JPH11195635A - 半導体ウエハーの洗浄・乾燥装置 - Google Patents

半導体ウエハーの洗浄・乾燥装置

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JPH11195635A
JPH11195635A JP9298A JP9298A JPH11195635A JP H11195635 A JPH11195635 A JP H11195635A JP 9298 A JP9298 A JP 9298A JP 9298 A JP9298 A JP 9298A JP H11195635 A JPH11195635 A JP H11195635A
Authority
JP
Japan
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semiconductor wafer
inert gas
wafer
water
cleaning
Prior art date
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Pending
Application number
JP9298A
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English (en)
Inventor
Kazuo Jodai
和男 上代
Kazuhiko Shiomi
和彦 塩見
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハー3の表面を、カバー容器1の
内において回転しながら噴出ノズル5から洗浄水を散布
することで洗浄したのち乾燥する場合に、前記半導体ウ
エハーの表面に乾燥染みが発生することを回避する。 【手段】 前記の洗浄に相前後して、前記半導体ウエハ
ー3の表面に、ブロー管7から窒素ガス等の不活性ガス
をブローする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハーに
おいて、その表面の洗浄と、乾燥とを行う装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体ウハエーを使用して集積
回路チップを製作するに際しては、前記半導体ウエハー
の表面に対して各種の膜形成のような各種の表面加工を
施した都度、その表面を洗浄したのち乾燥することが必
要であるが、洗浄・乾燥を行うための一つの装置に、上
端に半導体ウエハーを水平にして載置した縦軸を、上面
を開放したカバー容器内に、当該カバー容器の底板を貫
通して挿入し、前記半導体ウエハーを縦軸にて回転しな
がらその表面を、当該表面に散布した洗浄水を園遠心力
で周囲に振り飛ばしながら洗浄したのち乾燥するように
構成したものがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の洗
浄・乾燥装置は、その洗浄・乾燥を大気中において行う
ものであることにより、洗浄に際して半導体ウエハーの
表面に付着した水分が加熱蒸発及び遠心力等にて除去さ
れるまでの間に大気中の酸素を吸収することによって、
半導体ウエハーの表面に乾燥染みが発生すると言う問題
があった。
【0004】この問題を解消するには、前記の洗浄・乾
燥装置におけるカバー容器を密閉型にすると共に、当該
内部を窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気にすれば良い
が、カバー容器を密閉型にすることは、当該カバー容器
内への半導体ウエハーの出し入れがきわめて面倒になる
ばかりか、窒素ガス等の不活性ガスの使用量が多くなる
と言う問題がある。
【0005】本発明は、これらの問題を解消した洗浄・
乾燥装置を提供することを技術的課題とするものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「上面を開放したカバー容器内に、回
転する縦軸を、当該カバー容器の底板を貫通して挿入
し、この縦軸の上端に半導体ウエハーの載置部を設け、
この半導体ウエハー載置部の上方に、前記半導体ウエハ
ーの表面に対する洗浄水の噴出ノズルを配設して成る洗
浄・乾燥装置において、前記半導体ウエハー載置部の上
方に、前記半導体ウエハーの表面に対する窒素ガス等の
不活性ガスのブロー管を配設する。」と言う構成にし
た。
【0007】
【発明の作用・効果】この構成において、半導体ウエハ
ーを回転しながらその表面に対して洗浄水の散布とする
洗浄が完了すると、これと略同時か、又は、その完了に
相前後して、前記半導体ウエハーの表面に対して、ブロ
ー管から窒素ガス等の不活性ガスをブローすることによ
り、前記半導体ウエハーの表面を、窒素ガス等の不活性
ガスの雰囲気にして、大気中に酸素との接触を阻止した
状態のもとで、洗浄水を加熱蒸発及び遠心力等にて除去
することができるのであり、また、前記窒素ガス等の不
活性ガスは、ブロー管にて半導体ウエハーの表面にブロ
ーするだけで良いから、この窒素ガス等の不活性ガスの
使用量は少なくて済むのである。
【0008】従って、本発明によると、半導体ウエハー
に対する洗浄・乾燥に際して、その表面に乾燥染みが発
生することを、当該半導体ウエハーのカバー容器内への
出し入れが容易にでき、且つ、窒素ガス等の不活性ガス
の使用量を少なくした状態のもとで、確実に低減できる
効果を有する。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
1及び図2の図面について説明する。この図において符
号1は、上面を開放したカバー容器を示し、このカバー
容器1の内部には、図示しないモータ等にて回転する縦
軸2が、カバー容器1の底板1aを貫通して挿入され、
この縦軸2の上端には、半導体ウエハー3を水平にして
載置する真空吸着式のスピンチャック4が取付けられて
いる。
【0010】このスピンチャック4の上方には、当該ス
ピンチャック4の上面に載置した前記半導体ウエハー3
の表面に対して純水等の洗浄水を散布するための噴出ノ
ズル5が配設される一方、前記カバー容器1における底
板1aには、洗浄水の排出口6が設けられている。符号
7は、前記半導体ウエハー3の表面に対して窒素ガス等
の不活性ガスをブローするためのブロー管を示し、この
ブロー管7は、前記半導体ウエハー3の外側から半導体
ウエハー3の略中心に向かって延びて、その基端部を前
記カバー容器1の内面に対してピン部8にて回転自在に
枢着することにより、半導体ウエハー3の上部の位置
(この位置を、図2に実線で示す)と、半導体ウエハー
3の外周方向に離れた位置(この位置を、図2二点鎖線
で示す)との間を往復動するように構成され、このブロ
ー管7には、複数個のガス噴出口7aが列状に穿設され
ている。
【0011】この構成において、ブロー管7を、図2に
二点鎖線で示すように、外側に離れた位置にした状態
で、縦軸2の上端におけるスピンチャック4の上面に、
半導体ウエハー3を載置したのち、この半導体ウエハー
3を回転しながらその表面に噴出ノズル5から洗浄水を
散布することにより、半導体ウエハー3の表面を洗浄す
る。
【0012】この洗浄が完了すると、これと略同時か、
又は、その完了に相前後して、前記ブロー管7を、図2
に実線で示すように、半導体ウエハー3の上部の位置し
て、このブロー管7から半導体ウエハー3の表面に対し
て窒素ガス等の不活性ガスをブローすることにより、前
記半導体ウエハー3の表面を、窒素ガス等の不活性ガス
の雰囲気にして、大気中に酸素との接触を阻止した状態
のもとで、洗浄水を加熱蒸発及び遠心力等にて除去する
ことができるのである。
【0013】この場合において、窒素ガス等の不活性ガ
スは、ブロー管にて半導体ウエハーの表面にブローする
だけで良いから、前記カバー容器を密閉型にして、この
内部に不活性ガスを充満する場合よりも、不活性ガスを
使用量を少なくできる一方、カバー容器に対する半導体
ウエハーの出し入れも容易にできるのである。なお、前
記ブロー管7を、前記したように、半導体ウエハー3の
外側から半導体ウエハー3の略中心に向かって延びたも
のにして、これに複数個のガス噴出口7aを列状に穿設
したものに構成することにより、半導体ウエハーの表面
における全体に対して不活性ガスを略均一に供給できる
から、不活性ガスの使用量をより低減できるのであり、
また、このブロー管7を、半導体ウエハー3の上部の位
置(この位置を、図2に実線で示す)と、半導体ウエハ
ー3の外周方向に離れた位置(この位置を、図2二点鎖
線で示す)との間を往復動するように構成することによ
り、半導体ウエハー3のスピンチャック4に対する着脱
に際して、当該ブロー管7が邪魔になることを回避でき
るのである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す縦断正面図である。
【図2】図1のII−II視平断面図である。
【符号の説明】
1 カバー容器 2 縦軸 3 半導体ウエハー 4 スピンチャック 5 洗浄水の噴出ノズル 7 不活性ガスのブロー管

