JPH11213329A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH11213329A JPH11213329A JP872198A JP872198A JPH11213329A JP H11213329 A JPH11213329 A JP H11213329A JP 872198 A JP872198 A JP 872198A JP 872198 A JP872198 A JP 872198A JP H11213329 A JPH11213329 A JP H11213329A
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- magnetic film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 下部磁性膜と、その上方に形成され先端部下
面が下部磁性膜の先端部上面に磁気ギャップを介して対
向し、下部磁性膜とで先端部に磁気ギャップをもつ磁気
回路を形成する上部磁性膜と、両磁性膜間の導体コイル
層とを基板上に備えてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、ト
ラック幅の高精度化及び狭小化を図る。 【解決手段】 上部磁性膜を、先端側の上部第１磁性膜
１７１と中央部から後端側に延出する上部第２磁性膜１
７２とに分割し、下部磁性膜には降下面部１２ａを形成
し、その降下面部上に形成された絶縁層１３上面と下部
磁性膜先端側部分上面とを連続する平坦面とし、その平
坦面上方の磁気ギャップ膜１４上の平坦面上に上部第１
磁性膜を形成し、その上部第１磁性膜後端側の上面に上
部第２磁性膜の先端部を接合する。また、上部第１磁性
膜の先端側部分上面に保護膜１８を形成する。
面が下部磁性膜の先端部上面に磁気ギャップを介して対
向し、下部磁性膜とで先端部に磁気ギャップをもつ磁気
回路を形成する上部磁性膜と、両磁性膜間の導体コイル
層とを基板上に備えてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、ト
ラック幅の高精度化及び狭小化を図る。 【解決手段】 上部磁性膜を、先端側の上部第１磁性膜
１７１と中央部から後端側に延出する上部第２磁性膜１
７２とに分割し、下部磁性膜には降下面部１２ａを形成
し、その降下面部上に形成された絶縁層１３上面と下部
磁性膜先端側部分上面とを連続する平坦面とし、その平
坦面上方の磁気ギャップ膜１４上の平坦面上に上部第１
磁性膜を形成し、その上部第１磁性膜後端側の上面に上
部第２磁性膜の先端部を接合する。また、上部第１磁性
膜の先端側部分上面に保護膜１８を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の磁気記憶装置のヘッド・ディスク・アッセンブリ
（ＨＤＡ）に使用される薄膜磁気ヘッド、特に、トラッ
ク幅の高精度化及び狭小化を図った高密度記録対応の薄
膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
等の磁気記憶装置のヘッド・ディスク・アッセンブリ
（ＨＤＡ）に使用される薄膜磁気ヘッド、特に、トラッ
ク幅の高精度化及び狭小化を図った高密度記録対応の薄
膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの処理能力の増大に
伴って磁気ディスク装置の記憶容量は、ますます大容量
化される傾向にある。このため、磁気ディスク装置に搭
載する薄膜磁気ヘッドの磁気コアのトラック幅も小さく
なる傾向にあり、またその製造上の精度も高い水準が要
求されてきている。
伴って磁気ディスク装置の記憶容量は、ますます大容量
化される傾向にある。このため、磁気ディスク装置に搭
載する薄膜磁気ヘッドの磁気コアのトラック幅も小さく
なる傾向にあり、またその製造上の精度も高い水準が要
求されてきている。
【０００３】図５は従来の薄膜磁気ヘッドの要部を示す
断面図、図６は同じく斜視図である。これら図５，図６
に示すように、従来の薄膜磁気ヘッドは、アルミナ系セ
ラミックスからなる基板１１上に磁性膜を被着して下部
磁性膜１２を形成し、後述上部磁性膜１７とで磁気回路
を形成する磁気コアを構成する。次に、ＳｉＯ2やＡｌ2
Ｏ3等の非磁性の金属酸化膜による磁気ギャップ膜１４
を上記下部磁性膜１２上に形成する。これにより、先端
部１０には上部磁性膜１７及び後述下部磁性膜１２間に
磁気ギャップが形成される。その後、上記磁気コアの中
央部、磁気ギャップ膜１４上に、第１絶縁層１３及び導
体コイル層１５を順次積層形成し、続いて、それらの上
部に第２絶縁層１６を積層し、最後に、先端部１０側の
磁気ギャップ膜１４上から磁気コア中央部の第２絶縁層
１６上にわたって上部磁性膜１７を被着してなる。な
お、上記導体コイル層１５は、上部，下部両磁性膜１
７，１２間を通り磁気回路と交差する。このような薄膜
磁気ヘッドでは、上部磁性膜１７、下部磁性膜１２及び
磁気ギャップ（磁気ギャップ膜１４）で磁気ディスク
（図示せず）に対して情報の読書きを行う。
断面図、図６は同じく斜視図である。これら図５，図６
に示すように、従来の薄膜磁気ヘッドは、アルミナ系セ
ラミックスからなる基板１１上に磁性膜を被着して下部
磁性膜１２を形成し、後述上部磁性膜１７とで磁気回路
を形成する磁気コアを構成する。次に、ＳｉＯ2やＡｌ2
Ｏ3等の非磁性の金属酸化膜による磁気ギャップ膜１４
を上記下部磁性膜１２上に形成する。これにより、先端
部１０には上部磁性膜１７及び後述下部磁性膜１２間に
磁気ギャップが形成される。その後、上記磁気コアの中
央部、磁気ギャップ膜１４上に、第１絶縁層１３及び導
体コイル層１５を順次積層形成し、続いて、それらの上
部に第２絶縁層１６を積層し、最後に、先端部１０側の
磁気ギャップ膜１４上から磁気コア中央部の第２絶縁層
１６上にわたって上部磁性膜１７を被着してなる。な
お、上記導体コイル層１５は、上部，下部両磁性膜１
７，１２間を通り磁気回路と交差する。このような薄膜
磁気ヘッドでは、上部磁性膜１７、下部磁性膜１２及び
磁気ギャップ（磁気ギャップ膜１４）で磁気ディスク
（図示せず）に対して情報の読書きを行う。
【０００４】このような従来の薄膜磁気ヘッドの記録密
