JPH11211837A - 平面検出器 - Google Patents
平面検出器Info
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- JPH11211837A JPH11211837A JP10015789A JP1578998A JPH11211837A JP H11211837 A JPH11211837 A JP H11211837A JP 10015789 A JP10015789 A JP 10015789A JP 1578998 A JP1578998 A JP 1578998A JP H11211837 A JPH11211837 A JP H11211837A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高電圧を供給するための領域や素子検査のため
の領域等を画素マトリックスの以外の領域に形成し、こ
れら領域の存在によって画像にアーティファクトが生じ
ることがなく、Ｘ線診断システムの検出器として用いる
場合の誤診を防止できるような平面検出器を提供するこ
と。 【解決手段】画素マトリックス１以外の領域に、Ｓｅ３
の上部電極２に高電圧（バイアス）電圧を供給するため
の凸部領域Ａを有する。この凸部領域Ａの実現は、Ｓｅ
３や上部電極２を蒸着するためのマスクを画素マトリッ
クス１よりも拡大して形成すればよい。この凸部領域Ａ
の面積は、高圧供給用ケーブル４の金属部（ワイヤ部）
５を接続するための最小のサイズ、あるいは信号読み出
しアンプやゲート駆動用ＩＣといった周辺回路８のサイ
ズによって制限する。
の領域等を画素マトリックスの以外の領域に形成し、こ
れら領域の存在によって画像にアーティファクトが生じ
ることがなく、Ｘ線診断システムの検出器として用いる
場合の誤診を防止できるような平面検出器を提供するこ
と。 【解決手段】画素マトリックス１以外の領域に、Ｓｅ３
の上部電極２に高電圧（バイアス）電圧を供給するため
の凸部領域Ａを有する。この凸部領域Ａの実現は、Ｓｅ
３や上部電極２を蒸着するためのマスクを画素マトリッ
クス１よりも拡大して形成すればよい。この凸部領域Ａ
の面積は、高圧供給用ケーブル４の金属部（ワイヤ部）
５を接続するための最小のサイズ、あるいは信号読み出
しアンプやゲート駆動用ＩＣといった周辺回路８のサイ
ズによって制限する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＸ線診断装
置に用いられる平面検出器に関する。
置に用いられる平面検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線診断装置に用いられる平面検出器の
従来例として、直接変換方式、又は間接変換方式を採用
したＸ線固体平面検出器が幾つか提案されている。前者
は、例えば米国特許第５，３１９，２０６号明細書に記
載されており、後者は、例えば米国特許第４，６８９，
４８７号明細書に記載されている。
従来例として、直接変換方式、又は間接変換方式を採用
したＸ線固体平面検出器が幾つか提案されている。前者
は、例えば米国特許第５，３１９，２０６号明細書に記
載されており、後者は、例えば米国特許第４，６８９，
４８７号明細書に記載されている。
【０００３】図１は直接変換方式のＸ線固体平面検出器
の概略構成を示す図、図２は間接変換方式のＸ線固体平
面検出器の概略構成を示す図である。これら平面検出器
は、電磁波（Ｘ線）を電荷に変換する手段を具備してお
り、例えば図１の直接変換方式では、高電界下のＳｅ
（セレニウム：フォトコンダクタ）へのＸ線入射が電荷
生成に寄与し、画素の容量に蓄積される。また、図２に
示す間接変換方式の平面検出器では、増感紙やＣＳＩ結
晶などの化学物質（図２に示すシンチレーション層）を
介してＸ線を一旦光に変換し、フォトダイオードの作用
によって光強度を電荷として画素の容量に蓄積するもの
となっている。
の概略構成を示す図、図２は間接変換方式のＸ線固体平
面検出器の概略構成を示す図である。これら平面検出器
は、電磁波（Ｘ線）を電荷に変換する手段を具備してお
り、例えば図１の直接変換方式では、高電界下のＳｅ
（セレニウム：フォトコンダクタ）へのＸ線入射が電荷
生成に寄与し、画素の容量に蓄積される。また、図２に
示す間接変換方式の平面検出器では、増感紙やＣＳＩ結
晶などの化学物質（図２に示すシンチレーション層）を
介してＸ線を一旦光に変換し、フォトダイオードの作用
によって光強度を電荷として画素の容量に蓄積するもの
となっている。
【０００４】また、従来の平面検出器は、電荷量を電圧
に変換する手段を具備しており、画素に蓄積された電荷
を例えば薄膜トランジスタのスイッチング機能によって
選択し、この選択された電荷をチャージ（読み出し）ア
ンプに転送することでアンプの電圧出力を得ている。ま
た、アナログとして得られるチャージアンプからの電圧
出力をディジタル値に変換する手段（例えばアナログ値
をディジタル値に変換するＡＤＣ（Ａ／Ｄコンバー
タ））を具備している。図３に、このような平面検出器
