JPH11204828A - 発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
発光ダイオードの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光ダイオード製造において金細線を用いた
ワイヤーボンディングが確実な電極を形成することを目
的とする。 【解決手段】 ワイヤーボンディングに先立ち、電極と
その周辺をプラズマクリーニングすることによりワイヤ
ーボンディング用の電極を単一構造とすることが可能と
なり、また、金細線との接合強度も向上する。
ワイヤーボンディングが確実な電極を形成することを目
的とする。 【解決手段】 ワイヤーボンディングに先立ち、電極と
その周辺をプラズマクリーニングすることによりワイヤ
ーボンディング用の電極を単一構造とすることが可能と
なり、また、金細線との接合強度も向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードの
製造方法、とりわけ、その表面電極の処理方法ならびに
発光ダイオードの組立方法に関するものである。
製造方法、とりわけ、その表面電極の処理方法ならびに
発光ダイオードの組立方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードの電極には、金−ベリリ
ウム（Ａｕ−Ｂｅ）合金、金−亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ）、金
−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）、あるいは金−ニッケル
（Ａｕ−Ｎｉ）のいずれかの合金が付着層で使用されて
いる。上記合金は化合物半導体に対して良好なオーミッ
ク接触の特性を示す材料であり、また、その発光ダイオ
ードの電極へのワイヤーボンディングにも適する電極材
料として広く用いられる。しかしながら、前述した合金
中のベリリウム（Ｂｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、ゲルマニウム
（Ｇｅ）あるいはニッケル（Ｎｉ）は酸化され易く、し
ばしば、表面に酸化膜が形成される。
ウム（Ａｕ−Ｂｅ）合金、金−亜鉛（Ａｕ−Ｚｎ）、金
−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）、あるいは金−ニッケル
（Ａｕ−Ｎｉ）のいずれかの合金が付着層で使用されて
いる。上記合金は化合物半導体に対して良好なオーミッ
ク接触の特性を示す材料であり、また、その発光ダイオ
ードの電極へのワイヤーボンディングにも適する電極材
料として広く用いられる。しかしながら、前述した合金
中のベリリウム（Ｂｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、ゲルマニウム
（Ｇｅ）あるいはニッケル（Ｎｉ）は酸化され易く、し
ばしば、表面に酸化膜が形成される。
【０００３】さらに発光ダイオードを構成する化合物半
導体は、ガリウム（Ｇａ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａ
ｓ）、アルミニウム（Ａｌ）等の元素を素材組成物とし
て使用しておりこれらも上述の電極材料と同様に酸化さ
れやすい性質を持っている。
導体は、ガリウム（Ｇａ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａ
ｓ）、アルミニウム（Ａｌ）等の元素を素材組成物とし
て使用しておりこれらも上述の電極材料と同様に酸化さ
れやすい性質を持っている。
【０００４】発光ダイオードは、一般にワイヤーボンデ
ィングを行うための結晶の表面側電極と、リードフレー
ム等の金属基板でなる他方の配線体との電気的接続を得
る為の裏面側電極との、少なくとも２種類の電極を有し
ている。
ィングを行うための結晶の表面側電極と、リードフレー
ム等の金属基板でなる他方の配線体との電気的接続を得
る為の裏面側電極との、少なくとも２種類の電極を有し
ている。
【０００５】発光ダイオードの製造工程では、前述した
少なくとも２種類の電極が発光ダイオードを構成する化
合物半導体と良好なオーミック接触を得るために、３５
０〜５００℃の温度で熱処理を行う。この熱処理工程に
於いて、前記電極の表面に、その合金組成物のＢｅ、Ｚ
ｎ、Ｇｅ、Ｎｉや化合物半導体の構成元素材料であるＧ
ａ、Ｐ、Ａｓが電極表面に拡散析出して、表面にそれら
の酸化膜を形成する。この酸化膜が金属細線、たとえば
金細線によるワイヤーボンディングの際、上記電極に対
する金細線の接合強度を低下させ、良好なワイヤーボン
ディングが行えなくなる。
少なくとも２種類の電極が発光ダイオードを構成する化
合物半導体と良好なオーミック接触を得るために、３５
０〜５００℃の温度で熱処理を行う。この熱処理工程に
於いて、前記電極の表面に、その合金組成物のＢｅ、Ｚ
