JPH11214152A - 有機el素子 - Google Patents

有機el素子

Info

Publication number
JPH11214152A
JPH11214152A JP10306298A JP30629898A JPH11214152A JP H11214152 A JPH11214152 A JP H11214152A JP 10306298 A JP10306298 A JP 10306298A JP 30629898 A JP30629898 A JP 30629898A JP H11214152 A JPH11214152 A JP H11214152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
adhesive
less
substrate
sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10306298A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Yasukawa
浩司 安川
Hiroyuki Endo
広行 遠藤
Hideo Kato
秀雄 加藤
Junichi Shimamura
淳一 島村
Osamu Onizuka
理 鬼塚
Akira Ebisawa
晃 海老沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP10306298A priority Critical patent/JPH11214152A/ja
Publication of JPH11214152A publication Critical patent/JPH11214152A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 経時劣化を極力抑え、初期性能を長期間維持
できる長寿命の有機EL素子を提供する。 【解決手段】 基板と、この基板上に積層された有機E
L構造体と、この有機EL構造体上に所定の空隙を置い
て配置される封止板と、この封止板を基板上に固定する
と共に前記有機EL構造体を密閉する封止用接着剤とを
有し、前記封止用接着剤は、光硬化型の接着剤であっ
て、光硬化後に85℃、60分の加熱条件により発生す
るガスのうち、ベンゼン換算で、プロピレンカーボネー
ト:25μg /g 以下、プロピレングリコール:15μ
g /g 以下、トルエン:20μg /g 以下である有機E
L素子とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用い
た有機EL素子に関し、さらに詳細には、基板上に積層
された有機EL構造体を保護するための封止板を固定す
る接着剤の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、有機EL素子が盛んに研究されて
いる。これは、ホール注入電極上にトリフェニルジアミ
ン(TPD)などのホール輸送材料を蒸着により薄膜と
し、さらにアルミキノリノール錯体(Alq3 )などの
蛍光物質を発光層として積層し、さらにMgなどの仕事
関数の小さな金属電極(電子注入電極)を形成した基本
構成を有する素子で、10V前後の電圧で数100から
数10,000cd/m2ときわめて高い輝度が得られるこ
とで注目されている。
【0003】ところで、有機EL素子は、水分に極めて
弱いという問題がある。たとえば、水分の影響により、
発光層と電極層の間で剥離が生じたり、構成材料が変質
してしまったりして、ダークスポットと称する非発光領
域が生じたり、発光が維持できなっくなってしまうとい
った問題が生じている。
【0004】この問題を解決するための一方法として、
例えば、特開平5−36475号公報、同5−8995
9号公報、同7−169567号公報等に記載されてい
るように、有機EL積層構造体部分を被う気密ケース、
封止層等を基板上に密着固定して外部と遮断する技術が
知られている。
【0005】しかし、このような封止層等を設けたとし
ても、駆動時間の経過に伴い発光輝度が減少したり、ダ
ークスポットが生じたり、これが拡大したりして素子が
劣化し、ついには使用不能になってしまうという問題を
有していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、経時
劣化を極力抑え、初期性能を長期間維持できる長寿命の
有機EL素子を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、有機EL
素子を劣化させる要因について種々検討した結果、その
原因の1つとして、封止用接着剤から生じるガスが有機
EL素子の各構造膜と反応し、これにより素子が劣化す
ることを見出し本発明に想到した。
【0008】すなわち、上記目的は以下の構成により達
成される。 (1) 基板と、この基板上に積層された有機EL構造
体と、この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置
される封止板と、この封止板を基板上に固定すると共に
前記有機EL構造体を密閉する封止用接着剤とを有し、
前記封止用接着剤は、光硬化型の接着剤であって、光硬
化後に85℃、60分の加熱条件により発生するガスの
うち、ベンゼン換算で、 プロピレンカーボネート:25μg /g 以下、 プロピレングリコール:15μg /g 以下、 トルエン:20μg /g 以下 である有機EL素子。 (2) 前記ガスは、ヨードベンゼンを1μg /g 以上
含有する上記(1)の有機EL素子。 (3) 前記接着剤はカチオン重合エポキシUV硬化型
接着剤である上記(1)または(2)の有機EL素子。 (4) 基板と、この基板上に積層された有機EL構造
体と、この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置
される封止板と、この封止板を基板上に固定すると共に
前記有機EL構造体を密閉する封止用接着剤とを有し、
前記封止用接着剤は光硬化型の接着剤であって、光硬化
後に85℃、60分の加熱条件により発生するガスのう
ち、置換されていてもよい低分子の直鎖状脂肪族炭化水
素、置換されていてもよい芳香族炭化水素、置換されて
いてもよい脂環式炭化水素、置換されていてもよい複素
環化合物およびシロキサンの総計が、ベンゼン換算で2
00μg /g 以下であり、前記発生するガスのうち、ベ
ンゼン換算で、プロピレンカーボネート:25μg /g
以下、プロピレングリコール:15μg /g 以下、トル
エン:20μg /g 以下である有機EL素子。 (5) 前記ガスは、ヨードベンゼンを1μg /g 以上
含有する上記(4)の有機EL素子。 (6) 前記接着剤はカチオン重合エポキシUV硬化型
接着剤である上記(4)または(5)の有機EL素子。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の有機EL素子は、基板
と、この基板上に積層された有機EL構造体と、この有
機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置される封止板
と、この封止板を基板上に固定すると共に前記有機EL
構造体を密閉する封止用接着剤とを有し、前記封止用接
着剤は光硬化型の接着剤であって、光硬化後に85℃、
60分の加熱条件により発生するガスのうち、ベンゼン
換算で、プロピレンカーボネート:25μg /g 以下、
プロピレングリコール:15μg /g 以下、トルエン:
20μg /g 以下である。
【0010】また、これに加えて、置換されていてもよ
い低分子の直鎖状脂肪族炭化水素、置換されていてもよ
い芳香族炭化水素、置換されていてもよい脂環式炭化水
素、置換されていてもよい複素環化合物およびシロキサ
ンの総計が、ベンゼン換算で200μg /g 以下である
ことが好ましい。
【0011】このように封止用接着剤から発生するガス
量を所定の値以下に抑えることにより、有機EL構造体
がガスに侵され、劣化することを防止できる。
【0012】封止用接着剤から発生するガスとしては、
硬化前と、硬化後に発生するガスに大別されるが、本発
明では専ら有機EL素子の劣化に寄与する割合の高い、
硬化後に発生するガスについて問題にする。硬化後に発
生するガスとしては、使用する樹脂の種類や触媒の種類
などにより異なり、特に規制されるものではないが、例
えば、プロピレンカーボネート、アセトン、アクロレイ
ン、ジクロロメタン等の低分子の置換基を有していても
