JPH11213935A - Ｆｉｂ−ｓｅｍ装置における試料断面観察方法およびｆｉｂ−ｓｅｍ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＦＩＢ加工した試料を装置の外に取り出すこ
となく、十分なコントラストで解像度良く走査電子顕微
鏡により観察することができるＦＩＢ−ＳＥＭ装置にお
ける試料断面観察方法およびＦＩＢ−ＳＥＭ装置を実現
する。 【解決手段】 ＦＩＢカラム１内のイオン銃２からイオ
ンビームを発生させ、イオンビームを試料７に照射して
試料を加工する。この加工により開口を形成した後、ス
テージ１８を１８０°回転させ、更にステージ１８を大
きく傾斜させる。このステージの回転と傾斜により、試
料７の開口２０の断面部分ＤをＦＩＢカラム１に対面さ
せることができる。この状態で試料７に照射するイオン
ビームの電流量を減少させる。この結果、試料の加工断
面部分では、ｎｍ単位で断面表層の縦方向への加工を行
うことができる。このような表面処理を行った後、試料
の加工断面部分のＳＥＭ像を観察する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、試料に集束イオン
ビームを照射して加工し、その加工断面を走査電子顕微
鏡機能で観察するようにしたＦＩＢ−ＳＥＭ装置におけ
る試料断面観察方法およびＦＩＢ−ＳＥＭ装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】集束イオンビーム（ＦＩＢ−Focused Io
n Beam）装置は、イオン源からのイオンビームを細く集
束し、加工試料に照射して試料をエッチング等により加
工する装置である。このＦＩＢ装置の応用分野の中で
も、特にＦＩＢによるエッチング技術は、かなりポビュ
ラーなものとなってきている。

【０００３】この技術を用いたＦＩＢ装置は、マイクロ
マシン加工はもとより、半導体デバイスの不良解析や透
過電子顕微鏡試料の作成に広く利用されている。特に最
も注目されている半導体デバイスの３次元解析として
は、もはや不可欠の装置となりつつある。また、現在で
は、従来のインライン型走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）装置
にＦＩＢ機能を付加したデュアルビーム（Dual Beam −
ＤＢ）装置も徐々にではあるが普及しつつある。

【０００４】ＤＢ装置は、半導体の不良解析装置として
対応すべく、従来までのＦＩＢ装置としてエッチング加
工した後、ＳＥＭ装置へ試料を移して観察するといった
工程を一台で行える複合装置である。

【０００５】これは、通常のＦＩＢ単能機と同様に、試
料上面にイオンビームを照射して、任意の場所をエッチ
ング加工し、加工終了後、試料の移動なしにすぐにその
エッチング加工された断面をＳＥＭ像で観察できるとい
う利点を有している。その結果、不良解析に絶大な威力
とその工程の時間の短縮、それに伴う歩留まり管理とそ
の速度、また、複合装置ゆえの床面積の縮小、価格のダ
ウン等が期待されており、今後ますます普及が進むと予
想される。

【０００６】上記したＦＩＢ−ＳＥＭ装置の構成は、大
きく分けてＦＩＢ制御部、ＳＥＭ制御部、試料を載せた
ステージの制御部からなり、それぞれをホストコンピュ
ータにより制御している。この装置では、通常、試料の
垂直方向の上からイオンビームを当ててエッチングし、
その穴の断面に試料面から３０°の角度で電子ビームを
当てて、その断面の構造を観察している。イオンビーム
で加工されたサンプルは、試料面に垂直な断面を作り、
その断面は、イオンビームの電流量、プローブ径に依存
するが、ほとんど試料面に垂直に切り出される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記したＦ
ＩＢ−ＳＥＭ装置では、断面像を電子ビームによって観
察したときに、切り出した直後の断面は余りにフラット
であるために、２次電子像では十分なコントラストが得
られず、解像度が悪くなる欠点を有している。また、電
子ビームによる観察では、試料によっては、切り出され
た断面が、走査電子顕微鏡観察によるコンタミネーショ
ン付着等によって汚れ、同様に解像度が低下してしま
う。

