JPH11204264A - 電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
電界発光素子及びその製造方法Info
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- JPH11204264A JPH11204264A JP10002985A JP298598A JPH11204264A JP H11204264 A JPH11204264 A JP H11204264A JP 10002985 A JP10002985 A JP 10002985A JP 298598 A JP298598 A JP 298598A JP H11204264 A JPH11204264 A JP H11204264A
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- organic
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
なプロセスで容易かつ低コストに作製すること。 【解決手段】 各発光素子部21G、21Bに共通のガ
ラス基板6上において、2種の各発光素子部に共通の透
明電極5を形成し、この透明電極上において各発光素子
部21G、21Bを含む領域上に共通のホール輸送層形
成材料層からなる各ホール輸送層4a、4bを形成し、
これらの各ホール輸送層を含む領域上において、各発光
素子部21G、21Bを含む領域上に共通の電子輸送層
形成材料層からなる各電子輸送層2を形成し、更に、こ
れらの各電子輸送層上に、各発光素子部21G、21B
のそれぞれのカソード電極1を透明電極に対向して形成
している(但し、青色発光素子部21Bではホールブロ
ック層33を有している)こと。
Description
その製造方法に関し、例えば、自発光の平面型ディスプ
レイであって、特に、有機薄膜を電界発光層に用いる有
機電界発光カラーディスプレイ等の表示素子又は発光性
デバイスに好適な電界発光素子及びその製造方法に関す
るものである。
として、人間と機械とのインターフェースの重要性が高
まってきている。人間がより快適に効率良く機械操作す
るためには、操作される機械からの情報を誤りなく、簡
潔に、瞬時に、充分な量で取り出す必要があり、そのた
めに、ディスプレイを初めとする様々な表示素子につい
て研究が行われている。
型化、薄型化に対する要求も日々、高まっているのが現
状である。
タ、ノート型ワードプロセッサなどの、表示素子一体型
であるラップトップ型情報処理機器の小型化には目を見
張る進歩があり、それに伴い、その表示素子である液晶
ディスプレイに関しての技術革新も素晴らしいものがあ
る。
インターフェースとして用いられており、ラップトップ
型情報処理機器はもちろんのこと、小型テレビや時計、
電卓を初めとして、我々の日常使用する製品に多く用い
られている。
駆動、低消費電力であるという特徴を生かし、小型から
大容量表示デバイスに至るまで、人間と機械のインター
フェースとして、表示素子の中心として研究されてき
た。
でないため、バックライトを必要とし、このバックライ
ト駆動に、液晶を駆動するよりも大きな電力を必要とす
るため、結果的に内蔵蓄電池等では使用時間が短くな
り、使用上の制限がある。
ため、大型ディスプレイ等の大型表示素子には適してい
ないことも問題である。
向状態による表示方法であるので、視野角の中において
も、角度によりコントラストが変化してしまうのも大き
な問題であると考えられる。
一つであるアクティブマトリクス方式は、動画を扱うに
十分な応答速度を示すが、TFT(薄膜トランジスタ)
駆動回路を用いるため、画素欠陥により画面サイズの大
型化が困難である。
である単純マトリクス方式は、低コストである上に画面
サイズの大型化が比較的容易であるが、動画を扱うに十
分な応答速度を有していないという問題がある。
マ表示素子、無機電界発光素子、有機電界発光素子等が
研究されている。
マ発光を表示に用いたもので、大型化、大容量化に適し
ているが、薄型化、コストの面での問題を抱えている。
また、駆動に高電圧の交流バイアスを必要とし、携帯用
デバイスには適していない。
イ等が商品化されたが、プラズマ表示素子と同様に、交
流バイアス駆動であり、駆動には数百V必要であり、実
用性に欠けている。
プレイ表示に必要なR(赤)、G(緑)、B(青)の三
原色の発光に成功はしているが、無機材料のために、分
子設計などによる発光波長等の制御は困難であり、フル
カラー化は困難であると思われる。
1960年代前半に、強く螢光を発生するアントラセン
単結晶へのキャリア注入による発光現象が発見されて以
来、長い期間、研究されてきたが、低輝度、単色で、し
かも単結晶であったため、有機材料へのキャリア注入と
いう基礎的研究として行われていた。
Tangらが低電圧駆動、高輝度発光が可能なアモルファス
発光層を有する積層構造の有機薄膜電界発光素子を発表
して以来、各方面で、R、G、Bの三原色の発光、安定
性、輝度上昇、積層構造、作製方法等の研究開発が盛ん
に行われている。
計等により様々な新規材料が発明され、直流低電圧駆
動、薄型、自発光性等の優れた特徴を有する、有機電界
発光表示素子のカラーディスプレイへの応用研究も盛ん
に行われ始めている。
称することがある。)は、1μm以下の膜厚であり、電
流を注入することにより電気エネルギーを光エネルギー
に変換して面状に発光するなど、自発光型の表示デバイ
スとして理想的な特徴を有している。
を示す。この有機EL素子10は、透明基板(例えばガ
ラス基板)6上に、ITO(Indium tin oxide)透明電
極5、ホール輸送層4、発光層3、電子輸送層2、陰極
(例えばアルミニウム電極)1を例えば真空蒸着法で順
次成膜したものである。
