JPH11186159A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板載置部とカバーとで囲まれ密閉された処
理空間で基板の表面へその側方の全周方向から処理ガス
を供給して基板に対し所定の処理を施す場合に、基板表
面の周縁付近に風切りによる模様むらが生じることを防
止し、加圧された処理ガスが外部へ漏れ出すことを防止
できる装置を提供する。 【解決手段】 カバー１６の周壁部２０の全周方向に水
平載置面３６を形成し、カバーの上壁部１８の下方側
に、その下面に沿って内蓋３８を配設し、内蓋３８の下
面と基板載置部１０の上面との間に処理空間４６が形成
されるようにする。常時は内蓋の周縁部下面とカバーの
水平載置面３６とが密着し、処理空間４６とカバーの上
壁部の排気口３２との流路連絡が遮断され、処理空間４
６の圧力が所定の圧力を超えた時に内蓋が押し上げられ
内蓋の周縁部下面と水平載置面３６とが離間し、処理空
間４６と排気口３２とが流路連絡されるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用あるいはフォトマスク用のガラス基板、
光ディスク用の基板などの基板の表面へ処理ガスを供給
することにより、基板に対して所定の処理を施すために
使用される基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板処理装置は、例えば、半導
体ウエハ等の基板の表面に付着した自然酸化膜や有機
物、重金属等のパーティクルなどを基板表面から除去す
るために、塩酸ガスや処理液を気化させて生成したガス
を処理ガスとして基板の表面へ供給して、基板に対しド
ライ洗浄等の処理を施したり、また、基板の表面とフォ
トレジストとの密着性を良くするために、ヘキサメチル
ジシラザン等の処理液を気化させて窒素ガス等のキャリ
アガスに混合させた処理ガスを、ホットプレート上に載
置されて加熱された基板の表面へ供給して、基板に対し
アドヒージョン処理を施したりする場合などに使用され
る。このような基板処理に使用される装置の構成の１例
を、図４および図５に示す。

【０００３】図４に概略縦断面図を、図５に図４のＶ−
Ｖ矢視断面図をそれぞれ示した基板処理装置は、上面に
基板Ｗを水平姿勢で載置する基板載置部１０を有してい
る。この基板載置部１０は、基板処理時に基板Ｗを冷却
する必要があるときはクールプレートとして構成され、
図示していないが内部に冷却媒体の流路が形設され、ま
た、基板処理時に基板Ｗを加熱する必要があるときはホ
ットプレートとして構成され、図示していないが内部に
ヒータが埋設される。また、図示を省略しているが、基
板載置部１０には、複数個、例えば３個の貫通孔（図示
せず）が穿設されており、その各貫通孔にリフトピンが
それぞれ上下方向へ摺動自在に挿通されていて、３本の
リフトピンは、アクチュエータに連結された昇降板に固
着されている。そして、アクチュエータによって昇降板
を上昇させることにより、各リフトピンの上端部を基板
載置部１０の上面より上方へ突出させ、３本のリフトピ
ンによって基板Ｗを基板載置部１０の上面から離間した
状態で支持し、また、３本のリフトピンによって基板Ｗ
を支持した状態で、アクチュエータによって昇降板を下
降させることにより、各リフトピンを基板載置部１０の
上面より下方へ引き入れ、これに伴って基板Ｗがリフト
ピン上から基板載置部１０の上面へ移載される。装置内
への基板Ｗの搬入および装置外への基板Ｗの搬出に際し
て、このようなリフトピンの昇降動作が行われる。

【０００４】基板載置部１０の上方には、基板載置部１
０上に載置される基板Ｗの上方および側方を覆うように
カバー１が配設されていて、基板載置部１０の上面とカ
バー１との間に狭い処理空間２が形成されるようになっ
ている。カバー１は、図示しない支持機構によって基板
載置部１０の上面と平行に支持され、図示しない昇降機
構によって上下方向へ往復移動させられるようになって
いる。そして、カバー１は、基板Ｗの搬入および搬出の
際には上方へ移動させられ、基板Ｗの処理時には下方へ
移動させられて図示した位置に保持され、基板載置部１
０との間に処理空間２を形成する。カバー１の周壁部に
は、その下端面にＯ−リング３が装着されており、カバ
ー１が図示の下方位置へ移動した時に、処理空間２の気
密性が保持される。

