JPH11186204A - 半導体製造装置のレシピ修正方法 - Google Patents
半導体製造装置のレシピ修正方法Info
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- JPH11186204A JPH11186204A JP35303897A JP35303897A JPH11186204A JP H11186204 A JPH11186204 A JP H11186204A JP 35303897 A JP35303897 A JP 35303897A JP 35303897 A JP35303897 A JP 35303897A JP H11186204 A JPH11186204 A JP H11186204A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造装置の状態が変化しても、制御量
が変化することがなく、再処理を不要として工程処理能
力を高める。 【解決手段】 投入したロットの研磨前の膜厚データと
研磨後の膜厚データの差と、実際の研磨時間とから、最
新の研磨レートを算出し、変動パラメータテーブル１３
５に保存する。次のロットの投入に際し、変動パラメー
タテーブル１３５に保存されている最新の研磨レートを
得て、レシピ修正ルールに従い研磨必要量から研磨時間
を算出し、この算出した研磨時間に応じたレシピ情報を
プロセスレシピテーブル１３１から選択してレシピ変動
部分とし、このレシピ変動部分と工場ホストコンピュー
タ２からのレシピ固定部分と合わせたプロセスレシピ情
報を最適レシピとしてＣＭＰ装置３へ設定する。
が変化することがなく、再処理を不要として工程処理能
力を高める。 【解決手段】 投入したロットの研磨前の膜厚データと
研磨後の膜厚データの差と、実際の研磨時間とから、最
新の研磨レートを算出し、変動パラメータテーブル１３
５に保存する。次のロットの投入に際し、変動パラメー
タテーブル１３５に保存されている最新の研磨レートを
得て、レシピ修正ルールに従い研磨必要量から研磨時間
を算出し、この算出した研磨時間に応じたレシピ情報を
プロセスレシピテーブル１３１から選択してレシピ変動
部分とし、このレシピ変動部分と工場ホストコンピュー
タ２からのレシピ固定部分と合わせたプロセスレシピ情
報を最適レシピとしてＣＭＰ装置３へ設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＶＤ（化学気
相成長）装置やＣＭＰ（化学機械研磨）装置等の半導体
製造装置へのレシピ情報を修正する半導体装置のレシピ
修正方法に関するものである。
相成長）装置やＣＭＰ（化学機械研磨）装置等の半導体
製造装置へのレシピ情報を修正する半導体装置のレシピ
修正方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置では、複数枚のウェハを
カセットに収納し、カセット単位毎に処理を実行するも
のと、カセットに複数枚収納しているがウェハ１枚また
は２枚毎に処理を実行するものに分けられる。例えば、
前の工程からウェハが複数枚格納されたカセットを、装
置のロードポート（搬入口）に移動させると、ＣＶＤ装
置等の半導体製造装置では、ロボットがカセット内のウ
ェハを順番に、反応炉である石英ガラス等からなる溝付
きボートに移載して、カセット内のウェハ全ての処理を
同時に行う。また、ＣＭＰ装置等の半導体製造装置で
は、ロボットがカセット内のウェハを順番に、左右のウ
ェハ吸着パッドに移載し、２枚ずつ処理を行う。このよ
うな半導体製造装置では、カセット毎またはウェハ毎に
プロセスのシーケンスと制御パラメータ（温度、圧力、
ガス流量、パッド回転数、研磨量などの装置を制御する
目標値）であるレシピ情報をテーブル化して、１つのフ
ァイルにする。このファイルは、製品群毎に複数作成
し、ユニークなレシピＩＤを割り付けて使用する。例え
ば、特開平８−２１６０９５号公報には、レシピ情報を
ウェハ単位で管理する方法について述べられている。
カセットに収納し、カセット単位毎に処理を実行するも
のと、カセットに複数枚収納しているがウェハ１枚また
は２枚毎に処理を実行するものに分けられる。例えば、
前の工程からウェハが複数枚格納されたカセットを、装
置のロードポート（搬入口）に移動させると、ＣＶＤ装
置等の半導体製造装置では、ロボットがカセット内のウ
ェハを順番に、反応炉である石英ガラス等からなる溝付
きボートに移載して、カセット内のウェハ全ての処理を
同時に行う。また、ＣＭＰ装置等の半導体製造装置で
