JPH11204499A - 高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法 - Google Patents
高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法Info
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- JPH11204499A JPH11204499A JP36798097A JP36798097A JPH11204499A JP H11204499 A JPH11204499 A JP H11204499A JP 36798097 A JP36798097 A JP 36798097A JP 36798097 A JP36798097 A JP 36798097A JP H11204499 A JPH11204499 A JP H11204499A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化膜や金属の蝕刻時発生するパーチクルを
大きく減少させ、ソースパワーの伝達をずっと一定に
し、ウェーハの連続処理時に工程再現性を一定に維持す
る高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法を提
供する。 【解決手段】 高密度低圧プラズマを利用してウェーハ
１５を乾式蝕刻する段階、及び前記乾式蝕刻より発生す
る副産物をガスで乾式洗浄し、前記乾式洗浄を前記各々
のウェーハ１５の乾式蝕刻が終わった後ごとに遂行する
段階を含む。これにより、各々のウェーハ１５を蝕刻し
た後乾式洗浄を毎回行なうことによって、蝕刻周期がウ
ェーハ１枚の蝕刻時間に大きく減って、酸化膜や金属の
蝕刻時発生するパーチクルを大きく減少させ、ソースパ
ワーの伝達をずっと一定にし、ウェーハ間の工程再現性
を一定に維持するようになる。
大きく減少させ、ソースパワーの伝達をずっと一定に
し、ウェーハの連続処理時に工程再現性を一定に維持す
る高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法を提
供する。 【解決手段】 高密度低圧プラズマを利用してウェーハ
１５を乾式蝕刻する段階、及び前記乾式蝕刻より発生す
る副産物をガスで乾式洗浄し、前記乾式洗浄を前記各々
のウェーハ１５の乾式蝕刻が終わった後ごとに遂行する
段階を含む。これにより、各々のウェーハ１５を蝕刻し
た後乾式洗浄を毎回行なうことによって、蝕刻周期がウ
ェーハ１枚の蝕刻時間に大きく減って、酸化膜や金属の
蝕刻時発生するパーチクルを大きく減少させ、ソースパ
ワーの伝達をずっと一定にし、ウェーハ間の工程再現性
を一定に維持するようになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に係り、特に高密度低圧プラズマを利用してウェーハ
を蝕刻する時の蝕刻副産物除去方法に関する。
法に係り、特に高密度低圧プラズマを利用してウェーハ
を蝕刻する時の蝕刻副産物除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の蝕刻において副産物の形成
は工程及び装備の性能に非常に重要な影響を及ぼす。特
に０．５μｍ以下のサブミクロン級のディバイス製造の
場合は高蝕刻速度、少ないプラズマ損傷、他膜質との高
蝕刻選択比の要求が高まっている。
は工程及び装備の性能に非常に重要な影響を及ぼす。特
に０．５μｍ以下のサブミクロン級のディバイス製造の
場合は高蝕刻速度、少ないプラズマ損傷、他膜質との高
蝕刻選択比の要求が高まっている。
【０００３】高蝕刻速度及び少ないプラズマ損傷のため
にウェーハに印加されるパワーとソースパワーが分離さ
れる高密度低圧のプラズマ、例えば誘導結合プラズマ
（ＩＣＰ）、ＥＣＲ(Electron Cyclotron Resonance)、
表面波プラズマ（ＳＷＰ）、またはヘリコンプラズマ等
がある。
にウェーハに印加されるパワーとソースパワーが分離さ
れる高密度低圧のプラズマ、例えば誘導結合プラズマ
（ＩＣＰ）、ＥＣＲ(Electron Cyclotron Resonance)、
表面波プラズマ（ＳＷＰ）、またはヘリコンプラズマ等
がある。
【０００４】一方高蝕刻選択比を得るためには高密度プ
ラズマの採用と共に蝕刻ガスの選択を細心にするべきで
ある。例えば二酸化シリコン蝕刻の場合ＳｉＯ2 ：Ｓｉ
＞３０、ＳｉＯ2 ：Ｓｉ3 Ｎ4 ＞１０、ＳｉＯ2 ：フォ
トレジスト＞５程度の高い蝕刻選択比を得る為には炭素
の豊富な弗化炭素（Ｃx Ｆy ）系ガスを使用する。
ラズマの採用と共に蝕刻ガスの選択を細心にするべきで
ある。例えば二酸化シリコン蝕刻の場合ＳｉＯ2 ：Ｓｉ
＞３０、ＳｉＯ2 ：Ｓｉ3 Ｎ4 ＞１０、ＳｉＯ2 ：フォ
トレジスト＞５程度の高い蝕刻選択比を得る為には炭素
の豊富な弗化炭素（Ｃx Ｆy ）系ガスを使用する。
【０００５】しかしこのようなＣx Ｆy ガスを使用する
場合、酸化膜の蝕刻と共に相当量のポリマーが副産物と
してチャンバ壁に残り、これによるパーチクルの生成に
ともなう収率減少の問題点を発生させる。さらにこの副
産物が高密度プラズマのソースパワー部位に付着される
と、パワーの伝達が不均一になりパワーの消耗によって
パワー伝達効率が減少する等色々な問題点を惹起する。
場合、酸化膜の蝕刻と共に相当量のポリマーが副産物と
してチャンバ壁に残り、これによるパーチクルの生成に
ともなう収率減少の問題点を発生させる。さらにこの副
産物が高密度プラズマのソースパワー部位に付着される
と、パワーの伝達が不均一になりパワーの消耗によって
パワー伝達効率が減少する等色々な問題点を惹起する。
【０００６】一方Ａｌ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、ＴｉＮなどの
金属を蝕刻する場合、シリコンとか二酸化シリコンなど
が他の蝕刻膜質に比べて蝕刻生成物の蒸気圧が低いため
金属成分を多量含有する蝕刻生成物がチャンバの内に残
存するようになって、これもまたパーチクル生成及びパ
ワー伝達の問題を起こすようになる。
金属を蝕刻する場合、シリコンとか二酸化シリコンなど
が他の蝕刻膜質に比べて蝕刻生成物の蒸気圧が低いため
金属成分を多量含有する蝕刻生成物がチャンバの内に残
存するようになって、これもまたパーチクル生成及びパ
ワー伝達の問題を起こすようになる。
【０００７】前述したようなポリマーまたは固体性蝕刻
