JPH11197132A

JPH11197132A - パッシブシールド型超電導磁石

Info

Publication number: JPH11197132A
Application number: JP10016470A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Tazaki; 寛田崎; Chikako Iizuka; 千賀子飯塚; Hirotaka Takeshima; 弘隆竹島; Takeshi Yao; 武八尾; Takao Honna; 孝男本名
Original assignee: Hitachi Medical Corp
Current assignee: Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
Priority date: 1998-01-13
Filing date: 1998-01-13
Publication date: 1999-07-27

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気シールドについて、強磁性体を効率良く
配置して、装置全体を大型化することなく、漏洩磁場が
小さく、磁場均一度の高い静磁場を発生するパッシブシ
ールド型超電導磁石を提供する。【解決手段】本発明の磁石では、均一磁場領域（１）
を挾んで上下方向に静磁場発生源（２）が配置され、そ
の周囲に磁気シールドを構成する磁気シールド板（６）
とヨーク（７）が配置される。磁気シールド板（６）と
ヨーク（７）とは接合部（１２）にて磁気的に結合され
ている。接合部（１２）近傍の磁気シールド板（６）の
静磁場発生源（２）に対向する面側に、磁気シールド板
（６）とヨーク（７）とに接するように笠型の傾斜面
（１１）を持つ強磁性体（１０）が取り付けられてい
る。この構成では、磁束線（１４）が強磁性体片（１
０）を通るようになり、全体として磁束線（１４）は磁
気シールド板（６）の静磁場発生源（２）寄りに高密度
で分布することになる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気共鳴イメージ
ング（以下、ＭＲＩという）装置などに使用されるパッ
シブシールド型超電導磁石に係り、特に静磁場発生源の
周囲に配置した磁気シールドの磁路の形状の改善を図
り、磁気シールドをコンパクトにしたパッシブシールド
型超電導磁石に関する。

【０００２】

【従来の技術】超電導磁石は、様々な分野で使用されて
いるが、汎用超電導磁石として現在最も実用化が進んで
いるのはＭＲＩ装置の分野である。ＭＲＩ装置では、一
定空間（撮影領域）内に一定強度の均一磁場を作り、各
種コイル（傾斜磁場コイル−ＭＲＩに際し、スピンの位
置情報を得るために傾斜磁場を与える；高周波（ＲＦ）
コイル−被検体に高周波磁場を照射し、原子核を励起す
ると共に、被検体で発生した核磁気共鳴（ＮＭＲ）信号
を受信する；等）を用い、前記撮影領域に挿入された被
検体からのＮＭＲ情報を収集し、被検体の任意の位置，
任意の方向の断面図を再構成するものである。一般に、
ＭＲＩ装置は均一磁場の方向により、水平磁場方式のも
のと、垂直磁場方式のものに分類される。

【０００３】医用ＭＲＩ装置では、従来超電導磁石を使
用したものとしては、水平磁場方式のものが一般的であ
った。しかし、近年永久磁石を用いた、均一磁場が垂直
方向である開放型永久磁石方式ＭＲＩ装置が実用化さ
れ、その開放性ゆえに広く全世界に価値が認識されるよ
うになった。そこで、現在では、超電導磁石を用いたＭ
ＲＩ装置においても、永久磁石では達成できない高い磁
場強度を生成することができる開放型（垂直磁場方式）
ＭＲＩ装置の開発・実用化に力が注がれている。

【０００４】超電導磁石は、通常均一磁場領域（ＭＲＩ
装置での撮影領域）に均一磁場を発生させる静磁場発生
源と、その周囲に配置されて装置外部への磁場漏洩を防
ぐための磁気シールドとから構成されている。垂直磁場
方式の超電導磁石の一例を図９に示す。図９において、
均一磁場領域１を挾んで上下に静磁場発生源２が配置さ
れ、この静磁場発生源２により均一磁場領域１に垂直方
向の均一磁場Ｂｏが形成されている。静磁場発生源２
は、均一磁場Ｂｏを発生する超電導コイル３と、超電導
コイル３を収容し、超電導特性を示す温度まで冷却する
冷却容器４とから成る。上下の冷却容器４は支持体５で
接続されている。

