JPH11204890A

JPH11204890A - 画像形成装置

Info

Publication number: JPH11204890A
Application number: JP29997298A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiko Nishizawa; 克彦西沢
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1997-10-23
Filing date: 1998-10-21
Publication date: 1999-07-30
Anticipated expiration: 2018-10-21
Also published as: JP3780716B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体レーザ（ＬＤ）の正確な劣化状態を検
出し、該劣化状態に応じた適正な制御を実施する。【解決手段】ＬＤの劣化が進行するにしたがい、光量
値−駆動電流値特性における傾きが緩やかになってく
る。そこで、検出光量値が５つの光量値の各々に等しく
なるときの半導体レーザの駆動電流値を検出する。これ
により、光量値−駆動電流値特性に関する５つの検出点
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５を得る。そして、隣接す
る２つの検出点の区間での微分効率ηを算出する。例え
ば、検出点Ａ１、Ａ２より微分効率η１を、検出点Ａ
２、Ａ３より微分効率η２を、それぞれ算出する。さら
に、微分効率の値をディスプレイに表示することで、オ
ペレータは、該微分効率の値よりＬＤの正確な劣化状態
を認識することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画像形成装置に係
り、より詳しくは、駆動電流に応じたレーザ光を射出す
るレーザ光射出部を備え、該レーザ光射出部から射出さ
れる光を偏向走査して像担持体上に静電潜像を形成する
画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のレーザビームプリンタや複写機等
の画像形成装置においては、レーザ露光装置によってレ
ーザ光を出力画像信号に応じて点滅させ、一様帯電を施
した感光体表面を該点滅させたレーザ光で露光すること
で静電潜像を感光体上に形成する。この静電潜像をトナ
ー現像することで顕像化し、得られたトナー像を用紙等
の記録媒体上に転写し、該記録媒体に定着させるとい
う、いわゆる電子写真方式によって画像を形成する。

【０００３】このような画像を感光体上に形成するため
のレーザ露光装置の光源としては一般的に半導体レーザ
（レーザダイオード、以下ＬＤと称する）が用いられて
いる。このＬＤでは、形成しようとする画像に応じてレ
ーザ光が変調され出力される。また、偏向走査光路上の
画像書き出し側に受光素子を設け、この受光素子上を通
過したレーザ光を検出することで水平同期を取り、画像
の書き出しタイミング（即ち、レーザ光の射出タイミン
グ）を決定している。

【０００４】レーザ光は回転多面鏡（ポリゴンミラー）
によって偏向された後、光学系でビーム径等の補正を受
ける。そして、受光素子による水平同期が取られなが
ら、レーザ光が感光体上に結像し且つ走査されることに
より、感光体上に所望の出力画像の潜像が形成される。

【０００５】このような画像形成装置において、レーザ
光からの光出力が必要な光出力の値になるように、光出
力に応じたモニタ電圧と所望の電圧参照値（Ｖref ）と
を逐次比較し、モニタ電圧が電圧参照値に等しくなるよ
うＬＤの駆動電流を制御する。このような制御は、自動
光出力調整（ＡＰＣ：ＡｕｔｏＰｏｗｅｒＣｏｎｔ
ｒｏｌ）と呼ばれ、一般的なレーザプリンタや複写機に
おいて実施され、所望の出力画像が形成される。

【０００６】次に、光源として使用されるＬＤの特性に
ついて述べる。一般的に、ＬＤの特性として、供給する
駆動電流に対する光出力の関係は、図６のグラフに示す
ように、あるしきい値電流（Ｉｔｈ）まではレーザ発振
せず、そのしきい値電流（Ｉｔｈ）を超える電流を供給
すると、光出力Ｌと供給電流Ｉの大きさとがリニアな特
性を示す（Ｉ−Ｌ特性）。

【０００７】ここで、このＩ−Ｌ特性の劣化について説
明する。このＩ−Ｌ特性が劣化を受けるのは、大きく分
けて次の３つの要因が挙げられる。

【０００８】まず第一の要因としては、温度による特性
シフトが挙げられる。図６のグラフに示すように、ＬＤ
の温度が高くなるにしたがって、しきい値電流（Ｉｔ
ｈ）が大きくなると共に、レーザ発振領域の、Ｉ−Ｌカ
ーブの傾きが若干小さくなる。

【０００９】第二の要因としては、外的要因による特性
シフトが挙げられる。ＬＤの外部より加えられる外的要
因、例えば、何らかの原因によってサージ等の定格を超
えるような過電流がＬＤに流入する。これにより、過電
流値に応じたパワーの光出力がＬＤのチップ内部で一瞬
点灯する。この時、チップ端面で瞬時に溶融が起こる。
その溶融の程度によって、ＬＤの破壊に至るものもあれ
ば、比較的軽傷で済み通常動作では正常動作することも
ある。

【００１０】但し、軽い劣化でも、端面に溶融が発生し
たものは、初期状態に比べて発光効率が悪くなる。即
ち、同じ光出力を得るための駆動電流が初期状態よりも
多く必要となる（図５参照）と共に、発熱量も大きくな
る。このとき、上記駆動電流Ｉ−光出力Ｌ特性（図６参
照）よりわかるように、温度上昇に伴ってさらに高い駆
動電流が必要となる。これにより、発光効率がさらに悪
くなる。この繰り返しにより、劣化が進行し破壊に至る
ものである。上記Ｉ−Ｌ特性で見てみると、図４に示す
ように、静電気印加するごとに、Ｉ−Ｌカーブが供給電
流（駆動電圧）軸側に徐々に寝てくる。それに加えて、
高出力領域ではＩ−Ｌカーブのリニアリティも崩れる。
即ち、高出力領域におけるＩ−Ｌカーブの傾きが小さく
なる（お辞儀する）ような特性を示す。

【００１１】第三の要因としては、経時劣化が挙げられ
る。ＬＤに電流を供給する累積時間によって、同じ発光
量を得るための駆動電流値が徐々に高くなってくる。上
記外的要因による劣化状態と同じように、Ｉ−Ｌ特性の
カーブも図５のグラフに示すように徐々に寝てくる特性
を示す。

【００１２】さらに、これらの３つの要因に加えて、Ｌ
Ｄの素子自体のバラツキもある。

【００１３】一方、従来より以下のようなＬＤ寿命の監
視技術が提案されている。例えば、特開昭６１−１６６
０８５号公報には次の技術が記載されている。即ち、プ
リンタや複写機等において、必要な光出力を得るための
駆動電流値の上限値を予め設定する。必要な光出力を得
るべく駆動電流値を上昇させるときに該駆動電流値を監
視する。そして、駆動電流値が上限値を超えた場合にＬ
Ｄの寿命と判定して警告を出す。

【００１４】また、特開平２−９８４６２号公報には次
の技術が記載されている。即ち、電源投入時のしきい値
電流値を記憶する。また、画像形成処理時に、画像形成
処理のために必要な光出力の最大値の８０％の光出力値
を得るときの駆動電流値を記憶する。そして、駆動電流
値としきい値電流値との差が、所定の判定基準値より大
きい場合に、ＬＤの寿命と判定する。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６１−１６６０８５号公報に提案されている技術では、
予め設定し記憶した駆動電流値に基づいて判定している
ため、画像形成装置の動作中における装置内部の温度変
動や各装置の単体バラツキなどの影響で、正確な劣化状
態を検出することは困難である。また、特開平２−９８
４６２号公報に提案されている技術では、電源投入時と
画像形成処理時の２つ電流値の差を求めているが、電源
投入時と画像形成処理時とでは装置内部の温度が異なる
可能性が高いので、２つ電流値の差には装置内部の温度
変動の影響が含まれる。よって、正確な劣化状態を検出
することは困難である。

【００１６】一方、先行技術例では、寿命予告している
だけであり、何らかの原因で劣化を受けた時、画像形成
装置の寿命を実質的に延命することはできない。実際
に、ＬＤの寿命予告を行ったとしても、ＬＤの初期光量
設定時に光出力が画像書き込みに必要な規定光量まで上
がらない場合はその時点で画像形成機能が停止してしま
い、内蔵した光走査装置等を交換するまで、画像形成装
置は正常動作できなくなってしまう。

【００１７】ところで、ＬＤの初期光量調整の際は、駆
動電流を予め定められた単位光量調整幅分大きくしなが
ら、光出力が所望の値となるように駆動電流を調整して
いる。一方、ＬＤの劣化が進むと、上記Ｉ−Ｌカーブの
傾きが小さくなる。よって、ＬＤの初期光量調整の調整
回数が多くなる。

【００１８】本発明は、上記事実に鑑み成されたもので
あり、ＬＤの正確な劣化状態を検出すること及び検出さ
れた正確な劣化状態に応じた制御を実施することの可能
な画像形成装置を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る画像形成装置は、所定の駆動電流が
供給されることで該駆動電流に応じたレーザ光を射出す
るレーザ光射出部を備え、前記レーザ光射出部から射出
される光を偏向走査し像担持体上に静電潜像を形成する
光走査装置と、前記レーザ光射出部から射出される光量
を検出する光量検出手段と、前記レーザ光射出部に各々
大きさが異なる複数の駆動電流が供給された場合に前記
光量検出手段により検出される各々大きさが異なる複数
の光量値に基づいて、駆動電流及び光量値の一方の差分
に対する他方の差分の比で表される微分効率、又は該微
分効率の比を算出する算出手段と、前記算出手段により
算出された微分効率の値又は微分効率の比の値を報知す
る報知手段と、を有することを特徴とする。

