JPH1121423A - エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置Info
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- JPH1121423A JPH1121423A JP17716797A JP17716797A JPH1121423A JP H1121423 A JPH1121423 A JP H1121423A JP 17716797 A JP17716797 A JP 17716797A JP 17716797 A JP17716797 A JP 17716797A JP H1121423 A JPH1121423 A JP H1121423A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温保管性に優れた半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を提供すること。 【解決手段】 結晶性エポキシ化合物、フェノール樹脂
硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、及びモリブデン酸亜
鉛を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
脂組成物を提供すること。 【解決手段】 結晶性エポキシ化合物、フェノール樹脂
硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、及びモリブデン酸亜
鉛を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハロゲン化合物、
アンチモン化合物を含まず、高温保管性に優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置
に関するものである。
アンチモン化合物を含まず、高温保管性に優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物で封止さ
れている。このエポキシ樹脂組成物（以下、樹脂組成物
という）中には、難燃剤としてハロゲン系難燃剤、或い
はハロゲン系難燃剤と三酸化アンチモンを併用し配合さ
れており、高温においてハロゲンガス或いはハロゲン化
アンチモンガスを発生させ難燃化を図っている。しか
し、これらの方法では、ハロゲン化合物或いはハロゲン
化合物とアンチモン化合物の併用系を使用するため、電
子部品が高温にさらされている間に、ハロゲンガス或い
はハロゲン化アンチモンガスによるアルミニウム配線の
腐食や、チップのアルミパッドと金線の結合部の切断等
の不良を招き、大きな問題となっている。この様な問題
に対して、使用環境より高いガラス転移温度を有するエ
ポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の組み合わせの樹脂
組成物等を使用し、高温保管中のハロゲンガスやハロゲ
ン化アンチモンガスの拡散を低減させて高温保管性を改
善する方法、イオン捕捉剤を添加し、高温保管中のハロ
ゲンガスやハロゲン化アンチモンガスを捕捉する方法、
更にこれら２種を組み合わせた方法が使われている。と
ころが、近年、電子部品の表面実装化、小型化、薄型化
が進み、回路基板への実装時の耐半田性向上の要求が厳
しくなってきており、耐半田クラック性と高温保管性の
両方を満足するものが望まれている。しかしながら、ハ
ロゲン化合物又はハロゲン化合物とアンチモン化合物を
併用した難燃剤系を配合した耐半田クラック性に優れた
樹脂組成物でも、ガラス転移温度が低いと、イオン捕捉
剤を添加しても高温保管性が不十分で、一方、ガラス転
移温度が高い樹脂組成物では、耐半田クラック性が不十
分である。そのため、ガラス転移温度が低くても、高温
保管性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供できるまでに
至っていない。
回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物で封止さ
れている。このエポキシ樹脂組成物（以下、樹脂組成物
という）中には、難燃剤としてハロゲン系難燃剤、或い
はハロゲン系難燃剤と三酸化アンチモンを併用し配合さ
れており、高温においてハロゲンガス或いはハロゲン化
アンチモンガスを発生させ難燃化を図っている。しか
し、これらの方法では、ハロゲン化合物或いはハロゲン
化合物とアンチモン化合物の併用系を使用するため、電
子部品が高温にさらされている間に、ハロゲンガス或い
はハロゲン化アンチモンガスによるアルミニウム配線の
腐食や、チップのアルミパッドと金線の結合部の切断等
の不良を招き、大きな問題となっている。この様な問題
に対して、使用環境より高いガラス転移温度を有するエ
ポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の組み合わせの樹脂
組成物等を使用し、高温保管中のハロゲンガスやハロゲ
ン化アンチモンガスの拡散を低減させて高温保管性を改
善する方法、イオン捕捉剤を添加し、高温保管中のハロ
ゲンガスやハロゲン化アンチモンガスを捕捉する方法、
更にこれら２種を組み合わせた方法が使われている。と
ころが、近年、電子部品の表面実装化、小型化、薄型化
が進み、回路基板への実装時の耐半田性向上の要求が厳
しくなってきており、耐半田クラック性と高温保管性の
両方を満足するものが望まれている。しかしながら、ハ
ロゲン化合物又はハロゲン化合物とアンチモン化合物を
併用した難燃剤系を配合した耐半田クラック性に優れた
樹脂組成物でも、ガラス転移温度が低いと、イオン捕捉
剤を添加しても高温保管性が不十分で、一方、ガラス転
移温度が高い樹脂組成物では、耐半田クラック性が不十
分である。そのため、ガラス転移温度が低くても、高温
保管性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供できるまでに
至っていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題に対して、難燃性を低下させることなくハロゲン化合
物及びアンチモン化合物を含まない、高温保管性に優れ
た半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半
導体装置を提供するものである。
題に対して、難燃性を低下させることなくハロゲン化合
物及びアンチモン化合物を含まない、高温保管性に優れ
