JPH11200048A - 銅合金膜形成材料及び銅合金膜形成方法 - Google Patents
銅合金膜形成材料及び銅合金膜形成方法Info
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- JPH11200048A JPH11200048A JP10009547A JP954798A JPH11200048A JP H11200048 A JPH11200048 A JP H11200048A JP 10009547 A JP10009547 A JP 10009547A JP 954798 A JP954798 A JP 954798A JP H11200048 A JPH11200048 A JP H11200048A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 口径が０．２５μｍ以下で、高アスペクト比
の配線孔の埋め込みも可能で、かつ、効率が良く、更に
はＥＭ寿命が長い銅合金膜の形成技術を提供することで
ある。 【解決手段】 銅合金膜を形成する為の材料であって、
銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、マグネシウム、ク
ロミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群の中か
ら選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯
体とからなる。
の配線孔の埋め込みも可能で、かつ、効率が良く、更に
はＥＭ寿命が長い銅合金膜の形成技術を提供することで
ある。 【解決手段】 銅合金膜を形成する為の材料であって、
銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、マグネシウム、ク
ロミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群の中か
ら選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯
体とからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銅合金膜形成材料
及び銅合金膜形成方法に関するものである。
及び銅合金膜形成方法に関するものである。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】現在、半導体素子の分
野では、信号の処理速度を向上させる為、微細化が進ん
でいる。特に、電気信号を伝達する為の導電部分（配
線）は、その細さが要求されている。しかし、配線を細
くすると、当然、電気抵抗は高くなる。又、素子の高機
能化・高性能化につれて、消費電力は増加し、Ｐｅｎｔ
ｉｕｍ−Ｐｒｏのように３０Ｗにまで達するものも出て
来ている。そして、素子の動作環境は温度が１００〜１
２０℃にもなっている。この為、電流密度が高くなって
いることも相まって、エレクトロマイグレーション（Ｅ
Ｍ）による信頼性低下が問題になる。
野では、信号の処理速度を向上させる為、微細化が進ん
でいる。特に、電気信号を伝達する為の導電部分（配
線）は、その細さが要求されている。しかし、配線を細
くすると、当然、電気抵抗は高くなる。又、素子の高機
能化・高性能化につれて、消費電力は増加し、Ｐｅｎｔ
ｉｕｍ−Ｐｒｏのように３０Ｗにまで達するものも出て
来ている。そして、素子の動作環境は温度が１００〜１
２０℃にもなっている。この為、電流密度が高くなって
いることも相まって、エレクトロマイグレーション（Ｅ
Ｍ）による信頼性低下が問題になる。
【０００３】そこで、従来のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線に代
わり、ＥＭ耐性の高いＣｕ配線が検討され出した。すな
わち、銅の採用によって、配線幅を０．２５μｍ以下と
することが可能となった。しかし、０．２５μｍ以下の
配線幅では、結晶粒が配線幅と同じ程度であることか
ら、温度が１２０℃の環境化では配線の寿命が数年と短
いことが判って来た。
わり、ＥＭ耐性の高いＣｕ配線が検討され出した。すな
わち、銅の採用によって、配線幅を０．２５μｍ以下と
することが可能となった。しかし、０．２５μｍ以下の
配線幅では、結晶粒が配線幅と同じ程度であることか
ら、温度が１２０℃の環境化では配線の寿命が数年と短
いことが判って来た。
【０００４】そこで、この問題を解決すべく、Ｃｕ−Ｚ
ｒ合金が提案（１９９６年６月２４日、シンポジウム、
今後の配線プロセスの方向性を探る、リアライズ社主
催、発表者：五十嵐 泰史）された。すなわち、純粋な
銅の場合にはＥＭ寿命が３．９年であるのに対して、Ｃ
ｕ−Ｚｒ合金ではＥＭ寿命が１４４年に延びると言われ
ている。
ｒ合金が提案（１９９６年６月２４日、シンポジウム、
今後の配線プロセスの方向性を探る、リアライズ社主
催、発表者：五十嵐 泰史）された。すなわち、純粋な
銅の場合にはＥＭ寿命が３．９年であるのに対して、Ｃ
ｕ−Ｚｒ合金ではＥＭ寿命が１４４年に延びると言われ
ている。
【０００５】このＣｕ−Ｚｒ合金膜の作製にはスパッタ
法が採用されている。しかし、本発明者の検討によれ
ば、口径が０．２５μｍ以下で、高アスペクト比（口径
に比べて深さが深い）の配線孔の埋め込みを達成する為
には、スパッタ法では限界の有ることが判って来た。す
なわち、薄膜形成技術についての検討を進めて行くうち
に、ＥＭ寿命が長いと言われる銅合金膜の形成にスパッ
タ法を用いた場合、高アスペクト比の配線孔の埋め込み
には限界があることが判って来たのである。
法が採用されている。しかし、本発明者の検討によれ
ば、口径が０．２５μｍ以下で、高アスペクト比（口径
に比べて深さが深い）の配線孔の埋め込みを達成する為
には、スパッタ法では限界の有ることが判って来た。す
なわち、薄膜形成技術についての検討を進めて行くうち
に、ＥＭ寿命が長いと言われる銅合金膜の形成にスパッ
タ法を用いた場合、高アスペクト比の配線孔の埋め込み
には限界があることが判って来たのである。
【０００６】更に、スパッタ法では膜形成効率が悪い。
従って、本発明が解決しようとする課題は、口径が０．
２５μｍ以下で、高アスペクト比の配線孔の埋め込みも
可能で、かつ、効率が良く、更にはＥＭ寿命が長い銅合
金膜の形成技術を提供することである。
従って、本発明が解決しようとする課題は、口径が０．
２５μｍ以下で、高アスペクト比の配線孔の埋め込みも
可能で、かつ、効率が良く、更にはＥＭ寿命が長い銅合
金膜の形成技術を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決する為
の検討を鋭意押し進めて行くうちに、銅合金膜の形成を
スパッタ法ではなく、ケミカルベーパーデポジション
（ＣＶＤ）法により行えば、口径が０．２５μｍ以下
で、高アスペクト比の配線孔の埋め込みも可能であるこ
とが判って来た。
の検討を鋭意押し進めて行くうちに、銅合金膜の形成を
スパッタ法ではなく、ケミカルベーパーデポジション
（ＣＶＤ）法により行えば、口径が０．２５μｍ以下
で、高アスペクト比の配線孔の埋め込みも可能であるこ
とが判って来た。
【０００８】しかも、ＣＶＤ法によれば、膜形成効率が
良い。しかし、ＣＶＤ法によってＥＭ寿命が長いと言わ
れる銅合金膜を形成する為には如何なる材料を用いなけ
ればならないかの問題が未解決であった。この問題につ
いての検討を更に押し進めて行った結果、銅の配位錯体
と、ジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミウム、ニ
ッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選ばれる少
なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体とを用いれ
ば解決されることが判って来た。
良い。しかし、ＣＶＤ法によってＥＭ寿命が長いと言わ
れる銅合金膜を形成する為には如何なる材料を用いなけ
ればならないかの問題が未解決であった。この問題につ
いての検討を更に押し進めて行った結果、銅の配位錯体
と、ジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミウム、ニ
ッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選ばれる少
なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体とを用いれ
ば解決されることが判って来た。
【０００９】このような知見を基にして本発明が達成さ
れたものであり、前記の課題は、銅合金膜を形成する為
の材料であって、銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、
マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マ
ンガンの群の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有
機金属又は金属錯体とからなることを特徴とする銅合金
膜形成材料によって解決される。
れたものであり、前記の課題は、銅合金膜を形成する為
の材料であって、銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、
マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マ
ンガンの群の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有
機金属又は金属錯体とからなることを特徴とする銅合金
膜形成材料によって解決される。
【００１０】特に、ケミカルベーパーデポジションによ
り銅合金膜を形成する為の材料であって、銅の配位錯体
と、ジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミウム、ニ
ッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選ばれる少
なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体とからなる
ことを特徴とする銅合金膜形成材料によって解決され
る。
り銅合金膜を形成する為の材料であって、銅の配位錯体
と、ジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミウム、ニ
ッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選ばれる少
なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体とからなる
ことを特徴とする銅合金膜形成材料によって解決され
る。
【００１１】又、銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、
マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マ
ンガンの群の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有
機金属又は金属錯体とを用いて銅合金膜を形成する方法
であって、銅合金膜を形成する基板を加熱する工程と、
前記銅の配位錯体、及びジルコニウム、錫、マグネシウ
ム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群
の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は
金属錯体を基板上に付ける工程と、基板上に付いた前記
銅の配位錯体、及び前記金属の有機金属又は金属錯体を
分解して銅合金膜を形成する工程とを具備することを特
徴とする銅合金膜形成方法によって解決される。
マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マ
ンガンの群の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有
機金属又は金属錯体とを用いて銅合金膜を形成する方法
であって、銅合金膜を形成する基板を加熱する工程と、
前記銅の配位錯体、及びジルコニウム、錫、マグネシウ
ム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群
の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は
金属錯体を基板上に付ける工程と、基板上に付いた前記
銅の配位錯体、及び前記金属の有機金属又は金属錯体を
分解して銅合金膜を形成する工程とを具備することを特
徴とする銅合金膜形成方法によって解決される。
【００１２】特に、銅の配位錯体と、ジルコニウム、
錫、マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カドミウ
ム、マンガンの群の中から選ばれる少なくとも一つの金
属の有機金属又は金属錯体とを用いてケミカルベーパー
デポジションにより銅合金膜を形成する方法であって、
銅合金膜を形成する基板を加熱する工程と、前記銅の配
位錯体、及びジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミ
ウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選
ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体を
基板上に付ける工程と、基板上に付いた前記銅の配位錯
体、及び前記金属の有機金属又は金属錯体を分解して銅
合金膜を形成する工程とを具備することを特徴とする銅
合金膜形成方法によって解決される。
錫、マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カドミウ
ム、マンガンの群の中から選ばれる少なくとも一つの金
属の有機金属又は金属錯体とを用いてケミカルベーパー
デポジションにより銅合金膜を形成する方法であって、