における信号（電荷）読み出しのための構成を示す。平
面検出器は、入射した電磁波に応じた電荷を発生する変
換層と、この変換層で発生した電荷を収集する２次元マ
トリクス状に配列された画素電極と、画素電極で収集さ
れた電荷を蓄積するように各画素電極にそれぞれ接続さ
れた電荷蓄積素子と、電荷蓄積素子に蓄積された電荷情
報を読み出す読出し手段とを備えている。また、読出し
手段は、電荷蓄積素子にそれぞれ接続された電荷情報を
読み出すことができるように電荷蓄積素子にそれぞれ接
続されたスイッチング素子（例えば、薄膜トランジス
タ）と、同一行のＴＦＴゲートを電気的に接続する制御
用信号線と、この制御用信号線に制御電圧を供給するこ
とによりスイッチング素子のＯｎ、Ｏｆｆを行単位で制
御するスイッチング素子制御手段と、同一列のＴＦＴの
出力を電気的に接続する出力用信号線と、各出力用信号
線の出力を選択して出力する選択手段とを備えている。
に変換する手段を具備しており、画素に蓄積された電荷
を例えば薄膜トランジスタのスイッチング機能によって
選択し、この選択された電荷をチャージ（読み出し）ア
ンプに転送することでアンプの電圧出力を得ている。ま
た、アナログとして得られるチャージアンプからの電圧
出力をディジタル値に変換する手段（例えばアナログ値
をディジタル値に変換するＡＤＣ（Ａ／Ｄコンバー
タ））を具備している。図３に、このような平面検出器
における信号（電荷）読み出しのための構成を示す。平
面検出器は、入射した電磁波に応じた電荷を発生する変
換層と、この変換層で発生した電荷を収集する２次元マ
トリクス状に配列された画素電極と、画素電極で収集さ
れた電荷を蓄積するように各画素電極にそれぞれ接続さ
れた電荷蓄積素子と、電荷蓄積素子に蓄積された電荷情
報を読み出す読出し手段とを備えている。また、読出し
手段は、電荷蓄積素子にそれぞれ接続された電荷情報を
読み出すことができるように電荷蓄積素子にそれぞれ接
続されたスイッチング素子（例えば、薄膜トランジス
タ）と、同一行のＴＦＴゲートを電気的に接続する制御
用信号線と、この制御用信号線に制御電圧を供給するこ
とによりスイッチング素子のＯｎ、Ｏｆｆを行単位で制
御するスイッチング素子制御手段と、同一列のＴＦＴの
出力を電気的に接続する出力用信号線と、各出力用信号
線の出力を選択して出力する選択手段とを備えている。
【０００５】なお、これらの平面検出器は特にＸ線に限
らず光の平面検出器として考えることもできる。ところ
で、上記直接変換方式の平面検出器においては、フォト
コンダクタの上部に金属膜の電極が形成されており、こ
の金属膜に高電圧を供給する必要がある。図４に、従来
例に係る高電圧供給の仕方を示す。同図に示すように、
従来では、高圧供給用ケーブル４の先端（金属部）を上
部電極２にボンディングするようにしていた。
らず光の平面検出器として考えることもできる。ところ
で、上記直接変換方式の平面検出器においては、フォト
コンダクタの上部に金属膜の電極が形成されており、こ
の金属膜に高電圧を供給する必要がある。図４に、従来
例に係る高電圧供給の仕方を示す。同図に示すように、
従来では、高圧供給用ケーブル４の先端（金属部）を上
部電極２にボンディングするようにしていた。
【０００６】かかる従来例においては、高圧供給用ケー
ブル４を、画像を検出する領域、すなわち画素マトリッ
クス１上にボンディングするようにしていた。このた
め、図５に示すように高圧供給用ケーブル４の先端部の
陰影がＸ線画像６においてアーティファクト７として出
現する。
ブル４を、画像を検出する領域、すなわち画素マトリッ
クス１上にボンディングするようにしていた。このた
め、図５に示すように高圧供給用ケーブル４の先端部の
陰影がＸ線画像６においてアーティファクト７として出
現する。
【０００７】このような従来の平面検出器がＸ線医用診
断システムに用いられる場合、このアーティファクト７
が異常陰影として誤診される可能性があるという問題点
があった。また、平面検出器の画素領域以外は、基本的
に最低限の大きさとし、検出器全体のサイズを小さくす
ることが望ましい。
断システムに用いられる場合、このアーティファクト７
が異常陰影として誤診される可能性があるという問題点
があった。また、平面検出器の画素領域以外は、基本的
に最低限の大きさとし、検出器全体のサイズを小さくす
ることが望ましい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
を考慮してなされたものであり、その目的は、高電圧を
供給するための領域や素子検査のための領域等が画素マ
トリックスの以外の領域に形成されており、これら領域
の存在によって画像にアーティファクトが生じることが
なく、Ｘ線診断システムの検出器として用いる場合の誤
診を防止できるような平面検出器を提供することであ
る。
を考慮してなされたものであり、その目的は、高電圧を
供給するための領域や素子検査のための領域等が画素マ
トリックスの以外の領域に形成されており、これら領域
の存在によって画像にアーティファクトが生じることが
なく、Ｘ線診断システムの検出器として用いる場合の誤
