JPH11204712A - リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及びそれを用いた半導体装置Info
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- JPH11204712A JPH11204712A JP240798A JP240798A JPH11204712A JP H11204712 A JPH11204712 A JP H11204712A JP 240798 A JP240798 A JP 240798A JP 240798 A JP240798 A JP 240798A JP H11204712 A JPH11204712 A JP H11204712A
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- semiconductor device
- lead frame
- corner
- frame
- burrs
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の樹脂封止時に、中にあるモー
ルド樹脂が一部はみ出し、バリが発生し半導体装置に残
ってしまうと、半導体装置の大きさがばらばらになり、
この後のテスト工程など様々な工程で望ましくない。ま
た、半導体装置のほとんどのテストソケットは、半導体
装置コーナーにて位置を決定しているため、テストソケ
ットにきちんと収まらない場合が発生してしまう等の問
題があった。 【解決手段】 半導体装置のコーナーからフレームが露
出させる。
ルド樹脂が一部はみ出し、バリが発生し半導体装置に残
ってしまうと、半導体装置の大きさがばらばらになり、
この後のテスト工程など様々な工程で望ましくない。ま
た、半導体装置のほとんどのテストソケットは、半導体
装置コーナーにて位置を決定しているため、テストソケ
ットにきちんと収まらない場合が発生してしまう等の問
題があった。 【解決手段】 半導体装置のコーナーからフレームが露
出させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレーム及び
半導体装置の製造方法に関するもので、特に樹脂封止半
導体装置に用いられるものである。
半導体装置の製造方法に関するもので、特に樹脂封止半
導体装置に用いられるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置においてのモールド樹
脂封止を終えた半導体装置は、外装処理、Ｔ／Ｆ（リー
ド形成）、マークの工程を経てユーザーにわたる形状に
なる。近年の表面実装デバイスの多ピン化、狭ピッチ化
の流れは、より精度の高いリード形状を要求しており、
以下に従来の技術について図６から図９を用いて説明す
る。
脂封止を終えた半導体装置は、外装処理、Ｔ／Ｆ（リー
ド形成）、マークの工程を経てユーザーにわたる形状に
なる。近年の表面実装デバイスの多ピン化、狭ピッチ化
の流れは、より精度の高いリード形状を要求しており、
以下に従来の技術について図６から図９を用いて説明す
る。
【０００３】まず、図６は従来の半導体装置を示す平面
図である。モールド樹脂で封止した半導体装置のボディ
ー１０３の中には、封止された半導体チップが埋め込ま
れている。図６の従来の半導体装置を示す平面図は、封
止が終了した後のものである。
図である。モールド樹脂で封止した半導体装置のボディ
ー１０３の中には、封止された半導体チップが埋め込ま
れている。図６の従来の半導体装置を示す平面図は、封
止が終了した後のものである。
【０００４】上記、封止工程において、半導体チップを
載置したリードフレームを金型で挟み込んで封止を行っ
たときに、封止部にあるモールド樹脂が一部はみ出し、
漏れてしまうことがある。多くの場合、多少なりともは
み出してしまう。これをバリ１０２といい、図６におい
ては、半導体装置のボディー１０３の周りにはみ出した
形で示されている。
載置したリードフレームを金型で挟み込んで封止を行っ
たときに、封止部にあるモールド樹脂が一部はみ出し、
漏れてしまうことがある。多くの場合、多少なりともは
み出してしまう。これをバリ１０２といい、図６におい
ては、半導体装置のボディー１０３の周りにはみ出した
形で示されている。
【０００５】樹脂封止をするときに、半導体装置のボデ
ィー１０３の端部には、隙間ができ、その隙間に樹脂が
入り込み、封止後バリ１０２として残ってしまう。次に
図７に示すように、この状態からダムバー１０６のカッ
トを行う。ダムバーカットを行うと図７に示すバリ１０
２のようにダムバーカットによってバリ１０２が取れた
り取れなかったりする。特に半導体装置のコーナー部の
バリ１０２はほとんど取れないことが多い。
ィー１０３の端部には、隙間ができ、その隙間に樹脂が
入り込み、封止後バリ１０２として残ってしまう。次に
図７に示すように、この状態からダムバー１０６のカッ
トを行う。ダムバーカットを行うと図７に示すバリ１０
２のようにダムバーカットによってバリ１０２が取れた
り取れなかったりする。特に半導体装置のコーナー部の
バリ１０２はほとんど取れないことが多い。
【０００６】図８は従来のリードフレームの形状を示し