よい直鎖状脂肪族炭化水素や、ベンゼン、ヨードベンゼ
ン、ベンズアルデヒド、アセトフェノン、メチルフェニ
ルスルフィド、塩化ベンゾイル等の置換基を有していて
もよい芳香族炭化水素、シクロヘキサノン等の置換基を
有していてもよい脂環式炭化水素、γ−ブチロラクトン
等の置換基を有していてもよい複素環化合物、環状ジメ
チルシロキサン等のシロキサンを挙げることができる。
これらのガスは主に重合反応によって生じ、触媒等に由
来するものと考えられる。
【0013】測定されるガスの量は、試料の単位グラム
当たりの測定量として求められる。この場合、各種ガス
をベンゼン換算で、試料の単位グラム当たりプロピレン
カーボネートが25μg /g 以下、好ましくは10μg
/g 以下、プロピレングリコールが15μg /g 以下、
好ましくは8μg /g 以下、トルエン:20μg /g以
下、好ましくは10μg /g 以下である接着剤を用い
る。これらの下限は、検出限界以下であることが好まし
い。また、好ましくはこれらのガスにはヨードベンゼン
を1μg /g 以上、より好ましくは5〜70μg /g 含
有する接着剤であることが好ましい。プロピレンカーボ
ネート、プロピレングリコールおよびトルエンが上記範
囲を超えると、有機EL素子の各構造膜と反応し、これ
らを浸食したり、その機能を阻害したりして、ダークス
ポットを生じる等、素子を劣化させたり、発光特性を劣
化させたりする。なお、ヨードベンゼンは反応開始剤に
由来するものと考えられる。また、発生する各ガスのう
ち、プロピレンカーボネート、プロピレングリコール、
トルエン、およびヨードベンゼンのベンゼン換算量が上
記範囲であれば上記総量を超えたものであってもよい。
特にヨードベンゼンの発生量を加えることにより上記総
量を超えても問題はない。
【0014】また、さらに好ましくは上記ガス成分のう
ちで、置換されていてもよい低分子の直鎖状脂肪族炭化
水素、置換されていてもよい芳香族炭化水素、置換され
ていてもよい脂環式炭化水素、置換されていてもよい複
素環化合物およびシロキサンの総計が、ベンゼン換算と
した場合好ましくは200μg /g 以下であり、より好
ましくは150μg /g 以下、特に100μg /g 以下
である。その下限としては特に規制されるものではな
く、0μg /g であってもよいが、通常50μg/g 程
度である。ここで、ベンゼン換算量とは、定量分析にお
けるベンゼン換算値、例えば、定量分析において、標準
試料として用いたベンゼンの検量線換算により求められ
る値である。
【0015】発生したガスを定性、定量する方法として
は、特に規制されるものではなく、通常のガスの定性、
定量法を用いればよく、例えばガスクロマトグラフィー
等を挙げることができ、特にヘッドスペース・ガスクロ
マトグラム・質量分析法が好ましい。また、発生するガ
スの加速評価を行うため、本発明では85℃で60分間
保持したときに発生したガスの量を測定する。
【0016】本発明に使用される封止用接着剤として
は、光硬化型の接着剤で、各ガスの発生量が上記範囲内
であれば特に限定されるものではないが、例えば、エス
テルアクリレート,ウレタンアクリレート,エポキシア
クリレート,メラミンアクリレート,アクリル樹脂アク
リレート等の各種アクリレート、ウレタンポリエステル
等の樹脂を用いたラジカル系接着剤や、エポキシ、ビニ
ルエーテル等の樹脂を用いたカチオン系接着剤、チオー
ル・エン付加型樹脂系接着剤等が挙げられ、中でも酸素
による阻害が無く、光照射後も重合反応が進行するカチ
オン系接着剤が好ましい。
【0017】カチオン系接着剤としては、カチオン硬化
タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤が好ましい。
有機EL構造体部分の各有機層構成材料のガラス転移温
度は、通常140℃以下、特に80〜100℃程度であ
る。従って、通常の熱硬化型の接着剤を用いると、その
硬化温度が140〜180℃程度であるため、その硬化
の際に有機EL構造体が軟化してしまい、特性の劣化が
生じてしまうという問題がある。一方、紫外線硬化型接
着剤の場合は、このような有機EL構造体の軟化という
ような問題は生じないが、現在一般に用いられている紫
外線硬化型接着剤はアクリル系であり、その硬化の際に
その成分中のアクリルモノマーが揮発し、それが上記有
機EL構造体の各構成材料に悪影響を及ぼし、その特性
を劣化させるという問題がある。そこで、本発明におい
ては、以上のような問題のない、あるいは極めて少ない
接着剤である、上記のカチオン硬化タイプの紫外線硬化
型エポキシ樹脂接着剤を用いることが好ましい。
【0018】なお、紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤と
して市販されているものの中には、紫外線加熱硬化併用
型のエポキシ樹脂接着剤が含まれる場合があるが、この
場合には、ラジカル硬化タイプのアクリル系樹脂と加熱
硬化タイプのエポキシ樹脂が混合あるいは変性してある
場合が多く、前記のアクリル系樹脂のアクリルモノマー
の揮発の問題や熱硬化型エポキシ樹脂の硬化温度の問題
が解決しておらず、本発明の有機ELディスプレイに用
いる接着剤としては好ましくない。
【0019】カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキ
シ樹脂接着剤とは、主たる硬化剤として紫外線等の光照
射による光分解でルイス酸触媒を放出するルイス酸塩型
硬化剤を含み、光照射により発生されたルイス酸が触媒
となって主成分であるエポキシ樹脂がカチオン重合型の
反応機構により重合し、硬化するタイプの接着剤であ
る。
【0020】上記接着剤の主成分たるエポキシ樹脂とし
ては、エポキシ化オレフィン樹脂、脂環式エポキシ樹
脂、ノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。また、上
記硬化剤としては、芳香族ジアゾニウムのルイス酸塩、
ジアリルヨードニウムのルイス酸塩、トリアリルスルホ
ニウムのルイス酸塩、トリアリルセレニウムのルイス酸
塩等が挙げられる。これらのうちでは、ジアリルヨード
ニウムのルイス酸塩が好ましい。
【0021】接着剤の塗布量としては、積層されている
有機EL構造体の大きさや有機EL素子で構成されるデ
ィスプレイの種類や構造等にもよるが、好ましくは6×
10-2〜2×10-4g/cm2 、特に9×10-3〜2×1
-4g/cm2 程度が好ましい。また、接着剤層の厚みと
しては、通常封止板の配置位置の高さ、すなわち積層さ
れている有機EL構造体の厚みに、所定の空隙を確保で
きる厚みとなり、特に規制されるものではないが、通常
5×105 〜1×103 nm、特に2×104 〜2×10
3 nm程度である。
【0022】次に、本発明に用いられる封止用接着剤の
評価方法についてより具体的に説明する。本発明では、
接着剤から発生するガスが有機EL構造体へ影響を与え
ることを防止するものであり、接着剤の評価方法も、実
際に有機ELディスプレイに使用した場合と同一、ある
いはこれに近い条件で行うことが好ましい。
【0023】従って、例えば、基板と封止板に相当する
ガラス板とを用意し、これの一方に未硬化の接着剤を所
定量塗布し、2つのガラス板をすりあわせながら所定の
圧力で加圧し、ガラス板間に接着剤の薄層を形成する。
このとき、有機EL構造体の厚み、および所定の空隙を
確保するように所定の大きさのスペーサーを介在させ
る。その後、メタルハライドランプ等の硬化用ランプを
用いて、接着剤を硬化させる。硬化後、ガラス板同士を
剥離して、接着剤を露呈させ、ガラス基板上の接着剤を
所定量取りだし、これを正確に秤量した後、分析用バイ
アル瓶等に入れて測定用試料とし、これから発生するガ
スを分析すればよい。
【0024】次に、図を参照しつつ本発明の有機EL素
子について説明する。
【0025】図1は、本発明の有機EL素子の一構成例
を示した概略断面図である。図において、本発明の有機
EL素子は、基板上1に有機EL構造体2と、この有機
EL構造体2の上に所定の空隙を有するように配置され
る封止板3と、この封止板3の接続部に配置され、封止
板3を基板1から所定の距離に維持する粒状、またはフ
ァイバー状のスペーサ4と、封止板を固定し、有機EL
構造体を密閉するための封止用接着剤5を有する。図示
例のように有機EL素子構造体の上端から封止板の下端
面までの距離は、有機EL構造体の高さcに、所定の空
隙aをおいた距離となる。