度は、主として上部磁性膜１７の形状によって決まり、
特にトラック幅を決める上部磁性膜１７の幅ｄ及びオー
バーライトや分解能を決めるポール長ｔ（下部磁性膜１
２と上部磁性膜１７との厚さの和）は高精度に形成しな
ければならない。このうち、トラック幅を決める上部磁
性膜１７の幅ｄを高精度に形成するためには、約１０μ
ｍの高さの絶縁膜（第１絶縁層１３、導体層１５及び第
２絶縁層１６のトータル高さの積層部分）の段差下部５
１において、上部磁性膜１７のパターンを高精度に形成
する必要がある。しかし、このような高段差部に感光性
樹脂を塗布形成すると、段差下部５１においては感光性
樹脂は厚くなってしまうため高精度なパターンが形成で
きないという問題があった。
度は、主として上部磁性膜１７の形状によって決まり、
特にトラック幅を決める上部磁性膜１７の幅ｄ及びオー
バーライトや分解能を決めるポール長ｔ（下部磁性膜１
２と上部磁性膜１７との厚さの和）は高精度に形成しな
ければならない。このうち、トラック幅を決める上部磁
性膜１７の幅ｄを高精度に形成するためには、約１０μ
ｍの高さの絶縁膜（第１絶縁層１３、導体層１５及び第
２絶縁層１６のトータル高さの積層部分）の段差下部５
１において、上部磁性膜１７のパターンを高精度に形成
する必要がある。しかし、このような高段差部に感光性
樹脂を塗布形成すると、段差下部５１においては感光性
樹脂は厚くなってしまうため高精度なパターンが形成で
きないという問題があった。
【０００５】そこで、従来から段差の低い状態で上部磁
性膜１７の幅ｄを決める方法について多くの検討がなさ
れている。例えば、特開昭６０−１０４０９号公報にお
いては、絶縁膜を形成する前に上部磁性膜の先端部のみ
を形成し、その後、絶縁膜及び上部磁性膜の後部を形成
する方法が開示されている。この方法によれば、ほとん
ど段差がない状態で上部磁性膜の幅が決められるため、
トラック幅が高精度化できると記載されている。
性膜１７の幅ｄを決める方法について多くの検討がなさ
れている。例えば、特開昭６０−１０４０９号公報にお
いては、絶縁膜を形成する前に上部磁性膜の先端部のみ
を形成し、その後、絶縁膜及び上部磁性膜の後部を形成
する方法が開示されている。この方法によれば、ほとん
ど段差がない状態で上部磁性膜の幅が決められるため、
トラック幅が高精度化できると記載されている。
【０００６】また、上部及び下部磁性膜を先端部と後部
との２箇所に分割して形成する方法については、特開昭
６０−１０４１０号公報において開示されている。この
方法によれば、磁性膜先端部を高飽和磁化合金で形成
し、磁性膜後部を高透磁率材料で形成することができる
ため、優れた記録特性を有する薄膜磁気ヘッドが実現で
きると記載されている。
との２箇所に分割して形成する方法については、特開昭
６０−１０４１０号公報において開示されている。この
方法によれば、磁性膜先端部を高飽和磁化合金で形成
し、磁性膜後部を高透磁率材料で形成することができる
ため、優れた記録特性を有する薄膜磁気ヘッドが実現で
きると記載されている。
【０００７】また、特開平２−２４７８０９号公報にお
いては、第１絶縁膜を形成後、上部磁性膜の先端部のみ
を形成し、その後、先端部の保護膜を形成した後、絶縁
膜及び上部磁性膜の後部を形成する方法が開示されてい
る。この方法によれば、段差が低い状態で上部磁性膜の
幅が決められるため、トラック幅が高精度化でき、かつ
保護膜を設けているため、ポール長の変動もないと記載
されている。
いては、第１絶縁膜を形成後、上部磁性膜の先端部のみ
を形成し、その後、先端部の保護膜を形成した後、絶縁
膜及び上部磁性膜の後部を形成する方法が開示されてい
る。この方法によれば、段差が低い状態で上部磁性膜の
幅が決められるため、トラック幅が高精度化でき、かつ
保護膜を設けているため、ポール長の変動もないと記載
されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のうち、
特開昭６０−１０４０９号公報に記載されている方法に
よれば、トラック幅の高精度化については実現可能であ
る。しかしもう１つの重要な要素であるポール長に関し
ては何ら開示されていない。
特開昭６０−１０４０９号公報に記載されている方法に
よれば、トラック幅の高精度化については実現可能であ
る。しかしもう１つの重要な要素であるポール長に関し
ては何ら開示されていない。
【０００９】また、特開昭６０−１０４１０号公報に記
載されている従来技術においては、上部磁性膜を２分割
して後部を形成した後で先端部を形成する方法が開示さ
れており、この方法によれば、上部磁性膜先端部の表面
が、製造工程中にエッチングされることがなく、ポール
長の変動を小さくできる。しかしこの場合、約１０μｍ
の高さの段差下部５１において、トラック幅を決定する
上部磁性膜の先端部のパターンを形成しなければならな
いため、トラック幅を高精度化できないという問題点が
あった。
載されている従来技術においては、上部磁性膜を２分割
して後部を形成した後で先端部を形成する方法が開示さ
れており、この方法によれば、上部磁性膜先端部の表面
が、製造工程中にエッチングされることがなく、ポール
長の変動を小さくできる。しかしこの場合、約１０μｍ
の高さの段差下部５１において、トラック幅を決定する
上部磁性膜の先端部のパターンを形成しなければならな
いため、トラック幅を高精度化できないという問題点が
あった。
【００１０】また、特開平２−２４７８０９号公報に記
載されている従来技術によれば、トラック幅の高精度化
及びポール長の変動もない薄膜磁気ヘッドの製造は実現
可能である。しかしこの場合、第１絶縁膜上に上部磁性
膜の先端部を形成するため、従来の誘導型薄膜磁気ヘッ
ドでは問題はないが、磁気抵抗効果型ヘッドで用いられ
る記録用ヘッドの狭トラック幅では高感度の感光性樹脂
を使用すると斜面部からの光の散乱によりトラック幅の
高精度化及び狭小化ができないという問題点があった。
載されている従来技術によれば、トラック幅の高精度化
及びポール長の変動もない薄膜磁気ヘッドの製造は実現
可能である。しかしこの場合、第１絶縁膜上に上部磁性
膜の先端部を形成するため、従来の誘導型薄膜磁気ヘッ
ドでは問題はないが、磁気抵抗効果型ヘッドで用いられ
る記録用ヘッドの狭トラック幅では高感度の感光性樹脂
を使用すると斜面部からの光の散乱によりトラック幅の