【０００５】また、カバー１の周壁部には、一定の角度
間隔で複数個、例えば４個のガス導入口４が形設されて
おり、それぞれのガス導入口４は、ガス供給配管５を通
して処理ガス供給源（図示せず）に流路接続されてい
る。カバー１のガス導入口４は、基板載置部１０の上面
より下方の位置に形成されており、処理ガス供給源から
ガス供給配管５を通って供給される処理ガスは、それぞ
れガス導入口４を通って、基板載置部１０の円周面とカ
バー１の周壁部の内周面との間に形成された環状ガス通
路６へ流入し、環状ガス通路６内を上向きに流れて処理
空間２へ流れ込む。この際、処理ガスは、環状ガス通路
６の全周方向から均一に処理空間２へ供給される。ま
た、カバー１の上壁部の中央位置には、排気口７が形設
されており、排気口７は、排気管８を通して排気装置
（図示せず）に流路接続されている。そして、処理空間
２へ導入された処理ガスは、カバー１の上壁部内面およ
び基板載置部１０の上面に沿って基板Ｗの周辺部から中
心部へ向かって一様に流れ、処理空間２の中央部から排
気口７を通って排気管８内へ流れ込んで、処理空間２か
ら排出される。

【０００６】図４および図５に示した構成の上記基板処
理装置により基板の処理を行う場合において、処理液供
給源から供給されカバー１のガス導入口４を通ってカバ
ー１内へ導入された処理ガスは、環状ガス通路６内を上
向きに流れて処理空間２へ流れ込み、基板載置部１０の
上面に載置された基板Ｗの表面に沿ってその周辺部から
中心部へと流れる。そして、処理ガスは、処理空間２の
中央部から排気口７を通って排出される。また、図４に
示すように排気管８の途中に開閉弁９を設けておき、そ
の開閉弁９を閉じた状態で処理ガスを処理空間２へ供給
し、所定時間後に、ガス供給配管５に設けられた開閉弁
（図示せず）を閉じて、処理空間２に処理ガスを充満さ
せるようにすることにより、基板Ｗの表面上に処理ガス
が流れるのを止めた状態で基板Ｗを処理することも、一
般に行われている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、処理
ガスを基板載置部１０上の基板Ｗに対してその側方から
供給し、基板Ｗの周辺部から中心部へ向かって基板Ｗの
表面上に処理ガスを流しながら、基板Ｗの処理を行うよ
うにしたときは、処理ガスの一部が基板Ｗの終端縁にぶ
つかった後に基板Ｗの表面上へ流れることにより、基板
Ｗの表面の周縁付近に風切りによる模様むらを生じ易く
なる、といった問題点がある。一方、排気管８に設けら
れた開閉弁９を閉じた状態で処理ガスを処理空間へ供給
し、その後に処理ガスの供給を止めて処理空間２に処理
ガスを充満させ、基板Ｗの表面上に処理ガスが流れない
状態で基板Ｗの処理を行うようにしたときは、処理空間
２へ処理ガスを供給する過程において、カバー１と基板
載置部１０とで囲まれて密閉された処理空間２の圧力が
高くなり過ぎることが起こる。そして、処理空間２の圧
力が高くなり過ぎると、加圧された処理ガスが、カバー
１の周壁部の下端面に装着されたＯ−リング３の部分を
通過して外部へ漏れ出し、周辺の作業環境を悪化させる
恐れがある、といった問題点がある。