副産物を減少させるために従来には蝕刻後乾式洗浄工程
を遂行し、前記洗浄の時間間隔をアールエフ（ＲＦ）パ
ワーが印加されるアールエフ−オン（ＲＦ−ｏｎ）時間
基準で、例えば１００分以上とする技術が知られてい
る。しかし、このような洗浄工程を遂行しても前述した
問題点を効果的に解決できない限界がある。
副産物を減少させるために従来には蝕刻後乾式洗浄工程
を遂行し、前記洗浄の時間間隔をアールエフ（ＲＦ）パ
ワーが印加されるアールエフ−オン（ＲＦ−ｏｎ）時間
基準で、例えば１００分以上とする技術が知られてい
る。しかし、このような洗浄工程を遂行しても前述した
問題点を効果的に解決できない限界がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明が成そうとする
技術的課題は、前記問題点を解決して酸化膜や金属の蝕
刻時発生するパーチクルを大きく減少させ、ソースパワ
ーの伝達をずっと一定にし、ウェーハ間の工程再現性を
一定に維持させる高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産
物除去方法を提供することである。
技術的課題は、前記問題点を解決して酸化膜や金属の蝕
刻時発生するパーチクルを大きく減少させ、ソースパワ
ーの伝達をずっと一定にし、ウェーハ間の工程再現性を
一定に維持させる高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産
物除去方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するため
に本発明では、高密度低圧プラズマを利用してウェーハ
を乾式蝕刻する段階及び、前記乾式蝕刻で発生する副産
物をガスで乾式洗浄し、前記乾式洗浄を前記ウェーハ各
々の乾式蝕刻が終わった後ごとに遂行する段階を含むこ
とを特徴とする高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物
除去方法を提供する。
に本発明では、高密度低圧プラズマを利用してウェーハ
を乾式蝕刻する段階及び、前記乾式蝕刻で発生する副産
物をガスで乾式洗浄し、前記乾式洗浄を前記ウェーハ各
々の乾式蝕刻が終わった後ごとに遂行する段階を含むこ
とを特徴とする高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物
除去方法を提供する。
【００１０】本発明において、前記乾式蝕刻はＳｉＯ2
膜の蝕刻または金属膜の蝕刻として、蝕刻ガスとしては
炭素の豊富なＣx Ｆy ガスを使用する。
膜の蝕刻または金属膜の蝕刻として、蝕刻ガスとしては
炭素の豊富なＣx Ｆy ガスを使用する。
【００１１】前記乾式洗浄のガスとしては酸化膜の蝕刻
の場合はＡｒ／Ｏ2 ガスを使用し、金属膜の場合にはＳ
Ｆ6 またはＯ2 を使用する。
の場合はＡｒ／Ｏ2 ガスを使用し、金属膜の場合にはＳ
Ｆ6 またはＯ2 を使用する。
【００１２】本発明では高密度低圧プラズマを使用する
蝕刻工程から発生するパーチクルを減少させるために、
毎ウェーハ蝕刻が終わる時ごとに蝕刻装置、例えばチャ
ンバを洗浄することで酸化膜や金属の蝕刻時発生するパ
ーチクルを大きく減少させて、ソースパワーの伝達をず
っと一定にし、ウェーハ間の工程再現性を一定に維持す
る。
蝕刻工程から発生するパーチクルを減少させるために、
毎ウェーハ蝕刻が終わる時ごとに蝕刻装置、例えばチャ
ンバを洗浄することで酸化膜や金属の蝕刻時発生するパ
ーチクルを大きく減少させて、ソースパワーの伝達をず
っと一定にし、ウェーハ間の工程再現性を一定に維持す
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の望ましい実施例に対して詳細に説明する。しかし
本発明の実施例は他の形態に変形でき、本発明の範囲が
下記の実施例だけに限定されることと解釈されてはいけ
ない。本発明の実施例は当業界で平均的な知識を有する
者に本発明をより完全に説明するために提供されること
である。
発明の望ましい実施例に対して詳細に説明する。しかし
本発明の実施例は他の形態に変形でき、本発明の範囲が
下記の実施例だけに限定されることと解釈されてはいけ
ない。本発明の実施例は当業界で平均的な知識を有する
者に本発明をより完全に説明するために提供されること
である。
【００１４】パーチクル生成に対するいままでの研究は
均質パーチクルが発生する１００ｍＴｏｒｒ以上の高圧
過程にだけ集中されてきた。この場合はパーチクルはプ
ラズマ内で蝕刻産物が均質的に成長してＲＦパワーが消
えた時ウェーハ上に落ちる。
均質パーチクルが発生する１００ｍＴｏｒｒ以上の高圧
過程にだけ集中されてきた。この場合はパーチクルはプ
ラズマ内で蝕刻産物が均質的に成長してＲＦパワーが消
えた時ウェーハ上に落ちる。
【００１５】しかし３乃至６０ｍＴｏｒｒの圧力の高密
度低圧過程の磁気増進反応性イオン蝕刻や誘導結合プラ
ズマ蝕刻工程では、反応チャンバの内壁に非均質的なパ
ーチクルが生成される。
度低圧過程の磁気増進反応性イオン蝕刻や誘導結合プラ
ズマ蝕刻工程では、反応チャンバの内壁に非均質的なパ
ーチクルが生成される。
【００１６】このような高密度低圧プラズマにより発生
するパーチクルの特徴を調べるために、本発明者は次の
実験を行なった。
するパーチクルの特徴を調べるために、本発明者は次の
実験を行なった。
【００１７】
【実験例】実験例ではＡｒ、ＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ｏ2 を
使用する磁気増進反応性イオン蝕刻（以下ＭＥＲＩＥ、
Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching）とＡ
ｒ、ＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ4 Ｆ8 、Ｏ2 を使
用する誘導結合プラズマ蝕刻（以下ＩＣＰＥ、Inductiv
ely Coupled Plasma Etching）を採用したが、このガス
混合物はＳｉＯ2 に対する蝕刻選択比を高めるポリマー
を生成する。
使用する磁気増進反応性イオン蝕刻（以下ＭＥＲＩＥ、
Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching）とＡ
ｒ、ＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ4 Ｆ8 、Ｏ2 を使
用する誘導結合プラズマ蝕刻（以下ＩＣＰＥ、Inductiv