ｎ、Ｇｅ、Ｎｉや化合物半導体の構成元素材料であるＧ
ａ、Ｐ、Ａｓが電極表面に拡散析出して、表面にそれら
の酸化膜を形成する。この酸化膜が金属細線、たとえば
金細線によるワイヤーボンディングの際、上記電極に対
する金細線の接合強度を低下させ、良好なワイヤーボン
ディングが行えなくなる。
【０００６】この問題への対策として、化合物半導体と
のオーミック接触を目的とした合金による下層を形成し
た後、更にその上にＡｕ層やＡｌ層を積層被着して多層
構造とした電極を用いることにより電極表面の酸化を防
ぐ方法（たとえば特公昭６２−４４８３６号、特公平６
−９３４４３号）や、さらに、その多層構造の電極表面
をエッチングすることにより、表面の酸化物を除去する
方法が実施されている。
のオーミック接触を目的とした合金による下層を形成し
た後、更にその上にＡｕ層やＡｌ層を積層被着して多層
構造とした電極を用いることにより電極表面の酸化を防
ぐ方法（たとえば特公昭６２−４４８３６号、特公平６
−９３４４３号）や、さらに、その多層構造の電極表面
をエッチングすることにより、表面の酸化物を除去する
方法が実施されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
発光ダイオードでは電極中のＢｅ、Ｚｎ、Ｇｅ、あるい
はＮｉなどの含有組成物が表面に析出して、それらの酸
化物が形成されるのを防ぐため、上述の多層構造の電極
が有用であったが、一方で、電極構造を多層構造とする
ことにより電極を構成する使用材料の増加と製造時間の
増加を招きコストが増大する。さらに、電極を多層構造
にしたとしても、発光ダイオードを組み立てる工程にお
ける、たとえば、リードフレームに導電性の接着剤で固
定する際の熱硬化処理により、再び上記電極や化合物半
導体の各構成材料が、電極表面や界面に拡散して析出
し、それらの酸化膜を形成して、その電極に対する金細
線の接合強度を低めることがあった。
発光ダイオードでは電極中のＢｅ、Ｚｎ、Ｇｅ、あるい
はＮｉなどの含有組成物が表面に析出して、それらの酸
化物が形成されるのを防ぐため、上述の多層構造の電極
が有用であったが、一方で、電極構造を多層構造とする
ことにより電極を構成する使用材料の増加と製造時間の
増加を招きコストが増大する。さらに、電極を多層構造
にしたとしても、発光ダイオードを組み立てる工程にお
ける、たとえば、リードフレームに導電性の接着剤で固
定する際の熱硬化処理により、再び上記電極や化合物半
導体の各構成材料が、電極表面や界面に拡散して析出
し、それらの酸化膜を形成して、その電極に対する金細
線の接合強度を低めることがあった。
【０００８】そこで、本発明はこのような問題を解決す
るためなされたものである。
るためなされたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明の製造方法は、化合物半導体の表面に、オー
ミック接触をなす電極を形成したのち、発光ダイオード
を組立てる際の前記電極への金属細線によるワイヤーボ
ンディングの直前に、その電極表面をプラズマクリーニ
ングする工程を備える。ワイヤーボンディングに先立ち
プラズマクリーニングを実施することにより、簡単に電
極に対する金線の付着強度を向上することができる。
に、本発明の製造方法は、化合物半導体の表面に、オー
ミック接触をなす電極を形成したのち、発光ダイオード
を組立てる際の前記電極への金属細線によるワイヤーボ
ンディングの直前に、その電極表面をプラズマクリーニ
ングする工程を備える。ワイヤーボンディングに先立ち
プラズマクリーニングを実施することにより、簡単に電
極に対する金線の付着強度を向上することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態は、図
１の発光ダイオードの断面図によって示すと、化合物半
導体１の表面に、電極２を形成した後、金属細線によっ
てワイヤーボンディングを行う直前にプラズマクリーニ
ングを行う発光ダイオードの製造方法であり、ワイヤー
ボンディングに先立ち電極２上とその周辺をプラズマク
リーニングすることにより、電極２の表面に形成された
酸化膜が除去され、電極２に対する金属細線の接合強度
を向上させることができる。
１の発光ダイオードの断面図によって示すと、化合物半
導体１の表面に、電極２を形成した後、金属細線によっ
てワイヤーボンディングを行う直前にプラズマクリーニ
ングを行う発光ダイオードの製造方法であり、ワイヤー
ボンディングに先立ち電極２上とその周辺をプラズマク
リーニングすることにより、電極２の表面に形成された
酸化膜が除去され、電極２に対する金属細線の接合強度
を向上させることができる。
【００１１】本発明では、化合物半導体１が、ＧａＰ、
ＧａＡｓＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌ
Ｐ、ＧａＮから選ばれる結晶を用い、これによる発光ダ
イオードを、ワイヤーボンディングに先立ち、その電極