は、ロボットがカセット内のウェハを順番に、左右のウ
ェハ吸着パッドに移載し、２枚ずつ処理を行う。このよ
うな半導体製造装置では、カセット毎またはウェハ毎に
プロセスのシーケンスと制御パラメータ（温度、圧力、
ガス流量、パッド回転数、研磨量などの装置を制御する
目標値）であるレシピ情報をテーブル化して、１つのフ
ァイルにする。このファイルは、製品群毎に複数作成
し、ユニークなレシピＩＤを割り付けて使用する。例え
ば、特開平８−２１６０９５号公報には、レシピ情報を
ウェハ単位で管理する方法について述べられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、先の特
開平８−２１６０９５号公報などで述べられているレシ
ピ情報は全て固定情報であり、半導体製造装置の状態に
関係なく一意的に設定される。このため、半導体製造装
置の状態が変化したような場合、制御量が変化し、再処
理が必要となる。例えば、半導体前工程の１つであるＣ
ＭＰ工程では、ＣＭＰ装置によりウェハを研磨し平滑化
する。この工程に製品を投入する時には、製品毎のレシ
ピの一部として、研磨時間に関するレシピ情報が指定さ
れる。しかし、ＣＭＰ装置は、研磨パッドの摩耗、研磨
剤の劣化や研磨屑の混入により、一定時間に削れる量、
いわゆる研磨レートが変動する。このため、研磨時間を
一定としてＣＭＰ装置を制御した場合、研磨量が変化
し、研磨不足や研磨過多を引き起こして再研磨が必要と
なる。
開平８−２１６０９５号公報などで述べられているレシ
ピ情報は全て固定情報であり、半導体製造装置の状態に
関係なく一意的に設定される。このため、半導体製造装
置の状態が変化したような場合、制御量が変化し、再処
理が必要となる。例えば、半導体前工程の１つであるＣ
ＭＰ工程では、ＣＭＰ装置によりウェハを研磨し平滑化
する。この工程に製品を投入する時には、製品毎のレシ
ピの一部として、研磨時間に関するレシピ情報が指定さ
れる。しかし、ＣＭＰ装置は、研磨パッドの摩耗、研磨
剤の劣化や研磨屑の混入により、一定時間に削れる量、
いわゆる研磨レートが変動する。このため、研磨時間を
一定としてＣＭＰ装置を制御した場合、研磨量が変化
し、研磨不足や研磨過多を引き起こして再研磨が必要と
なる。
【０００４】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、その目的とするところは、半導体製造
装置の状態が変化しても、制御量が変化することがな
く、再処理を不要として工程処理能力を高めることので
きる半導体製造装置のレシピ修正方法を提供することに
ある。
なされたもので、その目的とするところは、半導体製造
装置の状態が変化しても、制御量が変化することがな
く、再処理を不要として工程処理能力を高めることので
きる半導体製造装置のレシピ修正方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、第１発明（請求項１に係る発明）は、半導体
製造装置の状態によって変動するパラメータをモニタ
し、このモニタした変動パラメータに基づいて半導体製
造装置へのレシピ情報を修正するようにしたものであ
る。この発明によれば、例えば、化学機械研磨装置の現
在の研磨レートがモニタされ、このモニタされた研磨レ
ートに基づいて化学機械研磨装置へのレシピ情報が修正
される。第２発明（請求項２に係る発明）は、第１発明
において、半導体製造装置を化学機械研磨装置とし、変
動パラメータを研磨レートとしたものである。この発明
によれば、化学機械研磨装置の現在の研磨レートがモニ
タされ、このモニタされた研磨レートに基づいて化学機
械研磨装置へのレシピ情報が修正される。
るために、第１発明（請求項１に係る発明）は、半導体
製造装置の状態によって変動するパラメータをモニタ
し、このモニタした変動パラメータに基づいて半導体製
造装置へのレシピ情報を修正するようにしたものであ
る。この発明によれば、例えば、化学機械研磨装置の現
在の研磨レートがモニタされ、このモニタされた研磨レ
ートに基づいて化学機械研磨装置へのレシピ情報が修正
される。第２発明（請求項２に係る発明）は、第１発明
において、半導体製造装置を化学機械研磨装置とし、変
動パラメータを研磨レートとしたものである。この発明
によれば、化学機械研磨装置の現在の研磨レートがモニ
タされ、このモニタされた研磨レートに基づいて化学機
械研磨装置へのレシピ情報が修正される。
【０００６】第３発明（請求項３に係る発明）は、第２
発明において、変動パラメータの研磨レートを研磨前膜