の間に直流電圧7を選択的に印加することによって、透
明電極5から注入されたキャリアとしてのホールがホー
ル輸送層4を経て、また陰極1から注入された電子が電
子輸送層2を経て移動し、電子−ホールの再結合が生
じ、ここから所定波長の発光8が生じ、透明基板6の側
から観察できる。
タリン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレ
ン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン等
の発光物質を使用してよい。これは、電子輸送層2に含
有させることができる。
発光層3を省略し、電子輸送層2に上記の如き発光物質
を含有させ、電子輸送層2とホール輸送層4との界面か
ら所定波長の発光18が生じるように構成した有機EL
素子20を示すものである。
示す。即ち、各有機層(ホール輸送層4、発光層3又は
電子輸送層2)の積層体を陰極1と陽極5との間に配す
るが、これらの電極をマトリクス状に交差させてストラ
イプ状に設け、輝度信号回路34、シフトレジスタ内蔵
の制御回路35によって時系列に信号電圧を印加し、多
数の交差位置(画素)にてそれぞれ発光させるように構
成している。
レイとしては勿論、画像再生装置としても使用可能とな
る。なお、上記のストライプパターンをR、G、Bの各
色毎に配し、フルカラー又はマルチカラー用として構成
することができる。
素からなる表示デバイスにおいて、発光する有機薄膜層
2、3、4は一般に、透明電極5と金属電極1との間に
挟まれており、透明電極5側に発光する。
有機EL素子は、なお未解決の問題を有している。
用を行う上で、各色の安定した発光は必要不可欠な条件
であるが、そのデバイス化プロセスにおいて各色の系統
で全く異なる材料系を用いた場合は、工程が煩雑極まり
ないものとなり、時間もかかってしまう。
でき、かつ安定した発光が可能な素子構造を有する電界
発光素子と、その製造方法を提供することにある。
な実情を鋭意検討し、各色の発光領域を有する2種の積
層体において、できるだけ共通の材料を用いることによ
り、簡便かつ廉価にデバイスを作製できることをつきと
め、本発明に到達した。
と電子輸送層とにそれぞれ独立に存在する有機物質の積
層体を2種有し、これらの積層体が、共通の材料層から
なる前記ホール輸送層と共通の材料層からなる前記電子
輸送層とを有しており、2色の発光色を呈することを特
徴とする電界発光素子に係るものである。
がホール輸送層と電子輸送層とにそれぞれ独立に存在す
る各積層体間で、ホール輸送層及び電子輸送層をそれぞ
れ共通の材料で形成しているので、各色の発光色を呈す
る積層体を簡便なプロセスで容易かつ低コストに作製で
きることになる。しかも、有効画素領域全面に、上記共
通の各層を大開口マスクで形成することにより、成膜性
又は段差被覆性が良好となり、カソード−アノード間の
漏れ電流も少なくすることができる。
再現性良く製造する方法として、その製造に際し、共通
の基体上において、2種の前記積層体に共通の第1電極
を形成する工程と、前記第1電極上において、2種の前
記積層体を含む領域上に共通のホール輸送層形成材料を
成膜して各ホール輸送層を形成する工程と、前記各ホー
ル輸送層を含む領域上において、2種の前記積層体を含
む領域上に共通の電子輸送層形成材料を成膜して各電子
輸送層を形成する工程と、前記各電子輸送層上に、2種
の前記積層体のそれぞれの第2電極を前記第1電極に対
向して形成する工程とを有する、電界発光素子の製造方
法も提供するものである。
造方法においては、前記発光領域が有機化合物からな
り、この発光領域を含む有機物質からなる前記積層体を
2種有し、これらの積層体の1種において、ホール輸送
性有機材料中で電子−ホールの再結合による青色発光が
得られることが望ましい。
ホール輸送性有機材料中で電子−ホールの再結合による
発光が得られること(即ち、ホール輸送層が電子−ホー
ルの再結合領域である発光層を兼ねた構造であること)
によって、低電圧駆動でも安定かつ高輝度の発光、特に
青色発光が可能になる。
輸送材料が存在しないために困難な構造であると考えら
れてきた、電界発光素子(特に、低電圧駆動、自発光、
薄型のアモルファス有機電界発光素子)において、ホー
ル輸送層が発光層を兼ねると共に、長時間の安定した発
光を与える長寿命な素子構造の電界発光素子を提供する
ことができる。
界発光素子でも、高輝度、高効率の安定した発光を得る
ことができ、特に、青色発光に関しては顕著であり、D
C駆動で10000cd/m2 以上、1/100デュー
ティ比でのパルス駆動でも直流換算でピーク輝度550
00cd/m2 以上を得ることが可能である。
更にドーピングによる赤色発光、黄色発光、またドーピ
ングによる色度の調節も可能である。これにより、優れ
た色度を持つ青色発光を高輝度で得ることができる有機
電界青色発光素子を作製することが可能であり、材料開
発における可能性と時間短縮、また、新たな発光材料系
及び電子輸送材料の設計指針を示すことができる。
法においては、前記発光領域が主として有機ホール輸送
層であり、このホール輸送層中で前記再結合を起こすた
めのホールブロック層を有することが望ましい。
層と電子輸送層との間に設けられていることが望まし
い。
分子軌道レベルが、前記ホールブロック層の両側に接し
て積層された各有機層(特に前記ホール輸送層及び前記
電子輸送層)のそれぞれの最高占有分子軌道レベルのう
ちエネルギー的に低い方の最高占有分子軌道レベル以下
にあることが望ましい。
分子軌道レベルが、前記ホールブロック層の両側に接し
て積層された各有機層(特に前記ホール輸送層及び前記
電子輸送層)のそれぞれの最低非占有分子軌道レベルの
うちエネルギー的に低い方の最低非占有分子軌道レベル
以上にあり、かつエネルギー的に高い方の最低非占有分
