JPH11186346A

JPH11186346A - 半導体装置用基板及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11186346A
Application number: JP9351421A
Authority: JP
Inventors: Tadakatsu Ota; 忠勝太田; Shinichi Nagamori; 進一永森
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1997-12-19
Filing date: 1997-12-19
Publication date: 1999-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】ポリイミドフィルムの両面に形成された導電層
が、バイアで接続されている半導体装置用基板におい
て、バイア、配線の接続信頼性が高く、従って電気的特
性が高い半導体装置用基板及びその製造方法を提供す
る。【解決手段】ポリイミドフィルム１０と、その両面に形
成された配線１４との間に接着剤層を有しない。また、
バイアの底部で配線１４と電気的に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ポリイミドフィル
ムの両面に銅層からなる導体層を有する半導体装置用基
板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、パーソナルコンピューター等に代
表されるように、電子機器に高密度化、小型化、薄型化
が求められている。そのため、半導体チップをその上に
搭載して、親基板となるプリント配線板に実装する半導
体装置用基板においても、より高密度配線が可能で、小
型化、薄型化が可能な半導体装置用基板が求められてい
る。このような半導体装置用基板の例として、図３に示
すようなものが知られている。従来のＴＡＢ技術を応用
し、両面に導電層を形成し、両面の導電層をバイアで接
続するものである。

【０００３】この技術について説明する。まず、図３
（ａ）に示すように、ポリイミドフィルム１０１の片面
に銅箔１０２が形成された材料を用意する。これは、銅
箔にポリイミドワニスをコートし、硬化させることによ
って得られる。そして、ポリイミドフィルムの銅箔が形
成されていない面に、接着剤１０３を塗布し、仮乾燥さ
せる（図３（ｂ））。次に、打ち抜き等でスプロケット
ホール１０４、バイア用孔１０５、デバイスホール１０
６を加工する（図３（ｃ））。バイア用孔１０５は、高
密度配線が要求されていることから、小径化されてお
り、レーザー加工やヒドラジン等を用いたエッチングに
よって形成する技術が知られている。続いて、接着剤側
の面に銅箔１０７を接着する（図３（ｄ））。

【０００４】さらに、両面に無電解めっきを施し、続い
て電解めっきを施すことによって銅層１０８を形成す
る。この際に、バイア用孔内にも銅層が形成されて、バ
イア１０９となる（図３（ｅ））。このバイアによって
両面の銅層が電気的に接続される。その後に、両面にレ
ジストを形成してエッチングすることにより、配線１１
０を形成する（図３（ｆ））。この際、半導体チップと
接続するためのインナーリード１１１等もあわせて形成
される。そして、両面にソルダーレジスト１１２を形成
し、半導体装置用基板を得る（図３（ｇ））。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
半導体装置用基板における第一の問題点として、バイア
の導通信頼性が十分でないことがあげられる。この原因
は、ポリイミドフィルムにバイア用の孔を形成する際
に、ポリイミドフィルムと導電層を接着している接着剤
の残渣が孔内に生じ、十分な除去ができないために、無
電解めっき、スパッタリング等で、バイア用孔内に金属
皮膜を形成する工程で、皮膜付着の障害となるものと考
えられた。

【０００６】上述の従来技術を例にとると、図３（ｃ）
で、デバイスホール１０６、スプロケットホール１０
４、バイア用孔１０５を加工する際であり、打ち抜きで
行う場合、接着剤１０３側から金型で打ち抜くと、糸を
引いた接着剤が孔内に付着して残渣となる。また反対面
から打ち抜くと、糸を引いた接着剤が、孔近傍の接着剤
面に付着し、後に導電層を接着する際に、導電層の凹凸
となって現れ、配線形成の精度を低下させる。また、打
ち抜きではなく、レーザー加工で行っても、接着剤が飛
散し、孔内に付着して残渣となる。エッチングで行った
場合、ポリイミドフィルムのエッチング液では、接着剤
が十分に除去されず、残渣となる。