厚測定データと研磨後膜厚測定データとの差とから算出
するようにしたものである。この発明によれば、化学機
械研磨装置の現在の研磨レートが研磨前膜厚測定データ
と研磨後膜厚測定データとの差とから算出され、この算
出された研磨レートに基づいて化学機械研磨装置へのレ
シピ情報が修正される。第４発明（請求項４に係る発
明）は、第２発明において、変動パラメータの研磨レー
トを化学機械研磨装置に接続した化学機械研磨プロセス
をモニタする測定装置からの測定データから算出するよ
うにしたものである。この発明によれば、化学機械研磨
装置の現在の研磨レートが化学機械研磨装置に接続され
た測定装置からの測定データから算出され、この算出さ
れた研磨レートに基づいて化学機械研磨装置へのレシピ
情報が修正される。第５発明（請求項５に係る発明）
は、第２発明において、変動パラメータの研磨レートを
化学機械研磨装置の内部に設けた化学機械研磨プロセス
をモニタする測定装置からの測定データから算出するよ
うにしたものである。この発明によれば、化学機械研磨
装置の現在の研磨レートが化学機械研磨装置の内部に設
けられた測定装置からの測定データから算出され、この
算出された研磨レートに基づいて化学機械研磨装置への
レシピ情報が修正される。
発明において、変動パラメータの研磨レートを研磨前膜
厚測定データと研磨後膜厚測定データとの差とから算出
するようにしたものである。この発明によれば、化学機
械研磨装置の現在の研磨レートが研磨前膜厚測定データ
と研磨後膜厚測定データとの差とから算出され、この算
出された研磨レートに基づいて化学機械研磨装置へのレ
シピ情報が修正される。第４発明（請求項４に係る発
明）は、第２発明において、変動パラメータの研磨レー
トを化学機械研磨装置に接続した化学機械研磨プロセス
をモニタする測定装置からの測定データから算出するよ
うにしたものである。この発明によれば、化学機械研磨
装置の現在の研磨レートが化学機械研磨装置に接続され
た測定装置からの測定データから算出され、この算出さ
れた研磨レートに基づいて化学機械研磨装置へのレシピ
情報が修正される。第５発明（請求項５に係る発明）
は、第２発明において、変動パラメータの研磨レートを
化学機械研磨装置の内部に設けた化学機械研磨プロセス
をモニタする測定装置からの測定データから算出するよ
うにしたものである。この発明によれば、化学機械研磨
装置の現在の研磨レートが化学機械研磨装置の内部に設
けられた測定装置からの測定データから算出され、この
算出された研磨レートに基づいて化学機械研磨装置への
レシピ情報が修正される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態に基づ
き詳細に説明する。 〔実施の形態１〕図１はこの発明を適用してなる半導体
製造システムのシステム構成図である。この半導体製造
システムは、レシピ指示システム１と、工場ホストコン
ピュータ２と、ＣＭＰ装置３と、ウェハ洗浄装置４と、
膜厚測定装置５とから構成される。
き詳細に説明する。 〔実施の形態１〕図１はこの発明を適用してなる半導体
製造システムのシステム構成図である。この半導体製造
システムは、レシピ指示システム１と、工場ホストコン
ピュータ２と、ＣＭＰ装置３と、ウェハ洗浄装置４と、
膜厚測定装置５とから構成される。
【０００８】レシピ指示システム１は、製造装置用制御
装置１１と、測定装置用制御装置１２と、記憶装置１３
とから構成される。製造装置用制御装置１１は、一時保
持用のメモリ１１１を使用し、工場ホストコンピュータ
２、ＣＭＰ装置３、ウェハ洗浄装置４、記憶装置１３と
通信インターフェースを介して、ロット別のプロセスレ
シピ情報や処理結果を通信する。
装置１１と、測定装置用制御装置１２と、記憶装置１３
とから構成される。製造装置用制御装置１１は、一時保
持用のメモリ１１１を使用し、工場ホストコンピュータ
２、ＣＭＰ装置３、ウェハ洗浄装置４、記憶装置１３と
通信インターフェースを介して、ロット別のプロセスレ
シピ情報や処理結果を通信する。
【０００９】測定装置用制御装置１２は、一時保持用の
メモリ１２１を使用し、工場ホストコンピュータ２、膜
厚測定装置５、記憶装置１３と通信インターフェースを
介して、ロット別の測定レシピ情報や測定データを通信
し、ロットの処理結果を判定する。
メモリ１２１を使用し、工場ホストコンピュータ２、膜
厚測定装置５、記憶装置１３と通信インターフェースを
介して、ロット別の測定レシピ情報や測定データを通信
し、ロットの処理結果を判定する。
【００１０】記憶装置１３は、プロセスレシピテーブル
