JPH11204616A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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- JPH11204616A JPH11204616A JP1345298A JP1345298A JPH11204616A JP H11204616 A JPH11204616 A JP H11204616A JP 1345298 A JP1345298 A JP 1345298A JP 1345298 A JP1345298 A JP 1345298A JP H11204616 A JPH11204616 A JP H11204616A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板搬送等に伴う汚染を高速で取り除くことが
でき、高歩留まり、高スループットの基板処理装置およ
び基板処理方法を提供する。 【解決手段】基板搬送室１に不活性ガス導入機構３０を
接続する。基板を大気圧のロードロック室４内に取り込
み、その後ロードロック室４を真空排気する。一方で
は、不活性ガス導入機構３０のガス溜め１０内に不活性
ガスを溜めておく。その後隔離弁７を開き基板を基板搬
送室１内に搬入する。その後、ガス導入弁１２を開き基
板搬送室１内に不活性ガスを導入し、隔離弁７を閉じ
る。その後ガス導入弁１２を閉じ基板搬送室１内を高真
空まで排気する。その後、隔離弁６を開き、基板を予備
加熱室３に搬送する。予備加熱室３から基板本処理室２
への基板の搬送および基板本処理室２からロードロック
室４への基板の搬送の際も、基板搬送室１の真空排気−
不活性ガス導入−真空排気を行って不純物濃度を迅速に
減少させる。
でき、高歩留まり、高スループットの基板処理装置およ
び基板処理方法を提供する。 【解決手段】基板搬送室１に不活性ガス導入機構３０を
接続する。基板を大気圧のロードロック室４内に取り込
み、その後ロードロック室４を真空排気する。一方で
は、不活性ガス導入機構３０のガス溜め１０内に不活性
ガスを溜めておく。その後隔離弁７を開き基板を基板搬
送室１内に搬入する。その後、ガス導入弁１２を開き基
板搬送室１内に不活性ガスを導入し、隔離弁７を閉じ
る。その後ガス導入弁１２を閉じ基板搬送室１内を高真
空まで排気する。その後、隔離弁６を開き、基板を予備
加熱室３に搬送する。予備加熱室３から基板本処理室２
への基板の搬送および基板本処理室２からロードロック
室４への基板の搬送の際も、基板搬送室１の真空排気−
不活性ガス導入−真空排気を行って不純物濃度を迅速に
減少させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置およ
び基板処理方法に関し、特に半導体デバイスや液晶表示
素子構成用の薄膜を形成又は加工する基板処理装置およ
び基板処理方法に関するものである。
び基板処理方法に関し、特に半導体デバイスや液晶表示
素子構成用の薄膜を形成又は加工する基板処理装置およ
び基板処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の基板処理装置を説明するた
めの概略横断面図である。
めの概略横断面図である。
【０００３】基板搬送室１に、基板本処理室２、基板予
備加熱室３およびロードロック室４が真空室用の隔離弁
５、６および７をそれぞれ介して並列に連結されてい
る。基板搬送室１内には、基板搬送ロボット８が設けら
れている。
備加熱室３およびロードロック室４が真空室用の隔離弁
５、６および７をそれぞれ介して並列に連結されてい
る。基板搬送室１内には、基板搬送ロボット８が設けら
れている。
【０００４】また、基板本処理室２、基板予備加熱室３
およびロードロック室４の各室には各々独立の真空排気
機構を設けており、ロードロック室４以外は常時真空排
気されている。
およびロードロック室４の各室には各々独立の真空排気
機構を設けており、ロードロック室４以外は常時真空排
気されている。
【０００５】大気中の基板を大気圧状態のロードロック
室４内に取り込み、その後ロードロック室４を真空排気
する。ロードロック室４内の基板を、真空搬送ロボット
８により基板搬送室１を通過して基板予備加熱室３に搬
入し、基板の予備加熱処理を行う。
室４内に取り込み、その後ロードロック室４を真空排気
する。ロードロック室４内の基板を、真空搬送ロボット
８により基板搬送室１を通過して基板予備加熱室３に搬
入し、基板の予備加熱処理を行う。
【０００６】同様に基板予備加熱室３内の基板を基板本
処理室２に搬送し成膜、エッチング等の所定の処理を行
い、再びロードロック室４に搬入し大気中に払い出す。
処理室２に搬送し成膜、エッチング等の所定の処理を行
い、再びロードロック室４に搬入し大気中に払い出す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、基板取り込み
時にロードロック室４内に混入する酸素、水分、または
基板予備加熱中に基板予備加熱室において発生する酸
素、水分が基板搬送時に基板本処理室２内を汚染し素子
特性の劣化を引き起こす。
時にロードロック室４内に混入する酸素、水分、または
基板予備加熱中に基板予備加熱室において発生する酸
素、水分が基板搬送時に基板本処理室２内を汚染し素子
特性の劣化を引き起こす。
【０００８】また、基板本処理室２内の残留反応性ガス
や基板処理に伴う副生成物が、基板搬送時に基板搬送室
１内を汚染し、パーティクル発生の原因となる。
や基板処理に伴う副生成物が、基板搬送時に基板搬送室
１内を汚染し、パーティクル発生の原因となる。
【０００９】これら汚染は、基板搬送室１に搬入した基
板を次室に搬送する前に、基板搬送室１内を高真空排気
することで取り除くことができるが、汚染の影響を十分
小さくするには時間がかかる為、装置スループットが低
下する。
板を次室に搬送する前に、基板搬送室１内を高真空排気
することで取り除くことができるが、汚染の影響を十分
小さくするには時間がかかる為、装置スループットが低
下する。
【００１０】従って、本発明の目的は、基板搬送に伴う
汚染を高速で取り除くことができ、高歩留まり、高スル
ープットの基板処理装置および基板処理方法を提供する
ことにある。
汚染を高速で取り除くことができ、高歩留まり、高スル
ープットの基板処理装置および基板処理方法を提供する
ことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、基板
搬送室と、前記基板搬送室に並列に連結された第１およ
び第２の室とを備え、前記基板搬送室を介して前記第１
の室から前記第２の室に基板を搬送可能な基板処理装置
であって、前記第１の室から前記第２の室に前記基板を
搬送する際に、前記第１の室と前記基板搬送室とをそれ
ぞれ予め真空排気しておきその後前記第１の室と前記基
板搬送室とを連通させて前記第１の室から前記基板搬送
室に前記基板が搬送可能な状態にした後または前記基板
搬送室に前記基板を搬送した後前記基板搬送室に不活性
ガスを導入し、または前記第１の室と前記基板搬送室と
を連通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記基
板が搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に前
記基板を搬送した後前記基板搬送室を真空排気しその後
前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、その後、前記基
板搬送室を真空排気し、その後、前記基板搬送室と前記
第２の室とを連通させて前記基板を前記第２の室に搬送
するようにしたことを特徴とする基板処理装置が提供さ
れる。
搬送室と、前記基板搬送室に並列に連結された第１およ
び第２の室とを備え、前記基板搬送室を介して前記第１
の室から前記第２の室に基板を搬送可能な基板処理装置
であって、前記第１の室から前記第２の室に前記基板を
搬送する際に、前記第１の室と前記基板搬送室とをそれ
ぞれ予め真空排気しておきその後前記第１の室と前記基
板搬送室とを連通させて前記第１の室から前記基板搬送
室に前記基板が搬送可能な状態にした後または前記基板
搬送室に前記基板を搬送した後前記基板搬送室に不活性
ガスを導入し、または前記第１の室と前記基板搬送室と
を連通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記基
板が搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に前
記基板を搬送した後前記基板搬送室を真空排気しその後
前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、その後、前記基
板搬送室を真空排気し、その後、前記基板搬送室と前記
第２の室とを連通させて前記基板を前記第２の室に搬送
するようにしたことを特徴とする基板処理装置が提供さ
れる。
【００１２】また、請求項２によれば、前記第１の室か
ら前記第２の室に前記基板を搬送する際に、前記第１の