【０００５】磁気シールドは、静磁場発生源２の上下外
側にほぼ水平に配置された磁気シールド板６と、上下の
磁気シールド板６を支持し、磁気的に接続するヨーク７
とから成る。磁気シールド板６とヨーク５の材質はいず
れも鉄などの強磁性体である。静磁場発生源２と磁気シ
ールド板６とヨーク７とは磁気回路を構成し、磁気シー
ルドの外側への磁場の漏洩を低減させている。図９に示
すように静磁場発生源２の周囲に磁気シールドを配置し
た構造の超電導磁石はパッシブシールド型超電導磁石と
呼ばれている。

【０００６】垂直磁場方式のパッシブシールド型超電導
磁石では、均一磁場Ｂ_Oの方向が上下方向（垂直方向）
であるため、漏洩磁場の磁場強度は上下方向で高くなっ
ている。更に、ＭＲＩ装置用としてこの磁石をビル内に
設置する場合、上下方向には他の部屋が存在するため、
上下方向についての漏洩磁場の許容値は厳しい値に制限
されている。これに対し水平磁場方式のものでは、水平
方向に漏洩磁場強度の高い部分が多く分布するが、一般
にビル内の部屋では横方向（水平方向）が長いため、横
方向についての漏洩磁場の許容値は、上下方向のものほ
ど厳しくない。このような理由から、垂直磁場方式のパ
ッシブシールド型超電導磁石では、上下方向の漏洩磁場
を低減するために、磁気シールド板６を厚くしたり、漏
洩磁場の高い部分に強磁性体から成る積み上げ部８を配
置したりしている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、室内の天井の
高さの制限や装置のデザイン上の観点などから、超電導
磁石に多量の強磁性体を積み上げることは好ましくな
い。そのため、ＭＲＩ装置などに用いられる超電導磁石
としては、装置をできるだけコンパクトにし、磁場漏洩
の少ない、高均一度の静磁場を発生する磁石が求められ
ている。従って、本発明では、磁気シールドを構成する
磁気シールド板とヨークについて、強磁性体を効率良く
配置することにより、装置全体の大きさを大型化するこ
となく、漏洩磁場が小さく、磁場均一度の高い静磁場を
発生するパッシブシールド型超電導磁石を提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のパッシブシールド型超電導磁石は、上下方
向に対向して配置された１組の超電導コイルと、それぞ
れの超電導コイルを収納し冷却する冷却容器とから成る
静磁場発生源を有し、該静磁場発生源の上下外側に強磁
性体から成る磁気シールド板を配置し、上下の該磁気シ
ールド板の間を１本以上の強磁性体から成るヨークにて
結合して、前記静磁場発生源と共に磁気回路を構成する
パッシブシールド型超電導磁石において、前記磁気シー
ルド板の前記冷却容器に対向する側の面が、前記磁気シ
ールド板と前記ヨークとの接合部近傍にて、前記冷却容
器側に接近するような笠型の傾斜面を有する（請求項
１）。

【０００９】この構成では、磁気シールド板の静磁場発
生源（冷却容器）に対向する面側に、静磁場発生源を覆
うような笠型の傾斜面を設けたことにより、磁気シール
ド板とヨークとの接合部の近傍における磁束線の磁路が
広くなり、磁束線が接合部のみならず、笠型の傾斜面の
近傍も通るようになるために、磁気シールド板における
磁束密度は、従来品と比べ、静磁場発生源に近い側で高
くなり、遠い側で低くなる。その結果、磁気シールド板
の上下外側での漏洩磁場強度が小さくなるので、磁場シ
ールド板の上下外側への強磁性体の積み上げなどは不要
となり、装置全体の高さを低くすることができる。

【００１０】また、本発明のパッシブシールド型超電導
磁石は、上下方向に対向して配置された１組の超電導コ
イルと、それぞれの超電導コイルを収納し冷却する冷却
容器とから成る静磁場発生源を有し、該静磁場発生源の
上下外側に強磁性体から成る磁気シールド板を配置し、
上下の該磁気シールド板の間を１本以上の強磁性体から
成るヨークにて結合して、前記静磁場発生源と共に磁気
回路を構成するパッシブシールド型超電導磁石におい
て、前記磁気シールド板の前記冷却容器に対向する面側
の、前記磁気シールド板と前記ヨークとの接合部の近傍
に、前記接合部の近傍にて前記冷却容器側に接近するよ
うな笠型の傾斜面を有し、前記磁気シールド板と前記ヨ
ークとに接する強磁性体片を取り付けたものである（請
求項２）。