【０００８】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板を載置する基板載置部とカバー
とで囲まれて密閉された処理空間において基板の表面へ
その側方から処理ガスを供給して基板に対し所定の処理
を施す場合に、基板の表面の周縁付近に風切りによる模
様むらが生じることを防止するとともに、処理空間へ処
理ガスを供給する過程で処理空間の圧力が所定圧力を超
えて高くなり過ぎる事態が起こらないようにして、加圧
された処理ガスが外部へ漏れ出すことを防止することが
できる基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、
上面に基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部の
上面に載置された基板の上方および側方を覆うように配
置され、前記基板載置部の上面との間に密閉された処理
空間を形成し、上壁部に前記処理空間にある処理ガスを
排気するための排気口を有し、かつ前記基板載置部の上
面に載置された基板の側方を覆う周壁部に全周方向にわ
たって水平載置部を形成したカバーと、前記基板載置部
の上面に載置された基板の側方から前記処理空間へ処理
ガスを供給するガス供給機構と、前記カバーの上壁部に
沿って前記水平載置部に支持自在な板状部材とを備え、
前記処理空間が所定の圧力以下の場合、前記板状部材が
前記水平載置部に支持された状態で、前記板状部材の下
面と前記基板載置部の上面との間に形成される第１の空
間から前記板状部材の上面と前記カバーの上壁部との間
に形成される第２の空間への処理ガスの連通が遮断さ
れ、前記処理空間が所定の圧力を超える場合、その圧力
によって前記板状部材が前記水平載置部から押し上げら
れた状態で、前記第１の空間から前記第２の空間への処
理ガスの連通が行われ、前記カバーの排気口から処理ガ
スの排気が行われることを特徴とする。なお、この基板
載置部には、基板載置板や基板載置台が含まれる。

【００１０】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
基板処理装置において、前記板状部材は、全周方向の端
部に形成された複数の貫通孔を有し、前記処理空間が所
定の圧力を超える場合、前記板状部材が前記水平載置部
から押し上げられた状態で、前記貫通孔を介して前記第
１の空間から前記第２の空間への処理ガスの連通が行わ
れることを特徴とする。

【００１１】請求項１に係る発明の基板処理装置を使用
して、基板載置部の上面と板状部材下面との間に形成さ
れた処理空間において基板載置部の上面に載置された基
板の表面へその側方から処理ガスをガス供給機構によっ
て供給して基板に対し所定の処理を施す場合に、処理空
間が所定の圧力以下の場合、板状部材の下面とカバーの
周壁部に形成された水平載置面とが密着して、板状部材
の下面と基板載置部の上面との間に形成される第１の空
間から板状部材の上面とカバーの上壁部との間に形成さ
れる第２の空間への処理ガスの連通が遮断されるため、
排気口を通しての排気が行われない状態で、処理ガスが
処理空間へ供給される。したがって、基板の周辺部から
中心部へ向かう処理ガスの流れを生じることがなく、処
理ガスの一部が基板の終端縁にぶつかった後に基板の表
面上へ流れることもない。このため、基板の表面の周縁
付近に風切りによる模様むらを生じることがない。一
方、排気を行わない状態でガス供給機構によって処理ガ
スが処理空間へ供給されることにより、処理空間の圧力
が高くなり過ぎることが起こるが、その場合には、処理
空間の圧力が所定圧力を超えた場合にその圧力によって
板状部材が水平載置面から押し上げられ板状部材の下面
と水平載置面とが離間して、第１の空間から第２の空間
への処理ガスの連通が行われる。したがって、加圧され
た処理ガスは、処理空間からカバーの排気口を通って排
出され、処理空間の圧力は即座に下がって所定圧力以下
となる。このため、処理空間の圧力が一時的に高くなる
ことがあっても、加圧された処理ガスが外部へ漏れ出す
心配は無い。

【００１２】請求項２に係る発明の基板処理装置におい
ては、処理空間の圧力が所定の圧力を超えて板状部材が
押し上げられた場合に、処理空間内の処理ガスが複数個
の貫通孔を通って第１の空間から第２の空間、そして、
カバーの上壁部の排気口へ流れ、排気口を通って排気さ
れることにより、処理空間の圧力が即座に下がって所定
圧力以下となる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図１ないし図３を参照しながら説明する。

