JPH1121427A - 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 - Google Patents
電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品Info
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Abstract
酸化膜剥離の抑制にも効果的なエポキシ樹脂組成物及び
電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料を提供する。 【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、
(C)シランカップリング剤、および(D)無機充填剤
を必須成分とし、(C)成分のシランカップリング剤が
下記一般式(I)で表されものであることを特徴とする
エポキシ樹脂組成物、 【化1】 (ここで、R1は水素または炭素数1〜6のアルキル基
または炭素数1〜2のアルコキシ基、R2は炭素数1〜
6のアルキル基またはフェニル基、R3はメチル基また
はエチル基で、nは1〜6の数を示す。)及びこの樹脂
組成物を含む電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料。
Description
優れたエポキシ樹脂組成物、電子部品封止用エポキシ樹
脂成形材料及びその成形材料で素子を封止した電子部品
に関する。
部品の素子封止の分野では生産性、コスト等の面から樹
脂封止が主流となり、エポキシ樹脂成形材料が広く用い
られている。この理由としては、エポキシ樹脂が作業
性、成形性、電気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、イ
ンサート品との接着性等の諸特性にバランスがとれてい
るためである。また、素子を搭載し外部との電気的なコ
ンタクトを確保するためのリードフレームとしては、表
面実装用パッケージでは主に鉄系の材質が用いられてき
た。
のリードフレームを用いる製品が増加している。しか
し、銅系のリードフレームは熱放散性、コストの面での
メリットがある反面、その表面に酸化膜が出来易く、し
かもその酸化膜の強度が非常に低いという欠点を持って
いる。そのため、素子をリードフレームに固定する工
程、金線で素子とリードフレームを接続する工程等で加
えられる熱によってリードフレーム表面に酸化膜が形成
される。このような、表面に酸化膜が形成されたリード
フレームを従来の電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料
で封止した場合、リードフレームと成形材料の界面に発
生する応力によって酸化膜が剥離し、電子部品としての
信頼性が著しく低下していた。
きた。例えば、素子をリードフレームに固定する工程、
金線で素子とリードフレームを接続する工程等を、窒素
雰囲気中で行う、または比較的低温で行うことにより酸
化膜の形成を抑制し剥離を防止する方法がある。これら
の手法は、酸化膜の剥離の防止の点では有効だがコスト
や金線の接続強度が低下する点で実用的ではない。ま
た、銅フレームの表面をメッキで被覆して耐熱性を改善
する方法も効果は大きいがやはりコストの点で実用的で
はない。
料からの改良としては、可撓化剤の添加、充填剤量の最
適化、離型剤の見直し等が提案されてきたが、成形性、
信頼性において電子部品封止用途の要求に堪えるものは
ない。また、2個のアルコキシ基とγーグリシド基を含
むカップリング剤を使用したエポキシ樹脂組成物がアル
ミニウムに対する腐食性が小さいことは既に報告されて
いる(特開昭60−179419)。しかし、これは官
能基をγーグリシド基に限定しており、銅に対する密着
性改善についても述べられていない。
リードフレームに対しても鉄系のリードフレームと同様
の信頼性、成形性を示す電子部品封止用エポキシ樹脂成
形材料が強く求められている。
鋭意研究を重ねた結果、特定のカップリング剤を配合す
ることにより、銅系リードフレームの酸化膜剥離の抑制
に顕著な効果が認められ、上記の要求を満足する成形材
料が得られることを見いだし、本発明を完成するに至っ
た。
ンカップリング剤、および(D)無機充填剤を必須成分
とし、(C)成分のシランカップリング剤が下記一般式
(I)で表されものであることを特徴とするエポキシ樹
脂組成物、
または炭素数1〜2のアルコキシ基、R2は炭素数1〜
6のアルキル基またはフェニル基、R3はメチル基また
はエチル基で、nは1〜6の数を示す。) (2)下記一般式(II)のシラン化合物を含むことを特
徴とする上記(1)記載のエポキシ樹脂組成物、
ェニル基で、R2はメチル基またはエチル基を示す。) (3)下記一般式(III)のエポキシ樹脂を含むことを
特徴とする上記(1)または(2)記載のエポキシ樹脂
組成物、
水素を示し、互いに同一でも異なっていてもよい。nは
0〜3の正の数を示す。) (4)下記一般式(IV)の硬化剤を含むことを特徴とす
る上記(1)〜(3)いずれか記載のエポキシ樹脂組成
物、
たはハロゲンで、nは0〜8の正の数を示す。) (5)上記(1)〜(4)いずれか記載のエポキシ樹脂
組成物を含むことを特徴とする電子部品封止用エポキシ
樹脂成形材料、 (6)上記(5)記載の成形材料により素子を封止して
