JPH11207250A

JPH11207250A - 膜形成方法

Info

Publication number: JPH11207250A
Application number: JP10026726A
Authority: JP
Inventors: Tsutae Omori; 伝大森; Masaaki Takizawa; 正明滝沢
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-01-23
Filing date: 1998-01-23
Publication date: 1999-08-03

Abstract

(57)【要約】【課題】ＬＣＤ基板にレジスト膜を均一に形成すると
共に，処理液の飛散を抑えることができる膜形成方法を
提供する。【解決手段】スピンチャック３２によってＬＣＤ基板
Ｇを回転させながら，溶剤供給ノズル９１から溶剤をＬ
ＣＤ基板Ｇ上の中心からずれた位置に供給する。次いで
ＬＣＤ基板Ｇ上の溶剤の量を減少させた後，ＬＣＤ基板
Ｇの回転を停止させた状態で，レジスト液をレジスト液
供給ノズル９２からＬＣＤ基板Ｇの中心に供給する。次
いで回転カップ５５を蓋体７１によって閉鎖した後，Ｌ
ＣＤ基板Ｇをより高速で回転させながらＬＣＤ基板Ｇ上
にレジスト液を拡散させてレジスト膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，例えばレジスト膜
などの膜をＬＣＤ基板のような基板上や，この基板上に
形成された層の上に形成するための膜形成方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】周知のように，半導体製造技術の分野で
は，ＬＣＤ基板の上に形成された半導体層，絶縁体層，
電極層を選択的に所定のパターンにエッチングする場合
に，半導体ウェハの場合と同様にＬＣＤ基板の表面にレ
ジスト膜を形成することが行われている。

【０００３】このようなレジスト膜の形成においては，
例えば矩形状のＬＣＤ基板を処理室内の回転可能に形成
されたスピンチャック上に保持させて，ＬＣＤ基板上面
の中心部にレジスト液を滴下し，ＬＣＤ基板を回転させ
てその遠心力によってこのレジスト液を拡散させる方法
が知られている。この場合，膜厚均一性向上のために，
密閉式カップ回転方式による塗布が一般的な方法であ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところがこの方法で
は，レジスト液がＬＣＤ基板の中心位置から周辺部に向
けて拡散して行く過程でレジスト液中の溶剤が蒸発す
る。その結果，ＬＣＤ基板上ではレジスト液の拡散する
方向によってレジスト液の粘度が異なり，ＬＣＤ基板の
中心部と周辺部とでは形成されるレジスト膜の厚さが異
なるおそれがあった。

【０００５】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり，基板上に処理液による膜を均一に形成することが
可能な新しい膜形成方法を提供することを目的としてい
る。また，本発明は同時に，処理液の飛散を抑えること
ができる新しい膜形成方法を提供することを目的として
いる。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１に記載の膜形成方法は，基板上に処理液を
供給し，当該基板の回転によって前記処理液を拡散させ
て，この処理液の膜を基板上に形成する方法において，
前記処理液の溶剤を基板中心からずれた位置に供給し，
当該基板を回転させて当該溶剤を基板上に拡散させる工
程と，その後，基板を停止させた状態で処理液を基板中
心に供給する工程と，その後，基板を回転させて処理液
を基板上に拡散させる工程とを有することを特徴として
いる。

【０００７】かかる方法によれば，基板上に処理液を供
給する工程の前には処理液の溶剤が基板上に塗布されて
いる。そのため，基板の周辺部にまで処理液を拡散させ
ることができ，基板上に処理液による均一な厚さの膜を
形成することが可能となる。また，基板に処理液を供給
する際には基板の回転を停止させているため，供給時の
処理液の飛散を防止することができる。このため，パー
ティクルの発生を効果的に抑えることが可能となる。な
お，処理液の溶剤は処理液となじみがよく，基板に供給
された処理液が処理液と接触すると，処理液をはじくこ
となく，基板上を滑らかに移動することが可能な液であ
り，処理液が例えばレジスト液の場合にはシンナ，処理
液が例えば現像液の場合には水である。

【０００８】請求項２に記載の膜形成方法は，基板上に
処理液を供給し，当該基板の回転によって前記処理液を
拡散させて，この処理液の膜を基板上に形成する方法に
おいて，前記処理液の溶剤を基板中心からずれた位置に
供給し，当該基板を回転させて当該溶剤を基板上に拡散
させる工程と，その後，基板上の溶剤の量を減少させる
工程と，その後，基板を停止させた状態で処理液を基板
中心に供給する工程と，その後，基板を回転させて処理
液を基板上に拡散させる工程とを有することを特徴とし
ている。

【０００９】かかる方法によれば，基板に処理液を供給
する際には基板の回転を停止させているために，供給時
の飛散を防止することができる。また，基板に処理液を
供給する前には基板上に溶剤が塗布されているので，基
板の周辺部にまで処理液が行き渡り，基板上に均一な膜
を形成することが可能である。さらに，基板中心部には
処理液の溶剤の供給が不要となるため，使用する処理液
の溶剤が少なくて済む。また，処理液の供給前には基板
上の溶剤の量を減少させているために，処理液が処理液
の溶剤に接触することによる飛散の範囲を低減でき，飛
散する処理液の量を低減させることができると共に，処
理液を基板の周辺部まで滑らかに拡散させることができ
る。そのため処理液が溶剤上を滑らかに移動して，適切
な処理液の膜を形成することができる。なお，基板上の
溶剤の量を減少させるには，例えば基板を回転させるこ
とで基板上の溶剤をある程度振り落としたり，少し乾燥
させることが提案できる。