室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排気しておき
その後前記第１の室と前記基板搬送室とを連通させて前
記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な
状態にした後または前記基板搬送室に前記基板を搬送し
た後前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、その後、前
記基板搬送室を真空排気し、その後、前記基板搬送室と
前記第２の室とを連通させて前記基板を前記第２の室に
搬送するようにしたことを特徴とする請求項１記載の基
板処理装置が提供される。
ら前記第２の室に前記基板を搬送する際に、前記第１の
室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排気しておき
その後前記第１の室と前記基板搬送室とを連通させて前
記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な
状態にした後または前記基板搬送室に前記基板を搬送し
た後前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、その後、前
記基板搬送室を真空排気し、その後、前記基板搬送室と
前記第２の室とを連通させて前記基板を前記第２の室に
搬送するようにしたことを特徴とする請求項１記載の基
板処理装置が提供される。
【００１３】上記のように、基板搬送室をまず真空排気
しておき、その後不活性ガスを導入し、その後再び基板
搬送室を真空排気することにより、第１の室から基板搬
送室に混入した不純物や反応副生成物等の濃度を急速に
下げることができる。その結果、装置を高スループット
なものとすることができる。しかも、第２の室に基板を
搬入する際に、第１の室から基板搬送室に混入する不純
物や反応副生成物等によって第２の室が汚染されること
を防止でき、高歩留まりな装置が実現できる。
しておき、その後不活性ガスを導入し、その後再び基板
搬送室を真空排気することにより、第１の室から基板搬
送室に混入した不純物や反応副生成物等の濃度を急速に
下げることができる。その結果、装置を高スループット
なものとすることができる。しかも、第２の室に基板を
搬入する際に、第１の室から基板搬送室に混入する不純
物や反応副生成物等によって第２の室が汚染されること
を防止でき、高歩留まりな装置が実現できる。
【００１４】また、請求項３によれば、前記第１および
第２の室が真空室であることを特徴とする請求項１また
は２記載の基板処理装置が提供される。
第２の室が真空室であることを特徴とする請求項１また
は２記載の基板処理装置が提供される。
【００１５】また、請求項４によれば、前記第１の室が
ロードロック室であり、前記第２の室が基板処理室であ
ることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置が提供
される。
ロードロック室であり、前記第２の室が基板処理室であ
ることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置が提供
される。
【００１６】また、請求項５によれば、前記第１および
第２の室が基板処理室であることを特徴とする請求項３
記載の基板処理装置が提供される。
第２の室が基板処理室であることを特徴とする請求項３
記載の基板処理装置が提供される。
【００１７】また、請求項６によれば、基板搬送室と、
前記基板搬送室に並列に連結されたロードロック室およ
び基板処理室とを備え、前記基板搬送室を介して前記ロ
ードロック室から前記基板処理室に基板を搬送可能な基
板処理装置であって、前記ロードロック室から前記基板
処理室に前記基板を搬送する際に、前記ロードロック室
を真空排気し、その後、前記ロードロック室に不活性ガ
スを導入し、その後、前記ロードロック室を真空排気
し、その後、前記ロードロック室と前記基板搬送室とを
連通させて前記ロードロック室から前記基板搬送室に前
記基板が搬送可能な状態にしまたは前記基板搬送室に前
記基板を搬送し、その後、前記基板搬送室を介して前記
基板を前記基板処理室に搬送するようにしたことを特徴
とする基板処理装置が提供される。
前記基板搬送室に並列に連結されたロードロック室およ
び基板処理室とを備え、前記基板搬送室を介して前記ロ
ードロック室から前記基板処理室に基板を搬送可能な基
板処理装置であって、前記ロードロック室から前記基板
処理室に前記基板を搬送する際に、前記ロードロック室
を真空排気し、その後、前記ロードロック室に不活性ガ
スを導入し、その後、前記ロードロック室を真空排気
し、その後、前記ロードロック室と前記基板搬送室とを
連通させて前記ロードロック室から前記基板搬送室に前
記基板が搬送可能な状態にしまたは前記基板搬送室に前
記基板を搬送し、その後、前記基板搬送室を介して前記
基板を前記基板処理室に搬送するようにしたことを特徴
とする基板処理装置が提供される。
【００１８】このように、ロードロック室をまず真空排
気しておき、その後不活性ガスを導入し、その後再びロ
ードロック室を真空排気することにより、装置外部の大
気中からロードロック室に混入した酸素、水分等の不純
物等の濃度を急速に下げることができる。その結果、装
置を高スループットなものとすることができる。また、
ロードロック室から基板搬送室に混入する不純物等の濃
度を下げることができるので、基板処理室に基板を搬入
する際に、ロードロック室から基板搬送室に混入する不
純物等によって基板処理室が汚染されることを防止で
き、高歩留まりな装置が実現できる。さらに、通常はロ
ードロック室の容積は基板搬送室の容積よりも小さいの
で、基板搬送室において真空排気−不活性ガス導入−真
空排気を行って不純物等を除去するよりもロードロック
室で真空排気−不活性ガス導入−真空排気を行って不純
物等を除去するほうがより効率的に行える。
気しておき、その後不活性ガスを導入し、その後再びロ
ードロック室を真空排気することにより、装置外部の大
気中からロードロック室に混入した酸素、水分等の不純
物等の濃度を急速に下げることができる。その結果、装
置を高スループットなものとすることができる。また、
ロードロック室から基板搬送室に混入する不純物等の濃
度を下げることができるので、基板処理室に基板を搬入
する際に、ロードロック室から基板搬送室に混入する不
純物等によって基板処理室が汚染されることを防止で
き、高歩留まりな装置が実現できる。さらに、通常はロ
ードロック室の容積は基板搬送室の容積よりも小さいの
で、基板搬送室において真空排気−不活性ガス導入−真
空排気を行って不純物等を除去するよりもロードロック
室で真空排気−不活性ガス導入−真空排気を行って不純
物等を除去するほうがより効率的に行える。
【００１９】また、請求項７によれば、前記基板処理室
が、前記基板に成膜を行う成膜室、前記基板をエッチン
グするエッチング室、前記基板を予備加熱する予備加熱
室または前記基板の冷却を行う基板冷却室であることを
特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理
装置が提供される。
が、前記基板に成膜を行う成膜室、前記基板をエッチン
グするエッチング室、前記基板を予備加熱する予備加熱
室または前記基板の冷却を行う基板冷却室であることを
特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理
装置が提供される。
【００２０】また、請求項８によれば、所定の圧力の不
活性ガスを所定の容量保持可能なガス溜めをさらに備
え、前記ガス溜めに保持された前記不活性ガスを前記基
板搬送室に導入することによって前記基板搬送室への前
記不活性ガスの導入を行い、または前記ガス溜めに保持
された前記不活性ガスを前記ロードロック室に導入する
ことによって前記ロードロック室への前記不活性ガスの
導入を行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか
に記載の基板処理装置が提供される。
活性ガスを所定の容量保持可能なガス溜めをさらに備
え、前記ガス溜めに保持された前記不活性ガスを前記基
板搬送室に導入することによって前記基板搬送室への前
記不活性ガスの導入を行い、または前記ガス溜めに保持
された前記不活性ガスを前記ロードロック室に導入する
ことによって前記ロードロック室への前記不活性ガスの
導入を行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか
に記載の基板処理装置が提供される。
【００２１】このように、所定の圧力の不活性ガスを所
定の容量保持可能なガス溜めに保持された不活性ガスを
導入することによって、容易に正確な量の不活性ガスを
迅速に導入できる。
定の容量保持可能なガス溜めに保持された不活性ガスを
導入することによって、容易に正確な量の不活性ガスを
迅速に導入できる。
【００２２】また、請求項９によれば、基板搬送室と、
前記基板搬送室に並列に連結された第１および第２の室