【００２０】本発明に係る画像形成装置では、光走査装
置が、レーザ光射出部（例えば、半導体レーザ等）から
射出される光を偏向走査することで像担持体上に静電潜
像を形成する。このような画像形成装置において、算出
手段は、レーザ光射出部に各々大きさが異なる複数の駆
動電流が供給された場合に、レーザ光射出部から射出さ
れる各々大きさが異なる複数の光量値、即ち、光量検出
手段により検出される各々大きさが異なる複数の光量値
より、駆動電流及び光量値の一方の差分に対する他方の
差分の比で表される微分効率、又は（複数の微分効率が
得られた場合には）該微分効率の比を算出する。

【００２１】ここで、例えば算出手段は、各々大きさが
異なる複数の駆動電流がレーザ光射出部に供給された時
のそれぞれで光量検出手段により検出された各々大きさ
が異なる複数の光量値を得ても良い。また、算出手段
は、各々大きさが異なる複数の光量値となるように調整
したときの、各々大きさが異なる複数の駆動電流値を得
てもよい。

【００２２】例えば、図１１に示す、光量値に相当する
モニタ電圧と駆動電流値との関係を表す特性において、
検出光量値が５つの光量値の各々に等しくなるときのレ
ーザ光射出部の駆動電流値を検出する。これにより、５
つの検出点Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５を得る。そし
て、隣接する２つの検出点の区間での微分効率η、即ち
（光量値の差分／駆動電流値の差分）を算出する。な
お、図１１では、（光量値に相当するモニタ電圧の差分
／駆動電流値の差分）が得られる。このように光量値に
相当する所定の物理量（ここでは電圧値）を用いて微分
効率ηを算出しても良い。

【００２３】具体的には、図１１の検出点Ａ１、Ａ２よ
り微分効率η１が、検出点Ａ２、Ａ３より微分効率η２
が、検出点Ａ３、Ａ４より微分効率η３が、検出点Ａ
４、Ａ５より微分効率η４が、それぞれ算出される。

【００２４】このようにして算出された微分効率の値又
は該微分効率の比の値は、報知手段によって報知され、
オペレータ等により参照可能となる。なお、それらの値
の出力方法としては、例えば、ディスプレイに表示して
も良いし、用紙にプリント出力しても良いし、音声で通
知しても良い。

【００２５】前述したようにレーザ光射出部の劣化が進
行するにしたがい、図４や図１１に示すように光量値−
駆動電流値特性における特性曲線の傾きが小さくなって
くると共に該特性曲線が折れ曲がってきて、その折れ曲
がりの程度が激しくなってくる。即ち、上記のように算
出された微分効率の値及び微分効率の比の値は、レーザ
光射出部の劣化進行度に相関する値といえる。

【００２６】従って、上記のように算出された微分効率
の値又は微分効率の比の値を出力することにより、オペ
レータは、レーザ光射出部の正確な劣化状態を認識する
ことができる。具体的には、微分効率の値がその初期値
から所定値以上変化したことや、微分効率の比の値がそ
の初期値「１」から所定値以上変化したことをもって、
オペレータはレーザ光射出部が劣化状態にあることを認
識することができる。

【００２７】ここで、上記のように算出された微分効率
の値及び微分効率の比の値は、レーザ光射出部の劣化状
態を表すが、レーザ光射出部に各々大きさが異なる複数
の駆動電流が供給された場合に検出された各々大きさが
異なる複数の光量値に基づいて微分効率又は微分効率の
比を算出するので、算出された微分効率又は微分効率の
比は、個々の画像形成装置の単体バラツキや設置場所の
温度等の影響を除去した値となる。よって、レーザ光射
出部の正確な劣化状態を検出することができる。従っ
て、オペレータはより正確に劣化状態を認識することが
できる。

【００２８】なお、レーザ光射出部に大きさが異なる駆
動電流が供給された場合に光量検出手段により検出され
る光量値の範囲の上限値は、画像形成装置で画像形成処
理のために設定される光量値の範囲の上限値より大きく
設定することが望ましい。例えば、図１１に示すように
光量設定範囲（モニタ電圧として１Ｖ〜２Ｖ）よりも高
い光量領域の検出点Ａ５、Ａ６においてレーザ光射出部
の光量値を検出することが望ましい。

【００２９】図４や図１１より明らかなように、劣化し
た時の特性曲線の折れ曲がり（お辞儀する状態）は、光
出力が高い領域で特に顕著であるので、光出力が高い領
域で光量値を検出して微分効率やその比を算出すること
で、特性曲線の折れ曲がり、即ちレーザ光射出部の劣化
をより明確に検出することができる。

【００３０】特に、光量検出手段により検出される各々
大きさが異なる複数の光量値には、画像形成装置で画像
形成処理のために設定される光量値の範囲の上限値より
大きい少なくとも２つの光量値（例えば、検出点Ａ５、
Ａ６等）が含まれることが望ましい。このように、画像
形成装置で画像形成処理のために設定される光量値の範
囲の上限値より大きい少なくとも２つの光量値から微分
効率やその比を算出することで、特性曲線の折れ曲が
り、即ちレーザ光射出部の劣化をより一層明確に検出す
ることができる。ただし、設定される光量値の上限値よ
りも大きい光量でもレーザ光射出部の絶対最大定格光出
力を超えないものとする。

【００３１】ところで、図１１に示すように、レーザ光
射出部が劣化した状態に近くなると、画像形成処理のた
めに設定される光量値の範囲の上限値より大きい領域で
は、劣化した状態でない場合のＩ−Ｌカーブの傾きより
小さくなる。よって、画像形成処理のために設定される
光量値の範囲の上限値より大きい領域における光量検出
手段により検出された光量値から算出された微分効率や
その比から、レーザ光射出部が劣化した状態に近いか否
かが認識される。

【００３２】そこで、報知手段は、算出手段により、画
像形成処理のために設定される光量値の範囲の上限値よ
り大きい少なくとも２つの光量値に基づいて算出された
微分効率又は該微分効率の比が所定値未満の場合、レー
ザ光射出部が劣化した状態に近い旨を更に報知するよう
にしてもよい。これにより、レーザ光射出部が劣化した
状態に近い状態であることを知らせることができる。

【００３３】また、レーザ光射出部の劣化が認められた
時点で（即ち、微分効率の値が初期値から所定値以上変
化した場合又は微分効率の比の値が初期値から所定値以
上変化した場合）、報知手段によりレーザ光射出部が劣
化した旨をオペレータ等に報知して、オペレータ等にレ
ーザ光射出部の劣化の事態を確実に認識させるようにし
てもよい。

【００３４】ところで、前述したようにレーザ光射出部
の劣化が進行し、画像形成装置の立ち上げ時などの初期
光量設定段階においてレーザ光射出部の光量が画像形成
処理に必要な所定の光量設定レベルまで上昇しない事態
を回避するべく、画像形成装置に、微分効率の値が初期
値から所定値以上変化した場合又は微分効率の比の値が
初期値から所定値以上変化した場合にレーザ光射出部の
初期光量調整時の予め定められた光量基準値を低く再設
定する光量基準値設定手段を設けることが望ましい。

【００３５】この光量基準値設定手段は、レーザ光射出
部の劣化が認められた時点で（即ち、微分効率の値が初
期値から所定値以上変化した場合又は微分効率の比の値
が初期値から所定値以上変化した場合）、レーザ光射出
部の初期光量調整時の予め定められた光量基準値を低く
再設定する。これにより、レーザ光射出部の初期光量調
整時に、最大の駆動電流をレーザ光射出部に供給して
も、レーザ光射出部の光量が光量設定レベルまで上がら
ないといった事態を回避できる。即ち、画像形成装置が
機能停止する事態を回避し、装置の寿命を延ばすことが
できる。

【００３６】但し、レーザ光射出部の初期光量調整時の
光量基準値を低く設定したことで、像担持体の露光量が
減少し、形成される画像の濃度が低下するおそれがある
場合は、現像バイアス調整手段により、形成される画像
の濃度が低下しないように現像装置の現像バイアス電圧
を調整することが望ましい。これにより、画像形成装置
が機能停止する事態を回避しつつ、形成される画像の濃
度低下も回避できる。

【００３７】ところで、前述したように、画像形成処理
のために設定される光量値の範囲の上限値より大きい領
域における光量検出手段により検出された光量値から算
出された微分効率やその比から、レーザ光射出部が劣化
した状態に近いか否かが認識される。よって、レーザ光
射出部に各々大きさが異なる複数の駆動電流が供給され
た場合に光量検出手段により検出されかつ画像形成処理
のために設定される光量値の範囲の上限値より大きい少
なくとも２つの光量値に基づいて、駆動電流及び光量値
の一方の差分に対する他方の差分の比で表される微分効
率、又は該微分効率の比を算出し、算出された微分効率
が所定値未満又は該微分効率の比が所定値未満の場合
に、レーザ光射出部の初期光量調整時の予め定められた
光量基準値を低く再設定するようにしてもよい。この場
合も、画像形成装置が機能停止する事態を回避し、装置
の寿命を延ばすことができる。レーザ光射出部が劣化し
た状態の場合に光量基準値を低く再設定して装置の寿命
を延ばすようにしているので、より一層装置の寿命を延
ばすことができる。