診を防止できるような平面検出器を提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために本発明の平面検出器は次のように構成さ
れている。 （１）本発明の平面検出器は、入射した電磁波に応じた
電荷を発生する電磁波−電荷変換手段と、前記電磁波−
電荷変換手段の一方の側面側に、前記電磁波−電荷変換
手段で発生した電荷を収集する複数の画素電極を２次元
マトリクス状に配置した画素電極マトリクスと、前記画
素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、前記蓄
積手段に蓄積された電荷を読み出すための読み出し手段
と、前記電磁波−電荷変換手段の前記画素電極マトリク
スが設けられた側面に対向する側面に設けられ、かつ、
対向側面側に前記画素電極マトリクスが有る領域と対向
側面側に前記画素電極マトリクスが無い領域とを含むよ
うに設けられたバイアス印加用電極と、前記バイアス印
加用電極の内で対向側面側に前記画素電極マトリクスが
無い領域に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス
電圧供給用ケーブルとを備える。 （２）本発明の平面検出器は、基板と、基板上に２次元
マトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極で
収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、前記蓄積手段に
蓄積された電荷を読み出すための読み出し手段と、前記
画素電極上に積層され、入射した電磁波に応じた電荷を
発生する電磁波−電荷変換層と、前記電磁波−電荷変換
層上に積層され、前記画素電極上の領域と前記画素電極
上以外の領域とを含むように設けられたバイアス印加用
電極と、前記バイアス印加用電極の内で対向側面側に前
記画素電極上以外の領域に接続され、バイアス電圧を供
給するバイアス電圧供給用ケーブルとを備える。 （３）本発明の平面検出器は、上記（１）および（２）
のいずれかに記載の平面検出器であって、且つ前記バイ
アス印加用電極は凸部を有し、前記ケーブルはこの凸部
に接続されることを特徴とする。 （４）本発明の平面検出器は、上記（３）に記載の平面
検出器であって、且つ前記読み出し手段の少なくとも一
部が、前記凸部により形成される前記バイアス印加用電
極の切り欠き領域内に配置されることを特徴とする。 （５）本発明の平面検出器は、上記（１）乃至（４）の
いずれかに記載の平面検出器であって、且つ前記ケーブ
ルを接続する領域を前記画素電極マトリクスの四隅近傍
に複数設けたことを特徴とする。 （６）本発明の平面検出器は、入射した電磁波に応じた
電荷を発生する電磁波−電荷変換手段と、前記電磁波−
電荷変換手段の一方の側面側に、前記電磁波−電荷変換
手段で発生した電荷を収集する複数の画素電極を２次元
マトリクス状に配置した画素電極マトリクスと、前記画
素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、前記蓄
積手段に蓄積された電荷を読み出すための読み出し手段
と、前記画素電極が無い領域に対応した位置に設けら
れ、前記電磁波−電荷変換手段の特性を検査するための
検査用電極と、前記電磁波−電荷変換手段の前記画素電
極マトリクスが設けられた側面に対向する側面に設けら
れ、かつ、対向側面側に前記画素マトリクスが有る領域
と対向側面側に前記検査用電極が有る領域とを含むよう
に設けられたバイアス印加用電極とを備える。
達成するために本発明の平面検出器は次のように構成さ
れている。 （１）本発明の平面検出器は、入射した電磁波に応じた
電荷を発生する電磁波−電荷変換手段と、前記電磁波−
電荷変換手段の一方の側面側に、前記電磁波−電荷変換
手段で発生した電荷を収集する複数の画素電極を２次元
マトリクス状に配置した画素電極マトリクスと、前記画
素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、前記蓄
積手段に蓄積された電荷を読み出すための読み出し手段
と、前記電磁波−電荷変換手段の前記画素電極マトリク
スが設けられた側面に対向する側面に設けられ、かつ、
対向側面側に前記画素電極マトリクスが有る領域と対向
側面側に前記画素電極マトリクスが無い領域とを含むよ
うに設けられたバイアス印加用電極と、前記バイアス印
加用電極の内で対向側面側に前記画素電極マトリクスが
無い領域に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス
電圧供給用ケーブルとを備える。 （２）本発明の平面検出器は、基板と、基板上に２次元
マトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極で
収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、前記蓄積手段に
蓄積された電荷を読み出すための読み出し手段と、前記
画素電極上に積層され、入射した電磁波に応じた電荷を