子軌道レベル以下にあることが望ましい。
低い非発光性材料からなっていることが望ましく、複数
層の積層構造であってもよい。
ないが、ホール輸送性発光層との界面でのエキサイプレ
ックス(exciplex:2量体)の生成(即ち、発光効率の
低下)を防止するためにも、蛍光収率の低い非発光性の
材料であることが好ましい。
性材料からなっているのがよい。また、前記ホールブロ
ック層に使用可能な材料としては、図6に示すフェナン
トロリン誘導体が好適であり、具体的に例示すれば、例
えば、図7に示す構造式1、図8に示す構造式2、図9
に示す構造式3、図10に示す構造式4、図11に示す
構造式5、図12に示す構造式6、図13に示す構造式
7、図14に示す構造式8、図15に示す構造式9、図
16に示す構造式10の各材料が挙げられる。
り、この発光領域を含む有機物質からなる前記積層体を
2種有し、これらの積層体の1種において、電子輸送性
有機材料中で電子−ホールの再結合による緑色発光が得
られることが望ましい。
の再結合による青色発光を得るための有機層をホールブ
ロック層として積層することにより、安定かつ高輝度で
低電圧駆動のホール輸送性発光層を有する有機電界発光
素子を得ることができると共に、このホールブロック層
のない有機材料の積層領域では電子輸送層中で電子−ホ
ールの再結合による緑色発光を得ることができる、G、
Bに対応できる優れた有機電界発光素子を提供すること
ができる。
透明電極、有機層(特に有機ホール輸送層、ホールブロ
ック層、有機電子輸送層)及び金属電極が順次積層され
ていることが望ましい。
前記有機層及び前記金属電極がマトリクスパターンを形
成している有機電界発光素子として構成されているのが
よい。
界発光素子として構成され、カラーディスプレイ用の素
子としても好適なものとなる。
する。
1の実施の形態による有機EL素子21の要部を示す概
略断面図である。
2種類の各色発光用として、アモルファス有機薄膜の積
層体からなる有機電界発光素子部21B(青色)、21
G(緑色)をそれぞれ共通のガラス基板6上に有したも
のである。
は、ガラス基板6上にロウ又はライン電極としてITO
(Indium Tin Oxide)やZnをドープしたインジウム酸
化物等(以下、同様)からなる透明電極5をスパッタリ
ング又は真空蒸着等の方法により形成し、その上に順
次、青色発光用のホール輸送層4a、ホール輸送性発光
層4b、ホールブロック層33、電子輸送層(又は電子
輸送性発光層)2、コラム電極としてのカソード電極1
を真空蒸着法により積層している。
は、ガラス基板6上にITO(Indium Tin Oxide)等か
らなる上記透明電極5をスパッタリング又は真空蒸着等
の方法により形成し、その上に順次、上記のホール輸送
層4a、ホール輸送性発光層4b、緑色発光用の電子輸
送層2、コラム電極としてのカソード電極1を真空蒸着
法により積層し、上記のホールブロック層は設けない。
素子部21B、21Gに共通のガラス基板6上におい
て、2種の各発光素子部に共通のロウ電極又はライン電
極として透明電極5を形成し、この透明電極上におい
て、各発光素子部を含む領域上に共通のホール輸送層形
成材料からなる各ホール輸送層4a、4bを形成し、こ
れらの各ホール輸送層を含む領域上において、各発光素
子部を含む領域上に共通の電子輸送形成材料からなる各
電子輸送層2を形成し、更に、これらの各電子輸送層上
に、各発光素子部のそれぞれのカソード電極1を透明電
極5に対向して(或いはマトリクス状パターンに)形成
していることである。但し、各発光素子部は特有の層構
成を有しており、青色発光素子部21Bではホールブロ
ック層33を例えばストライプパターンに有している
が、緑色発光素子部21Gではホールブロック層33は
設けていない。
域がホール輸送層4(4a、4b)と電子輸送層2にそ
れぞれ独立に存在し、各発光素子部間でホール輸送層4
(4a、4b)及び電子輸送層2をそれぞれ共通の材料
で形成しているので、各色の発光色を呈する積層体を簡
便なプロセスで容易かつ低コストに作製できることにな
る。しかも、有効画素領域全面に、上記共通の各層を大
開口マスクで形成することにより、成膜性又は段差被覆
性が良好となり、カソード−アノード間の漏れ電流も少
なくすることができる。そして、2色表示が可能なの
で、キャラクタ表示に好適となる。
が発光層としての性能を兼ね備えた構造として構成さ
れ、その基本構造は後述する他の実施の形態でも同様で
ある。
記のホールブロック層33がホール輸送層4と電子輸送
層2との間に挿入されて積層されているので、ホール輸
送層4中での電子−ホールの再結合を促進させ、ホール
輸送層4での発光が得られることである。
(A))の積層構造をバンドモデルで模式的に示したも
のである。
ルミニウム−リチウム)からなるカソード1及びITO
透明電極5の層に示した太線(L1 、L2 )は、それぞ
れのメタルの凡その仕事関数であり、これらの両電極間
の各層においては上部の太線l1 、l2 、l3 、l4 及
び数値はそれぞれの最低非占有分子軌道(LUMO)の
レベルを示し、下方の太線l5 、l6 、l7 、l8 及び
数値はそれぞれの最高占有分子軌道(HOMO)のレベ
ルを示している。但し、図17中のエネルギーレベル値
は一例であって、材質によって種々に変化するものであ
る。
すように、アノードとしての透明電極5から注入された
ホールhがホール輸送層4を経て移動し、一方、カソー
ドの金属電極1から注入された電子eが電子輸送層2を
経て移動し、この電子−ホールがホール輸送性発光層4
において再結合して発光を生じる。
る電子eは、エネルギーレベルの低い方へ移動する性質
があるため、金属電極1、電子輸送層2、ホールブロッ
ク層33、ホール輸送性発光層4b、ホール輸送層4a
の順に各層の最低非占有分子軌道(LUMO)レベルl
