JPH11194581A - イオン発生装置および電子写真記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度制御特性を向上させる。 【解決手段】 絶縁基板１の表面に誘電体層３を挾んで
第１電極２と第２電極４とを積層形成することで十分な
イオン発生量を確保しながら絶縁基板を幅狭に形成し、
なおかつ絶縁基板１の表面に温度制御用ヒータ６を設け
る。これにより、イオン発生部分、つまり、第１電極２
と第２電極４との間のギャップＧ周辺部分における温度
制御用ヒータ６の制御に伴う反応速度が高まり、温度制
御特性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、イオン発生装置お
よび電子写真記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、複写機やレーザプリンタ等の電子
写真記録装置においては、帯電装置や転写装置として、
タングステンワイヤ等を主体とするコロナチャージャが
一般に用いられている。

【０００３】これに対し、近年、絶縁基板上に形成され
た２つの電極間に交流電圧を印加し、２つ電極間の放電
により付近の空気をイオン化させるイオン発生装置が開
発されている。このようなイオン発生装置は、例えば、
特開昭６３−１５９８８３号公報、特開平５−２７８２
５８号公報、特開平６−７５４５７号公報、特開平８−
８２９８０号公報に開示されている。また、これらの各
公報には、そのようなイオン発生装置を電子写真記録装
置における帯電装置等に利用することが開示されてい
る。このようなイオン発生装置の一例を図７に基づいて
説明する。

【０００４】図７は、従来のイオン発生装置の一例を示
す縦断正面図である。まず、絶縁基板１０１の上に誘導
電極１０２が膜状形成され、この誘導電極１０２と共に
絶縁基板１０１が誘電体層１０３に覆われている。この
誘電体層１０３の上には２つの放電領域を有するイオン
発生電極１０４が膜状形成されており、誘導電極１０２
とイオン発生電極１０４の間には、誘電体層１０３を挟
んでギャップＧが形成されている。そして、誘電体層１
０３及びイオン発生電極１０４は、保護層１０５で覆わ
れているのが一般的である。

【０００５】このようにして形成されたイオン発生装置
は、電子写真記録装置の感光体１０６に所定の間隔を開
けて対向配置され使用される。つまり、帯電装置として
使用する場合、高周波電源１０７によって誘導電極１０
２とイオン発生電極１０４との間に高周波電圧を印加す
ると、誘導電極１０２とイオン発生電極１０４との間の
放電によってギャップＧの近傍に高密度の正負イオンが
発生する（図７中、矢印で示す）。そして、イオン発生
電極１０４と感光体１０６との間に直流電源１０８より
負のバイアス電圧を印加すると、発生した正負イオンの
うちの負イオンが感光体１０６に作用し、これにより感
光体１０６が一様帯電される。この場合、感光体１０６
の帯電電位は、イオン発生電極１０４と感光体１０６と
の間に印加するバイアス電圧を調節することによって設
定可能である。

【０００６】次いで、誘導電極１０２とイオン発生電極
１０４との間の放電によってより効率よくイオンを発生
させるためには、イオン発生装置を適正温度に昇温させ
ておく必要がある。このため、絶縁基板１０１にヒータ
等を設けてイオン発生装置を温度制御するように構成す
るのが一般的である。例えば、特開昭６３−１５９８８
３号公報には絶縁基板の表面に発熱抵抗体層を形成する
ことが、特開平５−２７８２５８号公報には絶縁基板の
裏面に発熱抵抗体層を形成することがそれぞれ開示され
ている。