１３１、測定レシピテーブル１３２、測定データテーブ
ル１３３、レシピ修正テーブル１３４、変動パラメータ
テーブル１３５、判定基準テーブル１３６および履歴テ
ーブル１３７に各種情報を蓄積する。
１３１、測定レシピテーブル１３２、測定データテーブ
ル１３３、レシピ修正テーブル１３４、変動パラメータ
テーブル１３５、判定基準テーブル１３６および履歴テ
ーブル１３７に各種情報を蓄積する。
【００１１】次に、この半導体製造システムの動作につ
いて、図２に示したフローチャートを参照しながら説明
する。最初に、前の工程から来たロットを膜厚測定装置
５に投入する（ステップ２０１）。測定装置用制御装置
１２は、工場ホストコンピュータ２から、投入ロットの
内容と使用する測定レシピＩＤを得て、記憶装置１３の
測定レシピテーブル１３２から測定レシピ情報を取り出
し、膜厚測定装置５に設定する。
いて、図２に示したフローチャートを参照しながら説明
する。最初に、前の工程から来たロットを膜厚測定装置
５に投入する（ステップ２０１）。測定装置用制御装置
１２は、工場ホストコンピュータ２から、投入ロットの
内容と使用する測定レシピＩＤを得て、記憶装置１３の
測定レシピテーブル１３２から測定レシピ情報を取り出
し、膜厚測定装置５に設定する。
【００１２】膜厚測定装置５は、設定された測定レシピ
情報に従い、研磨前膜厚測定を行い（ステップ２０
２）、これによる測定データ（研磨前の膜厚データ）を
測定装置用制御装置１２に送信する。測定装置用制御装
置１２は、膜厚測定装置５からの測定データを記憶装置
１３の測定データテーブル１３３に、処理履歴を履歴テ
ーブル１３７に保存する。
情報に従い、研磨前膜厚測定を行い（ステップ２０
２）、これによる測定データ（研磨前の膜厚データ）を
測定装置用制御装置１２に送信する。測定装置用制御装
置１２は、膜厚測定装置５からの測定データを記憶装置
１３の測定データテーブル１３３に、処理履歴を履歴テ
ーブル１３７に保存する。
【００１３】次に、膜厚測定装置５に投入したロットを
取り出し、ＣＭＰ装置３に投入する。製造装置用制御装
置１１は、工場ホストコンピュータ２から、投入ロット
の内容として膜の種類と研磨必要量を得る。そして、製
造装置用制御装置１１は、記憶装置１３の変動パラメー
タテーブル１３５から最新の研磨レート（後述）を得
て、レシピ修正テーブル１３４内のレシピ修正ルールに
従い研磨必要量から研磨時間を算出し、この算出した研
磨時間に応じたプロセスレシピ情報をプロセスレシピテ
ーブル１３１からレシピ変動部分として選択する。
取り出し、ＣＭＰ装置３に投入する。製造装置用制御装
置１１は、工場ホストコンピュータ２から、投入ロット
の内容として膜の種類と研磨必要量を得る。そして、製
造装置用制御装置１１は、記憶装置１３の変動パラメー
タテーブル１３５から最新の研磨レート（後述）を得
て、レシピ修正テーブル１３４内のレシピ修正ルールに
従い研磨必要量から研磨時間を算出し、この算出した研
磨時間に応じたプロセスレシピ情報をプロセスレシピテ
ーブル１３１からレシピ変動部分として選択する。
【００１４】そして、製造装置用制御装置１１は、工場
ホストコンピュータ２からのレシピ固定部分と上記のレ
シピ変動部分とを合わせたプロセスレシピ情報を最適レ
シピとし、すなわちレシピ固定部分にレシピ変動部分を
加えることによって修正されたプロセスレシピ情報を最
適レシピとし、この最適レシピをＣＭＰ装置３とウェハ
洗浄装置４に送信し（ステップ２０３）、研磨を開始す
る（ステップ２０４）。
ホストコンピュータ２からのレシピ固定部分と上記のレ
シピ変動部分とを合わせたプロセスレシピ情報を最適レ
シピとし、すなわちレシピ固定部分にレシピ変動部分を
加えることによって修正されたプロセスレシピ情報を最
適レシピとし、この最適レシピをＣＭＰ装置３とウェハ
洗浄装置４に送信し（ステップ２０３）、研磨を開始す
る（ステップ２０４）。
【００１５】研磨終了後、ウェハ洗浄装置４によって、
ウェハ洗浄処理を行う（ステップ２０５）。製造装置用
制御装置１１は、処理の履歴を記録装置１３の履歴テー
ブル１３７に格納する。洗浄が終了したロットは、再
度、膜厚測定装置５に投入される。膜厚測定装置５は、
研磨後膜厚測定を行い（ステップ２０６）、これによる
測定データ（研磨後の膜厚データ）を測定装置用制御装
置１２に送信する。
ウェハ洗浄処理を行う（ステップ２０５）。製造装置用
制御装置１１は、処理の履歴を記録装置１３の履歴テー
ブル１３７に格納する。洗浄が終了したロットは、再
度、膜厚測定装置５に投入される。膜厚測定装置５は、
