JPH11195253A

JPH11195253A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH11195253A
Application number: JP29209298A
Authority: JP
Inventors: Morimi Hashimoto; 母理美橋本
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-10-24
Filing date: 1998-10-14
Publication date: 1999-07-21

Abstract

(57)【要約】【課題】深溝成形やアニール処理を用いずに、ランド
部あるいはグルーブ部の形状（表面粗さ）によってトラ
ック間を磁気的に分離した磁壁移動型の光磁気記録媒体
を提供する。【解決手段】ランド部あるいはグルーブ部によって磁
性層を磁気的に分離するために、磁性層を形成する基板
の磁気的に分離すべき領域の表面粗さＲａを１．２ｎｍ
以上とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、再生時に磁壁の移
動を利用した超高密度記録可能な光磁気記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】書き換え可能な高密度記録媒体として、
光磁気ディスクが近年注目されているが、さらに光磁気
ディスクの記録密度を高めて大容量の記録媒体とする要
求が高まっている。光ディスクの線記録密度は、再生光
学系のレーザー波長λ及び対物レンズの開口数ＮＡに大
きく依存し、信号再生時の空間周波数は、ＮＡ／λ程度
が検出可能な限界である。従って、従来の光ディスクで
高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザー波
長λを短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必
要がある。しかしながら、レーザー波長や対物レンズの
開口数の改善にも限界がある。このため、記録媒体の構
成や読み取り方法を工夫して記録密度を改善する技術が
いくつか提案されている。

【０００３】例えば、本出願人は先に、特開平６−２９
０４９６号公報に記載されるように、再生信号振幅を低
下させることなく光の回折限界以下の周期の信号を高速
で再生可能とした光磁気記録媒体、再生方式及びその再
生装置を提案している。該公報の記載にあるように、光
磁気記録媒体の再生層に光ビーム等の加熱手段によって
温度分布を形成すると、磁壁エネルギー密度に分布が生
じるために、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を瞬時に移
動させることができる。この結果、再生信号振幅は記録
されている磁壁の間隔（すなわち、記録ピット長）によ
らず、常に一定かつ最大の振幅となる。すなわち、線記
録密度向上に伴う再生出力の必然的な低下が大幅に改善
され、さらなる高密度化が可能となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記特開平６−２９０
４９６号によると、磁壁の移動は、同一トラック上で
（トラック方向に）起こる現象であり、磁性層はトラッ
ク間で互いに分断（すなわち、磁気的に分離）されてい
ることが必須となっている。この様な閉じていない磁区
（分断された磁壁）を作成する方法として、特開平６−
２９０４９６号では、矩形の深溝基板を用いる方法と、
溝部分をレーザーでアニール照射して磁気的に変質させ
る方法を提案しているが、矩形の深溝基板については、
成形時の転写の際にスタンパの矩形溝の底の部分がきれ
いに転写できず、基板のランド部分がＵ字型になってし
まうと、十分な分断効果が得られないという転写性の問
題があり、また、アニール処理には、高出力のレーザー
を照射するなど、高温度での処理を必要とし、またその
ような高出力レーザーでのアニールを行なった場合に
は、磁気特性が劣化している（磁性層が変質している）
部分の面積がレーザーの温度分布に依存してトラック外
にも広がっている為に、実質、情報データ部として使え
る面積が狭まり、トラック密度が減少するといった問題
があった。

【０００５】したがって、本発明は、深溝成形やアニー
ル処理を用いずに、ランド部あるいはグルーブ部の形状
によってトラック間を磁気的に分離した磁壁移動型の光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、少なくとも、第１、第２、第３の磁性層が順次積層
されている光磁気記録媒体であって、該第１の磁性層
は、周囲温度近傍において該第３の磁性層に比べて相対
的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層（移
動層かつ再生層）であり、該第２の磁性層は該第１の磁
性層及び第３の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層
（スイッチング層）からなり、該第３の磁性層は磁区の
保存安定性に優れた通常の磁気記録層（メモリ層）であ
る特開平６−２９０４９６号で開示した膜構成であっ
て、かつランド部あるいはグルーブ部のうち、磁気的に
分離する目的のトラックの基板表面粗さＲａを１．２ｎ
ｍ以上、好ましくは１．５ｎｍ以上とする。