1 〜l4 を経由してホール輸送性発光層4b、4aに到
達することができる。
から注入されるホールhは、エネルギーレベルの高い方
へ移動する性質があるため、ホール輸送層4a、ホール
輸送性発光層4b、ホールブロック層33の順に各層の
最高占有分子軌道(HOMO)レベルl5 〜l7 を経由
して電子輸送層2へ移動することができる。
ク層33の最高占有分子軌道(HOMO)レベルl7 よ
りも電子輸送層2の最高占有分子軌道(HOMO)レベ
ルl8 の方がエネルギー的に低いため、注入されたホー
ルhはホールブロック層33から電子輸送層2へ移動し
難くなり、ホールブロック層33に充満するようにな
る。
たホールhがホール輸送層4での電子−ホールの再結合
を促進させ、ホール輸送層4を構成するホール輸送性発
光層4a、4bの発光材料を発光させることになる。
ることにより、ホール輸送層4において電子−ホールの
再結合を効率よく生じるようにホールブロック層33に
おいてホールhの輸送を効果的に制御している。そし
て、これにより発光するホール輸送性発光層4a、4b
のうち、主としてホールブロック層33に隣接するホー
ル輸送性発光層4bによる発光にホール輸送性発光層4
aの発光も加わり、図26の如き特定波長(青色)の光
を放出する。
アノード電極5からのホールの注入とにより、電子輸送
層2及びホール輸送層4はそれぞれの層において電子−
ホールの再結合が生じる。従って、上記の如ホールブロ
ック層33が存在しない場合には、電子輸送層2とホー
ル輸送層4との界面において電子−ホールの再結合が生
じ、長波長の発光しか得られない。しかし、本実施例の
如くホールブロック層33を設けることにより、発光性
物質が含有されているホール輸送層4を発光領域として
青色発光を促進させることが可能になる。
ールhの輸送を制御するためのものであり、このために
は、ホールブロック層33の最高占有分子軌道(HOM
O)が、ホール輸送性発光層4b及び電子輸送層2の最
高占有分子軌道(HOMO)レベルのエネルギー的に低
い方のレベルの最高占有分子軌道(HOMO)レベル以
下にあり、かつ、ホールブロック層33の最低非占有分
子軌道(LUMO)が、ホール輸送性発光層4b及び電
子輸送層2の最低非占有分子軌道(LUMO)レベル
の、エネルギー的に低い方の最低非占有分子軌道(LU
MO)レベル以上であり、エネルギー的に高い方の最低
非占有分子軌道(LUMO)レベル以下であればよく、
上記の構成に限定されるものではない。
質で形成できると共に、その厚みもその機能を保持する
ことができる範囲で変化させてよい。その厚みは1Å〜
1000Å(0.1nm〜100nm)とするのがよい
が、厚みがあまり薄いと、ホールブロック能が不完全で
再結合領域がホール輸送層と電子輸送層にまたがり易く
なり、またあまり厚いと、膜抵抗の増加から発光しない
ことがある。
ホールブロック層33が設けられていないために、ホー
ルが電子輸送層2内に進入し、電子−ホール再結合が電
子輸送層2内で生じるため、この電子輸送層2が発光
し、図26の如き特定波長(緑色)の光を放出する。
な真空蒸着装置11を用いて作製される。この装置の内
部には、アーム12の下に固定された一対の支持手段1
3が設けられ、この双方の固定手段13、13の間に
は、透明ガラス基板6を下向きにし、マスク22をセッ
トできるステージ機構(図示省略)が設けられている。
そして、ガラス基板6及びマスク22の下方には、支軸
14aに支持されたシャッター14が配置され、その下
方に所定個数の各種蒸着源28を配置する。各蒸着源
は、電源29による抵抗加熱方式で加熱される。この加
熱には、必要に応じてEB(電子線)加熱方式等も使用
される。
であり、シャッター14は蒸着材料用である。そして、
シャッター14は支軸14aを中心に回動し、蒸着材料
の昇華温度に合わせて、材料の蒸気流を遮断するための
ものである。
に2種類使用し、適宜交換して各種成膜を所定パターン
に行うものである。マスク22aを用いて上記のホール
輸送層4を大開口23aを介して各素子部に共通に成膜
した後、マスク22b又は22cを用いてホールブロッ
ク層33をスリット状開口23b又は開口23aの1/
2サイズの開口23cを介して青色発光素子部21Bに
所定パターンに形成し、次いでマスク22aを用いて各
素子部に共通に電子輸送層2を大開口23aを介して形
成し、更にマスク(図示せず)を用いて各素子部にカソ
ード電極1をそれぞれ所定パターンに形成する。
ラス基板6上の透明電極5上に各発光素子部21B、2
1Gをそれぞれ形成する。これはストライプ状であって
よく、ストライプは絶縁層(ここでは図示せず)によっ
て各発光エリアに区分されてよい。この場合、透明電極
5上に同一パターンに各発光素子部を重ねて形成する
と、カソード−アノード間のキャリア輸送性が向上し、
両極間の電圧降下を減少させることができる。なお、有
機層33は透明電極5上にライン方向に形成したが、透
明電極5と直交するカラム方向に形成してもよい。
蒸着装置により作製した有機EL素子21又は21’の
具体例を2種示す図である。即ち、図1及び図2の例で
は、ガラス基板6上に、ITO透明電極5を上記した真
空蒸着装置により蒸着後に、SiO2 等の絶縁層24で
囲まれた領域に青色発光部21Bと緑色発光部21Gと
を連設したものであり、この絶縁層の内側に透明電極5
を画素パターンに露出させる。次いで、蒸着マスクを用
いて各有機層4a、4b、33、2及び金属電極1(例
えばLiF層1aとAl層1bとの積層体)を各発光部
上に共通に形成する。この例は、図2(A)に概略的に
示す発光パターンを応用して、図2(B)のような文字
などのキャラクタ表示に好適である。なお、図3及び図
4の例では、ライン電極となるITO透明電極5を蒸着
で形成した後、コラム方向に沿ってSiO2 24を所定