研磨後膜厚測定を行い（ステップ２０６）、これによる
測定データ（研磨後の膜厚データ）を測定装置用制御装
置１２に送信する。
【００１６】測定装置用制御装置１２は、送信されてき
た測定データを記憶装置１３の測定データテーブル１３
３に蓄積する。記憶装置１３は、投入したロットの研磨
前の膜厚データと研磨後の膜厚データの差と、履歴テー
ブル１３７にある実際の研磨時間とから、最新の研磨レ
ートを算出し（ステップ２０７）、変動パラメータテー
ブル１３５に保存する。得られた最新研磨レートは、次
のロットの最適レシピを求めるときに使用する。
た測定データを記憶装置１３の測定データテーブル１３
３に蓄積する。記憶装置１３は、投入したロットの研磨
前の膜厚データと研磨後の膜厚データの差と、履歴テー
ブル１３７にある実際の研磨時間とから、最新の研磨レ
ートを算出し（ステップ２０７）、変動パラメータテー
ブル１３５に保存する。得られた最新研磨レートは、次
のロットの最適レシピを求めるときに使用する。
【００１７】次に、測定装置用制御装置１２は、記憶装
置１３の判定基準テーブル１３６から判定基準情報を取
り出し、研磨後の膜厚が基準内であるか否かの判定を行
い（ステップ２０８）、判定結果の履歴を履歴テーブル
１３７に通信する。そして、ＣＭＰ工程の全ての処理が
終了したロットを排出し（ステップ２０９）、次の工程
へ送る。
置１３の判定基準テーブル１３６から判定基準情報を取
り出し、研磨後の膜厚が基準内であるか否かの判定を行
い（ステップ２０８）、判定結果の履歴を履歴テーブル
１３７に通信する。そして、ＣＭＰ工程の全ての処理が
終了したロットを排出し（ステップ２０９）、次の工程
へ送る。
【００１８】〔実施の形態２〕実施の形態２では、図４
に示すように、ＣＭＰ装置３の変動パラメータを測定す
る手段として、ＣＭＰプロセスをモニタする測定装置６
をＣＭＰ装置３に接続し、その測定データを製造装置用
制御装置１１へフィードバックして、最適レシピを決定
する。測定装置６は、ＣＭＰ装置３のテーブル駆動電
流、テーブル温度、研磨剤の濃度、研磨屑の密度を測定
するプロセスモニタリング装置である。
に示すように、ＣＭＰ装置３の変動パラメータを測定す
る手段として、ＣＭＰプロセスをモニタする測定装置６
をＣＭＰ装置３に接続し、その測定データを製造装置用
制御装置１１へフィードバックして、最適レシピを決定
する。測定装置６は、ＣＭＰ装置３のテーブル駆動電
流、テーブル温度、研磨剤の濃度、研磨屑の密度を測定
するプロセスモニタリング装置である。
【００１９】この半導体製造システムでは、最初に、前
の工程から来たロットをＣＭＰ装置３に投入する（図３
に示すステップ３０１）。製造装置用制御装置１１は、
工場ホストコンピュータ２から、投入ロットの内容とし
て膜の種類と研磨必要量を得る。
の工程から来たロットをＣＭＰ装置３に投入する（図３
に示すステップ３０１）。製造装置用制御装置１１は、
工場ホストコンピュータ２から、投入ロットの内容とし
て膜の種類と研磨必要量を得る。
【００２０】次に、製造装置用制御装置１１は、記憶装
置１３の変動パラメータテーブル１３５から最新の研磨
レート（後述）を得て、レシピ修正テーブル１３４内の
レシピ修正ルールに従い研磨必要量から研磨時間を算出
し、この算出した研磨時間に応じたプロセスレシピ情報
をプロセスレシピテーブル１３１からレシピ変動部分と
して選択する。
置１３の変動パラメータテーブル１３５から最新の研磨
レート（後述）を得て、レシピ修正テーブル１３４内の
レシピ修正ルールに従い研磨必要量から研磨時間を算出
し、この算出した研磨時間に応じたプロセスレシピ情報
をプロセスレシピテーブル１３１からレシピ変動部分と
して選択する。
【００２１】そして、製造装置用制御装置１１は、工場
ホストコンピュータ２からのレシピ固定部分と上記のレ
シピ変動部分とを合わせたプロセスレシピ情報を最適レ
シピとし、すなわちレシピ固定部分にレシピ変動部分を
加えることによって修正されたプロセスレシピ情報を最
適レシピとし、この最適レシピをＣＭＰ装置３とウェハ
洗浄装置４に送信し（ステップ３０２）、研磨を開始す
る（ステップ３０３）。
ホストコンピュータ２からのレシピ固定部分と上記のレ
シピ変動部分とを合わせたプロセスレシピ情報を最適レ
シピとし、すなわちレシピ固定部分にレシピ変動部分を
加えることによって修正されたプロセスレシピ情報を最
適レシピとし、この最適レシピをＣＭＰ装置３とウェハ
洗浄装置４に送信し（ステップ３０２）、研磨を開始す
る（ステップ３０３）。
【００２２】研磨中は、測定装置６が測定データを製造