ely Coupled Plasma Etching）を採用したが、このガス
混合物はＳｉＯ2 に対する蝕刻選択比を高めるポリマー
を生成する。
【００１８】図１及び図２は本実験例で使われたＭＥＲ
ＩＥ及びＩＣＰＥ装置を各々概略的に示したものであ
る。図１を参照すると、前記ＭＥＲＩＥ装置はチャンバ
１と前記チャンバに装着されるウェーハステージ３、Ｒ
Ｆパワー５、マグネチックコイル７、ガス注入部９、ガ
ス排気部１１及びＯＥＳ(Optical Emission Spectrosco
py) １３を具備する。
ＩＥ及びＩＣＰＥ装置を各々概略的に示したものであ
る。図１を参照すると、前記ＭＥＲＩＥ装置はチャンバ
１と前記チャンバに装着されるウェーハステージ３、Ｒ
Ｆパワー５、マグネチックコイル７、ガス注入部９、ガ
ス排気部１１及びＯＥＳ(Optical Emission Spectrosco
py) １３を具備する。
【００１９】蝕刻ガスはチャンバ１の上側に備わったガ
ス注入部９を通じて供給されてチャンバ１の下側に備わ
ったガス排気部１１を通じて排出される。注入されたガ
スはチャンバの内でプラズマを形成し、プラズマに露出
されるチャンバ１の材質はＡｌである。ＲＦパワー５は
ウェーハステージ３の下部に連結されて１３．５６ＭＨ
ｚのパワーを供給する。マグネチックコイル７はチャン
バ１の側壁に備わってソースパワーを供給する。ＯＥＳ
はチャンバ１の一側面に備わって蝕刻工程中に発生する
ポリマーまたはパーチクルを探知する。ウェーハ１５と
してはシリコン及びＳｉＯ2 基板でディバイスパターン
が形成されない６インチウェーハを使用する。
ス注入部９を通じて供給されてチャンバ１の下側に備わ
ったガス排気部１１を通じて排出される。注入されたガ
スはチャンバの内でプラズマを形成し、プラズマに露出
されるチャンバ１の材質はＡｌである。ＲＦパワー５は
ウェーハステージ３の下部に連結されて１３．５６ＭＨ
ｚのパワーを供給する。マグネチックコイル７はチャン
バ１の側壁に備わってソースパワーを供給する。ＯＥＳ
はチャンバ１の一側面に備わって蝕刻工程中に発生する
ポリマーまたはパーチクルを探知する。ウェーハ１５と
してはシリコン及びＳｉＯ2 基板でディバイスパターン
が形成されない６インチウェーハを使用する。
【００２０】図２を参照すると、本実験例で使われたＩ
ＣＰＥ装置はチャンバ２１とチャンバに装着されるウェ
ーハステージ２３、バイアスパワー発生部２５、ソース
パワー発生部２７、ガス注入部２９、ガス排気部３１、
誘導コイル３３、ＱＭＳ(Quadrapole Mass Spectroscop
y)３５、及びＯＥＳ３７を具備する。
ＣＰＥ装置はチャンバ２１とチャンバに装着されるウェ
ーハステージ２３、バイアスパワー発生部２５、ソース
パワー発生部２７、ガス注入部２９、ガス排気部３１、
誘導コイル３３、ＱＭＳ(Quadrapole Mass Spectroscop
y)３５、及びＯＥＳ３７を具備する。
【００２１】蝕刻ガスはチャンバ２１の上側に備わった
ガス注入部２９を通じて供給されてチャンバ２１の側面
に備わったガス排気部３１を通じて排出される。注入さ
れたガスはチャンバ内でプラズマを形成し、プラズマに
露出されるチャンバ２１の材質はＡｌである。バイアス
パワー発生部２５はウェーハステージ２３の下部に連結
されて１３．５６ＭＨｚのパワーを供給する。誘導コイ
ル３３はチャンバ２１の側壁を取囲みながらソースパワ
ー部２７に連結されるように備わってＩＣＰＥのソース
パワーを供給する。ＱＭＳ３５及びＯＥＳ３７はチャン
バ２１の上側に備わって、蝕刻工程中に発生するポリマ
ーまたはパーチクルを探知する。ウェーハ１５としては
シリコン及びＳｉＯ2 基板でディバイスパターンが形成
されない６インチウェーハを使用する。
ガス注入部２９を通じて供給されてチャンバ２１の側面
に備わったガス排気部３１を通じて排出される。注入さ
れたガスはチャンバ内でプラズマを形成し、プラズマに
露出されるチャンバ２１の材質はＡｌである。バイアス
パワー発生部２５はウェーハステージ２３の下部に連結
されて１３．５６ＭＨｚのパワーを供給する。誘導コイ
ル３３はチャンバ２１の側壁を取囲みながらソースパワ
ー部２７に連結されるように備わってＩＣＰＥのソース
パワーを供給する。ＱＭＳ３５及びＯＥＳ３７はチャン
バ２１の上側に備わって、蝕刻工程中に発生するポリマ
ーまたはパーチクルを探知する。ウェーハ１５としては
シリコン及びＳｉＯ2 基板でディバイスパターンが形成
されない６インチウェーハを使用する。
【００２２】以下、図１及び図２に示した装置を用いた
実験結果を詳細に説明する。
実験結果を詳細に説明する。
【００２３】ＭＥＲＩＥの場合、注入ガスの圧力を２０
乃至６０ｍＴｏｒｒとし、流量を１００ｓｃｃｍとし
た。２０ｍＴｏｒｒからレジデンスタイムは１５０ｍｓ
であり、流速は５０００ｃｍ／ｓであった。ＩＣＰＥの
場合２０ｓｃｃｍで３乃至３０ｍＴｏｒｒであり、レジ
デンスタイムは２３０ｍｓで流速は４２０ｃｍ／ｓであ
った。ＲＦパワーはＭＥＲＩＥの場合５００乃至７００
Ｗであった。ＩＣＰＥの場合、バイアスＲＦパワーは０
乃至５００Ｗでソースパワーは７００Ｗであった。ここ
の周波数(excitation freauency)は１３．５６ＭＨｚで
あった。
乃至６０ｍＴｏｒｒとし、流量を１００ｓｃｃｍとし
た。２０ｍＴｏｒｒからレジデンスタイムは１５０ｍｓ
であり、流速は５０００ｃｍ／ｓであった。ＩＣＰＥの
場合２０ｓｃｃｍで３乃至３０ｍＴｏｒｒであり、レジ
デンスタイムは２３０ｍｓで流速は４２０ｃｍ／ｓであ
った。ＲＦパワーはＭＥＲＩＥの場合５００乃至７００
Ｗであった。ＩＣＰＥの場合、バイアスＲＦパワーは０
乃至５００Ｗでソースパワーは７００Ｗであった。ここ
の周波数(excitation freauency)は１３．５６ＭＨｚで
あった。
【００２４】ウェーハ状のパーチクルは収集されてエッ
クス−シチュウ（ｅｘ−ｓｉｔｕ）で分析された。チャ
ンバの清浄度を同じ水準に維持するために、Ａｒ／Ｏ2
を使用する乾式洗浄を各実験前に２０ｍＴｏｒｒの圧力
で１０分間実施した。パーチクルの大きさと個数がサー
フィススキャナで測定され、その形状と化学成分は走査
電子顕微鏡（ＳＥＭ）及びＥＤＳシステムを使用して分
析した。ＳＥＭ写真の結果パーチクルの最小大きさは
０．１μｍであった。
クス−シチュウ（ｅｘ−ｓｉｔｕ）で分析された。チャ
ンバの清浄度を同じ水準に維持するために、Ａｒ／Ｏ2
を使用する乾式洗浄を各実験前に２０ｍＴｏｒｒの圧力