銅合金膜を形成する基板を加熱する工程と、前記銅の配
位錯体、及びジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミ
ウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選
ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体を
基板上に付ける工程と、基板上に付いた前記銅の配位錯
体、及び前記金属の有機金属又は金属錯体を分解して銅
合金膜を形成する工程とを具備することを特徴とする銅
合金膜形成方法によって解決される。
【００１３】上記本発明「銅合金膜形成材料、銅合金膜
形成方法」において用いられる銅の配位錯体は、配位子
で安定化した（＋１）配位錯体が好ましい。又、β−ジ
ケトンが銅に配位結合したものが好ましい。特に、銅に
配位結合したβ−ジケトンと、銅に結合した少なくとも
一つの安定化配位子とを有するものが好ましい。中で
も、β−ジケトンが銅に配位結合したものであって、前
記β−ジケトンは一般式Ｒ’ＣＯＣＨＲＣＯＲ”〔但
し、ＲはＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ、メチル基、及びエチ
ル基の群の中から選ばれる。Ｒ’及びＲ”はＣ
n Ｈ2n+1，Ｃn Ｆ2n+1（ｎは１〜４の整数）、アリール
基及び置換アリール基の群の中から選ばれる。〕で表さ
れるものが好ましい。更には、β−ジケトンが銅に配位
結合したものであり、前記β−ジケトンは一般式Ｒ’Ｃ
ＯＣＨ2 ＣＯＲ”で表されるものであって、前記Ｒ’及
びＲ”は−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ
2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 及び−Ｃ
4 Ｆ9 の群の中から選ばれるものが好ましい。特に、β
−ジケトンが銅に配位結合したものであり、前記β−ジ
ケトンがトリフルオロアセチルアセトン又はヘキサフル
オロアセチルアセトンであるものが好ましい。
形成方法」において用いられる銅の配位錯体は、配位子
で安定化した（＋１）配位錯体が好ましい。又、β−ジ
ケトンが銅に配位結合したものが好ましい。特に、銅に
配位結合したβ−ジケトンと、銅に結合した少なくとも
一つの安定化配位子とを有するものが好ましい。中で
も、β−ジケトンが銅に配位結合したものであって、前
記β−ジケトンは一般式Ｒ’ＣＯＣＨＲＣＯＲ”〔但
し、ＲはＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ、メチル基、及びエチ
ル基の群の中から選ばれる。Ｒ’及びＲ”はＣ
n Ｈ2n+1，Ｃn Ｆ2n+1（ｎは１〜４の整数）、アリール
基及び置換アリール基の群の中から選ばれる。〕で表さ
れるものが好ましい。更には、β−ジケトンが銅に配位
結合したものであり、前記β−ジケトンは一般式Ｒ’Ｃ
ＯＣＨ2 ＣＯＲ”で表されるものであって、前記Ｒ’及
びＲ”は−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ
2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 及び−Ｃ
4 Ｆ9 の群の中から選ばれるものが好ましい。特に、β
−ジケトンが銅に配位結合したものであり、前記β−ジ
ケトンがトリフルオロアセチルアセトン又はヘキサフル
オロアセチルアセトンであるものが好ましい。
【００１４】又、銅の配位錯体は、銅に結合した少なく
とも一つの安定化配位子を有するものであり、前記安定
化配位子が置換及び非置換のアルキン、オレフィン、ジ
エン、及びホスフィンの群の中から選ばれるものが好ま
しい。中でも、銅に結合した少なくとも一つの安定化配
位子を有するものであり、前記安定化配位子が１，５−
シクロオクタジエン、アルキル置換１，５−シクロオク
タジエン、フルオロ−１，５−シクロオクタジエン、シ
クロオクテン、メチルシクロオクテン、シクロオクタテ
トラエン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、トリシク
ロ［５．２．１．０］−デカ−２，６−ジエン、１，４
−シクロヘキサジエン、アセチレン、アルキル置換アセ
チレン、ハロゲン置換アセチレン、及びトリメチルホス
フィンの群の中から選ばれるものが好ましい。又、銅に
結合した少なくとも一つの安定化配位子を有するもので
あり、前記安定化配位子がトリメチルビニルシラン、メ
チルトリビニルシラン、ジメチルジビニルシラン、及び
ビストリメチルシリルアセチレンの群の中から選ばれる
ものが好ましい。
とも一つの安定化配位子を有するものであり、前記安定
化配位子が置換及び非置換のアルキン、オレフィン、ジ
エン、及びホスフィンの群の中から選ばれるものが好ま
しい。中でも、銅に結合した少なくとも一つの安定化配
位子を有するものであり、前記安定化配位子が１，５−
シクロオクタジエン、アルキル置換１，５−シクロオク
タジエン、フルオロ−１，５−シクロオクタジエン、シ
クロオクテン、メチルシクロオクテン、シクロオクタテ
トラエン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、トリシク
ロ［５．２．１．０］−デカ−２，６−ジエン、１，４
−シクロヘキサジエン、アセチレン、アルキル置換アセ
チレン、ハロゲン置換アセチレン、及びトリメチルホス
フィンの群の中から選ばれるものが好ましい。又、銅に
結合した少なくとも一つの安定化配位子を有するもので
あり、前記安定化配位子がトリメチルビニルシラン、メ
チルトリビニルシラン、ジメチルジビニルシラン、及び
ビストリメチルシリルアセチレンの群の中から選ばれる
ものが好ましい。
【００１５】特に好ましい銅の配位錯体は、ヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタ
ジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジ
メチル−１，５−シクロオクタジエン、又はこれらの混
合物である。或いは、ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、トリス（ヘキサフ
ルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ））メチルトリビニル
シラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ））ジメチルジビニルシラン、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシリルアセチレ
ン、又はこれらの混合物である。若しくは、ヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタ
ジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジ
メチル−１，５−シクロオクタジエン、ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅（Ｉ）ジエチル−１，５−シクロ
オクタジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシラン、トリス（ヘキサフルオ
ロアセチルアセトナト銅（Ｉ））メチルトリビニルシラ
ン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ））ジメチルジビニルシラン、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシリルアセチレ
ン、又はこれらの混合物である。
オロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタ
ジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジ
メチル−１，５−シクロオクタジエン、又はこれらの混
合物である。或いは、ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、トリス（ヘキサフ
ルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ））メチルトリビニル
シラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ））ジメチルジビニルシラン、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシリルアセチレ
ン、又はこれらの混合物である。若しくは、ヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタ
ジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジ
メチル−１，５−シクロオクタジエン、ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅（Ｉ）ジエチル−１，５−シクロ
オクタジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシラン、トリス（ヘキサフルオ
ロアセチルアセトナト銅（Ｉ））メチルトリビニルシラ
ン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ））ジメチルジビニルシラン、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシリルアセチレ
ン、又はこれらの混合物である。
【００１６】上記本発明「銅合金膜形成材料、銅合金膜
形成方法」において用いられるジルコニウムの有機金属
又は金属錯体は、テトラキスジメチルアミノジルコニウ
ム、テトラキスジエチルアミノジルコニウム、ジルコニ
ウムテトラボロンハイドライド、ジルコニウムテトラブ
ロマイド、ジルコニウムテトラクロライドの群の中から
選ばれるものが好ましい。
形成方法」において用いられるジルコニウムの有機金属
又は金属錯体は、テトラキスジメチルアミノジルコニウ
ム、テトラキスジエチルアミノジルコニウム、ジルコニ
ウムテトラボロンハイドライド、ジルコニウムテトラブ
ロマイド、ジルコニウムテトラクロライドの群の中から
選ばれるものが好ましい。
【００１７】上記本発明「銅合金膜形成材料、銅合金膜
形成方法」において用いられる錫の有機金属又は金属錯
体は、Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 Ｓｎ（Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4
はアルキル基またはアリール基であって、同一でも、異
なるものでも良い）、テトラキスジメチルアミノ錫、テ
トラキスジエチルアミノ錫、臭化錫、塩化錫、ヨウ化
錫、Ｒn ＳｎＸ4-n （Ｒはアルキル基またはアリール
基、ＸはＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ又はＩ、ｎは０〜３の整
数）の群の中から選ばれるものが好ましい。中でも、一
般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 Ｓｎで表されるものであり、前記
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ 4 はＨ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−
Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ 7 ，−Ｃ
4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ9 ，−Ｃ6 Ｈ5 の群の中から選ばれる
ものが好ましい。
形成方法」において用いられる錫の有機金属又は金属錯
体は、Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 Ｓｎ（Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4
はアルキル基またはアリール基であって、同一でも、異
なるものでも良い）、テトラキスジメチルアミノ錫、テ
トラキスジエチルアミノ錫、臭化錫、塩化錫、ヨウ化
錫、Ｒn ＳｎＸ4-n （Ｒはアルキル基またはアリール
基、ＸはＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ又はＩ、ｎは０〜３の整
数）の群の中から選ばれるものが好ましい。中でも、一
般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 Ｓｎで表されるものであり、前記
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ 4 はＨ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−
Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ 7 ，−Ｃ
4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ9 ，−Ｃ6 Ｈ5 の群の中から選ばれる
ものが好ましい。
【００１８】上記本発明「銅合金膜形成材料、銅合金膜
形成方法」において用いられるマグネシウムの有機金属
又は金属錯体は、ビス（アルキルシクロペンタジエニ
ル）マグネシウムが好ましい。中でも、一般式（ＲＣ5
Ｈ4 ）2 Ｍｇで表されるビス（アルキルシクロペンタジ
エニル）マグネシウムであり、前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，
−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の群の中から選ば
れるものが好ましい。又、オクタメチルジアルミニウム
マグネシウム（ＣＨ3 ）8 Ａｌ2 Ｍｇも好ましい。