装置用制御装置１１に通信する。研磨終了後、ウェハ洗
浄装置４によって、ウェハ洗浄処理を行う（ステップ３
０４）。製造装置用制御装置１１は、処理の履歴を記録
装置１３の履歴テーブル１３７に格納し、測定データを
測定データテーブル１３３に保存する。
装置用制御装置１１に通信する。研磨終了後、ウェハ洗
浄装置４によって、ウェハ洗浄処理を行う（ステップ３
０４）。製造装置用制御装置１１は、処理の履歴を記録
装置１３の履歴テーブル１３７に格納し、測定データを
測定データテーブル１３３に保存する。
【００２３】洗浄が終了したロットは、膜厚測定装置５
に投入され、研磨後膜厚測定が行われる（ステップ３０
５）。これによる測定データ（研磨後の膜厚データ）
は、測定装置用制御装置１２を経由して、記憶装置１３
の測定データテーブル１３３に蓄積される。
に投入され、研磨後膜厚測定が行われる（ステップ３０
５）。これによる測定データ（研磨後の膜厚データ）
は、測定装置用制御装置１２を経由して、記憶装置１３
の測定データテーブル１３３に蓄積される。
【００２４】記憶装置13は、測定装置６が計測した測定
データから最新の研磨レートを算出し（ステップ３０
６）、変動パラメータテーブル１３５に保存する。得ら
れた最新の研磨レートは、次のロットの最適レシピを求
めるときに使用する。
データから最新の研磨レートを算出し（ステップ３０
６）、変動パラメータテーブル１３５に保存する。得ら
れた最新の研磨レートは、次のロットの最適レシピを求
めるときに使用する。
【００２５】次に、測定装置用制御装置１２は、記憶装
置１３の判定基準テーブル１３６から判定基準情報を取
り出し、研磨後の膜厚が基準内であるか否かの判定を行
い（ステップ３０７）、判定結果の履歴を履歴テーブル
１３７に通信する。そして、ＣＭＰ工程の全ての処理が
終了したロットを排出し（ステップ３０８）、次の工程
へ送る。
置１３の判定基準テーブル１３６から判定基準情報を取
り出し、研磨後の膜厚が基準内であるか否かの判定を行
い（ステップ３０７）、判定結果の履歴を履歴テーブル
１３７に通信する。そして、ＣＭＰ工程の全ての処理が
終了したロットを排出し（ステップ３０８）、次の工程
へ送る。
【００２６】〔実施の形態３〕実施の形態３では、図５
に示すように、ＣＭＰ装置３の変動パラメータをモニタ
する手段として、ＣＭＰ装置３の内部にプロセスをモニ
タする測定装置３１を組み込み、その測定データを製造
装置用制御装置１１にフィードバックして、最適レシピ
を決定する。測定装置３１は、研磨前後の膜厚を測定す
る装置や研磨中に随時膜厚を測定する装置である。この
半導体製造システムでは、測定装置３１が計測した測定
データから最新の研磨レートを算出し、変動パラメータ
テーブル１３５に保存する。得られた最新の研磨レート
は、実施の形態２と同様にして、次のロットの最適レシ
ピを求めるときに使用する。
に示すように、ＣＭＰ装置３の変動パラメータをモニタ
する手段として、ＣＭＰ装置３の内部にプロセスをモニ
タする測定装置３１を組み込み、その測定データを製造
装置用制御装置１１にフィードバックして、最適レシピ
を決定する。測定装置３１は、研磨前後の膜厚を測定す
る装置や研磨中に随時膜厚を測定する装置である。この
半導体製造システムでは、測定装置３１が計測した測定
データから最新の研磨レートを算出し、変動パラメータ
テーブル１３５に保存する。得られた最新の研磨レート
は、実施の形態２と同様にして、次のロットの最適レシ
ピを求めるときに使用する。
【００２７】以上の説明から明らかなように、上述した
実施の形態１〜３によれば、ＣＭＰ装置３の変動パラメ
ータである研磨レートがロット毎に常時モニターされ、
このモニタされた研磨レートに基づいてＣＭＰ装置３へ
のプロセスレシピ情報が最適レシピに修正されるため、
ＣＭＰ装置３の研磨レートが変化しても、研磨量が変化
することがなく、再研磨を不要として工程処理能力を高
めることができる。
実施の形態１〜３によれば、ＣＭＰ装置３の変動パラメ
ータである研磨レートがロット毎に常時モニターされ、
このモニタされた研磨レートに基づいてＣＭＰ装置３へ
のプロセスレシピ情報が最適レシピに修正されるため、
ＣＭＰ装置３の研磨レートが変化しても、研磨量が変化
することがなく、再研磨を不要として工程処理能力を高
めることができる。
【００２８】また、上述した実施の形態１〜３では、Ｃ
ＭＰ装置３へのプロセスレシピ情報が自動的に修正され
るため、作業者によるレシピ算出時間が無くなること
と、レシピ選択の誤りを無くすことができ、工程通過時