【００１１】この構成では、磁気シールド板とヨークと
の接合部の近傍の、磁気シールド板の静磁場発生源に対
向する面側に、静磁場発生源を覆うような笠型の傾斜面
を持つ強磁性体片が取り付けられたことにより、磁気シ
ールド板を通る磁束線の密度は、従来品と比べ、静磁場
発生源に近い側で高くなり、遠い側で低くなる。その結
果、請求項１の場合と同様な効果が得られる。

【００１２】本発明のパッシブシールド型超電導磁石で
は更に、前記笠型の傾斜面は前記磁気シールド板と前記
ヨークとの接合部位の各々に対して少なくとも１個ずつ
設けられており、各々の傾斜面は前記磁気シールド板の
前記冷却容器と対向する面に始点を置き、前記ヨークの
前記冷却容器に対向する内側の面に終点を置く（請求項
３）。

【００１３】この構成では、笠型の傾斜面が磁気シール
ド板とヨークとの接合部毎に１個以上設けられており、
その傾斜面が接合部近傍の磁気シールド板とヨークとを
覆うことになるので、各々の接合部における磁束線の磁
路は接合部から笠型の傾斜面の部分まで拡大されたこと
になり、この部分での磁束線の流れは内側へ寄り、外側
の磁束密度は減少する。

【００１４】本発明のパッシブシールド型超電導磁石で
は更に、前記笠型の傾斜面が１個以上の平面を含むもの
である（請求項４）。この構成では、笠型の傾斜面をい
くつかの平面で形成することになるので笠型傾斜面の形
状を磁気シールド板及びヨークを流れる磁束線の流れに
合わせて形成できる。その結果、接合部近傍の磁束線の
流れが改善されると共に、磁路が拡大するので、磁気シ
ールド板などの磁束線の殆ど流れていない、静磁場発生
源から離れた部分の強磁性体を削除することが可能とな
るので、漏洩磁場の低減及び装置全体の小型・軽量化に
寄与する。

【００１５】本発明のパッシブシールド型超電導磁石で
は更に、前記笠型の傾斜面が曲面を含むものである（請
求項５）。磁気シールド板及びヨークを通る磁束線は、
接合部の近傍では曲線を描いて流れているので、笠型の
傾斜面を曲面を用いて形成することにより、接合部近傍
の磁束線の流れをよりスムーズにすることができると共
に、その部分の磁束線の磁路を拡大することができる。
その結果、請求項４と同様な効果が得られる。

【００１６】本発明のパッシブシールド型超電導磁石で
は更に、前記冷却容器の前記磁気シールド板に対向する
面側の外周部が、対向する前記笠型の傾斜面とほぼ同じ
形状の傾斜面に形成されている（請求項６）。

【００１７】この構成では、冷却容器（静磁場発生源）
の、笠型の傾斜面に対向する部分に、笠型の傾斜面とほ
ぼ同じ形状の傾斜面を設けているので、冷却容器の傾斜
面部分において、その容積を殆ど損うことなく、冷却容
器と笠型の傾斜面との間の間隔を極めて接近させること
が可能となる。この結果、装置全体の高さを低くするこ
とが可能となるので、装置のコンパクト化、軽量化に寄
与する。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を添付図面
に基づいて説明する。図１に、本発明のパッシブシール
ド型超電導磁石の第１の実施例を示す。図１は本実施例
の縦断面図である。図２には、図１の右上部の拡大図を
示す。図１において、本実施例のパッシブシールド型超
電導磁石では、均一磁場領域（ＭＲＩ装置では撮影領域
となる）１を挾んで上下方向に静磁場発生源２が配置さ
れ、静磁場発生源２の周囲に磁気シールドを構成する磁
気シールド板６とヨーク７が配置されている。

【００１９】静磁場発生源２は、均一磁場領域１に均一
な垂直磁場を発生させる超電導コイル３と，この超電導
コイル３を収容し、超電導特性を示す温度にまで冷却し
維持する冷却容器４とから成る。超電導コイル３は通常
磁場均一度を高めるために複数個のコイルの組み合わせ
となる。また、冷却容器４は超電導コイル３を浸漬する
冷媒を収容する冷媒容器と，冷媒容器を包含する熱シー
ルドと，熱シールドを包含する真空容器とから成る。上
下の冷却容器４は通常連結管により結合されて、１台の
冷凍機にて冷却されている。静磁場発生源２は上下の磁
気シールド板６に結合体１３により支持されている。