【０００８】このため、上記のようなフラットな断面の
像を走査電子顕微鏡において解像度良く観察するための
一般的な手法として、試料を劈壊したり、ＦＩＢ加工し
た試料に化学処理（ウエットエッチング等）を施し、各
種材料の間に段差を作りだし、そのエッジからの２次電
子放出効率を向上させることにより、化学処理後の走査
電子顕微鏡像のコントラストを向上させることなどが知
られている。

【０００９】しかしながら、これらの処理を行うために
は、ＦＩＢ加工後、一度試料を装置の外に取り出すこと
が必要になり、また、このことによって再度試料を装置
に入れたときに、加工場所を突き止めるのに非常に手間
が掛かってしまい、多くの工程と時間を費やすことは歴
然である。更に、目的の試料が８インチウエハ等の大き
なものである場合、その試料を小さなチップに切り出す
必要も生じる。

【００１０】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、ＦＩＢ加工した試料を装置の外に
取り出すことなく、十分なコントラストで解像度良く走
査電子顕微鏡により観察することができるＦＩＢ−ＳＥ
Ｍ装置における試料断面観察方法およびＦＩＢ−ＳＥＭ
装置を実現するにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】第１の発明に基づくＦＩ
Ｂ−ＳＥＭ装置における試料断面観察方法は、試料に集
束イオンビームを照射する機能と、集束イオンビームに
よって加工された試料断面に電子ビームを照射して走査
電子顕微鏡像を観察することができるＳＥＭ機能とを備
えたＦＩＢ−ＳＥＭ装置において、比較的大きな電流量
のイオンビームを試料に照射して試料をエッチングして
加工し、加工後試料を回転と傾斜させて加工断面をイオ
ンビームに対面させ、加工断面に比較的小さな電流量の
イオンビームを照射し、その後試料を回転と傾斜させて
加工断面の走査電子顕微鏡像を観察するようにしたこと
を特徴としている。

【００１２】第１の発明では、比較的大きな電流量のイ
オンビームを試料に照射して試料をエッチングして加工
し、加工後試料を回転と傾斜させて加工断面をイオンビ
ームに対面させ、加工断面に比較的小さな電流量のイオ
ンビームを照射し、その後試料を回転と傾斜させて加工
断面の走査電子顕微鏡像を観察する。

【００１３】第２の発明では、第１の発明において、試
料のエッチング加工後の加工断面上でイオンビームを走
査し、この走査に基づいて得られた信号によりＳＩＭ像
を観察するようにした。

【００１４】第３の発明では、第１の発明において、加
工断面に比較的小さな電流量のイオンビームを照射する
際、イオンビームを所定領域で走査させ、この走査を所
定領域の上から下、下から上に双方向に走査するように
した。

【００１５】第４の発明では、第１の発明において、比
較的大きな電流量のイオンビームを試料に照射して試料
をエッチングして加工し、加工後試料を１８０°回転さ
せ、比較的大きな角度傾斜させて加工断面をイオンビー
ムに対面させるようにした。

【００１６】第５の発明に基づくＦＩＢ−ＳＥＭ装置
は、試料に集束イオンビームを照射する機能と、集束イ
オンビームによって加工された試料断面に電子ビームを
照射して走査電子顕微鏡像を観察することができるＳＥ
Ｍ機能とを備えたＦＩＢ−ＳＥＭ装置において、集束イ
オンビームの電流量を比較的大きな電流量と比較的小さ
な電流量に切り換える手段と、試料を回転、傾斜させる
手段と、比較的大きな電流量のイオンビームを試料に照
射して試料をエッチングして加工し、加工後試料を回転
と傾斜させて加工断面をイオンビームに対面させ、加工
断面に比較的小さな電流量のイオンビームを照射する機
能とを有したことを特徴としている。

【００１７】第５の発明では、比較的大きな電流量のイ
オンビームを試料に照射して試料をエッチングして加工
し、加工後試料を回転と傾斜させて加工断面をイオンビ
ームに対面させ、加工断面に比較的小さな電流量のイオ
ンビームを照射し、その後試料を回転と傾斜させて加工
断面の走査電子顕微鏡像を観察する。