パターンに蒸着し、このSiO2 間に透明電極5をそれ
ぞれ画素パターンに露出させ、各有機層4a、4b、3
3、2を形成した後、カラム電極としての電極1をコラ
ム方向にストライプパターンに形成し、マトリクスを作
製する。上記した蒸着マスク22a、22b又は22c
は有機層4と2及び33の形成に用いる。
ば、各発光素子部においては、発光領域がホール輸送層
4(4a、4b)と電子輸送層2にそれぞれ独立に存在
し、各発光素子部間でホール輸送層4(4a、4b)及
び電子輸送層2をそれぞれ共通の材料層で形成している
ので、各色の発光色を呈する積層体(例えばマトリク
ス)を簡便なプロセスで容易かつ低コストに作製できる
ことになる。しかも、大面積で有機層4a、4b、2を
形成しているので、絶縁層24上を含めて成膜性が向上
し、カソード−アノード間の漏れ電流も少なく、安定し
た信頼性の高い性能を得ることができる。これは、図3
(B)中に破線で示すように、絶縁層24の上面を曲面
状にすれば、更に一層結果が良好となる。
した図1〜図4のような画素を有するもの以外に、形
状、サイズを変更することができ、多数の小さい画素を
個々に、或いは大きい画素を単独に形成することもでき
る。
輸送層、有機ホールブロック層、有機電子輸送層及び金
属電極は、それぞれが複数層からなる積層構造であって
もよい。
は、真空蒸着以外にも、昇華又は気化を伴う他の成膜方
法、或いはスピンコートやキャスト等の方法で形成して
もよい。
性発光層は、この素子の発光スペクトルの制御のために
微量分子の共蒸着を行ってもよく、例えば、ペリレン誘
導体、クマリン誘導体等の有機物質を微量含む有機薄膜
であってもよい。
料としては、ベンジジン又はその誘導体、スチリルアミ
ン又はその誘導体、トリフェニルメタン又はその誘導体
をはじめ、ポルフィリン又はその誘導体、トリアゾール
又はその誘導体、イミダゾール又はその誘導体、オキサ
ジアゾール又はその誘導体、ポリアリールアルカン又は
その誘導体、フェニレンジアミン又はその誘導体、アリ
ールアミン又はその誘導体、オキサゾール又はその誘導
体、アントラセン又はその誘導体、フルオレノン又はそ
の誘導体、ヒドラゾン又はその誘導体、スチルベン又は
その誘導体、またはポリシラン系化合物、ビニルカルバ
ゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合
物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、ポリマ
ー等が挙げられる。
ン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、
金属ナフタロシアニン、4,4’,4”−トリメチルト
リフェニルアミン、4,4’,4”−トリス(3−メチ
ルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、N,
N,N’,N’−テトラキス(p−トリル)p−フェニ
レンジアミン、N,N,N’,N’−テトラフェニル−
4,4’−ジアミノビフェニル、N−フェニルカルバゾ
ール、4−ジ−p−トリルアミノスチルベン、ポリ(パ
ラフェニレンビニレン)、ポリ(チオフェンビニレ
ン)、ポリ(2,2’−チエニルピロール)等が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
料としては、キノリン又はその誘導体、ペリレン又はそ
の誘導体、ビススチリル又はその誘導体、ピラジン又は
その誘導体等が挙げられる。
ミニウム、アントラセン、ナフタリン、フェナントレ
ン、ピレン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリ
ン、アクリジン、スチルベン又はこれらの誘導体等が挙
げられる。
カソード電極等の使用材料にも制限はない。
子を注入するために、電極材料の真空準位からの仕事関
数の小さい金属を用いるのが好ましく、アルミニウム−
リチウム合金以外にも、例えば、アルミニウム、インジ
ウム、マグネシウム、銀、カルシウム、バリウム、リチ
ウム等の低仕事関数金属を単体で、または他の金属との
合金として安定性を高めて使用してもよい。
取り出すため、後述する実施例はアノード電極には透明
電極であるITOを用いたが、効率良くホールを注入す
るために、アノード電極材料の真空準位からの仕事関数
が大きいもの、例えば金、二酸化スズ−アンチモン混合
物、酸化亜鉛−アルミニウム混合物の電極を用いてもよ
い。
G、Bの二色を発光するカラー用、又はマルチカラー用
の有機電界発光素子を作製することができる。その他、
本発明はディスプレイ用としてだけでなく、光源用とし
ても使用可能な有機電界発光素子に適用できると共に、
他の光学的用途にも適用することができる。
性を高めるためにゲルマニウム酸化物等で封止を行って
大気中の酸素等の影響を排してもよく、また真空に引い
た状態で素子を駆動してもよい。
第2の実施の形態による青色発光素子部21Bの要部を
示す概略断面図である。
5の素子と比べて、ITO透明電極5上に、ホール輸送
性発光層4bを形成し、ホール輸送性発光層を単層に形
成していることが異なっている。それ以外の緑色発光素
子部21Gは、図5の素子と同様である。
第3の実施の形態による青色発光素子部21Bの要部を
示す概略断面図である。
5の素子と比べて、ITO透明電極5上に、ホール輸送
層(ホール輸送性発光層を兼ねる)4aを形成し、上記
した第2の実施の形態と同様にホール輸送性発光層を単
層に形成している。それ以外は、上記した第2の実施の
形態と同様である。
明する。
方法に基づいて説明する。
上にITO電極5(膜厚約100nm)を設けたITO
基板上に、SiO2 24の真空蒸着により2mm×2m
mの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のITO基板を作製した。