とを備え、前記基板搬送室を介して前記第１の室から前
記第２の室に基板を搬送可能な基板処理装置を使用して
基板の処理を行う基板処理方法であって、前記第１の室
と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排気しておきそ
の後前記第１の室と前記基板搬送室とを連通させて前記
第１の室から前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な状
態にした後または前記基板搬送室に前記基板を搬送した
後前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、または前記第
１の室と前記基板搬送室とを連通させて前記第１の室か
ら前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な状態にした後
または前記基板搬送室に前記基板を搬送した後前記基板
搬送室を真空排気しその後前記基板搬送室に不活性ガス
を導入する第１の工程と、その後、前記基板搬送室を真
空排気する第２の工程と、その後、前記基板搬送室と前
記第２の室とを連通させて前記基板を前記第２の室に搬
送する第３の工程とを備えることを特徴とする基板処理
方法が提供される。
前記基板搬送室に並列に連結された第１および第２の室
とを備え、前記基板搬送室を介して前記第１の室から前
記第２の室に基板を搬送可能な基板処理装置を使用して
基板の処理を行う基板処理方法であって、前記第１の室
と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排気しておきそ
の後前記第１の室と前記基板搬送室とを連通させて前記
第１の室から前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な状
態にした後または前記基板搬送室に前記基板を搬送した
後前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、または前記第
１の室と前記基板搬送室とを連通させて前記第１の室か
ら前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な状態にした後
または前記基板搬送室に前記基板を搬送した後前記基板
搬送室を真空排気しその後前記基板搬送室に不活性ガス
を導入する第１の工程と、その後、前記基板搬送室を真
空排気する第２の工程と、その後、前記基板搬送室と前
記第２の室とを連通させて前記基板を前記第２の室に搬
送する第３の工程とを備えることを特徴とする基板処理
方法が提供される。
【００２３】また、請求項１０によれば、前記第１の工
程が、前記第１の室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め
真空排気しておきその後前記第１の室と前記基板搬送室
とを連通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記
基板が搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に
前記基板を搬送した後前記基板搬送室に不活性ガスを導
入する工程であることを特徴とする請求項９記載の基板
処理方法が提供される。
程が、前記第１の室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め
真空排気しておきその後前記第１の室と前記基板搬送室
とを連通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記
基板が搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に
前記基板を搬送した後前記基板搬送室に不活性ガスを導
入する工程であることを特徴とする請求項９記載の基板
処理方法が提供される。
【００２４】上記のように、基板搬送室をまず真空排気
しておき、その後不活性ガスを導入し、その後再び基板
搬送室を真空排気することにより、第１の室から基板搬
送室に混入した不純物や反応副生成物等の濃度を急速に
下げることができる。その結果、高スループットで基板
処理を行うことができる。しかも、第２の室に基板を搬
入する際に、第１の室から基板搬送室に混入する不純物
や反応副生成物等によって第２の室が汚染されることを
防止でき、高歩留まりで基板処理を行うことができる。
しておき、その後不活性ガスを導入し、その後再び基板
搬送室を真空排気することにより、第１の室から基板搬
送室に混入した不純物や反応副生成物等の濃度を急速に
下げることができる。その結果、高スループットで基板
処理を行うことができる。しかも、第２の室に基板を搬
入する際に、第１の室から基板搬送室に混入する不純物
や反応副生成物等によって第２の室が汚染されることを
防止でき、高歩留まりで基板処理を行うことができる。
【００２５】また、請求項１１によれば、前記第１およ
び第２の室が真空室であることを特徴とする請求項９ま
たは１０記載の基板処理方法が提供される。
び第２の室が真空室であることを特徴とする請求項９ま
たは１０記載の基板処理方法が提供される。
【００２６】また、請求項１２によれば、前記第１の室
がロードロック室であり、前記第２の室が基板処理室で
あることを特徴とする請求項１１記載の基板処理方法が
提供される。
がロードロック室であり、前記第２の室が基板処理室で
あることを特徴とする請求項１１記載の基板処理方法が
提供される。
【００２７】また、請求項１３によれば、前記第１およ
び第２の室が基板処理室であることを特徴とする請求項
１１記載の基板処理方法が提供される。
び第２の室が基板処理室であることを特徴とする請求項
１１記載の基板処理方法が提供される。
【００２８】また、請求項１４によれば、前記第２の工
程と前記第３の工程との間に、前記基板搬送室に不活性
ガスを導入しその後前記基板搬送室を真空排気する工程
をさらに少なくとも１回分備えることを特徴とする請求
項９乃至１３のいずれかに記載の基板処理方法が提供さ
れる。
程と前記第３の工程との間に、前記基板搬送室に不活性
ガスを導入しその後前記基板搬送室を真空排気する工程
をさらに少なくとも１回分備えることを特徴とする請求
項９乃至１３のいずれかに記載の基板処理方法が提供さ
れる。
【００２９】このような工程をさらに備えることによっ
て、第１の室から基板搬送室に混入した不純物や反応副
生成物等の濃度を急速にさらに下げることができる。
て、第１の室から基板搬送室に混入した不純物や反応副
生成物等の濃度を急速にさらに下げることができる。
【００３０】また、請求項１５によれば、基板搬送室
と、前記基板搬送室に並列に連結されたロードロック室
および基板処理室とを備え、前記基板搬送室を介して前
記ロードロック室から前記基板処理室に基板を搬送可能
な基板処理装置を使用して基板の処理を行う基板処理方
法であって、前記ロードロック室を真空排気する第１の
工程と、その後、前記ロードロック室に不活性ガスを導
入する第２の工程と、その後、前記ロードロック室を真
空排気する第３の工程と、その後、前記ロードロック室
と前記基板搬送室とを連通させて前記ロードロック室か
ら前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な状態にしまた
は前記基板搬送室に前記基板を搬送する第４の工程と、
その後、前記基板搬送室を介して前記基板を前記基板処
理室に搬送する第５の工程とを備えることを特徴とする
基板処理方法が提供される。
と、前記基板搬送室に並列に連結されたロードロック室
および基板処理室とを備え、前記基板搬送室を介して前
記ロードロック室から前記基板処理室に基板を搬送可能
な基板処理装置を使用して基板の処理を行う基板処理方
法であって、前記ロードロック室を真空排気する第１の
工程と、その後、前記ロードロック室に不活性ガスを導
入する第２の工程と、その後、前記ロードロック室を真
空排気する第３の工程と、その後、前記ロードロック室
と前記基板搬送室とを連通させて前記ロードロック室か
ら前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な状態にしまた
は前記基板搬送室に前記基板を搬送する第４の工程と、
その後、前記基板搬送室を介して前記基板を前記基板処
理室に搬送する第５の工程とを備えることを特徴とする
基板処理方法が提供される。
【００３１】このように、ロードロック室をまず真空排
気し、その後不活性ガスを導入し、その後再びロードロ
ック室を真空排気することにより、装置外部の大気中か
らロードロック室に混入した酸素、水分等の不純物等の
濃度を急速に下げることができる。その結果、高スルー
プットで基板処理を行うことができる。また、ロードロ
ック室から基板搬送室に混入する不純物等の濃度を下げ
ることができるので、基板処理室に基板を搬入する際
に、ロードロック室から基板搬送室に混入する不純物等
によって基板処理室が汚染されることを防止でき、高歩
留まりで基板処理を行うことができる。さらに、通常は