発生する電磁波−電荷変換層と、前記電磁波−電荷変換
層上に積層され、前記画素電極上の領域と前記画素電極
上以外の領域とを含むように設けられたバイアス印加用
電極と、前記バイアス印加用電極の内で対向側面側に前
記画素電極上以外の領域に接続され、バイアス電圧を供
給するバイアス電圧供給用ケーブルとを備える。 （３）本発明の平面検出器は、上記（１）および（２）
のいずれかに記載の平面検出器であって、且つ前記バイ
アス印加用電極は凸部を有し、前記ケーブルはこの凸部
に接続されることを特徴とする。 （４）本発明の平面検出器は、上記（３）に記載の平面
検出器であって、且つ前記読み出し手段の少なくとも一
部が、前記凸部により形成される前記バイアス印加用電
極の切り欠き領域内に配置されることを特徴とする。 （５）本発明の平面検出器は、上記（１）乃至（４）の
いずれかに記載の平面検出器であって、且つ前記ケーブ
ルを接続する領域を前記画素電極マトリクスの四隅近傍
に複数設けたことを特徴とする。 （６）本発明の平面検出器は、入射した電磁波に応じた
電荷を発生する電磁波−電荷変換手段と、前記電磁波−
電荷変換手段の一方の側面側に、前記電磁波−電荷変換
手段で発生した電荷を収集する複数の画素電極を２次元
マトリクス状に配置した画素電極マトリクスと、前記画
素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、前記蓄
積手段に蓄積された電荷を読み出すための読み出し手段
と、前記画素電極が無い領域に対応した位置に設けら
れ、前記電磁波−電荷変換手段の特性を検査するための
検査用電極と、前記電磁波−電荷変換手段の前記画素電
極マトリクスが設けられた側面に対向する側面に設けら
れ、かつ、対向側面側に前記画素マトリクスが有る領域
と対向側面側に前記検査用電極が有る領域とを含むよう
に設けられたバイアス印加用電極とを備える。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態を説明する。なお、本実施形態の説明におい
て、図１〜図５に示した従来例と同一の構成部分につい
ては同一の参照符号を付してある。
の実施形態を説明する。なお、本実施形態の説明におい
て、図１〜図５に示した従来例と同一の構成部分につい
ては同一の参照符号を付してある。
【００１１】（第１実施形態）図６は本発明に係る平面
検出器の第１の実施形態の要部構成を示す図である。同
図において、１は画素電極１ａを２次元マトリクス状に
配列した画素電極マトリクス、２はバイアス用の高電圧
を印加するための上部電極、３は入射した電磁波に応じ
て電荷を発生する光伝導性を有するＳｅ、４は上部電極
３に高電圧を供給するためのバイアス供給用ケーブル、
８は平面検出器の周辺回路、９はバイアス供給用ケーブ
ル４を固定するための固定冶具、１３はガラス基板であ
る。
検出器の第１の実施形態の要部構成を示す図である。同
図において、１は画素電極１ａを２次元マトリクス状に
配列した画素電極マトリクス、２はバイアス用の高電圧
を印加するための上部電極、３は入射した電磁波に応じ
て電荷を発生する光伝導性を有するＳｅ、４は上部電極
３に高電圧を供給するためのバイアス供給用ケーブル、
８は平面検出器の周辺回路、９はバイアス供給用ケーブ
ル４を固定するための固定冶具、１３はガラス基板であ
る。
【００１２】この平面検出器は、ガラス基板１３上に画
素電極１ａを積層形成し、画素電極１ａの上部にＳｅ３
を積層し、Ｓｅ３の上に上部電極３を積層することによ
り製造される。なお、上部電極３の上には、絶縁性の保
護層が形成されている。また、この平面検出器には、画
素電極で収集された電荷を蓄積するように各画素電極に
それぞれ接続された電荷蓄積素子、電荷蓄積素子に蓄積
された電荷情報を読み出すことができるように電荷蓄積
素子にそれぞれ接続された薄膜トランジスタ（以下、Ｔ
ＦＴという。）、同一行のＴＦＴゲートを電気的に接続
する制御用信号線、同一列のＴＦＴの出力を電気的に接
続する出力用信号線が積層プロセスを用いて形成されて
いる。周辺回路８は、制御用信号線に制御電圧を供給す
ることによりスイッチング素子のＯｎ、Ｏｆｆを行単位
で制御するスイッチング素子制御手段と、各出力用信号
線の出力を選択して出力する選択手段とを備えている。
素電極１ａを積層形成し、画素電極１ａの上部にＳｅ３
を積層し、Ｓｅ３の上に上部電極３を積層することによ
り製造される。なお、上部電極３の上には、絶縁性の保
護層が形成されている。また、この平面検出器には、画
素電極で収集された電荷を蓄積するように各画素電極に
それぞれ接続された電荷蓄積素子、電荷蓄積素子に蓄積
された電荷情報を読み出すことができるように電荷蓄積
素子にそれぞれ接続された薄膜トランジスタ（以下、Ｔ
ＦＴという。）、同一行のＴＦＴゲートを電気的に接続
する制御用信号線、同一列のＴＦＴの出力を電気的に接
続する出力用信号線が積層プロセスを用いて形成されて
いる。周辺回路８は、制御用信号線に制御電圧を供給す
ることによりスイッチング素子のＯｎ、Ｏｆｆを行単位
で制御するスイッチング素子制御手段と、各出力用信号
線の出力を選択して出力する選択手段とを備えている。