高精度化及び狭小化ができないという問題点があった。
【００１１】本発明の目的は、トラック幅の高精度化及
び狭小化が可能で、例えば１平方インチ当たり３ギガビ
ット以上の高記録密度が達成できる磁気記憶装置を実現
可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供すること
にある。
び狭小化が可能で、例えば１平方インチ当たり３ギガビ
ット以上の高記録密度が達成できる磁気記憶装置を実現
可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、下部磁性膜と、この下部磁性膜上方に形成さ
れ先端部下面が下部磁性膜の先端部上面に磁気ギャップ
を介して対向し、これによって下部磁性膜とで先端部に
磁気ギャップを有する磁気回路を形成する上部磁性膜
と、上部，下部両磁性膜間を通って前記磁気回路と交差
する導体コイル層とを、基板上に備えてなる薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、上部磁性膜を、先端側の上部第１磁性膜
と前記導体コイル層が位置する中央部から後端側に延出
する上部第２磁性膜とに分割した。そして、下部磁性膜
には、先端側部分を残して下方へ落込む降下面部を形成
し、その降下面部上に形成された絶縁層上面と前記下部
磁性膜先端側部分上面とを連続する平坦面とし、その平
坦面上方の前記磁気ギャップを形成する磁気ギャップ膜
上の平坦面上に前記上部第１磁性膜を形成し、その上部
第１磁性膜後端側の上面に前記上部第２磁性膜の先端部
を接合する。更に、上部第１磁性膜の先端側部分上面に
は、前記上部第２磁性膜の表面加工に対する保護膜を形
成したものである。
本発明は、下部磁性膜と、この下部磁性膜上方に形成さ
れ先端部下面が下部磁性膜の先端部上面に磁気ギャップ
を介して対向し、これによって下部磁性膜とで先端部に
磁気ギャップを有する磁気回路を形成する上部磁性膜
と、上部，下部両磁性膜間を通って前記磁気回路と交差
する導体コイル層とを、基板上に備えてなる薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、上部磁性膜を、先端側の上部第１磁性膜
と前記導体コイル層が位置する中央部から後端側に延出
する上部第２磁性膜とに分割した。そして、下部磁性膜
には、先端側部分を残して下方へ落込む降下面部を形成
し、その降下面部上に形成された絶縁層上面と前記下部
磁性膜先端側部分上面とを連続する平坦面とし、その平
坦面上方の前記磁気ギャップを形成する磁気ギャップ膜
上の平坦面上に前記上部第１磁性膜を形成し、その上部
第１磁性膜後端側の上面に前記上部第２磁性膜の先端部
を接合する。更に、上部第１磁性膜の先端側部分上面に
は、前記上部第２磁性膜の表面加工に対する保護膜を形
成したものである。
【００１３】また本発明は、下部磁性膜と、この下部磁
性膜上方に形成され先端部下面が下部磁性膜の先端部上
面に磁気ギャップを介して対向し、これによって下部磁
性膜とで先端部に磁気ギャップを有する磁気回路を形成
する上部磁性膜と、上部，下部両磁性膜間を通って前記
磁気回路と交差する導体コイル層とを、基板上に備えて
なる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記基板上に
下部磁性膜を形成した後、その下部磁性膜にその先端側
部分を残して下方へ落込む降下面部を形成すると共にそ
の降下面部上に絶縁層を形成する。その後、その絶縁層
上面と前記下部磁性膜先端側部分上面とを連続する平坦
面に形成し、その平坦面上方に前記磁気ギャップを形成
する磁気ギャップ膜を形成した後、その磁気ギャップ膜
上の平坦面上に前記上部磁性膜の先端側部分をなす上部
第１磁性膜を形成し、その後に形成される、上部第１磁
性膜とで前記上部磁性膜を構成する上部第２磁性膜の先
端部を前記上部第１磁性膜後端側の上面で接合させる。
また、少なくともその上部第２磁性膜の表面加工前まで
に、前記上部第１磁性膜の先端側部分上面に前記表面加
工に対する保護膜を形成したものである。
性膜上方に形成され先端部下面が下部磁性膜の先端部上
面に磁気ギャップを介して対向し、これによって下部磁
性膜とで先端部に磁気ギャップを有する磁気回路を形成
する上部磁性膜と、上部，下部両磁性膜間を通って前記
磁気回路と交差する導体コイル層とを、基板上に備えて
なる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記基板上に
下部磁性膜を形成した後、その下部磁性膜にその先端側
部分を残して下方へ落込む降下面部を形成すると共にそ
の降下面部上に絶縁層を形成する。その後、その絶縁層
上面と前記下部磁性膜先端側部分上面とを連続する平坦
面に形成し、その平坦面上方に前記磁気ギャップを形成
する磁気ギャップ膜を形成した後、その磁気ギャップ膜
上の平坦面上に前記上部磁性膜の先端側部分をなす上部
第１磁性膜を形成し、その後に形成される、上部第１磁
性膜とで前記上部磁性膜を構成する上部第２磁性膜の先
端部を前記上部第１磁性膜後端側の上面で接合させる。
また、少なくともその上部第２磁性膜の表面加工前まで
に、前記上部第１磁性膜の先端側部分上面に前記表面加
工に対する保護膜を形成したものである。
【００１４】上記のように本発明では、上部磁性膜を、
先端側の上部第１磁性膜と導体コイル層が位置する中央
部から後端側に延出する上部第２磁性膜とに分割し、そ
のうちの上部第１磁性膜を、上部第２磁性膜の形成に先
立って、しかも平坦面上に形成する。したがって、露光
光の散乱も生じなく、上部第１磁性膜のパターン形成が
高精度に可能となる。また、平坦面上に設けられた磁気
ギャップ膜上の平坦面に上部第１磁性膜を形成するので
平坦化プロセスにおける磁気ギャップ長の変化を防ぐこ
とができる。更に、上部第１磁性膜上に上部第２磁性膜
の表面加工に対する保護膜を形成してあるのでポール長
の変動も生じない。
先端側の上部第１磁性膜と導体コイル層が位置する中央
部から後端側に延出する上部第２磁性膜とに分割し、そ
のうちの上部第１磁性膜を、上部第２磁性膜の形成に先
立って、しかも平坦面上に形成する。したがって、露光
光の散乱も生じなく、上部第１磁性膜のパターン形成が
高精度に可能となる。また、平坦面上に設けられた磁気