間を短くすることができる。すなわち、研磨必要量と現
在のＣＭＰ装置３の研磨レートとから人為的に研磨時間
を算出し、プロセスレシピの変動部分を選択することも
できる。しかし、この場合、作業者によるレシピ算出時
間を必要とし、またレシピ選択の誤りが生じる虞れもあ
り、工程通過時間が長くなる。これに対して、実施の形
態１〜３では、ＣＭＰ装置３へのプロセスレシピ情報を
製造装置用制御装置１１が自動的に修正するため、工程
通過時間が短くなる。
ＭＰ装置３へのプロセスレシピ情報が自動的に修正され
るため、作業者によるレシピ算出時間が無くなること
と、レシピ選択の誤りを無くすことができ、工程通過時
間を短くすることができる。すなわち、研磨必要量と現
在のＣＭＰ装置３の研磨レートとから人為的に研磨時間
を算出し、プロセスレシピの変動部分を選択することも
できる。しかし、この場合、作業者によるレシピ算出時
間を必要とし、またレシピ選択の誤りが生じる虞れもあ
り、工程通過時間が長くなる。これに対して、実施の形
態１〜３では、ＣＭＰ装置３へのプロセスレシピ情報を
製造装置用制御装置１１が自動的に修正するため、工程
通過時間が短くなる。
【００２９】また、上述した実施の形態１〜３では、投
入ロットの処理結果判定を自動で行うことができ、工程
の良品率を上げることができる。また、工程内各装置の
履歴情報を保有しているため、工程内の進捗管理が容易
となる。
入ロットの処理結果判定を自動で行うことができ、工程
の良品率を上げることができる。また、工程内各装置の
履歴情報を保有しているため、工程内の進捗管理が容易
となる。
【００３０】なお、上述した実施の形態１〜３では、プ
ロセスレシピ情報を修正する周期をロット毎としたが、
ウェハ毎としてもよい。また、上述した実施の形態１〜
３では、プロセスレシピ情報を製品により決定する固定
部分と、装置の状態により変化する変動部分とに分け
て、前者を工場ホストコンピュータ２に管理させ、後者
を記憶装置１３に管理させるようにしたが、両者とも記
憶装置１３に管理させるようにしてもよい。すなわち、
レシピ固定部分を記憶装置１３に予め登録するようにし
てもよい。
ロセスレシピ情報を修正する周期をロット毎としたが、
ウェハ毎としてもよい。また、上述した実施の形態１〜
３では、プロセスレシピ情報を製品により決定する固定
部分と、装置の状態により変化する変動部分とに分け
て、前者を工場ホストコンピュータ２に管理させ、後者
を記憶装置１３に管理させるようにしたが、両者とも記
憶装置１３に管理させるようにしてもよい。すなわち、
レシピ固定部分を記憶装置１３に予め登録するようにし
てもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように本
発明によれば、半導体製造装置の状態によって変動する
パラメータをモニタし、このモニタした変動パラメータ
に基づいて半導体製造装置へのレシピ情報を修正するよ
うにしたので、半導体製造装置の状態の変化に対し、制
御量の変化をなくし、再処理を不要として工程処理能力
を高めることが可能となる。
発明によれば、半導体製造装置の状態によって変動する
パラメータをモニタし、このモニタした変動パラメータ
に基づいて半導体製造装置へのレシピ情報を修正するよ
うにしたので、半導体製造装置の状態の変化に対し、制
御量の変化をなくし、再処理を不要として工程処理能力
を高めることが可能となる。
【図１】 本発明を適用してなる半導体製造システムの
システム構成図（実施の形態１）である。
システム構成図（実施の形態１）である。
【図２】 図１に示した半導体製造システムの動作を説
明する図である。
明する図である。
【図３】 図４に示した半導体製造システムの動作を説
明する図である。
明する図である。
【図４】 本発明を適用してなる半導体製造システムの
システム構成図（実施の形態２）である。
システム構成図（実施の形態２）である。
【図５】 本発明を適用してなる半導体製造システムの
システム構成図（実施の形態３）である。
システム構成図（実施の形態３）である。
１…レシピ指示システム、２…工場ホストコンピュー
タ、３…ＣＭＰ装置、４…ウェハ装置、５…膜厚測定装
置、６，３１…測定装置、１１…製造装置用制御装置、
１２…測定装置用制御装置、１３…記憶装置、１３１…
プロセスレシピテーブル、１３２…測定レシピテーブ
ル、１３３…測定データテーブル、１３４…レシピ修正
テーブル、１３５…変動パラメータテーブル、１３６…
判定基準テーブル、１３７…履歴テーブル。
タ、３…ＣＭＰ装置、４…ウェハ装置、５…膜厚測定装