【００１４】図１および図２は、この発明の１実施形態
を示し、図１は、基板処理装置の要部の構成を示す概略
縦断面図であり、図２は、その一部を拡大した縦断面図
である。この基板処理装置は、上面に基板Ｗを水平姿勢
で載置する基板載置部１０を有し、基板載置部１０の円
周面の外側に、基板載置部１０と同心的に環状部材１２
が配設され、環状部材１２は基板載置部１０に固着され
ている。図２中の符号１４は、基板載置部１０と環状部
材１２との接合面における気密性を保持するためのＯ−
リングである。また、基板載置部１０および環状部材１
２の上方には、基板載置部１０上に載置される基板Ｗの
上方および側方を覆うように、上壁部１８および周壁部
２０からなるカバー１６が配設されている。

【００１５】なお、図示を省略しているが、図４および
図５に示した上記装置と同様に、基板載置部１０は、基
板処理時に基板Ｗを冷却する必要があるときは内部に冷
却媒体の流路が形設されてクールプレートとして構成さ
れ、また、基板処理時に基板Ｗを加熱する必要があると
きは内部にヒータが埋設されてホットプレートとして構
成される。また、基板載置部１０には、例えば３個の貫
通孔（図示せず）が穿設され、その各貫通孔に、アクチ
ュエータに連結された昇降板に固着されたリフトピンが
それぞれ上下方向へ摺動自在に挿通されている。一方、
カバー１６は、支持機構によって基板載置部１０の上面
と平行に支持され、昇降機構によって上下方向へ往復移
動させられるようになっている。そして、カバー１６
は、基板Ｗの搬入および搬出の際には上方へ移動させら
れ、基板Ｗの処理時には下方へ移動させられて図示した
位置に保持される。また、カバー１６の周壁部２０の下
端面には、カバー１６が図示の下方位置へ移動した時に
周壁部２０の下端面と環状部材１２の上面との間の気密
性が保持されるようにＯ−リング２２が装着されてい
る。

【００１６】環状部材１２には、基板載置部１０の上面
より下方の位置に、一定の角度間隔で複数個、例えば４
個のガス導入口２４が形設されており、それぞれのガス
導入口２４は、ガス供給配管２６を通して処理ガス供給
源（図示せず）に流路接続されている。また、基板載置
部１０の円周面と環状部材１２の内周面との間に環状ガ
ス通路２８が形成されており、さらに、基板載置部１０
の円周面の上端部と環状部材１２の内周面の上端部との
間に、環状ガス通路２８に連通した狭隘環状ガス通路３
０が形成されている。

【００１７】一方、カバー１６の上壁部１８の中央位置
には、排気口３２が形設されている。排気口３２には、
排気管３４が連通接続されており、排気管３４は、排気
装置（図示せず）に流路接続されている。また、カバー
１６の周壁部２０には、その全周方向にわたって円形状
に水平載置面３６が形成されている。そして、カバー１
６の上壁部１８の下方側に、その上壁部１８の下面に沿
って円形の板状部材である内蓋３８が配設されていて、
内蓋３８の周縁部がカバー１６の周壁部２０の水平載置
面３６によって支持されている。カバー１６の上壁部１
８の下面と内蓋３８の上面との間には、内蓋３８が上下
方向へ移動するのを許容し、かつ、図２に示したよう
に、内蓋３８が上方へ移動した時にカバー１６の上壁部
１８の下面と内蓋３８の上面との間に排気口３２に連通
する通路４０が確保される程度の間隔が設けられてい
る。内蓋３８の周縁部には、カバー１６の周壁部２０の
水平載置面３６と当接する位置に、円周方向に等配され
て複数個の貫通孔４２が形成されている。また、カバー
１６の上壁部１８の下面側周縁部と内蓋３８の上面側周
縁部との間にはＯ−リング４４が介挿されており、内蓋
３８は、Ｏ−リング４４によって弱い力で常時下向きに
付勢されている。そして、この装置では、内蓋３８の下
面と基板載置部１０の上面との間に狭い処理空間４６が
形成されるようになっている。