DATA(4,4’,4”−tris(3−methylphenylph
enylamino)triphenylamine:図20の構造式のもの)を
蒸着速度0.2〜0.4nm/secで真空蒸着法により真
空下で30nmの厚みに蒸着した。
光層4bとして機能するα−NPD(α−naphtyl phen
yl diamine:図21の構造式のもの)を真空蒸着法によ
り真空下で50nmの厚みに蒸着速度0.2〜0.4n
m/secで蒸着した。
うような、開口部23cの面積が1mm×2mmのマス
ク22cに交換し、バソクプロイン(2,9−dimethyl
−4,7−diphenyl−1,10−phenanthroline:図8
の構造式2のもの)をホールブロック層33として20
nmの厚みに蒸着速度0.2〜0.4nm/secで真空蒸
着した。
m×2mmのもの22aに戻し、電子輸送層又は電子輸
送性発光層2として機能するAlq3 (8−hydroxy qu
inoline aluminum:図23の構造式のもの)を40nm
の厚みに真空蒸着した。
0.5nmの厚みに真空蒸着し、次にAlを200nm
の厚みに真空蒸着して、図1に示した有機電界青色・緑
色発光素子21を作製した。
光素子の特性を測定し、その結果を示す。
子21の分光特性を示すグラフである。即ち、ホールブ
ロック層として機能するバソクプロインを有する発光領
域では最大発光波長は460nm、CIE色度座標上で
の座標は(0.16,0.14)であり、良好な青色発
光を呈した。発光スペクトルの形状から、α−NPDか
らの発光であることは明らかであった。また、バソクプ
ロインのない発光部位は電子輸送性発光材料であるAl
q3 からの発光が得られ、最大発光波長520nm、C
IE(0.33,0.55)の良好な緑色発光が得られ
た。
に、電流密度350mA/cm2 での輝度は青色発光部
位では6000cd/m2 、緑色発光部位では4000
0cd/m2 であった。
/100でパルス駆動したところ、電流密度5500m
A/cm2 の時に、直流駆動に換算するとピーク輝度5
5000cd/m2 であり、十分に実用に耐えることの
できる高性能で高輝度の青色発光素子部を作製すること
ができた。
は、発光面積が2mm×2mmの同一発光領域中に発光
面積1mm×2mmのα−NPDからの発光である青色
発光領域、発光面積1mm×2mmのAlq3 からの発
光である緑色発光領域のそれぞれを有する素子であっ
た。
方法に基づいて説明する。
上にITO電極5(膜厚約100nm)を設けたITO
基板上に、SiO2 24の真空蒸着により2mm×2m
mの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のITO基板を作製した。
層またはホール輸送性発光層4bとして機能するα−N
PD(α−naphtyl phenyl diamine:図21の構造式の
もの)を真空蒸着法により真空下で50nm厚に蒸着
(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec)した。
うような、開口部23cの面積が1mm×2mmのマス
ク22cに交換し、バソクプロイン(2,9−dimethyl
−4,7−diphenyl−1,10−phenanthroline:図8
の構造式2で示されるもの)をホールブロック層33と
して厚さ20nm(蒸着速度0.2〜0.4nm/se
c)に真空蒸着した。
m×2mmのもの22aに戻し、電子輸送層又は電子輸
送性発光層として機能するAlq3 (8−hydroxy qu
inoline aluminum:図23の構造式のもの)を40nm
の厚さに真空蒸着した。
0.5nmの厚みに真空蒸着し、次にAlを200nm
の厚みに真空蒸着して、有機電界青色・緑色発光素子2
1を作製した。
光素子の特性を測定し、その結果を示す。
同様、ホールブロック層として機能するバソクプロイン
を有する発光領域では最大発光波長は460nm、CI
E色度座標上での座標は(0.155,0.11)であ
り、良好な青色発光を呈した。発光スペクトルの形状か
ら、α−NPDからの発光であることは明らかであっ
た。また、バソクプロインのない発光部位は電子輸送性
発光材料であるAlq3からの発光が得られ、最大発光
波長520nm、CIE(0.33,0.55)の良好
な緑色発光が得られた。
A/cm2 での輝度は1500cd/m2 であった。
は、発光面積が2mm×2mmの同一発光領域中に発光
面積1mm×2mmのα−NPDからの発光である青色
発光領域、発光面積1mm×2mmのAlq3 からの発
光である緑色発光領域のそれぞれを有する素子であっ
た。
方法に基づいて説明する。
×2、B×1)単純マトリクスを作製するために、30
mm×30mmのガラス基板6上に、ITOをライン側
電極5として幅2.0mm、間隔0.54mm、膜厚約
100nmで8本形成し、またコラム側にはSiO2 の
真空蒸着により絶縁層24として幅1.0mm、間隔
1.54mmで10本形成した。形成された1つのEL
セルの発光領域は1.54×2.0mm2 であり、開口
率は52.6%であった。
の開口部23aを有するもの22aを用い、8×9(G
×2、B×1)単純マトリクスの発光部位の全てを覆う
形で初めに有機層を蒸着した。
(4,4’,4”−tris(3−methylphenylphenylamin
o)triphenylamine:図20の構造式のもの)を蒸着速度
0.2〜0.4nm/secで真空蒸着法により真空下で3
0nmの厚みに、ホール輸送層またはホール輸送性発光
層4bとして機能するα−NPD(α−naphtyl phenyl
diamine:図21に示す構造式のもの)を真空蒸着法に
より真空下で50nm厚に蒸着(蒸着速度0.2〜0.