た半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半
導体装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、モリブデン酸亜鉛を
用いることにより、難燃性を低下させることなく、高温
下での長期信頼性を著しく向できる半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完成す
るに至った。即ち、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）無機充填材、及び（Ｅ）モリブデン酸亜鉛を必須
成分とする半導体封止用樹脂組成物で、特にエポキシ樹
脂としては、式（１）〜（３）で示される結晶性エポキ
シ化合物が最適である。
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、モリブデン酸亜鉛を
用いることにより、難燃性を低下させることなく、高温
下での長期信頼性を著しく向できる半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完成す
るに至った。即ち、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）無機充填材、及び（Ｅ）モリブデン酸亜鉛を必須
成分とする半導体封止用樹脂組成物で、特にエポキシ樹
脂としては、式（１）〜（３）で示される結晶性エポキ
シ化合物が最適である。
【化２】 （式（１）〜（３）中のＲは、ハロゲン原子又は炭素数
１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても異
なっていてもよい）
１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても異
なっていてもよい）
【０００５】本発明で用いるモリブデン酸亜鉛は、難燃
剤として作用し、これを配合した樹脂組成物で封止され
た半導体装置の難燃性の維持、高温下での長期信頼性を
著しく向上させる。モリブデン酸亜鉛は単独で用いても
よいが、吸湿性の傾向があり、配合量が多くなると吸湿
率が高くなり、耐半田クラック性が低下するおそれがあ
る。従って、遷移金属、シリカ、アルミナクレー、炭酸
カルシウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、珪酸アルミ
ニウム、珪酸マグネシウム等の無機系物質をモリブデン
酸亜鉛で被覆し、難燃剤として表面のモリブデン酸亜鉛
のみが作用するようにすることにより、モリブデン酸亜
鉛の配合量の増加による吸湿率の上昇を抑えることがで
きる。全樹脂組成物中のモリブデン酸亜鉛の配合量は、
０．０５〜０．８重量％が好ましい。この範囲を外れる
と不純物抽出量の増加が見られプレッシャークッカーテ
スト等の環境試験における信頼性が低下する。モリブデ
ン酸亜鉛で被覆された物質としては、例えば、Ｓｈｅｒ
ｗｉｎ Ｗｉｌｌiａｍｓ等から市販されている。
剤として作用し、これを配合した樹脂組成物で封止され
た半導体装置の難燃性の維持、高温下での長期信頼性を
著しく向上させる。モリブデン酸亜鉛は単独で用いても
よいが、吸湿性の傾向があり、配合量が多くなると吸湿
率が高くなり、耐半田クラック性が低下するおそれがあ
る。従って、遷移金属、シリカ、アルミナクレー、炭酸
カルシウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、珪酸アルミ
ニウム、珪酸マグネシウム等の無機系物質をモリブデン
酸亜鉛で被覆し、難燃剤として表面のモリブデン酸亜鉛
のみが作用するようにすることにより、モリブデン酸亜
鉛の配合量の増加による吸湿率の上昇を抑えることがで
きる。全樹脂組成物中のモリブデン酸亜鉛の配合量は、
０．０５〜０．８重量％が好ましい。この範囲を外れる
と不純物抽出量の増加が見られプレッシャークッカーテ
スト等の環境試験における信頼性が低下する。モリブデ
ン酸亜鉛で被覆された物質としては、例えば、Ｓｈｅｒ
ｗｉｎ Ｗｉｌｌiａｍｓ等から市販されている。
【０００６】本発明に用いるエポキシ樹脂としては、１
分子中にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴ
マー、ポリマー全般を言い、例えば、ビフェニル型エポ
キシ化合物、ヒドロキノン型エポキシ化合物、スチルベ
ン型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ化合
物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エ
ポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポ
キシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペ
ンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
本発明では、式（１）〜（３）で示される結晶性エポキ
シ化合物を用いた樹脂組成物の様に、低粘度でシリカを
多く配合し、耐半田クラック性には優れているが、硬化
物のガラス転移温度が低く、高温保管性に難点のある樹
脂組成物に、特に有効である。
分子中にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴ
マー、ポリマー全般を言い、例えば、ビフェニル型エポ
キシ化合物、ヒドロキノン型エポキシ化合物、スチルベ
ン型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ化合
物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エ
ポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポ
キシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペ
ンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
本発明では、式（１）〜（３）で示される結晶性エポキ
シ化合物を用いた樹脂組成物の様に、低粘度でシリカを
多く配合し、耐半田クラック性には優れているが、硬化
物のガラス転移温度が低く、高温保管性に難点のある樹
脂組成物に、特に有効である。
【０００７】本発明に用いるフェノール樹脂硬化剤とし
ては、１分子中にフェノール性水酸基を２個以上有する