２とその周辺をプラズマクリーニングすることにより、
電極２の表面に形成された各種の酸化膜が除去されると
同時に、裏面側電極面をリードフレーム上へ有機物含有
導電接着剤で接着した際に電極表面に付着した有機物の
除去をも可能となり、金属細線との接合強度の高い製造
方法が実現可能となる。
ＧａＡｓＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌ
Ｐ、ＧａＮから選ばれる結晶を用い、これによる発光ダ
イオードを、ワイヤーボンディングに先立ち、その電極
２とその周辺をプラズマクリーニングすることにより、
電極２の表面に形成された各種の酸化膜が除去されると
同時に、裏面側電極面をリードフレーム上へ有機物含有
導電接着剤で接着した際に電極表面に付着した有機物の
除去をも可能となり、金属細線との接合強度の高い製造
方法が実現可能となる。
【００１２】本発明では、発光ダイオードの表面側の電
極２が単一層であっても、この発光ダイオードのワイヤ
ーボンディングに先立ちその電極２とその周辺をプラズ
マクリーニングすることにより、電極２の表面に形成さ
れた酸化膜が除去されることから、酸化性の高いオーミ
ック電極だけでも、金属細線との接合強度の高い製造方
法が可能となり、電極２を形成する工程が大幅に短縮さ
れ、また、使用材料の削減ができる。
極２が単一層であっても、この発光ダイオードのワイヤ
ーボンディングに先立ちその電極２とその周辺をプラズ
マクリーニングすることにより、電極２の表面に形成さ
れた酸化膜が除去されることから、酸化性の高いオーミ
ック電極だけでも、金属細線との接合強度の高い製造方
法が可能となり、電極２を形成する工程が大幅に短縮さ
れ、また、使用材料の削減ができる。
【００１３】本発明では、発光ダイオードの電極２がＡ
ｕ系合金またはＡｌ系合金またはＮｉ系合金であること
により、その電極２が単一層のＡｕ系合金またはＡｌ系
合金またはＮｉ系合金であっても、ワイヤーボンディン
グに先立ちその電極２とその周辺をプラズマクリーニン
グすることにより、電極２の表面に形成された酸化膜が
除去されることから、酸化性の高いオーミック電極の単
層だけでも、金属細線との接合強度の高い製造方法が実
現可能となり、電極２を形成する工程が大幅に短縮さ
れ、且つ、使用材料の削減ができる。
ｕ系合金またはＡｌ系合金またはＮｉ系合金であること
により、その電極２が単一層のＡｕ系合金またはＡｌ系
合金またはＮｉ系合金であっても、ワイヤーボンディン
グに先立ちその電極２とその周辺をプラズマクリーニン
グすることにより、電極２の表面に形成された酸化膜が
除去されることから、酸化性の高いオーミック電極の単
層だけでも、金属細線との接合強度の高い製造方法が実
現可能となり、電極２を形成する工程が大幅に短縮さ
れ、且つ、使用材料の削減ができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施の形態を実施例により、
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
【００１５】本発明の一実施例のＧａＰ発光ダイオード
の製造方法を図１の発光ダイオードの断面図で説明する
と、発光ダイオードの化合物半導体１とその表面側のオ
ーミック接触を得るための電極２を有し、これは金属細
線によるワイヤーボンディング用電極でもある。そして
発光ダイオードの化合物半導体１の裏面側には、オーミ
ック接触を得るための裏面電極３が形成されたものであ
る。
の製造方法を図１の発光ダイオードの断面図で説明する
と、発光ダイオードの化合物半導体１とその表面側のオ
ーミック接触を得るための電極２を有し、これは金属細
線によるワイヤーボンディング用電極でもある。そして
発光ダイオードの化合物半導体１の裏面側には、オーミ
ック接触を得るための裏面電極３が形成されたものであ
る。
【００１６】以上のように構成された発光ダイオード素
子の製造方法と組立方法について図２を用いて詳しく説
明する。まず（ａ）に示すように、化合物半導体１のｐ
領域側表面に、真空蒸着法やスパッタ蒸着法により、電
極２として、たとえば、Ａｕ−Ｂｅ合金を１００ｎｍ〜
５００ｎｍの厚さで被着する。この場合、合金の被着方
法は前述の各蒸着法に限られない。その後、被着したＡ
ｕ−Ｂｅ合金をパターン形成する。
子の製造方法と組立方法について図２を用いて詳しく説
明する。まず（ａ）に示すように、化合物半導体１のｐ
領域側表面に、真空蒸着法やスパッタ蒸着法により、電
極２として、たとえば、Ａｕ−Ｂｅ合金を１００ｎｍ〜
５００ｎｍの厚さで被着する。この場合、合金の被着方
法は前述の各蒸着法に限られない。その後、被着したＡ
ｕ−Ｂｅ合金をパターン形成する。
【００１７】また、化合物半導体１の裏面電極３は既存
の技術を用いた製造工程で形成される。
の技術を用いた製造工程で形成される。
【００１８】次に、（ｂ）に示すように、化合物半導体
１とＡｕ−Ｂｅ合金の電極２の界面を良好なオーミック