【００１８】第６の発明では、第５の発明において、試
料の回転と傾斜によってもイオンビームと電子ビームの
照射領域が変化しない機能を備えた。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に基づくＦ
ＩＢ−ＳＥＭ装置を示しており、１はＦＩＢのカラム、
２はＳＥＭのカラムである。ＦＩＢカラム１の中には、
イオン銃３と、イオン銃３から発生し加速されたイオン
ビームを集束する集束レンズ４、対物レンズ５、イオン
ビームを２次元的に走査するための偏向器６が設けられ
ている。なお、イオンビーム用の集束レンズ４、対物レ
ンズ５は主に静電レンズが使用される。

【００２０】イオン銃３から発生したイオンビームは、
集束レンズ４、対物レンズ５によって試料７上に細く集
束されると共に、試料７に照射されるイオンビームの照
射位置は、偏向器６によって走査できるように構成され
ている。これら集束レンズ４、対物レンズ５、偏向器６
はＦＩＢ制御部８によって制御される。

【００２１】例えば、試料７に照射されるイオンビーム
の電流量を変化させる場合には、ＦＩＢ制御部８によっ
て集束レンズ４、対物レンズ５を制御し、各レンズの強
度を制御してイオンビームの集束度合いを変化させ、イ
オンビームの光路中に設けられた絞り（図示せず）を通
過するイオンビームの量を制御する。また、イオンビー
ムを試料上で２次元的あるいはライン状に走査する場合
には、ＦＩＢ制御部８から偏向器６に走査信号が供給さ
れる。

【００２２】ＳＥＭカラム２の中には、電子銃９と、電
子銃９から発生した電子ビームを集束する集束レンズ１
０、対物レンズ１１、電子ビームを２次元的に走査する
ための偏向器１２が設けられている。なお、電子ビーム
用の集束レンズ１０、対物レンズ１１は主に電磁レンズ
が使用される。

【００２３】電子銃９から発生した電子ビームは、集束
レンズ１０、対物レンズ１１によって試料７上に細く集
束されると共に、試料７に照射される電子ビームの照射
位置は、偏向器１２によって走査できるように構成され
ている。これら集束レンズ１０、対物レンズ１１、偏向
器１２はＳＥＭ制御部１３によって制御される。

【００２４】例えば、試料７に照射される電子ビームの
電流量を変化させる場合には、ＳＥＭ制御部１３によっ
て集束レンズ１０、対物レンズ１１を制御し、各レンズ
の強度を制御して電子ビームの集束度合いを変化させ、
電子ビームの光路中に設けられた絞り（図示せず）を通
過する電子ビームの量を制御する。また、電子ビームを
試料上で２次元的あるいはライン状に走査する場合に
は、ＳＥＭ制御部１３から偏向器１２に走査信号が供給
される。なお、ＳＥＭ制御部１３とＦＩＢ制御部８は、
ホストコンピュータ１４によってコントロールされる。

【００２５】試料７への電子ビームあるいはイオンビー
ムの照射によって試料から発生した２次電子は、２次電
子検出器１５によって検出される。検出器１５によって
検出された信号は、増幅器１６によって増幅された後、
ホストコンピュータ１４を介して陰極線管１７に供給さ
れる。

【００２６】試料７はステージ１８上に載せられてい
る。ステージ１８はステージ制御部１９により、水平方
向の２次元移動、回転、傾斜ができるように構成されて
いる。ステージ制御部１９は、ホストコンピュータ１４
によってコントロールされる。このような構成の動作を
次に説明する。

【００２７】まず、ＦＩＢによる試料７の加工が行われ
る。この試料の加工は、ＦＩＢカラム１内のイオン銃３
からイオンビームを発生させ、このイオンビームを集束
レンズ４、対物レンズ５によって試料７上に細く集束す
ると共に、イオンビームを偏向器６によってライン状に
走査する。この際、試料ステージ１８をイオンビームの
ライン状の走査の方向と垂直な方向に移動させる。

【００２８】図２はこの様子を示しており、試料７は矢
印Ｓの逆方向にゆっくりと移動させられ、その間、イオ
ンビームＩＢは紙面に垂直の方向にライン状に走査され
る。この時、イオンビームＩＢの電流量は、大きな加工
レートを保つために、例えば、１０００ｐＡ程度とされ
ている。この結果、試料７には矩形状の開口２０が穿た
れる。この開口２０の深さは、イオンビームの電流量、
イオンビームの走査速度、試料の移動速度による。