【００１０】請求項３に記載の膜形成方法は，基板を回
転させる回転載置台と，該回転載置台を収容しかつ前記
基板が通過自在な形態の開口部を上面に有する処理容器
と，該開口部を閉鎖自在な蓋体とを備えた膜形成装置を
用いて，処理液の膜を基板上に形成する方法において，
前記蓋体を開放した状態で，基板中心からずれた位置に
処理液の溶剤を供給し，当該基板を回転させて当該溶剤
を基板上に拡散させる工程と，その後，基板を停止させ
た状態で処理液を基板中心に供給する工程と，その後，
蓋体を閉鎖した状態で基板を回転させ，処理液を基板上
に拡散させる工程とを有することを特徴としている。

【００１１】かかる方法によれば，基板に対して処理液
を供給する工程の前には処理液の溶剤をこの基板上に塗
布させている。従って，基板の回転によって基板の周辺
部にまで処理液を拡散させることができ，処理液による
均一な厚さの膜を基板上に形成することが可能となる。
また，停止した基板上に処理液を供給するため，基板に
対して処理液を供給する際には，処理液の飛散を防止す
ることができる。さらに，基板上に供給したこの処理液
を拡散させる時には蓋体が閉鎖しているために，基板上
の処理液が外部に飛散しない。従って，飛散した処理液
によって処理容器外部の汚染を防ぐことが可能となる。

【００１２】請求項４に記載の膜形成方法は，基板を回
転させる回転載置台と，該回転載置台を収容しかつ前記
基板が通過自在な形態の開口部を上面に有する処理容器
と，該開口部を閉鎖自在な蓋体とを備えた膜形成装置を
用いて，処理液の膜を基板上に形成する方法において，
前記蓋体を開放した状態で，基板中心からずれた位置に
処理液の溶剤を供給し，当該基板を回転させて当該溶剤
を基板上に拡散させる工程と，その後，基板上の溶剤の
量を減少させる工程と，その後，基板を停止させた状態
で処理液を基板中心に供給する工程と，その後，蓋体を
閉鎖した状態で基板を回転させ，処理液を基板上に拡散
させる工程とを有することを特徴としている。

【００１３】かかる方法によれば，停止した基板上に処
理液を供給するため，処理液の基板への供給時には処理
液の飛散が防止できる。さらに，基板上に供給したこの
処理液を基板の回転によって拡散させる時には蓋体を閉
鎖して行うために，基板から飛散した処理液が処理容器
外部に飛散しない。また，基板上の溶剤の量を例えば乾
燥する等して減少させてから基板中心に処理液を供給す
るために，その後の基板の回転によって処理液を基板に
対して適切にかつ均一に拡散させることが可能となる。
なお，基板上の溶剤の量を減少させるには，例えば基板
を回転させることで基板上の溶剤をある程度振り落とし
たり，少し乾燥させることが提案できる。

【００１４】また，請求項１，２，３または４に記載の
膜形成方法に使用される処理液の溶剤は，請求項５に記
載の発明のように，基板中心を中心として環状に供給す
るようにしてもよいし，請求項６に記載の発明のよう
に，基板の周辺部全体に供給するようにしてもよい。

【００１５】このように構成しても，請求項１〜４に記
載の発明の場合と同様に，基板に処理液を供給する前に
は基板上に溶剤が塗布されているので，基板の周辺部に
まで処理液が行き渡り，基板上に均一な処理液による膜
を形成することが可能である。さらに，基板中心部には
処理液の溶剤の供給が不要となるため，使用する処理液
の溶剤が少なくて済む。

【００１６】請求項７に記載の膜形成方法は，基板上に
処理液を供給し，当該基板の回転によって前記処理液を
拡散させて，この処理液の膜を基板上に形成する方法に
おいて，前記処理液の溶剤を基板中心からずれた位置に
供給すると共に当該基板の中心に処理液を供給する工程
と，その後，当該基板を回転させて前記処理液及び処理
液の溶剤を基板上に拡散させる工程とを有することを特
徴としている。

【００１７】かかる方法によれば，基板に対して処理液
と処理液の溶剤を同時に供給するために，請求項１〜６
に記載した発明のように，処理液と処理液の溶剤とを基
板に対して別々に供給する場合よりも基板の処理時間を
短縮することができる。そのため，スループットの向上
を図ることが可能となる。

【００１８】請求項８に記載の膜形成方法は，基板を回
転させる回転載置台と，該回転載置台を収容しかつ前記
基板が通過自在な形態の開口部を上面に有する処理容器
と，該開口部を閉鎖自在な蓋体とを備えた膜形成装置を
用いて，処理液の膜を基板上に形成する方法において，
前記蓋体を開放した状態で，基板中心からずれた位置に
処理液の溶剤を供給すると共に当該基板の中心に処理液
を供給する工程と，その後，蓋体を閉鎖した状態で基板
を回転させ，処理液及び処理液の溶剤を当該基板上に拡
散させる工程とを有することを特徴としている。