ている。従来のリードフレームの形状を見ると、モール
ド樹脂で封止される半導体装置のボディー１０３のボデ
ィーの端１０４におけるコーナー部分（半導体装置のボ
ディー端）１０５が、リードフレーム枠１０７に一定の
間隔をおいて配置されているのがわかる。このことか
ら、リードフレーム１０１と半導体装置のボディー端１
０５との間に隙間ができ、バリの発生の原因となってい
た。
ている。従来のリードフレームの形状を見ると、モール
ド樹脂で封止される半導体装置のボディー１０３のボデ
ィーの端１０４におけるコーナー部分（半導体装置のボ
ディー端）１０５が、リードフレーム枠１０７に一定の
間隔をおいて配置されているのがわかる。このことか
ら、リードフレーム１０１と半導体装置のボディー端１
０５との間に隙間ができ、バリの発生の原因となってい
た。
【０００７】上記の状態を図９の断面図をもって説明す
る。図９は図６のＸ−Ｘ’における断面図である。図９
に示すように、モールド樹脂で封止した半導体装置のボ
ディー１０３とリードフレーム１０１の間に、金型から
はみ出したモールド樹脂がバリ１０２として残ってい
る。このときのリードフレーム１０１の厚さｄは、０．
１から０．２５ｍｍである。
る。図９は図６のＸ−Ｘ’における断面図である。図９
に示すように、モールド樹脂で封止した半導体装置のボ
ディー１０３とリードフレーム１０１の間に、金型から
はみ出したモールド樹脂がバリ１０２として残ってい
る。このときのリードフレーム１０１の厚さｄは、０．
１から０．２５ｍｍである。
【０００８】前述のように、バリ１０２が半導体装置に
残ってしまうと、半導体装置の端部が所定の形状になら
ないという弊害がある。半導体装置の端部が一定の形状
でないと、当然この後のテスト工程など様々な工程で望
ましくない。半導体装置のほとんどのテストソケット
は、半導体装置コーナーにて位置を決定している。この
ため、半導体装置をテストソケットに挿入しようとする
と、半導体装置のコーナー部のバリ１０２がテストソケ
ットに接触したりしなかったりするので、半導体装置が
テストソケットにきちんと収まらない場合が発生してし
まう。以上のことから、テストのためのテストソケット
への挿入が非常に困難であった。
残ってしまうと、半導体装置の端部が所定の形状になら
ないという弊害がある。半導体装置の端部が一定の形状
でないと、当然この後のテスト工程など様々な工程で望
ましくない。半導体装置のほとんどのテストソケット
は、半導体装置コーナーにて位置を決定している。この
ため、半導体装置をテストソケットに挿入しようとする
と、半導体装置のコーナー部のバリ１０２がテストソケ
ットに接触したりしなかったりするので、半導体装置が
テストソケットにきちんと収まらない場合が発生してし
まう。以上のことから、テストのためのテストソケット
への挿入が非常に困難であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】近年の表面実装デバイ
スの多ピン化、狭ピッチ化の流れは、より精度の高いリ
ード形状を要求されるようになった。樹脂封止型半導体
装置においてリードフレームと金型で挟み込んで封止を
行ったときに、モールド樹脂が一部はみ出し、漏れてし
まうことがある。このバリが、樹脂封止をする際に問題
となっていた。特に半導体装置のコーナー部のバリはほ
とんど取れないことが多い。
スの多ピン化、狭ピッチ化の流れは、より精度の高いリ
ード形状を要求されるようになった。樹脂封止型半導体
装置においてリードフレームと金型で挟み込んで封止を
行ったときに、モールド樹脂が一部はみ出し、漏れてし
まうことがある。このバリが、樹脂封止をする際に問題
となっていた。特に半導体装置のコーナー部のバリはほ
とんど取れないことが多い。
【００１０】このように、バリが半導体装置の端部に残
ってしまうと、半導体装置の大きさがばらばらになり、
この後のテスト工程など様々な工程で望ましくない。例
えば、半導体装置のほとんどのテストソケットは、半導
体装置コーナーにて位置を決定している。このため、半
導体装置をテストソケットに挿入しようとすると、半導
体装置のコーナー部のバリがテストソケットに接触した
りしなかったりするので、半導体装置がテストソケット
にきちんと収まらない場合が発生してしまう。以上のこ
とに鑑み、本発明の目的は、少なくとも樹脂封止半導体
装置のコーナー部の形状が所望の寸法に規制し得る半導
体装置を提供することである。
ってしまうと、半導体装置の大きさがばらばらになり、
この後のテスト工程など様々な工程で望ましくない。例
えば、半導体装置のほとんどのテストソケットは、半導
体装置コーナーにて位置を決定している。このため、半
導体装置をテストソケットに挿入しようとすると、半導
体装置のコーナー部のバリがテストソケットに接触した
りしなかったりするので、半導体装置がテストソケット
にきちんと収まらない場合が発生してしまう。以上のこ
とに鑑み、本発明の目的は、少なくとも樹脂封止半導体
装置のコーナー部の形状が所望の寸法に規制し得る半導
体装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、半導体装置コーナー部にフレームの一部が位置する
ように形成されたものであり、前記リードフレームの一