【００２９】通常のＦＩＢ−ＳＥＭ装置においては、試
料７に対する開口２０の形成後、断面部分Ｄに対してＳ
ＥＭカラム２から電子ビームＥＢを照射すると共に、断
面部分Ｄで電子ビームを２次元的に走査する。この走査
に基づいて断面部分Ｄから発生した２次電子は、２次電
子検出器１５によって検出される。この検出信号は、陰
極線管１７に供給されることから、陰極線管１７には断
面部分Ｄの走査電子顕微鏡像が得られる。

【００３０】さて、このような従来からの通常の動作で
は、断面部分Ｄはフラットであるために、十分なコント
ラストの解像度の良い２次電子像を得ることはできない
ことは前に述べた。本発明においては、図２で示したよ
うなイオンビームの加工により開口２０を形成した後、
ステージ制御部１９によりステージ１８を制御し、ステ
ージ１８を１８０°回転させ、更にステージ１８を大き
く（例えば６０°）傾斜させる。

【００３１】この状態を図３に示す。このステージの回
転と傾斜により、試料７の開口２０の断面部分ＤをＦＩ
Ｂカラム１に対面させることができる。すなわち、加工
断面部分Ｄに垂直に近い方向からイオンビームを照射す
ることができる。この状態でＦＩＢ制御部８からＦＩＢ
カラム１を制御し、集束レンズ４と対物レンズ５を制御
して試料７に照射するイオンビームの電流量を減少させ
る。この電流量は、例えば、数ｐＡ程度とされる。

【００３２】この状態で偏向器６により試料の断面部分
ＤでイオンビームＩＢを２次元的に短時間走査（例えば
テレビジョン走査速度）する。この結果、試料の断面部
分Ｄでは、ｎｍ単位で断面表層の縦方向への加工を行う
ことができる。この場合、断面にある各種の半導体材料
は、その材質により同じ電荷を与えると、その結晶の結
合力の違いにより、エッタングされる速度が異なるた
め、材料の違いによる段差ができることになる。

【００３３】つまり、加工した試料を装置から取り出し
て、試料断面表層を化学処理を施したと同様の処理を、
試料を装置から取り出すことなく、また、化学薬品等を
使用せず、任意の場所において、短時間に行うことがで
きる。なお、この場合、弱い電流量のイオンビームを試
料に照射しながら、選択性のあるガスを導入すれば、よ
り化学処理したものと同等の断面を得ることができる。

【００３４】このようなプロセスにおける試料の観察断
面の深さ方向の制御としては次ぎの３つの方式を適宜実
行することができる。第１の方式は試料面に当てるイオ
ンビーム電流量を一定とし、イオンビームの走査速度を
テレビジョン走査速度とゆっくりとしたスロー速度を選
ぶことにより、微細な深さ方向の加工制御を行う方式で
ある。

【００３５】テレビジョン走査モードでは、数ｎｍのエ
ッチングにより、試料表面のクリーニングを行う。ま
た、スローモードでは、試料表面を数十〜数百ｎｍを加
工し、画像を観察しながら、断面を垂直に剥がしていく
ことにより、試料深く埋まっているであろう欠陥等を確
実に見つけることができる。

【００３６】第２の方式は、試料断面に当てるイオンビ
ーム電流量を数ｐＡ〜数十ｐＡと選択することにより、
加工の深さを制御する方式である。第３の方式は、イオ
ンビームを走査する方向を通常の上から下への一方向で
はなく、上から下、下から上への双方向に走査を行うこ
とにより、エッチングされる面の深さが上から下まで一
定になるようにする制御する方式である。

【００３７】このようなイオンビームによる２次的な試
料表面処理を行った後、加工断面Ｄを走査電子顕微鏡カ
ラム２に対面させる。この操作は、試料ステージ１８を
回転・傾斜させて行う。この操作により、試料７は、例
えば、図１に示すような位置関係とされ、加工断面Ｄは
ＳＥＭカラム２からの電子ビームＥＢにより２次元的に
走査されることになる。