【００１３】図６に示すように、本実施形態の平面検出
器は、画素マトリックス１以外の領域に、Ｓｅ３の上部
電極２に高電圧（バイアス）電圧を供給するための凸部
領域Ａを有する。
器は、画素マトリックス１以外の領域に、Ｓｅ３の上部
電極２に高電圧（バイアス）電圧を供給するための凸部
領域Ａを有する。
【００１４】この凸部領域Ａの実現は、Ｓｅ３や上部電
極２を蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔ）するためのマスクを画素
マトリックス１よりも拡大して形成すればよい。この凸
部領域Ａの面積は、高圧供給用ケーブル４の金属部（ワ
イヤ部）５を接続するための最小のサイズ（α、βによ
って示す）によって制限する。あるいは、信号読み出し
アンプ（マルチプレクサを含む）やゲート駆動用ＩＣと
いった周辺回路８のサイズ（α′によって示す）によっ
て制限してもよい。本実施形態では、周辺回路８が、凸
部領域Ａの側方に形成される上部電極２の切り欠き領域
内に配置され、これにより平面検出器を小型にしてい
る。
極２を蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔ）するためのマスクを画素
マトリックス１よりも拡大して形成すればよい。この凸
部領域Ａの面積は、高圧供給用ケーブル４の金属部（ワ
イヤ部）５を接続するための最小のサイズ（α、βによ
って示す）によって制限する。あるいは、信号読み出し
アンプ（マルチプレクサを含む）やゲート駆動用ＩＣと
いった周辺回路８のサイズ（α′によって示す）によっ
て制限してもよい。本実施形態では、周辺回路８が、凸
部領域Ａの側方に形成される上部電極２の切り欠き領域
内に配置され、これにより平面検出器を小型にしてい
る。
【００１５】なお、高圧供給用ケーブル４を、本実施形
態のように固定冶具９によってリードすると共に凸部領
域Ａの近傍において強固に固定しても良い。図７はこの
固定冶具９の構造を示す図であり、同図（ａ）は固定冶
具９を横方向から見た断面図、同図（ｂ）は上方向から
見た図である。
態のように固定冶具９によってリードすると共に凸部領
域Ａの近傍において強固に固定しても良い。図７はこの
固定冶具９の構造を示す図であり、同図（ａ）は固定冶
具９を横方向から見た断面図、同図（ｂ）は上方向から
見た図である。
【００１６】固定冶具９は、例えばＡＢＳ樹脂により形
成され、同図（ａ）に示すように、高圧供給用ケーブル
４を凸部領域Ａに導くための適度な傾斜を有する穴部９
１が形成されて成る。
成され、同図（ａ）に示すように、高圧供給用ケーブル
４を凸部領域Ａに導くための適度な傾斜を有する穴部９
１が形成されて成る。
【００１７】以上のように構成された本実施形態によれ
ば、Ｓｅ３の上部電極２に高電圧（バイアス電圧）を供
給するための凸部領域Ａが画素マトリックス１以外の領
域に形成されているので、この凸部領域Ａの存在によっ
て画像にアーティファクトが生じることがなく、Ｘ線診
断システムの検出器として用いる場合の誤診を防止でき
る。また、検出器全体のコンパクト性が損なわれること
もない。
ば、Ｓｅ３の上部電極２に高電圧（バイアス電圧）を供
給するための凸部領域Ａが画素マトリックス１以外の領
域に形成されているので、この凸部領域Ａの存在によっ
て画像にアーティファクトが生じることがなく、Ｘ線診
断システムの検出器として用いる場合の誤診を防止でき
る。また、検出器全体のコンパクト性が損なわれること
もない。
【００１８】なお、本実施形態は次のように変形しても
実施可能である。図８は本実施形態の変形例を示す図で
ある。高電圧供給領域すなわち高電圧供給用ケーブルを
ボンディングする領域は、図８に示すように画素マトリ
ックス１の辺縁近傍に形成してもよい。この場合、当該
領域の幅は高電圧供給用ケーブル４のワイヤ径（αによ
って示す）によって制限される。
実施可能である。図８は本実施形態の変形例を示す図で
ある。高電圧供給領域すなわち高電圧供給用ケーブルを
ボンディングする領域は、図８に示すように画素マトリ
ックス１の辺縁近傍に形成してもよい。この場合、当該
領域の幅は高電圧供給用ケーブル４のワイヤ径（αによ
って示す）によって制限される。
【００１９】また、上記高電圧供給用領域は平面検出器
の一箇所のみならず、複数箇所に設けても良い。図９は
このような変形例を示す図である。領域Ｒによって示さ
れる領域が高電圧供給領域である。本変形例において
は、この高電圧供給用領域が同図のように平面検出器の
左上隅、左下隅、右上隅、右下隅の計４個所（但し、検
出器の信号線及びゲート線の引き出し部は除く）に設け
られて成る。
の一箇所のみならず、複数箇所に設けても良い。図９は
このような変形例を示す図である。領域Ｒによって示さ
れる領域が高電圧供給領域である。本変形例において
は、この高電圧供給用領域が同図のように平面検出器の
左上隅、左下隅、右上隅、右下隅の計４個所（但し、検
出器の信号線及びゲート線の引き出し部は除く）に設け
られて成る。
【００２０】検出面が拡大すると、面全体の電圧が均一
なものとはならず、画像エリアの局所毎で感度（Sensit