接触にするにあたり、電気炉６内で温度３００℃〜５０
０℃、時間１０分〜３０分の熱処理を施したのち、オー
ミック接触を得たワイヤーボンディング用の電極とす
る。
１とＡｕ−Ｂｅ合金の電極２の界面を良好なオーミック
接触にするにあたり、電気炉６内で温度３００℃〜５０
０℃、時間１０分〜３０分の熱処理を施したのち、オー
ミック接触を得たワイヤーボンディング用の電極とす
る。
【００１９】こうして作製した化合物半導体１の基板を
ペレット状に分離し、単体の発光ダイオードの素子４に
形成する、いわゆるチップ化を行う。更に、（ｃ）に示
すように、リードフレーム７に、導電性接着剤８を用い
てダイボンドし、電気炉６内で温度１５０℃〜３５０
℃、時間１時間〜６０秒の熱処理を行い、導電性接着剤
８でリードフレーム７と発光ダイオードの素子４を固定
する。これらの発光ダイオードの素子４をワイヤーボン
ディングに先立ち、（ｄ）に示すように、たとえば、高
周波電力３００Ｗ〜５００Ｗ、圧力１×１０-1Ｐａ〜９
×１０-1Ｐａ、時間１０秒〜５０秒の条件でアルゴン
（Ａｒ）プラズマ５により、電極２及びその周辺のクリ
ーニングを実施する。これにより、電極表面の酸化膜は
完全に除去される。（ｅ）に示すようにプラズマクリー
ニングを終えた後、直ちに金細線９を用いてワイヤーボ
ンディングを行う。
ペレット状に分離し、単体の発光ダイオードの素子４に
形成する、いわゆるチップ化を行う。更に、（ｃ）に示
すように、リードフレーム７に、導電性接着剤８を用い
てダイボンドし、電気炉６内で温度１５０℃〜３５０
℃、時間１時間〜６０秒の熱処理を行い、導電性接着剤
８でリードフレーム７と発光ダイオードの素子４を固定
する。これらの発光ダイオードの素子４をワイヤーボン
ディングに先立ち、（ｄ）に示すように、たとえば、高
周波電力３００Ｗ〜５００Ｗ、圧力１×１０-1Ｐａ〜９
×１０-1Ｐａ、時間１０秒〜５０秒の条件でアルゴン
（Ａｒ）プラズマ５により、電極２及びその周辺のクリ
ーニングを実施する。これにより、電極表面の酸化膜は
完全に除去される。（ｅ）に示すようにプラズマクリー
ニングを終えた後、直ちに金細線９を用いてワイヤーボ
ンディングを行う。
【００２０】図３は、発光ダイオードのワイヤーボンデ
ィング用の電極２の表面をリードフレームに導電性接着
剤８で固定した後の状態を、オージェ電子分光分析法を
用いて解析した結果を示す。図３は本発明のＡｕ合金系
単一構造電極のプラズマクリーニング実施後の発光ダイ
オード素子の電極表面を示す。図４は本発明のＡｕ合金
系単一構造電極のプラズマクリーニング実施前の発光ダ
イオード素子電極表面を示す。図５は従来の技術で作製
された多層構造のワイヤーボンディング電極表面をさら
にエッチングにより酸化物を除去した発光ダイオード素
子電極表面を示す。
ィング用の電極２の表面をリードフレームに導電性接着
剤８で固定した後の状態を、オージェ電子分光分析法を
用いて解析した結果を示す。図３は本発明のＡｕ合金系
単一構造電極のプラズマクリーニング実施後の発光ダイ
オード素子の電極表面を示す。図４は本発明のＡｕ合金
系単一構造電極のプラズマクリーニング実施前の発光ダ
イオード素子電極表面を示す。図５は従来の技術で作製
された多層構造のワイヤーボンディング電極表面をさら
にエッチングにより酸化物を除去した発光ダイオード素
子電極表面を示す。
【００２１】この結果によれば図３のワイヤーボンディ
ング電極表面には前述した酸化物の形成は見られず、プ
ラズマクリーニングにより完全除去されていることが解
る。それに対して図４及び図５とも、ワイヤーボンディ
ング電極表面にＧａを主体とした酸化物が形成されてい
ることが解る。
ング電極表面には前述した酸化物の形成は見られず、プ
ラズマクリーニングにより完全除去されていることが解
る。それに対して図４及び図５とも、ワイヤーボンディ
ング電極表面にＧａを主体とした酸化物が形成されてい
ることが解る。
【００２２】図６はワイヤーボンディング後のワイヤー
ボンディングを行った電極２と金細線９との接合強度を
シュアテスターを用いて測定した度数分布図で、（Ａ）
は本発明のＡｕ合金系単一構造電極のプラズマクリーニ
ング実施後の発光ダイオード素子を示す。この結果から
も解るように、本発明のプラズマクリーニング実施後の
発光ダイオード素子のシュア強度も実施前のものの特性
（Ｂ）と比較して向上していることが確認できた。
ボンディングを行った電極２と金細線９との接合強度を
シュアテスターを用いて測定した度数分布図で、（Ａ）
は本発明のＡｕ合金系単一構造電極のプラズマクリーニ
ング実施後の発光ダイオード素子を示す。この結果から
も解るように、本発明のプラズマクリーニング実施後の
発光ダイオード素子のシュア強度も実施前のものの特性
（Ｂ）と比較して向上していることが確認できた。
【００２３】以上のことを総合するとオーミック電極構
成材料及び半導体構成材料が導電性接着剤でリードフレ
ームと発光ダイオード素子を固定する際の熱処理によ
り、ワイヤーボンディング用の電極の表面に拡散、析出