4nm/sec)した。
×30mmのストライプ上に、開口部の面積が2.1m
m×30mmのストライプ状開口23bが各色毎のそれ
ぞれ3本開口しているマスクの一つ22bに交換し、バ
ソクプロイン(2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−
1,10−phenanthroline:図8の構造式2のもの)を
ホールブロック層33として透明電極5上に厚さ20n
mの厚みに蒸着速度0.2〜0.4nm/secで真空蒸着
した。
78mm×24.86mmのマスク22aに戻し、電子
輸送層または電子輸送性発光層2として機能するAlq
3 (8−hydroxy quinoline aluminum:図23の構造式
のもの)を40nmの厚みに真空蒸着した。
交換し、各ストライプ毎に(マスクは3種類用いて)カ
ソード電極1としてLiFを約0.5nmの厚みに真空
蒸着し、次にAlを200nmの厚みに真空蒸着して、
図3に示した有機電界青色・緑色発光素子21を作製し
た。
機電界発光素子は、大開口面積でm−MTDATA、α
−NPDを蒸着しているため、殆ど漏れ電流がなく、単
純マトリクス駆動が可能であった。
ろ、ホールブロック層として機能するバソクプロインを
有するストライプでは最大発光波長は460nm、CI
E色度座標上での座標は(0.16,0.14)であ
り、良好な青色発光を呈した。電流密度350mA/c
m2 での輝度は1600cd/m2 であった。発光スペ
クトルの形状から、α−NPDからの発光であることは
明らかであった。また、バソクプロインのない発光部位
は電子輸送性発光材料であるAlq3 からの発光が得ら
れ、最大発光波長520nm、CIE(0.33,0.
55)の良好な緑色発光が得られた。
法に基づいて説明する。
輸送層4aを設けず、ホール輸送性発光層4bとしてα
−NPD(α−naphtyl phenyl diamine:図21の構造
式のもの。これは、図22(A)のα−PPD又は図2
2(B)のα−TPD又は(C)のTPDでもよい。)
を真空蒸着法により真空下で例えば50nmの厚みに蒸
着(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec)しており、ホー
ル輸送性発光層を単層に形成したこと以外は上記した第
1の実施例と同様である。
有機EL素子の分光特性を示すグラフである。
ピーク)は約460nmであり、またCIE色度座標上
での座標は(0.155 ,0.11)であり、良好な青色発光を
呈した。緑色発光については、図26と同様であった。
0mA/cm2での輝度は1400cd/m2 であった。
ではα−NPDからなるホール輸送性発光層4bからの
発光であることは明らかであった。
如く、電圧が5V位までは電流は殆ど流れず、5Vを過
ぎて徐々に流れ始め、6V過ぎから急速に流れ出す。即
ち、低電圧駆動が可能であると共に、しきい値電圧特性
が良好であることを示している。
に基づく各実施例1〜4の有機EL素子は、ホールブロ
ック層33をホール輸送性発光材料4a及び/又は4b
と電子輸送層2との間に設けることにより、ホール輸送
層での電子−ホールの再結合が十分となって発光層を兼
ねることができ、効率の高い安定した発光を得ることが
できる。
いても、優れた色度を持つ青色発光を高輝度で得られる
有機EL素子を作製することが可能であることが示さ
れ、材料開発における可能性と時間短縮を実現でき、ま
た、新たな発光材料系及び電子輸送材料の設計指針を示
すことができるものと考えられる。
がホール輸送層と電子輸送層とにそれぞれ独立に存在す
る各積層体間で、ホール輸送層及び電子輸送層をそれぞ
れ共通の材料で形成しているので、各色の発光色を呈す
る積層体を簡便なプロセスで容易かつ低コストに作製で
きることになる。しかも、有効画素領域全面に、上記共
通の各層を大開口マスクで形成することにより、成膜性
又は段差被覆性が良好となり、カソード−アノード間の
漏れ電流も少なくすることができる。
電子−ホールの再結合による発光が得られるようにした
こと(特に、ホールブロック層を、ホール輸送性発光材
料と電子輸送層の間に挿入する構造)によって、従来、
非発光性の優れた電子輸送材料が存在しないことで困難
な構造であると考えられてきた、ホール輸送層が発光層
である有機電界発光素子でも、高輝度、高効率の安定し
た発光を得ることができる。特に、青色発光に関しては
顕著であり、DC駆動で10000cd/m2以上、1
/100デューティ比でのパルス駆動でも直流換算でピ
ーク輝度55000cd/m2 以上を得ることが可能で
ある。
面図である。
についてアノードと直交する断面図(A)、アノードに
沿う断面図(B)((A)の(B)−(B)線断面図)
である。
の要部の概略断面図であって、(A)は青色発光素子
部、(B)は緑色発光素子部である。
ロリン誘導体の一般式を示す図である。
図である。
図である。
図である。
す図である。
す図である。
す図である。
す図である。
す図である。
す図である。
示す図である。
造を模式的に示すバンドモデル図である。
略断面図である。
された有機EL素子の概略平面図である。
(ホール輸送性発光材料)の構造式を示す図である。
ル輸送性発光材料)の構造式を示す図である。
性発光材料を示し、(A)はα−PPDの構造式、
(B)はα−TPDの構造式、(C)はTPDの構造式
を示す図である。
送材料)の構造式を示す図である。
子の要部の概略断面図である。
子の要部の概略断面図である。
分光特性を示すグラフである。
−輝度特性を示すグラフである。
光特性を示すグラフである。
輝度特性を示すグラフである。
輝度特性を示すグラフである。
である。
である。
ある。
ル輸送層、4a、4b…ホール輸送性発光層、5…IT
O透明電極(アノード)、6…ガラス基板、10、2
0、21…有機EL素子、21G…緑色発光素子部、2
1B…青色発光素子部、22、22a、22b、22c
…蒸着マスク、24…絶縁層、33…ホールブロック
層、e…電子、h…ホール
Claims (22)
- 【請求項1】 発光領域がホール輸送層と電子輸送層と
にそれぞれ独立に存在する有機物質の積層体を2種有
し、これらの積層体が、共通の材料層からなる前記ホー
ル輸送層と共通の材料層からなる前記電子輸送層とを有
しており、2色の発光色を呈することを特徴とする電界
発光素子。 - 【請求項2】 前記発光領域が有機化合物からなり、こ
の発光領域を含む有機物質からなる前記積層体を2種有
し、これらの積層体の1種において、ホール輸送性有機
材料中で電子−ホールの再結合による青色発光が得られ