得られる電子部品、である。
成分のエポキシ樹脂は特に限定はないが、たとえば、電
子部品封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使用されて
いるもので、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オ
ルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノ
−ルAノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノ
ール類とアルデヒド類から合成されるノボラック樹脂を
エポキシ化したエポキシ樹脂、ビスフェノールA、ビス
フェノールF、ビスフェノールS、アルキル置換ビフェ
ノールなどのジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニ
ルメタン、イソシアヌル酸などのポリアミンとエピクロ
ルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンとフェノ−ル類の共
縮合樹脂のエポキシ化物、ナフタレン環を有するエポキ
シ樹脂、ナフトールアラルキル樹脂のエポキシ化物、ト
リメチロールプロパン型エポキシ樹脂、テルペン変性エ
ポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸などの過酸で酸化
して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、及び脂環族エポ
キシ樹脂などが挙げられ、耐リフロー性の面からは下記
一般式(III)のエポキシ樹脂が好適である。
水素を示し、互いに同一でも異なっていてもよい。nは
0〜3の正の数を示す。) これを例示すると、4,4’−ビス(2,3−エポキシ
プロポキシ)ビフェニルや4,4’−ビス(2,3−エ
ポキシプロポキシ)−3,3’,5,5’−テトラメチ
ルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂、エピクロル
ヒドリンと4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキ
シ)ビフェノールや4,4’−ビス(2,3−エポキシ
プロポキシ)−3,3’,5,5’−テトラメチルビフ
ェノールとを反応して得られるエポキシ樹脂等が挙げら
れる。中でも4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポ
キシ)−3,3’,5,5’−テトラメチルビフェニル
を主成分とするエポキシ樹脂が好ましい。これらのエポ
キシ樹脂を単独又は2種類以上併用して使用することが
できる。
化剤は特に限定はないが、たとえば、電子部品封止用エ
ポキシ樹脂成形材料で一般に使用されているもので、フ
ェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビス
フェノールA、ビスフェノールF等のフェノール類又は
α−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタ
レン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒ
ド類とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる樹
脂、フェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラル
キル樹脂等があり、特に耐リフロー性の面からは下記一
般式(IV)で表されるフェノール・アラルキル樹脂が好
適である。
たはハロゲンで、nは0〜8の正の数を示す。) 中でも下記の式(V)で示され、nが平均的に0〜8の
ものが好ましい。
とができる。
成分の硬化剤の当量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエ
ポキシ基数/硬化剤中の水酸基数の比は、特に限定はさ
れないが、それぞれの未反応分を少なく抑えるために
0.7〜1.3の範囲に設定することが好ましく、特に
成形性、耐リフロー性に優れる成形材料を得るためには
0.8〜1.2の範囲に設定することが好ましい。
ップリング剤は、下記一般式(I)で表されものであ
る。
または炭素数1〜2のアルコキシ基、R2は炭素数1〜
6のアルキル基またはフェニル基、R3はメチル基また
はエチル基で、nは1〜6の数を示す。) これを例示すると、γ−アニリノプロピルメチルジメト
キシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジエトキシシ
ラン、γ−アニリノメチルメチルジメトキシシラン、γ
−アニリノメチルメチルジエトキシシラン、N−(p−
メトキシフェニル)−γ−アミノプロピルメチルジメト
キシシラン、N−(p−メトキシフェニル)−γ−アミ
ノプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられ、中で
もリードフレームとの接着性、耐湿性及びパッケージの
成形性という観点からはγ−アニリノプロピルメチルジ
メトキシシランが好適に用いられる。
量は、(D)成分の無機充填剤に対して0.2〜5.0