した元素物質の酸化膜が形成されると、この形成された
酸化膜が金線とワイヤーボンディング電極との付着力を
著しく悪化させる原因となる。
成材料及び半導体構成材料が導電性接着剤でリードフレ
ームと発光ダイオード素子を固定する際の熱処理によ
り、ワイヤーボンディング用の電極の表面に拡散、析出
した元素物質の酸化膜が形成されると、この形成された
酸化膜が金線とワイヤーボンディング電極との付着力を
著しく悪化させる原因となる。
【００２４】本発明の実施例によると、電極表面に形成
された酸化膜はプラズマクリーニングを実施することに
より完全に除去出来るため、金細線の付着力は著しく向
上する。また本発明によると、単一層構造の電極であっ
ても金線との良好な付着が可能となることが確認でき
る。また、プラズマクリーニングを行う際に同時に、リ
ードフレームや化合物半導体の表面もクリーニングされ
るから、付着材料による汚染物質の除去が可能となり、
２次側の金細線他端側のリードとの付着強度も向上し、
金細線とワイヤーボンディング用電極及び２次側のリー
ドとの電気的接続の信頼性が向上する。
された酸化膜はプラズマクリーニングを実施することに
より完全に除去出来るため、金細線の付着力は著しく向
上する。また本発明によると、単一層構造の電極であっ
ても金線との良好な付着が可能となることが確認でき
る。また、プラズマクリーニングを行う際に同時に、リ
ードフレームや化合物半導体の表面もクリーニングされ
るから、付着材料による汚染物質の除去が可能となり、
２次側の金細線他端側のリードとの付着強度も向上し、
金細線とワイヤーボンディング用電極及び２次側のリー
ドとの電気的接続の信頼性が向上する。
【００２５】実施例ではｐ型領域にワイヤーボンディン
グ電極を形成したＧａＰ発光ダイオードの一例を示した
が、ｎ側領域あるいは化合物半導体の構成材料がＧａＡ
ｓＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、Ｇａ
Ｎの場合でも同様の結果が得られた。
グ電極を形成したＧａＰ発光ダイオードの一例を示した
が、ｎ側領域あるいは化合物半導体の構成材料がＧａＡ
ｓＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、Ｇａ
Ｎの場合でも同様の結果が得られた。
【００２６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の発光ダ
イオードの製造方法によればワイヤーボンディングに先
立ち、電極とその周辺をプラズマクリーニングすること
により、ワイヤーボンディング用電極の表面上に形成さ
れた電極材料及び半導体構成材料による酸化物を完全に
除去することが可能となり、金線との接合強度が向上
し、これにより従来多層構造であったワイヤーボンディ
ング用電極の構造を単一層構造にすることが可能とな
り、ワイヤーボンディング用電極に使用される材料の削
減及び生産性の向上が大幅に向上するなど、格段の効用
が得られる。
イオードの製造方法によればワイヤーボンディングに先
立ち、電極とその周辺をプラズマクリーニングすること
により、ワイヤーボンディング用電極の表面上に形成さ
れた電極材料及び半導体構成材料による酸化物を完全に
除去することが可能となり、金線との接合強度が向上
し、これにより従来多層構造であったワイヤーボンディ
ング用電極の構造を単一層構造にすることが可能とな
り、ワイヤーボンディング用電極に使用される材料の削
減及び生産性の向上が大幅に向上するなど、格段の効用
が得られる。
【図１】本発明の一実施例の形態による単一電極構造の
発光ダイオード素子模式断面図
発光ダイオード素子模式断面図
【図２】本発明の一実施例の形態による発光ダイオード
製造方法を示す図
製造方法を示す図
【図３】本発明の一実施例の形態によるオージェ電子分
光分析法を用いたワイヤーボンディング電極表面のグラ
フ（本発明プラズマクリーニング後）
光分析法を用いたワイヤーボンディング電極表面のグラ
フ（本発明プラズマクリーニング後）
【図４】本発明の一実施例の形態によるオージェ電子分
光分析法を用いたワイヤーボンディング電極表面のグラ
フ（本発明プラズマクリーニング前）
光分析法を用いたワイヤーボンディング電極表面のグラ
フ（本発明プラズマクリーニング前）
【図５】本発明の一実施例の形態によるオージェ電子分
光分析法を用いたワイヤーボンディング電極表面のグラ
フ（従来の技術）
光分析法を用いたワイヤーボンディング電極表面のグラ
フ（従来の技術）
【図６】本発明の一実施例の形態による金線とワイヤー
ボンディング電極との付着極度を示すグラフ
ボンディング電極との付着極度を示すグラフ
１ 化合物半導体 ２ 電極 ３ 裏面電極 ４ 発光ダイオードの素子 ５ アルゴンプラズマ ６ 電気炉 ７ リードフレーム ８ 導電性接着剤 ９ 金細線
Claims (4)
- 【請求項１】 化合物半導体の表面に、電極を形成した
後、金属細線でのワイヤーボンディングの直前に前記電