【０００７】一方、図７に例示するようなイオン発生装
置は、電子写真記録装置において帯電装置や転写装置等
として利用され、この場合には小型であるという利点が
活かされて感光体回りの小型化に寄与する。例えば帯電
装置として利用される場合、イオン発生装置は感光体に
対して１ｍｍ程度の間隔を開けて対向配置される。この
場合、イオン発生装置の保持構造としては、イオン発生
装置の長手方向両端部を保持部材に保持させるのが一般
的であるが、それではイオン発生装置の両端部を保持す
る保持部材が感光体の両端から突出し、小型であるとい
うイオン発生装置の利点が損なわれてしまう。また、イ
オン発生装置はそれ自体ある程度の柔軟性を有するた
め、その両端を保持する構造では感光体とイオン発生装
置との対向間隔が場所によって変動し、均一な帯電等を
行なうことができなくなってしまう。その反面、あまり
広い接触面積をもってイオン発生装置を保持するように
すると、保持部材の熱容量によって、イオン発生装置を
適正温度まで昇温させるのに多くの時間が必要になって
しまう。このようなことから、従来、図８に例示するよ
うな構造のイオン発生装置の保持構造が考え出されてい
る。図８は、ホルダと一体化されたイオン発生装置の正
面図である。図８に示すように、イオン発生装置は、図
７に図示しない誘導電極１０２とイオン発生電極１０４
とのパターンにより形成されたイオン発生面１０９を表
面側に向けられた状態でホルダ１１０に保持されてい
る。このホルダ１１０は、イオン発生装置の両側部を一
対の保持溝１１１で挿入保持する構造である。また、イ
オン発生装置にはその裏面側に発熱パターン１１２が形
成されており、この発熱パターン１１２を含むイオン発
生装置の裏面とホルダ１１０との間には放熱空間１１３
が形成されている。この放熱空間１１３は、イオン発生
装置からホルダ１１０への熱伝導を妨げてイオン発生装
置の熱容量を小さくするためのものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来のイオン発生装置
では、所望の温度を維持するために定常（収束）状態で
所望の温度特性になるようにヒータに通電することにな
る。この場合、特開平５−２７８２５８号公報に記載さ
れた発明のようにヒータ機能を奏する発熱抵抗体が絶縁
基板の裏面に設けられていると、昇温制御が必要な絶縁
基板表面について一般的に要求されている温度立ち上が
り時間を実現することができない。また、実際に温度制
御したい絶縁基板表面の温度変化に対して制御遅延が発
生してしまい、温度制御を精度良く行うことが困難であ
る。これに対し、特開昭６３−１５９８８３号公報に記
載された発明では、ヒータ機能を奏する発熱抵抗体が絶
縁基板表面に形成されているが、イオン発生部におい
て、誘導電極とイオン発生電極とに相当する２つの電極
が２次元上に並列に配置されているという構造上、十分
なイオン発生量を得ようとするとどうしても絶縁基板の
幅が広くなってしまい、特開平５−２７８２５８号公報
に記載された発明と同様の問題が生じてしまう。

【０００９】また、図８に例示するようなホルダ１１０
によるイオン発生装置の保持構造は、空間１１３を設け
てイオン発生装置における絶縁基板の熱容量を小さくす
るという工夫がなされている。これは、絶縁基板を温度
制御する際に、必要とする温度まで絶縁基板を昇温する
ための時間を短縮することができるという利点を考慮し
たものである。ところが、イオン発生装置では、調節す
る温度が比較的常温に近いため、図８に例示するような
絶縁基板の保持構造を採用して絶縁基板の熱容量を小さ
くすると、常温よりも高いが常温に近い温度領域での温
度調節が困難になってしまうという問題が生ずる。これ
は、周囲温度と温調温度とが近いため、ヒータオフ時の
放熱が遅く、一度上がった温度がなかなか下がらなくな
るためである。

【００１０】本発明の目的は、イオン発生装置において
温度制御特性を向上させることである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載のイオン発
生装置は、少なくとも表面が絶縁性を有する絶縁基板
と；絶縁基板上に形成された第１電極と；絶縁基板およ
び第１電極を覆う誘電体層と；誘電体層上に形成され、
第１電極との間で放電を生起させ得る第２電極と；第２
電極を覆う保護層と；絶縁基板の表面側に設けられた温
度制御用ヒータと；を備える。したがって、第１電極と
第２電極との間に高周波電圧を印加すると、第１電極と
第２電極との間の放電によって高密度の正負イオンが発
生する。そこで、本発明のイオン発生装置を例えば感光
体を帯電させる帯電装置として用いる場合には、ギャッ
プを感光体に対向させて第２電極と感光体との間に負の
バイアス電圧を印加する。これにより、ギャップ近傍に
発生した正負イオンのうちの負イオンが感光体に作用し
て感光体が一様帯電される。

【００１２】そして、請求項１記載のイオン発生装置で
は、温度制御用ヒータが絶縁基板の表面側に設けられて
いるために、温度制御用ヒータの動作状態に対する絶縁
基板表面に設けられたイオン発生部分の温度反応速度が
高まる。しかも、第１電極と第２電極とが積層構造とな
っているために電極間密度が高まり、絶縁基板を幅広に
することなく十分なイオン発生量が得られる。この面か
らも、温度制御用ヒータの動作状態に対するイオン発生
部分の温度反応速度が高まる。よって、イオン発生部分
の温度制御が高精度に行われ、温度制御特性が向上す
る。