【００３８】この電子ビームの走査により得られた２次
電子に基づいて観察する試料断面の像は、ＦＩＢ加工直
後に比べ、非常にコントラストの強調された走査電子顕
微鏡画像となる。このような動作により、試料の任意の
場所に、任意の範囲に、任意の深さだけ表面の仕上げを
行うことができ、試料断面の解像度の改善だけではな
く、断面から数ｎｍの深さに埋まっているであろう異物
（不良解析の場合）なども掘り出すことが可能となる。

【００３９】なお、ＦＩＢにより試料の加工を行った
後、加工断面Ｄの微細な深さ方向の加工制御を行う場
合、電流量の極めて弱いイオンビームを加工断面Ｄにお
いて走査し、その際に発生した２次電子を２次電子検出
器で検出し、加工断面ＤのＳＩＭ像を得、このＳＩＭ像
から微細な深さ方向の加工制御を行う領域の指定を行う
ことは有効である。

【００４０】上記したプロセスを「ソフトエッチング機
能」としてＦＩＢ−ＳＥＭ装置に付加した場合、具体的
な動作シーケンスは次の通りとなる。 ＦＩＢ加工後にＳＥＭ像の観察を行い、必要があれ
ば、「ソフトエッチング機能」のボタンを押す。 ステージの回転と傾斜が行われ、ＳＥＭ像を観察して
いた加工断面ＤがＦＩＢカラム１に対面し、ＦＩＢ観察
モードに切り替わる。 弱いイオンビームを走査してＳＩＭ像を観察して領域
の設定を行い、ソフトエッチングの開始をホストコンピ
ュータから指示すると、スローまたはテレビジョン走査
の速さでＦＩＢが画面を上から下、下から上と交互に走
査する。 再び、ＳＥＭ観察モードに戻すボタンを押し、ステー
ジの回転と傾斜を行って、ＳＥＭ観察モードにして断面
処理後のＳＥＭ像を観察する。

【００４１】なお、ＦＩＢで試料を加工して開口を形成
した後、加工断面ＤをＦＩＢカラム１に対面させる場
合、試料の回転と傾斜によって加工場所Ｄが観察視野か
ら逃げないように、コンピュータによってステージを制
御するユーセントリック機能を有することは必要であ
る。この機能により、ＳＩＭとＳＥＭの観察機能を位置
ずれなしに切り替えることができる。

【００４２】また、ＦＩＢカラムとＳＥＭカラムの機械
的な軸合わせおよび電気的制御と試料面高さの制御によ
り、イオンビームと電子ビームとが試料の同一観察点を
照射可能とされている。

【００４３】以上本発明の実施の形態を詳述したが、本
発明はこの形態に限定されない。例えば、本発明は電子
ビームやイオンビームを試料上で走査した際２次電子を
検出するようにしたが、反射電子や反射イオン等を検出
し、その検出信号に基づいて像の表示を行うようにして
も良い。また、試料の加工断面を小さな電流量のイオン
ビームの走査によって表面処理を行う場合、選択性のあ
るガスをその部分に導入すれば、より化学処理したもの
と同等の断面像を得ることができる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、第１の発明では、
比較的大きな電流量のイオンビームを試料に照射して試
料をエッチングして加工し、加工後試料を回転と傾斜さ
せて加工断面をイオンビームに対面させ、加工断面に比
較的小さな電流量のイオンビームを照射し、その後試料
を回転と傾斜させて加工断面の走査電子顕微鏡像を観察
するようにしたので、加工断面の選択的なエッチングを
行うことができ、十分なコントラストの解像度の良い像
を得ることができる。

【００４５】第２の発明では、第１の発明において、試
料のエッチング加工後の加工断面上でイオンビームを走
査し、この走査に基づいて得られた信号によりＳＩＭ像
を観察するようにしたので、加工断面の選択的なエッチ
ングを行う領域を画像を観察しながら行うことができ
る。

【００４６】第３の発明では、第１の発明において、加
工断面に比較的小さな電流量のイオンビームを照射する
際、イオンビームを所定領域で走査させ、この走査を所
定領域の上から下、下から上に双方向に走査するように
したので、走査領域の上下のエッチングされる深さを一
定に保つことができる。