ivity ）が異なることによるアーチファクトが発生する
場合があるが、本変形例のように高電圧供給用領域を画
素マトリクス１を挟んで対向するように設けると、上部
電極上における電流特性が良好なものとなり好ましい。
なお、当然ながら高電圧領域を平面検出器の隅の３箇
所、或は２箇所に設けるようにしても良く、配置数は特
に限定されない。
なものとはならず、画像エリアの局所毎で感度（Sensit
ivity ）が異なることによるアーチファクトが発生する
場合があるが、本変形例のように高電圧供給用領域を画
素マトリクス１を挟んで対向するように設けると、上部
電極上における電流特性が良好なものとなり好ましい。
なお、当然ながら高電圧領域を平面検出器の隅の３箇
所、或は２箇所に設けるようにしても良く、配置数は特
に限定されない。
【００２１】（第２実施形態）次に本発明の第２実施形
態について説明する。上述した第１実施形態は、フォト
コンダクタの上部電極への高電圧供給領域を画素マトリ
クス以外の領域に形成するものであった。本実施形態は
上記高電圧供給領域と同様に、画素検査（特にここでは
Ｓｅ特性のチェック用のＴＥＧ（Test Element Group
））のための電極を画素マトリクス以外の領域に形成
したものである。
態について説明する。上述した第１実施形態は、フォト
コンダクタの上部電極への高電圧供給領域を画素マトリ
クス以外の領域に形成するものであった。本実施形態は
上記高電圧供給領域と同様に、画素検査（特にここでは
Ｓｅ特性のチェック用のＴＥＧ（Test Element Group
））のための電極を画素マトリクス以外の領域に形成
したものである。
【００２２】図１０は本発明に係る平面検出器の第２実
施形態の要部構成を示す図である。同図において、１は
画素マトリクス、２は上部電極、１０はＳｅ特性のチェ
ック用のＴＥＧ（Ｓｅ−ＴＥＧ）用の電極、１１はＴＥ
Ｇ用電極１０からの出力信号を取り出すための端子をそ
れぞれ示している。
施形態の要部構成を示す図である。同図において、１は
画素マトリクス、２は上部電極、１０はＳｅ特性のチェ
ック用のＴＥＧ（Ｓｅ−ＴＥＧ）用の電極、１１はＴＥ
Ｇ用電極１０からの出力信号を取り出すための端子をそ
れぞれ示している。
【００２３】同図から明らかなように、本実施形態の平
面検出器は、画素マトリックス１以外の領域にＴＥＧ用
電極１０が設けられて成る。なお、ＴＥＧ用電極１０
は、第１実施形態において説明した上部電極２の下部に
Ｓｅ３を挟むように配置されている。この上部電極２か
らＳｅ３を介してＴＥＧ用電極１０に流れる電流を計測
することにより、Ｓｅ特性を計測することができる。
面検出器は、画素マトリックス１以外の領域にＴＥＧ用
電極１０が設けられて成る。なお、ＴＥＧ用電極１０
は、第１実施形態において説明した上部電極２の下部に
Ｓｅ３を挟むように配置されている。この上部電極２か
らＳｅ３を介してＴＥＧ用電極１０に流れる電流を計測
することにより、Ｓｅ特性を計測することができる。
【００２４】また、ＴＥＧ用電極１０の面積は、上記第
１の実施形態と同様に種々の条件によって制限される。
例えば、信号読み出しアンプ（マルチプレクサを含む）
やゲート駆動用ＩＣといった周辺回路（不図示）のサイ
ズによって制限される。
１の実施形態と同様に種々の条件によって制限される。
例えば、信号読み出しアンプ（マルチプレクサを含む）
やゲート駆動用ＩＣといった周辺回路（不図示）のサイ
ズによって制限される。
【００２５】また、このＴＥＧ用電極１０が平面検出器
の４隅のいずれかに複数設けられても良いことについて
も第１実施形態と同様である。図１１にこの場合の構成
例を示す。同図に示すように、平面検出器の左上隅にＴ
ＥＧ用電極１０１が設けられており、画素領域を挟んで
これと対向する右下隅にＳｅ−ＴＥＧ１０２が設けられ
ている。また、同検出器の左下隅に高電圧供給用領域２
０１が設けられており、画素領域を挟んでこれと対向す
る右上隅に高電圧供給用領域２０２が設けられている。
なお、上述したようにＴＥＧ用電極は高電圧供給用領域
の下部に形成されていても良く、図１１においてＳｅ−
ＴＥＧ１０１及び同１０２は、高電圧供給用領域の予備
領域として用いられる。
の４隅のいずれかに複数設けられても良いことについて
も第１実施形態と同様である。図１１にこの場合の構成
例を示す。同図に示すように、平面検出器の左上隅にＴ
ＥＧ用電極１０１が設けられており、画素領域を挟んで
これと対向する右下隅にＳｅ−ＴＥＧ１０２が設けられ
ている。また、同検出器の左下隅に高電圧供給用領域２
０１が設けられており、画素領域を挟んでこれと対向す
る右上隅に高電圧供給用領域２０２が設けられている。
なお、上述したようにＴＥＧ用電極は高電圧供給用領域
の下部に形成されていても良く、図１１においてＳｅ−
ＴＥＧ１０１及び同１０２は、高電圧供給用領域の予備
領域として用いられる。
【００２６】以上のように構成された本実施形態によれ
ば、ＴＥＧ用電極１０が画素マトリックス１以外の領域
に形成されているので、このＴＥＧ用電極１０の存在に
よって画像にアーティファクトが生じることがなく、Ｘ