ロードロック室の容積は基板搬送室の容積よりも小さい
ので、基板搬送室において真空排気−不活性ガス導入−
真空排気を行って不純物等を除去するよりもロードロッ
ク室で真空排気−不活性ガス導入−真空排気を行って不
純物等を除去するほうがより効率的に行える。
気し、その後不活性ガスを導入し、その後再びロードロ
ック室を真空排気することにより、装置外部の大気中か
らロードロック室に混入した酸素、水分等の不純物等の
濃度を急速に下げることができる。その結果、高スルー
プットで基板処理を行うことができる。また、ロードロ
ック室から基板搬送室に混入する不純物等の濃度を下げ
ることができるので、基板処理室に基板を搬入する際
に、ロードロック室から基板搬送室に混入する不純物等
によって基板処理室が汚染されることを防止でき、高歩
留まりで基板処理を行うことができる。さらに、通常は
ロードロック室の容積は基板搬送室の容積よりも小さい
ので、基板搬送室において真空排気−不活性ガス導入−
真空排気を行って不純物等を除去するよりもロードロッ
ク室で真空排気−不活性ガス導入−真空排気を行って不
純物等を除去するほうがより効率的に行える。
【００３２】また、請求項１６によれば、前記第３の工
程と前記第４の工程との間に、前記ロードロック室に不
活性ガスを導入しその後前記ロードロック室を真空排気
する工程をさらに少なくとも１回分備えることを特徴と
する請求項１５記載の基板処理方法が提供される。
程と前記第４の工程との間に、前記ロードロック室に不
活性ガスを導入しその後前記ロードロック室を真空排気
する工程をさらに少なくとも１回分備えることを特徴と
する請求項１５記載の基板処理方法が提供される。
【００３３】このような工程をさらに備えることによっ
て、第１の室から基板搬送室に混入した不純物や反応副
生成物等の濃度を急速にさらに下げることができる。
て、第１の室から基板搬送室に混入した不純物や反応副
生成物等の濃度を急速にさらに下げることができる。
【００３４】また、請求項１７によれば、前記基板処理
室が、前記基板に成膜を行う成膜室、前記基板をエッチ
ングするエッチング室、前記基板を予備加熱する予備加
熱室または前記基板の冷却を行う基板冷却室であること
を特徴とする請求項９乃至１６のいずれかに記載の基板
処理方法が提供される。
室が、前記基板に成膜を行う成膜室、前記基板をエッチ
ングするエッチング室、前記基板を予備加熱する予備加
熱室または前記基板の冷却を行う基板冷却室であること
を特徴とする請求項９乃至１６のいずれかに記載の基板
処理方法が提供される。
【００３５】また、請求項１８によれば、所定の圧力の
不活性ガスを所定の容量保持可能なガス溜めに保持され
た前記不活性ガスを前記基板搬送室に導入することによ
って前記基板搬送室への前記不活性ガスの導入を行い、
または所定の圧力の不活性ガスを所定の容量保持可能な
ガス溜めに保持された前記不活性ガスを前記ロードロッ
ク室に導入することによって前記ロードロック室への前
記不活性ガスの導入を行うことを特徴とする請求項９乃
至１７のいずれかに記載の基板処理方法が提供される。
不活性ガスを所定の容量保持可能なガス溜めに保持され
た前記不活性ガスを前記基板搬送室に導入することによ
って前記基板搬送室への前記不活性ガスの導入を行い、
または所定の圧力の不活性ガスを所定の容量保持可能な
ガス溜めに保持された前記不活性ガスを前記ロードロッ
ク室に導入することによって前記ロードロック室への前
記不活性ガスの導入を行うことを特徴とする請求項９乃
至１７のいずれかに記載の基板処理方法が提供される。
【００３６】このように、所定の圧力の不活性ガスを所
定の容量保持可能なガス溜めに保持された不活性ガスを
導入することによって、容易に正確な量の不活性ガスを
迅速に導入できる。
定の容量保持可能なガス溜めに保持された不活性ガスを
導入することによって、容易に正確な量の不活性ガスを
迅速に導入できる。
【００３７】また、請求項１９によれば、第１および第
２の室を備え、前記第１の室から前記第２の室に基板を
搬送可能な基板搬送装置であって、前記第１の室から前
記第２の室に前記基板を搬送する際に、前記第１の室を
真空排気し、その後、前記第１の室に不活性ガスを導入
し、その後、前記第１の室を真空排気し、その後、前記
第１の室と前記第２の室とを連通させて前記第１の室か
ら前記第２の室に前記基板を搬送するようにしたことを
特徴とする基板搬送装置が提供される。
２の室を備え、前記第１の室から前記第２の室に基板を
搬送可能な基板搬送装置であって、前記第１の室から前
記第２の室に前記基板を搬送する際に、前記第１の室を
真空排気し、その後、前記第１の室に不活性ガスを導入
し、その後、前記第１の室を真空排気し、その後、前記
第１の室と前記第２の室とを連通させて前記第１の室か
ら前記第２の室に前記基板を搬送するようにしたことを
特徴とする基板搬送装置が提供される。
【００３８】また、請求項２０によれば、第１および第
２の室を備え、前記第１の室から前記第２の室に基板を
搬送可能な基板搬送装置を使用する基板搬送方法であっ
て、前記第１の室を真空排気する工程と、その後、前記
第１の室に不活性ガスを導入する工程と、その後、前記
第１の室を真空排気する工程と、その後、前記第１の室
と前記第２の室とを連通させて前記第１の室から前記第
２の室に前記基板を搬送する工程とを備えることを特徴
とする基板搬送方法が提供される。
２の室を備え、前記第１の室から前記第２の室に基板を
搬送可能な基板搬送装置を使用する基板搬送方法であっ
て、前記第１の室を真空排気する工程と、その後、前記
第１の室に不活性ガスを導入する工程と、その後、前記
第１の室を真空排気する工程と、その後、前記第１の室
と前記第２の室とを連通させて前記第１の室から前記第
２の室に前記基板を搬送する工程とを備えることを特徴
とする基板搬送方法が提供される。
【００３９】上記のように、第１の室をまず真空排気
し、その後不活性ガスを導入し、その後再び第１の室を
真空排気することにより、第１の室に混入した不純物や
反応副生成物等の濃度を急速に下げることができる。そ
の結果、装置を高スループットなものとすることがで
き、また高スループットで基板処理をすることができ
る。しかも、第２の室に基板を搬入する際に、第１の室
から基板搬送室に混入する不純物や反応副生成物等によ
って第２の室が汚染されることを防止でき、高歩留まり
な装置が実現でき、また高歩留まりで基板処理を行うこ
とができる。
し、その後不活性ガスを導入し、その後再び第１の室を
真空排気することにより、第１の室に混入した不純物や
反応副生成物等の濃度を急速に下げることができる。そ
の結果、装置を高スループットなものとすることがで
き、また高スループットで基板処理をすることができ
る。しかも、第２の室に基板を搬入する際に、第１の室
から基板搬送室に混入する不純物や反応副生成物等によ
って第２の室が汚染されることを防止でき、高歩留まり
な装置が実現でき、また高歩留まりで基板処理を行うこ
とができる。
【００４０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００４１】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態の基板処理装置を説明するための概略横
断面図である。
１の実施の形態の基板処理装置を説明するための概略横
断面図である。
【００４２】本実施の形態の基板処理装置１００は、基
板搬送室１、基板本処理室２、基板予備加熱室３および
ロードロック室４を備えている。基板本処理室２におい
ては、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤおよびスパッタ成膜
等の成膜処理や、ドライエッチング等のエッチング処理
等の基板の処理が行われる。
板搬送室１、基板本処理室２、基板予備加熱室３および
ロードロック室４を備えている。基板本処理室２におい
ては、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤおよびスパッタ成膜
等の成膜処理や、ドライエッチング等のエッチング処理
等の基板の処理が行われる。
【００４３】基板搬送室１に、基板本処理室２、基板予
備加熱室３およびロードロック室４が真空室用の隔離弁
５、６および７をそれぞれ介して並列に連結されてい
る。基板搬送室１内には、基板搬送ロボット８が設けら
れている。
備加熱室３およびロードロック室４が真空室用の隔離弁
５、６および７をそれぞれ介して並列に連結されてい
る。基板搬送室１内には、基板搬送ロボット８が設けら
れている。
【００４４】基板搬送室１、基板本処理室２、基板予備
加熱室３およびロードロック室４の各室には、各々独立
の真空排気機構２１、２２、２３および２４をそれぞれ
接続しており、ロードロック室４以外は常時真空排気さ
れている。
加熱室３およびロードロック室４の各室には、各々独立
の真空排気機構２１、２２、２３および２４をそれぞれ
接続しており、ロードロック室４以外は常時真空排気さ
れている。
【００４５】基板搬送室１には、不活性ガス導入機構３
０が接続されている。不活性ガス導入機構３０は、レギ