重量%であることが好ましく、さらに好ましくは0.5
〜2.5重量%である。0.2重量%未満ではフレ−ム
との接着性が低下しやすく、5.0重量%を超える場合
にはパッケージの成形性が低下しがちである。
品封止用エポキシ樹脂成形材料には、上記(C)成分の
シランカップリング剤以外に従来公知のカップリング剤
を併用してもよい。たとえば、ビニルトリクロロシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(β−メ
トキシエトキシ)シラン、γ−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘ
キシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−[ビス(β
−ヒドロキシエチル)]アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピル
トリメトキシシラン、γ−(β−アミノエチル)アミノ
プロピルジメトキシメチルシラン、N−(トリメトキシ
シリルプロピル)エチレンジアミン、N−(ジメトキシ
メチルシリルイソプロピル)エチレンジアミン、メチル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、、N
−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルト
リメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、γ−アニリ
ノプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン
等のシラン系カップリング剤、あるいはイソプロピルト
リイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス
(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、イソプ
ロピルトリ(N−アミノエチル−アミノエチル)チタネ
ート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイ
ト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチ
ル−1−ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスファイトチ
タネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキ
シアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホス
フェート)エチレンチタネート、イソプロピルトリオク
タノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソス
テアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベン
ゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロ
イルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ(ジオク
チルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリクミ
ルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス(ジオ
クチルホスファイト)チタネート等のチタネート系カッ
プリング剤を1種以上併用することができる。
しては、特に限定はないが、溶融シリカ、結晶シリカ、
アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウ
ム、炭化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジ
ルコニア等の粉体、又はこれらを球形化したビーズ、チ
タン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミナ等の単
結晶繊維、ガラス繊維等を1種類以上配合して用いるこ
とができる。さらに、難燃効果のある無機充填剤として
は水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛
などが挙げられ、これらを単独または併用して用いるこ
ともできる。上記の無機充填剤の中で、線膨張係数低減
の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点からはア
ルミナが好ましい。充填剤形状は、成形時の流動性及び
金型摩耗性の点から球形もしくは球状に近い形が好まし
く、50重量%以上が球形であることが特に好ましい。
膨張係数の低減及び強度向上の観点から、成形材料全体
に対して70重量%以上が好ましく、85〜95重量%
であることが特に好ましい。85重量%未満では耐リフ
ロー性が低下しやすく、95重量%を超える場合には流
動性が不足しがちである。中でも88〜92重量%の範
囲がさらに好適である。
品封止用エポキシ樹脂成形材料には、上記(A)〜