で１０分間実施した。パーチクルの大きさと個数がサー
フィススキャナで測定され、その形状と化学成分は走査
電子顕微鏡（ＳＥＭ）及びＥＤＳシステムを使用して分
析した。ＳＥＭ写真の結果パーチクルの最小大きさは
０．１μｍであった。
【００２５】Ｃx Ｆy 、ＣＯ、Ｏのような各種イオン及
びラジカルのマススペクトルが乾式洗浄工程の間ＱＭＳ
を使用して測定された。ＱＭＳはＩＣＰＥチャンバの上
部にウェーハ電極の反対側に位置している。プラズマ内
にあるＣ2 種を分析するために、ＭＥＲＩＥの側壁とＩ
ＣＰＥの上部にモノクロマトル(monocromator)（図示せ
ず）を装着した。
びラジカルのマススペクトルが乾式洗浄工程の間ＱＭＳ
を使用して測定された。ＱＭＳはＩＣＰＥチャンバの上
部にウェーハ電極の反対側に位置している。プラズマ内
にあるＣ2 種を分析するために、ＭＥＲＩＥの側壁とＩ
ＣＰＥの上部にモノクロマトル(monocromator)（図示せ
ず）を装着した。
【００２６】高密度低圧プラズマを使用した蝕刻工程時
発生する前記非均質パーチクルの形状及び構成成分は図
３、４に示されている。図３、４はＡｒ／ＣＨＦ3 ／Ｃ
Ｆ4／Ｏ2 を使用したＭＥＲＩＥで４０ｍＴｏｒｒから
ＳｉＯ2 蝕刻過程の間収集されたパーチクルのＳＥＭ及
びＥＤＳ写真である。これによるとパーチクルは丸い形
態でなく不規則的な形状をなしている。ＥＤＳによれば
パーチクルの９０％以上が反応チャンバ物質Ａｌ、蝕刻
産物Ｓｉ及び炭化水素ガスＣ、Ｆ構成成分を含むが、こ
れによれば反応チャンバ物質から部分的に生成されるこ
とがわかる。これを”比均質パーチクル”と名付けるこ
とにする。
発生する前記非均質パーチクルの形状及び構成成分は図
３、４に示されている。図３、４はＡｒ／ＣＨＦ3 ／Ｃ
Ｆ4／Ｏ2 を使用したＭＥＲＩＥで４０ｍＴｏｒｒから
ＳｉＯ2 蝕刻過程の間収集されたパーチクルのＳＥＭ及
びＥＤＳ写真である。これによるとパーチクルは丸い形
態でなく不規則的な形状をなしている。ＥＤＳによれば
パーチクルの９０％以上が反応チャンバ物質Ａｌ、蝕刻
産物Ｓｉ及び炭化水素ガスＣ、Ｆ構成成分を含むが、こ
れによれば反応チャンバ物質から部分的に生成されるこ
とがわかる。これを”比均質パーチクル”と名付けるこ
とにする。
【００２７】このようにＭＥＲＩＥ及びＩＣＰＥ間、パ
ーチクルの形状は不規則的で単一状の成長パーチクルの
ように丸い形態ではない。Ｃ4 Ｆ8 を使用したＩＣＰＥ
の場合、チャンバ表面にポリマーが非常にたくさん形成
されて、ヘテロパーチクルの大きさは１００μｍ以上に
なる。ＩＣＰＥでの巨大パーチクルは平らな形で各面が
角がある(facet) ことで推すと、パーチクルはチャンバ
壁上のポリマーとして直接的に壁から落ちたものであ
る。このパーチクルはウェーハ上に落ちる時小切れに分
裂されて、ウェーハ上の総パーチクルの数は〜１０4 程
度に達する。
ーチクルの形状は不規則的で単一状の成長パーチクルの
ように丸い形態ではない。Ｃ4 Ｆ8 を使用したＩＣＰＥ
の場合、チャンバ表面にポリマーが非常にたくさん形成
されて、ヘテロパーチクルの大きさは１００μｍ以上に
なる。ＩＣＰＥでの巨大パーチクルは平らな形で各面が
角がある(facet) ことで推すと、パーチクルはチャンバ
壁上のポリマーとして直接的に壁から落ちたものであ
る。このパーチクルはウェーハ上に落ちる時小切れに分
裂されて、ウェーハ上の総パーチクルの数は〜１０4 程
度に達する。
【００２８】図５はＭＥＲＩＥで蝕刻時間に従うパーチ
クルの大きさ及び個数の変化を示すグラフであり、図６
はＩＣＰＥで蝕刻時間に従うパーチクルの大きさ及び個
数の変化を示すグラフである。
クルの大きさ及び個数の変化を示すグラフであり、図６
はＩＣＰＥで蝕刻時間に従うパーチクルの大きさ及び個
数の変化を示すグラフである。
【００２９】図５及び図６を参照すると、ＭＥＲＩＥと
ＩＣＰＥの両者ともの場合で０．３μｍ以上のパーチク
ル数は増加しないが、総個数は経時的に増加する。ＭＥ
ＲＩＥの場合、増加が始まる瞬間は約４分でＩＣＰＥの
場合は約２分である。
ＩＣＰＥの両者ともの場合で０．３μｍ以上のパーチク
ル数は増加しないが、総個数は経時的に増加する。ＭＥ
ＲＩＥの場合、増加が始まる瞬間は約４分でＩＣＰＥの
場合は約２分である。
【００３０】図７はＭＥＲＩＥで蝕刻サイクルに従うパ
ーチクルの個数を示すグラフである。図７を参照すれ
ば、Ａｒ／ＣＨＦ3 ／ＣＦ４／Ｏ2 を使用したＭＥＲＩ
Ｅで、パーチクルの数は蝕刻サイクルを増加させても増
加することではない。反対に２分の蝕刻×１サイクルの
後に生成されたパーチクルの数が４０秒の蝕刻×３サイ
クル及び２０秒の蝕刻×６サイクルの後に測定されたパ
ーチクルより多かった。
ーチクルの個数を示すグラフである。図７を参照すれ
ば、Ａｒ／ＣＨＦ3 ／ＣＦ４／Ｏ2 を使用したＭＥＲＩ
Ｅで、パーチクルの数は蝕刻サイクルを増加させても増
加することではない。反対に２分の蝕刻×１サイクルの
後に生成されたパーチクルの数が４０秒の蝕刻×３サイ
クル及び２０秒の蝕刻×６サイクルの後に測定されたパ
ーチクルより多かった。
【００３１】図５と図７からＭＥＲＩＥでは蝕刻が終わ
った後ではなく、蝕刻工程中にパーチクルがウェーハ上
に落ちることが分かる。これはポリマーが工程中に関連
にならないＡｒスパッタリングプラズマから単一状のパ
ーチクルが生成される結果と相異なる。単一状のパーチ
クル生成時パーチクルの数は変化なく、大きさは時間が
経つによってだんだん大きくなってＲＦプラズマを消し
た時ウェーハ上に落ちる。
った後ではなく、蝕刻工程中にパーチクルがウェーハ上
に落ちることが分かる。これはポリマーが工程中に関連
にならないＡｒスパッタリングプラズマから単一状のパ
ーチクルが生成される結果と相異なる。単一状のパーチ
クル生成時パーチクルの数は変化なく、大きさは時間が
経つによってだんだん大きくなってＲＦプラズマを消し
た時ウェーハ上に落ちる。
【００３２】ＩＣＰＥ間のプラズマを観察すると、チャ
ンバの壁はプラズマに露出されていて、チャンバの壁か
ら落ちたパーチクルはプラズマ内に入って負電荷を帯び
るようになる。低圧プラズマをシミュレーションした結
果、ＩＣＰＥでウェーハ上にパーチクルの蒸着はＤＣバ
イアスフィールドとパーチクルの負電荷によるイオンの
引力及び静電気的な斥力により決定される。もしイオン
の引力が負電荷を帯びたパーチクルをプラズマの境界に
押し出す程に強いならばウェーハからパーチクルを押し
出す静電気力と競争するようになる。しかしパーチクル