【００１８】なお、カバー１６の上壁部１８の下面側周
縁部と内蓋３８の上面側周縁部との間に介挿されるＯ−
リング４４に代えて、ばねなどを用いるようにしてもよ
く、また、内蓋３８の重みによる下向きの力だけで特に
支障が無ければ、何も設けなくてもよい。また、内蓋３
８の周縁部に貫通孔４２を形成する代わりに、内蓋３８
の周端面に厚み方向の溝を形成するなどしてよい。

【００１９】図１および図２に示した基板処理装置を使
用して基板に対し処理を施すときは、まず、基板Ｗを装
置内へ搬入して基板載置部１０の上面に載置した後、図
１および図２に示したように、カバー１６を下方へ移動
させて、カバー１６の内蓋３８と基板載置部１０との間
に密閉された処理空間４６が形成されるようにする。次
に、図示しない処理ガス供給源からガス供給配管２６を
通って処理ガスを装置内へ供給する。ガス供給配管２６
を通って供給される処理ガスは、環状部材１２に等配さ
れた４個所のガス導入口２４をそれぞれ通って環状ガス
通路２８へ流入し、環状ガス通路２８内を上向きに流
れ、狭隘環状ガス通路３０を通って、狭隘環状ガス通路
３０の全周方向から処理空間４６へ流れ込む。この際、
内蓋３８自体の重みとＯ−リング４４の下向きの付勢力
とにより内蓋３８の下面とカバー１６の周壁部１８の水
平載置面３６とが密着して、処理空間４６とカバー１６
の上壁部１８の排気口３２との流路連絡が遮断されてい
るため、処理空間４６へ流れ込んだ処理ガスは、排気さ
れることなく処理空間４６内に滞留する。そして、所定
時間後に、ガス供給配管２６に設けられた開閉弁（図示
せず）を閉じて、処理空間４６に処理ガスを充満させる
ようにし、基板Ｗの処理を行う。

【００２０】上記したように、排気が行われない状態で
処理ガスが処理空間４６へ供給されるので、基板Ｗの周
辺部から中心部へ向かう処理ガスの流れを生じることが
なく、処理ガスの一部が基板Ｗの終端縁にぶつかった後
に基板Ｗの表面上へ流れることもない。このため、基板
Ｗの表面の周縁付近に風切りによる模様むらを生じるこ
とがない。

【００２１】一方、排気が行われない状態で処理ガスが
処理空間４６へ供給されるため、処理空間４６の圧力が
次第に高まり、ガス供給配管２６に設けられた開閉弁
（図示せず）を閉じて処理ガスの供給を停止させる前
に、処理空間４６の圧力が高くなり過ぎることが起こ
る。そのような場合は、処理空間４６の圧力が所定圧
力、例えば１．０５kg／cm₂程度を超えた時に、その圧
力によって内蓋３８が押し上げられ、内蓋３８の下面と
カバー１６の周壁部２０の水平載置面３６とが離間す
る。そして、加圧された処理ガスは、内蓋３８の下面と
基板載置部１０の上面との間に形成される第１の空間で
ある処理空間４６から内蓋３８下面と水平載置面３６と
の間に形成された隙間を通り、内蓋３８の複数個の貫通
孔４２を通って、カバー１６の上壁部１８の下面と内蓋
３８の上面との間の第２の空間となる通路４０内へ流れ
込み、通路４０からカバー１６の上壁部１８の排気口３
２へ流れ、排気口３２を通り排気管３４を通って排気さ
れる。これにより、処理空間４６の圧力が即座に下がっ
て所定の圧力以下となる。なお、加圧された処理ガスに
よって内蓋３８が押し上げられ内蓋３８の下面とカバー
１６の周壁部２０の水平載置面３６とが離間する圧力
は、内蓋３８の重量およびＯ−リング４４の付勢力を適
当に選択するにより、適宜設定される。そして、一時的
な排気が行われて処理空間４６の圧力が所定の圧力以下
に下がると、内蓋３８は、それ自体の重みとＯ−リング
４４の下向きの付勢力とにより元の位置へ戻り、再び内
蓋３８の下面とカバー１６の周壁部１８の水平載置面３
６とが密着して、処理空間４６とカバー１６の上壁部１
８の排気口３２との流路連絡が遮断される。そして、所
定時間が経過してガス供給配管２６に介挿された開閉弁
（図示せず）が閉じられるまで、処理空間４６への処理
ガスの導入が引き続いて行われ、その途中で、再び処理
空間４６の圧力が所定圧力を超えることがあると、上記
したようにして一時的な排気が行われる。したがって、
処理空間４６の圧力が一時的に高くなることがあって
も、加圧された処理ガスがカバー１６の周壁部２０下端
面のＯ−リング２２の部分を通過して外部へ漏れ出す心
配は無い。