(D)成分以外に下記一般式(II)のシラン化合物を使
用することができる。
ェニル基で、R2はメチル基またはエチル基を示す。)
上記一般式(II)のシラン化合物は、酸化膜剥離の抑制
や半田耐熱性の向上に効果的である。これを例示する
と、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシ
ラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエト
キシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチル
フェニルジエトキシシラン等が挙げられ、中でも特にジ
メチルジメトキシシランが好ましい。
(C)成分との比((C)/(II))が0.5〜10と
なるよう設定されることが好ましく、さらに好ましくは
1〜5である。0.5未満ではフレ−ムとの接着性が低
下しやすく、10を超える場合には耐湿信頼性が低下し
がちである。
品封止用エポキシ樹脂成形材料には、硬化促進剤も使用
することができる。例えば、1,8−ジアザ−ビシクロ
(5,4,0)ウンデセン−7、1,5−ジアザ−ビシ
クロ(4,3,0)ノネン、5、6−ヂブチルアミノ−
1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−
7、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、
ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメ
チル)フェノール等の3級アミン類及びこれらの誘導
体、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾー
ル、2−フェニル−4−メチルイミダゾール等のイミダ
ゾール類及びこれらの誘導体、トリブチルホスフィン、
メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィ
ン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有
機ホスフィン類及びこれらのホスフィン類に無水マレイ
ン酸、ベンゾキノン、ジアゾフェニルメタン等のπ結合
をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化
合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレ
ート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレー
ト、2−エチル−4−メチルイミダゾールテトラフェニ
ルボレート、N−メチルモリホリンテトラフェニルボレ
ート等のテトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体等
があげられる。これらは、単独でも2種以上併用して用
いても良い。
エポキシ樹脂や三酸化アンチモン、リン酸エステル、赤
リン及びメラミン樹脂をはじめとする含窒素化合物等の
難燃剤、天然ワックス、合成ワックス、酸化または非酸
化のポリオレフィン等の離型剤、カーボンブラック等の
着色剤、シリコーンオイルやシリコーンゴム粉末等の応
力緩和剤、ハイドロタルサイト、アンチモンービスマス
等のイオントラップ剤等を必要に応じて用いることがで
きる。
均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用い
ても調製できるが、一般的な手法として、所定の配合量
の原材料をミキサー等によって十分混合した後、ミキシ
ングロール、押出機等によって溶融混練した後、冷却、
粉砕する方法を挙げることができる。成形条件に合うよ
うな寸法及び重量でタブレット化すると使いやすい。
ア、配線板、ガラス、シリコンウエハなどの支持部材
に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリ
スタなどの能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイルなど
の受動素子等の素子を搭載し、必要な部分を本発明の封
止用成形材料で封止して、電子部品を製造することがで
きる。このような電子部品としては、たとえば、銅リ−
ドフレ−ム上に搭載したチップを本発明の成形材料で封
止したQFPや、テープキャリアにバンプで接続した半
導体チップを本発明の成形材料で封止したTCPを挙げ
ることができる。また、配線板やガラス上に形成した配
線に、ワイヤーボンディング、フリップチップボンディ
ング、はんだなどで接続した半導体チップ、トランジス
タ、ダイオード、サイリスタなどの能動素子及び/又は
コンデンサ、抵抗体、コイルなどの受動素子を、本発明
の成形材料で封止したCOBモジュール、ハイブリッド
IC、マルチチップモジュールなどを挙げることができ
る。電子部品を封止する方法としては、低圧トランスフ
ァー成形法が最も一般的であるが、インジェクション成
形法、圧縮成形法等を用いてもよい。
はこれらの実施例に限定されるものではない。
ンド)した後、二軸ロール(ロール表面温度約80℃)
で10分間混練し、冷却粉砕して、実施例1、2及び比
較例1〜3の成形材料を製造した。エポキシ樹脂として
は、エポキシ当量196の4,4’−ビス(2,3−エ