ュレータ１５、ガス導入弁１１、１２、配管１３、圧力
計１４を備えている。ガス導入弁１１、１２それらの間
に挟まれた配管１３および配管１３に接続された圧力計
１４によってガス溜め１０が構成されている。
０が接続されている。不活性ガス導入機構３０は、レギ
ュレータ１５、ガス導入弁１１、１２、配管１３、圧力
計１４を備えている。ガス導入弁１１、１２それらの間
に挟まれた配管１３および配管１３に接続された圧力計
１４によってガス溜め１０が構成されている。
【００４６】ガス導入弁１２を閉じ、ガス導入弁１１を
開いた状態でレギュレータ１５から不活性ガスを供給
し、圧力計１４が所定の圧力を示すと、ガス導入弁１１
を閉じることによって、ガス溜め１０に所定の圧力の不
活性ガスを所定の容量保持することができる。その後、
ガス導入弁１２を開くことによって、容易に正確な量の
不活性ガスを基板搬送室１に迅速に導入できる。
開いた状態でレギュレータ１５から不活性ガスを供給
し、圧力計１４が所定の圧力を示すと、ガス導入弁１１
を閉じることによって、ガス溜め１０に所定の圧力の不
活性ガスを所定の容量保持することができる。その後、
ガス導入弁１２を開くことによって、容易に正確な量の
不活性ガスを基板搬送室１に迅速に導入できる。
【００４７】本実施の形態の基板処理装置１００におい
ては、基板は次のようにして処理される。
ては、基板は次のようにして処理される。
【００４８】まず、基板搬送室１、基板本処理室２、基
板予備加熱室３の各室は、各々独立の真空排気機構２
１、２２、２３によりそれぞれ常時真空排気されてい
る。
板予備加熱室３の各室は、各々独立の真空排気機構２
１、２２、２３によりそれぞれ常時真空排気されてい
る。
【００４９】この状態で、大気中の基板を大気圧状態の
ロードロック室４内に取り込み、その後ロードロック室
４を真空排気機構２４により真空排気する。その後、ロ
ードロック室４内の基板を、真空搬送ロボット８により
基板搬送室１を通過して基板予備加熱室３に搬入し、基
板の予備加熱処理を行う。
ロードロック室４内に取り込み、その後ロードロック室
４を真空排気機構２４により真空排気する。その後、ロ
ードロック室４内の基板を、真空搬送ロボット８により
基板搬送室１を通過して基板予備加熱室３に搬入し、基
板の予備加熱処理を行う。
【００５０】その後、同様に基板予備加熱室３内の基板
を基板本処理室２に搬送し成膜、エッチング等の所定の
処理を行い、再びロードロック室４に搬入し大気中に払
い出す。
を基板本処理室２に搬送し成膜、エッチング等の所定の
処理を行い、再びロードロック室４に搬入し大気中に払
い出す。
【００５１】このような処理方法において、本実施の形
態においては、ロードロック室４から予備加熱室３への
基板の搬送、予備加熱室３から基板本処理室２への基板
の搬送、および基板本処理室２からロードロック室４へ
の基板の搬送の際に、不活性ガス導入機構３０と真空排
気機構２１とを利用して基板搬送室１の不活性ガスによ
る回分パージを行なって、汚染物質の高速除去を行う。
態においては、ロードロック室４から予備加熱室３への
基板の搬送、予備加熱室３から基板本処理室２への基板
の搬送、および基板本処理室２からロードロック室４へ
の基板の搬送の際に、不活性ガス導入機構３０と真空排
気機構２１とを利用して基板搬送室１の不活性ガスによ
る回分パージを行なって、汚染物質の高速除去を行う。
【００５２】より具体的には、次のようにして行う。な
お、次において、ロードロック室４から予備加熱室３へ
の基板の搬送の場合には、基板を取り出す室（チャン
バ）はロードロック室４であり、基板を受け取る室（チ
ャンバ）は予備加熱室３である。予備加熱室３から基板
本処理室２への基板の搬送の場合には、基板を取り出す
チャンバは予備加熱室３であり、基板を受け取るチャン
バは基板本処理室２である。また、基板本処理室２から
ロードロック室４への基板の搬送の場合には、基板を取
り出すチャンバは基板本処理室２であり、基板を受け取
るチャンバはロードロック室４である。
お、次において、ロードロック室４から予備加熱室３へ
の基板の搬送の場合には、基板を取り出す室（チャン
バ）はロードロック室４であり、基板を受け取る室（チ
ャンバ）は予備加熱室３である。予備加熱室３から基板
本処理室２への基板の搬送の場合には、基板を取り出す
チャンバは予備加熱室３であり、基板を受け取るチャン
バは基板本処理室２である。また、基板本処理室２から
ロードロック室４への基板の搬送の場合には、基板を取
り出すチャンバは基板本処理室２であり、基板を受け取
るチャンバはロードロック室４である。
【００５３】工程１） まず、基板搬送室１、基板を取
り出す室（チャンバ）および基板を受け取る室（チャン
バ）を真空引きしておく。この場合には、基板搬送室１
と基板を取り出すチャンバとの間の隔離弁および基板搬
送室１と基板を受け取るチャンバとの間の隔離弁は閉じ
ておく。
り出す室（チャンバ）および基板を受け取る室（チャン
バ）を真空引きしておく。この場合には、基板搬送室１
と基板を取り出すチャンバとの間の隔離弁および基板搬
送室１と基板を受け取るチャンバとの間の隔離弁は閉じ
ておく。
【００５４】工程２） 一方では、ガス導入弁１２を閉
じた状態でガス導入弁１１を開きガス溜め１０内に不活
性ガス（例えばＮ2 、Ａｒ、Ｈｅ）を導入し、圧力計１
４及びレギュレータ１５で所定の圧力に調節する。余分
に不活性ガスが導入されないようにガス導入弁１１を閉
める。
じた状態でガス導入弁１１を開きガス溜め１０内に不活
性ガス（例えばＮ2 、Ａｒ、Ｈｅ）を導入し、圧力計１
４及びレギュレータ１５で所定の圧力に調節する。余分
に不活性ガスが導入されないようにガス導入弁１１を閉
める。
【００５５】工程３） その後、基板を取り出すチャン
バー側の隔離弁を開き、基板搬送ロボット８を用いて、
基板を基板搬送室１内に搬入する。
バー側の隔離弁を開き、基板搬送ロボット８を用いて、
基板を基板搬送室１内に搬入する。
【００５６】工程４） その後、ガス導入弁１２を開き
基板搬送室１内に不活性ガスを導入し、汚染物質を希釈
し、隔離弁を閉じる。
基板搬送室１内に不活性ガスを導入し、汚染物質を希釈
し、隔離弁を閉じる。
【００５７】工程５） その後、ガス導入弁１２を閉じ
て基板搬送室１内を真空排気機構２１により高真空まで
排気する。
て基板搬送室１内を真空排気機構２１により高真空まで
排気する。
【００５８】工程６） その後、ガス導入弁１１を開き
ガス溜め１０に新たな不活性ガスを充填する。
ガス溜め１０に新たな不活性ガスを充填する。
【００５９】工程７） その後、基板を受け取るチャン
バー側の隔離弁を開き、基板を基板搬送ロボット８で基
板搬送室から搬出する。
バー側の隔離弁を開き、基板を基板搬送ロボット８で基
板搬送室から搬出する。
【００６０】工程８） その後、隔離弁を閉じる。
【００６１】工程９） その後、ガス導入弁１２を開き
基板搬送室１内に不活性ガスを導入する。
基板搬送室１内に不活性ガスを導入する。
【００６２】工程１０） その後、ガス導入弁１２を閉
じて基板搬送室１内を真空排気機構２１により高真空ま
で排気する。
じて基板搬送室１内を真空排気機構２１により高真空ま
で排気する。
【００６３】工程１１） その後、ガス導入弁１１を開
きガス溜め１０に新たな不活性ガスを充填する。なお、
基板を取り出すチャンバーは、チャンバー内を大気圧に
戻すとき以外は、真空引きされている。
きガス溜め１０に新たな不活性ガスを充填する。なお、
基板を取り出すチャンバーは、チャンバー内を大気圧に
戻すとき以外は、真空引きされている。
【００６４】工程１２） その後、工程３）に戻る。
【００６５】なお、基板搬送時に、隔離弁を開けたまま
基板の入れ替えを行うような装置においては、上記基板
の搬入、搬出は、基板の入れ替えで統一され、工程７）
から工程４）にもどる流れとなる。
基板の入れ替えを行うような装置においては、上記基板
の搬入、搬出は、基板の入れ替えで統一され、工程７）
から工程４）にもどる流れとなる。
【００６６】本実施の形態では、上記のように、予め基
板搬送室１を真空排気しておき、その後基板搬送室１に
不活性ガスを導入し、その後再び基板搬送室１を真空排
気し、その後に基板を受け取るチャンバー側の隔離弁を
開き基板を基板搬送ロボット８で基板搬送室から基板を
受け取るチャンバーに搬送しているので、ロードロック
室４から予備加熱室３へ基板を搬送する場合に基板取り
込み時にロードロック室４内に混入する酸素、水分等の
不純物、または基板予備加熱中に基板予備加熱室３にお
いて発生する酸素、水分等の不純物が基板搬送時に基板
本処理室２内を汚染し素子特性の劣化を引き起こすこと
が防止され、また、基板本処理室２内の残留反応性ガス
や基板処理に伴う副生成物が、基板搬送時に基板搬送室
１内を汚染し、パーティクル発生の原因となることも防
止される。
板搬送室１を真空排気しておき、その後基板搬送室１に
不活性ガスを導入し、その後再び基板搬送室１を真空排
気し、その後に基板を受け取るチャンバー側の隔離弁を
開き基板を基板搬送ロボット８で基板搬送室から基板を
受け取るチャンバーに搬送しているので、ロードロック