は普通０．５μｍで１０4 ｅ- 程度の静電気を帯びるの
で、静電気力はイオン引力より強い。
ンバの壁はプラズマに露出されていて、チャンバの壁か
ら落ちたパーチクルはプラズマ内に入って負電荷を帯び
るようになる。低圧プラズマをシミュレーションした結
果、ＩＣＰＥでウェーハ上にパーチクルの蒸着はＤＣバ
イアスフィールドとパーチクルの負電荷によるイオンの
引力及び静電気的な斥力により決定される。もしイオン
の引力が負電荷を帯びたパーチクルをプラズマの境界に
押し出す程に強いならばウェーハからパーチクルを押し
出す静電気力と競争するようになる。しかしパーチクル
は普通０．５μｍで１０4 ｅ- 程度の静電気を帯びるの
で、静電気力はイオン引力より強い。
【００３３】ＩＣＰＥで蝕刻されるウェーハの数が多け
れば多いほど、同じ水準の清浄度を維持するためにさら
に長い乾式洗浄を必要とする。ＩＣＰＥでの乾式洗浄は
１０ｓｃｃｍのＡｒ、１０ｓｃｃｍのＯ2 で５乃至２０
ｍＴｏｒｒの圧力、７００Ｗのソースパワー、１００Ｗ
のバイアスパワーで行なわれた。
れば多いほど、同じ水準の清浄度を維持するためにさら
に長い乾式洗浄を必要とする。ＩＣＰＥでの乾式洗浄は
１０ｓｃｃｍのＡｒ、１０ｓｃｃｍのＯ2 で５乃至２０
ｍＴｏｒｒの圧力、７００Ｗのソースパワー、１００Ｗ
のバイアスパワーで行なわれた。
【００３４】図８は本発明によって毎ウェーハの蝕刻が
終わる時ごとにチャンバの内部を乾式洗浄する場合、蝕
刻時間によるパーチクルの生成数を示すグラフである。
図８を参照すれば、２０秒間チャンバの内部を洗浄する
場合は、洗浄時間が不充分なのでパーチクルの生成が多
くなるが、１分程度の充分な乾式洗浄がなされる場合
は、蝕刻を繰り返しても生成されるパーチクルの数は増
加しなく一定になって、ソースパワーの伝達をずっと一
定にし、ウェーハ間の工程再現性を一定に維持するよう
になる。
終わる時ごとにチャンバの内部を乾式洗浄する場合、蝕
刻時間によるパーチクルの生成数を示すグラフである。
図８を参照すれば、２０秒間チャンバの内部を洗浄する
場合は、洗浄時間が不充分なのでパーチクルの生成が多
くなるが、１分程度の充分な乾式洗浄がなされる場合
は、蝕刻を繰り返しても生成されるパーチクルの数は増
加しなく一定になって、ソースパワーの伝達をずっと一
定にし、ウェーハ間の工程再現性を一定に維持するよう
になる。
【００３５】図９はＣＨＦ3 とＣ4 Ｆ8 の蝕刻回数によ
るＡｒ／Ｏ2 乾式洗浄工程の間の質量スペクトル強度を
示したことである。Ｃ、ＣＯ、Ｃ2 Ｆ4 、Ｃ2 Ｆ5 及び
弗化炭素イオンの質量スペクトル強度が、蝕刻回数が増
加するほど増加したし、反面にＯイオンは減少した。こ
れより弗化炭素ポリマーがチャンバ壁から取れて切れに
分裂されると、Ｏはポリマーと結合して揮発性ＣＯを形
成する。パーチクルの数はＣＨＦ3 やＣ4 Ｆ8 の場合よ
り速い。
るＡｒ／Ｏ2 乾式洗浄工程の間の質量スペクトル強度を
示したことである。Ｃ、ＣＯ、Ｃ2 Ｆ4 、Ｃ2 Ｆ5 及び
弗化炭素イオンの質量スペクトル強度が、蝕刻回数が増
加するほど増加したし、反面にＯイオンは減少した。こ
れより弗化炭素ポリマーがチャンバ壁から取れて切れに
分裂されると、Ｏはポリマーと結合して揮発性ＣＯを形
成する。パーチクルの数はＣＨＦ3 やＣ4 Ｆ8 の場合よ
り速い。
【００３６】ポリマーによる反応基内の汚染を減らすに
は酸素の役割が重要であるので、ＣＨＦ3 でＳｉＯ2 を
蝕刻後１０分間Ｏの変化を調べた。
は酸素の役割が重要であるので、ＣＨＦ3 でＳｉＯ2 を
蝕刻後１０分間Ｏの変化を調べた。
【００３７】図１０はＱＭＳ(Quadrapole Mass Spectro
scopy)で測定した乾式洗浄の間のＯイオンのマススペク
トルである。図１０を参照すれば、Ｏイオンのエネルギ
ーは１９で５７ｅＶで、強度ピークは２３ｅＶ及び４５
ｅＶであった。酸素の強度は時間が経つにつれ増加する
が、約５分で最大になった。例えば最大２３ｅＶの酸素
イオン電流は１．８×１０-10 Ａで、約５分後に３．８
×１０-10 Ａであった。即ちプラズマ内の酸素の半分以
上が蝕刻の初期段階でポリマーと反応してＣＯを形成し
て消耗された。Ｏ2 の強度はＯの強度より３０％程度少
ない。酸素イオンのエネルギー分布は２０乃至５１ｅＶ
であるが、５０乃至５７ｅＶで分布がない点からＯと差
を見せる。
scopy)で測定した乾式洗浄の間のＯイオンのマススペク
トルである。図１０を参照すれば、Ｏイオンのエネルギ
ーは１９で５７ｅＶで、強度ピークは２３ｅＶ及び４５
ｅＶであった。酸素の強度は時間が経つにつれ増加する
が、約５分で最大になった。例えば最大２３ｅＶの酸素
イオン電流は１．８×１０-10 Ａで、約５分後に３．８
×１０-10 Ａであった。即ちプラズマ内の酸素の半分以
上が蝕刻の初期段階でポリマーと反応してＣＯを形成し
て消耗された。Ｏ2 の強度はＯの強度より３０％程度少
ない。酸素イオンのエネルギー分布は２０乃至５１ｅＶ
であるが、５０乃至５７ｅＶで分布がない点からＯと差
を見せる。
【００３８】たとえＯイオンがポリマーの酸化に充分の
エネルギーを有しても、イオンの密度はプラズマでラジ
カルの密度より小さい。反応基表面のポリマー除去に対
するラジカルの効果を調べた。
エネルギーを有しても、イオンの密度はプラズマでラジ
カルの密度より小さい。反応基表面のポリマー除去に対
するラジカルの効果を調べた。
【００３９】図１１及び１２はＣ2 Ｆ6 の蝕刻後Ａｒ／
Ｏ2 乾式洗浄の間ポリマー反応に関連したラジカルのマ
ススペクトルである。ＳｉＯ2 の代りにシリコンウェー
ハがウェーハのＳｉＯ2 膜質から発生する酸素の効果を
除去した後反応を調べるに使われた。図１１及び１２の
質量の数はＯの場合は１６、Ｏ2 は３２、ＣＯは２８、
ＣＦは３１、ＣＦ2 は５０、ＣＦ3 は６９、Ｃ2 Ｆ6 は
１１９であった。ポリマー除去時変化を観察すれば、蝕
刻時間は３、６、１０分であった。乾式洗浄が進みなが
ら全てのＣx Ｆy 及びＣＯラジカルの質量スペクトル強
度は減ったし、Ｏ及びＯ2 の強度は増加した。ＣＯのオ
ンセットタイムは乾式洗浄が３、６、１０分当り各々
１．２、２．８、４．９分であった。酸素のマススペク
トルのセチュレーションは２．１、４．２及び６．５分
であった。Ｃx Ｆy 及びＣＯラジカルの強度はＣ2 Ｆ6
蝕刻時間に比例する。Ａｒ／Ｏ2 洗浄の初期段階からマ
ススペクトル強度はＣＦ3 の場合は１．５×１０
-11 Ａ、ＣＦ2 の場合は１．１×１０-12 Ａであり、Ｃ
Ｆの場合は６．０×１０-13 Ａであり、Ｃ2 Ｆ5 の場合