【００３８】但し、この場合も、レーザ光射出部の初期
光量調整時の光量基準値を低く設定したことで、像担持
体の露光量が減少し、形成される画像の濃度が低下する
おそれがある場合は、現像バイアス調整手段により、形
成される画像の濃度が低下しないように現像装置の現像
バイアス電圧を調整することが望ましい。これにより、
レーザ光射出部が劣化した状態に近い状態から、画像形
成装置が機能停止する事態を回避可能にすると共に形成
される画像の濃度低下を回避できる。

【００３９】ところで、レーザ光射出部の劣化が進行す
ると、画像形成装置の立ち上げ時などの初期光量設定段
階においてレーザ光射出部の光量を所定の光量とするた
めの該レーザ光射出部の駆動電流値が高くなる。例え
ば、図５の光出力値−駆動電流値特性において、初期状
態の特性Ｓ０と時間ｔ₀経過後の特性Ｓ１とを比較した
場合、光出力値Ｐ₀を得るための駆動電流値は、初期状
態ではＩop（０）であったのに対し、時間ｔ₀経過後に
はＩop（ｔ₀）となってしまう。

【００４０】よって、レーザ光射出部の初期光量設定段
階において光量を調整する（即ち、前述したＡＰＣ制御
を行う）ときの単位光量調整幅が一定であれば、レーザ
光射出部の光量を所定光量まで上げる時間が長くなる。

【００４１】そこで、レーザ光射出部の劣化が認められ
た時点で（即ち、微分効率の値が初期値から所定値以上
変化した場合又は微分効率の比の値が初期値から所定値
以上変化した場合）、光量調整制御手段によって、予め
定められた単位光量調整幅を大きくしてレーザ光射出部
の初期光量を調整することが望ましい。

【００４２】こうすることで、レーザ光射出部の劣化状
態に関わらず、光量制御にかかる時間を短縮することが
でき、その分だけレーザ光射出部の累積点灯時間を短縮
する事ができる。また、画像形成装置の立ち上げ時は、
その分だけ１ページ目の出力画像が出力されるまでの時
間（いわゆるＦＣＯＴやＦＰＯＴ）を短縮することがで
きる。すなわち、画像形成装置の高速化を図る事ができ
る。

【００４３】さらに、光量検出範囲の下限値を、画像形
成処理のために設定される光量値の範囲の下限値より小
さく設定しておいて、該光量値の範囲よりも低い光量領
域での光量値から微分効率を算出した早い時点で、単位
光量調整幅を大きくすることで、レーザ光射出部の光量
をＡＰＣ制御の目標光量まで上昇させる時間をさらに短
縮することが可能となる。

【００４４】ここで、光量調整手段は、レーザ光射出部
の光量が画像形成装置で画像形成処理のために設定され
る光量値の範囲内の目標値（例えば、上限値）に近くな
るまでは、大きくした単位光量調整幅でレーザ光射出部
の初期光量を粗調整し、レーザ光射出部の光量が該目標
値に近くなった場合には、該大きくした単位光量調整幅
より小さい単位光量調整幅でレーザ光射出部の初期光量
を微調整するようにしてもよい。このように、粗調整及
び微調整を行うので、レーザ光射出部の光出力を、速く
かつ正確に目標値にすることができる。

【００４５】また、光量調整手段は、微分効率の値又は
該微分効率の比の値に基づいて、レーザ光射出部から射
出される光量が画像形成装置で画像形成処理のために設
定される光量値の範囲内の目標値になるための該微分効
率の値又は該微分効率の比の値に対応して予め定められ
た駆動電流をレーザ光射出部に供給することにより、粗
調整を行うようにしてもよい。このように、粗調整を行
う際、目標値になるための該微分効率の値又は該微分効
率の比の値に対応して予め定められた駆動電流をレーザ
光射出部に供給するので、レーザ光射出部の光出力を速
く目標値にすることができる。

【００４６】この場合、駆動電流を定めるための微分効
率の値又は該微分効率の比の値は、算出手段により、画
像形成処理のために設定される光量値の範囲の下限値よ
り小さい光量値に基づいて算出された値としてもよい。
これにより、画像形成処理のために設定される光量値の
範囲の下限値より小さい光量値に基づいて微分効率の値
又は該微分効率の比の値を求めているので、レーザ光射
出部に駆動電流を供給し始めた早い時期に上記駆動電流
を求めることができ、レーザ光射出部の光出力をより速
く目標値にすることができる。

【００４７】ところで、レーザ光射出部の劣化が認めら
れた時点で（即ち、微分効率の値が初期値から所定値以
上変化した場合又は微分効率の比の値が初期値から所定
値以上変化した場合）、報知手段によりレーザ光射出部
が劣化した旨をオペレータ等に報知して、オペレータ等
にレーザ光射出部の劣化の事態を確実に認識させること
が望ましい。

【００４８】また、算出手段は、１つの微分効率と該微
分効率に隣接する微分効率以外の微分効率との比を求め
ることにより、上記微分効率の比を算出するようにして
もよい。即ち、例えば、図１１においてinitial 状態を
例にとり説明すると、検出点Ａ１と検出点Ａ２とから１
つの微分効率を求めた場合には、微分効率の比を求める
際は、この微分効率と、該微分効率に隣接する微分効率
（検出点Ａ２、Ａ３から求められた微分効率）以外の微
分効率、例えば、検出点Ａ３、Ａ４から求めた微分効
率、検出点Ａ４、Ａ５から求めた微分効率、検出点Ａ
５、Ａ６から求めた微分効率等との比を算出するように
してもよい。

【００４９】このように、１つの微分効率と該微分効率
に隣接する微分効率以外の微分効率との比を求めること
により、上記微分効率の比を算出するので、レーザ光射
出部の劣化状態をより明確に算出することができる。特
に、１つの微分効率と該微分効率に隣接する微分効率以
外の微分効率とが離れていればいる程、レーザ光射出部
の劣化状態をより一層明確に算出することができる。即
ち、劣化状態→劣化状態→劣化状態となるに従っ
て、検出点Ａ１、Ａ２に対応する点から求めた微分効率
と検出点Ａ３、Ａ４に対応する点から求めた微分効率と
の比より、検出点Ａ１、Ａ２に対応する点から求めた微
分効率と検出点Ａ４、Ａ５に対応する点から求めた微分
効率等との比のほうが、レーザ光射出部の劣化状態をよ
り一層明確に算出することができる。即ち、小さい値側
の駆動電流及び光出力から１つの微分効率を求めると共
に該微分効率に隣接する微分効率以外の微分効率を大き
い値側の駆動電流及び光出力から求めることが望まし
い。

【００５０】

【発明の実施の形態】以下、発明の各種実施形態を説明
する。

【００５１】［第１実施形態］まず、第１実施形態を説
明する。

【００５２】［画像形成装置の概略構成］図１には、本
実施形態における画像形成装置３０の要部の構成図を示
す。この図１に示すように、画像形成装置３０には、像
担持体としての感光体ドラム１が設置されており、この
感光体ドラム１は図１の矢印Ｑ方向に所定の角速度で回
転する。また、感光体ドラム１の外周部近傍には、帯電
装置２１、現像装置２３、転写装置２４及びクリーニン
グ装置２６が外周に沿って順に設置されている。また、
感光体ドラム１の上方には、形成される画像の画像デー
タに応じて変調されたレーザ光で感光体ドラム１の表面
を走査する光走査装置２２が設置されている。なお、光
走査装置２２によるレーザ光の走査位置は、帯電装置２
１による帯電位置と現像装置２３による現像位置との間
に設定されている。

【００５３】帯電装置２１により帯電された感光体ドラ
ム１の表面は、形成される画像の画像データに応じて変
調された光走査装置２２からのレーザ光により走査露光
され、静電潜像が形成される。さらに、この静電潜像は
現像装置２３により現像され、感光体ドラム１の表面に
静電潜像に対応したトナー像が形成される。

【００５４】一方、用紙Ｐは、上記トナー像の形成と同
期して、所定経路に沿って感光体ドラム１と転写装置２
４とのニップ部に搬送される。用紙Ｐが該ニップ部に搬
送されるタイミングで所定の転写バイアス電圧が転写装
置２４に印加され、この転写バイアス電圧の印加及び転
写装置２４による用紙Ｐの感光体ドラム１に対する押圧
作用によって、感光体ドラム１上のトナー像は用紙Ｐに
転写される。

【００５５】転写後の用紙Ｐは定着装置２５に搬送さ
れ、用紙Ｐ上に形成されたトナー像が用紙Ｐに定着され
る。定着された用紙Ｐは矢印Ｗ方向に搬送され、図示し
ない排紙トレイへ排出される。

【００５６】次に、図２を用いて光走査装置２２の構成
を説明する。図２に示すように光走査装置２２には、レ
ーザーダイオード（以下、ＬＤと称する）４が設けられ
ており、このＬＤ４の光軸上には、ＬＤ４に近い方から
順にコリメータレンズ５、シリンダレンズ６、回転多面
鏡（ポリゴンミラー）８が配置されている。なお、回転
多面鏡８は、該回転多面鏡８の駆動用モータを含んで構
成されたモータ駆動基板１１上に設置され、所定方向に
等角速度で回転する。

【００５７】また、この光軸上には回転多面鏡８から近
い方から順に、ｆθレンズ７、折り返しミラー１３及び
折り返しミラー１０が配置されており、折り返しミラー
１０で反射された光は感光体１（図１参照）に照射され
る。