形成方法」において用いられるマグネシウムの有機金属
又は金属錯体は、ビス（アルキルシクロペンタジエニ
ル）マグネシウムが好ましい。中でも、一般式（ＲＣ5
Ｈ4 ）2 Ｍｇで表されるビス（アルキルシクロペンタジ
エニル）マグネシウムであり、前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，
−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の群の中から選ば
れるものが好ましい。又、オクタメチルジアルミニウム
マグネシウム（ＣＨ3 ）8 Ａｌ2 Ｍｇも好ましい。
【００１９】上記本発明「銅合金膜形成材料、銅合金膜
形成方法」において用いられるクロミウムの有機金属又
は金属錯体は、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）
クロミウム、ビス（アルキル置換ベンゼン）クロミウ
ム、及びビス（エチルベンゼン）クロミウムの群の中か
ら選ばれるものが好ましい。中でも、一般式（ＲＣ5 Ｈ
4 ）2 Ｃｒで表されるビス（アルキルシクロペンタジエ
ニル）クロミウムであり、前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ
2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の群の中から選ばれる
ものが好ましい。
形成方法」において用いられるクロミウムの有機金属又
は金属錯体は、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）
クロミウム、ビス（アルキル置換ベンゼン）クロミウ
ム、及びビス（エチルベンゼン）クロミウムの群の中か
ら選ばれるものが好ましい。中でも、一般式（ＲＣ5 Ｈ
4 ）2 Ｃｒで表されるビス（アルキルシクロペンタジエ
ニル）クロミウムであり、前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ
2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の群の中から選ばれる
ものが好ましい。
【００２０】上記本発明「銅合金膜形成材料、銅合金膜
形成方法」において用いられるニッケルの有機金属又は
金属錯体は、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ニ
ッケルが好ましい。中でも、一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｎ
ｉで表されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）ニ
ッケルであり、前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−
Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の群の中から選ばれるものが好ま
しい。
形成方法」において用いられるニッケルの有機金属又は
金属錯体は、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ニ
ッケルが好ましい。中でも、一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｎ
ｉで表されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）ニ
ッケルであり、前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−
Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の群の中から選ばれるものが好ま
しい。
【００２１】上記本発明「銅合金膜形成材料、銅合金膜
形成方法」において用いられるカドミウムの有機金属又
は金属錯体は、ジメチルカドミウムが好ましい。上記本
発明「銅合金膜形成材料、銅合金膜形成方法」において
用いられるマンガンの有機金属又は金属錯体は、ビス
（アルキルシクロペンタジエニル）マンガンが好まし
い。中でも、一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｍｎで表されるビ
ス（アルキルシクロペンタジエニル）マンガンであり、
前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ
4 Ｈ9 の群の中から選ばれるものが好ましい。
形成方法」において用いられるカドミウムの有機金属又
は金属錯体は、ジメチルカドミウムが好ましい。上記本
発明「銅合金膜形成材料、銅合金膜形成方法」において
用いられるマンガンの有機金属又は金属錯体は、ビス
（アルキルシクロペンタジエニル）マンガンが好まし
い。中でも、一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｍｎで表されるビ
ス（アルキルシクロペンタジエニル）マンガンであり、
前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ
4 Ｈ9 の群の中から選ばれるものが好ましい。
【００２２】そして、上記した銅の配位錯体と、ジルコ
ニウム、錫、マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カ
ドミウム、マンガンの群の中から選ばれる少なくとも一
つの金属の有機金属又は金属錯体とを用いて基板上に銅
合金膜を形成する際、基板上に付いた前記銅の配位錯
体、及び前記金属の有機金属又は金属錯体の分解は、加
熱、レーザ誘導加熱、紫外線を用いたレーザ誘導加熱、
プラズマ法により行われる。
ニウム、錫、マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カ
ドミウム、マンガンの群の中から選ばれる少なくとも一
つの金属の有機金属又は金属錯体とを用いて基板上に銅
合金膜を形成する際、基板上に付いた前記銅の配位錯
体、及び前記金属の有機金属又は金属錯体の分解は、加
熱、レーザ誘導加熱、紫外線を用いたレーザ誘導加熱、
プラズマ法により行われる。
【００２３】特に、分解を１００〜１０００℃の温度で
行った場合、Ｃｕ以外の成分を含有したことによって配
線の抵抗が増すものの、熱処理によって抵抗が小さくな
るので好ましい。
行った場合、Ｃｕ以外の成分を含有したことによって配
線の抵抗が増すものの、熱処理によって抵抗が小さくな
るので好ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明になる銅合金膜（配線膜）
形成材料は、銅合金膜を形成する為の材料であって、銅
の配位錯体と、ジルコニウム、錫、マグネシウム、クロ
ミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群の中から
選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体
とからなる。特に、ケミカルベーパーデポジションによ
り銅合金膜を形成する為の材料であって、銅の配位錯体
と、ジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミウム、ニ
ッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選ばれる少
なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体とからな
る。
形成材料は、銅合金膜を形成する為の材料であって、銅
の配位錯体と、ジルコニウム、錫、マグネシウム、クロ
ミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群の中から
選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体
とからなる。特に、ケミカルベーパーデポジションによ
り銅合金膜を形成する為の材料であって、銅の配位錯体
と、ジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミウム、ニ
ッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選ばれる少
なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体とからな
る。
【００２５】本発明になる銅合金膜（配線膜）形成方法
は、銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、マグネシウ
ム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群
の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は
金属錯体とを用いて銅合金膜を形成する方法であって、
銅合金膜を形成する基板を加熱する工程と、前記銅の配
位錯体、及びジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミ
ウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選
ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体を
同時または交互に接触させて基板上に付ける工程と、基
板上に付いた前記銅の配位錯体、及び前記金属の有機金
属又は金属錯体を分解して銅合金膜を形成する工程とを
具備する。特に、銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、
マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マ
ンガンの群の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有
機金属又は金属錯体とを用いてケミカルベーパーデポジ
ションにより銅合金膜を形成する方法であって、銅合金
膜を形成する基板を加熱する工程と、前記銅の配位錯
体、及びジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミウ
ム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選ば
れる少なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体を同
時または交互に接触させて基板上に付ける工程と、基板
上に付いた前記銅の配位錯体、及び前記金属の有機金属
又は金属錯体を分解して銅合金膜を形成する工程とを具
備する。銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、マグネシ
ウム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの
群の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又
は金属錯体とを用いて基板上に銅合金膜を形成する際、
基板上に付いた前記銅の配位錯体、及び前記金属の有機
金属又は金属錯体の分解は、加熱、レーザ誘導加熱、紫
外線を用いたレーザ誘導加熱、プラズマ法により行われ
る。分解は、特に、１００〜１０００℃の温度で行われ
る。
は、銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、マグネシウ
ム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群
の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は
金属錯体とを用いて銅合金膜を形成する方法であって、
銅合金膜を形成する基板を加熱する工程と、前記銅の配
位錯体、及びジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミ
ウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選
ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体を
同時または交互に接触させて基板上に付ける工程と、基
板上に付いた前記銅の配位錯体、及び前記金属の有機金
属又は金属錯体を分解して銅合金膜を形成する工程とを
具備する。特に、銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、
マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マ
ンガンの群の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有
機金属又は金属錯体とを用いてケミカルベーパーデポジ
ションにより銅合金膜を形成する方法であって、銅合金
膜を形成する基板を加熱する工程と、前記銅の配位錯
体、及びジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミウ
ム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群の中から選ば
れる少なくとも一つの金属の有機金属又は金属錯体を同
時または交互に接触させて基板上に付ける工程と、基板
上に付いた前記銅の配位錯体、及び前記金属の有機金属
又は金属錯体を分解して銅合金膜を形成する工程とを具
備する。銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、マグネシ
ウム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの
群の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又
は金属錯体とを用いて基板上に銅合金膜を形成する際、
基板上に付いた前記銅の配位錯体、及び前記金属の有機