【００２０】磁気シールド板６は鉄などの強磁性体から
成る板状体で、静磁場発生源２の上下外側にほぼ平行に
配置され、２本のヨーク７にて支持されている。ヨーク
７は鉄などの強磁性体から成る柱状体で、上下の磁気シ
ールド板６を所定の間隔をとって支持すると共に、接合
部１２にて磁気シールド板６と磁気的に結合されてい
る。本発明では、特に磁気シールド板６の冷却容器４に
対向する面側に、磁気シールド板６とヨーク７の両方に
接するように、笠型の傾斜面１１を持つ強磁性体片１０
が取り付けられている（この笠型の傾斜面１１は冷却容
器４に対し笠をかぶせたような配置になっている）。図
２は、この強磁性体片１０の取り付け部分の拡大図であ
る。図２において、強磁性体片１０は磁気シールド板６
やヨーク７と同様鉄などの強磁性体から成り、３つの面
を持つ。強磁性体片１０の３面のうちの冷却容器４に対
向する面は笠型の傾斜面１１で、他の面は磁気シールド
板６の冷却容器対向面６Ａ及びヨーク７の内側の面７Ａ
とに接しており、かつそれら両面に接合されている。

【００２１】図２に示す如く、磁気シールド板６とヨー
ク７の接合部１２の内側に強磁性体片１０を配置するこ
とにより、磁気シールド板６内での磁束線１４の流れが
改善される。その磁束線の流れの改善状況を図３及び図
４にて説明する。図３は、本実施例の超電導磁石の磁束
線分布の例で、図４は従来のパッシブシールド型超電導
磁石の磁束線分布の例である。図４の従来例の場合、上
側の超電導コイル３を発した磁束線１４は上側の磁気シ
ールド板６の中央部で左右に分かれ、上側の磁気シール
ド板６を経由した後、上側の接合部１２からヨーク７へ
と進んで行く。ヨーク７内を経由した磁束線１４は下側
の接合部１２，下側の磁気シールド板６，下側の超電導
コイル３，均一磁場領域１を経由して上側の超電導コイ
ル３へ戻る。このとき、磁気シールド板６の中央部で左
右に分かれた磁束線１４が左右の接合部１２に集中する
ことになるため、上側の磁気シールド板６を進む磁束線
１４は磁気シールド板６の外側に近い部分を通る傾向に
ある。このため、磁束線１４は磁気シールド板４の上側
に漏洩しやすく、磁気シールド板６の上部に載せた積み
上げ部８などを通ることになり、その結果として、超電
導磁石の高さを高くする必要があった。

【００２２】これに対し、図３の本実施例の場合には、
上下の接合部１２の近傍の冷却容器４と対向する部分
に、笠型傾斜面１１を有する強磁性体片１０を取り付け
たことにより、上側の超電導コイル３を発して上側の磁
気シールド板６へ向かった磁束線１４は、一部は上側の
接合部１２を、一部は上側の強磁性体片１０を経由し
て、ヨーク７へ進むことになる。その結果、上側の磁気
シールド板６を通る磁束線１４は下側へ押しつけられた
ような分布となり、上側の磁気シールド板６の上側部分
の磁束密度は従来の超電導磁石に比べて低くなり、磁気
シールド板６の外側における磁場漏洩も少なくなる。以
上述べたことは、下側の磁気シールド板６においても同
様に起きるので、従来例の如く、超電導磁石の高さを高
くすることなく、漏洩磁場の低減を図ることができる。

【００２３】強磁性体片１０の接合部１２の近傍への取
り付けは、ねじによる固定、又は溶接による溶着などに
よって行うことができる。また、この強磁性体片１０に
ついては、磁気シールド板６に予め取り付けておいても
よいし、磁気シールド板６と一体加工してもよいし、磁
気シールド板６とヨーク７との組立後に取り付けてもよ
い。

【００２４】本発明のバッシブシールド型超電導磁石の
第２の実施例を図５に示す。本実施例では磁気シールド
板６の冷却容器４に対向する面側に、笠型の傾斜面１１
を持つ強磁性体片１０を取り付けると共に、冷却容器４
の磁気シールド板６に対向する面側にも、上記笠型の傾
斜面１１とほぼ平行な傾斜面１５を設けたものである。
このように、冷却容器４に傾斜面１５を設け、これを強
磁性体片１０の笠型傾斜面１１とほぼ平行したことによ
り、冷却容器４と磁気シールド板６との間隔を狭くする
ことができるので、超電導磁石の高さを低くすることが
可能となる。また、超電導磁石の高さを同じにしたとき
には、強磁性体片１０を大きくすることができるので、
磁気シールド板６の外側への磁場漏洩を少なくすること
が可能となる。