【００１３】ここで、請求項１記載の発明において、
「絶縁基板」としては、例えばアルミナ等が用いられ、
この絶縁基板上に積層される各部は、例えばスクリーン
印刷により形成されている。「第１電極」および「第２
電極」は、例えば銀系（銀／パラジウム、銀／白金等）
や金系の厚膜導体である。「誘電体層」は、例えばガラ
ス絶縁層（ホウ珪酸鉛系ガラスやアルミナフィラーを含
有するホウ珪酸鉛系ガラス等）であり、その厚さは例え
ば２０〜４０μｍ程度に形成されている。「保護層」と
しては、ガラス系（ホウ珪酸鉛系ガラス、シリカ等）ま
たは樹脂系（ポリイミド、エポキシ、シリコーン）等が
用いられ、その厚さは例えば１０μｍ程度以下である。
そして、「温度制御用ヒータ」は、例えば銀系（銀／パ
ラジウム、銀／白金等）の厚膜導体により形成されてい
る。

【００１４】請求項２記載の発明は、請求項１記載のイ
オン発生装置において、温度制御用ヒータは、絶縁基板
の長手方向に沿い、少なくとも一部が絶縁基板の中央部
から両端部に近づくにつれて幅狭となるテーパ形状に形
成されている。したがって、温度制御用ヒータの発熱温
度はその両端ほど高まるため、両端ほど放熱が大きくな
る絶縁基板の温度特性が補完され、イオン発生部分の温
度制御がイオン発生部分のどの部分においても均等に行
われる。この場合、温度制御ヒータのテーパは、その中
央から絶縁基板長の１〜４９％、例えば２０％程度の位
置から始まり、温度制御ヒータ中の最も幅広の部分を１
００％とした場合に、テーパによる絞り率は５〜７０
％、例えば３０％程度に設定されている。

【００１５】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載のイオン発生装置において、温度制御用ヒータは、
誘電体層または保護層に埋設されている。これにより、
温度制御用ヒータの動作状態に対する絶縁基板表面の温
度反応速度が一層高まり、イオン発生装置におけるイオ
ン発生部分の温度制御がより高精度に行われる。

【００１６】請求項４記載のイオン発生装置は、少なく
とも表面が絶縁性を有する絶縁基板と；絶縁基板上に形
成された第１電極と；絶縁基板および第１電極を覆う誘
電体層と；誘電体層上に形成され、第１電極との間で放
電を生起させ得る第２電極と；第２電極を覆う保護層
と；絶縁基板の表面積の５０％以上の接触面積をもって
絶縁基板を保持するホルダと；を備える。したがって、
第１電極と第２電極との間に高周波電圧を印加すると、
第１電極と第２電極との間の放電によって高密度の正負
イオンが発生する。そこで、本発明のイオン発生装置を
例えば感光体を帯電させる帯電装置として用いる場合に
は、ギャップを感光体に対向させて第２電極と感光体と
の間に負のバイアス電圧を印加する。これにより、ギャ
ップ近傍に発生した正負イオンのうちの負イオンが感光
体に作用して感光体が一様帯電される。ここで、絶縁基
板のホルダとの接触領域は、各電極の延在方向に沿って
一様に分布していることが好ましい。

【００１７】ここで、好ましくは、絶縁基板のホルダと
の接触領域は、各電極の延在方向に沿って一様に分布し
ているのが望ましい。

【００１８】そして、請求項４記載のイオン発生装置で
は、絶縁基板がその表面積の５０％以上の接触面積をも
ってホルダに保持されている。したがって、イオン発生
装置全体としての熱容量がある程度大きくなり、一度昇
温した温度が急激に下がらない。このため、イオン発生
装置では調節する温度が比較的常温に近いため、常温よ
りも高いが常温に近い温度領域での温度調節が極めて容
易となる。これにより、イオン発生装置におけるイオン
発生部分の温度制御が容易となり、高精度な温度制御が
なされる。

【００１９】ここで、請求項４記載の発明において、
「絶縁基板」としては、例えばアルミナ等が用いられ、
この絶縁基板上に積層される各部は、例えばスクリーン
印刷により形成されている。「第１電極」および「第２
電極」あるいは「電極」は、例えば銀系（銀／パラジウ
ム、銀／白金等）や銅系の厚膜導体である。「誘電体
層」は、例えばガラス絶縁層（ホウ珪酸鉛系ガラスやア
ルミナフィラーを含有するホウ珪酸鉛系ガラス等）であ
り、その厚さは例えば２０〜４０μｍ程度に形成されて
いる。「保護層」としては、ガラス系（ホウ珪酸鉛系ガ
ラス、シリカ等）または樹脂系（ポリイミド、エポキ
シ、シリコーン）等が用いられ、その厚さは例えば１０
μｍ程度以下である。