【００５８】即ち、ＬＤ４から照射されたレーザ光は、
コリメータレンズ５、シリンダレンズ６を通過して回転
多面鏡８に入射し、この回転多面鏡８により偏向され
る。このように回転多面鏡８により偏向されたレーザ光
は、ｆθレンズ７を通過し折り返しミラー１３、１０で
順に反射した後、感光体１の表面に照射される。このと
き回転多面鏡８によるレーザ光の偏向によって、感光体
１の表面はレーザ光で走査露光される。なお、レーザ光
の光路は図２において破線１２により示されている。ま
た、回転多面鏡８により偏向されたレーザ光によって感
光体１が走査される方向を主走査方向といい、主走査方
向と直交する方向を副走査方向という。

【００５９】また、光走査装置２２には、レーザ光によ
り感光体１が走査される際に感光体１の画像形成領域に
最初に入射する位置以前の予め定められた位置に、ミラ
ー９が配置されており、このミラー９により反射された
レーザ光の光軸上には、水平同期センサ（ＳＯＳセン
サ）３が配置されている。

【００６０】［ＬＤの制御に係る回路の構成］次に、図
７、図８を用いてＬＤ４の制御に係る回路の構成を説明
する。図７に示すように、ＬＤ４には該ＬＤ４を駆動す
るＬＤ駆動回路１４が接続されており、このＬＤ駆動回
路１４は後述するメイン制御基盤１５のマイコン３２の
制御により動作する。具体的には、メイン制御基盤１５
は、ＬＤ駆動回路１４に駆動電流設定電圧Ｖopを印加し
て、ＬＤ駆動回路１４によりＬＤ４を駆動させる。ＬＤ
駆動回路１４は、図示しないホトダイオードを備えてい
る。ＬＤ４からの光はこのホトダイオードによっても受
光される。ホトダイオードは、受光量に対応した大きさ
の電圧を出力する。このときメイン制御基盤１５は、Ｌ
Ｄ４からの光出力に応じた該ホトダイオードからの電圧
出力をモニタ電圧Ｖmoとして監視している。なお、図３
には、モニタ電圧Ｖmoに対応するモニタ電流Ｉ_monと光
出力との関係を示しており、両者はほぼ比例関係にある
ことがわかる。即ち、メイン制御基盤１５は、モニタ電
圧Ｖmoを検知することで、ＬＤ４の発光量を検知する。

【００６１】図８に示すようにメイン制御基盤１５に
は、図示しないＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を含んで構成
されたマイクロコンピュータ（マイコン）３２が設けら
れており、このマイコン３２には、図示しないディスプ
レイ及びキー操作部を含んで構成されたコントロールパ
ネル１６と、前述したＳＯＳセンサ３とが接続されてい
る。マイコン３２は、ＳＯＳセンサ３からの信号を受信
し、該信号に基づいてＬＤ４の駆動タイミングを制御す
る。また、マイコン３２は、後述するＬＤ４の劣化検出
時にはコントロールパネル１６のディスプレイにＬＤ４
が劣化した旨の警告メッセージを表示する。

【００６２】マイコン３２は、抵抗３９、３８で構成さ
れた回路を介してＬＤ駆動回路１４に駆動電流設定電圧
Ｖopを印加する。また、マイコン３２とＬＤ駆動回路１
４の間には、駆動電流設定電圧Ｖopをモニタするための
サンプルホールド回路４０、ＬＤ４からの光出力に応じ
たモニタ電圧Ｖmoを監視するためのサンプルホールド回
路３４、及び各種制御データ伝送用の信号線４６が設け
られている。

【００６３】［ＬＤ駆動回路１４及びマイコン３２によ
る制御について］画像形成装置３０では、光量調整の段
階で、感光体１上で所定光量が得られる時のモニタ電圧
Ｖmoをある値にセットしておく。例えば、感光体１上で
０．５ｍＷの光量が得られる時のモニタ電圧Ｖmoが３Ｖ
である場合、モニタ電圧が３ＶとなるようにＬＤ４の駆
動電流値を変化させる。このように画像形成装置３０で
は、いわゆるＡＰＣ制御（ＡｕｔｏＰｏｗｅｒＣｏ
ｎｔｒｏ１）が実行される。

【００６４】［第１実施形態の作用］次に、図９のフロ
ーチャートに沿って、第１実施形態におけるＬＤ４の劣
化検知に係る制御ルーチンを説明する。まず、図９のス
テップ１０２では、ＬＤ４の発光量が所定の３つの光量
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のそれぞれに相当する場合の駆動電流
値Ｉｆを測定する。但し、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３とする。

【００６５】具体的には、ＬＤ４の発光量が所定の光量
Ｐ１（ｍＷ）に相当するモニタ電圧値Ｖmo１（Ｖ）を得
る時の駆動電流値Ｉｆ１（ｍＡ）を測定する。同様に、
所定の光量Ｐ２（ｍＷ）に相当するモニタ電圧値Ｖmo２
（Ｖ）を得る時の駆動電流値Ｉｆ２（ｍＡ）を測定す
る。同様に、所定の光量Ｐ３（ｍＷ）に相当するモニタ
電圧値Ｖmo３（Ｖ）を得る時の駆動電流値Ｉｆ３（ｍ
Ａ）を測定する。

【００６６】次のステップ１０４では、３つの測定点Ａ
１（Ｉｆ１，Ｖmo１）、Ａ２（Ｉｆ２，Ｖmo２）、Ａ３
（Ｉｆ３，Ｖmo３）における測定値から、測定点Ａ１−
Ａ２の区間の微分効率η１を以下の式（１）により、測
定点Ａ２−Ａ３の区間の微分効率η２を以下の式（２）
により、それぞれ算出する。

【００６７】 η１＝（Ｖmo２−Ｖmo１）／（Ｉｆ２−Ｉｆ１）・・・（１） η２＝（Ｖmo３−Ｖmo２）／（Ｉｆ３−Ｉｆ２）・・・（２）さらに次のステップ１０６では、上記の微分効率の比の
値αを以下の式（３）により算出する。

【００６８】α＝η２／η１・・・（３）ここで、ステップ１０４、１０６の処理の具体的方法に
ついて説明する。まず、ＬＤ４の発光量が所定の光量Ｐ
１（ｍＷ）に相当するモニタ電圧値Ｖmo１（Ｖ）が得ら
れるように、駆動電流値を徐々に上げていき、例えば、
Ｖmoｌ（Ｖ）＝１Ｖとなるように駆動電流をＡＰＣ制御
する。この時の駆動電流値又はこれに相当する駆動電流
設定電圧Ｖop１をサンプルホールド回路４０によって保
持する。

【００６９】同様に、ＬＤ４の発光量が所定の光量Ｐ２
（ｍＷ）に相当するモニタ電圧値Ｖmo２（Ｖ）が得られ
るように、駆動電流値を徐々に上げていき、例えば、Ｖ
mo２（Ｖ）＝２Ｖとなるように駆動電流をＡＰＣ制御
し、この時の駆動電流値又はこれに相当する駆動電流設
定電圧Ｖop２をサンプルホールド回路４０によって保持
する。

【００７０】同様に、ＬＤ４の発光量が所定の光量Ｐ３
（ｍＷ）に相当するモニタ電圧値Ｖmo３（Ｖ）が得られ
るように、駆動電流値を徐々に上げていき、例えば、Ｖ
mo３（Ｖ）＝３Ｖとなるように駆動電流をＡＰＣ制御
し、この時の駆動電流値又はこれに相当する駆動電流設
定電圧Ｖop３をサンプルホールド回路４０によって保持
する。

【００７１】図８のマイコン３２は、ＬＤ４からの光量
に応じたモニタ電圧Ｖmoを監視し、Ｖmoが所定の値（＝
Ｖref ）となるように、Ｖref （Ｖ）とＶmo（Ｖ）の値
を比較し、Ｖref （Ｖ）＞Ｖmo（Ｖ）の場合、駆動電流
設定電圧Ｖｏｐ（Ｖ）の値を上げていき、逆にＶref
（Ｖ）＜Ｖmo（Ｖ）の場合、駆動電流設定電圧Ｖｏｐ
（Ｖ）の値を下げていくことを繰り返す。これにより、
ＬＤ４からの光量を所定の光量レベルにセットできる。

【００７２】この時、所定光量Ｐ１（ｍＷ）にセットす
る時はＶref （Ｖ）＝１Ｖ、所定光量Ｐ２（ｍＷ）にセ
ットする時はＶref （Ｖ）＝２Ｖ、所定光量Ｐ３（ｍ
Ｗ）にセットする時はＶref （Ｖ）＝３Ｖとすることで
実現できる。なお、Ｖref （Ｖ）＝１Ｖ、Ｖref （Ｖ）
＝２Ｖ、Ｖref （Ｖ）＝３Ｖとした時に、Ｖmo（Ｖ）も
ほぼＶmo（Ｖ）＝１Ｖ、Ｖmo（Ｖ）＝２Ｖ、Ｖmo（Ｖ）
＝３Ｖとなるときの駆動電流設定電圧Ｖｏｐ（Ｖ）をホ
ールドする。また、回路構成より、ＬＤの駆動電流値は
駆動電流設定電圧Ｖｏｐ（Ｖ）からの返還式にて、容易
に求めることができる。

【００７３】こうして得られたそれぞれの所定光量に対
する駆動電流値から、上記の式（１）、式（２）より、
それぞれの区間の微分効率を算出する。また、これらの
値の比を式（３）より算出する。