には１．５×１０-12 Ａであった。ＣＯのマススペクト
ル強度は５．０×１０-11 Ａとして他種に比べてはるか
に高かった。
Ｏ2 乾式洗浄の間ポリマー反応に関連したラジカルのマ
ススペクトルである。ＳｉＯ2 の代りにシリコンウェー
ハがウェーハのＳｉＯ2 膜質から発生する酸素の効果を
除去した後反応を調べるに使われた。図１１及び１２の
質量の数はＯの場合は１６、Ｏ2 は３２、ＣＯは２８、
ＣＦは３１、ＣＦ2 は５０、ＣＦ3 は６９、Ｃ2 Ｆ6 は
１１９であった。ポリマー除去時変化を観察すれば、蝕
刻時間は３、６、１０分であった。乾式洗浄が進みなが
ら全てのＣx Ｆy 及びＣＯラジカルの質量スペクトル強
度は減ったし、Ｏ及びＯ2 の強度は増加した。ＣＯのオ
ンセットタイムは乾式洗浄が３、６、１０分当り各々
１．２、２．８、４．９分であった。酸素のマススペク
トルのセチュレーションは２．１、４．２及び６．５分
であった。Ｃx Ｆy 及びＣＯラジカルの強度はＣ2 Ｆ6
蝕刻時間に比例する。Ａｒ／Ｏ2 洗浄の初期段階からマ
ススペクトル強度はＣＦ3 の場合は１．５×１０
-11 Ａ、ＣＦ2 の場合は１．１×１０-12 Ａであり、Ｃ
Ｆの場合は６．０×１０-13 Ａであり、Ｃ2 Ｆ5 の場合
には１．５×１０-12 Ａであった。ＣＯのマススペクト
ル強度は５．０×１０-11 Ａとして他種に比べてはるか
に高かった。
【００４０】たとえ反応基内でＣx Ｆy の形態に発生す
るポリマーを乾式洗浄過程の間ＱＭＳにより分析された
が、質量数１２ｎ（ｎ＝１、２、３．．．．）のＣｎポ
リマー種は容易に感知されなかった。
るポリマーを乾式洗浄過程の間ＱＭＳにより分析された
が、質量数１２ｎ（ｎ＝１、２、３．．．．）のＣｎポ
リマー種は容易に感知されなかった。
【００４１】図１３はＣ2 Ｆ6 で３、６、１０分間蝕刻
した後Ａｒ／Ｏ2 乾式洗浄の間のＣ2 種から発散される
５１６．５ｎｍでのオプチカルエミッションを示すグラ
フである。示したように、オプチカルエミッションの強
度は１．８、２．７及び５．５分後落ちた。オンセット
タイムは図７の弗化炭素種と同じでグラフの形も似てい
る。ＣＦ4 とＣ2 Ｆ6 で蝕刻する場合、オプチカルエミ
ッションの強度が落ちる時点はＣＨＦ3 の場合より遅
く、これはＱＭＳにでも確認された。
した後Ａｒ／Ｏ2 乾式洗浄の間のＣ2 種から発散される
５１６．５ｎｍでのオプチカルエミッションを示すグラ
フである。示したように、オプチカルエミッションの強
度は１．８、２．７及び５．５分後落ちた。オンセット
タイムは図７の弗化炭素種と同じでグラフの形も似てい
る。ＣＦ4 とＣ2 Ｆ6 で蝕刻する場合、オプチカルエミ
ッションの強度が落ちる時点はＣＨＦ3 の場合より遅
く、これはＱＭＳにでも確認された。
【００４２】
【比較例】図１４はＩＣＰＥで金属蒸着物の厚さに従う
ソースパワーの減衰を示すグラフである。蝕刻金属がア
ルミニウムの場合と白金の場合を示したし、ＩＣＰＥの
代わりにＥＣＲを使用して白金を蝕刻する場合ソースパ
ワーの変化も示した。
ソースパワーの減衰を示すグラフである。蝕刻金属がア
ルミニウムの場合と白金の場合を示したし、ＩＣＰＥの
代わりにＥＣＲを使用して白金を蝕刻する場合ソースパ
ワーの変化も示した。
【００４３】図１４を参照すれば、ＩＣＰＥで蝕刻金属
がアルミニウムの場合にはパワーがｅ-1倍になる時点の
副産物の厚さ(skin depth)は約１２μｍであり、白金の
場合には約２２．５μｍである。またＥＣＲを使用して
蝕刻する場合は約２μｍでスキン厚さにはるかに速く到
達する。
がアルミニウムの場合にはパワーがｅ-1倍になる時点の
副産物の厚さ(skin depth)は約１２μｍであり、白金の
場合には約２２．５μｍである。またＥＣＲを使用して
蝕刻する場合は約２μｍでスキン厚さにはるかに速く到
達する。
【００４４】ウェーハ１枚の蝕刻時形成されるパーチク
ルの最小大きさを約０．１μｍとすると、約１００枚以
上のウェーハを蝕刻した後に蒸着される副産物の厚さは
約１０μｍであり、この時スキン厚さに到達してプラズ
マパワーの効率は非常に劣化する問題を起こす。即ち１
００枚以上ウェーハを連続的に蝕刻する場合、チャンバ
内部に蒸着されるパーチクルによって色々な問題点が発
生することが分かる。
ルの最小大きさを約０．１μｍとすると、約１００枚以
上のウェーハを蝕刻した後に蒸着される副産物の厚さは
約１０μｍであり、この時スキン厚さに到達してプラズ
マパワーの効率は非常に劣化する問題を起こす。即ち１
００枚以上ウェーハを連続的に蝕刻する場合、チャンバ
内部に蒸着されるパーチクルによって色々な問題点が発
生することが分かる。
【００４５】図１５はＳＷＰＥ(Surface Wave Plasma E
tching) で蝕刻時間に従う生成パーチクルの個数を示す
グラフである。この時乾式洗浄工程は１０分間行なわ
れ、酸化膜蝕刻工程を２００分実施した後に行なわれ
る。図１５を参照すれば、蝕刻が進行して約１０分程度
経過する以後からパーチクルの個数は１００個以上に急
激に増加し、パーチクルの個数が１００個以上になる時
点はチャンバの温度が高いほどはるかに速く到達する。
tching) で蝕刻時間に従う生成パーチクルの個数を示す
グラフである。この時乾式洗浄工程は１０分間行なわ
れ、酸化膜蝕刻工程を２００分実施した後に行なわれ
る。図１５を参照すれば、蝕刻が進行して約１０分程度
経過する以後からパーチクルの個数は１００個以上に急
激に増加し、パーチクルの個数が１００個以上になる時
点はチャンバの温度が高いほどはるかに速く到達する。
【００４６】以上本発明を具体的な実施例を挙げて説明
したが、本発明がこれに限定されることではない。例え
ば前記実施例では蝕刻副産物の除去が毎ウェーハ蝕刻後
ごとに遂行されることと説明されたが、本発明の実験例
を通じて知られた範囲内であれば、複数個のウェーハ蝕
刻後に蝕刻副産物を除去する方法も本発明の範囲に含ま
れることと解釈されるべきである。
したが、本発明がこれに限定されることではない。例え
ば前記実施例では蝕刻副産物の除去が毎ウェーハ蝕刻後
ごとに遂行されることと説明されたが、本発明の実験例
を通じて知られた範囲内であれば、複数個のウェーハ蝕
刻後に蝕刻副産物を除去する方法も本発明の範囲に含ま
れることと解釈されるべきである。
【００４７】
【発明の効果】以上調べたように、高密度低圧プラズマ
蝕刻により発生するパーチクルは蝕刻過程中にウェーハ
上に落ちてウェーハを汚染させるので、一度に多くのウ
ェーハを蝕刻する従来の場合は、洗浄前の蝕刻周期が長