部が、吊りリード以外の目的であり、半導体装置におい
て半導体チップと、樹脂封止部と、リードフレームとを
有し、樹脂封止部のコーナー部にフレームの一部が位置
するように配置されたものであり、前記半導体装置の前
記コーナー部からフレームの一部が露出している半導体
装置である。
は、半導体装置コーナー部にフレームの一部が位置する
ように形成されたものであり、前記リードフレームの一
部が、吊りリード以外の目的であり、半導体装置におい
て半導体チップと、樹脂封止部と、リードフレームとを
有し、樹脂封止部のコーナー部にフレームの一部が位置
するように配置されたものであり、前記半導体装置の前
記コーナー部からフレームの一部が露出している半導体
装置である。
【００１２】また、樹脂封止型の半導体装置の製造方法
であって、リードフレームに半導体チップを搭載し、リ
ードフレームのインナーリードと半導体チップの電極間
をワイヤーボンディングし、樹脂封止し、半導体装置の
コーナー部からリードフレームの一部を露出するように
リードフレームの一部をカットすると共に、外部リード
を形成するものであり、前記コーナー部にフレームを露
出することによって、コーナー部にバリが発生しないよ
うにしたものであり、リードフレームをカットした後、
前記コーナー部のリードフレームを取り除いたものであ
り、前記コーナー部のフレームの一部を取り除いたこと
ことによって、コーナー部にバリが発生しないようにし
たものである。
であって、リードフレームに半導体チップを搭載し、リ
ードフレームのインナーリードと半導体チップの電極間
をワイヤーボンディングし、樹脂封止し、半導体装置の
コーナー部からリードフレームの一部を露出するように
リードフレームの一部をカットすると共に、外部リード
を形成するものであり、前記コーナー部にフレームを露
出することによって、コーナー部にバリが発生しないよ
うにしたものであり、リードフレームをカットした後、
前記コーナー部のリードフレームを取り除いたものであ
り、前記コーナー部のフレームの一部を取り除いたこと
ことによって、コーナー部にバリが発生しないようにし
たものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は以下の実施の形態を図面
をもって説明するが、本発明はここで説明する実施の形
態に限定されるものではない。下記実施の形態は多様に
変化することができる。
をもって説明するが、本発明はここで説明する実施の形
態に限定されるものではない。下記実施の形態は多様に
変化することができる。
【００１４】本発明の実施の形態を以下に図面を図１か
ら図５を用いて説明する。まず、図１は本発明の第１の
実施の形態の半導体装置を示す平面図である。モールド
樹脂で封止した半導体装置のボディー３の中には、封止
されたチップが埋め込まれている。図１の本発明の第１
の実施の形態の半導体装置を示す平面図は、封止が終わ
り成形がされた後のものである。
ら図５を用いて説明する。まず、図１は本発明の第１の
実施の形態の半導体装置を示す平面図である。モールド
樹脂で封止した半導体装置のボディー３の中には、封止
されたチップが埋め込まれている。図１の本発明の第１
の実施の形態の半導体装置を示す平面図は、封止が終わ
り成形がされた後のものである。
【００１５】半導体チップの載置されたリードフレーム
を、金型で挟み込んで封止を行ったときに、モールド樹
脂が一部金型からはみ出し、漏れてしまうことがある。
これをバリといい、図１においては、特にコーナー部の
バリの発生を防ぐために、以下のような構造になってい
る。
を、金型で挟み込んで封止を行ったときに、モールド樹
脂が一部金型からはみ出し、漏れてしまうことがある。
これをバリといい、図１においては、特にコーナー部の
バリの発生を防ぐために、以下のような構造になってい
る。
【００１６】半導体装置コーナー部５にリードフレーム
の一部を配置する。その結果、その部分に金型のコーナ
ー部分との間、具体的には半導体装置のボディー３の端
からリードフレーム１の間に隙間が生じず、樹脂封止の
ために使用したモールド樹脂などがはみ出ることが無
く、よってバリ発生も起こらない。
の一部を配置する。その結果、その部分に金型のコーナ
ー部分との間、具体的には半導体装置のボディー３の端
からリードフレーム１の間に隙間が生じず、樹脂封止の
ために使用したモールド樹脂などがはみ出ることが無
く、よってバリ発生も起こらない。
【００１７】次に図２に示すように、この状態からダム
バー６のカットを行う。ダムバーカットを行うと、完全
に半導体装置のボディー３の端からリードフレーム１ま
でが密着しており、隙間がないため図２に示すようにバ
リは全く生じず、バリに関するこのあとのテストソケッ
ト挿入などの問題が起こらない。
バー６のカットを行う。ダムバーカットを行うと、完全
に半導体装置のボディー３の端からリードフレーム１ま
でが密着しており、隙間がないため図２に示すようにバ
リは全く生じず、バリに関するこのあとのテストソケッ
ト挿入などの問題が起こらない。
【００１８】さらに、図３は本発明の第１の実施の形態
におけるリードフレームの形状を示している。本発明の
第１の実施の形態におけるリードフレームの形状を見る
と、モールド樹脂で封止した半導体装置のボディー３の