ポキシプロポキシ)−3,3’,5,5’−テトラメチ
ルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂(1)と、エ
ポキシ当量393、臭素含有率49%のエピビス型の臭
素化エポキシ樹脂を使用し、フェノール樹脂としては、
水酸基当量171、軟化点69℃、数平均分子量900
の下記構造式(V)のフェノールアラルキル樹脂を使用
した。
00 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
スファー成形機を用い、金型温度180℃、 成形圧力
70kgf/cm2、硬化時間90秒の条件で次の各試
験を行い評価した。 (1)スパイラルフロー(流動性の指標) EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用金
型を用いて成形し、流動距離を求めた。 (2)熱時硬度 金型開き直後の成形品硬度をショア−D型硬度計を用い
て測定した。 (3)耐湿性 SOP−28ピンの半導体装置を各成形材料を用いて成
形し、175℃、5時間後硬化することにより試験用パ
ッケージを作製した。このパッケージを85℃/85%
RH/72時間吸湿+215℃/90秒(VPS)の前
処理後、PCT(121℃/2気圧)に放置してチップ
上配線の断線の有無を観察し、断線不良率が50%に達
するまでの時間を調べた。 (4)半田耐熱性 QFP80ピンの樹脂封止型半導体装置(外形寸法20
mm×14mm×2mm、チップサイズ:8×10m
m、リードフレーム:EFTEC64T(ステージ加工
なし))を用いて、フレームにシリコンチップを銀ペー
ストにて接着(130℃/2hr硬化)した後さらに2
25℃に保持した熱板上に3分間放置してフレーム表面
に酸化膜を形成した。このフレームを実施例及び比較例
の成形材料を用いて、金型温度180℃、 成形圧力7
0kgf/cm2、硬化時間90秒の条件で成形し、1
75℃、5時間後硬化することにより試験用パッケージ
を作製した。このパッケージを恒温恒湿槽を用い、85
℃/85%RHの条件下、所定時間吸湿した後、240
℃/10秒の条件で処理した時のクラックの有無を観察
し、クラックが発生するまでの吸湿時間を調べた。 (5)酸化膜剥離 上記(4)で作成した試験用パッケージで、後硬化後、
超音波探査装置を用いてステージ裏面の剥離の有無を観
察し、剥離面積率(%)で評価した。評価結果を表2に
示す。
リング剤を含有しない比較例ではいずれも半田耐熱性が
劣っている。比較例1及び比較例2ではさらに酸化膜剥
離も大きく、耐湿性も劣っている。可撓化剤を添加した
比較例3では、剥離防止には効果がみられるものの熱時
硬度(成形性)が低く、外観も不良である。これに対し
て、(A)〜(D)成分を全て含む実施例1、2は、流
動性、熱時硬度、耐湿性、半田耐熱性、外観のいずれも
良好で、剥離防止効果もあった。特に一般式(II)に相
当するシラン化合物を添加した実施例2は酸化膜剥離が
まったくみられなかった。
エポキシ樹脂成形材料は、流動性、成形性等の信頼性に
優れているため、電子部品の高生産性に寄与し、また、
この成形材料を用いて、銅系リードフレームに搭載され
た半導体素子を封止して作製した半導体装置は、実施例
で示したように耐湿性、半田耐熱性に優れ、酸化膜剥離
が抑制されるため、その工業的価値は大である。
Claims (6)
- 【請求項1】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、
(C)シランカップリング剤、および(D)無機充填剤
を必須成分とし、(C)成分のシランカップリング剤が
下記一般式(I)で表されものであることを特徴とする
エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (ここで、R1は水素または炭素数1〜6のアルキル基
または炭素数1〜2のアルコキシ基、R2は炭素数1〜
6のアルキル基またはフェニル基、R3はメチル基また
はエチル基で、nは1〜6の数を示す。) - 【請求項2】下記一般式(II)のシラン化合物を含むこ
とを特徴とする請求項1記載のエポキシ樹脂組成物。 【化2】(R1)2−Si−(OR2)2 ………(II) (ここで、R1は炭素数1〜10のアルキル基またはフ
ェニル基で、R2はメチル基またはエチル基を示す。) - 【請求項3】下記一般式(III)のエポキシ樹脂を含む
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載のエポキ
シ樹脂組成物。 【化3】 (ここで、R1〜R4は水素または炭素数1〜10の炭化
水素を示し、互いに同一でも異なっていてもよい。nは
0〜3の正の数を示す。) - 【請求項4】下記一般式(IV)の硬化剤を含むことを特
徴とする請求項1〜3各項記載のエポキシ樹脂組成物。 【化4】 (ここで、Rは水素または炭素数1〜10の炭化水素ま
たはハロゲンで、nは0〜8の正の数を示す。) - 【請求項5】請求項1〜4各項記載のエポキシ樹脂組成
物を含むことを特徴とする電子部品封止用エポキシ樹脂
成形材料。 - 【請求項6】請求項5項記載の成形材料により素子を封
止して得られる電子部品。
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