【００２５】また、磁気シールド板６に上記の強磁性体
片１０を取り付けることにより、磁気シールド板６の形
状を改善することができる。その一例を図６に示す。図
６は第２の実施例の上面図である。磁気シールド板６の
外形は、中央の円形の頂部２０と頂部２０より幅の狭い
端面部２１と，頂部２０と端面部２１をつなぐ傾斜部１
６と側面部２２と，上記の冷却容器対向面６Ａ（図示の
磁気シールド板６の裏面側）とから成る。頂部２０は冷
却容器４の直径よりも大きな直径の円形をしており、冷
却容器４を覆い、静磁場発生源２の発する磁場の磁場遮
蔽をしている。端面部２１は平面で、頂部２０から端面
部２１までの幅は直線的に狭くなり、デザイン的に好ま
しい形状を作っている。傾斜部１６は磁気シールド板６
の外側両端部を、斜めにカットして強磁性体を削除した
結果作られた部分であり、デザイン上好ましい形状を与
えると共に、強磁性体の重量軽減にも寄与する。これ
は、磁気シールド板６の冷却容器４に対向する面側に強
磁性体片１０を取り付けたことにより、磁気シールド板
６の外側両端部の磁束密度が大幅に低減したために可能
になったものである。

【００２６】本発明のパッシブシールド型超電導磁石の
第３の実施例を図７に示す。本実施例では第２の実施例
における強磁性体片１０の笠型傾斜面１１及び冷却容器
４の傾斜面１５の形状を変えたものである。図７におい
て、強磁性体片１０の笠型傾斜面１１Ａは２個の直線的
な傾斜面で構成されている。笠型傾斜面１１Ａは２個の
直線的な傾斜面により凹面となるように作られ、この凹
面はこの部分における磁束線１４の流れに近い形をして
いるので、強磁性体の量を効率的に使用していることに
なる。また、冷却容器４の傾斜面１５Ａも２個の直線的
な傾斜面で構成されている。この傾斜面１５Ａは凸面を
形成しており、２個の傾斜面の各々は対向する笠型傾斜
面１１Ａの２個の傾斜面と傾斜を合わせてある。このた
め、冷却容器４と強磁性体片１０との間隔を狭めること
が可能である。また、冷却容器４の傾斜面１５Ａが凸面
であることから、冷却容器４の内容積が大きくなるの
で、超電導コイル３の配列上の場所的制限も緩和され
る。また、本実施例では、各傾斜面を２個の傾斜面で構
成したが、傾斜面の数は２個に限定されず、３個以上で
も良いことは言うまでもない。

【００２７】本発明のパッシブシールド型超電導磁石の
第４の実施例を図８に示す。本実施例では第２の実施例
における強磁性体片１０の笠型傾斜面１１及び冷却容器
４の傾斜面１５の形状を曲面にしたものである。図８に
おいて、強磁性体片１０の笠型傾斜面１１Ｂは円弧状の
傾斜面で、凹面となるように作られている。また、冷却
容器４の傾斜面１５Ｂは円弧状の傾斜面で、凸面となる
ように形成されている。本実施例の場合、笠型傾斜面１
１Ｂが凹面，冷却容器４の傾斜面１５Ｂが凸面に形成さ
れていることにより、第３の実施例と同様な効果が得ら
れる。また、本実施例では、曲面として円弧状面を用い
たが、これに限定されず、他の曲面、例えば楕円形面や
放物線面などでも良い。

【００２８】上記の実施例では、ヨーク７の本数が２本
の場合について説明して来たが、２本以外の場合例え
ば、１本の場合や３本以上の場合にも、同様な効果が期
待できる。また、磁気シールド板６とヨーク７とが接合
する接合部１２，又はヨーク５の位置については、静磁
場発生源２の左右両側にある場合について例示したが、
これに限定されず、ヨーク５などが均一磁場領域１に対
し後側に配置された開放型の超電導磁石などにおいても
同様な効果が得られる。