【0026】次に本発明の有機EL素子を構成する有機
EL構造体について説明する。本発明の有機EL構造体
は、基板上にホール注入電極と、電子注入電極と、これ
らの電極間に設けられた1種以上の有機層とを有する。
有機層は、それぞれ少なくとも1層のホール輸送層およ
び発光層を有し、その上に電子注入電極を有し、さらに
最上層として保護電極を設けてもよい。なお、ホール輸
送層は省略可能である。そして、電子注入電極は、蒸
着、スパッタ法等、好ましくはスパッタ法で成膜される
仕事関数の小さい金属、化合物または合金で構成され
る。
【0027】ホール注入電極としては、通常、基板側か
ら発光した光を取り出す構造であるため、透明な電極が
好ましく、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO
(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO、SnO2 、I
23 等が挙げられるが、好ましくはITO(錫ドー
プ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウ
ム)が好ましい。In2 3 に対しSnO2 の混合比
は、1〜20wt%が好ましく、さらには5〜12wt%が
好ましい。In2 3 に対しZnOの混合比は、1〜2
0wt%が好ましく、さらには5〜12wt%、あるいは特
に12〜32wt%が好ましい。その他にSn、Ti、P
b等が酸化物の形で、酸化物換算にして1wt%以下含ま
れていてもよい。
【0028】ホール注入電極は蒸着法等によっても形成
できるが、好ましくはスパッタ法により形成することが
好ましい。ITO、IZO電極の形成にスパッタ法を用
いる場合、好ましくはIn2 3 にSnO2 やZnOを
ドープしたターゲットを用いる。スパッタ法によりIT
O透明電極を成膜した場合、蒸着により成膜したものよ
り発光輝度の経時変化が少ない。スパッタ法としてはD
Cスパッタが好ましく、その投入電力としては、好まし
くは0.1〜10W/cm2、特に0.2〜5W/cm2の範
囲である。また、成膜レートは2〜100nm/min 、特
に5〜50nm/min の範囲が好ましい。
【0029】スパッタガスとしては特に限定するもので
はなく、Ar、He、Ne、Kr、Xe等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このよ
うなスパッタガスのスパッタ時における圧力としては、
通常0.1〜20Pa程度でよい。
【0030】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、通常5〜50
0nm、特に10〜300nmの範囲が好ましい。
【0031】成膜される電子注入電極の構成材料として
は、電子注入を効果的に行う低仕事関数の物質が好まし
く、例えば、K、Li、Na、Mg、La、Ce、C
a、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn、Z
r、Cs、Er、Eu、Ga、Hf、Nd、Rb、S
c、Sm、Ta、Y、Yb等の金属元素単体、あるい
は、BaO、BaS、CaO、HfC、LaB6、Mg
O、MoC、NbC、PbS、SrO、TaC、Th
C、ThO2、ThS、TiC、TiN、UC、UN、
UO2、W2C、Y23、ZrC、ZrN、ZrO2等の
化合物を用いると良い。または安定性を向上させるため
には、金属元素を含む2成分、3成分の合金系を用いる
ことが好ましい。合金系としては、例えばAgMg(A
g:1〜20at%)、Al・Ca(Ca:0.01〜2
0at%、特に5〜20at%)、Al・In(In:1〜
10at%)、Al・Li(Li:0.1〜20at%未
満、特に0.3〜14at%)、Al・R〔RはY,Sc
を含む希土類元素を表す〕等のアルミニウム系合金やI
n・Mg(Mg:50〜80at%)等が好ましい。これ
らの中でも、特にAl単体やAl・Li(Li:0.4
〜6.5(ただし6.5を含まず)at%)または(L
i:6.5〜14at%)または(Li:0.01〜12
at%)、Al・R(R:0.1〜25、特に0.5〜2
0at%)等のアルミニウム系合金が圧縮応力が発生しに
くく好ましい。したがって、スパッタターゲットとして
は、通常このような電子注入電極構成金属、合金を用い
る。これらの仕事関数は4.5eV以下であり、特に仕
事関数が4.0eV以下の金属、合金が好ましい。
【0032】電子注入電極の成膜にスパッタ法を用いる
ことにより、成膜された電子注入電極膜は、蒸着の場合
と比較して、スパッタされる原子や原子団が比較的高い
運動エネルギーを有するため、表面マイグレーション効
果が働き、有機層界面での密着性が向上する。また、プ
レスパッタを行うことで、真空中で表面酸化物層を除去
したり、逆スパッタにより有機層界面に吸着した水分や
酸素を除去できるので、クリーンな電極−有機層界面や
電極を形成でき、その結果、高品位で安定した有機EL
ディスプレイができる。ターゲットとしては前記組成範
囲の合金や、金属単独でも良く、これらに加えて添加成
分のターゲットを用いても良い。さらに、蒸気圧の大き
く異なる材料の混合物をターゲットとして用いても、生
成する膜とターゲットとの組成のズレは少なく、蒸着法
のように蒸気圧等による使用材料の制限もない。また、
蒸着法に比較して材料を長時間供給する必要がなく、膜
厚や膜質の均一性に優れ、生産性の点で有利である。
【0033】スパッタ法により形成された電子注入電極
は緻密な膜なので、粗な蒸着膜に比較して膜中への水分
の進入が非常に少なく、化学的安定性が高く、長寿命の
有機EL素子が得られる。
【0034】スパッタ時のスパッタガスの圧力は、好ま
しくは0.1〜5Paの範囲が好ましく、この範囲でスパ
ッタガスの圧力を調節することにより、前記範囲のLi
濃度のAlLi合金を容易に得ることができる。また、
成膜中にスパッタガスの圧力を、前記範囲内で変化させ
ることにより、上記Li濃度勾配を有する電子注入電極
を容易に得ることができる。
【0035】スパッタガスは、通常のスパッタ装置に使
用される不活性ガスや、反応性スパッタではこれに加え
てN2、H2、O2、C24、NH3等の反応性ガスが使用
可能である。
【0036】スパッタ法としてはRF電源を用いた高周
波スパッタ法等も可能であるが、成膜レートの制御が容
易であり、有機EL構造体へのダメージを少なくするた
めにはDCスパッタ法を用いることが好ましい。DCス
パッタ装置の電力としては、好ましくは0.1〜10W
/cm2、特に0.5〜7W/cm2の範囲である。また、成
膜レートは5〜100nm/min 、特に10〜50nm/mi
n の範囲が好ましい。
【0037】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、1nm以上、好ま
しくは3nm以上とすればよい。また、その上限値には特
に制限はないが、通常膜厚は3〜500nm程度とすれば
よい。
【0038】本発明の有機EL素子(ディスプレイ)
は、電子注入電極の上、つまり有機層と反対側には保護
電極を設けてもよい。保護電極を設けることにより、電
子注入電極が外気や水分等から保護され、構成薄膜の劣
化が防止され、電子注入効率が安定し、素子寿命が飛躍
的に向上する。また、この保護電極は、非常に低抵抗で
あり、電子注入電極の抵抗が高い場合には配線電極とし
ての機能も有する。この保護電極は、Al、Alおよび
遷移金属(ただしTiを除く)、Tiまたは窒化チタン
(TiN)のいずれか1種または2種以上を含有し、こ
れらを単独で用いた場合、それぞれ保護電極中に少なく
とも、Al:90〜100at%、Ti:90〜100at
%、TiN:90〜100 mol%程度含有されているこ
とが好ましい。また、2種以上用いるときの混合比は任
意であるが、AlとTiの混合では、Tiの含有量は1
0at%以下が好ましい。また、これらを単独で含有する
層を積層してもよい。特にAl、Alおよび遷移金属
は、後述の配線電極として用いた場合、良好な効果が得
られ、TiNは耐腐食性が高く、封止膜としての効果が
大きい。TiNは、その化学量論組成から10%程度偏
倚していてもよい。さらに、Alおよび遷移金属の合金
は、遷移金属、特にSc,Nb,Zr,Hf,Nd,T
a,Cu,Si,Cr,Mo,Mn,Ni,Pd,Pt
およびW等を、好ましくはこれらの総計が10at%以
下、特に5at%以下、特に2at%以下含有していてもよ
い。遷移金属の含有量は少ないほど、配線材として機能
させた場合の薄膜抵抗は下げられる。
【0039】保護電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは50nm以
上、さらに100nm以上、特に100〜1000nmの範
囲が好ましい。保護電極層が薄すぎると、本発明の効果
が得られず、また、保護電極層の段差被覆性が低くなっ
てしまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一
方、保護電極層が厚すぎると、保護電極層の応力が大き
くなるため、ダークスポットの成長速度が高くなってし
まう。なお、配線電極として機能させる場合の厚さは、
電子注入電極の膜厚が薄いために膜抵抗が高く、これを
補う場合には、通常100〜500nm 程度、その他の
配線電極として機能される場合には100〜300nm程
度である。
【0040】電子注入電極と保護電極とを併せた全体の
厚さとしては、特に制限はないが、通常100〜100
0nm程度とすればよい。
【0041】電極成膜後に、前記保護電極に加えて、S
iOX 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素
重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよ
い。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の
厚さは50〜1200nm程度とする。保護膜は前記した
反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着
法、PECVD法等により形成すればよい。
【0042】そして、有機EL構造体の有機層や電極の
酸化を防ぐために有機EL構造体上に封止板を配置す
る。封止板は、湿気等の侵入を防ぐために前記の封止用
接着材を用いて、ガラス板等の封止板を接着し密封す
る。ガラス板以外にも金属板、プラスチック板等を用い
ることもできる。
【0043】また、有機EL構造体の厚みと、所定の空
隙を確保できるように、接着剤により封止板を固定する
際に所定の大きさのスペーサを用いてもよい。このよう
なスペーサーとしては、上記のような接着剤の膜厚に対
応したものであればよく、その大きさとしては、好まし
くは円換算の直径が、1000〜20000nm、特に1
500〜8000nm程度のものが好ましい。また、その
材質としては、好ましくはガラス、ジビニルベンゼン系
等の樹脂等を挙げることができる。粒状またはファイバ
ー状のスペーサーは、接着剤の層中に、0.01〜30
wt%、好ましくは0.1〜5wt%程度含有される。
【0044】接着剤により密閉される有機EL素子(デ
ィスプレイ)内部には、好ましくは、He、N2 、Ar
等の不活性ガスが充填される。また、この気密空間内の
不活性ガスの水分含有量は、100ppm 以下、好ましく
は10ppm 以下、特に好ましくは、1ppm 以下であるこ
とが望ましい。この水分含有量に特に下限値はないが、
通常0.1ppm 程度である。
【0045】次に、本発明のEL素子(ディスプレイ)
に設けられる有機物層について述べる。発光層は、ホー
ル(正孔)および電子の注入機能、それらの輸送機能、
ホールと電子の再結合により励起子を生成させる機能を
有する。発光層には比較的電子的にニュートラルな化合
物を用いることが好ましい。
【0046】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有し、電子注入輸送
層は、電子注入電極からの電子の注入を容易にする機
能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げる機
能を有するものであり、これらの層は、発光層に注入さ
れるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領域を
最適化させ、発光効率を改善する。
【0047】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法
によっても異なるが、通常、5〜500nm程度、特に1
0〜300nmとすることが好ましい。
【0048】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度もしくは1/10〜10倍程度とすれ
ばよい。ホールもしくは電子の、各々の注入層と輸送層
を分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上
とするのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さ
の上限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で50
0nm程度である。このような膜厚については注入輸送層
を2層設けるときも同じである。
【0049】本発明の有機EL素子(ディスプレイ)の
発光層には発光機能を有する化合物である蛍光性物質を
含有させる。このような蛍光性物質としては、例えば、
特開昭63−264692号公報に開示されているよう
な化合物、例えばキナクリドン、ルブレン、スチリル系
色素等の化合物から選択される少なくとも1種が挙げら
れる。また、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム
等の8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする
金属錯体色素などのキノリン誘導体、テトラフェニルブ
タジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−
フタロペリノン誘導体等が挙げられる。さらには、特開
平8−12600号公報(特願平6−110569号)
に記載のフェニルアントラセン誘導体、特開平8−12
969号公報(特願平6−114456号)に記載のテ
トラアリールエテン誘導体等を用いることができる。
【0050】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は0.01〜10wt% 、さらには0.
1〜5wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合
わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特
性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可
能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。
【0051】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
【0052】具体的には、まず、トリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]、等がある。
【0053】また、8−キノリノールないしその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノ
ラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメ
チルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナ
フトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチ
ル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キ
ノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリ
ノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等が
ある。
【0054】このほか、ビス(2−メチル−8−キノリ
ノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル−
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノ
リノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル−
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であっても
よい。
【0055】このほかのホスト物質としては、特開平8
−12600号公報(特願平6−110569号)に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−1296
9号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。
【0056】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。
【0057】また、必要に応じて発光層は、少なくとも
一種以上のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種以
上の電子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ま
しく、この混合層中にドーパントを含有させることが好
ましい。このような混合層における化合物の含有量は、
0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% とする
ことが好ましい。
【0058】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に優勢な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こり難くなり、有
機化合物がダメージを受け難くなり、素子寿命がのびる
という利点があるが、前述のドーパントをこのような混
合層に含有させることにより、混合層自体のもつ発光波
長特性を変化させることができ、発光波長を長波長に移
行させることができるとともに、発光強度を高め、かつ
素子の安定性を向上させることができる。
【0059】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
【0060】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3 )を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
【0061】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。
【0062】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度を考慮する事で決定するが、一般
的には、ホール注入輸送性化合物の化合物/電子注入輸
送機能を有する化合物の重量比が、1/99〜99/
1、さらには10/90〜90/10、特には20/8
0〜80/20程度となるようにすることが好ましい。
【0063】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚みから、有機化合物層の膜厚未満とすることが好
ましく、具体的には1〜85nmとすることが好ましく、
さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすることが好
ましい。
【0064】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散させて
コーティングすることにより、発光層を所定の厚さに形
成する。
【0065】また、ホール注入輸送層には、例えば、特
開昭63−295695号公報、特開平2−19169
4号公報、特開平3−792号公報、特開平5−234
681号公報、特開平5−239455号公報、特開平
5−299174号公報、特開平7−126225号公
報、特開平7−126226号公報、特開平8−100
172号公報、EP0650955A1等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物(トリアリールジアミン
ないしトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級ア
ミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有する
オキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。こ
れらの化合物は2種以上を併用してもよく、併用すると
きは別層にして積層したり、混合したりすればよい。
【0066】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極(ITO等)側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の層の順に積
層することが好ましい。またホール注入電極表面には薄
膜性の良好な化合物を用いることが好ましい。このよう
な積層順については、ホール注入輸送層を2層以上設け
るときも同様である。このような積層順とすることによ
って、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークス
ポットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化
する場合、蒸着を用いているので1〜10nm程度の薄い
膜も、均一かつピンホールフリーとすることができるた
め、ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可
視部に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色
調変化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。
ホール注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を
蒸着することにより形成することができる。
【0067】また、必要に応じて設けられる電子注入輸
送層には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム
(Alq3 )等の8−キノリノールなしいその誘導体を
配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導
体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニ
ルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用い
ることができる。電子注入輸送層は発光層を兼ねたもの
であってもよく、このような場合はトリス(8−キノリ
ノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。電
子注入輸送層の形成は発光層と同様に蒸着等によればよ
い。
【0068】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については電子注入輸送層を2層以上設ける
ときも同様である。
【0069】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。
【0070】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機ELの発光する光に合わせてカラーフィルターの特
性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すればよ
い。
【0071】また、EL素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。
【0072】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。
【0073】蛍光変換フィルター膜は、EL発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。
【0074】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、EL発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物(サブフタロ等も含
む)ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素系化合物
・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・クマリン系
化合物等を用いればよい。
【0075】バインダーは基本的に蛍光を消光しないよ
うな材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷等
で微細なパターニングが出来るようなものが好ましい。
また、ITO、IZOの成膜時にダメージを受けないよ
うな材料が好ましい。
【0076】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要の無い場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。
【0077】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真
空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用いた
場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.2、好ま
しくは0.1μm 以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒
径が0.2μm を超えていると、不均一な発光となり、
素子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、電荷の
注入効率も著しく低下する。
【0078】真空蒸着の条件は特に限定されないが、1
-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの成長・発生を抑えたりするこ
とができる。
【0079】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
【0080】本発明の有機ELディスプレイは、通常、
直流駆動型のEL素子として用いられるが、交流駆動ま
たはパルス駆動とすることもできる。印加電圧は、通
常、2〜30V 、特に2〜20V 程度とされる。
【0081】実施例 次に実験例、実施例を示し、本発明をより具体的に説明
する。 <実験例1>コーニング社製7059ガラス基板上に、
紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤として市販されている
スリーボンド製の30Y296Dを用い、これを未硬化
の状態で100mg塗布した。さらに封止板として、別の
コーニング社製7059ガラスを重ねて、基板同士を摺
り合わせながら3kg/cm2 の圧力で加圧し、ガラス基板
と封止板間に接着剤の薄層を形成した。このとき、接着
剤中には7μm のスペーサを1wt%分散させ、接着剤の
膜厚が7μm となるようにした。次いで、ガラス基板越
しに接着剤面に対して、メタルハライドランプを用い積
算光量が6000mJとなるようにUV光を照射し、接着
剤を硬化させた。硬化後、ガラス基板から封止板を剥離
して接着面を露呈させ、これから50mg程度を目安にし
て接着剤をかき取った。採取した試料を正確に秤量した
後、分析用バイアル瓶中に入れこれをヘッドスペースと
して恒温槽中に配置すると共に、試料ガスをガスクロマ
トグラフへ導入するためのチューブを瓶の口に接続し
た。
【0082】試料をヘッドスペース・ガスクロマトグラ
フ・質量分析法(HS−GC−MS法)にて分析した。
分析装置にはヒュ−レット・パッカード社製5970B
を用いた。測定条件としては、ヘッドスペースの恒温槽
を85℃で60分間保持し、発生したガスを分析した。
このとき、バイアル瓶からガスクロマトグラフの試料導
入口に至るループ温度を150℃とした。ガスクロマト
グラフのカラムにはHP−WAX:0.2mm×25m を
用い、カラムの温度を40〜230℃(10℃/分)と
なるようにした。キャリアーガスにはヘリウムガス:1
3psi (0.5ml/min )を用い、試料導入部のインジ
ェクション温度を250℃、試料のスプリットレシオ:
50として2%導入するようにした。また、質量分析の
条件として、マスモニタ:M/Z=35〜550とし、
ディテクタの温度を280℃とした。
【0083】TICの保持時間とマススペクトルから定
性分析を行い、標準試料であるベンゼンの検量線換算か
ら定量分析を行った。得られた結果を表1に示す。
【0084】
【表1】
【0085】表1から明らかなように、本発明の接着剤
サンプルは、UV硬化後におけるガス発生量がベンゼン
換算で総計118μg /g と少ない値になっている。
【0086】<実験例2>実験例1において、比較サン
プル用接着剤として、反応開始剤をメタロセン系化合物
とした接着剤を用意し、その他は実験例1と同様にして
試料を分析した。その結果、比較接着剤サンプルは、U
V硬化後におけるガス発生量がベンゼン換算で総計21
7μg /g と極めて多い値になった。
【0087】<実施例1>実験例1で用いた本発明のサ
ンプルを用いて有機EL素子を作製した。
【0088】ガラス基板上に、ITO透明電極(ホール
注入電極)を膜厚85nmで64ドット×7ラインの画素
(一画素当たり280×280μm )を構成するよう成
膜、パターニングした。次いで、パターニングされたホ
ール注入電極が形成された基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥した。次いで、表面をUV/O3
洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、
槽内を1×10-4Pa以下まで減圧した。4,4’,4”
−トリス(−N−(3−メチルフェニル)−N−フェニ
ルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)を
蒸着速度0.2nm/sec.で40nmの厚さに蒸着し、ホー
ル注入層とし、次いで減圧状態を保ったまま、N,N’
−ジフェニル−N,N’−m−トリル−4,4’−ジア
ミノ−1,1’−ビフェニル(以下、TPD)を蒸着速
度0.2nm/sec.で35nmの厚さに蒸着し、ホール輸送
層とした。さらに、減圧を保ったまま、トリス(8−キ
ノリノラト)アルミニウム(以下、Alq3 )を蒸着速
度0.2nm/sec.で50nmの厚さに蒸着して、電子注入
輸送・発光層とした。次いで減圧を保ったまま、MgA
gを共蒸着(2元蒸着)で蒸着速度比Mg:Ag=1:
10にて200nmの厚さに成膜し、電子注入電極とし
た。さらに、減圧を保ったまま、このEL素子基板をス
パッタ装置に移し、Alターゲットを用いたDCスパッ
タ法により、スパッタ圧力0.3PaにてAl保護電極を
200nmの厚さに成膜した。この時スパッタガスにはA
rを用い、投入電力は500W、ターゲットの大きさは
4インチ径、基板とターゲットの距離は90mmとした。
最後に、本発明の接着剤と直径7μm のスペーサーを用
いて、実験例で用いたガラス材を封止板として接着し、
密封した。
【0089】得られた有機EL素子に、大気雰囲気中で
直流電圧を印加し、10mA/cm2 の定電流密度で駆動
し、初期状態ではダークスポットの発生が認められない
ことを確認した。次いで、温度60℃、湿度95%の加
速条件下で100時間、および500時間保存した後、
同一条件で駆動させ、ダークスポットの発生について評
価した。
【0090】本発明のサンプルは100時間保存後で
は、64×7=448画素中、直径50μm 以下のダー
クスポットは発見されず、500時間保存後に直径10
0μm以下のダークスポットが1〜5個確認された。
【0091】<比較例1>実施例1において、接着剤を
実験例2で用いた比較用サンプルとした他は実施例1と
同様にして有機EL素子を得た。得られた有機EL素子
について実施例1と同様にして評価したところ、100
時間保存後では、直径50μm 以下のダークスポットは
発見されず、500時間保存後に直径100μm 以下の
ダークスポットが10〜15個確認された。
【0092】<実施例2>実験例1と同様にして紫外線
硬化型エポキシ樹脂接着剤として市販されている各サン
プル1〜5を評価し、定量分析を行った。得られた結果
を表2に示す。
【0093】
【表2】
【0094】表2から明らかなように、本発明の接着剤
サンプルは、UV硬化後におけるガス発生量がベンゼン
換算で、プロピレンカーボネート:30μg /g 以下、
プロピレングリコール:20μg /g 以下、トルエン:
20μg /g 以下になっている。
【0095】ガラス基板上に、ITO透明電極(ホール
注入電極)を膜厚85nmで64ドット×7ラインの画素
(一画素当たり280×280μm )を構成するよう成
膜、パターニングした。次いで、パターニングされたホ
ール注入電極が形成された基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥した。次いで、表面をUV/O3
洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、
槽内を1×10-4Pa以下まで減圧した。4,4’,4”
−トリス(−N−(3−メチルフェニル)−N−フェニ
ルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)を
蒸着速度0.2nm/sec.で40nmの厚さに蒸着し、ホー
ル注入層とし、次いで減圧状態を保ったまま、N,N’
−ジフェニル−N,N’−m−トリル−4,4’−ジア
ミノ−1,1’−ビフェニル(以下、TPD)を蒸着速
度0.2nm/sec.で35nmの厚さに蒸着し、ホール輸送
層とした。さらに、減圧を保ったまま、トリス(8−キ
ノリノラト)アルミニウム(以下、Alq3 )を蒸着速
度0.2nm/sec.で50nmの厚さに蒸着して、電子注入
輸送・発光層とした。次いで減圧を保ったまま、MgA
gを共蒸着(2元蒸着)で蒸着速度比Mg:Ag=1:
10にて200nmの厚さに成膜し、電子注入電極とし
た。さらに、減圧を保ったまま、このEL素子基板をス
パッタ装置に移し、Alターゲットを用いたDCスパッ
タ法により、スパッタ圧力0.3PaにてAl保護電極を
200nmの厚さに成膜した。この時スパッタガスにはA
rを用い、投入電力は500W、ターゲットの大きさは
4インチ径、基板とターゲットの距離は90mmとした。
最後に、上記各サンプル1〜5の接着剤と直径7μm の
スペーサーを用いて、上記と同様なガラス材を封止板と
して接着し、密封した。
【0096】得られた有機ELディスプレイに、大気雰
囲気中で直流電圧を印加し、10mA/cm2 の定電流密度
で駆動し、初期状態で、85℃1時間の加熱処理を行っ
たものと、加熱処理を行わないサンプルのダークスポッ
トの発生およびその大きさについて評価した。次いで、
温度60℃、湿度95%の加速条件下で300時間保存
した後、同一条件で駆動させ、85℃1時間の加熱処理
を行ったものと、加熱処理を行わないサンプルのダーク
スポットの発生およびその大きさについて評価した。結
果を表2に示す。なお、ダークスポットは、1素子当り
4つの発光面について、最大の径のものを選び出し、こ
れをさらに4素子についての平均にした値で評価した。
【0097】
【表3】
【0098】表3から明らかなように、本発明のサンプ
ルは、初期状態でダークスポットの発生が無く、保存試
験後も熱処理をしない場合には発生したダークスポット
の径が小さく、許容範囲内であることがわかる。なお、
ダークスポットの径が100μm 以下は許容範囲内であ
る。
【0099】熱処理を行ったサンプルについては、保存
試験後のダークスポットの径が大きくなっているが、初
期輝度は向上し、輝度の半減期も伸びていることが確認
された。このことから、総合的な特性を考慮して熱処理
を行うか否かを決めることが望ましい。
【0100】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、経時劣化
を極力抑え、初期性能を長期間維持できる長寿命の有機
EL素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機EL素子の具体的な構成例を示し
た概略断面図である。
【符号の説明】
1 基板 2 有機EL構造体 3 封止板 4 スペーサ 5 封止用接着剤
フロントページの続き (72)発明者 島村 淳一 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 鬼塚 理 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 海老沢 晃 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、この基板上に積層された有機E
    L構造体と、 この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置される
    封止板と、 この封止板を基板上に固定すると共に前記有機EL構造
    体を密閉する封止用接着剤とを有し、 前記封止用接着剤は、光硬化型の接着剤であって、光硬
    化後に85℃、60分の加熱条件により発生するガスの
    うち、ベンゼン換算で、 プロピレンカーボネート:25μg /g 以下、 プロピレングリコール:15μg /g 以下、 トルエン:20μg /g 以下 である有機EL素子。
  2. 【請求項2】 前記ガスは、ヨードベンゼンを1μg /
    g 以上含有する請求項1の有機EL素子。
  3. 【請求項3】 前記接着剤はカチオン重合エポキシUV
    硬化型接着剤である請求項1または2の有機EL素子。
  4. 【請求項4】 基板と、この基板上に積層された有機E
    L構造体と、 この有機EL構造体上に所定の空隙を置いて配置される
    封止板と、 この封止板を基板上に固定すると共に前記有機EL構造
    体を密閉する封止用接着剤とを有し、 前記封止用接着剤は光硬化型の接着剤であって、光硬化
    後に85℃、60分の加熱条件により発生するガスのう
    ち、 置換されていてもよい低分子の直鎖状脂肪族炭化水素、
    置換されていてもよい芳香族炭化水素、置換されていて
    もよい脂環式炭化水素、置換されていてもよい複素環化
    合物およびシロキサンの総計が、 ベンゼン換算で200μg /g 以下であり、前記発生す
    るガスのうち、ベンゼン換算で、 プロピレンカーボネート:25μg /g 以下、 プロピレングリコール:15μg /g 以下、 トルエン:20μg /g 以下 である有機EL素子。
  5. 【請求項5】 前記ガスは、ヨードベンゼンを1μg /
    g 以上含有する請求項4の有機EL素子。
  6. 【請求項6】 前記接着剤はカチオン重合エポキシUV
    硬化型接着剤である請求項4または5の有機EL素子。
JP10306298A 1997-10-27 1998-10-13 有機el素子 Pending JPH11214152A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10306298A JPH11214152A (ja) 1997-10-27 1998-10-13 有機el素子

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9-311455 1997-10-27
JP31145597 1997-10-27
JP10306298A JPH11214152A (ja) 1997-10-27 1998-10-13 有機el素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11214152A true JPH11214152A (ja) 1999-08-06

Family

ID=26564658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10306298A Pending JPH11214152A (ja) 1997-10-27 1998-10-13 有機el素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11214152A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196164A (ja) * 1999-10-29 2001-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 自発光装置
JP2001210466A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Toyota Motor Corp 有機el素子及びその製造方法並びに有機el素子の駆動方法及び駆動回路
JP2001210465A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Tohoku Pioneer Corp 表示パネル装置とその製造方法
JP2002151253A (ja) * 2000-08-18 2002-05-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び表示装置
US6803126B2 (en) 2002-03-15 2004-10-12 Fujitsu Limited Organic EL element and organic EL display
US6847660B2 (en) 2000-12-28 2005-01-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Short-wavelength laser module and method of producing the same
JP2010250943A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Rohm Co Ltd 有機el装置
JP2011222529A (ja) * 1999-10-29 2011-11-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 自発光装置
US8957584B2 (en) 1999-10-29 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light-emitting device
JP2017188354A (ja) * 2016-04-07 2017-10-12 株式会社小糸製作所 車両用灯具、及び有機el素子の検査方法

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222529A (ja) * 1999-10-29 2011-11-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 自発光装置
US9299955B2 (en) 1999-10-29 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light-emitting device
US8957584B2 (en) 1999-10-29 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light-emitting device
JP2001196164A (ja) * 1999-10-29 2001-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 自発光装置
US8110983B2 (en) 1999-10-29 2012-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light emitting device
JP2001210466A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Toyota Motor Corp 有機el素子及びその製造方法並びに有機el素子の駆動方法及び駆動回路
JP2001210465A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Tohoku Pioneer Corp 表示パネル装置とその製造方法
US8735899B2 (en) 2000-08-18 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US8106407B2 (en) 2000-08-18 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US8497516B2 (en) 2000-08-18 2013-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US9263697B2 (en) 2000-08-18 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP2002151253A (ja) * 2000-08-18 2002-05-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び表示装置
US9768239B2 (en) 2000-08-18 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US10236331B2 (en) 2000-08-18 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US7427522B2 (en) 2000-12-28 2008-09-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Short-wavelength laser module and method of producing the same
US6847660B2 (en) 2000-12-28 2005-01-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Short-wavelength laser module and method of producing the same
US6803126B2 (en) 2002-03-15 2004-10-12 Fujitsu Limited Organic EL element and organic EL display
JP2010250943A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Rohm Co Ltd 有機el装置
JP2017188354A (ja) * 2016-04-07 2017-10-12 株式会社小糸製作所 車両用灯具、及び有機el素子の検査方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6268071B1 (en) Organic electroluminescent device
US6259204B1 (en) Organic electroluminescent device
CN103022364B (zh) 电致发光元件以及采用它的发光器件
JP2000003783A (ja) 有機el表示装置
JPH11195487A (ja) 有機el素子
EP1021070A1 (en) Organic electroluminescent device
JPH1187068A (ja) 有機el素子およびその製造方法
EP1079666A2 (en) Organic EL device
JPH1145779A (ja) 有機el素子の製造方法および装置
JP4246830B2 (ja) 有機el素子
JP3411864B2 (ja) 有機el表示装置
JPH11185956A (ja) 有機el素子の製造方法および有機el素子
US6163110A (en) Organic electroluminescent device having a particular substrate
JP2000113976A (ja) 有機el素子
JPH11214152A (ja) 有機el素子
JPH11121170A (ja) 有機el素子およびその製造方法
JPH08222373A (ja) 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH0714675A (ja) 有機薄膜el素子
JPH0696858A (ja) 有機薄膜el素子
JPH11176571A (ja) 有機el素子の製造方法
JP2000195660A (ja) 有機el素子
JPH11195484A (ja) 有機el素子
JP3288276B2 (ja) 有機el素子
JP2000277254A (ja) 有機el素子
JPH1140352A (ja) 有機el素子およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20040601

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061003

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081007

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090310