【００１９】かかる方法によれば，基板に対して処理液
と処理液の溶剤とを同時に供給するために，これらを別
々に供給する場合よりもスループットの向上を図ること
ができる。また，基板上に供給された処理液と処理液の
溶剤は，蓋体を閉鎖した状態で基板上に拡散させてい
る。そのため，処理液と処理液の溶剤とが基板の回転に
よって飛散せず，処理容器外部の汚染を防止することが
可能となる。

【００２０】また請求項７または８に記載の膜形成方法
については，請求項９に記載の発明のように，処理液の
溶剤を基板中心を中心として環状に供給すると共に処理
液は基板中心に供給するようにしてもよいし，また請求
項１０に記載の発明のように，処理液の溶剤を基板の周
辺部全体に供給すると共に処理液は基板中心に供給する
ようにしてもよい。

【００２１】この場合も，請求項５及び請求項６の発明
の場合と同様に，基板に処理液を供給する前には基板上
に溶剤が塗布されているので，基板の周辺部にまで処理
液が行き渡り，基板上に均一な処理液による膜を形成す
ることが可能である。そして，基板中心部には処理液の
溶剤の供給が不要となるため，使用する処理液の溶剤が
少なくて済む。さらに，処理液と処理液の溶剤とを基板
に対して同時に供給するために，請求項７及び請求項８
の発明の場合と同様に，これらを別々に供給する場合よ
りもスループットの向上を図ることも可能である。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下，添付図面に基づき本発明の
実施の形態について例を挙げて説明する。この実施の形
態は，ＬＣＤ基板に対してレジスト液を供給してレジス
ト膜を形成する方法として具体化されている。図１は，
このレジスト膜を形成する方法を実施するための塗布膜
形成装置を組み込み，一連のフォトリソグラフィ工程を
行う塗布現像処理装置の概観を示している。

【００２３】この塗布現像処理装置１は，例えば矩形状
のＬＣＤ基板Ｇを搬入・搬出するローダ部２と，ＬＣＤ
基板Ｇを処理する第１処理部３と，この第１処理部３と
インターフェイス部４を介して連設された第２処理部５
と，この第２処理部５と例えば露光装置６等との間でＬ
ＣＤ基板Ｇを授受するためのインターフェイス部７から
構成されている。

【００２４】ローダ部２には，カセットステーション１
０が設けられており，このカセットステーション１０に
は未処理のＬＣＤ基板Ｇを収納するカセット１１と，処
理済みのＬＣＤ基板Ｇを収納するカセット１２とがそれ
ぞれ複数個載置自在である。またローダ部２には，未処
理のＬＣＤ基板Ｇを搬入または搬出するための搬出入ピ
ンセット１３が備えられている。なお，搬入出ピンセッ
ト１３はＹ，Ｚ方向への移動とθ方向に回転可能に構成
されている。

【００２５】第１処理部３には，ＬＣＤ基板Ｇに対して
所定の処理を施す各種の処理装置がメイン搬送アーム１
５の搬送路１６を挟んで両側に配置されている。即ち，
カセット１１から取り出されたＬＣＤ基板Ｇを洗浄する
ためのブラシスクラバ１７，ＬＣＤ基板Ｇに疎水化処理
を施すアドヒージョン装置１８，ＬＣＤ基板Ｇを所定の
温度に冷却する冷却処理装置１９，現像処理装置２０が
配置されている。

【００２６】第２処理部５には，ＬＣＤ基板Ｇを所定の
温度に加熱する複数の加熱処理装置２１，さらにＬＣＤ
基板Ｇの表面にレジスト液を塗布する塗布膜形成装置２
２とＬＣＤ基板Ｇの周縁部に塗布形成された不要なレジ
スト膜を除去する周縁部除去装置２３とがメイン搬送ア
ーム２５の搬送路２６を挟んで両側に配置されている。

【００２７】塗布膜形成装置２２には図２に示すよう
に，水平状態のＬＣＤ基板Ｇを真空吸着して保持するス
ピンチャック３２が配置されている。このスピンチャッ
ク３２の下部にはバキュームシール部４０を介して昇降
シリンダ４２と連結する回転軸４３が接続されており，
この回転軸４３はスプライン軸受４４に摺動可能に構成
されている。

【００２８】さらに，スプライン軸受４４には従動プー
リ５０ａが装着されており，従動プーリ５０ａには駆動
モータ５１の駆動軸５１ａに装着された駆動プーリ５１
ｂとの間にベルト５２ａが掛け渡されている。従って，
スピンチャック３２は駆動モータ５１の稼働によって水
平方向に回転することが可能なように構成されている。
また，昇降シリンダ４２の稼働によって回転軸４３は上
下方向に移動可能に形成されている。従って，スピンチ
ャック３２は昇降シリンダ４２の稼働によって上下方向
にも移動可能に構成されている。

【００２９】また塗布膜形成装置２２には，スピンチャ
ック３２の上部及び外周部を包囲するようにして回転カ
ップ５５が配設されている。回転カップ５５の内部には
ＬＣＤ基板Ｇを処理する処理室５６が形成されており，
回転カップ５５の下面５５ｂの中央には開口部が形成さ
れている。スピンチャック３２はこの開口部から処理室
５６内部に挿入されている。