ギャップ膜上の平坦面に上部第１磁性膜を形成するので
平坦化プロセスにおける磁気ギャップ長の変化を防ぐこ
とができる。更に、上部第１磁性膜上に上部第２磁性膜
の表面加工に対する保護膜を形成してあるのでポール長
の変動も生じない。
【００１５】以上により、トラック幅の高精度化及び狭
小化が可能である。例えば、トラック幅を１．５μｍ以
下と狭小化でき、またトラック幅精度が６σ＝０．５μ
ｍ以下と高精度化できる。これにより、媒体ノイズの少
ない、かつ高保磁力の電磁変換特性に優れた極めて高い
面記録密度が記録可能な薄膜磁気記録媒体を用い、本発
明磁気ヘッドを高精度に位置決めする手段を用いること
で、１平方インチ当たり３ギガビット以上の高記録密度
を達成する磁気記憶装置が実現可能となる。
小化が可能である。例えば、トラック幅を１．５μｍ以
下と狭小化でき、またトラック幅精度が６σ＝０．５μ
ｍ以下と高精度化できる。これにより、媒体ノイズの少
ない、かつ高保磁力の電磁変換特性に優れた極めて高い
面記録密度が記録可能な薄膜磁気記録媒体を用い、本発
明磁気ヘッドを高精度に位置決めする手段を用いること
で、１平方インチ当たり３ギガビット以上の高記録密度
を達成する磁気記憶装置が実現可能となる。
【００１６】更に本発明は、上述磁気ヘッドにおいて、
上部第１磁性膜と上部第２磁性膜とが接合される部分の
下方に、下部磁性膜の降下面部上に形成された絶縁層の
先端側部分を位置させた。すなわち、スロートハイト＝
０の位置が下部磁性膜に形成された降下面部への落込み
位置で決められ、かつその上部に形成された平坦面上方
に上部第１磁性膜と上部第２磁性膜との２つに分割され
た上部磁性膜を有する構造とした。これによれば、より
一層、トラック幅の高精度化及び狭小化が可能となる。
上部第１磁性膜と上部第２磁性膜とが接合される部分の
下方に、下部磁性膜の降下面部上に形成された絶縁層の
先端側部分を位置させた。すなわち、スロートハイト＝
０の位置が下部磁性膜に形成された降下面部への落込み
位置で決められ、かつその上部に形成された平坦面上方
に上部第１磁性膜と上部第２磁性膜との２つに分割され
た上部磁性膜を有する構造とした。これによれば、より
一層、トラック幅の高精度化及び狭小化が可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。図１は、本発明による薄膜磁気ヘッ
ドの一実施形態の要部を示す断面図である。この図１に
示すように、本発明磁気ヘッドは、下部磁性膜１２と、
この下部磁性膜１２上方に形成され先端部下面が下部磁
性膜１２の先端部上面に磁気ギャップを介して対向し、
これによって下部磁性膜１２とで先端部１０に磁気ギャ
ップを有する磁気回路を形成する上部磁性膜１７と、上
部，下部両磁性膜１２，１７間を通って前記磁気回路と
交差する導体コイル層１５とを、基板１１上に備えてな
る。なお、上記導体コイル層１５は後述保護膜１８上に
形成され、その周囲は上部，下部磁性膜１２，１７との
間に介在する第２絶縁層１８で覆われている。
施形態を説明する。図１は、本発明による薄膜磁気ヘッ
ドの一実施形態の要部を示す断面図である。この図１に
示すように、本発明磁気ヘッドは、下部磁性膜１２と、
この下部磁性膜１２上方に形成され先端部下面が下部磁
性膜１２の先端部上面に磁気ギャップを介して対向し、
これによって下部磁性膜１２とで先端部１０に磁気ギャ
ップを有する磁気回路を形成する上部磁性膜１７と、上
部，下部両磁性膜１２，１７間を通って前記磁気回路と
交差する導体コイル層１５とを、基板１１上に備えてな
る。なお、上記導体コイル層１５は後述保護膜１８上に
形成され、その周囲は上部，下部磁性膜１２，１７との
間に介在する第２絶縁層１８で覆われている。
【００１８】ここで、上記上部磁性膜１７は、先端側の
上部第１磁性膜１７１と上記導体コイル層１５が位置す
る中央部から後端側に延出する上部第２磁性膜１７２と
に分割されてなる。また、上記下部磁性膜１２には、先
端側部分を残して下方へ落込む降下面部１２ａが形成さ
れ、その降下面部１２ａ上に形成された第１絶縁層１３
上面と下部磁性膜１２先端側部分上面とが連続する平坦
面とされ、その平坦面上方の上記磁気ギャップを形成す
る磁気ギャップ膜１４上の平坦面上に上記上部第１磁性
膜１７１が形成される。そして、その上部第１磁性膜１
７１後端側の上面に上記上部第２磁性膜１７２の先端部
が接合され、上部第１磁性膜１７１の先端側部分上面に
は、上部第２磁性膜１７２の表面加工、ここではエッチ
ング加工に対する保護膜１８が形成されている。
上部第１磁性膜１７１と上記導体コイル層１５が位置す
る中央部から後端側に延出する上部第２磁性膜１７２と
に分割されてなる。また、上記下部磁性膜１２には、先
端側部分を残して下方へ落込む降下面部１２ａが形成さ
れ、その降下面部１２ａ上に形成された第１絶縁層１３
上面と下部磁性膜１２先端側部分上面とが連続する平坦
面とされ、その平坦面上方の上記磁気ギャップを形成す
る磁気ギャップ膜１４上の平坦面上に上記上部第１磁性
膜１７１が形成される。そして、その上部第１磁性膜１
７１後端側の上面に上記上部第２磁性膜１７２の先端部
が接合され、上部第１磁性膜１７１の先端側部分上面に
は、上部第２磁性膜１７２の表面加工、ここではエッチ
ング加工に対する保護膜１８が形成されている。
【００１９】なお、図示するように、上部第１磁性膜１
７１と上部第２磁性膜１７２とが接合される部分の下方
に、下部磁性膜１２の降下面部１２ａ上に形成された第
１絶縁層１３の先端側部分が位置している。すなわち、
スロートハイト＝０の位置イが下部磁性膜１２に形成さ
れた降下面部１２ａへの落込み位置１２ｂで決められ、
かつその上部に形成された平坦面上方に上部第１磁性膜
１７１と上部第２磁性膜１７２との２つに分割された上
部磁性膜１７を有する構造とされている。
７１と上部第２磁性膜１７２とが接合される部分の下方
に、下部磁性膜１２の降下面部１２ａ上に形成された第
１絶縁層１３の先端側部分が位置している。すなわち、
スロートハイト＝０の位置イが下部磁性膜１２に形成さ
れた降下面部１２ａへの落込み位置１２ｂで決められ、
かつその上部に形成された平坦面上方に上部第１磁性膜
１７１と上部第２磁性膜１７２との２つに分割された上
部磁性膜１７を有する構造とされている。