【０００７】

【発明の実施の形態】磁性層をトラック間で磁気的に分
断するには、分断領域の磁性層を垂直磁化膜から面内磁
化膜あるいは非磁性膜へと変質させればよい。本発明者
は、この点に鑑み鋭意検討したところ、磁性層を形成す
る基板の表面状態、すなわち、基板表面の粗さによっ
て、形成される磁性層の結晶成長状態が異なり、上記し
たように基板の表面粗さＲａが１．２ｎｍ以上では、磁
性層が面内磁化膜あるいは非磁性膜となることを見出
し、本発明に到達した。

【０００８】以下、本発明を図面を参照して詳細に説明
する。

【０００９】図１は、本発明の光磁気記録媒体を説明す
るための模式的断面図である。基板１１は、ランド部１
２（凸部）とグルーブ部１３（凹部）から形成され、ラ
ンド部とグルーブ部のうちの一方は（ここでは仮にグル
ーブ部１３とする）、トラック分断を目的とするトラッ
クとする。該トラック分断を目的としたトラック（ラン
ド部あるいはグルーブ部）の表面粗さＲａを１．２ｎｍ
以上、好ましくは１．５ｎｍ以上とすることによって、
その上にスパッタ形成される磁性層１４１の結晶成長状
態（すなわち、磁気特性）がそれ以外の部分１４２と異
なる為（面内記録膜あるいは非磁性膜となる）、結果的
に磁性層１４を磁気的に分離することが可能となる。

【００１０】ちなみに、分断を目的としない部分の基板
の表面粗さＲａは１．２ｎｍ未満、好ましくは０．６ｎ
ｍ以下である。また、分断を目的とするトラックの基板
表面の表面粗さと通常のデータトラックの基板の表面粗
さの差は０．４ｎｍ以上であることが好ましく、特に
１．０ｎｍ以上のとき分断の効果が大である。

【００１１】さらに、前記磁気特性が劣化した部分１４
１を低パワーのレーザーでアニールすることによって、
分断効果がさらに上がる。

【００１２】トラック幅は特に限定されないが、トラッ
ク密度を上げる為には、分断を目的とするトラック（図
１ではグルーブ部１３）が狭いほど良い。

【００１３】本発明において、ランド部及びグルーブ部
の形状は、特に制限されるものではなく、前記特開平６
-２９０４９６号に開示されているような矩形状でも、
また、図１に示すような台形状など、種々の形状が可能
である。

【００１４】ここで、基板１１の表面粗さは、射出成形
する基板の場合、スタンパの表面粗さが反映される。

【００１５】スタンパの製造手順は、まず、ガラス原盤
を研磨し、その上にレジストを塗布し、所望の仕様に露
光してカッティングした後、現像を行なう。次にＮｉを
スパッタ成膜した後Ｎｉ電鋳を行ない、剥離して洗浄し
たものがスタンパである。従って、通常は、レジスト面
の表面粗さがスタンパの表面粗さに反映される。しか
し、ランド＆グルーブ記録用基板で、カッティングをガ
ラス原盤まで抜いた場合、グルーブ面の表面粗さはガラ
ス原盤の表面粗さとなる。

【００１６】以上より、スタンパの表面粗さは、レジス
ト面あるいはガラス原盤の表面粗さが反映され、レジス
ト面については、レジスト材料やレジスト工程の最適
化、ガラス原盤については、その研磨工程等によって、
所望の表面粗さを得ることが可能である。

【００１７】基板１１の表面粗さは、走査型プローブ顕
微鏡（ＳＰＭ）「ＮａｎｏＳｃｏｐｅ III」（商品
名、米国デジタルインスツルメンツ社製）のタッピング
モードＡＦＭを用いて測定した。探針は通常のブレード
チップを用い、表面粗さは、Ｒａ（平均中心線粗さ）の
値で比較した。

【００１８】図２は、本発明の光磁気記録媒体の基板形
状の他の一例を示す模式的断面図である。

【００１９】透明基板２１は、ランド部２２（凸部）と
グルーブ部２３（凹部）から成り、ランド部２２は、磁
性層をトラック間で分断することを目的とするトラック
であり、その表面粗さＲａが１．２ｎｍ以上、好ましく
は１．５ｎｍ以上で構成されている。