線診断システムの検出器として用いる場合の誤診を防止
できる。また、検出器全体のコンパクト性が損なわれる
こともない。なお、本発明は上述した実施形態のみに限
定されず、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実
施可能である。
ば、ＴＥＧ用電極１０が画素マトリックス１以外の領域
に形成されているので、このＴＥＧ用電極１０の存在に
よって画像にアーティファクトが生じることがなく、Ｘ
線診断システムの検出器として用いる場合の誤診を防止
できる。また、検出器全体のコンパクト性が損なわれる
こともない。なお、本発明は上述した実施形態のみに限
定されず、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実
施可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
電圧を供給するための領域や素子検査のための領域等が
画素マトリックスの以外の領域に形成されているので、
これら領域の存在によって画像にアーティファクトが生
じることがなく、Ｘ線診断システムの検出器として用い
る場合の誤診を防止できる。また、検出器全体のコンパ
クト性が損なわれることもない。
電圧を供給するための領域や素子検査のための領域等が
画素マトリックスの以外の領域に形成されているので、
これら領域の存在によって画像にアーティファクトが生
じることがなく、Ｘ線診断システムの検出器として用い
る場合の誤診を防止できる。また、検出器全体のコンパ
クト性が損なわれることもない。
【図１】従来例に係る直接変換方式のＸ線固体平面検出
器の概略構成を示す図。
器の概略構成を示す図。
【図２】従来例に係る間接変換方式のＸ線固体平面検出
器の概略構成を示す図。
器の概略構成を示す図。
【図３】従来例に係る平面検出器における信号（電荷）
読み出しのための構成を示す図。
読み出しのための構成を示す図。
【図４】従来例に係る高電圧供給の仕方を示す図。
【図５】従来例に係るＸ線画像上のアーティファクトを
示す図。
示す図。
【図６】本発明に係る平面検出器の第１の実施形態の要
部構成を示す図。
部構成を示す図。
【図７】第１実施形態に係る固定冶具の構造を示す図。
【図８】第１実施形態の第１の変形例を示す図。
【図９】第１実施形態の第２の変形例を示す図。
【図１０】本発明に係る平面検出器の第２の実施形態の
要部構成を示す図。
要部構成を示す図。
【図１１】第２の実施形態の全体構成を示す図。
１…画素マトリクス １ａ…画素電極 ２…上部電極 ３…Ｓｅ（フォトコンダクタ） ４…高電圧供給用ケーブル ５…金属部 ６…Ｘ線画像 ７…アーチファクト ８…周辺回路 ９…固定冶具 １０…ＴＥＧ用電極 １１…Ｓｅ−ＴＥＧ用の端子
Claims (6)
- 【請求項１】 入射した電磁波に応じた電荷を発生する
電磁波−電荷変換手段と、 前記電磁波−電荷変換手段の一方の側面側に、前記電磁
波−電荷変換手段で発生した電荷を収集する複数の画素
電極を２次元マトリクス状に配置した画素電極マトリク
スと、 前記画素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、 前記蓄積手段に蓄積された電荷を読み出すための読み出
し手段と、 前記電磁波−電荷変換手段の前記画素電極マトリクスが
設けられた側面に対向する側面に設けられ、かつ、対向
側面側に前記画素電極マトリクスが有る領域と対向側面
側に前記画素電極マトリクスが無い領域とを含むように
設けられたバイアス印加用電極と、 前記バイアス印加用電極の内で対向側面側に前記画素電
極マトリクスが無い領域に接続され、バイアス電圧を供
給するバイアス電圧供給用ケーブルとを備えることを特
徴とする平面検出器。 - 【請求項２】 基板と、 基板上に２次元マトリクス状に配置された画素電極と、 前記画素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、 前記蓄積手段に蓄積された電荷を読み出すための読み出
し手段と、 前記画素電極上に積層され、入射した電磁波に応じた電
荷を発生する電磁波−電荷変換層と、 前記電磁波−電荷変換層上に積層され、前記画素電極上
の領域と前記画素電極上以外の領域とを含むように設け
られたバイアス印加用電極と、 前記バイアス印加用電極の内で対向側面側に前記画素電
極上以外の領域に接続され、バイアス電圧を供給するバ
イアス電圧供給用ケーブルとを備えることを特徴とする
平面検出器。 - 【請求項３】 前記バイアス印加用電極は凸部を有し、
前記ケーブルはこの凸部に接続されることを特徴とする
請求項１及び請求項２のいずれか１項記載の平面検出
器。 - 【請求項４】 前記読み出し手段の少なくとも一部が、
前記凸部により形成される前記バイアス印加用電極の切
り欠き領域内に配置されることを特徴とする請求項３記
載の平面検出器。 - 【請求項５】 前記ケーブルを接続する領域を前記画素
電極マトリクスの四隅近傍に複数設けたことを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれか１項記載の平面検出器。 - 【請求項６】 入射した電磁波に応じた電荷を発生する