【００２０】ところで、請求項４記載のイオン発生装置
において、ホルダを樹脂により形成することが好まし
い。この場合、絶縁基板の裏面に対するホルダの接触面
積は、絶縁基板の裏面の１００％であっても良い。この
ようにすることで、柔軟で形状保持性が弱い絶縁基板が
形状精度良く保持され、例えば帯電装置や転写装置に適
用された場合に感光体との間の微少ギャップが高精度か
つ均一に確保される。ここで、ホルダをピーク材、ＰＰ
Ｓ、液晶ポリマー等により形成した場合には、耐摩耗性
及び耐熱性に優れた理想的なホルダが得られる。また、
ホルダの材料として、ピーク材のように硬度が高い材料
を用いる場合にはそのまま用い、ポリカーボネートのよ
うに柔軟性が高い材料を用いる場合には、例えばアルミ
ニウムを貼り合わせて硬度を確保するようにすると良
い。

【００２１】請求項５記載の発明は、請求項４記載のイ
オン発生装置において、ホルダを基板接触面に絶縁処理
が施された金属により形成した。この場合、絶縁基板の
裏面に対するホルダの接触面積は、金属としてアルミニ
ウムを用いる場合には、例えば６０％程度とする。そし
て、その表面にはアルマイト処理等を施し、絶縁性ばか
りでなく耐食性をも向上させておくことが望ましい。

【００２２】請求項６記載の電子写真記録装置は、請求
項１ないし５のいずれか一記載のイオン発生装置を、感
光体を帯電させる帯電装置として利用する電子写真記録
装置である。すなわち、この電子写真記録装置は、感光
体と；請求項１ないし７のいずれか一記載のイオン発生
装置により形成され、感光体を一様に帯電させる帯電装
置と；帯電装置により一様帯電された感光体を露光して
静電潜像を形成するイメージ露光装置と；感光体に形成
された静電潜像にトナーを付着させて現像する現像装置
と；感光体に形成された現像画像を転写媒体に転写する
転写装置と；転写媒体上の転写画像を定着する定着装置
と；を備える。

【００２３】したがって、請求項６記載の電子写真記録
装置によれば、感光体に対する帯電、露光、現像、転写
という電子写真の基本的なプロセスを経て画像記録が行
なわれる。この際、感光体の帯電位置でギャップを感光
体に対向させてイオン発生装置を配置し、第１電極と第
２電極との間または電極間に高周波電圧を印加する。こ
れにより、第１電極と第２電極との間または電極間の放
電によってギャップの近傍に高密度の正負イオンが発生
する。そして、第２電極または電極と感光体との間に負
のバイアス電圧を印加することで、ギャップ近傍に発生
した正負イオンのうちの負イオンが感光体に作用して感
光体が一様帯電される。この際、帯電装置は、請求項１
ないし５のいずれか一記載のイオン発生装置が奏する作
用を奏する。

【００２４】なお、請求項１ないし５のいずれか一記載
のイオン発生装置を、感光体に形成された現像画像を転
写媒体に転写する転写装置として利用しても良い。つま
り、転写位置でギャップを介して感光体にイオン発生装
置を対向配置し、第１電極と第２電極との間または電極
間に高周波電圧を印加する。これにより、第１電極と第
２電極との間または電極間の放電によってギャップの近
傍に高密度の正負イオンが発生する。そして、第２電極
または電極と感光体との間に正のバイアス電圧を印加す
ることで、現像プロセスを経て感光体上に形成された現
像画像が転写位置で転写媒体に転写される。この際、転
写装置は、請求項１ないし５のいずれか一記載のイオン
発生装置が奏する作用を奏する。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明のイオン発生装置の第１の
実施の形態を図１ないし図３に基づいて説明する。図１
はイオン発生装置の縦断正面図、図２はその平面図、図
３は温度制御用ヒータを拡大して示す平面図である。

【００２６】まず、絶縁性を有する絶縁基板１が設けら
れ、この絶縁基板１上には、第１電極である誘導電極
２、誘電体層３、第２電極であるイオン発生電極４、お
よび保護層５がスクリーン印刷によって順に積層形成さ
れている。この場合、誘電体層３は誘導電極２と共に絶
縁基板１の表面全体を覆い、イオン発生電極４は誘電体
層３の上に形成されて誘導電極２との間にギャップＧを
形成する。そして、イオン発生電極４はこのイオン発生
電極４および誘電体層３を覆う保護層５によって保護さ
れている。また、絶縁基板１上には、温度制御用ヒータ
６も膜状形成されている。