【０００７】このように、バイア用孔内に残渣が生じた
場合、薬液洗浄によって除去することが行われる。加工
の際には、ポリイミドフィルムの残渣も生じるが、ポリ
イミドフィルムの残渣に比べ、接着剤の残渣は除去が難
しい。しかもバイアの小径化に伴い、薬液洗浄の際に孔
内の気泡が抜けきらず、薬液が孔内に侵入しないという
現象が生じる。そのため、残渣が除去されにくく、例え
ば銅のスパッタリングやめっきを行う際に、銅皮膜が付
着しにくく、導通信頼性の低下を招く、という問題を生
み出していた。

【０００８】また第二の問題点として、半導体チップの
実装工程等で、導電層に断線等の不良が生じるという問
題であった。この原因は、ポリイミドフィルムと導電層
を接着している接着剤を塗布、あるいは導電層となる箔
を貼着する工程で、気泡を巻き込むために、生じた気泡
が実装工程等での熱履歴によって膨張し、直接、配線の
断線が生じたり、あるいは接着剤に割れが生じ、結果と
して配線に断線等の不良が生じるものと考えられた。配
線の高密度化に伴い、配線あるいは半導体チップ等の接
続用ランド、親基板との接続用ランドの幅はますます細
くなり、このような配線等に断線等の不良が生じる可能
性はますます高まってきている。

【０００９】本発明は、上記課題を解決し、接着剤の残
渣によるバイアの導通不良をなくし、ポリイミドフィル
ムと銅層間の気泡の膨張による配線不良をなくして接続
信頼性を高め、従って、電気的特性の高い半導体装置用
基板及びその製造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１に係る発明では、ポリイミドフィルムの両
面に、所望の形状に加工された導電層が積層され、前記
ポリイミドフィルムに形成されたバイアによって、前記
両面の導電層が電気的に接続されてなる半導体装置用基
板において、前記ポリイミドフィルムといずれの導電層
との間にも接着剤層を有しないことを特徴している。

【００１１】このような手段によれば、ポリイミドフィ
ルムにバイア用の孔を形成する際に接着剤の残渣が生じ
ることがないため、接着剤の残渣に起因するバイア内の
金属皮膜の付着不良がなく、バイアの導通不良をなくす
ことができる。また、接着剤層が存在しないため、ポリ
イミドフィルムと導電層を接着している接着剤を塗布、
あるいは導電層となる箔を貼着する工程で、接着剤層
中、接着剤層とポリイミドフィルムとの間あるいは接着
剤層と導電層となる箔の間に気泡を巻き込むというよう
な、接着剤層が存在することに起因する、配線の断線等
の不良を生ずることがない。

【００１２】また請求項２に係る発明は、請求項１記載
の半導体装置用基板において、バイアと導電層との接続
信頼性を、さらに一層確実にするためになされたもので
あり、即ち、請求項１記載の半導体装置用基板におい
て、前記バイアの底部が一方の面の導電層に閉塞される
状態で、該導電層に接続されていることを特徴とするも
のである。

【００１３】先に述べた請求項１記載の半導体装置用基
板では、ポリイミドフィルムと導電層との間に接着剤層
を有しないため、バイア用孔を、その底部が一方の面の
導電層に閉塞される状態で形成する際に、ポリイミドフ
ィルムが除去されると、接着剤層が残存することはな
く、前記一方の面の導電層が完全に露出した状態にな
る。そのためその状態のバイア用孔に、例えばスパッタ
リングやめっき等の手段で導電層が形成され、前記バイ
アがその底部が一方の面の導電層に閉塞される状態で、
該導電層に接続されていると、形成されたバイア底部の
導電層の部分で、前記一方の面の導電層と確実に接続さ
れるため、優れた接続信頼性を得ることが可能となる。
上述のような手段において、除去が困難な接着剤の残渣
は生じることがないものの、ポリイミドフィルムに穿孔
する際に、ポリイミドフィルムの残渣が生ずることは回
避できなかった。例えば、打ち抜きで穿孔する場合に
は、切り屑が生じ、レーザー加工する場合にも、壁面に
溶融したポリイミドの残渣が生ずる。エッチングの場合
にも、エッチング液中のポリイミドフィルムの残渣が付
着する。