電磁波−電荷変換手段と、 前記電磁波−電荷変換手段の一方の側面側に、前記電磁
波−電荷変換手段で発生した電荷を収集する複数の画素
電極を２次元マトリクス状に配置した画素電極マトリク
スと、 前記画素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、 前記蓄積手段に蓄積された電荷を読み出すための読み出
し手段と、 前記画素電極が無い領域に対応した位置に設けられ、前
記電磁波−電荷変換手段の特性を検査するための検査用
電極と、 前記電磁波−電荷変換手段の前記画素電極マトリクスが
設けられた側面に対向する側面に設けられ、かつ、対向
側面側に前記画素マトリクスが有る領域と対向側面側に
前記検査用電極が有る領域とを含むように設けられたバ
イアス印加用電極とを備えたことを特徴とする平面検出
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01578998A JP4104196B2 (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 平面検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01578998A JP4104196B2 (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 平面検出器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008036545A Division JP4266236B2 (ja) | 2008-02-18 | 2008-02-18 | 平面検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11211837A true JPH11211837A (ja) | 1999-08-06 |
| JP4104196B2 JP4104196B2 (ja) | 2008-06-18 |
Family
ID=11898614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01578998A Expired - Lifetime JP4104196B2 (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 平面検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4104196B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001255377A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Shimadzu Corp | 二次元画像検出器 |
| JP2002303676A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 放射線検出素子および放射線検出素子の製造方法 |
| JP2008251999A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
| KR20190073950A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출기 |
-
1998
- 1998-01-28 JP JP01578998A patent/JP4104196B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001255377A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Shimadzu Corp | 二次元画像検出器 |
| JP2002303676A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 放射線検出素子および放射線検出素子の製造方法 |
| JP2008251999A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
| US8071980B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-12-06 | Fujifilm Corporation | Radiation detector |
| KR20190073950A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4104196B2 (ja) | 2008-06-18 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
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