くてパーチクルの蒸着の程度が激しかった。本発明の洗
浄方法によれば、各々のウェーハを蝕刻した後乾式洗浄
を毎回行なうことによって、蝕刻周期がウェーハ１枚の
蝕刻時間に大きく減って、酸化膜や金属の蝕刻時発生す
るパーチクルを大きく減少させ、ソースパワーの伝達を
ずっと一定にし、ウェーハ間の工程再現性を一定に維持
するようになる。
蝕刻により発生するパーチクルは蝕刻過程中にウェーハ
上に落ちてウェーハを汚染させるので、一度に多くのウ
ェーハを蝕刻する従来の場合は、洗浄前の蝕刻周期が長
くてパーチクルの蒸着の程度が激しかった。本発明の洗
浄方法によれば、各々のウェーハを蝕刻した後乾式洗浄
を毎回行なうことによって、蝕刻周期がウェーハ１枚の
蝕刻時間に大きく減って、酸化膜や金属の蝕刻時発生す
るパーチクルを大きく減少させ、ソースパワーの伝達を
ずっと一定にし、ウェーハ間の工程再現性を一定に維持
するようになる。
【図１】 本発明の実験例に使われた磁気増進反応性イ
オン蝕刻（以下ＭＥＲＩＥ、Magnetically Enhanced Re
active Ion Etching）装置と誘導結合プラズマ蝕刻（以
下ＩＣＰＥ、Inductively Coupled Plasma Etching）装
置を概略的に示した断面図である。
オン蝕刻（以下ＭＥＲＩＥ、Magnetically Enhanced Re
active Ion Etching）装置と誘導結合プラズマ蝕刻（以
下ＩＣＰＥ、Inductively Coupled Plasma Etching）装
置を概略的に示した断面図である。
【図２】 本発明の実験例に使われたＭＥＲＩＥ装置と
ＩＣＰＥ装置を概略的に示した断面図である。
ＩＣＰＥ装置を概略的に示した断面図である。
【図３】 ＳｉＯ2 の蝕刻により発生されるパーチクル
の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ） 写真である。
の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ） 写真である。
【図４】 パーチクルの化学構成成分を示すＥＤＳ(Ene
rgy Dispersive Spectroscopy)写真である。
rgy Dispersive Spectroscopy)写真である。
【図５】 ＭＥＲＩＥから蝕刻時間に従うパーチクルの
大きさ及び個数の変化を示すグラフである。
大きさ及び個数の変化を示すグラフである。
【図６】 ＩＣＰＥから蝕刻時間に従うパーチクルの大
きさ及び個数の変化を示すグラフである。
きさ及び個数の変化を示すグラフである。
【図７】 ＭＥＲＩＥから蝕刻サイクルに従うパーチク
ルの個数を示すグラフである。
ルの個数を示すグラフである。
【図８】 本発明による乾式洗浄工程の間、蝕刻時間に
よる生成パーチクルの個数を示すグラフである。
よる生成パーチクルの個数を示すグラフである。
【図９】 蝕刻回数によるＡｒ／Ｏ2 乾式洗浄工程間の
イオン等のマススペクトルである。
イオン等のマススペクトルである。
【図１０】 ＱＭＳ(Quadrapole Mass Spectroscopy)で
測定した乾式洗浄間のＯイオンのマススペクトルであ
る。
測定した乾式洗浄間のＯイオンのマススペクトルであ
る。
【図１１】 ＱＭＳで測定した乾式洗浄工程間のラジカ
ルのマススペクトルである。
ルのマススペクトルである。
【図１２】 ＱＭＳで測定した乾式洗浄工程間のラジカ
ルのマススペクトルである。
ルのマススペクトルである。
【図１３】 ３、６、１０分間蝕刻した後、Ａｒ／Ｏ2
乾式洗浄間のＣ2 種から発散されるオプチカルエミッシ
ョン変化を示すグラフである。
乾式洗浄間のＣ2 種から発散されるオプチカルエミッシ
ョン変化を示すグラフである。
【図１４】 本発明の比較例によってＩＣＰＥを遂行し
た場合、金属蒸着物の厚さに従うソースパワーの減衰を
示すグラフである。
た場合、金属蒸着物の厚さに従うソースパワーの減衰を
示すグラフである。
【図１５】 本発明の比較例によってＳＷＰＥ(Surface
Wave Plasma Etching) を遂行した場合、蝕刻時間にと
もなう生成パーチクルの個数を示すグラフである。
Wave Plasma Etching) を遂行した場合、蝕刻時間にと
もなう生成パーチクルの個数を示すグラフである。
１…チャンバ、 ３…ウェーハステージ、 ５…ＲＦパワー、 ７…マグネチックコイル、 ９…ガス注入部、 １１…ガス排気部、 １３…ＯＥＳ、 １５…ウェーハ。
Claims (14)
- 【請求項１】 高密度低圧プラズマを利用してウェーハ
を乾式蝕刻する段階と、 前記乾式蝕刻で発生する副産物をガスで乾式洗浄し、前
記乾式洗浄を前記ウェーハ各々の乾式蝕刻が終わった後
ごとに遂行する段階を含むことを特徴とする高密度低圧
プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法。 - 【請求項２】 前記乾式蝕刻をＳｉＯ2 膜を対象として
遂行することを特徴とする請求項１に記載の高密度低圧
プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法。 - 【請求項３】 前記乾式蝕刻を金属を対象として遂行す
ることを特徴とする請求項１に記載の高密度低圧プラズ
マ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法。 - 【請求項４】 前記乾式蝕刻時蝕刻ガスとして炭素の豊
富なガスを使用することを特徴とする請求項２に記載の
高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法。 - 【請求項５】 前記炭素の豊富なガスは弗化炭素（Ｃx
Ｆy ）系であることを特徴とする請求項４に記載の高密
度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物方法。 - 【請求項６】 前記乾式洗浄のガスはＡｒ／Ｏ2 ガスで
あることを特徴とする請求項２に記載の高密度低圧プラ
ズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法。 - 【請求項７】 前記乾式洗浄ガスはＳＦ6 またはＯ2 で
あることを特徴とする請求項３に記載の高密度低圧プラ
ズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法。 - 【請求項８】 蝕刻のために印加されるソースパワーが