置、６，３１…測定装置、１１…製造装置用制御装置、
１２…測定装置用制御装置、１３…記憶装置、１３１…
プロセスレシピテーブル、１３２…測定レシピテーブ
ル、１３３…測定データテーブル、１３４…レシピ修正
テーブル、１３５…変動パラメータテーブル、１３６…
判定基準テーブル、１３７…履歴テーブル。
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体製造装置の状態によって変動する
パラメータをモニタし、このモニタした変動パラメータ
に基づいて前記半導体製造装置へのレシピ情報を修正す
るようにしたことを特徴とする半導体製造装置のレシピ
修正方法。 - 【請求項２】 請求項１において、前記半導体製造装置
が化学機械研磨装置であり、前記変動パラメータが研磨
レートであることを特徴とする半導体製造装置のレシピ
修正方法。 - 【請求項３】 請求項２において、前記変動パラメータ
の研磨レートを研磨前膜厚測定データと研磨後膜厚測定
データとの差とから算出するようにしたことを特徴とす
る半導体製造装置のレシピ修正方法。 - 【請求項４】 請求項２において、前記変動パラメータ
の研磨レートを化学機械研磨装置に接続した化学機械研
磨プロセスをモニタする測定装置からの測定データから
算出するようにしたことを特徴とする半導体製造装置の
レシピ修正方法。 - 【請求項５】 請求項２において、前記変動パラメータ
の研磨レートを化学機械研磨装置の内部に設けた化学機
械研磨プロセスをモニタする測定装置からの測定データ
から算出するようにしたことを特徴とする半導体製造装
置のレシピ修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09353038A JP3077656B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体製造装置のレシピ修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09353038A JP3077656B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体製造装置のレシピ修正方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186204A true JPH11186204A (ja) | 1999-07-09 |
| JP3077656B2 JP3077656B2 (ja) | 2000-08-14 |
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ID=18428157
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09353038A Expired - Fee Related JP3077656B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体製造装置のレシピ修正方法 |
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| KR100827698B1 (ko) | 2006-11-21 | 2008-05-07 | 삼성전자주식회사 | 씨엠피의 공정 수행을 위한 셋업 방법 및 장치 |
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| KR20230005319A (ko) * | 2020-07-22 | 2023-01-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 제조 프로세스 성능을 개선하기 위한 통합 기판 측정 시스템 |
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| US12283503B2 (en) | 2020-07-22 | 2025-04-22 | Applied Materials, Inc. | Substrate measurement subsystem |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP09353038A patent/JP3077656B2/ja not_active Expired - Fee Related
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