【００１４】このような残渣除去は従来通り、薬液洗浄
によって除去されるが、バイアの小径化に伴い、薬液洗
浄の際に孔内の気泡が抜けきらず、薬液が孔内に侵入し
ないという現象が生じ、残渣が除去されにくいという問
題を有していた。加えて、エッチングによって穿孔する
場合には、同様にエッチング液が孔内に侵入せず、エッ
チング不良となる問題があった。さらに、その後のバイ
アを形成する際のめっき液も同様に孔内に侵入せず、め
っき不良となったり均一なめっきができないという問題
もあった。そして、スパッタリングの際もバイア用孔の
開口部付近と底部には、比較的厚い皮膜が形成され、他
の部分は若干薄くなるという問題もあった。

【００１５】請求項３記載の発明はこのような問題点に
鑑みなされたものである。即ち請求項３記載の発明は、
請求項１または請求項２記載の半導体装置用基板におい
て、前記バイアが一方の開口部に向かって、徐々に広が
るテーパー状になっていることを特徴としている。

【００１６】なお、請求項２記載のように、前記バイア
の底部が一方の面の導電層に閉塞される状態で、該導電
層に接続されている場合には、導電層で閉塞されていな
い面に向かって徐々に広がるテーパー状になっているこ
とを特徴としている。このような手段によって、薬液、
エッチング液、めっき液さらに洗浄液等が孔内に侵入し
やすく、従って、ポリイミドフィルムの残渣が生ずるこ
とがなく、また均一なエッチング、めっきが可能とな
り、各工程での洗浄も十分に行うことができる。またス
パッタリングを用いた場合でも、均一な導電膜を形成す
ることが可能となる。そのため、バイアの導通信頼性が
向上する。

【００１７】なおこのような手段において、テーパーの
角度はポリイミドフィルムの厚み方向と、バイアの壁面
のなす角度が５゜〜４５゜程度が好ましく、特に７゜〜
２０゜程度が好ましい。５゜より小さいと上述の効果が
十分に得られず、４５゜を越えると開口部の面積が大き
くなり、配線の密度が低下する。

【００１８】請求項４記載の発明は、上述のような高密
度配線が要求され、従ってバイアが小径化している半導
体装置用基板において、バイアの接続信頼性を高めるた
めになされたものである。

【００１９】請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３のいずれか一項記載の半導体装置用基板において、
前記バイアが、ポリイミドフィルムにレーザー加工によ
って形成された孔に、金属がスパッタリングされ、さら
に金属が電解めっきされることによって形成されている
ことを特徴としている。

【００２０】このような手段によれば、小径のバイア内
にも高い信頼性で金属皮膜が形成される。また、電解め
っきを用いているため、厚みのある金属皮膜も短時間に
低コストで形成することが可能となる。また、請求項５
記載の発明は、上述のような半導体装置用基板を、親基
板に実装することを考慮し、技術的に限定したものであ
る。

【００２１】即ち、請求項５記載の発明は、請求項１乃
至請求項４のいずれか一項記載の半導体装置用基板にお
いて、前記バイアが、親基板との電気的接続のための導
電性ボール挿入用であることを特徴としている。

【００２２】この発明によれば、バイアを導電性ボール
挿入用として用いるため、導電性ボールの挿入が行いや
すく、また、バイアの底部側と親基板への実装面の間の
導通信頼性が高く、電気抵抗も低くすることが可能とな
る。また、請求項６記載の発明も、上述のような半導体
装置用基板を、親基板に実装することを考慮し、技術的
に限定したものである。

【００２３】即ち、請求項６記載の発明は、請求項１乃
至請求項４のいずれか一項記載の半導体装置用基板にお
いて、前記バイアが、ソルダーレジストで穴埋めされて
いることを特徴としている。