【００２７】ここで、図１および図２から明らかなよう
に、誘導電極２は３本の並列パターン、イオン発生電極
４は４本の並列パターンに形成され、温度制御用ヒータ
６はそれらの誘導電極２およびイオン発生電極４を取り
囲むようなパターンに形成されている。そして、図２に
示すように、誘導電極２およびイオン発生電極４は、絶
縁基板１の表面に形成された給電電極７に接続されてい
る。

【００２８】次いで、絶縁基板１は、アルミナを材料と
する長さ３６０ｍｍの扁平の矩形部材である。誘導電極
２およびイオン発生電極４は、例えば銀系（銀／パラジ
ウム、銀／白金等）の導体により形成されている。誘電
体層３は、例えばガラス絶縁層（ホウ珪酸鉛系ガラスや
アルミナフィラーを含有するホウ珪酸鉛系ガラス等）で
あり、厚さ２０〜４０μｍ程度に形成されている。保護
層５は、ガラス系（ホウ珪酸鉛系ガラス、シリカ等）ま
たは樹脂系（ポリイミド、エポキシ、シリコーン）の材
料によって形成され、厚さ１０μｍ程度以下に形成され
ている。また、温度制御用ヒータ６は、銀系（銀／パラ
ジウム、銀／白金等）の厚膜導体により形成されてい
る。このような温度制御用ヒータ６は、図３に示すよう
に、中央部よりも両端部が幅狭となるようなテーパ形状
に形成されている。より詳しくは、テーパ部分の始まり
は、温度制御用ヒータ６の中央部から絶縁基板１の長さ
の２０％の位置から始まっており、また、温度制御用ヒ
ータ６の最も幅広の部分を１００％とした場合に、温度
制御用ヒータ６のテーパ形状によって最も幅狭となる部
分は７０％程度であり、したがって、その絞り率は３０
％程度である。

【００２９】ついで、図１に示すように、絶縁基板１は
ホルダ８に保持されている。このホルダ８は、絶縁基板
１と同じ長さである３６０ｍｍの長さでピーク材により
形成され、絶縁基板１の裏面に１００％の接触面積率で
面接触する接触面９を備える。このようなホルダ８は、
溝１０に絶縁基板１を嵌合させるような溝保持形式で絶
縁基板１を保持する。なお、ホルダ８の材料としては、
ＰＰＳや液晶ポリマー等を用いることもできる。

【００３０】このような構成において、誘導電極２とイ
オン発生電極４との間に高周波電圧を印加すると、誘導
電極２とイオン発生電極４との間の放電によってギャッ
プＧの近傍に高密度の正負イオンが発生する。そこで、
本実施の形態のイオン発生装置を、例えば図示しない感
光体を帯電させる帯電装置として用いる場合には、ギャ
ップＧを感光体に対向させてイオン発生電極４と感光体
との間に負のバイアス電圧を印加する。すると、ギャッ
プＧ近傍に発生した正負イオンのうちの負イオンが感光
体に作用して感光体が一様帯電される。

【００３１】ここで、本実施の形態のイオン発生装置で
は、温度制御用ヒータ６が絶縁基板１の表面側に設けら
れているために、温度制御用ヒータ６の動作状態に対す
る絶縁基板６表面に形成されたイオン発生部分、つま
り、誘導電極２とイオン発生電極４との間のギャップＧ
部分周辺の温度反応速度が高まる。しかも、誘導電極２
とイオン発生電極４とが積層構造となっているために電
極間密度が高まり、絶縁基板１を幅広にすることなく十
分なイオン発生量が得られる。この面からも、温度制御
用ヒータ６の動作状態に対するイオン発生部分の温度反
応速度が高まる。よって、イオン発生部分の温度制御が
高精度に行われる。

【００３２】また、図２に示すような温度制御用ヒータ
６は、そのテーパ形状により、両端ほど発熱温度が高ま
るようになっている。このため、両端ほど熱容量が小さ
くなる絶縁基板１の温度特性が補完され、イオン発生部
分が均等に加熱されることになる。したがって、イオン
発生装置のどの部分においても均等にイオンが発生し、
品質が均一化する。