【００２９】

【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、磁
気シールド板とヨークとの接合部の近傍の、磁気シール
ド板の静磁場発生源に対向する面側に、笠型の傾斜面を
持つ強磁性体片が取り付けられたことにより、磁気シー
ルド板を通る磁束線が接合部のみならず、強磁性体片も
通るようになるので、磁気シールド板を通る磁束線の密
度は静磁場発生源に対向する面側で高くなる。その結
果、磁気シールド板の上下外側の磁場漏洩が少なくな
り、磁気シールド板の外側に強磁性体を積み上げること
などが必要なくなるので、超電導磁石の高さを低くする
ことができ、装置全体をコンパクト化することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のパッシブシールド型超電導磁石の第１
の実施例。

【図２】図１の右上部の拡大図。

【図３】本発明の第１の実施例の磁束線分布の例。

【図４】従来のパッシブシールド型超電導磁石の磁束線
分布の例。

【図５】本発明のパッシブシールド型超電導磁石の第２
の実施例。

【図６】第２の実施例の上面図。

【図７】本発明のパッシブシールド型超電導磁石の第３
の実施例。

【図８】本発明のパッシブシールド型超電導磁石の第４
の実施例。

【図９】従来の垂直磁場方式の超電導磁石の一例。

【符号の説明】

１均一磁場領域（撮影領域）２静磁場発生源３超電導コイル４冷却容器６磁気シールド板６Ａ冷却容器対向面７ヨーク７Ａ内側面８積み上げ部１０強磁性体片１１，１１Ａ，１１Ｂ笠型傾斜面１２接合部１３結合体１４磁束線１５，１５Ａ，１５Ｂ冷却容器傾斜面１６磁気シールド板傾斜面２０頂部２１端面部２２側面部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者八尾武東京都千代田区内神田一丁目１番14号株式会社日立メディコ内 (72)発明者本名孝男東京都千代田区内神田一丁目１番14号株式会社日立メディコ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上下方向に対向して配置された１組の超
電導コイルと、それぞれの超電導コイルを収納し冷却す
る冷却容器とから成る静磁場発生源を有し、該静磁場発
生源の上下外側に強磁性体から成る磁気シールド板を配
置し、上下の該磁気シールド板の間を１本以上の強磁性
体から成るヨークにて結合して、前記静磁場発生源と共
に磁気回路を構成するパッシブシールド型超電導磁石に
おいて、前記磁気シールド板の前記冷却容器に対向する
側の面が、前記磁気シールド板と前記ヨークとの接合部
の近傍にて、前記冷却容器側に接近するような笠型の傾
斜面を有することを特徴とするパッシブシールド型超電
導磁石。
【請求項２】上下方向に対向して配置された１組の超
電導コイルと、それぞれの超電導コイルを収納し冷却す
る冷却容器とから成る静磁場発生源を有し、該静磁場発
生源の上下外側に強磁性体から成る磁気シールド板を配
置し、上下の該磁気シールド板の間を１本以上の強磁性
体から成るヨークにて結合して、前記静磁場発生源と共
に磁気回路を構成するパッシブシールド型超電導磁石に
おいて、前記磁気シールド板の前記冷却容器に対向する
面側の、前記磁気シールド板と前記ヨークとの接合部の
近傍に、前記接合部の近傍にて前記冷却容器側に接近す
るような笠型の傾斜面を有し、前記磁気シールド板と前
記ヨークとに接する強磁性体片を取り付けたことを特徴
とするパッシブシールド型超電導磁石。
【請求項３】請求項１及び２記載のパッシブシールド
型超電導磁石において、前記笠型の傾斜面は前記磁気シ
ールド板と前記ヨークとの接合部位の各々に対して少な
くとも１個ずつ設けられており、各々の傾斜面は前記磁
気シールド板の前記冷却容器と対向する面に始点を置
き、前記ヨークの前記冷却容器に対向する内側の面に終
点を置くことを特徴とするパッシブシールド型超電導磁
石。
【請求項４】請求項１乃至３記載の超電導磁石におい
て、前記笠型の傾斜面が、１個以上の平面を含むことを
特徴とするパッシブシールド型超電導磁石。
【請求項５】請求項１乃至４記載のパッシブシールド
型超電導磁石において、前記笠型の傾斜面が曲面を含む
ことを特徴とするパッシブシールド型超電導磁石。
【請求項６】請求項１乃至５記載のパッシブシールド
型超電導磁石において、前記冷却容器の前記磁気シール
ド板に対向する面側の外周部が、対向する前記笠型の傾
斜面とほぼ同じ形状の傾斜面に形成されていることを特
徴とするパッシブシールド型超電導磁石。