【００２４】この発明によれば、バイアがソルダーレジ
ストで穴埋めされているため、親基板への実装工程等に
おいて、熱が加わった場合でも、バイア内の金属皮膜が
剥離する恐れがなく、したがってバイアの導通信頼性は
非常に高まる。また、請求項７記載の発明は、上記の課
題を解決するための半導体装置用基板の製造方法を提供
するものである。

【００２５】即ち、半導体装置用基板の製造方法であっ
て、（１）ポリイミドフィルムの両面に、接着剤層を介
することなく、ほぼ全面に導電層が形成された材料を用
意する工程と、（２）両面の導電層上にフォトレジスト
を形成し、導電層をエッチングする工程と、（３）一方
の面から、前記ポリイミドテープに穿孔する工程と、
（４）フォトレジストを剥離する工程と、（５）少なく
とも穿孔した孔内に銅層を形成し、バイアを形成する工
程とからなることを特徴としている。

【００２６】このような手段によれば、ポリイミドフィ
ルムにバイア用の孔を形成する際に接着剤の残渣が生じ
ることがなく、従ってバイアの導通不良をなくすことが
できる半導体装置用基板の製造方法を提供することが可
能となる。また、ポリイミドフィルムと導電層となる箔
の間に、気泡を巻き込むことがないため、配線に断線等
の不良を生ずることがない半導体装置用基板の製造方法
を提供することが可能となる。また請求項８記載の発明
は、請求項７記載の発明を技術的に限定したものであ
る。

【００２７】請求項８に記載の発明は、請求項７記載の
半導体装置用基板の製造方法において、（３）工程で、
穿孔する面に向かって徐々に広がるテーパー状に穿孔す
ることを特徴としている。

【００２８】なお、レーザー光を用いる場合は、例え
ば、レーザー光をスパイラル状に振りながら加工するこ
とによって達成可能である。エッチングによって穿孔す
る場合には、エッチング条件を変更することによって、
達成可能である。そして、このような手段によれば、薬
液、エッチング液、めっき液さらに洗浄液等が孔内に入
りやすく、従って、ポリイミドフィルムの残渣が生ずる
ことがなく、また均一なエッチング、めっきが可能とな
り、各工程での洗浄も十分に行うことができる。またス
パッタリングを用いた場合でも均一な導電膜を形成する
ことが可能となる。そのため、高い導通信頼性でバイア
を形成することが可能となる。

【００２９】次に請求項９記載の発明についてである
が、上述の請求項７記載の手段において重要であること
は、バイア用孔を高い位置精度で穿孔すること、バイア
用孔内に厚さのむらや欠けがない状態で金属皮膜を形成
することであり、請求項８記載の手段において、加えて
重要であることは、テーパーの角度を適切に制御するこ
とである。

【００３０】請求項９記載の発明は、このような要求を
同時に解決するためになされたものであって、即ち請求
項７または請求項８記載の半導体装置用基板の製造方法
において、（３）工程の穿孔手段として、レーザー光を
用い、（５）工程の銅層形成手段として、スパッタリン
グを用いることを特徴としている。

【００３１】レーザー光を穿孔手段として用いることに
より、バイア用孔がずれることなく、高い位置精度で穿
孔することが可能であり、また、テーパー状に形成する
場合は、レーザー光を振りながら、また入射角度を制御
することにより、所望のテーパーの角度で穿孔すること
が可能である。また、スパッタリングを用いることによ
り、バイア用孔内に厚さのむらや欠けがない状態で金属
皮膜を形成することが可能となる。例えば、めっき液が
孔内の気泡のために孔内に侵入せず、そのため、めっき
ができず金属皮膜に欠けが生ずるというような不良が生
ずることがない。従って、高い導通信頼性でバイアを形
成することが可能となる。