【００３３】また、本実施の形態のイオン発生装置で
は、絶縁基板１がその表面積の５０％以上の接触面積を
もってホルダ８に保持されている。したがって、イオン
発生装置全体としての熱容量がある程度大きくなり、一
度昇温した温度が急激に下がらない。このため、イオン
発生装置として望まれる常温よりも高いが常温に近い温
度領域での温度調節が極めて容易となる。これにより、
イオン発生部分の温度制御が容易となり、高精度な温度
制御がなされる。しかも、ホルダ８は樹脂により形成さ
れているので、絶縁基板１の裏面に対するホルダ８の接
触面積を広く取ることができ、これにより、柔軟で形状
保持性が弱い絶縁基板１が形状精度良く保持され、例え
ば帯電装置や転写装置に適用した場合に感光体との間の
微少ギャップを高精度かつ均一に確保することが可能と
なる。加えて、本実施の形態のイオン発生装置は、絶縁
基板１の裏面に給電機構やヒータ構造等の構造物が存在
しない構造となっている。このため、装置全体の小型化
が図られるばかりでなく、ホルダ８の接触面積を広く取
り易いという利点もある。

【００３４】なお、実施にあたっては、ホルダ８とし
て、絶縁基板１に対する接触面に絶縁処理が施された金
属、例えばアルミニウムにポリカーボネートを貼り合わ
せたもの等を用いても良い。この場合、絶縁基板１の裏
面に対するホルダ８の接触面積は、金属としてアルミニ
ウムを用いる場合には、例えば６０％程度とする。そし
て、その表面にはアルマイト処理等を施し、絶縁性ばか
りでなく耐食性をも向上させておくことが望ましい。

【００３５】また、本実施の形態のホルダ８は、溝１０
に絶縁基板１を嵌合保持する構造となっているが、実施
にあたっては、弾性を有する爪で絶縁基板１を押え込む
ように構成しても良い。

【００３６】本発明のイオン発生装置の第２の実施の形
態を図４に基づいて説明する。図４はイオン発生装置の
縦断正面図である。第１の実施の形態と同一または相当
する部分は同一符号で示し説明も省略する。本実施の形
態では、温度制御用ヒータ６が誘電体層３に埋設されて
いる。つまり、絶縁基板１上に膜状形成された誘導電極
２と温度制御用ヒータ６とに誘電体層３が積層形成され
ている。これにより、温度制御用ヒータ６の動作状態に
対するイオン発生部分の温度反応速度が一層高まり、イ
オン発生部分の温度制御がより高精度に行われる。

【００３７】本発明のイオン発生装置の第３の実施の形
態を図５に基づいて説明する。図５はイオン発生装置の
縦断正面図である。第１の実施の形態と同一又は相当す
る部分は同一符号で示し説明も省略する。本実施の形態
では、温度制御用ヒータ６が保護層５に埋設されてい
る。つまり、誘電体層３上にはイオン発生電極４および
温度制御用ヒータ６が膜状形成され、これらのイオン発
生電極４および温度制御用ヒータ６の上に保護層５が積
層形成されている。これにより、温度制御用ヒータ６の
動作状態に対するイオン発生部分の温度反応速度が一層
高まり、イオン発生部分の温度制御がより高精度に行わ
れる。

【００３８】本発明の電子写真記録装置の一実施の形態
を図６に基づいて説明する。図６は電子写真記録装置を
示す概略側面図である。なお、図１ないし図５に基づい
て説明した部分と同一部分は同一符号で示し説明も省略
する。

【００３９】まず、転写媒体としての転写紙１１を収納
する給紙装置１２と図示しない排紙部とを連絡する通紙
経路１３が設けられ、この通紙経路１３中には定着装置
１４を含む画像プロセス部１５が設けられている。

【００４０】画像プロセス部１５は、感光ドラム構成の
感光体１６を主体として構成される。この感光体１６の
周囲には、帯電装置１７、現像装置１８、転写装置１
９、剥離装置２０、クリーニング装置２１が順に配設さ
れている。そして、帯電装置１７と現像装置１８との間
が露光位置ＥＸとなり、画像プロセス部１５には、その
露光位置ＥＸにレーザビーム（以下、レーザ光という）
を照射する図示しないイメージ露光装置が設けられてい
る。