【００３０】回転カップ５５の下部においては，回転カ
ップ５５の下面５５ｂが連結筒６０を介して回転外筒６
１ｂの上端部に接続されており，この回転外筒６１ｂは
ベアリング６２ｂを介して固定カラー６３に接続されて
いる。固定カラー６３はベアリング６４を介して回転内
筒６５ａに接続されており，上記回転軸４３がスプライ
ン軸受４４を介してこの回転内筒６５ａと接続してい
る。そして，固定カラー６３と回転内筒６５ａの対向面
と，固定カラー６３と回転外筒６１ｂの対向面には，ラ
ビリンスシール部（図示せず）が形成されている。これ
により，回転カップ５５内部には下部の駆動系から発生
した汚染物質が侵入しないように構成されている。

【００３１】上記の回転外筒６１ｂには従動プーリ６６
ｂが装着されている。この従動プーリ６６ｂはベルト６
７ｂを介して駆動モータ５１の駆動プーリ５１ｂに接続
されている。従って，スピンチャック３２の場合と同様
にして，回転カップ５５も駆動モータ５１を稼働させる
ことによって水平方向に回転するように構成されてい
る。なお，スピンチャック３２の回転に寄与する従動プ
ーリ５０ａの直径と回転カップ５５の回転に寄与する従
動プーリ６６ｂの直径とは互いに等しいために，同一の
駆動モータ５１によって回転するスピンチャック３２と
回転カップ５５とは互いに同じ回転速度で回転するよう
に構成されている。

【００３２】回転カップ５５の上面には図３に示すよう
に，鉛直方向に突出する固定ピン７０ａが設けられてい
る。この固定ピン７０ａは回転カップ５５の開口部５５
ａを開放・閉鎖可能に着脱される蓋体７１に設けられた
嵌合凹所７１ｂと嵌合するように構成されている。その
ため，固定ピン７０ａと嵌合凹所７１ｂとを互いに嵌合
させることにより，回転カップ５５は蓋体７１によって
閉鎖されるように構成されている。また，固定ピン７０
ａの頂部は球面状に形成されており，嵌合凹所７１ｂと
の接触による発塵を抑えるように構成されている。

【００３３】蓋体７１の上面には給気孔７２が設けられ
ていると共に突設した支持部７３が形成されている。こ
の支持部７３には複数の係止溝７３ａが設けられてお
り，この係止溝７３ａには回転カップ５５の開口部５５
ａに蓋体７１を着脱させる蓋体移動手段であるロボット
アーム７５から突出する係止ピン（図示せず）が係合す
るように構成されている。

【００３４】回転カップ５５の側壁は，内側面が上側に
向かって縮径されたテーパ面に形成されている。従って
蓋体７１に設けられた給気孔７２から処理室５６内に空
気が供給されると，この空気は上面テーパ面に沿って流
れ，回転カップ５５側壁下部側の周方向の適宜位置に設
けられた排気口７６から排気されるように構成されてい
る。

【００３５】一方，回転カップ５５の周囲には，この回
転カップ５５から放出された廃物を受容するために中空
リング状のドレンカップ８０が配置されている。そして
ドレンカップ８０の内部には環状通路８０ａが設けられ
ている。この環状通路８０ａは，ドレンカップ８０の底
部から起立する壁８０ｂとドレンカップ８０の天井部か
ら垂下する壁８０ｃとによって迂回状に区画されてお
り，壁８０ｂと壁８０ｃとの間に位置する底部には，周
方向に適宜の間隔をおいてドレン孔８０ｄが設けられて
いる。なお，壁８０ｂ及び壁８０ｃは例えばドレンカッ
プ８０内に入り込んだ気体状のミスト等が壁８０ｂや壁
８０ｃに衝突することで液化する慣性衝突による気液分
離作用を意図して設けられている。

【００３６】また環状通路８０ａの外周壁の適宜箇所
（例えば周方向の４箇所）には，排気装置（図示せず）
に接続する排気口８１が設けられている。従って，ＬＣ
Ｄ基板Ｇの回転処理時に発生したミストは，排気口７６
を通ってドレンカップ８０に流れて行き，環状通路８０
ａを通って排気口８１から外部に排出されるように構成
されている。

【００３７】そして，塗布膜形成装置２２には図４に示
すように，ＬＣＤ基板Ｇに対してレジスト液等の処理液
を供給する処理液供給機構が備えられている。この処理
液供給機構９０は図５及び図６に示すように，ＬＣＤ基
板Ｇに対してレジスト液の溶剤（以下，「溶剤」とい
う。）Ａを供給する溶剤供給ノズル９１と，レジスト液
Ｂを供給するレジスト液供給ノズル９２とを備えてい
る。

【００３８】溶剤供給ノズル９１とレジスト液供給ノズ
ル９２とは共に回動機構１０５と接続した回動アーム１
０６に取り付けられている。そして回動機構１０５の駆
動によって回動アーム１０６は，待機位置とＬＣＤ基板
Ｇの上方位置との間を図４の往復矢印で示したθ方向に
回動自在となるように構成されている。