【００３２】また、請求項１０記載の発明は、請求項７
乃至請求項９のいずれか一項記載の半導体装置用基板の
製造方法に、各（１）〜（５）の各工程を行った後に、
さらに前記バイアにソルダーレジストを穴埋めする工程
を行うことを特徴としている。穴埋めの方法としては、
シルクスクリーン版を用いて印刷する方法、全面に塗布
して、露光現像工程で不要部分を除去する方法、ディス
ペンサー等を用いて孔内にソルダーレジストを注入する
方法等があげられる。このような手段によれば、バイア
を、ソルダーレジストで確実に穴埋めすることができ
る。従って、親基板への実装工程等において、熱が加わ
った場合でも、バイア内の金属皮膜が剥離する恐れがな
く、したがってバイアの導通信頼性は非常に高まる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を例に
基づき説明する。

【００３４】［実施例１］本発明の第一の実施例を図１
に従って説明する。まず、図１（ａ）に示すように、厚
さ４０μｍのポリイミドフィルム１０の両面に、接着剤
を介することなく厚さ１８μｍの銅層１１が形成された
材料を用意した。接着剤を介することなく銅層を形成す
るには、銅箔にポリイミドワニスをコートして、硬化さ
せ、得られたポリイミドフィルムの他方の面に、無電解
めっき、スパッタリングで薄い銅層を形成し、電解めっ
きで厚付けする、というような方法がある。銅層の厚さ
は、１８〜２５μｍ程度のものが特に好適に使用可能で
ある。

【００３５】この材料の両端に、打ち抜きによってスプ
ロケットホール１２を形成した（図１（ｂ））。そし
て、両面に液状のレジストを厚さ１５μｍで塗布した。
塗布厚は１０μｍ〜２０μｍ程度が好適である。さら
に、図１（ｃ）に示すように、露光、現像してレジスト
１３をパターニングし、エッチングを行うことにより、
両面に配線１４を形成した（図１（ｄ））。また、一方
の面の銅層（図１（ｄ）の上面側の銅層）には、配線と
同時に、エッチングにより配線１４から連続して、半導
体チップ接続用ランド１６を形成した。バイア形成部１
５は、半導体チップ接続用ランドを形成した面には、銅
層を残存させ、他方の面は銅層を除去した。レジストを
剥膜した後、炭酸ガスレーザーを用いたレーザー加工に
より、前記他方の面から、孔径１００μｍのバイア用孔
１７を形成した（図１（ｅ））。レーザー光をスパイラ
ル状に振りながら穿孔を行うことによって、開口面に向
かって徐々に広がるテーパー状の加工を行った。次に、
過マンガン酸カリウムを用いて、孔内の洗浄を行った。
このようにして形成されたバイア用孔は前記一方の面の
銅層によって、底部が閉塞されている。なお、その壁面
がポリイミドフィルムの厚み方向となす角度は２０゜で
あった。

【００３６】本実施例では、半導体装置用基板を親基板
に搭載する際には、バイア内にはんだボールを挿入し、
親基板に搭載するのであり、バイアは両面の配線層を相
互に接続する役割に加え、はんだボール挿入用の孔とし
ての役割を果たす。続いて、両面に銅をスパッタリング
して、厚さ０．３μｍの銅層を形成した。さらに、電解
銅めっきを行い、厚さ１０μｍの銅層１８を形成し、そ
の上に厚さ３μｍのニッケルめっきによるニッケル層
（図示せず）を形成した（図１（ｆ））。ニッケルめっ
きは、電解めっき、無電解めっきのどちらでもよい。厚
さは、０．５μｍ〜３μｍ程度が好適であり、半導体チ
ップ接続用電極と半導体チップとを間をワイヤボンディ
ングで接続する場合には、半導体チップ接続用電極上に
は、２μｍ〜３μｍ程度の厚めのニッケルめっきを施す
ことが好ましい。そして、両面のニッケル層上に金めっ
き（図示せず）を施した。