【００４１】ここで、帯電装置１７、転写装置１９およ
び剥離装置２０として、第１の実施の形態に示されたイ
オン発生装置が用いられている。つまり、帯電装置１７
では、ギャップＧを感光体１６に対向させてイオン発生
装置を配置し、イオン発生電極４と感光体１６との間に
負のバイアス電圧を印加するようにする。これにより、
ギャップＧ近傍に発生した正負イオンのうちの負イオン
が感光体１６に作用して感光体１６が一様帯電される。
また、転写装置１９では、ギャップＧを感光体１６に対
向させてイオン発生装置を配置し、イオン発生電極４と
感光体１６との間に正のバイアス電圧を印加するように
する。これにより、現像装置１８による現像プロセスを
経て感光体１６上に形成された現像画像が転写位置で転
写紙１１に転写される。そして、剥離装置２０では、ギ
ャップＧを感光体１６に対向させてイオン発生装置を配
置し、イオン発生電極４と感光体１６との間のバイアス
電圧を０にする。これにより、ギャップＧに発生した正
負のイオンで転写紙１１の電荷が除電され、転写紙１１
が感光体１６から剥離する。

【００４２】次に、画像プロセス部１５を構成する各部
のうち、一部はユニット化されて電子写真プロセス装置
２２となっている。この電子写真プロセス装置２２は、
感光体１６、帯電装置１７、転写装置１９および剥離装
置２０から構成されている。

【００４３】このような構成において、画像プロセス部
１５では、帯電装置１７の帯電によって感光体１６をマ
イナス極性に一様に帯電する。そして、感光体１６は露
光位置ＥＸにおいて一様に帯電されているため、この露
光位置ＥＸにイメージ露光装置から画像情報に応じて光
ビームを照射することで、感光体１６に静電潜像が形成
される。つまり、感光体１６では、その帯電電位との電
位差が光ビームの照射部分に生じ、この部分が静電潜像
となる。現像装置１８は、露光位置ＥＸで感光体１６に
形成された静電潜像にこの静電潜像と電位差を持つトナ
ーを付着させて顕像化する。転写装置１９は、顕像化さ
れた感光体１６上の現像画像を電位差によって吸引し、
その現像画像を転写紙１１に転写させる。剥離装置２０
は、現像画像転写後の転写紙１１を感光体１６から剥離
させる。クリーニング装置２１は、転写プロセス後の感
光体１６に残留するトナーを掻き落す等の方法でクリー
ニングする。そして、定着装置１４は、通紙経路１３中
において転写装置１９の下流側に配置されており、転写
装置１９を通過した後の転写紙１１に付着する未定着ト
ナーを加熱・加圧作用によって定着する。

【００４４】このように、本実施の形態の電子写真記録
装置によれば、感光体１６に対する帯電、露光、現像、
転写という電子写真の基本的なプロセスを経て画像記録
が行なわれる。この際、帯電装置１７、転写装置１９お
よび剥離装置２０において、第１の実施の形態に示され
たイオン発生装置の作用効果が奏される。つまり、高精
度な温度制御特性等の効果が得られる。

【００４５】なお、実施に当たっては、帯電装置１７、
転写装置１９および剥離装置２０として、第２の実施の
形態又は第３の実施の形態に示されたイオン発生装置を
用いるようにしても良い。この場合、各実施の形態のイ
オン発生装置が奏する作用効果が得られる。

【００４６】また、第１の実施の形態、第２の実施の形
態または第３の実施の形態に示したイオン発生装置を、
画像プロセス部１５において転写工程後の感光体１６を
除電する除電装置に適用してもよい。

【００４７】

【発明の効果】請求項１記載のイオン発生装置は、第１
電極と第２電極とを積層構造とし、絶縁基板の表面側に
温度制御用ヒータを設けたので、温度制御用ヒータの状
態に対するイオン発生部分の温度反応速度を速めること
ができ、したがって、イオン発生装置におけるイオン発
生部分の温度制御を高精度に行うことができ、その温度
制御特性を向上させることができる。

【００４８】請求項２記載の発明は、請求項１記載のイ
オン発生装置において、温度制御用ヒータを、絶縁基板
の長手方向に沿い、少なくとも一部が絶縁基板の中央部
から両端部に近づくにつれて幅狭となるテーパ形状に形
成したので、両端ほど発熱温度が高くなる温度制御用ヒ
ータによって両端ほど放熱が大きくなる絶縁基板の温度
特性を補完することができ、したがって、イオン発生部
分の温度制御を均一に行うことができる。

【００４９】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載のイオン発生装置において、温度制御用ヒータを誘
電体層または保護層に埋設したので、温度制御用ヒータ
の動作状態に対する絶縁基板表面の温度反応速度を一層
高めることができ、したがって、イオン発生装置におけ
るイオン発生部分の温度制御をより一層高精度に行うこ
とができる。