室４から予備加熱室３へ基板を搬送する場合に基板取り
込み時にロードロック室４内に混入する酸素、水分等の
不純物、または基板予備加熱中に基板予備加熱室３にお
いて発生する酸素、水分等の不純物が基板搬送時に基板
本処理室２内を汚染し素子特性の劣化を引き起こすこと
が防止され、また、基板本処理室２内の残留反応性ガス
や基板処理に伴う副生成物が、基板搬送時に基板搬送室
１内を汚染し、パーティクル発生の原因となることも防
止される。
【００６７】そして、本実施の形態では、予め基板搬送
室１を真空排気しておき、その後基板搬送室１に不活性
ガスを導入し、その後再び基板搬送室１を真空排気する
ので、基板搬送室１内の汚染物質を高速に除去すること
ができ、その結果、装置のスループットを高めることが
できる。
室１を真空排気しておき、その後基板搬送室１に不活性
ガスを導入し、その後再び基板搬送室１を真空排気する
ので、基板搬送室１内の汚染物質を高速に除去すること
ができ、その結果、装置のスループットを高めることが
できる。
【００６８】本実施の形態においては、上記のように、
不活性ガス導入機構３０と真空排気機構２１とを利用し
て基板搬送室１の不活性ガスによる回分パージを行なっ
て、汚染物質の高速除去を行った。ここで、不活性ガス
による回分パージとは、ある室を予め真空排気してお
き、その後その室に不活性ガスを導入し、その後再びそ
の室を真空排気すること、ならびに、その後その室への
不活性ガスの導入およびその室の真空排気を繰り返すこ
とをいう。このようにすれば、室内を単純に真空排気し
続けるよりも、迅速に室内の不純物濃度を下げることが
できる。上記本実施の形態においては、室を予め真空排
気しておきその後その室に不活性ガスを導入しその後再
びその室を真空排気するという１サイクルの回分パージ
を行ったが、その後、その室への不活性ガスの導入およ
びその室の真空排気を繰り返すことにより、さらに、不
純物濃度を減少させることができる。
不活性ガス導入機構３０と真空排気機構２１とを利用し
て基板搬送室１の不活性ガスによる回分パージを行なっ
て、汚染物質の高速除去を行った。ここで、不活性ガス
による回分パージとは、ある室を予め真空排気してお
き、その後その室に不活性ガスを導入し、その後再びそ
の室を真空排気すること、ならびに、その後その室への
不活性ガスの導入およびその室の真空排気を繰り返すこ
とをいう。このようにすれば、室内を単純に真空排気し
続けるよりも、迅速に室内の不純物濃度を下げることが
できる。上記本実施の形態においては、室を予め真空排
気しておきその後その室に不活性ガスを導入しその後再
びその室を真空排気するという１サイクルの回分パージ
を行ったが、その後、その室への不活性ガスの導入およ
びその室の真空排気を繰り返すことにより、さらに、不
純物濃度を減少させることができる。
【００６９】図２は、本発明の実施の形態における基板
搬送室１内の圧力変動を説明するための図である。回分
パージにより、Ｎ2 等の不活性ガスを導入し、続いて真
空排気することによって、１０3 倍の圧力差が、３回起
きており、汚染物質を含むガスが１０9 倍の容量の清浄
な不活性ガスにより薄められたことになり、よって汚染
物質量としては１０-9倍に低減する。
搬送室１内の圧力変動を説明するための図である。回分
パージにより、Ｎ2 等の不活性ガスを導入し、続いて真
空排気することによって、１０3 倍の圧力差が、３回起
きており、汚染物質を含むガスが１０9 倍の容量の清浄
な不活性ガスにより薄められたことになり、よって汚染
物質量としては１０-9倍に低減する。
【００７０】（第２の実施の形態）図３は、本発明の第
２の実施の形態の基板処理装置を説明するための概略横
断面図である。
２の実施の形態の基板処理装置を説明するための概略横
断面図である。
【００７１】上述の第１の実施の形態では基板搬送室１
に不活性ガス導入機構３０を接続して基板搬送室１の回
分パージを行ったが、本実施の形態では、ロードロック
室４に不活性ガス導入機構３０を接続して、この不活性
ガス導入機構３０と真空排気機構２４とによりロードロ
ック室４の回分パージを行う点が第１の実施の形態と異
なるが、他の点は同様である。なお、この回分パージ
は、ロードロック室４から予備加熱室３に基板を搬送す
る際に行う。
に不活性ガス導入機構３０を接続して基板搬送室１の回
分パージを行ったが、本実施の形態では、ロードロック
室４に不活性ガス導入機構３０を接続して、この不活性
ガス導入機構３０と真空排気機構２４とによりロードロ
ック室４の回分パージを行う点が第１の実施の形態と異
なるが、他の点は同様である。なお、この回分パージ
は、ロードロック室４から予備加熱室３に基板を搬送す
る際に行う。
【００７２】より具体的には、次のようにして行う。
【００７３】工程１） まず、基板搬送室１、基板本処
理室２、基板予備加熱室３を真空引きしておく。この場
合には、隔離弁５、６、７は閉じておく。
理室２、基板予備加熱室３を真空引きしておく。この場
合には、隔離弁５、６、７は閉じておく。
【００７４】工程２） 一方では、ガス導入弁１２を閉
じた状態でガス導入弁１１を開きガス溜め１０内に不活
性ガスを導入し、圧力計１４及びレギュレータ１５で所
定の圧力に調節する。余分に不活性ガスが導入されない
ようにガス導入弁１１を閉めておく。
じた状態でガス導入弁１１を開きガス溜め１０内に不活
性ガスを導入し、圧力計１４及びレギュレータ１５で所
定の圧力に調節する。余分に不活性ガスが導入されない
ようにガス導入弁１１を閉めておく。
【００７５】工程３） その後、ロードロック室４に基
板処理装置２００の外部の大気中から基板を搬入する。
板処理装置２００の外部の大気中から基板を搬入する。
【００７６】工程４） その後、ロードロック室４を真
空排気機構２４によって真空排気する。
空排気機構２４によって真空排気する。
【００７７】工程５） その後、ガス導入弁１２を開き
ロードロック室４１内に不活性ガスを導入し、汚染物質
を希釈する。
ロードロック室４１内に不活性ガスを導入し、汚染物質
を希釈する。
【００７８】工程６） その後、ロードロック室４を真
空排気機構２４によって真空排気する。一方では、ガス
溜め１０内に不活性ガスを溜めておく。
空排気機構２４によって真空排気する。一方では、ガス
溜め１０内に不活性ガスを溜めておく。
【００７９】工程７） その後、ガス導入弁１２を開き
ロードロック室４１内に不活性ガスを導入し、その後、
ロードロック室４を真空排気機構２４によって真空排気
する。必要に応じて、この工程７）を所定回数繰り返
す。場合によっては、この工程７）を省略してもよい。
ロードロック室４１内に不活性ガスを導入し、その後、
ロードロック室４を真空排気機構２４によって真空排気
する。必要に応じて、この工程７）を所定回数繰り返
す。場合によっては、この工程７）を省略してもよい。
【００８０】工程８） その後、隔離弁７を開き、基板
搬送ロボット８を用いて、基板を基板搬送室１内に搬入
する。
搬送ロボット８を用いて、基板を基板搬送室１内に搬入
する。
【００８１】工程９） その後、隔離弁７を閉じる。
【００８２】工程１０） その後、隔離弁６を開け、基
板を基板搬送ロボット８で基板搬送室１から予備加熱室
３に搬入する。
板を基板搬送ロボット８で基板搬送室１から予備加熱室
３に搬入する。
【００８３】工程１１） その後、隔離弁６を閉じる。
【００８４】このように、ロードロック室４をまず真空
排気し、その後不活性ガスを導入し、その後再びロード
ロック室４を真空排気することにより、装置外部の大気
中からロードロック室４に混入した酸素、水分等の不純
物等の濃度を急速に下げることができる。その結果、高
スループットで基板処理を行うことができる。また、ロ
ードロック室から基板搬送室４に混入する不純物等の濃
度を下げることができるので、予備加熱室３に基板を搬
入する際に、ロードロック室４から基板搬送室１に混入
する不純物等によって予備加熱室３が汚染されることを
防止でき、また、基板搬送室１の汚染も防止できるので
予備加熱後基板本処理室２に基板を搬送する際の基板搬
送室１からの汚染の混入も防止でき、その結果、高歩留
まりで基板処理を行うことができる。さらに、通常はロ
ードロック室４の容積は基板搬送室１の容積よりも小さ
い（例えば、約１／１０）ので、基板搬送室１において
真空排気−不活性ガス導入−真空排気を行って不純物等
を除去するよりもロードロック室４で真空排気−不活性
ガス導入−真空排気を行って不純物等を除去するほうが
より効率的に行え、パージ時間が少なくて済むか、もし
くは、より汚染物質の低減を図ることができる。
排気し、その後不活性ガスを導入し、その後再びロード
ロック室４を真空排気することにより、装置外部の大気
中からロードロック室４に混入した酸素、水分等の不純
物等の濃度を急速に下げることができる。その結果、高
スループットで基板処理を行うことができる。また、ロ
ードロック室から基板搬送室４に混入する不純物等の濃
度を下げることができるので、予備加熱室３に基板を搬
入する際に、ロードロック室４から基板搬送室１に混入
する不純物等によって予備加熱室３が汚染されることを