【００７４】ところで、上記の微分効率η１、η２を算
出する時の、光量範囲は画像形成装置３０での実使用光
量レベル範囲よりも広い範囲であるとする。すなわち、
図１１に示すように、画像形成装置３０で設定可能な光
量範囲（実使用光量範囲）がＰｍｉｎ（ｍＷ）からＰｍ
ａｘ（ｍＷ）までである場合、上記のＰ１（ｍＷ）はＰ
ｍｉｎ（ｍＷ）以下で、上記のＰ３（ｍＷ）はＰｍａｘ
（ｍＷ）以上であるとする。すなわち、Ｐ１（ｍＷ）＜Ｐｍｉｎ（ｍＷ）＜Ｐｍａｘ（ｍＷ）＜Ｐ３（ｍＷ）・・・（４）である。Ｐ２（ｍＷ）の光量レベルについては特に制約
しない。

【００７５】図９において次のステップ１０８では、上
記のようにして算出された微分効率η１、η２とこれら
の比αの値とをコントロールパネル１６のディスプレイ
に表示する。これにより、オペレータは、駆動電流値−
光量値特性における特性曲線の傾きを微分効率η１、η
２により認識し、該特性曲線の折れ曲がりの程度を上記
微分効率η１、η２の比αの値により認識することで、
ＬＤ４の劣化状態を正確に認識することができる。

【００７６】さらに、次のステップ１１０では、微分効
率η１、η２の比αが０．８以下であるか否かを判定す
る。

【００７７】ここで、比αの判定基準値「０．８」の意
味について説明する。図４のグラフからもわかるよう
に、３回目の静電気（＋２ｋＶ）印加までは、少なくと
も実使用域（モニタ電圧Ｖmoが１Ｖ〜２Ｖの範囲）で
は、モニタ電圧Ｖmoはほぼリニアな特性を示しているの
に対し、それ以降は極度に劣化の進行が速い。このた
め、この３回目の時点が画像形成装置３０の正常動作可
能範囲の限界とみなすことができる。この３回目の特性
で、モニタ電圧Ｖmoが１Ｖ〜２Ｖの区間の微分効率をη
１、モニタ電圧Ｖmoが２Ｖ〜２．５Ｖの区間の微分効率
をη２とすると、これらの比α（＝η２／η１）は約
「０．８」となる。

【００７８】従って、本実施形態では、微分効率η１、
η２の比αが０．８以下となった時点で、画像形成装置
３０の機能停止となってしまう可能性が高くなると判断
する。

【００７９】ステップ１１０で比αが０．８以下と判定
されれば、ステップ１１２へ進み、ＬＤ４の劣化がかな
り進行している旨の警告メッセージをコントロールパネ
ル１６のディスプレイに表示する。

【００８０】これにより、オペレータに、ＬＤ４の劣化
がかなり進行していることを報知し、確実に認識させる
ことができる。

【００８１】また、画像形成装置３０に内蔵されている
ＬＤ４の状態がわかるので、例えば、製造工程で何らか
のサージがＬＤ４に印加しＬＤ４が劣化していることを
容易に発見し、トラブルの切り分けを迅速に行うことが
できる。また、市場でＣＥ（ＣｕｓｔｏｍｅｒＥｎｇ
ｉｎｅｅｒ）などが画像形成装置３０の保守サービスを
行う場合においても、ＣＥはトラブルの切り分けを容易
に実施でき、保守サービス時間の短縮、すなわち、顧客
が画像形成装置３０を使えない時間を短縮する事ができ
る。

【００８２】さらに、オペレータは、ＬＤ４の劣化状態
を早期に検知する事で、光走査装置２２等の交換時期が
近い事を認識し、光走査装置２２等の交換を行うことが
できる。このため、画像形成装置３０が突然動作しなく
なり且つ故障箇所の切り分けに時間がかかってしまう事
態を未然に防ぐことができる。

【００８３】なお、上記第１実施形態では、所定光量と
なる時のＬＤ４の駆動電流値を測定し、微分効率を算出
したが、逆に、所定の駆動電流値の時の光出力をモニタ
電圧より測定し、微分効率を算出してもよい。

【００８４】例えば、図１０に示す制御ルーチンで、ま
ず、ステップ１０３において、所定の駆動電流値Ｉｏｐ
１（ｍＡ）、Ｉｏｐ２（ｍＡ）、Ｉｏｐ３（ｍＡ）をＬ
Ｄ４に供給した時のモニタ電圧Ｖmo１（Ｖ）、Ｖmo２
（Ｖ）、Ｖmo３（Ｖ）のそれぞれの値を測定する。

【００８５】そして、次のステップ１０４において、以
下の式（５）、（６）を用いて微分効率を算出すれば良
い。

【００８６】 η１＝（Ｖmo２−Ｖmo１）／（Ｉｏｐ２−Ｉｏｐ１）・・・（５） η２＝（Ｖmo３−Ｖmo２）／（Ｉｏｐ３−Ｉｏｐ２）・・・（６）なお、ステップ１０６以降の処理は第１実施形態と同様
である。

【００８７】以上説明した第１の実施の形態では、微分
効率を算出する時の光量範囲は画像形成装置３０での実
使用光量レベル範囲よりも広い範囲としているが、本発
明はこれに限定されず、微分効率を算出する時の光量値
を画像形成装置３０での実使用光量レベル範囲の上限値
より大きい少なくとも２つの値としてもよい。即ち、図
１６に示すように、ステップ１５２で、画像形成装置３
０での実使用光量レベル範囲の上限値より大きい３つの
光量Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７（図１７も参照）のそれぞれに相
当する場合の駆動電流値Ｉｆ５、Ｉｆ６、Ｉｆ７を、前
述したように、測定する。但し、Ｐ５＜Ｐ６＜Ｐ７とす
る。

【００８８】次のステップ１５４では、図１７に示すよ
うに、３つの測定点Ａ５（Ｉｆ５，Ｖmo５）、Ａ６（Ｉ
ｆ６，Ｖmo６）、Ａ７（Ｉｆ７，Ｖmo７）における測定
値から、測定点Ａ５−Ａ６の区間の微分効率η５を以下
の式により、測定点Ａ６−Ａ７の区間の微分効率η６を
以下の式により、それぞれ前述したように算出する。

【００８９】 η５＝（Ｖmo６−Ｖmo５）／（Ｉｆ６−Ｉｆ５） η６＝（Ｖmo７−Ｖmo６）／（Ｉｆ７−Ｉｆ６）さらに次のステップ１５６では、上記の微分効率の比の
値βを、β＝η６／η５より、算出する。

【００９０】次のステップ１５８では、上記のようにし
て算出された微分効率η５、η６とこれらの比βの値と
をコントロールパネル１６のディスプレイに表示する。
これにより、オペレータは、駆動電流値−光量値特性に
おける特性曲線の傾きを微分効率η５、η６により認識
し、該特性曲線の折れ曲がりの程度を上記微分効率η
５、η６の比βの値により認識することで、ＬＤ４の劣
化状態を正確に認識することができる。

【００９１】さらに、次のステップ１６０では、微分効
率η５、η６の比βが所定の判定基準値β０未満である
か否かを判定する。ここで、判定基準値β０は、多数の
実験から得られた、ＬＤ４が劣化している状態に近い状
態であるか否かを判断することの可能な値である。

【００９２】微分効率η５、η６の比βが所定の判定基
準値β０未満である場合に、ステップ１６２で、ＬＤ４
が劣化している状態に近い状態である旨をコントロール
パネル１６のディスプレイに表示する。

【００９３】なお、上記の場合も、画像形成装置３０で
の実使用光量レベル範囲の上限値より大きい光量となる
ための所定の駆動電流値の時の光出力をモニタ電圧より
測定し、微分効率を算出してもよい。

【００９４】また、上記例では、微分効率η５、η６の
比βが所定の判定基準値β０未満である場合に、ＬＤ４
が劣化している状態に近い状態である旨をコントロール
パネル１６のディスプレイに表示しているが、本発明は
これに限定されず、微分効率η５、η６の少なくとも一
方が、ＬＤ４が劣化している状態に近い状態であるか否
かを判断することの可能な判定値未満である場合に、Ｌ
Ｄ４が劣化している状態に近い状態である旨をコントロ
ールパネル１６のディスプレイに表示するようにしても
よい。

【００９５】［第２実施形態］次に、第２実施形態を説
明する。この第２実施形態における画像形成装置３０や
ＬＤ４の制御に係る構成は、第１実施形態と同様である
ので、説明を省略する。

【００９６】［第２実施形態の作用］次に、図１２のフ
ローチャートに沿って、第２実施形態におけるＬＤ４の
劣化検知に係る制御ルーチンを説明する。なお、マイコ
ン３２のＲＯＭには、画像形成装置３０の初期状態にお
ける微分効率ηi1、ηi2の値が記憶されているものとす
る。

【００９７】まず、図１２のステップ１０２では、前述
した図９の制御ルーチンと同様に、ＬＤ４の発光量が所
定の３つの光量Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のそれぞれに相当する
場合の駆動電流値Ｉｆを測定する。但し、Ｐ１＜Ｐ２＜
Ｐ３とする。

【００９８】具体的には、ＬＤ４の発光量が所定の光量
Ｐ１（ｍＷ）に相当するモニタ電圧値Ｖmo１（Ｖ）を得
る時の駆動電流値Ｉｆ１（ｍＡ）を測定する。同様に、
所定の光量Ｐ２（ｍＷ）に相当するモニタ電圧値Ｖmo２
（Ｖ）を得る時の駆動電流値Ｉｆ２（ｍＡ）を測定す
る。同様に、所定の光量Ｐ３（ｍＷ）に相当するモニタ
電圧値Ｖmo３（Ｖ）を得る時の駆動電流値Ｉｆ３（ｍ
Ａ）を測定する。