【００２０】図２は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施形態を示す断面図である。この図２（ａ）
〜（ｉ）に示すように、本発明磁気ヘッドは、まず、ア
ルミナ系セラミックスからなる基板１１上にＣｏ系アモ
ルファスやＦｅ系等の磁性膜をスパッタ法又はめっき法
で被着し、ウェッチエッチング法、イオンミリング法又
はリフトオフ法等を用いて下部磁性膜１２を形成する
（図２（ａ））。次に、この下部磁性膜１２と後述上部
第１磁性膜１７１との間での磁界の漏れを防止するため
に、下部磁性膜１２の中央部から後端側にわたってウェ
ットエッチング法、イオンミリング法等を用いてエッチ
ングし、降下面部１２ａを形成する（図２（ｂ））。そ
して、その降下面部１２ａを平坦化するように、樹脂系
材による、又はＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の非磁性の金属酸
化膜による第１絶縁層１３を降下面部１２ａに被着形成
する（図２（ｃ））。第１絶縁層１３及びこの第１絶縁
層１３に隣接して露出する上記下部磁性膜１２上全面の
最終的な平坦化は、イオンビームを用いたエッチバック
法又は化学的機械研磨法を用いることが望ましい。
方法の一実施形態を示す断面図である。この図２（ａ）
〜（ｉ）に示すように、本発明磁気ヘッドは、まず、ア
ルミナ系セラミックスからなる基板１１上にＣｏ系アモ
ルファスやＦｅ系等の磁性膜をスパッタ法又はめっき法
で被着し、ウェッチエッチング法、イオンミリング法又
はリフトオフ法等を用いて下部磁性膜１２を形成する
（図２（ａ））。次に、この下部磁性膜１２と後述上部
第１磁性膜１７１との間での磁界の漏れを防止するため
に、下部磁性膜１２の中央部から後端側にわたってウェ
ットエッチング法、イオンミリング法等を用いてエッチ
ングし、降下面部１２ａを形成する（図２（ｂ））。そ
して、その降下面部１２ａを平坦化するように、樹脂系
材による、又はＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の非磁性の金属酸
化膜による第１絶縁層１３を降下面部１２ａに被着形成
する（図２（ｃ））。第１絶縁層１３及びこの第１絶縁
層１３に隣接して露出する上記下部磁性膜１２上全面の
最終的な平坦化は、イオンビームを用いたエッチバック
法又は化学的機械研磨法を用いることが望ましい。
【００２１】その後、平坦化された第１絶縁層１３及び
第１絶縁層１３に隣接して露出する上記下部磁性膜１２
上全面に、スパッタ法、イオンミリング法又はリフトオ
フ法等を用いてＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の非磁性の金属酸
化膜による磁気ギャップ膜１４を積層形成する（図２
（ｄ））。この磁気ギャップ膜１４と第１絶縁層１３と
は逆の位置，順番で形成してもよい。
第１絶縁層１３に隣接して露出する上記下部磁性膜１２
上全面に、スパッタ法、イオンミリング法又はリフトオ
フ法等を用いてＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の非磁性の金属酸
化膜による磁気ギャップ膜１４を積層形成する（図２
（ｄ））。この磁気ギャップ膜１４と第１絶縁層１３と
は逆の位置，順番で形成してもよい。
【００２２】次に、Ｃｏ系アモルファスやＦｅ系等の磁
性膜をスパッタ法又はめっき法で被着し、続いてウェッ
チエッチング法、イオンミリング法又はリフトオフ法等
を用いて磁気ギャップ膜１４上の前方側に上部第１磁性
膜１７１を積層形成する（図２（ｅ））。その後、上部
第１磁性膜１７１上に、スパッタ法、イオンミリング法
又はリフトオフ法等を用いてＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の非
磁性の金属酸化膜による、上部第１磁性膜１７１を保護
する保護膜１８を形成する（図２（ｆ））。この時、磁
気ギャップ膜１４上の中央部から後方側にかけても保護
膜１８が形成されるが、少なくとも上記上部第１磁性膜
１７１と後述上部第２磁性膜１７２とを磁気的に接続
（接合）するためのコンタクトホールＣＨも形成され
る。
性膜をスパッタ法又はめっき法で被着し、続いてウェッ
チエッチング法、イオンミリング法又はリフトオフ法等
を用いて磁気ギャップ膜１４上の前方側に上部第１磁性
膜１７１を積層形成する（図２（ｅ））。その後、上部
第１磁性膜１７１上に、スパッタ法、イオンミリング法
又はリフトオフ法等を用いてＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等の非
磁性の金属酸化膜による、上部第１磁性膜１７１を保護
する保護膜１８を形成する（図２（ｆ））。この時、磁
気ギャップ膜１４上の中央部から後方側にかけても保護
膜１８が形成されるが、少なくとも上記上部第１磁性膜
１７１と後述上部第２磁性膜１７２とを磁気的に接続
（接合）するためのコンタクトホールＣＨも形成され
る。
【００２３】その後、磁場を誘導するＣｕやＡｕ等から
なる導体膜をスパッタ法又はめっき法で被着し、続いて
ウェッチエッチング法、イオンミリング法又はリフトオ
フ法等を用いて後方側の保護膜１８上に導体コイル層１
５を形成する（図２（ｇ））。更に、この導体コイル層
１５と後述上部第２磁性膜１７２との絶縁をとるため、
必要箇所に樹脂系材による、又はＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等
の非磁性の金属酸化膜による第２絶縁層１６を被着形成
する（図２（ｈ））。
なる導体膜をスパッタ法又はめっき法で被着し、続いて
ウェッチエッチング法、イオンミリング法又はリフトオ
フ法等を用いて後方側の保護膜１８上に導体コイル層１
５を形成する（図２（ｇ））。更に、この導体コイル層
１５と後述上部第２磁性膜１７２との絶縁をとるため、
必要箇所に樹脂系材による、又はＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3等
の非磁性の金属酸化膜による第２絶縁層１６を被着形成
する（図２（ｈ））。
【００２４】最後に、Ｃｏ系アモルファスやＦｅ系等の
磁性膜をスパッタ法又はめっき法で被着し、続いてウェ
ッチエッチング法、イオンミリング法又はリフトオフ法
等を用いてコンタクトホールＣＨを含めた後方側に上部