【００２０】図３は、本発明の光磁気記録媒体の層構成
を示す断面構成図である。透明基板３１上に、第１の誘
電体層３２、磁性層３３、第２の誘電体層３４が順に積
層形成されている。

【００２１】透明基板３１としては、例えば、ガラス、
ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、熱可塑
性ノルボルネン系樹脂等を用いることができる。

【００２２】磁性層３３は、単層であっても積層であっ
ても良く、特に限定されないが、特開平６−２９０４９
６号公報に開示されている層構成であることが好まし
い。すなわち、少なくとも、第１、第２、第３の磁性層
が順次積層されており、第１の磁性層３３１は周囲温度
近傍において該第３の磁性層３３３に比べて相対的に磁
壁抗磁力が小さくかつ磁壁移動度の大きな磁性層（移動
層かつ再生層）であり、第２の磁性層３３２は該第１の
磁性層及び第３の磁性層３３３よりもキュリー温度の低
い磁性層（スイッチング層）からなり、第３の磁性層３
３３は、磁区の保存安定性に優れた磁気記録層（メモリ
層）である。

【００２３】各磁性層は、スパッタリングや真空蒸着等
の物理蒸着法で連続成膜することにより、互いに交換結
合あるいは静磁結合をしている。

【００２４】第１の磁性層３３１としては、例えば、Ｇ
ｄＣｏ系、ＧｄＦｅ系、ＧｄＦｅＣｏ系、ＴｂＣｏ系な
どの磁気異方性の比較的小さな希土類−鉄族非晶質合金
やガーネット等のバブルメモリ用の材料が好ましい。

【００２５】第２の磁性層３３２としては、例えば、Ｃ
ｏ系あるいはＦｅ系合金磁性層で、キュリー温度が第１
の磁性層３３１及び第３の磁性層３３３より小さく、飽
和磁化の値が第３の磁性層３３３より小さいものが好ま
しい。また、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等の添加量でキュリー温
度が調整可能である。

【００２６】第３の磁性層３３３としては、例えば、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希
土類−鉄族非晶質合金やＰｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／Ｃｏなどの
白金族−鉄族周期構造膜等、飽和磁化と磁気異方性の値
が大きく、磁化状態（磁区）が安定に保持できるものが
好ましい。

【００２７】誘電体層３２、３４は特に限定されない
が、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂、ＺｎＳ等が好ましい。

【００２８】前記磁性層のトラック間分断は、基板の表
面粗さを利用することに加えて、磁性層形成後に分断し
たいトラックをレーザー等でアニールするとさらに分断
の効果が上がる。アニールの条件は、すでに基板の表面
粗さの違いで磁性層は概ね磁気的に分断されているの
で、低パワーあるいは狭いビーム幅で分断効果が期待で
きる。その結果、従来例に示すような高出力レーザーに
よりアニールされた場合と比べて、情報データ部として
使える面積が狭まることなく、トラック密度が減少する
ことを抑制できる。アニールする装置としては、特に限
定されないが、記録再生に用いているレーザーをそのま
ま用いることも可能であるし、汎用の光ディスクのカッ
ティングマシン等も利用できる。

【００２９】

【実施例】以下に具体的な実施例をもって本発明を更に
詳しく説明するが、本発明はその要旨の範囲内であれ
ば、以下の実施例に限定されるものではない。

【００３０】実施例１図１は本発明の光磁気記録媒体の基板形状の模式的断面
図であり、図３は本発明の光磁気記録媒体の層構成断面
図である。

【００３１】図１において、ポリカーボネート基板１１
は、ランド幅１２が０．６μｍ、グルーブ幅１３が０．
３μｍ、溝深さ１５が８５ｎｍ、テーパ角１６が４５度
のランド＆グルーブ基板である。該基板１１のランド部
１２の上面の表面粗さＲａを測定したところ、０．５３
０ｎｍであった。また、グルーブ部１３の上面の表面粗
さＲａを測定したところ、１．５１３ｎｍであった。