ウェーハに印加されるパワーと分離された高密度プラズ
マ蝕刻装置のチャンバの内に所定の下部構造が形成され
たウェーハを導入する段階と、 前記ウェーハを乾式蝕刻する段階と、 前記チャンバの内部を乾式洗浄し、前記乾式洗浄を前記
ウェーハ各々の乾式蝕刻が終わった後ごとに遂行する段
階を含むことを特徴とする高密度低圧プラズマ蝕刻時の
蝕刻副産物除去方法。 - 【請求項９】 前記乾式蝕刻をＳｉＯ2 膜を対象として
遂行することを特徴とする請求項８に記載の高密度低圧
プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法。 - 【請求項１０】 前記乾式蝕刻を、金属を対象として遂
行することを特徴とする請求項８に記載の高密度低圧プ
ラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法。 - 【請求項１１】 前記乾式蝕刻時蝕刻ガスとして炭素の
豊富なガスを使用することを特徴とする請求項９に記載
の高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法。 - 【請求項１２】 前記炭素が豊富なガスは弗化炭素（Ｃ
x Ｆy ）系であることを特徴とする請求項１１に記載の
高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法。 - 【請求項１３】 前記乾式洗浄のガスはＡｒ／Ｏ2 ガス
であることを特徴とする請求項９に記載の高密度低圧プ
ラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法。 - 【請求項１４】 前記乾式洗浄ガスはＳＦ6 またはＯ2
であることを特徴とする請求項１０に記載の高密度低圧
プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36798097A JPH11204499A (ja) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | 高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36798097A JPH11204499A (ja) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | 高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204499A true JPH11204499A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=18490678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36798097A Withdrawn JPH11204499A (ja) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | 高密度低圧プラズマ蝕刻時の蝕刻副産物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204499A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008034343A1 (fr) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Beijing Nmc Co., Ltd. | Procédé de maintenance d'un appareil de prédiction en ligne |
| JP2013030696A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Ulvac Japan Ltd | プラズマエッチング装置、及びプラズマクリーニング方法 |
| CN114496703A (zh) * | 2021-11-04 | 2022-05-13 | 上海稷以科技有限公司 | 一种大规模量产中实现稳定的刻蚀速率方法 |
| CN116408310A (zh) * | 2021-12-31 | 2023-07-11 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 | 一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法 |
-
1997
- 1997-12-27 JP JP36798097A patent/JPH11204499A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008034343A1 (fr) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Beijing Nmc Co., Ltd. | Procédé de maintenance d'un appareil de prédiction en ligne |
| US8154721B2 (en) | 2006-09-15 | 2012-04-10 | Beijing Nmc Co., Ltd. | Method of online predicting maintenance of an apparatus |
| JP2013030696A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Ulvac Japan Ltd | プラズマエッチング装置、及びプラズマクリーニング方法 |
| CN114496703A (zh) * | 2021-11-04 | 2022-05-13 | 上海稷以科技有限公司 | 一种大规模量产中实现稳定的刻蚀速率方法 |
| CN114496703B (zh) * | 2021-11-04 | 2023-10-10 | 上海稷以科技有限公司 | 一种大规模量产中实现稳定的刻蚀速率方法 |
| CN116408310A (zh) * | 2021-12-31 | 2023-07-11 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 | 一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法 |
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