【００３７】なお、金めっきに代えてパラジウム、ある
いはパラジウム合金めっきを施してもよく、ニッケルめ
っき、金めっきを施すことに代えて、銅層上にすずめっ
きを直接０．２μｍ程度施してもよい。そして、半導体
チップ接続用ランド、バイアの開口部とその近傍を除く
部分に、ソルダーレジスト１９を形成した。このように
して、図１（ｇ）に示すような半導体装置用基板を製造
した。目視検査の結果でも、バイア内に特に金属皮膜の
付着不良等は認められず、問題がなかった。

【００３８】なお、図１（ｈ）に破線でしめすように、
半導体チップ２０を搭載し、ボンディングワイヤ２１で
接続した後に、半導体チップ搭載部を保護のために樹脂
封止（図示せず）し、さらに前記バイアには、はんだボ
ールを挿入し、熱処理することによって、親基板との接
続用のはんだボール２２を形成した。このような工程の
後に行った目視検査でも、配線に断線等の不良は認めら
れなかった。

【００３９】［実施例２］製造方法は、実施例１とほぼ
同様であるが、バイアの開口部に近接する位置に、配線
形成時に、同時に親基板との接続用ランド４１を形成し
た（図２（ａ））。そして、実施例１と同様のレーザー
加工で、孔径が８０μｍのバイア用孔４２を開口面に向
かって徐々に広がるテーパー状に加工した。そして、過
マンガン酸カリウムを用いて、孔内の洗浄を行った。実
施例１と同様に、銅層によって、底部が閉塞されてい
る。また、その壁面がポリイミドフィルムの厚み方向と
なす角度は７゜であった（図２（ｂ））。

【００４０】本実施例の半導体装置用基板は、バイアを
はんだボール挿入用として用いず、上記の親基板との接
続用ランド上にはんだボールを形成するタイプである。
このような場合、バイアの径は、５０μｍ〜１００μｍ
程度が好適である。そして、実施例１と同様に、スパッ
タリング、電解銅めっきを行い、図２（ｃ）に示すよう
に、銅層４３を形成した。そして、ソルダーレジストを
形成する前に、ソルダーレジストをバイア内にシルクス
クリ−ン版を用いて穴埋め印刷し、その後に、ソルダー
レジスト４４を半導体チップ接続用ランド、親基板との
接続用ランドを除く部分に形成した。このようにして、
図２（ｄ）に示すような半導体装置用基板を製造した。
実施例１同様、目視検査の結果でも、バイア内に特に金
属皮膜の付着不良等は認められず、問題がなかった。

【００４１】なお、図２（ｅ）に破線でしめすように、
半導体チップ４５を搭載し、ボンディングワイヤ４６で
接続した後に、半導体チップ搭載部を保護のために樹脂
封止（図示せず）し、さらに親基板との接続用ランドに
は、はんだボールを搭載し、熱処理することによって、
親基板との接続用のはんだボール４７を形成した。この
ような工程の後に行った目視検査でも、配線に断線等の
不良は認められなかった。

【００４２】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、バイアの
導通不良をなくし、また配線に断線等の不良を生ずるこ
とがないため、電気的に信頼性が高い半導体装置用基板
を得ることができる。また、請求項２記載の発明によれ
ば、形成されたバイア底部の導電層の部分で、前記一方
の面の導電層と確実に接続され、優れた接続信頼性を得
ることができるため、電気的に信頼性が高い半導体装置
用基板を得ることができる。請求項３記載の発明によれ
ば、バイアの導通信頼性が向上するため、電気的に信頼
性が高い半導体装置用基板を得ることができる。請求項
４記載の発明によれば、小径のバイア内にも高い信頼性
で金属皮膜が形成され、厚みのある金属皮膜も短時間に
低コストで形成することが可能となるため、電気的に信
頼性が高い半導体装置用基板を安価に得ることができ
る。さらに、請求項５記載の発明によれば、バイアを導
電性ボール挿入用として用いるため、導電性ボールの挿
入が行いやすく、また、バイアの底部側と親基板への実
装面の間の導通信頼性が高く、電気抵抗も低くすること
が可能となるため、電気的に信頼性が高く、接続用導電
性ボールの形成も行いやすい半導体装置用基板を得るこ
とができる。また、請求項６記載の発明によれば、バイ
ア内の金属皮膜が剥離する恐れがなく、バイアの導通信
頼性が高まるため、電気的に信頼性が高い半導体装置用
基板を得ることができる。