【００３２】このようにランド部１２とグルーブ部１３
の表面粗さを変えて作製した基板上に図３に示すよう
に、第１の誘電体層（干渉層）３２としてＳｉＮ層を８
０ｎｍ形成し、次に第１の磁性層（磁壁移動層）３３１
としてＧｄＦｅＣｏ層を３０ｎｍ、第２の磁性層（スイ
ッチング層）３３２としてＤｙＦｅ層を１０ｎｍ、第３
の磁性層（メモリ層）３３３としてＴｂＦｅＣｏ層を４
０ｎｍを順次スパッタリング形成した。最後に、第２の
誘電体層（保護層）３４としてＳｉＮ層を８０ｎｍ形成
した。

【００３３】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランドとグルーブの両面に、磁界変調方式で０．２μｍ
の孤立磁区を記録した後、加熱用の光ビームを当てて、
偏光顕微鏡で磁区観察を行なった。その結果、ランド部
に閉じていない磁区が確認されたが、グルーブ部には磁
区が観察されなかった。すなわち、グルーブ部には０．
２μｍの孤立磁区の記録が不可能な膜になっていて、磁
性層はグルーブ部によって磁気的に分断されていること
が確認された。

【００３４】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式でピット長０．１０μ
ｍ、ピット間隔０．１０μｍで連続に記録した後、特開
平６−２９０４９６号公報に記載の方法、つまり、光ビ
ームを該ディスクに対して相対的に移動させながら第１
の磁性層側から照射し、該ディスク上に該光ビームのス
ポットの移動方向に対して勾配を有する温度分布を形成
し、該温度分布を少なくとも第２の磁性層のキュリー温
度よりも高い温度領域を有する温度分布とすることによ
って該第１の磁性層に形成されていた磁壁を移動させ、
該光ビームの反射光の偏光面の変化を検出して記録情報
を再生する方法（以下、『磁性層の温度勾配を利用した
磁壁移動型拡大再生方法』という）を用いて再生したと
ころ、波長６８０ｎｍ、ＮＡ０．６の光学系（相対速度
２ｍ／ｓ）において、Ｃ／Ｎ４０．０ｄＢが得られた。

【００３５】すなわち、上記形状のポリカーボネート基
板１１を用いることによって、アニール処理等を行なわ
なくても磁性層がトラック間で磁気的に分断され、磁壁
移動型の光磁気記録媒体の再生が容易に実現した。この
ようなポリカーボネート基板１１は汎用の基板形成技術
で作製可能なので、媒体のコストアップが避けられ、安
価な高密度記録媒体が提供できる。

【００３６】実施例２図２は本発明の光磁気記録媒体の基板形状の模式的断面
図であり、図３は本発明の光磁気記録媒体の層構成断面
図である。

【００３７】ポリカーボネート基板２１は、ランド幅２
２が０．３μｍ、グルーブ幅２３が０．６μｍ、溝深さ
２５が８５ｎｍ、テーパ角２６が約７０度のランド＆グ
ルーブ基板である。該基板２１のランド部２２の上面の
表面粗さＲａを測定したところ、１．２５５ｍであっ
た。また、グルーブ部１３の上面の表面粗さＲａを測定
したところ、０．８２５ｎｍであった。

【００３８】図３において、該ポリカーボネート基板２
１上に実施例１と同様の条件で磁性層及び誘電体層を形
成した。

【００３９】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式で０．２μｍの孤立磁区を記録した
後、加熱用の光ビームを当てて、偏光顕微鏡で磁区観察
を行なった。その結果、グルーブ部に閉じていない磁区
が確認されたが、ランド部には磁区が観察されなかっ
た。すなわち、ランド部には０．２μｍの孤立磁区の記
録が不可能な膜になっていて、磁性層はランド部によっ
て磁気的に分断されていることが確認された。

【００４０】このようにして得られた光磁気ディスクの
グルーブ面に、通常の磁界変調方式でピット長０．１０
μｍ、ピット間隔０．１０μｍで連続に記録した後、実
施例１と同様に『磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動
型拡大再生方法』を用いて再生したところ、波長６８０
ｎｍ、ＮＡ０．６の光学系（相対速度２ｍ／ｓ）におい
て、Ｃ／Ｎ３９．０ｄＢが得られた。