金属又は金属錯体の分解は、加熱、レーザ誘導加熱、紫
外線を用いたレーザ誘導加熱、プラズマ法により行われ
る。分解は、特に、１００〜１０００℃の温度で行われ
る。
【００２６】例えば、図１に示すような装置を用いるこ
とによって基板上に銅合金膜が形成される。すなわち、
気化容器２ａに銅の配位錯体の溶液１ａを入れ、ガスを
バブリングすることによって該銅の配位錯体を気化す
る。気化容器２ｂには前記金属の有機金属（又は金属錯
体）の溶液１ｂを入れ、ガスをバブリングすることによ
って該金属の有機金属（又は金属錯体）を気化する。気
化された原料（銅の配位錯体、有機金属（又は金属錯
体））は配管４，４を経て分解反応炉５に導入される。
反応炉５には成膜が施されるシリコン基板７が置かれ、
シリコン基板７は加熱手段６により加熱されている。そ
して、反応炉５に導入された銅の配位錯体および前記金
属の有機金属（又は金属錯体）がシリコン基板７表面に
付き、これが１００〜１０００℃で分解されることによ
って銅合金膜が形成される。
とによって基板上に銅合金膜が形成される。すなわち、
気化容器２ａに銅の配位錯体の溶液１ａを入れ、ガスを
バブリングすることによって該銅の配位錯体を気化す
る。気化容器２ｂには前記金属の有機金属（又は金属錯
体）の溶液１ｂを入れ、ガスをバブリングすることによ
って該金属の有機金属（又は金属錯体）を気化する。気
化された原料（銅の配位錯体、有機金属（又は金属錯
体））は配管４，４を経て分解反応炉５に導入される。
反応炉５には成膜が施されるシリコン基板７が置かれ、
シリコン基板７は加熱手段６により加熱されている。そ
して、反応炉５に導入された銅の配位錯体および前記金
属の有機金属（又は金属錯体）がシリコン基板７表面に
付き、これが１００〜１０００℃で分解されることによ
って銅合金膜が形成される。
【００２７】上記銅の配位錯体は、配位子で安定化した
（＋１）配位錯体である。又、β−ジケトンが銅に配位
結合したものである。特に、銅に配位結合したβ−ジケ
トンと、銅に結合した少なくとも一つの安定化配位子と
を有するものである。中でも、β−ジケトンが銅に配位
結合したものであって、前記β−ジケトンは一般式Ｒ’
ＣＯＣＨＲＣＯＲ”〔但し、ＲはＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，
Ｉ、メチル基、及びエチル基の群の中から選ばれる。
Ｒ’及びＲ”はＣn Ｈ2n+1，Ｃn Ｆ2n+1（ｎは１〜４の
整数）、アリール基及び置換アリール基の群の中から選
ばれる。〕で表されるものである。更には、β−ジケト
ンが銅に配位結合したものであり、前記β−ジケトンは
一般式Ｒ’ＣＯＣＨ2 ＣＯＲ”で表されるものであっ
て、前記Ｒ’及びＲ”は−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ
5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9
及び−Ｃ4 Ｆ9 の群の中から選ばれるものである。特
に、β−ジケトンが銅に配位結合したものであり、前記
β−ジケトンがトリフルオロアセチルアセトン又はヘキ
サフルオロアセチルアセトンである。
（＋１）配位錯体である。又、β−ジケトンが銅に配位
結合したものである。特に、銅に配位結合したβ−ジケ
トンと、銅に結合した少なくとも一つの安定化配位子と
を有するものである。中でも、β−ジケトンが銅に配位
結合したものであって、前記β−ジケトンは一般式Ｒ’
ＣＯＣＨＲＣＯＲ”〔但し、ＲはＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，
Ｉ、メチル基、及びエチル基の群の中から選ばれる。
Ｒ’及びＲ”はＣn Ｈ2n+1，Ｃn Ｆ2n+1（ｎは１〜４の
整数）、アリール基及び置換アリール基の群の中から選
ばれる。〕で表されるものである。更には、β−ジケト
ンが銅に配位結合したものであり、前記β−ジケトンは
一般式Ｒ’ＣＯＣＨ2 ＣＯＲ”で表されるものであっ
て、前記Ｒ’及びＲ”は−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ
5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9
及び−Ｃ4 Ｆ9 の群の中から選ばれるものである。特
に、β−ジケトンが銅に配位結合したものであり、前記
β−ジケトンがトリフルオロアセチルアセトン又はヘキ
サフルオロアセチルアセトンである。
【００２８】又、銅の配位錯体は、銅に結合した少なく
とも一つの安定化配位子を有するものであり、前記安定
化配位子が置換及び非置換のアルキン、オレフィン、ジ
エン、及びホスフィンの群の中から選ばれるものであ
る。中でも、銅に結合した少なくとも一つの安定化配位
子を有するものであり、前記安定化配位子が１，５−シ
クロオクタジエン、アルキル置換１，５−シクロオクタ
ジエン、フルオロ−１，５−シクロオクタジエン、シク
ロオクテン、メチルシクロオクテン、シクロオクタテト
ラエン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、トリシクロ
［５．２．１．０］−デカ−２，６−ジエン、１，４−
シクロヘキサジエン、アセチレン、アルキル置換アセチ
レン、ハロゲン置換アセチレン、及びトリメチルホスフ
ィンの群の中から選ばれるものである。又、銅に結合し
た少なくとも一つの安定化配位子を有するものであり、
前記安定化配位子がトリメチルビニルシラン、メチルト
リビニルシラン、ジメチルジビニルシラン、及びビスト
リメチルシリルアセチレンの群の中から選ばれるもので
ある。
とも一つの安定化配位子を有するものであり、前記安定
化配位子が置換及び非置換のアルキン、オレフィン、ジ
エン、及びホスフィンの群の中から選ばれるものであ
る。中でも、銅に結合した少なくとも一つの安定化配位
子を有するものであり、前記安定化配位子が１，５−シ
クロオクタジエン、アルキル置換１，５−シクロオクタ
ジエン、フルオロ−１，５−シクロオクタジエン、シク
ロオクテン、メチルシクロオクテン、シクロオクタテト
ラエン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、トリシクロ
［５．２．１．０］−デカ−２，６−ジエン、１，４−
シクロヘキサジエン、アセチレン、アルキル置換アセチ
レン、ハロゲン置換アセチレン、及びトリメチルホスフ
ィンの群の中から選ばれるものである。又、銅に結合し
た少なくとも一つの安定化配位子を有するものであり、
前記安定化配位子がトリメチルビニルシラン、メチルト
リビニルシラン、ジメチルジビニルシラン、及びビスト
リメチルシリルアセチレンの群の中から選ばれるもので
ある。
【００２９】銅の配位錯体の具体例として、ヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタ
ジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジ
メチル−１，５−シクロオクタジエン、又はこれらの混
合物がある。或いは、ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、トリス（ヘキサフ
ルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ））メチルトリビニル
シラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ））ジメチルジビニルシラン、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシリルアセチレ
ン、又はこれらの混合物がある。若しくは、ヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタ
ジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジ
メチル−１，５−シクロオクタジエン、ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅（Ｉ）ジエチル−１，５−シクロ
オクタジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシラン、トリス（ヘキサフルオ
ロアセチルアセトナト銅（Ｉ））メチルトリビニルシラ
ン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ））ジメチルジビニルシラン、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシリルアセチレ
ン、又はこれらの混合物がある。
オロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタ
ジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジ
メチル−１，５−シクロオクタジエン、又はこれらの混
合物がある。或いは、ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、トリス（ヘキサフ
ルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ））メチルトリビニル
シラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ））ジメチルジビニルシラン、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシリルアセチレ
ン、又はこれらの混合物がある。若しくは、ヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタ
ジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジ
メチル−１，５−シクロオクタジエン、ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅（Ｉ）ジエチル−１，５−シクロ
オクタジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシラン、トリス（ヘキサフルオ
ロアセチルアセトナト銅（Ｉ））メチルトリビニルシラ
ン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ））ジメチルジビニルシラン、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシリルアセチレ
ン、又はこれらの混合物がある。
【００３０】ジルコニウムの有機金属又は金属錯体とし
ては、テトラキスジメチルアミノジルコニウム、テトラ
キスジエチルアミノジルコニウム、ジルコニウムテトラ
ボロンハイドライド、ジルコニウムテトラブロマイド、
ジルコニウムテトラクロライドがある。錫の有機金属又
は金属錯体としては、Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 Ｓｎ（Ｒ1 ，Ｒ
2 ，Ｒ 3 ，Ｒ4 はアルキル基またはアリール基であっ
て、同一でも、異なるものでも良い）、テトラキスジメ
チルアミノ錫、テトラキスジエチルアミノ錫、臭化錫、
塩化錫、ヨウ化錫、Ｒn ＳｎＸ4-n （Ｒはアルキル基ま
たはアリール基、ＸはＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ又はＩ、ｎは
０〜３の整数）がある。中でも、一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ 3 Ｒ
4 Ｓｎで表されるものであり、前記Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，
Ｒ4 はＨ，−ＣＨ3，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ
5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ
4 Ｆ9 ，−Ｃ6 Ｈ5 の群の中から選ばれるものが挙げら
れる。
ては、テトラキスジメチルアミノジルコニウム、テトラ
キスジエチルアミノジルコニウム、ジルコニウムテトラ
ボロンハイドライド、ジルコニウムテトラブロマイド、
ジルコニウムテトラクロライドがある。錫の有機金属又
は金属錯体としては、Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 Ｓｎ（Ｒ1 ，Ｒ
2 ，Ｒ 3 ，Ｒ4 はアルキル基またはアリール基であっ
て、同一でも、異なるものでも良い）、テトラキスジメ
チルアミノ錫、テトラキスジエチルアミノ錫、臭化錫、
塩化錫、ヨウ化錫、Ｒn ＳｎＸ4-n （Ｒはアルキル基ま
たはアリール基、ＸはＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ又はＩ、ｎは
０〜３の整数）がある。中でも、一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ 3 Ｒ
4 Ｓｎで表されるものであり、前記Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，
Ｒ4 はＨ，−ＣＨ3，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ
5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ
4 Ｆ9 ，−Ｃ6 Ｈ5 の群の中から選ばれるものが挙げら
れる。
【００３１】マグネシウムの有機金属又は金属錯体とし
ては、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）マグネシ
ウムがある。中でも、一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇで表
されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）マグネシ
ウムであり、前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ
3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の群の中から選ばれるものものが挙
げられる。又、オクタメチルジアルミニウムマグネシウ
ム（ＣＨ3 ）8 Ａｌ2Ｍｇもある。
ては、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）マグネシ
ウムがある。中でも、一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇで表
されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）マグネシ
ウムであり、前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ
3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の群の中から選ばれるものものが挙
げられる。又、オクタメチルジアルミニウムマグネシウ
ム（ＣＨ3 ）8 Ａｌ2Ｍｇもある。
【００３２】クロミウムの有機金属又は金属錯体として
は、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）クロミウ
ム、ビス（アルキル置換ベンゼン）クロミウム、及びビ
ス（エチルベンゼン）クロミウムがある。中でも、一般
式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｃｒで表されるビス（アルキルシク
ロペンタジエニル）クロミウムであり、前記ＲがＨ，−
ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の群の中
から選ばれるものが挙げられる。
は、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）クロミウ
ム、ビス（アルキル置換ベンゼン）クロミウム、及びビ
ス（エチルベンゼン）クロミウムがある。中でも、一般
式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｃｒで表されるビス（アルキルシク
ロペンタジエニル）クロミウムであり、前記ＲがＨ，−
ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の群の中
から選ばれるものが挙げられる。
【００３３】ニッケルの有機金属又は金属錯体として
は、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ニッケルが
ある。中でも、一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｎｉで表される
ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ニッケルであ
り、前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ 2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，
−Ｃ4 Ｈ9 の群の中から選ばれるものが挙げられる。カ
ドミウムの有機金属又は金属錯体としては、ジメチルカ
ドミウムがある。
は、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ニッケルが
ある。中でも、一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｎｉで表される
ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ニッケルであ
り、前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ 2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，
−Ｃ4 Ｈ9 の群の中から選ばれるものが挙げられる。カ
ドミウムの有機金属又は金属錯体としては、ジメチルカ
ドミウムがある。
【００３４】マンガンの有機金属又は金属錯体として
は、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）マンガンが
ある。中でも、一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｍｎで表される
ビス（アルキルシクロペンタジエニル）マンガンであ
り、前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ 2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，
−Ｃ4 Ｈ9 の群の中から選ばれるものが挙げられる。上
記のようにして銅合金からなる配線膜が形成される。こ
の配線膜の組成は、Ｃｕ−Ｓｎ合金の場合には、Ｃｕが
９０〜９９．９９５ｗｔ％、Ｓｎが０．００５〜１０ｗ
ｔ％である。Ｃｕ−Ｚｒ合金の場合には、Ｃｕが９０〜
９９．９９５ｗｔ％、Ｚｒが０．００５〜１０ｗｔ％で
ある。Ｃｕ−Ｍｇ合金の場合には、Ｃｕが９０〜９９．
９９９ｗｔ％、Ｍｇが０．００１〜１０ｗｔ％である。
Ｃｕ−Ｃｒ合金の場合には、Ｃｕが９０〜９９．９９９
ｗｔ％、Ｃｒが０．００１〜１０ｗｔ％である。Ｃｕ−
Ｍｎ合金の場合には、Ｃｕが８０〜９９．９９５ｗｔ
％、Ｍｎが０．００５〜２０ｗｔ％である。Ｃｕ−Ｃｄ
合金の場合には、Ｃｕが９０〜９９．９９９ｗｔ％、Ｃ
ｄが０．００１〜１０ｗｔ％である。Ｃｕ−Ｎｉ合金の
場合には、Ｃｕが７０〜９９．９９５ｗｔ％、Ｎｉが
０．００５〜３０ｗｔ％である。Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ合金
の場合には、Ｃｕが８０〜９９．９９９ｗｔ％、Ｃｒが
０．０００５〜１０ｗｔ％、Ｚｒが０．０００５〜１０
ｗｔ％である。その他の三成分系以上の場合も上記に準
じた割合である。
は、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）マンガンが
ある。中でも、一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｍｎで表される
ビス（アルキルシクロペンタジエニル）マンガンであ
り、前記ＲがＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ 2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，
−Ｃ4 Ｈ9 の群の中から選ばれるものが挙げられる。上
記のようにして銅合金からなる配線膜が形成される。こ
の配線膜の組成は、Ｃｕ−Ｓｎ合金の場合には、Ｃｕが
９０〜９９．９９５ｗｔ％、Ｓｎが０．００５〜１０ｗ
ｔ％である。Ｃｕ−Ｚｒ合金の場合には、Ｃｕが９０〜
９９．９９５ｗｔ％、Ｚｒが０．００５〜１０ｗｔ％で
ある。Ｃｕ−Ｍｇ合金の場合には、Ｃｕが９０〜９９．
９９９ｗｔ％、Ｍｇが０．００１〜１０ｗｔ％である。
Ｃｕ−Ｃｒ合金の場合には、Ｃｕが９０〜９９．９９９
ｗｔ％、Ｃｒが０．００１〜１０ｗｔ％である。Ｃｕ−
Ｍｎ合金の場合には、Ｃｕが８０〜９９．９９５ｗｔ
％、Ｍｎが０．００５〜２０ｗｔ％である。Ｃｕ−Ｃｄ
合金の場合には、Ｃｕが９０〜９９．９９９ｗｔ％、Ｃ
ｄが０．００１〜１０ｗｔ％である。Ｃｕ−Ｎｉ合金の
場合には、Ｃｕが７０〜９９．９９５ｗｔ％、Ｎｉが
０．００５〜３０ｗｔ％である。Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ合金
の場合には、Ｃｕが８０〜９９．９９９ｗｔ％、Ｃｒが
０．０００５〜１０ｗｔ％、Ｚｒが０．０００５〜１０
ｗｔ％である。その他の三成分系以上の場合も上記に準
じた割合である。
【００３５】そして、合金組成の割合は各成分の原料の
供給量を制御することによって、目的とする組成の銅合
金膜が得られる。以下、具体的実施例を幾つか挙げて説
明するが、本発明はこれに限定されるものでは無い。つ
まり、下記で述べる実施例の記載に準じて行えば、本実
施形態で説明した合金組成の配線膜を得ることが出来
る。
供給量を制御することによって、目的とする組成の銅合
金膜が得られる。以下、具体的実施例を幾つか挙げて説
明するが、本発明はこれに限定されるものでは無い。つ
まり、下記で述べる実施例の記載に準じて行えば、本実
施形態で説明した合金組成の配線膜を得ることが出来
る。
【００３６】
【実施例１】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとテトラエチル錫とを用
いてＣＶＤ法により銅−錫合金膜を形成した。すなわ
ち、図１の装置を用い、気化容器２ａにはヘキサフルオ
ロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン
を入れ、水素を流量１００ｍｌ／分でバブリングするこ
とによって気化した。気化容器２ｂにはテトラエチル錫
を入れ、水素を流量５ｍｌ／分でバブリングすることに
よって溶液を気化した。この時の気化容器２ａの温度は
２７．５℃、気化容器２ｂの温度は−１０℃に制御し
た。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとテトラエチル錫とを用
いてＣＶＤ法により銅−錫合金膜を形成した。すなわ
ち、図１の装置を用い、気化容器２ａにはヘキサフルオ
ロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン
を入れ、水素を流量１００ｍｌ／分でバブリングするこ
とによって気化した。気化容器２ｂにはテトラエチル錫
を入れ、水素を流量５ｍｌ／分でバブリングすることに
よって溶液を気化した。この時の気化容器２ａの温度は
２７．５℃、気化容器２ｂの温度は−１０℃に制御し
た。
【００３７】気化された原料（ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、テトラエ
チル錫）は配管４，４を経て分解反応炉５に導入され
た。反応炉５には成膜が施されるシリコン基板７が置か
れ、加熱手段６により全体が４５０℃に加熱されてい
る。ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリメ
チルビニルシランとテトラエチル錫とがシリコン基板７
表面に付着した後、数分間５００℃で熱処理した。
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、テトラエ
チル錫）は配管４，４を経て分解反応炉５に導入され
た。反応炉５には成膜が施されるシリコン基板７が置か
れ、加熱手段６により全体が４５０℃に加熱されてい
る。ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリメ
チルビニルシランとテトラエチル錫とがシリコン基板７
表面に付着した後、数分間５００℃で熱処理した。
【００３８】その結果、銅−錫合金からなる厚さ０．２
μｍの低抵抗な膜が形成された。
μｍの低抵抗な膜が形成された。
【００３９】
【実施例２】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとテトラキスジメチルア
ミノ錫とを用いてＣＶＤ法により銅−錫合金膜を形成し
た。すなわち、図１の装置を用い、気化容器２ａにはヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビ
ニルシランを入れ、水素を流量１００ｍｌ／分でバブリ
ングすることによって気化した。気化容器２ｂにはテト
ラキスジメチルアミノ錫を入れ、水素を流量５ｍｌ／分
でバブリングすることによって溶液を気化した。この時
の気化容器２ａ，２ｂの温度は２７．５℃に制御した。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとテトラキスジメチルア
ミノ錫とを用いてＣＶＤ法により銅−錫合金膜を形成し
た。すなわち、図１の装置を用い、気化容器２ａにはヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビ
ニルシランを入れ、水素を流量１００ｍｌ／分でバブリ
ングすることによって気化した。気化容器２ｂにはテト
ラキスジメチルアミノ錫を入れ、水素を流量５ｍｌ／分
でバブリングすることによって溶液を気化した。この時
の気化容器２ａ，２ｂの温度は２７．５℃に制御した。
【００４０】気化された原料（ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、テトラキ
スジメチルアミノ錫）は配管４，４を経て分解反応炉５
に導入された。反応炉５には成膜が施されるシリコン基
板７が置かれ、加熱手段６により全体が４５０℃に加熱
されている。
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、テトラキ
スジメチルアミノ錫）は配管４，４を経て分解反応炉５
に導入された。反応炉５には成膜が施されるシリコン基
板７が置かれ、加熱手段６により全体が４５０℃に加熱
されている。
【００４１】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとテトラキスジメチルア
ミノ錫とがシリコン基板７表面に付着した後、数分間５
００℃で熱処理した。その結果、銅−錫合金からなる厚
さ０．２μｍの低抵抗な膜が形成された。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとテトラキスジメチルア
ミノ錫とがシリコン基板７表面に付着した後、数分間５
００℃で熱処理した。その結果、銅−錫合金からなる厚
さ０．２μｍの低抵抗な膜が形成された。
【００４２】
【実施例３】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとジルコニウムテトラボ
ロンハイドライドとを用いてＣＶＤ法により銅−ジルコ
ニウム合金膜を形成した。すなわち、図１の装置を用