【００４３】そして、請求項７記載の発明によれば、バ
イアの導通不良をなくすことができ、配線に断線等の不
良を生ずることがないため、電気的に信頼性が高い半導
体装置用基板の製造方法を得ることができる。請求項８
及び請求項９記載の発明によれば、高い導通信頼性でバ
イアを形成することが可能となる。電気的に信頼性が高
い半導体装置用基板の製造方法を得ることができる。ま
た、請求項１０記載の発明によれば、バイア内の金属皮
膜が剥離する恐れがなく、したがってバイアの導通信頼
性が高まるため、電気的に信頼性が高い半導体装置用基
板の製造方法を得ることができる。

【００４４】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置用基板の説
明図

【図２】本発明の実施例２に係る半導体装置用基板の説
明図

【図３】従来技術に係る半導体装置用基板の説明図

【符号の説明】

１０ポリイミドフィルム１１、１８、４３銅層１２スプロケットホール１３レジスト１４配線１５バイア形成部１６半導体チップ接続用ランド１７、４２バイア用孔１９、４４ソルダーレジスト２０、４５半導体チップ２１、４６ボンディングワイヤ２２はんだボール４１親基板接続用ランド１０１ポリイミドフィルム１０２銅箔１０３接着剤１０４スプロケットホール１０５バイア用孔１０６デバイスホール１０７銅箔１０８銅層１０９バイア１１０配線１１１インナーリード１１２ソルダーレジスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ポリイミドフィルムの両面に、所望の形状
に加工された導電層が積層され、前記ポリイミドフィル
ムに形成されたバイアによって、前記両面の導電層が電
気的に接続されてなる半導体装置用基板において、前記ポリイミドフィルムといずれの導電層との間にも接
着剤層を有しないことを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項２】前記バイアの底部が一方の面の導電層に閉
塞される状態で、該導電層に接続されていることを特徴
とする請求項１記載の半導体装置用基板。
【請求項３】前記バイアが一方の開口部に向かって、徐
々に広がるテーパー状になっていることを特徴とする請
求項１または請求項２記載の半導体装置用基板。
【請求項４】前記バイアが、ポリイミドフィルムにレー
ザー加工によって形成された孔に、金属がスパッタリン
グされ、さらに金属が電解めっきされることによって形
成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３の
いずれか一項記載の半導体装置用基板。
【請求項５】前記バイアが、親基板との電気的接続のた
めの導電性ボール挿入用であることを特徴とする請求項
１乃至請求項４のいずれか一項記載の半導体装置用基
板。
【請求項６】前記バイアが、ソルダーレジストで穴埋め
されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のい
ずれか一項記載の半導体装置用基板。
【請求項７】（１）ポリイミドフィルムの両面に、接着
剤層を介することなく、ほぼ全面に導電層が形成された
材料を用意する工程。（２）両面の導電層上にフォトレジストを形成し、導電
層をエッチングする工程。（３）一方の面から、前記ポリイミドテープに穿孔する
工程。（４）フォトレジストを剥離する工程。（５）少なくとも穿孔した孔内に銅層を形成し、バイア
を形成する工程。からなることを特徴とする半導体装置
用基板の製造方法。
【請求項８】（３）工程で、穿孔する面に向かって徐々
に広がるテーパー状に穿孔することを特徴とする請求項
７記載の半導体装置用基板の製造方法。
【請求項９】（３）工程の穿孔手段として、レーザー光
を用い、（５）工程の銅層形成手段として、スパッタリ
ングを用いることを特徴とする請求項７または請求項８
記載の半導体装置用基板の製造方法。
【請求項１０】請求項７乃至請求項９のいずれか一項記
載の半導体装置用基板の製造方法の各工程を行った後
に、前記バイアにソルダーレジストを穴埋めする工程を
行うことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。