【００３９】溶剤供給ノズル９１は，内部に溶剤Ａが流
れる溶剤供給チューブ９５と接続しており，溶剤供給チ
ューブ９５は開閉バルブ９６を介して溶剤供給タンク９
７と接続している。そして溶剤供給タンク９７には供給
管９８を介して気体供給源（図示せず）が接続されてお
り，溶剤供給タンク９７内に搬送ガスが供給されるよう
に構成されている。そして溶剤供給タンク９７内に供給
する搬送ガスの圧力を適宜の圧力手段（図示せず）によ
って変化させることにより，ＬＣＤ基板Ｇに対して供給
する溶剤Ａの量を制御することができるように構成され
ている。

【００４０】また，レジスト液供給ノズル９２も溶剤供
給ノズル９１とほぼ同様に構成されている。即ち，レジ
スト液供給ノズル９２は内部にレジスト液Ｂが流れるレ
ジスト液供給チューブ９９と接続しており，レジスト液
供給チューブ９９は開閉バルブ１００を介してレジスト
液タンク１０１と接続している。そしてレジスト液タン
ク１０１には供給管１０２を介して気体供給源（図示せ
ず）が接続されており，例えば窒素ガス等の搬送ガスが
レジスト液タンク１０１内部に供給されるように構成さ
れている。また，レジスト液タンク１０１内に供給され
る搬送ガスの圧力を適宜の圧力手段（図示せず）によっ
て制御することによって，ＬＣＤ基板Ｇに供給されるレ
ジスト液Ｂの量を制御することができるように構成され
ている。

【００４１】そして，溶剤供給チューブ９５内を流れる
溶剤Ａとレジスト液供給チューブ９９内を流れるレジス
ト液Ｂは，温度調整機構１１０によって所定温度に設定
される。即ち，この温度調整機構１１０には図５に示す
ように，溶剤供給チューブ９５及びレジスト液供給チュ
ーブ９９の外周をそれぞれ包囲するように形成された温
度調整液供給路１１１が各々設けられている。この温度
調整液供給路１１１の両端部には溶剤Ａ，レジスト液Ｂ
をそれぞれ循環させるための循環路１１２が備えられて
いる。循環路１１２には温度調整液Ｃを循環させるため
の循環ポンプ１１３と温度調整液Ｃを一定温度に維持す
るためのサーモモジュール１１４とがそれぞれ介装され
ている。

【００４２】なお，溶剤供給チューブ９５及びレジスト
液供給チューブ９９は各温度調整液供給路１１１によっ
て先端部付近まで包囲されている。従って，溶剤Ａまた
はレジスト液Ｂを例えば２３℃の好適な温度に設定し
て，ＬＣＤ基板Ｇに供給することができるように構成さ
れている。

【００４３】本発明の実施の形態に係るレジスト膜の形
成方法を行うための塗布膜形成装置は以上のように構成
されている。次に，塗布膜形成装置を使用したレジスト
膜形成方法の作用効果について説明する。

【００４４】第１処理部３のアドヒージョン装置１８に
よって疎水化処理が施され，冷却処理装置１９によって
冷却処理されたＬＣＤ基板Ｇは，その後第２処理部５に
搬送され，メイン搬送アーム２５によって塗布膜形成装
置２２に搬入される。その後塗布膜形成装置２２内に搬
入されたＬＣＤ基板Ｇはスピンチャック３２に真空吸着
されると共に，当該スピンチャック３２の回転によって
例えば２００ｒｐｍの第１の回転数で回転する。なお，
ＬＣＤ基板Ｇの回転時に処理室５６内で発生するミスト
はドレンカップ８０に流れ，ドレンカップ８０に備えら
れた排気口８１から外部に排気される。そのため，回転
カップ５５の上部側は舞い上がったミストによって汚染
されることがない。

【００４５】またＬＣＤ基板Ｇが塗布膜形成装置２２に
搬送されてから第１の回転数で回転するまでの間に，回
動機構１０５の稼働によって待機位置にあった回動アー
ム１０６がＬＣＤ基板Ｇの中心部上方の動作位置まで回
動する。次いで，回動アーム１０６に備えられた溶剤供
給ノズル９１から温度調整機構１１０によって所定温度
に設定された溶剤Ａが，２００ｒｐｍの第１の回転数で
回転しているＬＣＤ基板Ｇ上に例えば２秒間供給され
る。

【００４６】この時，ＬＣＤ基板Ｇに溶剤供給ノズル９
１から供給される溶剤Ａは，図７に示すようにＬＣＤ基
板Ｇの中心点Ｑからずれた位置にある点Ｐに供給され
る。この点Ｐは，例えばスピンチャック３２のほぼ外周
付近に相当する位置であり，この点Ｐに溶剤Ａが供給さ
れると，図７の斜線部分に示すように，溶剤Ａは中心点
Ｑを中心として，半径ＰＱの円の外に向かって放射状に
拡散する。そのため，ＬＣＤ基板Ｇの中心部には溶剤Ａ
が供給されない状態となっている。

【００４７】次いで，ＬＣＤ基板Ｇに供給した溶剤Ａを
低減させるために，このＬＣＤ基板Ｇを例えば６００ｒ
ｐｍの回転数で３秒間回転させる。その後，駆動モータ
５１の駆動を停止してスピンチャック３２と回転カップ
５５の回転を停止し，ＬＣＤ基板Ｇをスピンチャック３
２上で停止させる。

【００４８】その後，このＬＣＤ基板Ｇ上にレジスト液
供給ノズル９２から所定温度に設定されたレジスト液Ｂ
を供給する。この時，ＬＣＤ基板Ｇに供給するレジスト
液Ｂは図８に示すように，ＬＣＤ基板Ｇの中心である中
心点Ｑに供給する。なお，ＬＣＤ基板Ｇに供給するレジ
スト液Ｂの供給量及び供給時間は，例えば１４ｃｃ，３
秒に夫々設定する。

【００４９】ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液Ｂの供給が終了
した後は，回動機構１０５の稼働によって回動アーム１
０６が動作位置から退避して待機位置まで戻る。その
後，図３に示すように支持部７３の下側にロボットアー
ム７５を挿入し，支持部７３の係止溝７３ａにロボット
アーム７５から突出する係止ピン（図示せず）を係合さ
せる。その後ロボットアーム７５を下降させて，回転カ
ップ５５の開口部５５ａを蓋体７１で閉鎖する。

【００５０】回転カップ５５の開口部５５ａを蓋体７１
で閉鎖した後，スピンチャック３２及び回転カップ５５
を上記の第１の回転数よりも速い第２の回転数で回転さ
せる。ＬＣＤ基板Ｇを第２の回転数で回転させることに
よって，ＬＣＤ基板Ｇ上に供給されたレジスト液Ｂを拡
散させて，このＬＣＤ基板Ｇ上に形成されるレジスト膜
の膜厚を整える。以上のプロセスを図９のフローチャー
トに示した。

【００５１】このように本実施の形態によれば，ＬＣＤ
基板Ｇにレジスト液Ｂを供給する際にはＬＣＤ基板Ｇの
回転が停止している。従って，レジスト液Ｂが回転カッ
プ５５の外部や周囲に飛散しない。そのため，飛散した
レジスト液Ｂによるパーティクルの発生を防止すること
が可能となる。

【００５２】また，ＬＣＤ基板Ｇに対して溶剤Ａを供給
した後にレジスト液Ｂを供給するために，レジスト液Ｂ
がＬＣＤ基板Ｇの周辺部の角部にまで行き渡る。従っ
て，ＬＣＤ基板Ｇ上に均一なレジスト膜を形成すること
が可能となる。そして，ＬＣＤ基板Ｇ上の溶剤Ａを低減
させた後にレジスト液Ｂを供給することにより，溶剤Ａ
を低減させない場合よりも，レジスト液ＢとＬＣＤ基板
Ｇとの密着性が低くならず飛散するレジスト液Ｂの量を
減らすことが可能となる。

【００５３】そして，レジスト液Ｂの飛散を抑えるため
に，ＬＣＤ基板Ｇ上に供給されたレジスト液Ｂは従来よ
りも効率よくレジスト膜の形成に寄与するようになるた
め，レジスト塗布処理に必要となるレジスト液Ｂの量を
節約することが可能となる。

【００５４】また，溶剤ＡはＬＣＤ基板Ｇの中心からず
れた点Ｐに供給され，ＬＣＤ基板Ｇの中心には溶剤Ａが
供給されない。従って，溶剤ＡをＬＣＤ基板Ｇの中心に
供給しない分だけ，溶剤Ａの使用量を少なくすることが
可能となる。

【００５５】以上のようにして所定の厚さのレジスト膜
がＬＣＤ基板Ｇ上に形成された後には，スピンチャック
３２と回転カップ５５の回転を共に停止させて，回転カ
ップ５５の開口部５５ａを閉鎖していた蓋体７１を開放
する。この際，回転カップ５５の処理室５６内では蓋体
７１の給気孔７２から導入された空気が排気口７６から
排気されるために，処理室５６内が必要以上の負圧にな
らず，蓋体７１を開放するときに大きな力を要しない。
従って，蓋体７１を容易に開放することができる。

【００５６】そして，上記ＬＣＤ基板Ｇを引き続き周縁
部除去装置２３に搬送する。この周縁部除去装置２３に
おいてＬＣＤ基板Ｇの周辺の不要なレジスト膜を除去し
た後に，メイン搬送アーム２５によって加熱処理装置３
０へと搬送する。

【００５７】なお，本実施の形態ではＬＣＤ基板Ｇに対
して先ず溶剤Ａを供給した後にレジスト液Ｂを供給する
例を挙げて説明したが，本発明はかかる例には限定され
ず，溶剤Ａとレジスト液Ｂとを同時にＬＣＤ基板Ｇに対
して供給することも可能である。

【００５８】即ち，回転が停止したＬＣＤ基板Ｇに対し
て，溶剤ＡをＬＣＤ基板Ｇ上の点Ｐに供給すると共に，
レジスト液ＢをＬＣＤ基板Ｇの点Ｑに各々同時に供給す
る。そして，溶剤Ａとレジスト液Ｂとの供給が終了した
後に，蓋体７１を閉鎖し，その後このＬＣＤ基板Ｇを回
転させるようにしてもよい。

【００５９】かかる方法によれば，溶剤Ａとレジスト液
Ｂとを同時にＬＣＤ基板Ｇに対して供給するために，溶
剤Ａとレジスト液Ｂとを別々に供給する場合よりも処理
時間を短縮することができる。このため，スループット
の向上を図ることが可能となる。

【００６０】またこの方法によれば，溶剤Ａとレジスト
液ＢとをＬＣＤ基板Ｇに対して同時に供給した後，ＬＣ
Ｄ基板Ｇを回転させている。そのため，レジスト液Ｂを
ＬＣＤ基板Ｇの周辺部の角部にまで均一に拡散させるこ
とができ，レジスト膜を均一な厚さでＬＣＤ基板Ｇ上に
形成することが可能となる。

【００６１】さらに，回転の停止したＬＣＤ基板Ｇに対
して溶剤Ａとレジスト液Ｂとを供給するために，溶剤Ａ
とレジスト液Ｂの供給時における外部への飛散を抑える
ことができる。また，蓋体７１を閉鎖した後にＬＣＤ基
板Ｇを回転させるために，ＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト液
Ｂは回転カップ５５の外部や周囲に飛散せず，汚染を防
止することが可能となる。

【００６２】なお，本実施の形態では溶剤Ａをスピンチ
ャック３２のほぼ外周付近に相当する点Ｐに供給すると
説明したが，本発明は係る例には限定されない。即ち，
溶剤Ａを低減させる工程においてＬＣＤ基板の回転数や
その回転時間を変化させれば，上記点Ｐよりも外側の位
置に溶剤Ａを供給することもできる。その際，溶剤Ａを
ＬＣＤ基板Ｇの内接円よりも内側に供給するようにすれ
ば，ＬＣＤ基板Ｇに対して供給する溶剤Ａのロスを抑え
ることが可能となる。

【００６３】また，レジスト液ＢをＬＣＤ基板Ｇに供給
するためにレジスト液供給ノズル９２を例に挙げて説明
したが，これに代えて図１０に示すようなＥ2ノズル１
１５を使用することも可能である。

【００６４】さらに，本実施の形態では溶剤供給ノズル
９１からＬＣＤ基板Ｇの中心からずれた点Ｐに対して溶
剤Ａを供給する例を挙げて説明したが，これに限らず例
えば，図１１に示す溶剤供給ノズル１１６を使用して，
ＬＣＤ基板Ｇに溶剤Ａを供給することも提案できる。

【００６５】この溶剤供給ノズル１１６は平面が環状に
形成されていると共に，下面に形成された溶剤吐出口１
１７が環状に配置されている。従って，この溶剤吐出口
１１７から吐出された溶剤ＡをＬＣＤ基板Ｇに対して環
状に供給することができる。かかる溶剤供給ノズル１１
６を使用すれば図１２の斜線で示すように，ＬＣＤ基板
Ｇの中心である点Ｑを中心として環状に溶剤Ａを供給す
ることが可能となる。

【００６６】さらに，この溶剤供給ノズル１１６の下面
の中央部にレジスト液Ｂを吐出させるレジスト液吐出口
（図示せず）を設ければ，ＬＣＤ基板Ｇに対する溶剤Ａ
の供給と同時に，レジスト液Ｂも供給することが可能と
なる。

【００６７】また，その他従動プーリ５０ａと従動プー
リ６６ｂの大きさを変えてスピンチャック３２の回転速
度と回転カップ５５の回転速度とを適宜に変えるように
してもよい。さらに，ＬＣＤ基板を用いた例を挙げて説
明したが，本発明は係る例には限定されず，半導体ウェ
ハに対して処理する場合においても適用が可能である。

【００６８】

【発明の効果】請求項１〜１０に記載の発明によれば，
基板に対して処理液の溶剤を塗布した後で処理液がその
上を拡散するので，基板の周辺部にまで処理液を均一に
拡散させることができ，基板上に処理液による均一な厚
さの膜を形成することが可能となる。また，処理液を基
板上に供給する際には基板の回転を停止して行うため，
基板上からの処理液の飛散を抑制することが可能とな
る。その結果，外部に対する汚染を防止することが可能
となる。また，処理液の溶剤を基板中心からずらして供
給するために，処理液の溶剤が従来よりも少量で済む。

【００６９】このうち請求項２，４に記載の発明では，
基板上の処理液の溶剤を減少させてから処理液を供給す
るために，基板に対して処理液を好適に塗布することが
できる。

【００７０】また請求項３，４，８に記載の発明では，
停止した基板上に処理液を供給すると共に，基板を回転
させて処理液を拡散させるときには蓋体が閉鎖している
ため，処理液が処理装置外部に飛散して汚染することが
ない。そのため，歩留まりの低下を抑えることが可能と
なる。

【００７１】さらに，請求項７〜１０に記載の発明で
は，処理液及び処理液の溶剤を基板に対して同時に供給
するために，処理液及び処理液の溶剤を別々に基板に対
して供給する場合よりも，スループットの向上を図るこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態に係るレジスト膜の形成方法を行う
塗布膜形成装置を備えた塗布現像処理装置の概観を示す
斜視図である。