第２磁性膜１７２を形成し（図２（ｉ））、薄膜磁気ヘ
ッドを得る。
磁性膜をスパッタ法又はめっき法で被着し、続いてウェ
ッチエッチング法、イオンミリング法又はリフトオフ法
等を用いてコンタクトホールＣＨを含めた後方側に上部
第２磁性膜１７２を形成し（図２（ｉ））、薄膜磁気ヘ
ッドを得る。
【００２５】図３に本発明磁気ヘッド及び従来磁気ヘッ
ドのトラック幅精度を示す。（ａ）が本発明磁気ヘッド
のトラック幅精度を示し、（ｂ）が従来磁気ヘッドのト
ラック幅精度を示す。両図から、上部磁性膜１７の先端
側（上部第１磁性膜１７１）のパターンを平坦化した面
で形成する本発明磁気ヘッドの方が従来磁気ヘッドに比
べ、トラック幅精度が６σ＝０．５μｍ以下と高精度化
できることが分かる。また、本発明磁気ヘッドの製造方
法によれば、露光光の散乱による上記パターンの寸法シ
フトも抑止することができ、従来のそれに比べ狭トラッ
ク幅を形成できることが分かる。
ドのトラック幅精度を示す。（ａ）が本発明磁気ヘッド
のトラック幅精度を示し、（ｂ）が従来磁気ヘッドのト
ラック幅精度を示す。両図から、上部磁性膜１７の先端
側（上部第１磁性膜１７１）のパターンを平坦化した面
で形成する本発明磁気ヘッドの方が従来磁気ヘッドに比
べ、トラック幅精度が６σ＝０．５μｍ以下と高精度化
できることが分かる。また、本発明磁気ヘッドの製造方
法によれば、露光光の散乱による上記パターンの寸法シ
フトも抑止することができ、従来のそれに比べ狭トラッ
ク幅を形成できることが分かる。
【００２６】したがって本発明によれば、寸法精度に優
れ、かつ狭トラック幅の形成が可能であり、高密度記録
に適した薄膜磁気ヘッドが実現できる。なお、上部第１
磁性膜１７１に飽和磁束密度の大きい磁性材料を用い、
上部第２磁性膜１７２に透磁率の大きい磁性材料を用い
れば、書き込み特性に優れた薄膜磁気ヘッドが実現でき
る。
れ、かつ狭トラック幅の形成が可能であり、高密度記録
に適した薄膜磁気ヘッドが実現できる。なお、上部第１
磁性膜１７１に飽和磁束密度の大きい磁性材料を用い、
上部第２磁性膜１７２に透磁率の大きい磁性材料を用い
れば、書き込み特性に優れた薄膜磁気ヘッドが実現でき
る。
【００２７】図４は本発明による薄膜磁気ヘッドが適用
された磁気記憶装置の一例を示す斜視図である。この磁
気記憶装置は、媒体ノイズの少ない、かつ高保磁力の電
磁変換特性に優れた極めて高い面記録密度で情報記録可
能な薄膜磁気記録媒体２０３と、これを記録方向に駆動
するスピンドルモータ２０２と、記録部及び再生部から
なる本発明の薄膜磁気ヘッド２０４と、この薄膜磁気ヘ
ッド２０４を上記磁気記録媒体２０３に対して相対運動
をさせるガイドアーム２０５と、上記薄膜磁気ヘッド２
０４への信号入力と薄膜磁気ヘッド２０４からの出力信
号再生を行うための記録再生信号処理回路２０１とを備
えてなり、これにより本発明磁気ヘッド２０４の特性確
認がされた。
された磁気記憶装置の一例を示す斜視図である。この磁
気記憶装置は、媒体ノイズの少ない、かつ高保磁力の電
磁変換特性に優れた極めて高い面記録密度で情報記録可
能な薄膜磁気記録媒体２０３と、これを記録方向に駆動
するスピンドルモータ２０２と、記録部及び再生部から
なる本発明の薄膜磁気ヘッド２０４と、この薄膜磁気ヘ
ッド２０４を上記磁気記録媒体２０３に対して相対運動
をさせるガイドアーム２０５と、上記薄膜磁気ヘッド２
０４への信号入力と薄膜磁気ヘッド２０４からの出力信
号再生を行うための記録再生信号処理回路２０１とを備
えてなり、これにより本発明磁気ヘッド２０４の特性確
認がされた。
【００２８】ここで、上述磁気記憶装置は、複数の磁気
記録媒体２０３を有し、ガイドアーム２０５が複数の本
発明磁気ヘッド２０４を有した構成でもよいことはいう
までもない。また、本発明磁気ヘッド２０４は、異方性
磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を用いたＭＲヘッドだけでな
く、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したスピンバル
ブ型ＭＲヘッドにも適用できる。なお本発明磁気ヘッド
２０４は、記録再生兼用型磁気ヘッドのみならず、磁気
抵抗効果型再生ヘッドと組合せ使用する記録再生分離型
磁気ヘッドの記録ヘッドに適用してもよく、この場合
も、記録再生兼用型磁気ヘッドの場合と同様に書き込み
特性に優れる。
記録媒体２０３を有し、ガイドアーム２０５が複数の本
発明磁気ヘッド２０４を有した構成でもよいことはいう
までもない。また、本発明磁気ヘッド２０４は、異方性
磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を用いたＭＲヘッドだけでな
く、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したスピンバル
ブ型ＭＲヘッドにも適用できる。なお本発明磁気ヘッド
２０４は、記録再生兼用型磁気ヘッドのみならず、磁気
抵抗効果型再生ヘッドと組合せ使用する記録再生分離型
磁気ヘッドの記録ヘッドに適用してもよく、この場合
も、記録再生兼用型磁気ヘッドの場合と同様に書き込み
特性に優れる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ト
ラック幅の高精度化及び狭小化が可能で、例えば１平方
インチ当たり３ギガビット以上の高記録密度が達成でき
る磁気記憶装置を実現可能な薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法を提供することができる。
ラック幅の高精度化及び狭小化が可能で、例えば１平方
インチ当たり３ギガビット以上の高記録密度が達成でき
る磁気記憶装置を実現可能な薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法を提供することができる。
【図１】本発明磁気ヘッドの一実施形態の要部を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明磁気ヘッドの製造方法の一実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】本発明磁気ヘッド及び従来磁気ヘッドのトラッ
ク幅精度を示すグラフである。