防止でき、また、基板搬送室１の汚染も防止できるので
予備加熱後基板本処理室２に基板を搬送する際の基板搬
送室１からの汚染の混入も防止でき、その結果、高歩留
まりで基板処理を行うことができる。さらに、通常はロ
ードロック室４の容積は基板搬送室１の容積よりも小さ
い（例えば、約１／１０）ので、基板搬送室１において
真空排気−不活性ガス導入−真空排気を行って不純物等
を除去するよりもロードロック室４で真空排気−不活性
ガス導入−真空排気を行って不純物等を除去するほうが
より効率的に行え、パージ時間が少なくて済むか、もし
くは、より汚染物質の低減を図ることができる。
【００８５】なお、本実施の形態においては、ロードロ
ック室４から予備加熱室３への基板の搬送の際に、ロー
ドック室４内の回分パージを行ったが、第１の実施の形
態のように、基板搬送室１にも不活性ガス導入機構を連
結させて、予備加熱室３から基板本処理室２への基板の
搬送に基板搬送室１に連結した不活性ガス導入機構と真
空排気機構２１とを利用して基板搬送室１の不活性ガス
による回分パージを行なえば、基板予備加熱中に基板予
備加熱室３において発生する酸素、水分等の不純物が基
板搬送時に基板本処理室２内を汚染し素子特性の劣化を
引き起こすことが防止され、また、基板本処理室２から
ロードロック室４への基板の搬送の際に、基板搬送室１
に連結した不活性ガス導入機構と真空排気機構２１とを
利用して基板搬送室１の不活性ガスによる回分パージを
行なえば、基板本処理室２内の残留反応性ガスや基板処
理に伴う副生成物が、基板搬送時に基板搬送室１内を汚
染し、パーティクル発生の原因となることも防止され
る。
ック室４から予備加熱室３への基板の搬送の際に、ロー
ドック室４内の回分パージを行ったが、第１の実施の形
態のように、基板搬送室１にも不活性ガス導入機構を連
結させて、予備加熱室３から基板本処理室２への基板の
搬送に基板搬送室１に連結した不活性ガス導入機構と真
空排気機構２１とを利用して基板搬送室１の不活性ガス
による回分パージを行なえば、基板予備加熱中に基板予
備加熱室３において発生する酸素、水分等の不純物が基
板搬送時に基板本処理室２内を汚染し素子特性の劣化を
引き起こすことが防止され、また、基板本処理室２から
ロードロック室４への基板の搬送の際に、基板搬送室１
に連結した不活性ガス導入機構と真空排気機構２１とを
利用して基板搬送室１の不活性ガスによる回分パージを
行なえば、基板本処理室２内の残留反応性ガスや基板処
理に伴う副生成物が、基板搬送時に基板搬送室１内を汚
染し、パーティクル発生の原因となることも防止され
る。
【００８６】なお、本発明の基板処理装置および基板処
理方法は、基板としてＳｉウェハ等の半導体ウェーハや
液晶表示素子形成用のガラス基板等を用いる場合に、特
に好適に用いられる。
理方法は、基板としてＳｉウェハ等の半導体ウェーハや
液晶表示素子形成用のガラス基板等を用いる場合に、特
に好適に用いられる。
【００８７】
【発明の効果】以上に説明したように本発明を用いれ
ば、基板搬送室内またはロードロック室内の汚染物質を
高速で除去することができるようになり、高歩留まり、
高スループットの基板処理装置が実現でき、また、高歩
留まり、高スループットで基板処理ができるようにな
る。
ば、基板搬送室内またはロードロック室内の汚染物質を
高速で除去することができるようになり、高歩留まり、
高スループットの基板処理装置が実現でき、また、高歩
留まり、高スループットで基板処理ができるようにな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の基板処理装置を説
明するための概略横断面図である。
明するための概略横断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における基板搬送室内の圧
力変動を説明するための図である。
力変動を説明するための図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の基板処理装置を説
明するための概略横断面図である。
明するための概略横断面図である。
【図４】従来の基板処理装置を説明するための概略横断
面図である。
面図である。
１…基板搬送室 ２…基板本処理室 ３…基板予備加熱室 ４…ロードロック室 ５、６、７…隔離弁 ８…基板搬送ロボット １０…ガス溜め １１、１２…ガス導入弁 １３…配管 １４…圧力計 １５…レギュレータ ２１、２２、２３、２４…真空排気機構 ３０…不活性ガス導入機構 １００、２００、３００…基板処理装置
Claims (20)
- 【請求項１】基板搬送室と、前記基板搬送室に並列に連
結された第１および第２の室とを備え、前記基板搬送室
を介して前記第１の室から前記第２の室に基板を搬送可
能な基板処理装置であって、 前記第１の室から前記第２の室に前記基板を搬送する際
に、 前記第１の室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排
気しておきその後前記第１の室と前記基板搬送室とを連
通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が
搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に前記基
板を搬送した後前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、
または前記第１の室と前記基板搬送室とを連通させて前
記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な
状態にした後または前記基板搬送室に前記基板を搬送し
た後前記基板搬送室を真空排気しその後前記基板搬送室
に不活性ガスを導入し、 その後、前記基板搬送室を真空排気し、 その後、前記基板搬送室と前記第２の室とを連通させて
前記基板を前記第２の室に搬送するようにしたことを特
徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】前記第１の室から前記第２の室に前記基板
を搬送する際に、 前記第１の室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排
気しておきその後前記第１の室と前記基板搬送室とを連
通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が
搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に前記基
板を搬送した後前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、 その後、前記基板搬送室を真空排気し、 その後、前記基板搬送室と前記第２の室とを連通させて
前記基板を前記第２の室に搬送するようにしたことを特
徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】前記第１および第２の室が真空室であるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。 - 【請求項４】前記第１の室がロードロック室であり、前
記第２の室が基板処理室であることを特徴とする請求項
３記載の基板処理装置。 - 【請求項５】前記第１および第２の室が基板処理室であ
ることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。 - 【請求項６】基板搬送室と、前記基板搬送室に並列に連
結されたロードロック室および基板処理室とを備え、前
記基板搬送室を介して前記ロードロック室から前記基板
処理室に基板を搬送可能な基板処理装置であって、 前記ロードロック室から前記基板処理室に前記基板を搬
送する際に、 前記ロードロック室を真空排気し、 その後、前記ロードロック室に不活性ガスを導入し、 その後、前記ロードロック室を真空排気し、 その後、前記ロードロック室と前記基板搬送室とを連通
させて前記ロードロック室から前記基板搬送室に前記基
板が搬送可能な状態にしまたは前記基板搬送室に前記基
板を搬送し、 その後、前記基板搬送室を介して前記基板を前記基板処
理室に搬送するようにしたことを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項７】前記基板処理室が、前記基板に成膜を行う
成膜室、前記基板をエッチングするエッチング室、前記
基板を予備加熱する予備加熱室または前記基板の冷却を
行う基板冷却室であることを特徴とする請求項１乃至６
のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項８】所定の圧力の不活性ガスを所定の容量保持
可能なガス溜めをさらに備え、前記ガス溜めに保持され
た前記不活性ガスを前記基板搬送室に導入することによ
って前記基板搬送室への前記不活性ガスの導入を行い、
または前記ガス溜めに保持された前記不活性ガスを前記
ロードロック室に導入することによって前記ロードロッ
ク室への前記不活性ガスの導入を行うことを特徴とする