る、請求項1に記載した電界発光素子。 - 【請求項3】 ホール輸送層中で前記再結合を起こすた
めのホールブロック層を有する、請求項2に記載した電
界発光素子。 - 【請求項4】 前記ホールブロック層がホール輸送層と
電子輸送層との間に設けられている、請求項3に記載し
た電界発光素子。 - 【請求項5】 前記ホールブロック層の最高占有分子軌
道レベルが、前記ホールブロック層の両側に接して積層
された各有機層のそれぞれの最高占有分子軌道レベルの
うちエネルギー的に低い方の最高占有分子軌道レベル以
下にある、請求項3に記載した電界発光素子。 - 【請求項6】 前記ホールブロック層の最低非占有分子
軌道レベルが、前記ホールブロック層の両側に接して積
層された各有機層のそれぞれの最低非占有分子軌道レベ
ルのうちエネルギー的に低い方の最低非占有分子軌道レ
ベル以上にあり、かつエネルギー的に高い方の最低非占
有分子軌道レベル以下にある、請求項3に記載した電界
発光素子。 - 【請求項7】 前記発光領域が短波長発光用のホール輸
送性材料からなり、前記ホールブロック層がフェナント
ロリン誘導体からなっている、請求項3に記載した電界
発光素子。 - 【請求項8】 前記発光領域が有機化合物からなり、こ
の発光領域を含む有機物質からなる前記積層体を2種有
し、これらの積層体の1種において、電子輸送性有機材
料中で電子−ホールの再結合による緑色発光が得られ
る、請求項1に記載した電界発光素子。 - 【請求項9】 光学的に透明な基体上に、透明電極、有
機層及び金属電極が順次積層されている、請求項1に記
載した電界発光素子。 - 【請求項10】 同一基体上で、前記透明電極、前記有
機層及び前記金属電極がマトリクスパターンを形成して
いる有機電界発光素子として構成されている、請求項9
に記載した電界発光素子。 - 【請求項11】 カラーディスプレイ用の素子として構
成されている、請求項10に記載した電界発光素子。 - 【請求項12】 発光領域がホール輸送層と電子輸送層
とにそれぞれ独立に存在する有機物質の積層体を2種有
し、これらの積層体が、共通の材料層からなる前記ホー
ル輸送層と共通の材料層からなる前記電子輸送層とを有
しており、2色の発光色を呈することを特徴とする電界
発光素子を製造するに際し、 共通の基体上において、2種の前記積層体に共通の第1
電極を形成する工程と、 前記第1電極上において、2種の前記積層体を含む領域
上に共通のホール輸送層形成材料を成膜して各ホール輸
送層を形成する工程と、 前記各ホール輸送層を含む領域上において、2種の前記
積層体を含む領域上に共通の電子輸送層形成材料を成膜
して各電子輸送層を形成する工程と、 前記各電子輸送層上に、2種の前記積層体のそれぞれの
第2電極を前記第1電極に対向して形成する工程とを有
する、電界発光素子の製造方法。 - 【請求項13】 前記発光領域を有機化合物で形成し、
この発光領域を含む有機物質からなる前記積層体を2種
形成し、これらの積層体の1種において、ホール輸送性
有機材料中で電子−ホールの再結合による青色発光を得
る、請求項12に記載した電界発光素子の製造方法。 - 【請求項14】 ホール輸送層中で前記再結合を起こす
ためのホールブロック層を形成する、請求項13に記載
した電界発光素子の製造方法。 - 【請求項15】 前記ホールブロック層をホール輸送層
と電子輸送層との間に設ける、請求項14に記載した電
界発光素子の製造方法。 - 【請求項16】 前記ホールブロック層の最高占有分子
軌道レベルを、前記ホールブロック層の両側に接して積
層された各有機層のそれぞれの最高占有分子軌道レベル
のうちエネルギー的に低い方の最高占有分子軌道レベル
以下とする、請求項14に記載した電界発光素子の製造
方法。 - 【請求項17】 前記ホールブロック層の最低非占有分
子軌道レベルを、前記ホールブロック層の両側に接して
積層された各有機層のそれぞれの最低非占有分子軌道レ
ベルのうちエネルギー的に低い方の最低非占有分子軌道
レベル以上とし、かつエネルギー的に高い方の最低非占
有分子軌道レベル以下とする、請求項14に記載した電
界発光素子の製造方法。 - 【請求項18】 前記発光領域を短波長発光用のホール
輸送性材料で形成し、前記ホールブロック層をフェナン
トロリン誘導体で形成する、請求項14に記載した電界
発光素子の製造方法。 - 【請求項19】 前記発光領域を有機化合物で形成し、
この発光領域を含む有機物質からなる前記積層体を2種
形成し、これらの積層体の1種において、電子輸送性有
機材料中で電子−ホールの再結合による緑色発光を得
る、請求項12に記載した電界発光素子の製造方法。 - 【請求項20】 光学的に透明な基体上に、透明電極、
有機層及び金属電極を順次積層する、請求項12に記載
した電界発光素子の製造方法。 - 【請求項21】 同一基体上で、前記透明電極、前記有
機層及び前記金属電極がマトリクスパターンを形成して
いる有機電界発光素子を製造する、請求項20に記載し
た電界発光素子の製造方法。 - 【請求項22】 カラーディスプレイ用の素子を製造す
る、請求項21に記載した電界発光素子の製造方法。
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| JP00298598A JP4210872B2 (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 電界発光素子及びその製造方法 |
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| DE69941200T DE69941200D1 (de) | 1998-01-09 | 1999-01-05 | Elektrolumineszente Vorrichtung und Herstellungsverfahren |
| US09/226,854 US6633122B2 (en) | 1998-01-09 | 1999-01-07 | Electroluminescence device with multiple laminated bodies having common materials and process for producing the same |
| KR1019990000324A KR100689163B1 (ko) | 1998-01-09 | 1999-01-08 | 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
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