【００２２】処理空間４６に処理ガスを充満させた状態
で基板Ｗの処理が行われ、その処理が終了すると、カバ
ー１６を上昇させて基板Ｗを搬出する前に、処理空間４
６を窒素ガスなどでパージする。この際には、加圧され
たパージガスによって内蓋３８が押し上げられ、上記し
たように内蓋３８の下面とカバー１６の周壁部２０の水
平載置面３６とが離間し、処理ガスおよびパージ用ガス
は、処理空間４６から内蓋３８下面と水平載置面３６と
の間に形成された隙間、内蓋３８の複数個の貫通孔４
２、カバー１６の上壁部１８の下面と内蓋３８の上面と
の間の通路４０、および、排気口３２をそれぞれ通り排
気管３４を通って排気される。

【００２３】なお、上記した実施形態では、基板載置部
１０の円周面の外側に環状部材１２を固設し、その環状
部材１２に複数個のガス導入口２４を形設して、それら
のガス導入口２４を通して処理空間４６へ処理ガスを導
入するようにしたが、図３に概略縦断面図を示すよう
に、上下方向へ移動自在に支持されたカバー４８の周壁
部５２に、複数個のガス導入口５４を円周方向に等配し
て形設し、それぞれのガス導入口５４にガス供給配管５
６を連通接続して、処理ガス供給源から供給される処理
ガスを、カバー４８の周壁部５２のガス導入口５４を通
して、カバー４８の上壁部５０の下方側に配設された内
蓋５８と基板載置部１０の上面との間の処理空間６０へ
導入するような構成としてもよい。図３中の符号６２
は、カバー４８の上壁部５０の中央位置に形設された排
気口であり、符号６４は排気管、符号６６は、カバー４
８の周壁部５２に形成された水平載置面、符号６８は、
内蓋５８の周縁部に複数個形成された貫通孔、符号７０
は、カバー４８の周壁部５２の下端面に装着されたＯ−
リングである。

【００２４】また、上記した実施形態では、処理ガスを
処理空間４６から排出させるための排気口３２をカバー
１６の上壁部１８の中央位置に１個だけ形設したが、カ
バーの上壁部の中央位置からずれた位置に排気口が形設
されていてもよく、また、カバーの上壁部に複数個の排
気口を形設するようにしてもよい。さらに、上記実施形
態では、環状部材１２に形成されたガス導入口２４が、
基板載置部１０の上面より下方に位置するようにしてい
るが、処理空間４６の側方にガス導入口を形成して、処
理空間４６の側方の全周方向から基板載置部１０上の基
板Ｗの表面へ処理ガスが供給されるようにしてもよい。

【００２５】さらに、上記した実施形態では、カバー１
６の周壁部２０に形設された水平載置面３６に内蓋３８
の周縁部を当接させ、処理空間４６の圧力が所定の圧力
を超えて内蓋３８が押し上げられた時に、加圧された処
理ガスが、内蓋３８の周縁部の下面と水平載置面３６と
の間に形成された隙間を通って処理空間４６の周辺部か
ら抜け出るようにしたが、カバーの周壁部に形設される
水平載置面をカバーの中央部付近まで張り出させて、加
圧された処理ガスが処理空間の中央付近から流出するよ
うな構成としてもよい。