ボディーの端４におけるコーナー部分（半導体装置のボ
ディー端）５が、リードフレーム枠７から露出して現れ
ているのがわかる。
におけるリードフレームの形状を示している。本発明の
第１の実施の形態におけるリードフレームの形状を見る
と、モールド樹脂で封止した半導体装置のボディー３の
ボディーの端４におけるコーナー部分（半導体装置のボ
ディー端）５が、リードフレーム枠７から露出して現れ
ているのがわかる。
【００１９】このことから、リードフレーム１と半導体
装置のボディー端５との間に隙間がなく、バリの発生の
を抑えているのがわかる。上記の状態を図４の断面図を
もって説明する。図４は図１のＹ−Ｙ’における断面で
ある。
装置のボディー端５との間に隙間がなく、バリの発生の
を抑えているのがわかる。上記の状態を図４の断面図を
もって説明する。図４は図１のＹ−Ｙ’における断面で
ある。
【００２０】図４に示すように、コーナー部において、
モールド樹脂で封止した半導体装置のボディー３とリー
ドフレーム１の間には、金型からはモールド樹脂がはみ
出しておらず、バリとしては存在しない。またこのとき
のリードフレーム１の厚さｄは、従来と同様に０．１か
ら０．２５ｍｍ程度である。
モールド樹脂で封止した半導体装置のボディー３とリー
ドフレーム１の間には、金型からはモールド樹脂がはみ
出しておらず、バリとしては存在しない。またこのとき
のリードフレーム１の厚さｄは、従来と同様に０．１か
ら０．２５ｍｍ程度である。
【００２１】前述のように、コーナー部にバリが半導体
装置に存在しないと、半導体装置の位置を制御すべき大
きさがばらばらになるという弊害がなくなり、この後の
テスト工程などで有利である。
装置に存在しないと、半導体装置の位置を制御すべき大
きさがばらばらになるという弊害がなくなり、この後の
テスト工程などで有利である。
【００２２】前記テスト工程において、半導体装置のほ
とんどのテストソケットは、半導体装置コーナーにて位
置を決定しているので、バリのない半導体装置はスムー
ズにテストソケットに挿入することができる。
とんどのテストソケットは、半導体装置コーナーにて位
置を決定しているので、バリのない半導体装置はスムー
ズにテストソケットに挿入することができる。
【００２３】以上のことから例えば、テストソケットへ
の挿入が非常に困難であった半導体装置のテストを容易
にし、安定して供給することができるようになる。次に
本発明の第２の実施の形態を図５を用いて説明する。
の挿入が非常に困難であった半導体装置のテストを容易
にし、安定して供給することができるようになる。次に
本発明の第２の実施の形態を図５を用いて説明する。
【００２４】図５は、本発明の第１の実施の形態で説明
した図１の半導体装置からコーナー部分５のリードフレ
ームを取り除いた半導体装置である。図５に示すよう
に、本発明の第１の実施の形態で説明した半導体装置が
出来上がったあとに、図１の半導体装置からコーナー部
分５のリードフレームを引き抜き取り除くことを特徴と
する。本発明の第１の実施の形態で説明した半導体装置
のように作成することにより、形成後モールド樹脂から
リードフレームを容易に引き抜くことができる。ただ
し、工程の流れ上で自然に取れてしまうほどではなく、
ある程度の強度はあるものである。これにより、コーナ
ー部のリードフレームが存在すると都合が悪い場合など
に柔軟に対処できる。
した図１の半導体装置からコーナー部分５のリードフレ
ームを取り除いた半導体装置である。図５に示すよう
に、本発明の第１の実施の形態で説明した半導体装置が
出来上がったあとに、図１の半導体装置からコーナー部
分５のリードフレームを引き抜き取り除くことを特徴と
する。本発明の第１の実施の形態で説明した半導体装置
のように作成することにより、形成後モールド樹脂から
リードフレームを容易に引き抜くことができる。ただ
し、工程の流れ上で自然に取れてしまうほどではなく、
ある程度の強度はあるものである。これにより、コーナ
ー部のリードフレームが存在すると都合が悪い場合など
に柔軟に対処できる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によると、半導体装
置の樹脂封止時に生じるリードフレームと半導体装置の
ボディー端との間の隙間がなく、バリの発生のを抑える
ことができる。
置の樹脂封止時に生じるリードフレームと半導体装置の
ボディー端との間の隙間がなく、バリの発生のを抑える
ことができる。
【００２６】またこのことから、バリが半導体装置に存
在しないと、半導体装置の大きさがばらばらになるとい
う弊害がなくなり、この後のテスト工程において、半導
体装置のほとんどのテストソケットは、半導体装置コー
ナーにて位置を決定しているので、バリのない半導体装
置はスムーズにテストソケットに挿入することができ
る。
在しないと、半導体装置の大きさがばらばらになるとい
う弊害がなくなり、この後のテスト工程において、半導
体装置のほとんどのテストソケットは、半導体装置コー
ナーにて位置を決定しているので、バリのない半導体装
置はスムーズにテストソケットに挿入することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るモールド充填後
の半導体装置を示す平面図。