請求項１乃至７のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項９】基板搬送室と、前記基板搬送室に並列に連
結された第１および第２の室とを備え、前記基板搬送室
を介して前記第１の室から前記第２の室に基板を搬送可
能な基板処理装置を使用して基板の処理を行う基板処理
方法であって、 前記第１の室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排
気しておきその後前記第１の室と前記基板搬送室とを連
通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が
搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に前記基
板を搬送した後前記基板搬送室に不活性ガスを導入し、
または前記第１の室と前記基板搬送室とを連通させて前
記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が搬送可能な
状態にした後または前記基板搬送室に前記基板を搬送し
た後前記基板搬送室を真空排気しその後前記基板搬送室
に不活性ガスを導入する第１の工程と、 その後、前記基板搬送室を真空排気する第２の工程と、 その後、前記基板搬送室と前記第２の室とを連通させて
前記基板を前記第２の室に搬送する第３の工程とを備え
ることを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項１０】前記第１の工程が、 前記第１の室と前記基板搬送室とをそれぞれ予め真空排
気しておきその後前記第１の室と前記基板搬送室とを連
通させて前記第１の室から前記基板搬送室に前記基板が
搬送可能な状態にした後または前記基板搬送室に前記基
板を搬送した後前記基板搬送室に不活性ガスを導入する
工程であることを特徴とする請求項９記載の基板処理方
法。 - 【請求項１１】前記第１および第２の室が真空室である
ことを特徴とする請求項９または１０記載の基板処理方
法。 - 【請求項１２】前記第１の室がロードロック室であり、
前記第２の室が基板処理室であることを特徴とする請求
項１１記載の基板処理方法。 - 【請求項１３】前記第１および第２の室が基板処理室で
あることを特徴とする請求項１１記載の基板処理方法。 - 【請求項１４】前記第２の工程と前記第３の工程との間
に、 前記基板搬送室に不活性ガスを導入しその後前記基板搬
送室を真空排気する工程をさらに少なくとも１回分備え
ることを特徴とする請求項９乃至１３のいずれかに記載
の基板処理方法。 - 【請求項１５】基板搬送室と、前記基板搬送室に並列に
連結されたロードロック室および基板処理室とを備え、
前記基板搬送室を介して前記ロードロック室から前記基
板処理室に基板を搬送可能な基板処理装置を使用して基
板の処理を行う基板処理方法であって、 前記ロードロック室を真空排気する第１の工程と、 その後、前記ロードロック室に不活性ガスを導入する第
２の工程と、 その後、前記ロードロック室を真空排気する第３の工程
と、 その後、前記ロードロック室と前記基板搬送室とを連通
させて前記ロードロック室から前記基板搬送室に前記基
板が搬送可能な状態にしまたは前記基板搬送室に前記基
板を搬送する第４の工程と、 その後、前記基板搬送室を介して前記基板を前記基板処
理室に搬送する第５の工程とを備えることを特徴とする
基板処理方法。 - 【請求項１６】前記第３の工程と前記第４の工程との間
に、 前記ロードロック室に不活性ガスを導入しその後前記ロ
ードロック室を真空排気する工程をさらに少なくとも１
回分備えることを特徴とする請求項１５記載の基板処理
方法。 - 【請求項１７】前記基板処理室が、前記基板に成膜を行
う成膜室、前記基板をエッチングするエッチング室、前
記基板を予備加熱する予備加熱室または前記基板の冷却
を行う基板冷却室であることを特徴とする請求項９乃至
１６のいずれかに記載の基板処理方法。 - 【請求項１８】所定の圧力の不活性ガスを所定の容量保
持可能なガス溜めに保持された前記不活性ガスを前記基
板搬送室に導入することによって前記基板搬送室への前
記不活性ガスの導入を行い、または所定の圧力の不活性
ガスを所定の容量保持可能なガス溜めに保持された前記
不活性ガスを前記ロードロック室に導入することによっ
て前記ロードロック室への前記不活性ガスの導入を行う
ことを特徴とする請求項９乃至１７のいずれかに記載の
基板処理方法。 - 【請求項１９】第１および第２の室を備え、前記第１の
室から前記第２の室に基板を搬送可能な基板搬送装置で
あって、 前記第１の室から前記第２の室に前記基板を搬送する際
に、 前記第１の室を真空排気し、 その後、前記第１の室に不活性ガスを導入し、 その後、前記第１の室を真空排気し、 その後、前記第１の室と前記第２の室とを連通させて前
記第１の室から前記第２の室に前記基板を搬送するよう
にしたことを特徴とする基板搬送装置。 - 【請求項２０】第１および第２の室を備え、前記第１の
室から前記第２の室に基板を搬送可能な基板搬送装置を
使用する基板搬送方法であって、 前記第１の室を真空排気する工程と、 その後、前記第１の室に不活性ガスを導入する工程と、 その後、前記第１の室を真空排気する工程と、 その後、前記第１の室と前記第２の室とを連通させて前
記第１の室から前記第２の室に前記基板を搬送する工程
とを備えることを特徴とする基板搬送方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1345298A JP3361986B2 (ja) | 1998-01-07 | 1998-01-07 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1345298A JP3361986B2 (ja) | 1998-01-07 | 1998-01-07 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204616A true JPH11204616A (ja) | 1999-07-30 |
| JP3361986B2 JP3361986B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=11833545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1345298A Expired - Lifetime JP3361986B2 (ja) | 1998-01-07 | 1998-01-07 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3361986B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034740A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システム |
| JP2010040746A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| US20110212605A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus |
| JP2013131617A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
1998
- 1998-01-07 JP JP1345298A patent/JP3361986B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034740A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システム |
| JP2010040746A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| US20110212605A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus |
| WO2011105183A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus |
| JP2011199271A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子の作製方法、成膜装置 |
| US8772160B2 (en) * | 2010-02-26 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus |
| JP2013131617A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3361986B2 (ja) | 2003-01-07 |
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