ク幅精度を示すグラフである。
【図４】本発明磁気ヘッドが適用された磁気記憶装置の
一例を示す斜視図である。
一例を示す斜視図である。
【図５】従来磁気ヘッドの要部を示す断面図である。
【図６】従来磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
１０…磁気ヘッド先端部、１１…基板、１２…下部磁性
膜、１２ａ…降下面部、１２ｂ…落込み位置、１３…第
１絶縁層、１４…磁気ギャップ膜、１５…導体コイル
層、１６…第２絶縁層、１７…上部磁性膜、１７１…上
部第１磁性膜、１７２…上部第２磁性膜、１８…保護
膜、ＣＨ…コンタクトホール、２０１…記録再生信号処
理回路、２０２…スピンドルモータ、２０３…薄膜磁気
記録媒体、２０４…薄膜磁気ヘッド（本発明磁気ヘッ
ド）、２０５…ガイドアーム。
膜、１２ａ…降下面部、１２ｂ…落込み位置、１３…第
１絶縁層、１４…磁気ギャップ膜、１５…導体コイル
層、１６…第２絶縁層、１７…上部磁性膜、１７１…上
部第１磁性膜、１７２…上部第２磁性膜、１８…保護
膜、ＣＨ…コンタクトホール、２０１…記録再生信号処
理回路、２０２…スピンドルモータ、２０３…薄膜磁気
記録媒体、２０４…薄膜磁気ヘッド（本発明磁気ヘッ
ド）、２０５…ガイドアーム。
Claims (3)
- 【請求項１】 下部磁性膜と、この下部磁性膜上方に形
成され先端部下面が下部磁性膜の先端部上面に磁気ギャ
ップを介して対向し、これによって下部磁性膜とで先端
部に磁気ギャップを有する磁気回路を形成する上部磁性
膜と、上部，下部両磁性膜間を通って前記磁気回路と交
差する導体コイル層とを、基板上に備えてなる薄膜磁気
ヘッドにおいて、 前記上部磁性膜は、先端側の上部第１磁性膜と前記導体
コイル層が位置する中央部から後端側に延出する上部第
２磁性膜とに分割され、 かつ前記下部磁性膜には、先端側部分を残して下方へ落
込む降下面部が形成され、その降下面部上に形成された
絶縁層上面と前記下部磁性膜先端側部分上面とが連続す
る平坦面とされ、その平坦面上方の前記磁気ギャップを
形成する磁気ギャップ膜上の平坦面上に前記上部第１磁
性膜が形成され、その上部第１磁性膜後端側の上面に前
記上部第２磁性膜の先端部が接合され、上部第１磁性膜
の先端側部分上面には、前記上部第２磁性膜の表面加工
に対する保護膜が形成されていることを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項２】 下部磁性膜と、この下部磁性膜上方に形
成され先端部下面が下部磁性膜の先端部上面に磁気ギャ
ップを介して対向し、これによって下部磁性膜とで先端
部に磁気ギャップを有する磁気回路を形成する上部磁性
膜と、上部，下部両磁性膜間を通って前記磁気回路と交
差する導体コイル層とを、基板上に備えてなる薄膜磁気
ヘッドにおいて、 前記上部磁性膜は、先端側の上部第１磁性膜と前記導体
コイル層が位置する中央部から後端側に延出する上部第
２磁性膜とに分割され、 かつ前記下部磁性膜には、先端側部分を残して下方へ落
込む降下面部が形成され、その降下面部上に形成された
絶縁層上面と前記下部磁性膜先端側部分上面とが連続す
る平坦面とされ、その平坦面上方の前記磁気ギャップを
形成する磁気ギャップ膜上の平坦面上に前記上部第１磁
性膜が形成され、その上部第１磁性膜後端側の上面に前
記上部第２磁性膜の先端部が接合され、上部第１磁性膜
の先端側部分上面には、前記上部第２磁性膜の表面加工
に対する保護膜が形成され、 前記上部第１磁性膜と上部第２磁性膜とが接合される部
分の下方には、前記下部磁性膜の降下面部上に形成され
た前記絶縁層の先端側部分が位置されていることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 下部磁性膜と、この下部磁性膜上方に形
成され先端部下面が下部磁性膜の先端部上面に磁気ギャ
ップを介して対向し、これによって下部磁性膜とで先端
部に磁気ギャップを有する磁気回路を形成する上部磁性
膜と、上部，下部両磁性膜間を通って前記磁気回路と交
差する導体コイル層とを、基板上に備えてなる薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、 前記基板上に下部磁性膜を形成した後、その下部磁性膜
にその先端側部分を残して下方へ落込む降下面部を形成
すると共にその降下面部上に絶縁層を形成し、 その後、その絶縁層上面と前記下部磁性膜先端側部分上
面とを連続する平坦面に形成し、 その平坦面上方に前記磁気ギャップを形成する磁気ギャ
ップ膜を形成した後、その磁気ギャップ膜上の平坦面上
に前記上部磁性膜の先端側部分をなす上部第１磁性膜を
形成し、 その後に形成される、上部第１磁性膜とで前記上部磁性
膜を構成する上部第２磁性膜の先端部を前記上部第１磁
性膜後端側の上面で接合させ、 少なくともその上部第２磁性膜の表面加工前までに、前
記上部第１磁性膜の先端側部分上面に前記表面加工に対
する保護膜を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP872198A JPH11213329A (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP872198A JPH11213329A (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11213329A true JPH11213329A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11700824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP872198A Pending JPH11213329A (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11213329A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6388845B1 (en) * | 1998-04-02 | 2002-05-14 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| EP1089259A3 (en) * | 1999-09-30 | 2002-05-22 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head with short lower magnetic pole piece |
