものでは
ない。

【００４０】例えば、本実施の形態では、補正用の電子
ビームを前記周辺領域２２の全部に照射していたが、周
辺領域２２の全部ではなく一部に補正用の電子ビームを
露光するようにしてもよい。この場合、例えば、図２
（ｂ）において、周辺領域２２のうちのパターン形成用
露光領域２３に隣接する部分に補正用の電子ビームを照
射し、周辺領域２２のうちの補正用露光領域には補正用
の電子ビームを照射しなくてもよい。その際には、例え
ば、図３中の領域２９の対応部分が、散乱体が形成され
る領域とされる。

【００４１】また、本実施の形態では、補正用のエネル
ギービームとして電子ビームが用いられていたが、レジ
ストを感光させるものであればよく、例えばＸ線、光等
を用いてもよい。

【００４２】さらに、本実施の形態では、パターン形成
用の電子ビームによる露光も補正用のエネルギービーム
による露光も同一の装置で行われていたが、両者を別の
装置で行うようにしてもよい。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パターン形成用電子ビームの加速電圧を高めても、チッ
プ領域の周辺部分における近接効果を適正に補正するこ
とができ、微細パターンの描画精度の向上を図ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による近接効果補正方法
が使用される電子ビーム露光装置の一例を示す概略構成
図である。

【図２】本発明の前記実施の形態による近接効果補正方
法における、感光基板の露光領域及びそれにより形成さ
れるパターンを模式的に示す図である。

【図３】本発明の前記実施の形態で用いるパターン形成
用レチクル及び補正用レチクルの要部を示す平面図であ
る。

【図４】従来の基本的なゴースト法による、感光基板の
露光領域及びそれにより形成されるパターンを模式的に
示す図である。

【図５】従来の基本的なゴースト法で用いるパターン形
成用レチクル及び補正用レチクルの要部を示す平面図で
ある。

【図６】モンテカルロ・シミュレータによる電子散乱軌
跡図である。

【符号の説明】

１０電子銃１１コンデンサレンズ１２視野選択偏向器１３Ａパターン形成用レチクル１３Ｂ補正用レチクル１４レチクルステージ１５偏向器１６，１７レンズ１８感光基板１９感光基板台２０可動ステージ２１チップ領域２２周辺領域２３パターン形成用露光領域２４補正用露光領域２５パターン形成用レチクル上の副視野２６補正用レチクル上の副視野２７，２８，２９散乱体が形成されていない領域３０現像処理後の残存パターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】補正用レチクルを介して試料上に該試料
を感光させるエネルギービームを照射することによっ
て、前記試料内での電子の後方散乱による近接効果を補
正する近接効果補正方法において、前記試料上におけるチップ領域の外側の周辺領域の全部
又は一部にも前記エネルギービームを照射することを特
徴とする近接効果補正方法。
【請求項２】前記周辺領域の幅が、前記電子ビームの
加速電圧に応じて定められたことを特徴とする請求項１
記載の近接効果補正方法。
【請求項３】試料内での電子の後方散乱による近接効
果を補正するために前記試料上に照射され該試料を感光
させるエネルギービームをマスクする補正用レチクルに
おいて、前記試料上のチップ領域の外側の周辺領域の全
部又は一部に対応する部分であって、前記エネルギービ
ームを前記試料に向かうように通過させる部分を有する
ことを特徴とする補正用レチクル。
【請求項４】前記周辺領域の幅が、前記電子ビームの
加速電圧に応じて定められたことを特徴とする請求項３
記載の補正用レチクル。