【００５０】請求項４記載のイオン発生装置は、絶縁基
板をその表面積の５０％以上の接触面積をもってホルダ
に保持させたので、イオン発生装置全体としての熱容量
をある程度大きくし、一度昇温した温度が急激に下がら
ないようにすることができ、したがって、常温よりも高
いが常温に近い温度領域での温度調節を極めて容易にす
ることができる。その結果、イオン発生装置におけるイ
オン発生部分の温度制御が容易となり、高精度な温度制
御を行うことができる。

【００５１】請求項５記載の発明は、請求項４記載のイ
オン発生装置において、ホルダを基板接触面に絶縁処理
が施された金属により形成したので、ホルダの剛性を高
めることができ、したがって、柔軟で形状保持性が弱い
絶縁基板を形状精度良く保持することができ、例えば、
帯電装置や転写装置に適用した場合に、感光体との間の
微少ギャップを高精度かつ均一に確保することができ
る。

【００５２】そして、請求項１ないし５のいずれか一記
載のイオン発生装置は、電子写真記録装置における感光
体を帯電させる帯電装置（請求項６）等に利用すること
ができ、これらの帯電装置や転写装置は、請求項１ない
し５のいずれか一記載のイオン発生装置と同様の効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のイオン発生装置の第１の実施の形態を
示す縦断正面図である。

【図２】その平面図である。

【図３】温度制御用ヒータを拡大して示す平面図であ
る。

【図４】本発明のイオン発生装置の第２の実施の形態を
示す縦断正面図である。

【図５】本発明のイオン発生装置の第３の実施の形態を
示す縦断正面図である。

【図６】本発明の電子写真記録装置の一実施の形態を示
す側面図である。

【図７】従来のイオン発生装置の一例を示す縦断正面図
である。

【図８】ホルダに保持されたイオン発生装置の正面図で
ある。

【符号の説明】 １： 絶縁基板 ２： 第１電極（誘導電極） ３： 誘電体層 ４： 第２電極（イオン発生電極） ５： 保護層 ６： 温度制御用ヒータ ８： ホルダ １１： 転写媒体 １４： 定着装置 １６： 感光体 １７： 帯電装置 １８： 現像装置 １９： 転写装置 Ｇ： ギャップ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも表面が絶縁性を有する絶縁基
   板と；前記絶縁基板上に形成された第１電極と；前記絶
   縁基板および前記第１電極を覆う誘電体層と；前記誘電
   体層上に形成され、前記第１電極との間で放電を生起さ
   せ得る第２電極と；前記第２電極を覆う保護層と；前記
   絶縁基板の表面側に設けられた温度制御用ヒータと、；
   を備えることを特徴とするイオン発生装置。
2. 【請求項２】 温度制御用ヒータは、絶縁基板の長手方
   向に沿い、少なくとも一部が前記絶縁基板の中央部から
   両端部に近づくにつれて幅狭となるテーパ形状に形成さ
   れていることを特徴とする請求項１記載のイオン発生装
   置。
3. 【請求項３】 温度制御用ヒータは、誘電体層または保
   護層に埋設されていることを特徴とする請求項１または
   ２記載のイオン発生装置。
4. 【請求項４】 少なくとも表面が絶縁性を有する絶縁基
   板と；前記絶縁基板上に形成された第１電極と；前記絶
   縁基板および前記第１電極を覆う誘電体層と；前記誘電
   体層上に形成され、前記第１電極との間で放電を生起さ
   せ得る第２電極と；前記第２電極を覆う保護層と；前記
   絶縁基板の表面積の５０％以上の接触面積をもって前記
   絶縁基板を保持するホルダと；を備えることを特徴とす
   るイオン発生装置。
5. 【請求項５】 ホルダは、基板接触面に絶縁処理が施さ
   れた金属により形成されていることを特徴とする請求項
   ４記載のイオン発生装置。
6. 【請求項６】 感光体と；請求項１ないし５のいずれか
   一記載のイオン発生装置により形成され、前記感光体を
   一様に帯電させる帯電装置と；前記帯電装置により一様
   帯電された前記感光体を露光して静電潜像を形成するイ
   メージ露光装置と；前記感光体に形成された静電潜像に
   トナーを付着させて現像する現像装置と；前記感光体に
   形成された現像画像を転写媒体に転写する転写装置と；
   前記転写媒体上の転写画像を定着する定着装置と；を備
   えることを特徴とする電子写真記録装置。