| WO2002056304A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Fujitsu Limited | Tete magnetique a film mince et procede de production correspondant |
| US6597543B1 (en) | 1998-06-08 | 2003-07-22 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and magnetic storage apparatus using the same |
| US6646828B1 (en) | 1999-09-17 | 2003-11-11 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacture the same |
| EP1696424A1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-08-30 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
-
1998
- 1998-01-20 JP JP872198A patent/JPH11213329A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6558561B2 (en) | 1998-04-02 | 2003-05-06 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| US6388845B1 (en) * | 1998-04-02 | 2002-05-14 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| US7054107B2 (en) | 1998-06-08 | 2006-05-30 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head with nonmagnetic body filled concave portion formed on a pole layer and magnetic storage apparatus using the same |
| US7239482B2 (en) | 1998-06-08 | 2007-07-03 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and nonmagnetic body filled concave portion formed on a pole layer and magnetic storage apparatus using the same |
| US7230794B2 (en) | 1998-06-08 | 2007-06-12 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head with nonmagnetic body filled concave portion formed on a pole layer and magnetic storage apparatus using the same |
| US6597543B1 (en) | 1998-06-08 | 2003-07-22 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and magnetic storage apparatus using the same |
| US6646828B1 (en) | 1999-09-17 | 2003-11-11 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and method of manufacture the same |
| US6751052B1 (en) | 1999-09-30 | 2004-06-15 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head with short lower magnetic pole piece |
| KR100617277B1 (ko) * | 1999-09-30 | 2006-08-30 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 박막 자기 헤드 및 자기 기록 매체 구동 장치 |
| EP1089259A3 (en) * | 1999-09-30 | 2002-05-22 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head with short lower magnetic pole piece |
| US7167341B2 (en) | 2001-01-15 | 2007-01-23 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head having lower auxiliary magnetic pole on lower magnetic pole layer |
| WO2002056304A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Fujitsu Limited | Tete magnetique a film mince et procede de production correspondant |
| EP1696424A1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-08-30 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040622 |