モノマー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、例えば、
フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、キシリ
レン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹
脂、トリフェノールメタン型ノボラック樹脂等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
特に、フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエ
ン変性フェノール樹脂、キシリレン変性フェノール樹
脂、テルペン変性フェノール樹脂等が好ましい。これら
の配合量としては、エポキシ樹脂のエポキシ基数とフェ
ノール樹脂のフェノール性水酸基数の比が０．８〜１．
３が好ましい。
ては、１分子中にフェノール性水酸基を２個以上有する
モノマー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、例えば、
フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、キシリ
レン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹
脂、トリフェノールメタン型ノボラック樹脂等が挙げら
れ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
特に、フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエ
ン変性フェノール樹脂、キシリレン変性フェノール樹
脂、テルペン変性フェノール樹脂等が好ましい。これら
の配合量としては、エポキシ樹脂のエポキシ基数とフェ
ノール樹脂のフェノール性水酸基数の比が０．８〜１．
３が好ましい。
【０００８】本発明に用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に使用されているも
のを広く使用することができる。例えば、１，８−ジア
ザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニ
ルホスフィン、２−メチルイミダゾール等が挙げられ、
これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
キシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる
ものであればよく、一般に封止材料に使用されているも
のを広く使用することができる。例えば、１，８−ジア
ザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニ
ルホスフィン、２−メチルイミダゾール等が挙げられ、
これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
【０００９】本発明に用いる無機充填材としては、一般
に封止材料に使用されているものを広く使用することが
でき、例えば、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アル
ミナ、窒化珪素等が挙げられ、これらは単独でも混合し
て用いても差し支えない。配合量としては、成形性と耐
半田クラック性のバランスから、全樹脂組成物中に６０
〜９５重量％含有することが好ましい。６０重量％未満
だと吸水率上昇に伴う耐半田クラック性の低下、９５重
量％を越えると、ワイヤースィープ及びパッドシフト等
の成形時における問題が生じ好ましくない。
に封止材料に使用されているものを広く使用することが
でき、例えば、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アル
ミナ、窒化珪素等が挙げられ、これらは単独でも混合し
て用いても差し支えない。配合量としては、成形性と耐
半田クラック性のバランスから、全樹脂組成物中に６０
〜９５重量％含有することが好ましい。６０重量％未満
だと吸水率上昇に伴う耐半田クラック性の低下、９５重
量％を越えると、ワイヤースィープ及びパッドシフト等
の成形時における問題が生じ好ましくない。
【００１０】本発明に用いるイオン捕捉剤は、ハロゲン
アニオン、有機酸アニオン等を捕捉することにより樹脂
成分等に含まれるイオン性不純物を減少させるものであ
る。これらのイオン性不純物は、アルミニウムの配線や
パッドを腐食することが知られており、本発明のイオン
捕捉剤を使用することにより、イオン性不純物を捕捉
し、アルミニウムの腐食を防止するものである。イオン
捕捉剤としては、式（４）〜式（６）が挙げられ、これ
らは単独でも混合して用いてもよい。配合量としては、
全樹脂組成物中に０．１〜５重量％が好ましい。０．１
重量％未満だと不純物抽出量の増加が見られプレッシャ
ークッカーテスト等の環境試験における信頼性が不足
し、５重量％を越えると難燃性が低下するので好ましく
ない。 ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c （４） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ＝０〜０．４） ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c（ＨＳｉＯ3）d （５） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ＋ｄ＝０．２〜０．４ ） ＭｇxＡｌy（ＯＨ）2x+3y-2z（ＣＯ3）z・ｍＨ2Ｏ （６） （式中、０＜ｙ／ｘ≦１、０≦ｚ／ｙ＜１．５、ｍは正数）
アニオン、有機酸アニオン等を捕捉することにより樹脂
成分等に含まれるイオン性不純物を減少させるものであ
る。これらのイオン性不純物は、アルミニウムの配線や
パッドを腐食することが知られており、本発明のイオン
捕捉剤を使用することにより、イオン性不純物を捕捉
し、アルミニウムの腐食を防止するものである。イオン
捕捉剤としては、式（４）〜式（６）が挙げられ、これ
らは単独でも混合して用いてもよい。配合量としては、
全樹脂組成物中に０．１〜５重量％が好ましい。０．１
重量％未満だと不純物抽出量の増加が見られプレッシャ
ークッカーテスト等の環境試験における信頼性が不足
し、５重量％を越えると難燃性が低下するので好ましく
ない。 ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c （４） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ＝０〜０．４） ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c（ＨＳｉＯ3）d （５） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ＋ｄ＝０．２〜０．４ ） ＭｇxＡｌy（ＯＨ）2x+3y-2z（ＣＯ3）z・ｍＨ2Ｏ （６） （式中、０＜ｙ／ｘ≦１、０≦ｚ／ｙ＜１．５、ｍは正数）
【００１１】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成
分、又は（Ａ）〜（Ｆ）成分を必須成分とするが、これ
以外に必要に応じてシランカップリング剤、カーボンブ
ラック、ベンガラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワッ
クス等の離型剤、及びシリコーンオイル、ゴム等の低応
力添加剤等の種々の添加剤を適宜配合しても差し支えな
い。又、本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分、
又は（Ａ）〜（Ｆ）成分、及びその他の添加剤等をミキ
サー等を用いて充分に均一に混合した後、更に熱ロール
又はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して得られ
る。これらの樹脂組成物は、電気部品或いは電子部品で
あるトランジスタ、集積回路等の被覆、絶縁、封止等に
適用することができる。
分、又は（Ａ）〜（Ｆ）成分を必須成分とするが、これ
以外に必要に応じてシランカップリング剤、カーボンブ
ラック、ベンガラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワッ
クス等の離型剤、及びシリコーンオイル、ゴム等の低応
力添加剤等の種々の添加剤を適宜配合しても差し支えな
い。又、本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分、
又は（Ａ）〜（Ｆ）成分、及びその他の添加剤等をミキ
サー等を用いて充分に均一に混合した後、更に熱ロール
又はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して得られ
る。これらの樹脂組成物は、電気部品或いは電子部品で
あるトランジスタ、集積回路等の被覆、絶縁、封止等に
適用することができる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例１ 下記組成物。配合単位は重量部とする。 ビフェニル型エポキシ化合物（油化シェルエポキシ（株）製・ＹＸ４０００Ｋ ：融点１０５℃、エポキシ当量１８５ｇ／ｅｑ） ２３．２重量部 モリブデン酸亜鉛 １．０重量部 （３ＭｇＯ・４ＳｉＯ2をモリブデン酸亜鉛で被覆したもので、被覆したモリブ デン酸亜鉛の量を配合量として表す。） フェノールノボラック樹脂（軟化点９５℃、水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ） １３．０重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵ） ０．８重量部 溶融球状シリカ粉末（平均粒径１５μｍ） ６９６重量部 カーボンブラック ２．４重量部 カルナバワックス ２．４重量部 を常温でスーパーミキサーを用いて混合し、７０〜１０
０℃でロール混練し、冷却後粉砕して樹脂組成物とし
た。得られた樹脂組成物をタブレット化し、以下に示す
方法で評価した。評価結果を表１に示す。
０℃でロール混練し、冷却後粉砕して樹脂組成物とし
た。得られた樹脂組成物をタブレット化し、以下に示す
方法で評価した。評価結果を表１に示す。
【００１３】評価方法 ガラス転移温度：低圧トランスファー成形機を用いて１
７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で難燃性測定
用サンプルを成形した。その後１７５℃、８時間ポスト
キュアーを行った。サンプルの寸法は１５ｍｍ×６ｍｍ
×３ｍｍとした。測定は熱機械分析装置を用いて、試験
片の温度上昇に伴う熱膨張を測定し、ガラス転移温度を
求めた。 難燃性：低圧トランスファー成形機を用いて１７５℃、
７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で難燃性測定用サンプ
ルを成形した。その後２３℃,湿度５０％で４８時間処
理を行った。サンプルの寸法は、１２７ｍｍ×１２．７
ｍｍ×１．６ｍｍとした。測定方法は、ＵＬ９４垂直法
に準じた。 高温保管性：低圧トランスファー成形機を用いて１７５
℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で、３．０ｍｍ
×３．２ｍｍのテスト用チップ素子を１６ｐＤＩＰに封
止した。その後１７５℃、８時間ポストキュアーを行っ
た。このテスト用半導体装置を、１８５℃の大気雰囲気
中に保管し、一定時間毎に常温で電気抵抗値を測定し
た。テスト用半導体装置の総数は１０個とし、電気抵抗
値が初期値の２倍となったものを不良とみなし、不良個
数が総数の半分を越えた時間を、不良発生時間とした。 耐半田クラック性：低圧トランスファー成形機を用いて
１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で、０．
９ｍｍ×０．９ｍｍのテスト用チップ素子を８０ｐＱＦ
Ｐに封止した。その後１７５℃、８時間ポストキュアー
を行った。８５℃、湿度８５％で処理しＩＲリフロー２
４０℃で表面クラック観察を行った。
７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で難燃性測定
用サンプルを成形した。その後１７５℃、８時間ポスト
キュアーを行った。サンプルの寸法は１５ｍｍ×６ｍｍ
×３ｍｍとした。測定は熱機械分析装置を用いて、試験
片の温度上昇に伴う熱膨張を測定し、ガラス転移温度を
求めた。 難燃性：低圧トランスファー成形機を用いて１７５℃、
７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で難燃性測定用サンプ
ルを成形した。その後２３℃,湿度５０％で４８時間処
理を行った。サンプルの寸法は、１２７ｍｍ×１２．７
ｍｍ×１．６ｍｍとした。測定方法は、ＵＬ９４垂直法
に準じた。 高温保管性：低圧トランスファー成形機を用いて１７５
℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で、３．０ｍｍ
×３．２ｍｍのテスト用チップ素子を１６ｐＤＩＰに封
止した。その後１７５℃、８時間ポストキュアーを行っ
た。このテスト用半導体装置を、１８５℃の大気雰囲気
中に保管し、一定時間毎に常温で電気抵抗値を測定し
た。テスト用半導体装置の総数は１０個とし、電気抵抗
値が初期値の２倍となったものを不良とみなし、不良個
数が総数の半分を越えた時間を、不良発生時間とした。 耐半田クラック性：低圧トランスファー成形機を用いて
１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で、０．
９ｍｍ×０．９ｍｍのテスト用チップ素子を８０ｐＱＦ
Ｐに封止した。その後１７５℃、８時間ポストキュアー
を行った。８５℃、湿度８５％で処理しＩＲリフロー２
４０℃で表面クラック観察を行った。
【００１４】実施例２〜７、比較例１,２ 表１の配合に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を
作製し、実施例１と同様に評価した。評価結果を表１に
示す。実施例４のエポキシ樹脂は式（７）のヒドロキノ
ン型エポキシ化合物を用いた。実施例５のエポキシ樹脂
は式（８）のスチルベン型エポキシ化合物を用いた。実
施例６のイオン捕捉剤１は、ＢｉＯa（ＯＨ）b（Ｎ
Ｏ3）c（ＨＳｉＯ3）d（式中、ａ＝１、ｂ＝０．７、ｃ
＋ｄ＝０．３）。実施例７のイオン捕捉剤２は、協和化
学工業（株）製・ＤＨＴ−４Ｈ（ハイドロタルサイト系
化合物）である。
作製し、実施例１と同様に評価した。評価結果を表１に
示す。実施例４のエポキシ樹脂は式（７）のヒドロキノ
ン型エポキシ化合物を用いた。実施例５のエポキシ樹脂
は式（８）のスチルベン型エポキシ化合物を用いた。実
施例６のイオン捕捉剤１は、ＢｉＯa（ＯＨ）b（Ｎ
Ｏ3）c（ＨＳｉＯ3）d（式中、ａ＝１、ｂ＝０．７、ｃ
＋ｄ＝０．３）。実施例７のイオン捕捉剤２は、協和化
学工業（株）製・ＤＨＴ−４Ｈ（ハイドロタルサイト系
化合物）である。
【００１５】
【化３】
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】本発明の樹脂組成物を用いて半導体素子
を封止することにより、高温保管性に優れた半導体装置
を得ることが出来る。
を封止することにより、高温保管性に優れた半導体装置
を得ることが出来る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｋ 3/22 Ｃ０８Ｋ 3/22 3/24 3/24 3/26 3/26 9/02 9/02 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31
Claims (5)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、及
び（Ｅ）モリブデン酸亜鉛を必須成分とすることを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 モリブデン酸亜鉛が、無機系物質を被覆
してなる請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項３】 エポキシ樹脂が式（１）〜（３）で示さ
れる結晶性エポキシ化合物である請求項１又は２記載の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式（１）〜（３）中のＲは、ハロゲン原子又は炭素数
１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても異
なっていてもよい） - 【請求項４】 請求項１、２又は３記載の半導体封止用
エポキシ樹脂組成物が、更に式（４）〜（６）で示され
るイオン捕捉剤を含むことを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物。 ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c （４） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ＝０〜０．４） ＢｉＯa（ＯＨ）b（ＮＯ3）c（ＨＳｉＯ3）d （５） （式中、ａ＝０．９〜１．１、ｂ＝０．６〜０．８、ｃ＋ｄ＝０．２〜０．４ ） ＭｇxＡｌy（ＯＨ）2x+3y-2z（ＣＯ3）z・ｍＨ2Ｏ （６） （式中、０＜ｙ／ｘ≦１、０≦ｚ／ｙ＜１．５、ｍは正数） - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止してなることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17716797A JP3377933B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| US09/242,938 US6190787B1 (en) | 1997-07-02 | 1998-07-02 | Epoxy resin compositions for encapsulating semiconductors, and semiconductor devices |
| DE69803267T DE69803267T2 (de) | 1997-07-02 | 1998-07-02 | Epoxidharzzusammensetzungen für die versiegelung von halbleitern und halbleitervorrichtung |
| EP98929800A EP0926196B1 (en) | 1997-07-02 | 1998-07-02 | Epoxy resin compositions for encapsulating semiconductors, and semiconductor devices |
| CN98801110A CN1099441C (zh) | 1997-07-02 | 1998-07-02 | 半导体密封用的环氧树脂组合物和半导体器件 |
| PCT/JP1998/002980 WO1999001507A1 (fr) | 1997-07-02 | 1998-07-02 | Compositions de resines epoxydes d'encapsulation de semi-conducteurs, et dispositifs a semi-conducteurs |