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】上面を開放したカバー容器内に、回転する
    縦軸を、当該カバー容器の底板を貫通して挿入し、この
    縦軸の上端に半導体ウエハーの載置部を設け、この半導
    体ウエハー載置部の上方に、前記半導体ウエハーの表面
    に対する洗浄水の噴出ノズルを配設して成る洗浄・乾燥
    装置において、 前記半導体ウエハー載置部の上方に、前記半導体ウエハ
    ーの表面に対する窒素ガス等の不活性ガスの噴出ノズル
    を配設したことを特徴とする半導体ウエハーの洗浄・乾
    燥装置。
JP9298A 1998-01-05 1998-01-05 半導体ウエハーの洗浄・乾燥装置 Pending JPH11195635A (ja)

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JP9298A JPH11195635A (ja) 1998-01-05 1998-01-05 半導体ウエハーの洗浄・乾燥装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100424851B1 (ko) * 2001-06-28 2004-03-27 동부전자 주식회사 반도체 디바이스 제조용 습식 식각/세정 장치 및 방법
US7431040B2 (en) * 2003-09-30 2008-10-07 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for dispensing a rinse solution on a substrate
CN104634087A (zh) * 2013-11-07 2015-05-20 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种快速干燥晶圆表面的吹扫装置
CN105180606A (zh) * 2015-09-17 2015-12-23 贵州雅光电子科技股份有限公司 一种用于二极管清洗后干燥的装置

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