【００４１】すなわち、該形状のポリカーボネート基板
２１を用いることによって、アニール処理等を行なわな
くても磁性層がトラック間で磁気的に分断され、磁壁移
動型の光磁気記録媒体の再生が容易に実現した。このよ
うなポリカーボネート基板２１は汎用の基板形成技術で
作製可能なので、媒体のコストアップが避けられ、安価
な高密度記録媒体が提供できる。

【００４２】比較例１実施例１において、グルーブ部１３の上面の表面粗さＲ
ａを０．８２５ｎｍとした基板を用いた他は実施例１と
同じとした。

【００４３】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式で０．２μｍの孤立磁区を記録した
後、加熱用の光ビームを当てて、偏光顕微鏡で磁区観察
を行なった。その結果、ランド部とグルーブ部の両方に
磁区が確認された。

【００４４】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式でピット長０．１０μ
ｍ、ピット間隔０．１０μｍで連続に記録した後、実施
例１と同様に『磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型
拡大再生方法』を用いて再生したところ、再生信号は非
常に小さく、波長６８０ｎｍ、ＮＡ０．６の光学系（相
対速度２ｍ／ｓ）において、Ｃ／Ｎで２４．０ｄＢしか
得られなかった。

【００４５】また、グルーブ面においても同上の条件で
記録再生実験を行なったところ、再生信号は同様に小さ
く、Ｃ／Ｎで１９．０ｄＢしか得られなかった。

【００４６】以上、該形状のポリカーボネート基板を用
いた場合、磁性層が磁気的に分断されていない為に磁壁
移動が極めて起こりにくく、実用的な再生信号は得られ
なかった。

【００４７】実施例３実施例２において、光磁気記録媒体を形成した後、ラン
ド部のみを低いレーザーパワーでアニール処理をした。
アニール条件は、波長６８０ｎｍ、ＮＡ０．６のレーザ
ーで、スポット幅はランド幅より多少狭い０．２５μ
ｍ、パワーは２ｍＷとした。ちなみに、アニールのみで
磁性層を磁気的に分断するのに必要なレーザーパワー
は、波長６８０ｎｍ、ＮＡ０．６、スポット径１μｍ程
度で、パワーは８〜１０ｍＷである。

【００４８】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランドとグルーブの両面に、磁界変調方式で０．２μｍ
の孤立磁区を記録した後、加熱用の光ビームを当てて、
偏光顕微鏡で磁区観察を行なった。その結果、グルーブ
部に閉じていない磁区が確認されたが、ランド部には磁
区が観察されなかった。すなわち、ランド部には０．２
μｍの孤立磁区の記録が不可能な膜になっていて、磁性
層はランド部によって磁気的に分断されていることが確
認された。

【００４９】このようにして得られた光磁気ディスクの
グルーブ面に、通常の磁界変調方式でピット長０．１０
μｍ、ピット間隔０．１０μｍで連続に記録した後、実
施例１と同様に『磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動
型拡大再生方法』を用いて再生したところ、波長６８０
ｎｍ、ＮＡ０．６の光学系（相対速度２ｍ／ｓ）におい
てＣ／Ｎ４１．０ｄＢが得られた。

【００５０】実施例２と比較して、Ｃ／Ｎが向上してい
るのは、アニール処理によってノイズが減少している為
であった。すなわち、実施例２にアニール処理を加える
ことによって、磁性層の磁気的分断がさらに確実なもの
となり、磁壁移動型光磁気記録媒体として好適なものと
なった。

【００５１】実施例４実施例１において、グルーブ部13の上面の表面粗さＲａ
を１．３１５ｎｍとした他は実施例１と同じとした。

【００５２】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式で０．２μｍの孤立磁区を記録した
後、加熱用の光ビームを当てて、偏光顕微鏡で磁区観察
を行った。その結果、ランド部に閉じていない磁区が確
認されたが、グルーブ部には磁区が観察されなかった。
すなわち、グルーブ部には０．２μｍの孤立磁区の記録
が不可能な膜になっていて、磁性層はグルーブ部によっ
て磁気的に分断されていることが確認された。