| KR1019997001735A KR100307197B1 (ko) | 1997-07-02 | 1999-03-02 | 반도체밀봉용 에폭시수지조성물 및 반도체장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17716797A JP3377933B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1121423A true JPH1121423A (ja) | 1999-01-26 |
| JP3377933B2 JP3377933B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=16026367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17716797A Expired - Fee Related JP3377933B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3377933B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1049152A3 (en) * | 1999-04-26 | 2001-02-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
| JP2001213943A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2001288338A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002121264A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002179773A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002327105A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2011118584A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック電工株式会社 | プリプレグ用エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、及び多層プリント配線板 |
| JP2012167225A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、光半導体装置用反射部材及び光半導体装置 |
| JP2019134181A (ja) * | 2009-06-18 | 2019-08-08 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1997
- 1997-07-02 JP JP17716797A patent/JP3377933B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6630745B1 (en) | 1999-04-26 | 2003-10-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
| EP1049152A3 (en) * | 1999-04-26 | 2001-02-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
| US7095125B2 (en) | 1999-04-26 | 2006-08-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
| JP2001213943A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2001288338A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002121264A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002179773A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002327105A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2019134181A (ja) * | 2009-06-18 | 2019-08-08 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| WO2011118584A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック電工株式会社 | プリプレグ用エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、及び多層プリント配線板 |
| CN102822228A (zh) * | 2010-03-26 | 2012-12-12 | 松下电器产业株式会社 | 预浸料用环氧树脂组合物、预浸料和多层印制电路布线板 |
| JP5576930B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-08-20 | パナソニック株式会社 | プリプレグ用エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、及び多層プリント配線板 |
| EP2554561A4 (en) * | 2010-03-26 | 2017-02-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Epoxy resin composition for prepreg, prepreg, and multilayer printed circuit board |
| JP2012167225A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、光半導体装置用反射部材及び光半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3377933B2 (ja) | 2003-02-17 |
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