JPH11190831A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項１】少なくとも一方の基板上に垂直配向膜が形成されている二つの基板、を含む液晶セルの内部に電気場を形成する段階、及び、
前記電磁場が形成されている間に液晶物質を前記液晶セルに注入する段階、
を含む液晶表示装置の製造方法であり、
前記電気場を形成する段階と前記液晶物質を注入する段階とが行われる真空室の温度が常温より高く、かつ前記液晶物質の液晶−等方転移温度より低い、
液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】前記真空室の温度が前記液晶物質の飛散点より低い、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】 前記電気場を形成する段階で前記液晶セルに印加する電圧が前記液晶物質のしきい電圧より高い、請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】 前記液晶セルに印加する電圧が、６０Ｈｚを超えない周波数の交流電圧である、請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】 前記液晶セルに印加する電圧の周波数が１０−３０Ｈｚの範囲内にある、請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】前記液晶物質が負の誘電異方性を有し、前記電気場が前記基板に対して垂直である、請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】前記液晶物質が正の誘電異方性を有し、前記電気場が前記基板に対して平行である、請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】少なくとも一方の基板上に垂直配向膜が形成されている二つの基板と前記基板の間に挟まれた液晶物質とを含む液晶セルの内部に電気場を形成する段階、及び、
前記電磁場が形成されている間に前記液晶物質を前記液晶セルから排出する段階、
を含む液晶表示装置の製造方法であり、
前記電気場を形成する段階と前記液晶物質を排出する段階とが行われる真空室の温度が常温より高く、かつ前記液晶物質の液晶−等方転移温度より低い、
液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】前記液晶セルに圧力を加えてセル間隔を均一にする段階、
前記液晶セルの注入口に接着剤を塗布する段階、及び、
前記接着剤を硬化させて前記注入口をシーリングする段階、
をさらに含む、請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】 前記電気場を形成する段階で前記液晶セルに印加する電圧が前記液晶物質のしきい電圧より高い、請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】 前記液晶セルに印加する電圧が、６０Ｈｚを超えない周波数の交流電圧である、請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】 前記液晶セルに印加する電圧の周波数が１０−３０Ｈｚの範囲内にある、請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】前記液晶物質が負の誘電異方性を有し、
前記電気場が前記基板に対して垂直である、請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】前記液晶物質が正の誘電異方性を有し、
前記電気場が前記基板に対して平行である、請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。