【００５３】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式でピット長０．１０μ
ｍ、ピット間隔０．１０μｍで連続に記録した後、実施
例１と同様に『磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型
拡大再生方法』を用いて再生したところ、波長６８０ｎ
ｍ、ＮＡ０．６の光学系（相対速度２ｍ／ｓ）におい
て、Ｃ／Ｎ３７．０ｄＢが得られた。実施例１と比較す
ると、多少Ｃ／Ｎが低下しているのは、グルーブによる
分断効果が低下した為である。

【００５４】以上より、該形状のポリカーボネート基板
を用いることによって、アニール処理を行わなくても磁
性層がトラック間で磁気的に分断され、磁壁移動型の光
磁気記録媒体の再生が容易に実現した。該ポリカーボネ
ート基板は汎用の基板形成技術で作成可能なので、媒体
のコストアップがさけられ、安価な高密度記録媒体が提
供できる。

【００５５】比較例２実施例１において、グルーブ部13の上面の表面粗さＲａ
を１．１１５ｎｍとした他は実施例１と同じとした。

【００５６】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式で０．２μｍの孤立磁区を記録した
後、加熱用の光ビームを当てて、偏光顕微鏡で磁区観察
を行った。その結果、ランド部とグルーブ部の両方に磁
区が確認された。

【００５７】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式でピット長０．１０μ
ｍ、ピット間隔０．１０μｍで連続に記録した後、実施
例１と同様に『磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型
拡大再生方法』を用いて再生したところ、再生信号は非
常に小さく、波長６８０ｎｍ、ＮＡ０．６の光学系（相
対速度２ｍ／ｓ）において、Ｃ／Ｎ３３．０ｄＢしか得
られなかった。

【００５８】また、グルーブ面においても同上の条件で
記録再生実験を行ったところ、再生信号は更に小さく、
Ｃ／Ｎで３０ｄＢ以下であった。

【００５９】以上、該形状のポリカーボネート基板を用
いた場合、磁性層が磁気的に分断されていないために磁
壁移動が極めて起こりにくく、実用的な再生信号は得ら
れなかった。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体によれば、特開平６−２９０４９６号公報で開示
された光磁気記録媒体（磁性層の温度勾配を利用した磁
壁移動型拡大再生方式により、記録密度並びに転送速度
を大幅に向上させる）の形成において必須となっていた
トラック間の磁気的分断を、ランドあるいはグルーブの
表面形状（表面粗さ）を制御するといった簡単な手法を
用いることによって達成することが可能となると同時
に、超高密度記録に適した磁壁移動型光磁気記録媒体を
安価に提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体（実施例１、実施例
４）の基板形状を示した模式的断面図である。

【図２】本発明の光磁気記録媒体（実施例２、実施例
３）の基板形状を示した模式的断面図である。

【図３】本発明の光磁気記録媒体（実施例１、２、３、
４）の層構成を示した断面構成図である

【符号の説明】

１１、２１、３１・・・ポリカーボネート基板１４、１４２、２４、３３・・・磁性層１４１・・・磁気特性が劣化した磁性層３３１・・・第１の磁性層３３２・・・第２の磁性層３３３・・・第３の磁性層３２、３４・・・誘電体層１２、２２・・・ランド部（ランド幅）１３、２３・・・グルーブ部（グルーブ幅）１５、２５・・・溝深さ１６、２６・・・テーパ角

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ランド部（凸部）及びグルーブ部（凹
部）が交互に配置されている基板上に、少なくとも、第
１、第２、第３の磁性層が順次積層されている光磁気記
録媒体であって、該第１の磁性層は、周囲温度近傍の温
度において該第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力
が小さく磁壁移動度の大きな磁性層からなり、該第２の
磁性層は、該第１の磁性層及び該第３の磁性層よりキュ
リー温度の低い磁性層からなる光磁気記録媒体におい
て、前記ランド部あるいはグルーブ部のいずれかの基板
表面粗さＲａが１．２ｎｍ以上であり、該基板表面粗さ
を有するランド部あるいはグルーブ部によって、前記第
１の磁性層が分断されていることを特徴とする光磁気記
録媒体。
【請求項２】磁性層形成後に基板表面粗さＲａが１．
２ｎｍ以上の部分をアニール処理することを特徴とする
請求項１に記載の光磁気記録媒体。