【００９９】次のステップ１０４では、３つの測定点Ａ
１（Ｉｆ１，Ｖmo１）、Ａ２（Ｉｆ２，Ｖmo２）、Ａ３
（Ｉｆ３，Ｖmo３）における測定値から、測定点Ａ１−
Ａ２の区間の微分効率η１を以下の式（１）により、測
定点Ａ２−Ａ３の区間の微分効率η２を以下の式（２）
により、それぞれ算出する。

【０１００】 η１＝（Ｖmo２−Ｖmo１）／（Ｉｆ２−Ｉｆ１）・・・（１） η２＝（Ｖmo３−Ｖmo２）／（Ｉｆ３−Ｉｆ２）・・・（２）そして、次のステップ１２０では、算出された微分効率
η１が（初期状態における微分効率ηi1×０．５）以下
であるか否かをチェックし、もし、微分効率η１が（初
期状態における微分効率ηi1×０．５）以下であれば、
ＬＤ４の劣化度合いが激しいとみなし、後述するステッ
プ１２８へ進む。

【０１０１】一方、微分効率η１が（初期状態における
微分効率ηi1×０．５）より大きい場合はステップ１２
２へ進み、算出された微分効率η２が（初期状態におけ
る微分効率ηi2×０．５）以下であるか否かをチェック
する。もし、微分効率η２が（初期状態における微分効
率ηi2×０．５）以下であれば、ＬＤ４の劣化度合いが
激しいとみなし、後述するステップ１２８へ進み、微分
効率η２が（初期状態における微分効率ηi2×０．５）
より大きければ、ステップ１２４へ進む。ステップ１２
４では、上記２つの微分効率の比の値αを以下の式
（３）により算出する。

【０１０２】α＝η２／η１・・・（３）次のステップ１２６では、算出された比の値αが０．８
以下であるか否かをチェックし、もし、比の値αが０．
８以下であれば、ＬＤ４の劣化度合いが激しいとみな
し、後述するステップ１２８へ進む。

【０１０３】以上のようにＬＤ４の劣化度合いが激しい
とみなされたケース（即ち、微分効率η１、η２がそれ
ぞれの初期状態の値の半分以下まで低下した場合及び２
つの微分効率の比の値αが０．８以下まで低下した場
合）には、ステップ１２８において、画像形成装置３０
の立ち上げ時などの初期光量設定段階における感光体１
上での光量設定値Ｐｓｅｔ（ｍＷ）を、一例として、１
ｎＪ／ｍｍ２相当分だけ下げる。即ち、Ｐｓｅｔ（ｍＷ）＝Ｐｓｅｔ（ｍＷ）−（１ｎＪ／ｍｍ２相当分の光量）・・・（７）とする。

【０１０４】また、ステップ１２８では、光量設定値Ｐ
ｓｅｔ（ｍＷ）の変更に伴い、画像形成装置３０で形成
される画像の濃度が薄くなってしまうことを防止するた
めに、現像装置２３の現像バイアス電圧値を再設定す
る。なお、画像形成装置３０における現像バイアス電圧
値と画像濃度との関係は、あらかじめ、画像形成装置３
０自体のパラメータ設計の段階で把握しているものであ
り、上記のように１ｎＪ／ｍｍ２相当分の光量を設定変
更した場合の現像バイアス電圧の最適値は容易に導出で
きる。

【０１０５】さらに、ステップ１２８では、ＬＤ４の劣
化がかなり進行している旨の警告メッセージをコントロ
ールパネル１６のディスプレイに表示する。これによ
り、オペレータに、ＬＤ４の劣化がかなり進行している
ことを確実に報知し、認識させることができる。

【０１０６】なお、ステップ１２８で光量設定値Ｐｓｅ
ｔ（ｍＷ）を変更した場合は、図１２の処理終了後、変
更後の光量設定値Ｐｓｅｔ（ｍＷ）に基づくＡＰＣ制御
を直ちに実行する。

【０１０７】以上説明した第２実施形態によれば、ＬＤ
４の劣化が認められた時点で、予め定められた光量設定
値Ｐｓｅｔ（ｍＷ）を低く設定し直すので、従来のよう
に最大の駆動電流をＬＤ４に供給しても光量設定値Ｐｓ
ｅｔ（ｍＷ）まで上がらないといった事態を回避でき、
画像形成装置３０が機能停止する事態を回避することが
できる。また、早期の予防措置を講じることが可能とな
る。

【０１０８】また、光量設定値Ｐｓｅｔ（ｍＷ）の再設
定に伴い現像バイアス電圧を調整するので、形成される
画像の濃度が低下してしまう、といった事態を回避する
ことができる。

【０１０９】なお、上記第２実施形態では、所定光量と
なる時のＬＤ４の駆動電流値を測定し、微分効率を算出
したが、逆に、所定の駆動電流値の時の光出力をモニタ
電圧より測定し、微分効率を算出してもよい。

【０１１０】また、光量設定値Ｐｓｅｔ（ｍＷ）を低下
させる幅としての１ｎＪ／ｍｍ２相当分の光量は、あく
までも一例であり、各画像形成装置の特性に応じて低下
幅を設定することが望ましい。

【０１１１】また、光量設定値Ｐｓｅｔ（ｍＷ）の再設
定に伴い現像バイアス電圧を調整することは必須ではな
く、光量設定値Ｐｓｅｔ（ｍＷ）の再設定が画像濃度に
殆ど影響しないのであれば、必ずしも現像バイアス電圧
を調整する必要は無い。

【０１１２】以上説明した第２実施形態では、微分効率
を算出する時の光量範囲は画像形成装置３０での実使用
光量レベル範囲よりも広い範囲としているが、本発明は
これに限定されず、図１８に示すように、微分効率を算
出する時の光量値を画像形成装置３０での実使用光量レ
ベル範囲の上限値より大きい少なくとも２つの値として
もよい。図１８に示す例は、図１６に示した例と略同様
であるので、異なる部分のみ説明し、同一部分の説明を
省略する。図１８に示す例では、ステップ１５２〜１５
８を実施し、ステップ１６０で、微分効率η５、η６の
比βが所定の判定基準値β０未満であると判断した場合
は、ＬＤ４が劣化している状態に近い状態であるので、
この段階で、ステップ１２８の処理を実行する。即ち、
画像形成装置３０の立ち上げ時などの初期光量設定段階
における感光体１上での光量設定値Ｐｓｅｔ（ｍＷ）
を、一例として、１ｎＪ／ｍｍ２相当分だけ下げる。ま
た、現像装置２３の現像バイアス電圧値を再設定する。
更に、ＬＤ４が劣化している状態に近い状態である旨の
警告メッセージをコントロールパネル１６のディスプレ
イに表示する。これにより、オペレータに、ＬＤ４が劣
化している状態に近い状態であることを確実に報知し、
認識させることができる。また、ＬＤ４が劣化している
状態に近い状態である段階で、上記光量設定値Ｐｓｅｔ
（ｍＷ）を下げるので、装置の寿命をより一層延ばすこ
とが可能である。これは、ＬＤ４が劣化している状態に
近い状態である場合、ＬＤ４が劣化に至るまでの時間
が、適正な状態から劣化している状態に近い状態になる
までの時間より短いことに鑑み、早い時期に上記光量設
定値Ｐｓｅｔ（ｍＷ）を下げて、装置の寿命をより一層
延ばそうとするものである。

【０１１３】［第３実施形態］次に、第３実施形態を説
明する。この第３実施形態における画像形成装置３０や
ＬＤ４の制御に係る構成は、第１実施形態と同様である
ので、説明を省略する。

【０１１４】ところで、ＬＤ４の劣化が進行すると、画
像形成装置の立ち上げ時などの初期光量設定段階におい
てＬＤ４の光量を所定光量とするための該半導体レーザ
の駆動電流値が高くなる。例えば、図１３に示す駆動電
流−光量特性のグラフで、特性Ｙ１がＬＤ４の劣化によ
りやがて特性Ｙ２へと変化する。これに伴い、ＬＤ４の
光量を図１３の光量設定値まで上昇させるための駆動電
流Ｉｆは、電流Ｉ１から電流Ｉ２へ上昇する。よって、
予め定められた光量調整１ステップ幅ΔＪ１で光量設定
を行うと、従来８ステップだったものが、１２ステップ
かかることになる。本第３実施形態では、このような不
都合を解決する制御について説明する。

【０１１５】［第３実施形態の作用］次に、図１４のフ
ローチャートに沿って、第３実施形態における制御ルー
チンを説明する。なお、マイコン３２のＲＯＭには、画
像形成装置３０の初期状態における微分効率ηi1、ηi2
の値が記憶されているものとする。

【０１１６】まず、図１４のステップ１０２では、前述
した図９の制御ルーチンと同様に、ＬＤ４の発光量が所
定の３つの光量Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のそれぞれに相当する
場合の駆動電流値Ｉｆを測定する。但し、Ｐ１＜Ｐ２＜
Ｐ３とする。

【０１１７】具体的には、ＬＤ４の発光量が所定の光量
Ｐ１（ｍＷ）に相当するモニタ電圧値Ｖmo１（Ｖ）を得
る時の駆動電流値Ｉｆ１（ｍＡ）を測定する。同様に、
所定の光量Ｐ２（ｍＷ）に相当するモニタ電圧値Ｖmo２
（Ｖ）を得る時の駆動電流値Ｉｆ２（ｍＡ）を測定す
る。同様に、所定の光量Ｐ３（ｍＷ）に相当するモニタ
電圧値Ｖmo３（Ｖ）を得る時の駆動電流値Ｉｆ３（ｍ
Ａ）を測定する。