い、気化容器２ａにはヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）トリメチルビニルシランを入れ、水素を流量
１００ｍｌ／分でバブリングすることによって気化し
た。気化容器２ｂにはジルコニウムテトラボロンハイド
ライドを入れ、水素を流量１ｍｌ／分で粉体中に供給し
て昇華させた。この時の気化容器２ａ，２ｂの温度は２
７．５℃に制御した。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとジルコニウムテトラボ
ロンハイドライドとを用いてＣＶＤ法により銅−ジルコ
ニウム合金膜を形成した。すなわち、図１の装置を用
い、気化容器２ａにはヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）トリメチルビニルシランを入れ、水素を流量
１００ｍｌ／分でバブリングすることによって気化し
た。気化容器２ｂにはジルコニウムテトラボロンハイド
ライドを入れ、水素を流量１ｍｌ／分で粉体中に供給し
て昇華させた。この時の気化容器２ａ，２ｂの温度は２
７．５℃に制御した。
【００４３】気化、昇華された原料（ヘキサフルオロア
セチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ジ
ルコニウムテトラボロンハイドライド）は配管４，４を
経て分解反応炉５に導入された。反応炉５には成膜が施
されるシリコン基板７が置かれ、加熱手段６により全体
が４５０℃に加熱されている。
セチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ジ
ルコニウムテトラボロンハイドライド）は配管４，４を
経て分解反応炉５に導入された。反応炉５には成膜が施
されるシリコン基板７が置かれ、加熱手段６により全体
が４５０℃に加熱されている。
【００４４】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとジルコニウムテトラボ
ロンハイドライドとがシリコン基板７に付着した後、数
分間５００℃で熱処理した。その結果、銅−ジルコニウ
ム合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な膜が形成され
た。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとジルコニウムテトラボ
ロンハイドライドとがシリコン基板７に付着した後、数
分間５００℃で熱処理した。その結果、銅−ジルコニウ
ム合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な膜が形成され
た。
【００４５】
【実施例４】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとテトラキスジメチルア
ミノジルコニウムとを用いてＣＶＤ法により銅−ジルコ
ニウム合金膜を形成した。すなわち、図１の装置を用
い、気化容器２ａにはヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）トリメチルビニルシランを入れ、水素を流量
１００ｍｌ／分でバブリングすることによって気化し
た。気化容器２ｂにはテトラキスジメチルアミノジルコ
ニウムを入れ、水素を流量５０ｍｌ／分でバブリングす
ることによって溶液を気化した。この時の気化容器２
ａ，２ｂの温度は２７．５℃に制御した。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとテトラキスジメチルア
ミノジルコニウムとを用いてＣＶＤ法により銅−ジルコ
ニウム合金膜を形成した。すなわち、図１の装置を用
い、気化容器２ａにはヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）トリメチルビニルシランを入れ、水素を流量
１００ｍｌ／分でバブリングすることによって気化し
た。気化容器２ｂにはテトラキスジメチルアミノジルコ
ニウムを入れ、水素を流量５０ｍｌ／分でバブリングす
ることによって溶液を気化した。この時の気化容器２
ａ，２ｂの温度は２７．５℃に制御した。
【００４６】気化された原料（ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、テトラキ
スジメチルアミノジルコニウム）は配管４，４を経て分
解反応炉５に導入された。反応炉５には成膜が施される
シリコン基板７が置かれ、加熱手段６により全体が４５
０℃に加熱されている。
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、テトラキ
スジメチルアミノジルコニウム）は配管４，４を経て分
解反応炉５に導入された。反応炉５には成膜が施される
シリコン基板７が置かれ、加熱手段６により全体が４５
０℃に加熱されている。
【００４７】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとテトラキスジメチルア
ミノジルコニウムとがシリコン基板７表面に付着した
後、数分間５００℃で熱処理した。その結果、銅−ジル
コニウム合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な膜が形
成された。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとテトラキスジメチルア
ミノジルコニウムとがシリコン基板７表面に付着した
後、数分間５００℃で熱処理した。その結果、銅−ジル
コニウム合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な膜が形
成された。
【００４８】
【実施例５】ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅（Ｉ））ジメチルジビニルシランとビス（シクロペン
タジエニル）マグネシウムとを用いてＣＶＤ法により銅
−マグネシウム合金膜を形成した。すなわち、図１の装
置を用い、気化容器２ａにはビス（ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ））ジメチルジビニルシランを入
れ、水素を流量１００ｍｌ／分でバブリングすることに
よって気化した。気化容器２ｂにはビス（シクロペンタ
ジエニル）マグネシウムを入れ、水素を流量５０ｍｌ／
分で粉体中に供給して昇華させた。この時の気化容器２
ａ，２ｂの温度は２７．５℃に制御した。
銅（Ｉ））ジメチルジビニルシランとビス（シクロペン
タジエニル）マグネシウムとを用いてＣＶＤ法により銅
−マグネシウム合金膜を形成した。すなわち、図１の装
置を用い、気化容器２ａにはビス（ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ））ジメチルジビニルシランを入
れ、水素を流量１００ｍｌ／分でバブリングすることに
よって気化した。気化容器２ｂにはビス（シクロペンタ
ジエニル）マグネシウムを入れ、水素を流量５０ｍｌ／
分で粉体中に供給して昇華させた。この時の気化容器２
ａ，２ｂの温度は２７．５℃に制御した。
【００４９】気化、昇華された原料（ビス（ヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅（Ｉ））ジメチルジビニルシ
ラン、ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム）は
配管４，４を経て分解反応炉５に導入された。反応炉５
には成膜が施されるシリコン基板７が置かれ、加熱手段
６により全体が４５０℃に加熱されている。
オロアセチルアセトナト銅（Ｉ））ジメチルジビニルシ
ラン、ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム）は
配管４，４を経て分解反応炉５に導入された。反応炉５
には成膜が施されるシリコン基板７が置かれ、加熱手段
６により全体が４５０℃に加熱されている。
【００５０】ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅（Ｉ））ジメチルジビニルシランとビス（シクロペン
タジエニル）マグネシウムとがシリコン基板７表面に付
着した後、数分間５００℃で熱処理した。その結果、銅
−マグネシウム合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な
膜が形成された。
銅（Ｉ））ジメチルジビニルシランとビス（シクロペン
タジエニル）マグネシウムとがシリコン基板７表面に付
着した後、数分間５００℃で熱処理した。その結果、銅
−マグネシウム合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な
膜が形成された。
【００５１】
【実施例６】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとビス（メチルシクロペ
ンタジエニル）クロミウムとを用いてＣＶＤ法により銅
−クロミウム合金膜を形成した。すなわち、図１の装置
を用い、気化容器２ａにはヘキサフルオロアセチルアセ
トナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシランを入れ、水素を
流量１００ｍｌ／分でバブリングすることによって気化
した。気化容器２ｂにはビス（メチルシクロペンタジエ
ニル）クロミウムを入れ、水素を流量１ｍｌ／分でバブ
リングすることによって溶液を気化した。この時の気化
容器２ａ，２ｂの温度は４０℃に制御した。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとビス（メチルシクロペ
ンタジエニル）クロミウムとを用いてＣＶＤ法により銅
−クロミウム合金膜を形成した。すなわち、図１の装置
を用い、気化容器２ａにはヘキサフルオロアセチルアセ
トナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシランを入れ、水素を
流量１００ｍｌ／分でバブリングすることによって気化
した。気化容器２ｂにはビス（メチルシクロペンタジエ
ニル）クロミウムを入れ、水素を流量１ｍｌ／分でバブ
リングすることによって溶液を気化した。この時の気化
容器２ａ，２ｂの温度は４０℃に制御した。
【００５２】気化された原料（ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ビス（メ
チルシクロペンタジエニル）クロミウム）は配管４，４
を経て分解反応炉５に導入された。反応炉５には成膜が
施されるシリコン基板７が置かれ、加熱手段６により全
体が４５０℃に加熱されている。
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ビス（メ
チルシクロペンタジエニル）クロミウム）は配管４，４
を経て分解反応炉５に導入された。反応炉５には成膜が
施されるシリコン基板７が置かれ、加熱手段６により全
体が４５０℃に加熱されている。
【００５３】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとビス（メチルシクロペ
ンタジエニル）クロミウムとがシリコン基板７表面に付
着した後、数分間５００℃で熱処理した。その結果、銅
−クロミウム合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な膜
が形成された。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとビス（メチルシクロペ
ンタジエニル）クロミウムとがシリコン基板７表面に付
着した後、数分間５００℃で熱処理した。その結果、銅
−クロミウム合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な膜
が形成された。
【００５４】
【実施例７】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとビス（シクロペンタジ
エニル）マンガンとを用いてＣＶＤ法により銅−マンガ
ン合金膜を形成した。すなわち、図１の装置を用い、気
化容器２ａにはヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランを入れ、水素を流量１０
０ｍｌ／分でバブリングすることによって気化した。気
化容器２ｂにはビス（シクロペンタジエニル）マンガン
を入れ、水素を流量５０ｍｌ／分で粉体中に供給して昇
華させた。この時の気化容器２ａ，２ｂの温度は２７．
５℃に制御した。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとビス（シクロペンタジ
エニル）マンガンとを用いてＣＶＤ法により銅−マンガ
ン合金膜を形成した。すなわち、図１の装置を用い、気
化容器２ａにはヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランを入れ、水素を流量１０
０ｍｌ／分でバブリングすることによって気化した。気
化容器２ｂにはビス（シクロペンタジエニル）マンガン
を入れ、水素を流量５０ｍｌ／分で粉体中に供給して昇
華させた。この時の気化容器２ａ，２ｂの温度は２７．
５℃に制御した。
【００５５】気化、昇華された原料（ヘキサフルオロア
セチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ビ
ス（シクロペンタジエニル）マンガン）は配管４，４を
経て分解反応炉５に導入された。反応炉５には成膜が施
されるシリコン基板７が置かれ、加熱手段６により全体
が４５０℃に加熱されている。
セチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ビ
ス（シクロペンタジエニル）マンガン）は配管４，４を
経て分解反応炉５に導入された。反応炉５には成膜が施
されるシリコン基板７が置かれ、加熱手段６により全体
が４５０℃に加熱されている。
【００５６】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとビス（シクロペンタジ