の半導体装置を示す平面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示
す平面図。
す平面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置のリ
ードフレームを示す平面図。
ードフレームを示す平面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示
す断面図。
す断面図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示
す平面図。
す平面図。
【図６】従来の技術の半導体装置に係るモールド充填後
の半導体装置を示す平面図
の半導体装置を示す平面図
【図７】従来の技術の半導体装置に係る半導体装置を示
す平面図
す平面図
【図８】従来の技術の半導体装置に係る半導体装置のリ
ードフレームを示す平面図。
ードフレームを示す平面図。
【図９】従来の技術の半導体装置に係る半導体装置を示
す断面図。
す断面図。
１、１０１…リードフレーム ２、１０２…バリ ３、１０３…樹脂封止された半導体装置ボディー ４、１０４…半導体装置ボディー端位置 ５…半導体装置コーナー部リードフレーム ６、１０６…ダムバー ７、１０７…フレーム枠 １０５…半導体装置コーナー部 ｄ…リードフレームの厚さ
Claims (8)
- 【請求項１】半導体装置コーナー部にフレームの一部が
位置するように形成されたことを特徴とするリードフレ
ーム。 - 【請求項２】前記リードフレームの一部が、吊りリード
以外の目的であることを特徴とする前記請求項１記載の
リードフレーム。 - 【請求項３】半導体装置において半導体チップと、樹脂
封止部と、リードフレームと、を有し、樹脂封止部のコ
ーナー部にフレームの一部が位置するように配置された
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】前記半導体装置の前記コーナー部からフレ
ームの一部が露出していることを特徴とする請求項３に
記載の半導体装置。 - 【請求項５】樹脂封止型の半導体装置の製造方法であっ
て、 リードフレームに半導体チップを搭載し、リードフレー
ムのインナーリードと半導体チップの電極間をワイヤー
ボンディングし、 樹脂封止し、 半導体装置のコーナー部からリードフレームの一部を露
出するようにリードフレームの一部をカットすると共
に、外部リードを形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項６】前記コーナー部にフレームを露出すること
によって、コーナー部にバリが発生しないようにしたこ
とを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】リードフレームをカットした後、前記コー
ナー部のリードフレームを取り除いたことを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項８】前記コーナー部のフレームの一部を取り除
いたことことによって、コーナー部にバリが発生しない
ようにしたことを特徴とする前記請求項７記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP240798A JPH11204712A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP240798A JPH11204712A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204712A true JPH11204712A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11528401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP240798A Withdrawn JPH11204712A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204712A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000051176A1 (de) * | 1999-02-25 | 2000-08-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung eines integrierten schaltkreises |
-
1998
- 1998-01-08 JP JP240798A patent/JPH11204712A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000051176A1 (de) * | 1999-02-25 | 2000-08-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung eines integrierten schaltkreises |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |