JPH11209172A - 誘電体磁器組成物および複合誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物および複合誘電体磁器組成物Info
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- JPH11209172A JPH11209172A JP10010213A JP1021398A JPH11209172A JP H11209172 A JPH11209172 A JP H11209172A JP 10010213 A JP10010213 A JP 10010213A JP 1021398 A JP1021398 A JP 1021398A JP H11209172 A JPH11209172 A JP H11209172A
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- dielectric
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- dielectric ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １０００℃程度で焼結し、比誘電率が高く、
機械的強度が大きく、高いＱ値と小さい共振周波数の温
度係数を有する誘電体磁器組成物を提供することを目的
とする。 【解決手段】 一般式ｘＢａＯ−ｙ｛（１−ａ）Ｎｄ2
Ｏ3−ａＳｍ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）で表したとき上記ｘ，ｙ，ｚ，ａがそれぞれ０．１
≦ｘ≦０．２，０．１≦ｙ≦０．２，０．５５≦ｚ≦
０．８，０．０１≦ａ＜１の範囲内にある第１成分と、
少なくともＳｉＯ2，ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから
少なくとも１種以上），Ｌａ2Ｏ3を含むガラスである第
２成分からなる誘電体磁器組成物であって、前記第１成
分１００重量％に対して第２成分が３重量％以上５０重
量％以下の範囲とした組成物を焼結して誘電体磁器組成
物１を形成している。
機械的強度が大きく、高いＱ値と小さい共振周波数の温
度係数を有する誘電体磁器組成物を提供することを目的
とする。 【解決手段】 一般式ｘＢａＯ−ｙ｛（１−ａ）Ｎｄ2
Ｏ3−ａＳｍ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）で表したとき上記ｘ，ｙ，ｚ，ａがそれぞれ０．１
≦ｘ≦０．２，０．１≦ｙ≦０．２，０．５５≦ｚ≦
０．８，０．０１≦ａ＜１の範囲内にある第１成分と、
少なくともＳｉＯ2，ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから
少なくとも１種以上），Ｌａ2Ｏ3を含むガラスである第
２成分からなる誘電体磁器組成物であって、前記第１成
分１００重量％に対して第２成分が３重量％以上５０重
量％以下の範囲とした組成物を焼結して誘電体磁器組成
物１を形成している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波領域で使用さ
れる各種フィルタや共振器等に使用される誘電体磁器組
成物および複合誘電体磁器組成物に関するものである。
れる各種フィルタや共振器等に使用される誘電体磁器組
成物および複合誘電体磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話や衛星放送など、マイク
ロ波領域の電磁波を利用する通信の進展にともない、端
末機器の小型化への要求がますます強くなっており、端
末機器を小型化するためには、機器を構成する個々の部
品を小型化する必要がある。
ロ波領域の電磁波を利用する通信の進展にともない、端
末機器の小型化への要求がますます強くなっており、端
末機器を小型化するためには、機器を構成する個々の部
品を小型化する必要がある。
【０００３】誘電体磁器はこれらの機器において、各種
フィルタや共振器として組み込まれている。これらの共
振デバイスの大きさは同じ共振モードを利用する場合、
使用する誘電体材料の持つ比誘電率（εｒ）の平方根に
逆比例するため、小型の共振デバイスを作製するには、
高い比誘電率を有する材料が必要である。また、誘電体
磁器用の誘電体材料に求められる他の特性は、マイクロ
波領域で低損失であること、すなわちＱ値が高いこと、
さらに共振周波数の温度係数（τｆ）が小さいことであ
る。ここでＱ値とは、誘電損失ｔａｎδの逆数をいう。
フィルタや共振器として組み込まれている。これらの共
振デバイスの大きさは同じ共振モードを利用する場合、
使用する誘電体材料の持つ比誘電率（εｒ）の平方根に
逆比例するため、小型の共振デバイスを作製するには、
高い比誘電率を有する材料が必要である。また、誘電体
磁器用の誘電体材料に求められる他の特性は、マイクロ
波領域で低損失であること、すなわちＱ値が高いこと、
さらに共振周波数の温度係数（τｆ）が小さいことであ
る。ここでＱ値とは、誘電損失ｔａｎδの逆数をいう。
【０００４】比誘電率の大きい材料として、（Ｐｂ，Ｃ
ａ）ＺｒＯ3系が特開平４−６５０２１号公報に提案さ
れている。この系は１００を越える高い比誘電率と、２
〜４GHzで８００程度の高いＱ値、および小さい共振周
波数の温度係数を有している。
ａ）ＺｒＯ3系が特開平４−６５０２１号公報に提案さ
れている。この系は１００を越える高い比誘電率と、２
〜４GHzで８００程度の高いＱ値、および小さい共振周
波数の温度係数を有している。
【０００５】一方、導体と誘電体磁器を積層構造にし、
共振デバイスを小型、高機能化しようとする試みが行わ
れている。導体は、マイクロ波のような高周波領域で使
用する場合、導電率が高い必要があるため、Ｃｕ，Ａ
ｕ，Ａｇまたはそれらの合金を使用する必要がある。ま
た、誘電体磁器は積層構造にする場合、導体の金属と同
時に焼成する必要があるため、導体金属が溶解せず、か
つ酸化しない焼成条件で緻密に焼結しなければならな
い。
共振デバイスを小型、高機能化しようとする試みが行わ
れている。導体は、マイクロ波のような高周波領域で使
用する場合、導電率が高い必要があるため、Ｃｕ，Ａ
ｕ，Ａｇまたはそれらの合金を使用する必要がある。ま
た、誘電体磁器は積層構造にする場合、導体の金属と同
時に焼成する必要があるため、導体金属が溶解せず、か
つ酸化しない焼成条件で緻密に焼結しなければならな
い。
【０００６】すなわち、用いる導体金属の融点（Ｃｕの
場合１０８３℃、Ａｕの場合１０６３℃、Ａｇの場合９
６１℃）以下の低温で、かつＣｕを電極に用いる場合は
低い酸素分圧での焼成が必要となる。低温で焼結できる
マイクロ波誘電体磁器として、Ｂｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ
2Ｏ5系が米国特許第５，２７３，９４４号明細書に提案
されている。
場合１０８３℃、Ａｕの場合１０６３℃、Ａｇの場合９
６１℃）以下の低温で、かつＣｕを電極に用いる場合は
低い酸素分圧での焼成が必要となる。低温で焼結できる
マイクロ波誘電体磁器として、Ｂｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ
2Ｏ5系が米国特許第５，２７３，９４４号明細書に提案
されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のＢ
ｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系の磁器は、１０００℃程度
の低温で焼結できるが、機械的強度が１４０MPaと比較
的小さいため、積層素子とした場合、特に素子の厚さが
薄く底面積が大きい場合、素子をプリント基板へ半田実
装した際に発生する熱ストレスなどによって、素子が割
れたり、素子内に欠陥が発生する恐れがあるという問題
があった。
ｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系の磁器は、１０００℃程度
の低温で焼結できるが、機械的強度が１４０MPaと比較
的小さいため、積層素子とした場合、特に素子の厚さが
薄く底面積が大きい場合、素子をプリント基板へ半田実
装した際に発生する熱ストレスなどによって、素子が割
れたり、素子内に欠陥が発生する恐れがあるという問題
があった。
【０００８】本発明は、前記従来の問題を解決するため
機械的強度が大きく、かつ低温で焼結し、比誘電率が高
く、高いＱ値と小さい共振周波数の温度係数を有する誘
電体磁器組成物を提供することを目的としている。
機械的強度が大きく、かつ低温で焼結し、比誘電率が高
く、高いＱ値と小さい共振周波数の温度係数を有する誘
電体磁器組成物を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、機械的強度が大きく、優れたマイクロ波特性
を有する一般式ｘＢａＯ−ｙ｛（１−ａ）Ｎｄ2Ｏ3−ａ
Ｓｍ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ 2（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表
したとき上記ｘ，ｙ，ｚ，ａがそれぞれ０．１≦ｘ≦
０．２，０．１≦ｙ≦０．２，０．５５≦ｚ≦０．８，
０．０１≦ａ＜１の範囲内にある第１成分と、低温での
焼結化を促進する、少なくともＳｉＯ2，ＭＯ（ＭはＢ
ａ，Ｃａ，Ｓｒから少なくとも１種以上），Ｌａ2Ｏ3を
含むガラスである第２成分からなる誘電体磁器組成物で
あって、前記第１成分１００重量％に対して第２成分が
３重量％以上５０重量％以下の範囲としたものであり、
機械的強度が大きく、１０００℃程度の低温で焼結し、
比誘電率が高く、高いＱ値と小さい共振周波数の温度係
数を有する誘電体磁器組成物を得ることができる。
本発明は、機械的強度が大きく、優れたマイクロ波特性
を有する一般式ｘＢａＯ−ｙ｛（１−ａ）Ｎｄ2Ｏ3−ａ
Ｓｍ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ 2（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表
したとき上記ｘ，ｙ，ｚ，ａがそれぞれ０．１≦ｘ≦
０．２，０．１≦ｙ≦０．２，０．５５≦ｚ≦０．８，
０．０１≦ａ＜１の範囲内にある第１成分と、低温での
焼結化を促進する、少なくともＳｉＯ2，ＭＯ（ＭはＢ
ａ，Ｃａ，Ｓｒから少なくとも１種以上），Ｌａ2Ｏ3を
含むガラスである第２成分からなる誘電体磁器組成物で
あって、前記第１成分１００重量％に対して第２成分が
３重量％以上５０重量％以下の範囲としたものであり、
機械的強度が大きく、１０００℃程度の低温で焼結し、
比誘電率が高く、高いＱ値と小さい共振周波数の温度係
数を有する誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００１０】また、この誘電体磁器組成物を用いるとＡ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ等を内部導体に用いた積層型マイクロ波
共振デバイスが実現でき、フィルタや共用器などの高周
波デバイスの小型化と高性能化が可能となる。
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ等を内部導体に用いた積層型マイクロ波
共振デバイスが実現でき、フィルタや共用器などの高周
波デバイスの小型化と高性能化が可能となる。
【００１１】また本発明によれば、この誘電体磁器組成
物を高誘電率層とし、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコニ
ア（ＺｒＯ2）、フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）の
うち少なくとも１種以上の酸化物と前記第２成分のガラ
スからなる誘電体磁器組成物を低誘電率層（比誘電率は
１０程度）として積層し、同時焼成して一体焼結体とす
ることが可能である。したがって高誘電率層にマイクロ
波共振デバイスや大容量のコンデンサなどを低誘電率層
にインダクタや小容量のコンデンサなどを形成すること
により、一つの部品内に複数の機能を有する複合積層部
品を得ることができる。
物を高誘電率層とし、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコニ
ア（ＺｒＯ2）、フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）の
うち少なくとも１種以上の酸化物と前記第２成分のガラ
スからなる誘電体磁器組成物を低誘電率層（比誘電率は
１０程度）として積層し、同時焼成して一体焼結体とす
ることが可能である。したがって高誘電率層にマイクロ
波共振デバイスや大容量のコンデンサなどを低誘電率層
にインダクタや小容量のコンデンサなどを形成すること
により、一つの部品内に複数の機能を有する複合積層部
品を得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、一般式ｘＢａＯ−ｙ｛（１−ａ）Ｎｄ2Ｏ3−ａＳｍ
2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表した
とき上記ｘ，ｙ，ｚ，ａがそれぞれ０．１≦ｘ≦０．
２，０．１≦ｙ≦０．２，０．５５≦ｚ≦０．８，０．
０１≦ａ＜１の範囲内にある第１成分と、少なくともＳ
ｉＯ2，ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから少なくとも１
種以上），Ｌａ2Ｏ3を含むガラスである第２成分からな
る誘電体磁器組成物であって、前記第１成分１００重量
％に対して第２成分が３重量％以上５０重量％以下の範
囲としたものであり、機械的強度が大きく、１０００℃
程度での温度で焼結し、比誘電率が高く、高いＱ値と小
さい共振周波数の温度係数を有する誘電体磁器組成物を
得ることができるという作用を有する。
は、一般式ｘＢａＯ−ｙ｛（１−ａ）Ｎｄ2Ｏ3−ａＳｍ
2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表した
とき上記ｘ，ｙ，ｚ，ａがそれぞれ０．１≦ｘ≦０．
２，０．１≦ｙ≦０．２，０．５５≦ｚ≦０．８，０．
０１≦ａ＜１の範囲内にある第１成分と、少なくともＳ
ｉＯ2，ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから少なくとも１
種以上），Ｌａ2Ｏ3を含むガラスである第２成分からな
る誘電体磁器組成物であって、前記第１成分１００重量
％に対して第２成分が３重量％以上５０重量％以下の範
囲としたものであり、機械的強度が大きく、１０００℃
程度での温度で焼結し、比誘電率が高く、高いＱ値と小
さい共振周波数の温度係数を有する誘電体磁器組成物を
得ることができるという作用を有する。
【００１３】請求項２に記載の発明は、前記第２成分の
ガラスの成分のうちＳｉＯ2を４０〜５０重量％、Ａｌ2
Ｏ3を０〜１５重量％、Ｂ2Ｏ3を０〜１０重量％、およ
びＬａ2Ｏ3を５〜１５重量％と限定したものであり、機
械的強度や電気的特性を損なうことなく、さらに低温で
の焼結を可能にするという作用を有する。
ガラスの成分のうちＳｉＯ2を４０〜５０重量％、Ａｌ2
Ｏ3を０〜１５重量％、Ｂ2Ｏ3を０〜１０重量％、およ
びＬａ2Ｏ3を５〜１５重量％と限定したものであり、機
械的強度や電気的特性を損なうことなく、さらに低温で
の焼結を可能にするという作用を有する。
【００１４】請求項３に記載の発明は、前記第１成分１
００重量％に対して、第３成分として酸化銅をＣｕＯに
換算して５重量％以下含有させたものであり、機械的強
度や電気的特性を損なうことなく、さらに低温での焼結
を可能にするという作用を有する。
００重量％に対して、第３成分として酸化銅をＣｕＯに
換算して５重量％以下含有させたものであり、機械的強
度や電気的特性を損なうことなく、さらに低温での焼結
を可能にするという作用を有する。
【００１５】請求項４に記載の発明は、誘電体磁器組成
物の製造過程において、焼成前の誘電体混合粉体の平均
粒子径が０．８μｍ以下としたものであり、電気的特性
を損なうことなく、さらに機械的強度を大きくし、低温
での焼結を可能にするという作用を有する。
物の製造過程において、焼成前の誘電体混合粉体の平均
粒子径が０．８μｍ以下としたものであり、電気的特性
を損なうことなく、さらに機械的強度を大きくし、低温
での焼結を可能にするという作用を有する。
【００１６】請求項５に記載の発明は、誘電体磁器組成
物の焼成温度を９５０℃以下、比誘電率を４０以上、Ｑ
ｆ積が１０００GHz以上、共振周波数の温度係数の絶対
値を５０ppm/℃以下としたものであり、導電率が高く、
かつ比較的安価な銀を内部電極とする積層型マイクロ波
共振デバイスが実現でき、フィルタや共用器などの高周
波デバイスの小型化と高性能化が可能になるという作用
を有する。
物の焼成温度を９５０℃以下、比誘電率を４０以上、Ｑ
ｆ積が１０００GHz以上、共振周波数の温度係数の絶対
値を５０ppm/℃以下としたものであり、導電率が高く、
かつ比較的安価な銀を内部電極とする積層型マイクロ波
共振デバイスが実現でき、フィルタや共用器などの高周
波デバイスの小型化と高性能化が可能になるという作用
を有する。
【００１７】請求項６に記載の発明は、請求項１記載の
誘電体磁器組成物を高誘電率層とし、アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、フォルステライト（Ｍ
ｇ2ＳｉＯ4）のうち少なくとも１種以上の酸化物と前記
第２成分のガラスからなる誘電体磁器組成物を低誘電率
層として積層し、同時焼成して一体焼結体としたもので
あり、マイクロ波共振デバイスとコンデンサやインダク
タ等を一体化した複合積層磁器部品を、欠陥や変形なく
得ることができるという作用を有する。
誘電体磁器組成物を高誘電率層とし、アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、フォルステライト（Ｍ
ｇ2ＳｉＯ4）のうち少なくとも１種以上の酸化物と前記
第２成分のガラスからなる誘電体磁器組成物を低誘電率
層として積層し、同時焼成して一体焼結体としたもので
あり、マイクロ波共振デバイスとコンデンサやインダク
タ等を一体化した複合積層磁器部品を、欠陥や変形なく
得ることができるという作用を有する。
【００１８】以下、本発明の一実施の形態について説明
する。 （実施の形態１）まず、第１成分として用いる粉末の合
成について述べる。出発原料には化学的に高純度（９９
重量％以上）であるＢａＣＯ3，Ｎｄ2Ｏ3，ＴｉＯ2、お
よびＳｍ 2Ｏ3を用いた。原料の純度補正を行った後、組
成をｘＢａＯ−ｙ｛（１−ａ）Ｎｄ2Ｏ3−ａＳｍ2Ｏ3｝
−ｚＴｉＯ2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表したときのｘ，
ｙ，ｚ，ａが所定の値になるように秤量した。これらの
粉体を、ジルコニアの玉石および純水とともにボールミ
ルで１７時間混合した。混合後、スラリーを乾燥し、ア
ルミナ製の坩堝にいれ、温度１０００〜１３００℃で２
時間仮焼した。仮焼体を、解砕した後、前述したボール
ミルで１７時間粉砕し、乾燥させ、第１成分の粉末とし
た。
する。 （実施の形態１）まず、第１成分として用いる粉末の合
成について述べる。出発原料には化学的に高純度（９９
重量％以上）であるＢａＣＯ3，Ｎｄ2Ｏ3，ＴｉＯ2、お
よびＳｍ 2Ｏ3を用いた。原料の純度補正を行った後、組
成をｘＢａＯ−ｙ｛（１−ａ）Ｎｄ2Ｏ3−ａＳｍ2Ｏ3｝
−ｚＴｉＯ2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表したときのｘ，
ｙ，ｚ，ａが所定の値になるように秤量した。これらの
粉体を、ジルコニアの玉石および純水とともにボールミ
ルで１７時間混合した。混合後、スラリーを乾燥し、ア
ルミナ製の坩堝にいれ、温度１０００〜１３００℃で２
時間仮焼した。仮焼体を、解砕した後、前述したボール
ミルで１７時間粉砕し、乾燥させ、第１成分の粉末とし
た。
【００１９】次に、第２成分として用いる粉末の合成に
ついて述べる。出発原料には化学的に高純度（９９重量
％以上）であるＳｉＯ2，Ｈ3ＢＯ3，Ａｌ2（ＯＨ）3，
ＣａＣＯ3，ＢａＣＯ3，ＳｒＣＯ3，Ｌａ2Ｏ3等の原料
を用いた。原料の純度補正を行った後、組成を（表１）
になるように秤量した。これらの粉体を、ジルコニアの
玉石およびエタノールとともにボールミルで１７時間混
合した。混合後、スラリーを乾燥し、白金または白金ロ
ジウム坩堝にいれ、温度１４００〜１５００℃で溶融
し、急冷した。解砕した後、混合と同様の方法にて粉砕
し、乾燥させ、第２成分の粉末とした。合成した第２成
分の組成を（表１）に示す。
ついて述べる。出発原料には化学的に高純度（９９重量
％以上）であるＳｉＯ2，Ｈ3ＢＯ3，Ａｌ2（ＯＨ）3，
ＣａＣＯ3，ＢａＣＯ3，ＳｒＣＯ3，Ｌａ2Ｏ3等の原料
を用いた。原料の純度補正を行った後、組成を（表１）
になるように秤量した。これらの粉体を、ジルコニアの
玉石およびエタノールとともにボールミルで１７時間混
合した。混合後、スラリーを乾燥し、白金または白金ロ
ジウム坩堝にいれ、温度１４００〜１５００℃で溶融
し、急冷した。解砕した後、混合と同様の方法にて粉砕
し、乾燥させ、第２成分の粉末とした。合成した第２成
分の組成を（表１）に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】第１成分と第２成分の粉末を（表２）の配
合比で秤量し、ボールミルにて湿式混合し、乾燥させ
た。この混合粉体の平均粒子径をレーザー回折測定法に
より計測した。得られた粉体にバインダとしてポリビニ
ルアルコールの５重量％水溶液を８重量％加えて混合
後、３２メッシュのふるいを通して造粒し、１００MPa
で直径１３mm、厚み約５mmの円柱状にプレス成形した。
成形体を温度６００℃で３時間加熱してバインダを焼却
後、マグネシア製の磁器容器に入れ、蓋をし、温度８０
０〜１１００℃の種々の温度で２時間保持して焼成し
た。密度が最高となる温度で焼成した焼結体についてマ
イクロ波での誘電特性を測定した。共振周波数とＱ値
は、誘電体共振器法により求めた。焼結体の寸法と共振
周波数より比誘電率（εｒ）を算出した。共振周波数は
２から７GHzであった。
合比で秤量し、ボールミルにて湿式混合し、乾燥させ
た。この混合粉体の平均粒子径をレーザー回折測定法に
より計測した。得られた粉体にバインダとしてポリビニ
ルアルコールの５重量％水溶液を８重量％加えて混合
後、３２メッシュのふるいを通して造粒し、１００MPa
で直径１３mm、厚み約５mmの円柱状にプレス成形した。
成形体を温度６００℃で３時間加熱してバインダを焼却
後、マグネシア製の磁器容器に入れ、蓋をし、温度８０
０〜１１００℃の種々の温度で２時間保持して焼成し
た。密度が最高となる温度で焼成した焼結体についてマ
イクロ波での誘電特性を測定した。共振周波数とＱ値
は、誘電体共振器法により求めた。焼結体の寸法と共振
周波数より比誘電率（εｒ）を算出した。共振周波数は
２から７GHzであった。
【００２２】また、−２５℃、２０℃及び８５℃におけ
る共振周波数を測定し、最小二乗法により、その温度係
数（τｆ）を算出した。また焼結体の抗折強度をＪＩＳ
規格Ｒ１６０１に基づく方法により測定した。結果を
（表２）に示す。ここで（表２）におけるＱｆ積とは、
Ｑ値とこれを測定した時の周波数ｆの積をいう。ここ
で、周波数ｆは２から７GHzの間で、試料の大きさや形
状などにより変化する。そこでＱｆ積とすることによ
り、試料の大きさや形状などに影響されない値として算
出した。この方法は当業者にとって一般的に行われてい
る方法である。
る共振周波数を測定し、最小二乗法により、その温度係
数（τｆ）を算出した。また焼結体の抗折強度をＪＩＳ
規格Ｒ１６０１に基づく方法により測定した。結果を
（表２）に示す。ここで（表２）におけるＱｆ積とは、
Ｑ値とこれを測定した時の周波数ｆの積をいう。ここ
で、周波数ｆは２から７GHzの間で、試料の大きさや形
状などにより変化する。そこでＱｆ積とすることによ
り、試料の大きさや形状などに影響されない値として算
出した。この方法は当業者にとって一般的に行われてい
る方法である。
【００２３】
【表２】
【００２４】（表２）より、本発明の範囲内の組成の磁
器である試料番号２〜１９は、９２５℃から１０５０℃
の範囲の温度で焼結し、４０〜８２の範囲の比誘電率
（εｒ）、１１００〜３８００GHzの範囲のＱｆ積、−
２１〜＋４８ppm/℃の共振周波数の温度係数（τｆ）と
優れたマイクロ波誘電特性をもつことが確認できた。ま
たこの磁器の抗折強度は、いずれも１８０MPa以上であ
り、前記従来のＢｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系磁器の抗
折強度１４０MPaよりも大きいことが確認できた。
器である試料番号２〜１９は、９２５℃から１０５０℃
の範囲の温度で焼結し、４０〜８２の範囲の比誘電率
（εｒ）、１１００〜３８００GHzの範囲のＱｆ積、−
２１〜＋４８ppm/℃の共振周波数の温度係数（τｆ）と
優れたマイクロ波誘電特性をもつことが確認できた。ま
たこの磁器の抗折強度は、いずれも１８０MPa以上であ
り、前記従来のＢｉ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｎｂ2Ｏ5系磁器の抗
折強度１４０MPaよりも大きいことが確認できた。
【００２５】第２成分のガラスの組成は試料番号４〜８
のように、種々の組成でも優れた誘電特性を示すことか
ら、ＳｉＯ2，ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから少なく
とも１種以上），Ｌａ2Ｏ3を含むガラスであればよいこ
とが確認できた。
のように、種々の組成でも優れた誘電特性を示すことか
ら、ＳｉＯ2，ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから少なく
とも１種以上），Ｌａ2Ｏ3を含むガラスであればよいこ
とが確認できた。
【００２６】第２成分の配合量が３重量％未満の試料番
号１のときは１１００℃以下で焼結しなくなり、本発明
の目的にそぐわない。また試料番号２０のときのように
５０重量％を越えると、比誘電率が４０以下となり、Ｑ
ｆ積も１０００GHz以下と小さくなるので好ましくな
い。
号１のときは１１００℃以下で焼結しなくなり、本発明
の目的にそぐわない。また試料番号２０のときのように
５０重量％を越えると、比誘電率が４０以下となり、Ｑ
ｆ積も１０００GHz以下と小さくなるので好ましくな
い。
【００２７】第１成分のｘＢａＯ−ｙ｛（１−ａ）Ｎｄ
2Ｏ3−ａＳｍ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）に
おけるｘ，ｙ，ｚ，ａが、本発明の範囲外であるとき
は、試料番号２１〜２６のように、比誘電率が４０より
も小さくなる、共振周波数の温度係数が＋５０ppm/℃を
越える正の大きい値となるので好ましくない。
2Ｏ3−ａＳｍ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）に
おけるｘ，ｙ，ｚ，ａが、本発明の範囲外であるとき
は、試料番号２１〜２６のように、比誘電率が４０より
も小さくなる、共振周波数の温度係数が＋５０ppm/℃を
越える正の大きい値となるので好ましくない。
【００２８】（実施の形態２）続いて第２成分の好まし
い実施の形態について述べる。試料の合成、特性の評価
については実施の形態１と同様の方法により行った。た
だし第２成分の組成については（表３）に示したものを
用いた。結果を（表４）に示す。
い実施の形態について述べる。試料の合成、特性の評価
については実施の形態１と同様の方法により行った。た
だし第２成分の組成については（表３）に示したものを
用いた。結果を（表４）に示す。
【００２９】
【表３】
【００３０】
【表４】
【００３１】（表４）より請求項２の範囲内の誘電体磁
器である試料番号２７〜３２は、９２５℃から９７５℃
の範囲の温度で焼結し、５２〜６６の範囲の比誘電率、
１８００〜３０００GHzの範囲のＱｆ積、−６〜−３ppm
/℃の範囲の共振周波数の温度係数と優れたマイクロ波
誘電特性、１８０MPa以上の抗折強度をもつことが確認
できた。
器である試料番号２７〜３２は、９２５℃から９７５℃
の範囲の温度で焼結し、５２〜６６の範囲の比誘電率、
１８００〜３０００GHzの範囲のＱｆ積、−６〜−３ppm
/℃の範囲の共振周波数の温度係数と優れたマイクロ波
誘電特性、１８０MPa以上の抗折強度をもつことが確認
できた。
【００３２】ＳｉＯ2が４０重量％未満の第２成分Ｉを
用いた試料番号３３の例、Ｌａ2Ｏ3が１５重量％以上で
ある第２成分Ｍを用いた試料番号３７の例では、Ｑｆ積
が１０００GHzより小さくなるので好ましくない。また
ＳｉＯ2が５０重量％より多い第２成分Ｊを用いた試料
番号３４の例、Ａｌ2Ｏ3が１５重量％より多い第２成分
Ｋを用いた試料番号３５の例、Ｌａ2Ｏ3が５重量％未満
である第２成分Ｎを用いた試料番号３８の例では、焼成
温度が１０５０℃と高かったので、好ましくない。また
Ｂ2Ｏ3が１０重量％より多い第２成分Ｌを用いた試料番
号３６の例は、焼結温度、電気的特性などには問題ない
が、この粉体に適当量のバインダと可塑剤および溶剤を
混合してスラリーとしドクターブレード法などによって
グリーンシートを作製しようとすると、スラリーのゲル
化が起こるため極めてグリーンシート化が困難となるた
め、好ましくない。
用いた試料番号３３の例、Ｌａ2Ｏ3が１５重量％以上で
ある第２成分Ｍを用いた試料番号３７の例では、Ｑｆ積
が１０００GHzより小さくなるので好ましくない。また
ＳｉＯ2が５０重量％より多い第２成分Ｊを用いた試料
番号３４の例、Ａｌ2Ｏ3が１５重量％より多い第２成分
Ｋを用いた試料番号３５の例、Ｌａ2Ｏ3が５重量％未満
である第２成分Ｎを用いた試料番号３８の例では、焼成
温度が１０５０℃と高かったので、好ましくない。また
Ｂ2Ｏ3が１０重量％より多い第２成分Ｌを用いた試料番
号３６の例は、焼結温度、電気的特性などには問題ない
が、この粉体に適当量のバインダと可塑剤および溶剤を
混合してスラリーとしドクターブレード法などによって
グリーンシートを作製しようとすると、スラリーのゲル
化が起こるため極めてグリーンシート化が困難となるた
め、好ましくない。
【００３３】（実施の形態３）次に第３成分の効果につ
いて検討した。第３成分である化学的に高純度（９９重
量％以上）なＣｕＯの粉末を第１成分、第２成分ととも
に秤量、混合し、実施の形態１と同様の方法により試料
の合成、特性の評価を行った。ただし第２成分の組成に
ついては（表１）のＡを用いた。結果を（表５）に示
す。
いて検討した。第３成分である化学的に高純度（９９重
量％以上）なＣｕＯの粉末を第１成分、第２成分ととも
に秤量、混合し、実施の形態１と同様の方法により試料
の合成、特性の評価を行った。ただし第２成分の組成に
ついては（表１）のＡを用いた。結果を（表５）に示
す。
【００３４】
【表５】
【００３５】（表５）より酸化銅を添加した誘電体磁器
は、添加していないものと比較して、焼結温度が５０℃
から７５℃低下することが確認できた。このとき電気的
特性の変化はほとんどない。したがって、焼成温度を確
実に９５０℃以下にすることができ、融点が９６１℃で
ある高導電率の銀を内部導体とする積層共振デバイスを
得ることが可能になる。しかし、試料番号４２のように
ＣｕＯの添加量が本発明の範囲外である５重量％を越え
ると、Ｑｆ積が１０００GHz未満となるので好ましくな
い。
は、添加していないものと比較して、焼結温度が５０℃
から７５℃低下することが確認できた。このとき電気的
特性の変化はほとんどない。したがって、焼成温度を確
実に９５０℃以下にすることができ、融点が９６１℃で
ある高導電率の銀を内部導体とする積層共振デバイスを
得ることが可能になる。しかし、試料番号４２のように
ＣｕＯの添加量が本発明の範囲外である５重量％を越え
ると、Ｑｆ積が１０００GHz未満となるので好ましくな
い。
【００３６】（実施の形態４）次に混合粉体の平均粒子
径について検討した。混合粉体の平均粒子径は、混合時
間や、ジルコニアの玉石の直径を変えることによって調
整した。結果を（表６）に示す。
径について検討した。混合粉体の平均粒子径は、混合時
間や、ジルコニアの玉石の直径を変えることによって調
整した。結果を（表６）に示す。
【００３７】
【表６】
【００３８】混合粉体の粒子径を０．６μｍ程度まで細
かくすると、焼成温度がさらに２５〜５０℃低下し、さ
らに抗折強度も１０％程度大きくなることが確認でき
た。このとき電気的特性の変化はほとんどない。したが
って、焼成温度をより確実に９５０℃以下にすることが
でき、融点が９６１℃である高導電率の銀を内部導体と
する積層共振デバイスを確実に得ることができる。
かくすると、焼成温度がさらに２５〜５０℃低下し、さ
らに抗折強度も１０％程度大きくなることが確認でき
た。このとき電気的特性の変化はほとんどない。したが
って、焼成温度をより確実に９５０℃以下にすることが
でき、融点が９６１℃である高導電率の銀を内部導体と
する積層共振デバイスを確実に得ることができる。
【００３９】なお、前記実施の形態以外の元素の含有
も、本発明の範囲であれば特性に悪い影響を与えない限
り使用することができる。
も、本発明の範囲であれば特性に悪い影響を与えない限
り使用することができる。
【００４０】（実施の形態５）次に、本発明の誘電体磁
器とアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、
フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）のうち少なくとも１
種以上の酸化物と前記第２成分のガラスからなる誘電体
磁器を積層し、同時焼成したときの焼結体の外観、およ
びクラックの発生について検討した結果を（表７）に示
す。
器とアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、
フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）のうち少なくとも１
種以上の酸化物と前記第２成分のガラスからなる誘電体
磁器を積層し、同時焼成したときの焼結体の外観、およ
びクラックの発生について検討した結果を（表７）に示
す。
【００４１】
【表７】
【００４２】（表７）より、本実施の形態の誘電体磁器
組成物は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコニア（ＺｒＯ
2）、フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）のうち少なく
とも１種以上の酸化物と前記第２成分のガラスからなる
誘電体磁器組成物と同時焼成したとき、界面の接着強度
が大きく、クラック等の欠陥の発生がない一体焼結体を
得ることが可能であることを確認できた。
組成物は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコニア（ＺｒＯ
2）、フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）のうち少なく
とも１種以上の酸化物と前記第２成分のガラスからなる
誘電体磁器組成物と同時焼成したとき、界面の接着強度
が大きく、クラック等の欠陥の発生がない一体焼結体を
得ることが可能であることを確認できた。
【００４３】（参考例１）以下図面を用いて本発明の誘
電体磁器を用いた積層型の共振デバイスの一例を説明す
る。図１は本発明の一実施の形態の誘電体組成物１を用
い、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等からなる内部導体を設け、かつ
外部導体６，７，８を設けた積層型マイクロ波共振デバ
イスの斜視図である。
電体磁器を用いた積層型の共振デバイスの一例を説明す
る。図１は本発明の一実施の形態の誘電体組成物１を用
い、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等からなる内部導体を設け、かつ
外部導体６，７，８を設けた積層型マイクロ波共振デバ
イスの斜視図である。
【００４４】図１に示す積層型マイクロ波共振デバイス
の一例のディメンジョンは、縦８mm、横５mm、高さ２．
５mmである。図２は図１のＩ−Ｉ線断面図、図３は図１
のII−II線断面図であり、誘電体組成物１の内部に、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の内部導体２，３，４，５と外部導体
６，７，８の配置を示している。内部導体４は、幅１m
m、長さ７mm、厚さ０．０３mm（３０μｍ）とした。内
部導体２，３，４，５はスクリーンプリント法によって
形成した。内部導体３と４の間はコンデンサとして機能
する。このコンデンサを介して、マイクロ波が共振デバ
イスへ導入され、特定の周波数を持つマイクロ波のみが
共振し、共振器として機能する。
の一例のディメンジョンは、縦８mm、横５mm、高さ２．
５mmである。図２は図１のＩ−Ｉ線断面図、図３は図１
のII−II線断面図であり、誘電体組成物１の内部に、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の内部導体２，３，４，５と外部導体
６，７，８の配置を示している。内部導体４は、幅１m
m、長さ７mm、厚さ０．０３mm（３０μｍ）とした。内
部導体２，３，４，５はスクリーンプリント法によって
形成した。内部導体３と４の間はコンデンサとして機能
する。このコンデンサを介して、マイクロ波が共振デバ
イスへ導入され、特定の周波数を持つマイクロ波のみが
共振し、共振器として機能する。
【００４５】（参考例２）以下図面を用いた本発明の複
合磁器部品の一例を説明する（図４）。誘電体組成物９
（高誘電率層）の内部にＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の内部導体
１０，１１，１２，１３を設け参考例１と同様にマイク
ロ波共振デバイスを形成する。高誘電率層９からなる層
の上下に、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコニア（ＺｒＯ
2）、フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）のうち少なく
とも１種以上の酸化物とガラスからなる誘電体磁器層１
４（低誘電率層）を積層し、この内部にＡｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ等の内部導体１５，１６を設けコンデンサ、インダク
タを形成する。マイクロ波共振デバイス、コンデンサ、
インダクタは外部導体１７およびビア導体１８により接
続して一体化され、複合部品として機能する。
合磁器部品の一例を説明する（図４）。誘電体組成物９
（高誘電率層）の内部にＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の内部導体
１０，１１，１２，１３を設け参考例１と同様にマイク
ロ波共振デバイスを形成する。高誘電率層９からなる層
の上下に、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコニア（ＺｒＯ
2）、フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）のうち少なく
とも１種以上の酸化物とガラスからなる誘電体磁器層１
４（低誘電率層）を積層し、この内部にＡｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ等の内部導体１５，１６を設けコンデンサ、インダク
タを形成する。マイクロ波共振デバイス、コンデンサ、
インダクタは外部導体１７およびビア導体１８により接
続して一体化され、複合部品として機能する。
【００４６】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の誘電体磁器
組成物によれば、機械的強度が大きく、優れたマイクロ
波特性を有する一般式ｘＢａＯ−ｙ｛（１−ａ）Ｎｄ2
Ｏ3−ａＳｍ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）で表したとき上記ｘ，ｙ，ｚ，ａがそれぞれ０．１
≦ｘ≦０．２，０．１≦ｙ≦０．２，０．５５≦ｚ≦
０．８，０．０１≦ａ＜１の範囲内にある第１成分と、
低温での焼結化を促進する、少なくともＳｉＯ2，ＭＯ
（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから少なくとも１種以上），Ｌ
ａ2Ｏ3を含むガラスである第２成分からなる誘電体磁器
組成物であって、前記第１成分１００重量％に対して第
２成分が３重量％以上５０重量％以下の範囲としたもの
であり、機械的温度が大きく、１０００℃程度の低温で
焼結し、比誘電率が高く、高いＱ値と小さい共振周波数
の温度係数を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
る。
組成物によれば、機械的強度が大きく、優れたマイクロ
波特性を有する一般式ｘＢａＯ−ｙ｛（１−ａ）Ｎｄ2
Ｏ3−ａＳｍ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）で表したとき上記ｘ，ｙ，ｚ，ａがそれぞれ０．１
≦ｘ≦０．２，０．１≦ｙ≦０．２，０．５５≦ｚ≦
０．８，０．０１≦ａ＜１の範囲内にある第１成分と、
低温での焼結化を促進する、少なくともＳｉＯ2，ＭＯ
（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから少なくとも１種以上），Ｌ
ａ2Ｏ3を含むガラスである第２成分からなる誘電体磁器
組成物であって、前記第１成分１００重量％に対して第
２成分が３重量％以上５０重量％以下の範囲としたもの
であり、機械的温度が大きく、１０００℃程度の低温で
焼結し、比誘電率が高く、高いＱ値と小さい共振周波数
の温度係数を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
る。
【００４７】また、本発明の誘電体磁器組成物による
と、１０００℃前後の低温で焼結でき、比誘電率が４０
以上と高く、高いＱ値と小さいτｆを実現できるためＣ
ｕ，Ａｕ、あるいはＡｇなどを内部導体に用いた積層型
の共振デバイスを実現できる。これにより、フィルタや
共用器などの高周波デバイスの小型化と高機能化が可能
となる。
と、１０００℃前後の低温で焼結でき、比誘電率が４０
以上と高く、高いＱ値と小さいτｆを実現できるためＣ
ｕ，Ａｕ、あるいはＡｇなどを内部導体に用いた積層型
の共振デバイスを実現できる。これにより、フィルタや
共用器などの高周波デバイスの小型化と高機能化が可能
となる。
【００４８】また本発明によれば、前記の誘電体磁器組
成物を高誘電率層とし、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコ
ニア（ＺｒＯ2）、フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）
のうち少なくとも１種以上の酸化物と前記第２成分のガ
ラスからなる誘電体磁器組成物を低誘電率層として積層
し、同時焼成して一体焼結体とすることが可能である。
高誘電率層にマイクロ波共振デバイスや大容量のコンデ
ンサなどを、低誘電率層にインダクタや小容量のコンデ
ンサなどを形成することにより、一つの部品内に複数の
機能を有する複合積層部品を得ることができる。
成物を高誘電率層とし、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコ
ニア（ＺｒＯ2）、フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）
のうち少なくとも１種以上の酸化物と前記第２成分のガ
ラスからなる誘電体磁器組成物を低誘電率層として積層
し、同時焼成して一体焼結体とすることが可能である。
高誘電率層にマイクロ波共振デバイスや大容量のコンデ
ンサなどを、低誘電率層にインダクタや小容量のコンデ
ンサなどを形成することにより、一つの部品内に複数の
機能を有する複合積層部品を得ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態の誘電体組成物を用いた
積層型マイクロ波共振デバイスの斜視図
積層型マイクロ波共振デバイスの斜視図
【図２】図１のＩ−Ｉ線断面図
【図３】図１のII−II線断面図
【図４】本発明の一実施の形態の複合積層磁器部品の断
面図
面図
１ 誘電体組成物 ２，３，４，５ 内部導体 ６，７，８ 外部導体 ９ 誘電体組成物（高誘電率層） １０，１１，１２，１３ 内部導体（高誘電率層内） １４ 誘電体組成物（低誘電率層） １５，１６ 内部導体（低誘電率層内） １７ 外部導体 １８ ビア導体
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式ｘＢａＯ−ｙ｛（１−ａ）Ｎｄ2
Ｏ3−ａＳｍ2Ｏ3｝−ｚＴｉＯ2（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）で表したとき上記ｘ，ｙ，ｚ，ａがそれぞれ０．１
≦ｘ≦０．２，０．１≦ｙ≦０．２，０．５５≦ｚ≦
０．８，０．０１≦ａ＜１の範囲内にある第１成分と、
少なくともＳｉＯ2，ＭＯ（ＭはＢａ，Ｃａ，Ｓｒから
少なくとも１種以上），Ｌａ2Ｏ3を含むガラスである第
２成分からなる誘電体磁器組成物であって、前記第１成
分１００重量％に対して第２成分が３重量％以上５０重
量％以下の範囲であることを特徴とする誘電体磁器組成
物。 - 【請求項２】 前記第２成分のガラスの成分のうちＳｉ
Ｏ2を４０〜５０重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜１５重量％、
Ｂ2Ｏ3を０〜１０重量％、およびＬａ2Ｏ3を５〜１５重
量％とする請求項１記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記第１成分１００重量％に対して、第
３成分として酸化銅をＣｕＯに換算して５重量％以下を
含有させることを特徴とする請求項２記載の誘電体磁器
組成物。 - 【請求項４】 誘電体磁器組成物の製造過程において、
焼成前の誘電体混合粉体の平均粒子径が０．８μｍ以下
であることを特徴とする請求項２または３記載の誘電体
磁器組成物。 - 【請求項５】 誘電体磁器組成物の焼成温度が９５０℃
以下、比誘電率が４０以上、Ｑｆ積が１０００GHz以
上、共振周波数の温度係数の絶対値が５０ppm/℃以下で
ある請求項３または４記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項６】 請求項１記載の誘電体磁器組成物を高誘
電率層とし、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコニア（Ｚｒ
Ｏ2）、フォルステライト（Ｍｇ2ＳｉＯ4）のうち少な
くとも１種以上の酸化物と前記第２成分のガラスからな
る誘電体磁器組成物を低誘電率層として両層を積層し、
同時焼成して一体焼結体としたことを特徴とする複合誘
電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10010213A JPH11209172A (ja) | 1998-01-22 | 1998-01-22 | 誘電体磁器組成物および複合誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10010213A JPH11209172A (ja) | 1998-01-22 | 1998-01-22 | 誘電体磁器組成物および複合誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11209172A true JPH11209172A (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=11744000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10010213A Pending JPH11209172A (ja) | 1998-01-22 | 1998-01-22 | 誘電体磁器組成物および複合誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11209172A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007119312A1 (ja) | 2006-03-15 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | セラミック積層デバイスおよびその製造方法 |
| JP2012051751A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および積層型セラミック電子部品 |
| WO2013121928A1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | 株式会社村田製作所 | 複合積層セラミック電子部品 |
| CN116217225A (zh) * | 2023-03-10 | 2023-06-06 | 湖北大学 | 一种钛酸锶基微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN118026538A (zh) * | 2023-12-26 | 2024-05-14 | 成都宏科电子科技有限公司 | 用于制备铜基ltcc基板的玻璃粉及ltcc基板、制备方法和应用 |
-
1998
- 1998-01-22 JP JP10010213A patent/JPH11209172A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007119312A1 (ja) | 2006-03-15 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | セラミック積層デバイスおよびその製造方法 |
| US7826196B2 (en) | 2006-03-15 | 2010-11-02 | Panasonic Corporation | Ceramic laminated device and method for manufacturing same |
| JP2012051751A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および積層型セラミック電子部品 |
| WO2013121928A1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | 株式会社村田製作所 | 複合積層セラミック電子部品 |
| CN104186027A (zh) * | 2012-02-13 | 2014-12-03 | 株式会社村田制作所 | 复合层叠陶瓷电子部件 |
| US9214259B2 (en) | 2012-02-13 | 2015-12-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite laminated ceramic electronic component |
| CN116217225A (zh) * | 2023-03-10 | 2023-06-06 | 湖北大学 | 一种钛酸锶基微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN118026538A (zh) * | 2023-12-26 | 2024-05-14 | 成都宏科电子科技有限公司 | 用于制备铜基ltcc基板的玻璃粉及ltcc基板、制备方法和应用 |
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