【０１１８】次のステップ１０４では、３つの測定点Ａ
１（Ｉｆ１，Ｖmo１）、Ａ２（Ｉｆ２，Ｖmo２）、Ａ３
（Ｉｆ３，Ｖmo３）における測定値から、測定点Ａ１−
Ａ２の区間の微分効率η１を以下の式（１）により、測
定点Ａ２−Ａ３の区間の微分効率η２を以下の式（２）
により、それぞれ算出する。

【０１１９】 η１＝（Ｖmo２−Ｖmo１）／（Ｉｆ２−Ｉｆ１）・・・（１） η２＝（Ｖmo３−Ｖmo２）／（Ｉｆ３−Ｉｆ２）・・・（２）そして、次のステップ１３０では、算出された一番光量
レベルが低いところの微分効率η１が（初期状態におけ
る微分効率ηi1−０．１）以下であるか否かをチェック
し、もし、微分効率η１が（初期状態における微分効率
ηi1−０．１）以下であれば、ＬＤ４の劣化度合いが激
しいとみなし、ステップ１３２へ進む。

【０１２０】ステップ１３２では、ＡＰＣ制御における
１ステップで変える駆動電流値（＝１ステップ幅）を今
までの２倍して、該ＡＰＣ制御する。例えば、図１３に
示す駆動電流−光量特性Ｙ２の状態で、５ステップ目か
ら光量調整１ステップ幅をΔＪ１からΔＪ２（＝ΔＪ１
×２）へ再設定することにより、図１３の太線に示すよ
うに５ステップ目以降の光量調整が実施され、１２ステ
ップかかるところを８ステップで光量調整が完了するこ
ととなる。

【０１２１】このようにＬＤ４の劣化に起因して光量制
御時間が長くなることを回避することができる。

【０１２２】なお、以後（図１４のステップ１３４〜１
４０）は、第１実施形態における図９のステップ１０６
〜１１２と同様である。

【０１２３】ところで、上記ステップ１３２では、ＡＰ
Ｃ制御における１ステップで変える駆動電流値（＝１ス
テップ幅）を今までの２倍として、光量調整している
が、本発明はこれに限定されず、図１９に示すように、
ステップ１３２に代えて、ステップ１６４で、ＡＰＣ制
御における１ステップで変える駆動電流値（＝１ステッ
プ幅）を今までの２倍に設定（粗調整）し、ステップ１
６５で、パワーインクリメント（駆動電流を大きくす
る）する。このパワーインクリメントにより、光出力が
光量設定範囲の目標値、例えば、上限値に近く、即ち、
例えば、８０％の値となるので、この結果、ステップ１
６６が肯定判定となり、ステップ１６８で、ＡＰＣ制御
における１ステップで変える駆動電流値（＝１ステップ
幅）を今までの１／２倍として光量調整（微調整）し
て、光出力が目標値となるようにしてもよい。

【０１２４】ところで、初期光量設定段階においてＬＤ
４の光量を所定の光量設定値まで上昇させるのに、あと
どれだけの駆動電流を供給すれば良いかを微分効率ηの
値から計算で求めることができる。

【０１２５】そこで、図１４の制御ルーチンに代わり、
図１５の制御ルーチンを実行しても良い。即ち、図１５
のステップ１３０で微分効率η１が（初期状態における
微分効率ηi1−０．１）以下であれば、ＬＤ４の劣化度
合いが激しいとみなし、ステップ１３１で、ＬＤ４の光
出力が画像形成処理のための光量設定範囲の上限値にな
るまでの残りの駆動電流値ΔＩｆを以下の式（８）で求
める。

【０１２６】 △Ｉｆ（ｍＡ）＝（Ｖｓｅｔ−Ｖmo２）／η１・・・（８）但し、所定光量レベルＰｓｅｔ（ｍＷ）に相当するＬＤ
のモニタ電圧をＶｓｅｔ（Ｖ）とする。

【０１２７】なお、これに限定されず、微分効率に対応
して、ＬＤ４の光出力が画像形成処理のための光量設定
範囲の上限値になるための駆動電流値を記憶し、算出し
た微分効率に対応する駆動電流を検索して求めるように
してもよい。

【０１２８】さらに、次のステップ１３３では、駆動電
流値を、上記算出された駆動電流値ΔＩｆだけ一気に上
げる。

【０１２９】このような制御を実施することで、ＬＤの
劣化状態に関わらず、光量制御時間を短縮することがで
きる。

【０１３０】なお、上記図１９に示す例において、ステ
ップ１６４に代えて、上記のように検索して求めた駆動
電流を供給することにより粗調整を行うようにしてもよ
い。

【０１３１】なお、上記第３実施形態では、所定光量と
なる時のＬＤ４の駆動電流値を測定し、微分効率を算出
したが、逆に、所定の駆動電流値の時の光出力をモニタ
電圧より測定し、微分効率を算出してもよい。

【０１３２】また、微分効率η１が（初期状態における
微分効率ηi1−０．１）以下に低下したことをもって、
ＬＤ４の劣化を判定していたが、上記の「０．１」は、
あくまでも一例であり、各画像形成装置の特性に応じ
て、判定時の定数を設定することが望ましい。

【０１３３】更に、上記第３の実施の形態では、微分効
η１、η２を算出した後に、微分効率η１が初期値から
所定値以上変化した場合に、ＡＰＣ制御における１ステ
ップ幅を２倍にしたり（図１４ステップ１３２参照）、
残りの駆動電流値ΔＩｆだけ一気に上げたり（図１５ス
テップ１３１、１３３参照）、粗調整及び微調整したり
（図１９ステップ１６４〜１６８）、しているが、本発
明はこれに限定されず、微分効η１が求められた段階
で、ＡＰＣ制御における１ステップ幅を２倍にしたり
（図１４）、残りの駆動電流値ΔＩｆだけ一気に上げた
り（図１５）、粗調整及び微調整したり（図１９）、し
てもよい。これにより、光出力を目標値まで上昇させる
時間を短縮することができる。

【０１３４】また、上記第１〜第３実施形態では、測定
点を３点とした場合について説明したが、測定点をそれ
よりも多く設けて測定しても構わない。また、微分効率
の比は、隣り合う微分効率に基づいて求めているが、本
発明はこれに限定されず、離れた微分効率に基づいて微
分効率の比を求めるようにしてもよい。

【０１３５】即ち、１つの微分効率と該微分効率に隣接
する微分効率以外の微分効率との比を求めることによ
り、微分効率の比を算出するようにしてもよい。即ち、
例えば、図１１におけるinitial 状態を例にとり説明す
ると、検出点Ａ１と検出点Ａ２とから１つの微分効率を
求めた場合には、微分効率の比を求める際は、この微分
効率と、該微分効率に隣接する微分効率（検出点Ａ２、
Ａ３から求められた微分効率）以外の微分効率、例え
ば、検出点Ａ３、Ａ４から求めた微分効率、検出点Ａ
４、Ａ５から求めた微分効率、検出点Ａ５、Ａ６から求
めた微分効率等との比を算出するようにしてもよい。

【０１３６】このように、１つの微分効率と該微分効率
に隣接する微分効率以外の微分効率との比を求めること
により、上記微分効率の比を算出するので、ＬＤ４の劣
化の事態をより明確に算出することができる。特に、１
つの微分効率と該微分効率に隣接する微分効率以外の微
分効率とがはなれていればいる程、ＬＤ４の劣化状態を
より一層明確に算出することができる。即ち、劣化状態
→劣化状態→劣化状態となるに従って、検出点Ａ
１、Ａ２に対応する点（検出点Ａ１、Ａ２に駆動電流又
は光出力が対応する点）から求めた微分効率と検出点Ａ
３、Ａ４に対応する点から求めた微分効率との比より、
検出点Ａ１、Ａ２に対応する点から求めた微分効率と検
出点Ａ４、Ａ５に対応する点から求めた微分効率等との
比のほうが、ＬＤ４の劣化状態をより一層明確に算出す
ることができる。即ち、小さい値側の駆動電流及び光出
力から１つの微分効率を求めると共に該微分効率に隣接
する微分効率以外の微分効率を大きい値側の駆動電流及
び光出力から求めることが望ましい。

【０１３７】なお、例えば、検出点Ａ１、Ａ２に対応す
る点から求めた微分効率と、該微分効率に隣接する微分
効率以外の微分効率と、の比を算出する際は、検出点Ａ
１、Ａ２に対応する点から求めた微分効率と、検出点Ａ
１の駆動電流及び光量値（光出力）と検出点Ａ２、Ａ
３、Ａ４・・・の何れかに対応する点の駆動電流及び光
量値（光出力）とから求めた微分効率と、の比を求めた
り、検出点Ａ１、Ａ２に対応する点から求めた微分効率
と、検出点Ａ２に対応する点の駆動電流及び光量値（光
出力）と検出点Ａ４、Ａ５、Ａ６・・・の何れかに対応
する点の駆動電流及び光量値（光出力）とから求めた微
分効率と、の比を求めたり、してもよい。