【００２６】

【発明の効果】請求項１に係る発明の基板処理装置を使
用したときは、基板載置部とカバーとで囲まれて密閉さ
れた処理空間において基板載置部の上面の基板の表面へ
その側方から処理ガスを供給して基板に対し所定の処理
を施す場合に、基板の表面の周縁付近に風切りによる模
様むらが生じることを防止することができるとともに、
処理空間へ処理ガスを供給する過程で処理空間の圧力が
高くなり過ぎる事態が起こらないようにして、加圧され
た処理ガスが外部へ漏れ出すことを防止することがで
き、周辺の作業環境の安全性を確保することができる。

【００２７】請求項２に係る発明の基板処理装置では、
処理空間の圧力が所定の圧力を超えた時に、処理空間内
の処理ガスが板状部材の複数個の貫通孔を通って処理空
間からカバーの上壁部の排気口へ流れ、排気口を通って
排気されることにより、処理空間の圧力が即座に下がっ
て所定の圧力以下となり、これにより、加圧された処理
ガスが外部へ漏れ出すことが防止されることとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の１実施形態を示し、基板処理装置の
要部の構成を示す概略縦断面図である。

【図２】図１に示した装置の一部拡大縦断面図である。

【図３】この発明の別の実施形態を示し、基板処理装置
の要部の構成を示す概略縦断面図である。

【図４】従来の基板処理装置の要部の構成の１例を示す
概略縦断面図である。

【図５】図４のＶ−Ｖ矢視断面図である。

【符号の説明】

１０ 基板載置部 １２ 環状部材 １４、２２、４４、７０ Ｏ−リング １６、４８ カバー １８、５０ カバーの上壁部 ２０、５２ カバーの周壁部 ２４、５４ ガス導入口 ２６、５６ ガス供給配管 ２８ 環状ガス通路 ３０ 狭隘環状ガス通路 ３２、６２ 排気口 ３４、６４ 排気管 ３６、６６ 水平載置面 ３８、５８ 内蓋 ４０ 通路 ４２、６８ 内蓋の貫通孔 ４６、６０ 処理空間 Ｗ 基板

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対して所定の処理を施す基板処理
   装置であって、 上面に基板を載置する基板載置部と、 前記基板載置部の上面に載置された基板の上方および側
   方を覆うように配置され、前記基板載置部の上面との間
   に密閉された処理空間を形成し、上壁部に前記処理空間
   にある処理ガスを排気するための排気口を有し、かつ前
   記基板載置部の上面に載置された基板の側方を覆う周壁
   部に全周方向にわたって水平載置部を形成したカバー
   と、 前記基板載置部の上面に載置された基板の側方から前記
   処理空間へ処理ガスを供給するガス供給機構と、 前記カバーの上壁部に沿って前記水平載置部に支持自在
   な板状部材とを備え、 前記処理空間が所定の圧力以下の場合、前記板状部材が
   前記水平載置部に支持された状態で、前記板状部材の下
   面と前記基板載置部の上面との間に形成される第１の空
   間から前記板状部材の上面と前記カバーの上壁部との間
   に形成される第２の空間への処理ガスの連通が遮断さ
   れ、 前記処理空間が所定の圧力を超える場合、その圧力によ
   って前記板状部材が前記水平載置部から押し上げられた
   状態で、前記第１の空間から前記第２の空間への処理ガ
   スの連通が行われ、前記カバーの排気口から処理ガスの
   排気が行われることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記板状部材は、全周方向の端部に形成された複数の貫
   通孔を有し、 前記処理空間が所定の圧力を超える場合、前記板状部材
   が前記水平載置部から押し上げられた状態で、前記貫通
   孔を介して前記第１の空間から前記第２の空間への処理
   ガスの連通が行われることを特徴とする基板処理装置。