エニル）マンガンとがシリコン基板７表面に付着した
後、数分間５００℃で熱処理した。その結果、銅−マン
ガン合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な膜が形成さ
れた。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとビス（シクロペンタジ
エニル）マンガンとがシリコン基板７表面に付着した
後、数分間５００℃で熱処理した。その結果、銅−マン
ガン合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な膜が形成さ
れた。
【００５７】
【実施例８】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとジメチルカドミウムと
を用いてＣＶＤ法により銅−カドミウム合金膜を形成し
た。すなわち、図１の装置を用い、気化容器２ａにはヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビ
ニルシランを入れ、水素を流量１００ｍｌ／分でバブリ
ングすることによって気化した。気化容器２ｂにはジメ
チルカドミウムを入れ、水素を流量１ｍｌ／分でバブリ
ングすることによって溶液を気化した。この時の気化容
器２ａの温度は５０℃、気化容器２ｂの温度は５℃に制
御した。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとジメチルカドミウムと
を用いてＣＶＤ法により銅−カドミウム合金膜を形成し
た。すなわち、図１の装置を用い、気化容器２ａにはヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビ
ニルシランを入れ、水素を流量１００ｍｌ／分でバブリ
ングすることによって気化した。気化容器２ｂにはジメ
チルカドミウムを入れ、水素を流量１ｍｌ／分でバブリ
ングすることによって溶液を気化した。この時の気化容
器２ａの温度は５０℃、気化容器２ｂの温度は５℃に制
御した。
【００５８】気化された原料（ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ジメチル
カドミウム）は配管４，４を経て分解反応炉５に導入さ
れた。反応炉５には成膜が施されるシリコン基板７が置
かれ、加熱手段６により全体が３００℃に加熱されてい
る。
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ジメチル
カドミウム）は配管４，４を経て分解反応炉５に導入さ
れた。反応炉５には成膜が施されるシリコン基板７が置
かれ、加熱手段６により全体が３００℃に加熱されてい
る。
【００５９】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとジメチルカドミウムと
がシリコン基板７表面に付着した後、数分間５００℃で
熱処理した。その結果、銅−カドミウム合金からなる厚
さ０．２μｍの低抵抗な膜が形成された。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとジメチルカドミウムと
がシリコン基板７表面に付着した後、数分間５００℃で
熱処理した。その結果、銅−カドミウム合金からなる厚
さ０．２μｍの低抵抗な膜が形成された。
【００６０】
【実施例９】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとビス（メチルシクロペ
ンタジエニル）ニッケルとを用いてＣＶＤ法により銅−
ニッケル合金膜を形成した。すなわち、図１の装置を用
い、気化容器２ａにはヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）トリメチルビニルシランを入れ、水素を流量
１００ｍｌ／分でバブリングすることによって気化し
た。気化容器２ｂにはビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）ニッケルを入れ、水素を流量１ｍｌ／分でバブリン
グすることによって溶液を気化した。この時の気化容器
２ａ，２ｂの温度は５０℃に制御した。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとビス（メチルシクロペ
ンタジエニル）ニッケルとを用いてＣＶＤ法により銅−
ニッケル合金膜を形成した。すなわち、図１の装置を用
い、気化容器２ａにはヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）トリメチルビニルシランを入れ、水素を流量
１００ｍｌ／分でバブリングすることによって気化し
た。気化容器２ｂにはビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）ニッケルを入れ、水素を流量１ｍｌ／分でバブリン
グすることによって溶液を気化した。この時の気化容器
２ａ，２ｂの温度は５０℃に制御した。
【００６１】気化された原料（ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ビス（メ
チルシクロペンタジエニル）ニッケル）は配管４，４を
経て分解反応炉５に導入された。反応炉５には成膜が施
されるシリコン基板７が置かれ、加熱手段６により全体
が３００℃に加熱されている。
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ビス（メ
チルシクロペンタジエニル）ニッケル）は配管４，４を
経て分解反応炉５に導入された。反応炉５には成膜が施
されるシリコン基板７が置かれ、加熱手段６により全体
が３００℃に加熱されている。
【００６２】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとビス（メチルシクロペ
ンタジエニル）ニッケルとがシリコン基板７表面に付着
した後、数分間５００℃で熱処理した。その結果、銅−
ニッケル合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な膜が形
成された。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとビス（メチルシクロペ
ンタジエニル）ニッケルとがシリコン基板７表面に付着
した後、数分間５００℃で熱処理した。その結果、銅−
ニッケル合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な膜が形
成された。
【００６３】
【実施例１０】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとジルコニウムテトラボ
ロンハイドライドとビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）クロミウムとを用いてＣＶＤ法により銅−ジルコニ
ウム−クロミウム合金膜を形成した。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとジルコニウムテトラボ
ロンハイドライドとビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）クロミウムとを用いてＣＶＤ法により銅−ジルコニ
ウム−クロミウム合金膜を形成した。
【００６４】すなわち、図２の装置を用い、気化容器２
ａにはヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリ
メチルビニルシラン１ａを入れ、水素を流量１００ｍｌ
／分でバブリングすることによって気化した。気化容器
２ｂにはジルコニウムテトラボロンハイドライド１ｂを
入れ、水素を流量１ｍｌ／分で粉体中に供給して昇華さ
せた。気化容器２ｃにはビス（メチルシクロペンタジエ
ニル）クロミウム１ｃを入れ、水素を流量１ｍｌ／分で
バブリングすることによって気化した。
ａにはヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリ
メチルビニルシラン１ａを入れ、水素を流量１００ｍｌ
／分でバブリングすることによって気化した。気化容器
２ｂにはジルコニウムテトラボロンハイドライド１ｂを
入れ、水素を流量１ｍｌ／分で粉体中に供給して昇華さ
せた。気化容器２ｃにはビス（メチルシクロペンタジエ
ニル）クロミウム１ｃを入れ、水素を流量１ｍｌ／分で
バブリングすることによって気化した。
【００６５】気化、昇華された原料（ヘキサフルオロア
セチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ジ
ルコニウムテトラボロンハイドライド、ビス（メチルシ
クロペンタジエニル）クロミウム）は配管４，４，４を
経て分解反応炉５に導入された。反応炉５には成膜が施
されるシリコン基板７が置かれ、加熱手段６により全体
が４５０℃に加熱されている。
セチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ジ
ルコニウムテトラボロンハイドライド、ビス（メチルシ
クロペンタジエニル）クロミウム）は配管４，４，４を
経て分解反応炉５に導入された。反応炉５には成膜が施
されるシリコン基板７が置かれ、加熱手段６により全体
が４５０℃に加熱されている。
【００６６】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシランとジルコニウムテトラボ
ロンハイドライドとビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）クロミウムとがシリコン基板７に付着した後、数分
間５００℃で熱処理した。その結果、銅−ジルコニウム
−クロミウム合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な膜
が形成された。
（Ｉ）トリメチルビニルシランとジルコニウムテトラボ
ロンハイドライドとビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）クロミウムとがシリコン基板７に付着した後、数分
間５００℃で熱処理した。その結果、銅−ジルコニウム
−クロミウム合金からなる厚さ０．２μｍの低抵抗な膜
が形成された。
【００６７】
【発明の効果】口径が０．２５μｍ以下で、高アスペク
ト比の配線孔の埋め込みも可能で、かつ、ＥＭ寿命が長
い銅合金膜を効率良く形成できる。
ト比の配線孔の埋め込みも可能で、かつ、ＥＭ寿命が長
い銅合金膜を効率良く形成できる。
【図１】銅合金成膜装置の概略図
【図２】銅合金成膜装置の概略図
１ａ 銅の配位錯体 １ｂ，１ｃ 錫などの金属の有機金属又は金属錯
体 ２ａ，２ｂ，２ｃ 気化容器 ３ ガス流量制御器 ４ 気相輸送配管 ５ 分解反応炉 ６ 加熱手段 ７ シリコン基板
体 ２ａ，２ｂ，２ｃ 気化容器 ３ ガス流量制御器 ４ 気相輸送配管 ５ 分解反応炉 ６ 加熱手段 ７ シリコン基板
Claims (34)
- 【請求項１】 銅合金膜を形成する為の材料であって、 銅の配位錯体と、 ジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミウム、ニッケ
ル、カドミウム、マンガンの群の中から選ばれる少なく
とも一つの金属の有機金属又は金属錯体とからなること
を特徴とする銅合金膜形成材料。 - 【請求項２】 ケミカルベーパーデポジションにより銅
合金膜を形成する為の材料であって、 銅の配位錯体と、 ジルコニウム、錫、マグネシウム、クロミウム、ニッケ
ル、カドミウム、マンガンの群の中から選ばれる少なく
とも一つの金属の有機金属又は金属錯体とからなること
を特徴とする銅合金膜形成材料。 - 【請求項３】 銅の配位錯体は、配位子で安定化した
（＋１）配位錯体であることを特徴とする請求項１又は
請求項２の銅合金膜形成材料。 - 【請求項４】 銅の配位錯体は、β−ジケトンが銅に配
位結合したものであることを特徴とする請求項１〜請求
項３いずれかの銅合金膜形成材料。 - 【請求項５】 銅の配位錯体は、銅に配位結合したβ−
ジケトンと、銅に結合した少なくとも一つの安定化配位
子とを有するものであることを特徴とする請求項１〜請
求項４いずれかの銅合金膜形成材料。 - 【請求項６】 銅の配位錯体はβ−ジケトンが銅に配位
結合したものであり、前記β−ジケトンは、一般式Ｒ’
ＣＯＣＨＲＣＯＲ”〔但し、ＲはＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，
Ｉ、メチル基、及びエチル基の群の中から選ばれるいず
れかである。Ｒ’及びＲ”はＣn Ｈ2n+1，Ｃn Ｆ
2n+1（ｎは１〜４の整数）、アリール基及び置換アリー
ル基の群の中から選ばれるいずれかである。〕で表され
るものであることを特徴とする請求項１〜請求項５いず
れかの銅合金膜形成材料。 - 【請求項７】 銅の配位錯体はβ−ジケトンが銅に配位
結合したものであり、前記β−ジケトンは一般式Ｒ’Ｃ
ＯＣＨ2 ＣＯＲ”で表されるものであって、前記Ｒ’及
びＲ”は−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ
2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 及び−Ｃ
4 Ｆ9 の群の中から選ばれるいずれかであることを特徴
とする請求項１〜請求項６いずれかの銅合金膜形成材
料。 - 【請求項８】 銅の配位錯体はβ−ジケトンが銅に配位
結合したものであり、前記β−ジケトンがトリフルオロ
アセチルアセトン及びヘキサフルオロアセチルアセトン
の群の中から選ばれるいずれかであることを特徴とする
請求項１〜請求項７いずれかの銅合金膜形成材料。 - 【請求項９】 銅の配位錯体は銅に結合した少なくとも
一つの安定化配位子を有するものであり、前記安定化配
位子が置換及び非置換のアルキン、オレフィン、ジエ
ン、及びホスフィンの群の中から選ばれるいずれかであ
ることを特徴とする請求項１〜請求項８いずれかの銅合
金膜形成材料。 - 【請求項１０】 銅の配位錯体は銅に結合した少なくと
も一つの安定化配位子を有するものであり、前記安定化
配位子が１，５−シクロオクタジエン、アルキル置換
１，５−シクロオクタジエン、フルオロ−１，５−シク