【図２】実施の形態に係るレジスト膜の形成方法を行う
塗布膜形成装置の内部の構成を示す説明図である。

【図３】図２の塗布膜形成装置の回転カップと蓋体との
構成を示す説明図である。

【図４】図２の塗布膜形成装置の配置を示す平面からの
説明図である。

【図５】図２の塗布膜形成装置の溶剤供給ノズルとレジ
スト液供給ノズルとの構成を示す説明図である。

【図６】図２の塗布膜形成装置がＬＣＤ基板に溶剤とレ
ジスト液とを供給する様子を示す説明図である。

【図７】図５の溶剤供給ノズルからＬＣＤ基板に溶剤が
供給された様子を示す説明図である。

【図８】図５のレジスト液供給ノズルから図７のＬＣＤ
基板にレジスト液が供給された様子を示す説明図であ
る。

【図９】実施の形態に係るレジスト膜の形成方法を説明
するためのフローチャートである。

【図１０】図５のレジスト液供給ノズルの変更例の説明
図である。

【図１１】ＬＣＤ基板に溶剤を環状に供給可能な溶剤供
給ノズルを示す拡大断面図である。

【図１２】図１１の溶剤供給ノズルによってＬＣＤ基板
上に溶剤が供給された様子を示す説明図である。

【符号の説明】

１塗布現像処理装置２２塗布膜形成装置３２スピンチャック５５回転カップ７１蓋体９０処理液供給機構９１溶剤供給ノズル９２レジスト液供給ノズルＡ溶剤Ｂレジスト液Ｃ温度調整液ＧＬＣＤ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に処理液を供給し，当該基板の回
転によって前記処理液を拡散させて，この処理液の膜を
基板上に形成する方法において，前記処理液の溶剤を基
板中心からずれた位置に供給し，当該基板を回転させて
当該溶剤を基板上に拡散させる工程と，その後，基板を
停止させた状態で処理液を基板中心に供給する工程と，
その後，基板を回転させて処理液を基板上に拡散させる
工程とを有することを特徴とする，膜形成方法。
【請求項２】基板上に処理液を供給し，当該基板の回
転によって前記処理液を拡散させて，この処理液の膜を
基板上に形成する方法において，前記処理液の溶剤を基
板中心からずれた位置に供給し，当該基板を回転させて
当該溶剤を基板上に拡散させる工程と，その後，基板上
の溶剤の量を減少させる工程と，その後，基板を停止さ
せた状態で処理液を基板中心に供給する工程と，その
後，基板を回転させて処理液を基板上に拡散させる工程
とを有することを特徴とする，膜形成方法。
【請求項３】基板を回転させる回転載置台と，該回転
載置台を収容しかつ前記基板が通過自在な形態の開口部
を上面に有する処理容器と，該開口部を閉鎖自在な蓋体
とを備えた膜形成装置を用いて，処理液の膜を基板上に
形成する方法において，前記蓋体を開放した状態で，基
板中心からずれた位置に処理液の溶剤を供給し，当該基
板を回転させて当該溶剤を基板上に拡散させる工程と，
その後，基板を停止させた状態で処理液を基板中心に供
給する工程と，その後，蓋体を閉鎖した状態で基板を回
転させ，処理液を基板上に拡散させる工程とを有するこ
とを特徴とする，膜形成方法。
【請求項４】基板を回転させる回転載置台と，該回転
載置台を収容しかつ前記基板が通過自在な形態の開口部
を上面に有する処理容器と，該開口部を閉鎖自在な蓋体
とを備えた膜形成装置を用いて，処理液の膜を基板上に
形成する方法において，前記蓋体を開放した状態で，基
板中心からずれた位置に処理液の溶剤を供給し，当該基
板を回転させて当該溶剤を基板上に拡散させる工程と，
その後，基板上の溶剤の量を減少させる工程と，その
後，基板を停止させた状態で処理液を基板中心に供給す
る工程と，その後，蓋体を閉鎖した状態で基板を回転さ
せ，処理液を基板上に拡散させる工程とを有することを
特徴とする，膜形成方法。
【請求項５】処理液の溶剤は，基板中心を中心として
環状に供給することを特徴とする，請求項１，２，３ま
たは４に記載の膜形成方法。
【請求項６】処理液の溶剤は，基板の周縁部全体に供
給することを特徴とする，請求項１，２，３または４に
記載の膜形成方法。
【請求項７】基板上に処理液を供給し，当該基板の回
転によって前記処理液を拡散させて，この処理液の膜を
基板上に形成する方法において，前記処理液の溶剤を基
板中心からずれた位置に供給すると共に当該基板の中心
に処理液を供給する工程と，その後，当該基板を回転さ
せて前記処理液及び処理液の溶剤を基板上に拡散させる
工程とを有することを特徴とする，膜形成方法。
【請求項８】基板を回転させる回転載置台と，該回転
載置台を収容しかつ前記基板が通過自在な形態の開口部
を上面に有する処理容器と，該開口部を閉鎖自在な蓋体
とを備えた膜形成装置を用いて，処理液の膜を基板上に
形成する方法において，前記蓋体を開放した状態で，基
板中心からずれた位置に処理液の溶剤を供給すると共に
当該基板の中心に処理液を供給する工程と，その後，蓋
体を閉鎖した状態で基板を回転させ，処理液及び処理液
の溶剤を当該基板上に拡散させる工程とを有することを
特徴とする，膜形成方法。
【請求項９】処理液の溶剤は基板中心を中心として環
状に供給すると共に処理液は基板中心に供給することを
特徴とする，請求項７または８に記載の膜形成方法。
【請求項１０】処理液の溶剤は基板の周辺部全体に供
給すると共に処理液は基板中心に供給することを特徴と
する，請求項７または８に記載の膜形成方法。