【０１３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、レーザ光
射出部に各々大きさが異なる複数の駆動電流が供給され
た場合に検出された各々大きさが異なる複数の光量値に
基づいて、レーザ光射出部の劣化状態を表す微分効率又
は微分効率の比を算出するので、レーザ光射出部の個々
の画像形成装置の単体バラツキや設置場所の温度等の影
響を除去した正確な劣化状態を検出することができる、
という効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】画像形成装置の概略構成図である。

【図２】光走査装置の概略構成図である。

【図３】温度毎の光出力−モニタ電流特性を示すグラ
フである。

【図４】静電気印加による駆動電圧−モニタ電圧特性
の劣化を示すグラフである。

【図５】光出力−電流特性の経時劣化を示すグラフで
ある。

【図６】温度毎の光出力−順方向電流特性を示すグラ
フである。

【図７】半導体レーザ、半導体レーザ駆動回路及び制
御回路の全体構成図である。

【図８】半導体レーザ駆動回路及び制御回路のブロッ
ク図である。

【図９】第１実施形態における制御ルーチンを示す流
れ図である。

【図１０】第１実施形態における他の制御ルーチンの
例を示す流れ図である。

【図１１】微分効率及び光量設定レベルを説明するた
めのグラフである。

【図１２】第２実施形態における制御ルーチンを示す
流れ図である。

【図１３】ＡＰＣ制御での１ステップ幅の変更を説明
するためのグラフである。

【図１４】第３実施形態における制御ルーチンを示す
流れ図である。

【図１５】第３実施形態における他の制御ルーチンの
例を示す流れ図である。

【図１６】第１実施形態の変形例に係る制御ルーチン
の例を示す流れ図である。

【図１７】図１６の制御ルーチンによる処理を説明す
るための説明図である。

【図１８】第２実施形態の変形例に係る制御ルーチン
の例を示す流れ図である。

【図１９】第３実施形態の変形例に係る制御ルーチン
の例を示す流れ図である。

【符号の説明】

１感光体（像担持体）４半導体レーザ８回転多面鏡１４半導体レーザ駆動回路１５制御回路２１帯電装置２２光走査装置２３現像装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の駆動電流が供給されることで該駆
動電流に応じたレーザ光を射出するレーザ光射出部を備
え、前記レーザ光射出部から射出される光を偏向走査し
像担持体上に静電潜像を形成する光走査装置と、前記レーザ光射出部から射出される光量を検出する光量
検出手段と、前記レーザ光射出部に各々大きさが異なる複数の駆動電
流が供給された場合に前記光量検出手段により検出され
る各々大きさが異なる複数の光量値に基づいて、駆動電
流及び光量値の一方の差分に対する他方の差分の比で表
される微分効率、又は該微分効率の比を算出する算出手
段と、前記算出手段により算出された微分効率の値又は微分効
率の比の値を報知する報知手段と、を有する画像形成装置。
【請求項２】前記レーザ光射出部に大きさが異なる駆
動電流が供給された場合に前記光量検出手段により検出
される光量値の範囲の上限値は、前記画像形成装置で画
像形成処理のために設定される光量値の範囲の上限値よ
り大きく設定されていることを特徴とする請求項１記載
の画像形成装置。
【請求項３】前記光量検出手段により検出される各々
大きさが異なる複数の光量値には、前記画像形成装置で
画像形成処理のために設定される光量値の範囲の上限値
より大きい少なくとも２つの光量値が含まれることを特
徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】前記報知手段は、前記算出手段により、
前記画像形成処理のために設定される光量値の範囲の上
限値より大きい少なくとも２つの光量値に基づいて算出
された微分効率又は該微分効率の比が所定値未満の場
合、前記レーザ光射出部が劣化した状態に近い旨を更に
報知することを特徴とする請求項３記載の画像形成装
置。
【請求項５】前記報知手段は、前記微分効率の値が初
期値から所定値以上変化した場合又は前記微分効率の比
の値が初期値から所定値以上変化した場合に、前記レー
ザ光射出部が劣化した旨を更に報知することを特徴とす
る請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の画像形成
装置。
【請求項６】所定の駆動電流が供給されることで該駆
動電流に応じたレーザ光を射出するレーザ光射出部を備
え、前記レーザ光射出部から射出される光を偏向走査し
像担持体上に静電潜像を形成する光走査装置と、前記レーザ光射出部から射出される光量を検出する光量
検出手段と、前記レーザ光射出部に各々大きさが異なる複数の駆動電
流が供給された場合に前記光量検出手段により検出され
る各々大きさが異なる複数の光量値に基づいて、駆動電
流及び光量値の一方の差分に対する他方の差分の比で表
される微分効率、又は該微分効率の比を算出する算出手
段と、前記算出手段により算出された微分効率の値が初期値か
ら所定値以上変化した場合又は前記算出手段により算出
された微分効率の比の値が初期値から所定値以上変化し
た場合に、前記レーザ光射出部の初期光量調整時の予め
定められた光量基準値を低く再設定する光量基準値設定
手段と、を有する画像形成装置。
【請求項７】前記光量基準値設定手段により光量基準
値が低く再設定された場合、形成される画像の濃度が低
下しないように、画像形成装置の現像装置の現像バイア
ス電圧を調整する現像バイアス調整手段をさらに有する
請求項６記載の画像形成装置。
【請求項８】所定の駆動電流が供給されることで該駆
動電流に応じたレーザ光を射出するレーザ光射出部を備
え、前記レーザ光射出部から射出される光を偏向走査し
像担持体上に静電潜像を形成する光走査装置と、前記レーザ光射出部から射出される光量を検出する光量
検出手段と、前記レーザ光射出部に各々大きさが異なる複数の駆動電
流が供給された場合に前記光量検出手段により検出され
かつ画像形成処理のために設定される光量値の範囲の上
限値より大きい少なくとも２つの光量値に基づいて、駆
動電流及び光量値の一方の差分に対する他方の差分の比
で表される微分効率、又は該微分効率の比を算出する算
出手段と、前記算出手段により算出された微分効率が所定値未満又
は該微分効率の比が所定値未満の場合に、前記レーザ光
射出部の初期光量調整時の予め定められた光量基準値を
低く再設定する光量基準値設定手段と、を有する画像形成装置。
【請求項９】前記光量基準値設定手段により光量基準
値が低く再設定された場合、形成される画像の濃度が低
下しないように、画像形成装置の現像装置の現像バイア
ス電圧を調整する現像バイアス調整手段をさらに有する
請求項８記載の画像形成装置。
【請求項１０】所定の駆動電流が供給されることで該
駆動電流に応じたレーザ光を射出するレーザ光射出部を
備え、前記レーザ光射出部から射出される光を偏向走査
し像担持体上に静電潜像を形成する光走査装置と、前記レーザ光射出部から射出される光量を検出する光量
検出手段と、前記レーザ光射出部に各々大きさが異なる複数の駆動電
流が供給された場合に前記光量検出手段により検出され
る各々大きさが異なる複数の光量値に基づいて、駆動電
流及び光量値の一方の差分に対する他方の差分の比で表
される微分効率、又は該微分効率の比を算出する算出手
段と、前記算出手段により算出された微分効率の値が初期値か
ら所定値以上変化した場合又は前記算出手段により算出
された微分効率の比の値が初期値から所定値以上変化し
た場合に、予め定められた単位光量調整幅を大きくして
前記レーザ光射出部の初期光量を調整する光量調整手段
と、を有する画像形成装置。
【請求項１１】前記レーザ光射出部に大きさが異なる
駆動電流が供給された場合に前記光量検出手段により検
出される光量値の範囲の下限値は、前記画像形成装置で
画像形成処理のために設定される光量値の範囲の下限値
より小さく設定されていることを特徴とする請求項１０
記載の画像形成装置。
【請求項１２】前記光量調整手段は、前記レーザ光射
出部の光量が前記画像形成装置で画像形成処理のために
設定される光量値の範囲内の目標値に近くなるまでは、
前記大きくした単位光量調整幅で前記レーザ光射出部の
初期光量を粗調整し、前記レーザ光射出部の光量が該目
標値に近くなった場合には、該大きくした単位光量調整
幅より小さい単位光量調整幅で前記レーザ光射出部の初
期光量を微調整することを特徴とする請求項１０又は請
求項１１記載の画像形成装置。
【請求項１３】前記光量調整手段は、前記微分効率の
値又は該微分効率の比の値に基づいて、前記レーザ光射
出部から射出される光量が前記画像形成装置で画像形成
処理のために設定される光量値の範囲内の目標値になる
ための該微分効率の値又は該微分効率の比の値に対応し
て予め定められた駆動電流を前記レーザ光射出部に供給
することにより、前記粗調整を行うことを特徴とする請
求項１２記載の画像形成装置。
【請求項１４】前記駆動電流を定めるための微分効率
の値又は該微分効率の比の値は、前記算出手段により、
画像形成処理のために設定される光量値の範囲の下限値
より小さい光量値に基づいて算出された値であることを
特徴とする請求項１３記載の画像形成装置。
【請求項１５】前記微分効率の値が初期値から所定値
以上変化した場合又は前記微分効率の比の値が初期値か
ら所定値以上変化した場合に、前記レーザ光射出部が劣
化した旨を報知する報知手段を更に備えたことを特徴と
する請求項６乃至請求項１４の何れか１項に記載の画像
形成装置。
【請求項１６】前記算出手段は、１つの微分効率と該
微分効率に隣接する微分効率以外の微分効率との比を求
めることにより、前記微分効率の比を算出することを特
徴とする請求項１乃至請求項１５の何れか１項に記載の
画像形成装置。