ロオクタジエン、シクロオクテン、メチルシクロオクテ
ン、シクロオクタテトラエン、ノルボルネン、ノルボル
ナジエン、トリシクロ［５．２．１．０］−デカ−２，
６−ジエン、１，４−シクロヘキサジエン、アセチレ
ン、アルキル置換アセチレン、ハロゲン置換アセチレ
ン、及びトリメチルホスフィンの群の中から選ばれるい
ずれかであることを特徴とする請求項１〜請求項９いず
れかの銅合金膜形成材料。 - 【請求項１１】 銅の配位錯体は銅に結合した少なくと
も一つの安定化配位子を有するものであり、前記安定化
配位子がトリメチルビニルシラン、メチルトリビニルシ
ラン、ジメチルジビニルシラン、及びビストリメチルシ
リルアセチレンの群の中から選ばれるいずれかであるこ
とを特徴とする請求項１〜請求項８いずれかの銅合金膜
形成材料。 - 【請求項１２】 銅の配位錯体が、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタジエン、
ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジメチル−
１，５−シクロオクタジエン、ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅（Ｉ）ジエチル−１，５−シクロオクタジ
エン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリ
メチルビニルシラン、トリス（ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅（Ｉ））メチルトリビニルシラン、ビス
（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ））ジメチ
ルジビニルシラン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅（Ｉ）ビストリメチルシリルアセチレン、又はこれら
の混合物であることを特徴とする請求項１〜請求項１１
いずれかの銅合金膜形成材料。 - 【請求項１３】 ジルコニウムの有機金属又は金属錯体
が、テトラキスジメチルアミノジルコニウム、テトラキ
スジエチルアミノジルコニウム、ジルコニウムテトラボ
ロンハイドライド、ジルコニウムテトラブロマイド、ジ
ルコニウムテトラクロライドの群の中から選ばれるいず
れかであることを特徴とする請求項１又は請求項２の銅
合金膜形成材料。 - 【請求項１４】 錫の有機金属又は金属錯体が、Ｒ1 Ｒ
2 Ｒ3 Ｒ4 Ｓｎ（Ｒ 1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 はアルキル基
またはアリール基であって、同一でも、異なるものでも
良い）、テトラキスジメチルアミノ錫、テトラキスジエ
チルアミノ錫、臭化錫、塩化錫、ヨウ化錫、Ｒn ＳｎＸ
4-n （Ｒはアルキル基またはアリール基、ＸはＨ，Ｆ，
Ｃｌ，Ｂｒ又はＩ、ｎは０〜３の整数）の群の中から選
ばれるいずれかであることを特徴とする請求項１又は請
求項２の銅合金膜形成材料。 - 【請求項１５】 錫の有機金属又は金属錯体が、一般式
Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 Ｓｎで表されるものであり、前記
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 はＨ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ 3 ，−
Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ
4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ 9 ，−Ｃ6 Ｈ5 の群の中から選ばれる
いずれかであることを特徴とする請求項１又は請求項２
の銅合金膜形成材料。 - 【請求項１６】 マグネシウムの有機金属又は金属錯体
がビス（アルキルシクロペンタジエニル）マグネシウム
であることを特徴とする請求項１又は請求項２の銅合金
膜形成材料。 - 【請求項１７】 マグネシウムの有機金属又は金属錯体
が一般式（ＲＣ5 Ｈ 4 ）2 Ｍｇで表されるビス（アルキ
ルシクロペンタジエニル）マグネシウムであり、前記Ｒ
がＨ，−ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9
の群の中から選ばれるいずれかであることを特徴とする
請求項１又は請求項２の銅合金膜形成材料。 - 【請求項１８】 マグネシウムの有機金属又は金属錯体
がオクタメチルジアルミニウムマグネシウム（ＣＨ3 ）
8 Ａｌ2 Ｍｇであることを特徴とする請求項１又は請求
項２の銅合金膜形成材料。 - 【請求項１９】 クロミウムの有機金属又は金属錯体が
ビス（アルキルシクロペンタジエニル）クロミウム、ビ
ス（アルキル置換ベンゼン）クロミウム、及びビス（エ
チルベンゼン）クロミウムの群の中から選ばれるいずれ
かであることを特徴とする請求項１又は請求項２の銅合
金膜形成材料。 - 【請求項２０】 クロミウムの有機金属又は金属錯体が
一般式（ＲＣ5 Ｈ4）2 Ｃｒで表されるビス（アルキル
シクロペンタジエニル）クロミウムであり、前記Ｒが
Ｈ，−ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の
群の中から選ばれるいずれかであることを特徴とする請
求項１又は請求項２の銅合金膜形成材料。 - 【請求項２１】 ニッケルの有機金属又は金属錯体がビ
ス（アルキルシクロペンタジエニル）ニッケルであるこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２の銅合金膜形成材
料。 - 【請求項２２】 ニッケルの有機金属又は金属錯体が一
般式（ＲＣ5 Ｈ4 ） 2 Ｎｉで表されるビス（アルキルシ
クロペンタジエニル）ニッケルであり、前記ＲがＨ，−
ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の群の中
から選ばれるいずれかであることを特徴とする請求項１
又は請求項２の銅合金膜形成材料。 - 【請求項２３】 カドミウムの有機金属又は金属錯体が
ジメチルカドミウムであることを特徴とする請求項１又
は請求項２の銅合金膜形成材料。 - 【請求項２４】 マンガンの有機金属又は金属錯体がビ
ス（アルキルシクロペンタジエニル）マンガンであるこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２の銅合金膜形成材
料。 - 【請求項２５】 マンガンの有機金属又は金属錯体が一
般式（ＲＣ5 Ｈ4 ） 2 Ｍｎで表されるビス（アルキルシ
クロペンタジエニル）マンガンであり、前記ＲがＨ，−
ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 の群の中
から選ばれるいずれかであることを特徴とする請求項１
又は請求項２の銅合金膜形成材料。 - 【請求項２６】 配線用に用いるものであることを特徴
とする請求項１〜請求項２５いずれかの銅合金膜形成材
料。 - 【請求項２７】 銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、
マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マ
ンガンの群の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有
機金属又は金属錯体とを用いて銅合金膜を形成する方法
であって、 銅合金膜を形成する基板を加熱する工程と、 前記銅の配位錯体、及びジルコニウム、錫、マグネシウ
ム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群
の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は
金属錯体を基板上に付ける工程と、 基板上に付いた前記銅の配位錯体、及び前記金属の有機
金属又は金属錯体を分解して銅合金膜を形成する工程と
を具備することを特徴とする銅合金膜形成方法。 - 【請求項２８】 銅の配位錯体と、ジルコニウム、錫、
マグネシウム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マ
ンガンの群の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有
機金属又は金属錯体とを用いてケミカルベーパーデポジ
ションにより銅合金膜を形成する方法であって、 銅合金膜を形成する基板を加熱する工程と、 前記銅の配位錯体、及びジルコニウム、錫、マグネシウ
ム、クロミウム、ニッケル、カドミウム、マンガンの群
の中から選ばれる少なくとも一つの金属の有機金属又は
金属錯体を基板上に付ける工程と、 基板上に付いた前記銅の配位錯体、及び前記金属の有機
金属又は金属錯体を分解して銅合金膜を形成する工程と
を具備することを特徴とする銅合金膜形成方法。 - 【請求項２９】 基板上に付いた銅の配位錯体及び有機
金属又は金属錯体の分解を、加熱により行うことを特徴
とする請求項２７又は請求項２８の銅合金膜形成方法。 - 【請求項３０】 基板上に付いた銅の配位錯体及び有機
金属又は金属錯体の分解を、レーザ誘導加熱により行う
ことを特徴とする請求項２７又は請求項２８の銅合金膜
形成方法。 - 【請求項３１】 基板上に付いた銅の配位錯体及び有機
金属又は金属錯体の分解を、紫外線を用いたレーザ誘導
加熱により行うことを特徴とする請求項２７又は請求項
２８の銅合金膜形成方法。 - 【請求項３２】 基板上に付いた銅の配位錯体及び有機
金属又は金属錯体の分解を、プラズマ法により行うこと
を特徴とする請求項２７又は請求項２８の銅合金膜形成
方法。 - 【請求項３３】 基板上に付いた前記銅の配位錯体、及
び前記金属の有機金属又は金属錯体の分解を１００〜１
０００℃で行うことを特徴とする請求項２７〜請求項３
２いずれかの銅合金膜形成方法。 - 【請求項３４】 請求項３〜請求項２６いずれかに記載
の化合物を用いることを特徴とする請求項２７〜請求項
３３いずれかの銅合金膜形成方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP00954798A JP3840650B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 配線用銅合金膜形成材料および配線用銅合金膜形成方法 |
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| JP00954798A JP3840650B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 配線用銅合金膜形成材料および配線用銅合金膜形成方法 |
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|---|---|
| JPH11200048A true JPH11200048A (ja) | 1999-07-27 |
| JP3840650B2 JP3840650B2 (ja) | 2006-11-01 |
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| JP00954798A Expired - Lifetime JP3840650B2 (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 配線用銅合金膜形成材料および配線用銅合金膜形成方法 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002086189A1 (en) * | 2001-04-16 | 2002-10-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films |
| JP2007189061A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2007142329A1 (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置、成膜方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体 |
| WO2008149844A1 (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Tokyo Electron Limited | 成膜方法及び成膜装置 |
| WO2009038168A1 (ja) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
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-
1998
- 1998-01-21 JP JP00954798A patent/JP3840650B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| WO2008149844A1 (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Tokyo Electron Limited | 成膜方法及び成膜装置 |
| US8242015B2 (en) | 2007-06-04 | 2012-08-14 | Tokyo Electron Limited | Film forming method and film forming apparatus |
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| JPWO2009038168A1 (ja) * | 2007-09-21 | 2011-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
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