【００４７】第４の発明では、第１の発明において、比
較的大きな電流量のイオンビームを試料に照射して試料
をエッチングして加工し、加工後試料を１８０°回転さ
せ、比較的大きな角度傾斜させて加工断面をイオンビー
ムに対面させるようにしたので、大きな電流量のイオン
ビームでエッチング加工した断面を小さなイオンビーム
を用いて微細なエッチングを行うことができる。

【００４８】第５の発明では、比較的大きな電流量のイ
オンビームを試料に照射して試料をエッチングして加工
し、加工後試料を回転と傾斜させて加工断面をイオンビ
ームに対面させ、加工断面に比較的小さな電流量のイオ
ンビームを照射し、その後試料を回転と傾斜させて加工
断面の走査電子顕微鏡像を観察することが可能となるの
で、第１の発明と同様な効果が達成される。

【００４９】第６の発明では、第５の発明において、試
料の回転と傾斜によってもイオンビームと電子ビームの
照射領域が変化しない機能を備えたので、面倒な試料の
位置合わせを行う必要がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に基づくＦＩＢ−ＳＥＭ装置を示す図で
ある。

【図２】試料の加工断面を示す図である。

【図３】試料の回転と傾斜を行った後の試料とＦＩＢカ
ラム、ＳＥＭカラムとの関係を示す図である。

【符号の説明】

１ ＦＩＢカラム ２ ＳＥＭカラム ３ イオン銃 ４，１０ 集束レンズ ５，１１ 対物レンズ ６，１２ 偏向器 ７ 試料 ８ ＦＩＢ制御部 ９ 電子銃 １３ ＳＥＭ制御部 １４ ホストコンピュータ １５ ２次電子検出器 １６ 増幅器 １７ 陰極線管 １８ ステージ １９ ステージ制御部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試料に集束イオンビームを照射する機能
   と、集束イオンビームによって加工された試料断面に電
   子ビームを照射して走査電子顕微鏡像を観察することが
   できるＳＥＭ機能とを備えたＦＩＢ−ＳＥＭ装置におい
   て、比較的大きな電流量のイオンビームを試料に照射し
   て試料をエッチングして加工し、加工後試料を回転と傾
   斜させて加工断面をイオンビームに対面させ、加工断面
   に比較的小さな電流量のイオンビームを照射し、その後
   試料を回転と傾斜させて加工断面の走査電子顕微鏡像を
   観察するようにしたＦＩＢ−ＳＥＭ装置における試料断
   面観察方法。
2. 【請求項２】 試料のエッチング加工後の加工断面上で
   イオンビームを走査し、この走査に基づいて得られた信
   号によりＳＩＭ像を観察するようにした請求項１記載の
   ＦＩＢ−ＳＥＭ装置における試料断面観察方法。
3. 【請求項３】 加工断面に比較的小さな電流量のイオン
   ビームを照射する際、イオンビームを所定領域で走査さ
   せ、この走査を所定領域の上から下、下から上に双方向
   に走査するようにした請求項１記載のＦＩＢ−ＳＥＭ装
   置における試料断面観察方法。
4. 【請求項４】 比較的大きな電流量のイオンビームを試
   料に照射して試料をエッチングして加工し、加工後試料
   を１８０°回転させ、比較的大きな角度傾斜させて加工
   断面をイオンビームに対面させるようにした請求項１記
   載のＦＩＢ−ＳＥＭ装置における試料断面観察方法。
5. 【請求項５】 試料に集束イオンビームを照射する機能
   と、集束イオンビームによって加工された試料断面に電
   子ビームを照射して走査電子顕微鏡像を観察することが
   できるＳＥＭ機能とを備えたＦＩＢ−ＳＥＭ装置におい
   て、集束イオンビームの電流量を比較的大きな電流量と
   比較的小さな電流量に切り換える手段と、試料を回転、
   傾斜させる手段と、比較的大きな電流量のイオンビーム
   を試料に照射して試料をエッチングして加工し、加工後
   試料を回転と傾斜させて加工断面をイオンビームに対面
   させ、加工断面に比較的小さな電流量のイオンビームを
   照射する機能とを有したＦＩＢ−ＳＥＭ装置。
6. 【請求項６】 試料の回転と傾斜によってもイオンビー
   ムと電子ビームの照射領域が変化しない機能を備えた請
   求項５記載のＦＩＢ−ＳＥＭ装置。