極面のプラズマクリーニングを行うことを特徴とする発
光ダイオードの製造方法。 - 【請求項２】 前記化合物半導体が、化学組成式Ｇａ
Ｐ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡ
ｌＰ、ＧａＮから選ばれた結晶であることを特徴とする
請求項１記載の発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項３】 前記電極が単一層からなることを特徴と
する請求項１記載の発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項４】 前記電極がＡｕ系合金またはＡｌ系合金
またはＮｉ系合金であることを特徴とする請求項１また
は３記載の発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP302198A JPH11204828A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 発光ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP302198A JPH11204828A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 発光ダイオードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204828A true JPH11204828A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11545684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP302198A Pending JPH11204828A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204828A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417338B1 (ko) * | 2000-12-07 | 2004-02-05 | 주식회사제4기한국 | 칩 실장시 플라즈마를 이용한 표면세정 및 개질방법 |
| JP2005079264A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
| EP1353365A3 (en) * | 2002-04-11 | 2006-08-02 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. | Pre-cleaning of copper surfaces during Cu/Cu or Cu/Metal bonding using hydrogen plasma |
| JP2007299965A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品装着装置と面発光デバイス |
| CN112289904A (zh) * | 2020-09-16 | 2021-01-29 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 红光led的制作方法 |
-
1998
- 1998-01-09 JP JP302198A patent/JPH11204828A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417338B1 (ko) * | 2000-12-07 | 2004-02-05 | 주식회사제4기한국 | 칩 실장시 플라즈마를 이용한 표면세정 및 개질방법 |
| EP1353365A3 (en) * | 2002-04-11 | 2006-08-02 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. | Pre-cleaning of copper surfaces during Cu/Cu or Cu/Metal bonding using hydrogen plasma |
| JP2005079264A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
| JP2007299965A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品装着装置と面発光デバイス |
| CN112289904A (zh) * | 2020-09-16 | 2021-01-29 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 红光led的制作方法 |
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