JPH11214575A

JPH11214575A - 配線基板

Info

Publication number: JPH11214575A
Application number: JP1705498A
Authority: JP
Inventors: Riichi Sasamori; 理一笹森; Yuji Iino; 祐二飯野
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-01-29
Filing date: 1998-01-29
Publication date: 1999-08-06
Anticipated expiration: 2018-01-29
Also published as: JP3574738B2

Abstract

(57)【要約】【課題】配線回路層と導体ペーストを充填して形成した
バイアホール導体との接続信頼性に優れた配線基板を提
供する。【解決手段】少なくとも有機樹脂を含有する絶縁基板３
と、絶縁基板３表面および内部に被着形成された配線回
路層４と、配線回路層４間を電気的に接続するために設
けられ、少なくとも金属粉末７を充填してなるバイアホ
ール導体５を具備する配線基板１において、配線回路層
４とバイアホール導体５との接続部に少なくともインジ
ウム（Ｉｎ）あるいは錫（Ｓｎ）を含有する低融点金属
層９をバイアホール導体５の長さの１〜３０％の厚みで
形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも有機樹
脂を含む絶縁基板の表面および内部に配線回路層と金属
粉末を充填して形成したバイアホール導体を具備する、
半導体素子収納用パッケージなどに適した配線基板に関
するものであり、特に、配線回路層とバイアホール導体
との接続信頼性の向上に関するものである。

【０００２】

【従来技術】従来より、多層配線基板、例えば、半導体
素子を収納するパッケージに使用される多層配線基板と
して、アルミナ等の絶縁層とＷ、Ｍｏなどの高融点金属
からなる配線層とを具備したセラミック多層配線基板が
多用されているが、このようなセラミック配線基板は硬
くて脆い性質を有することから、製造工程または搬送工
程においてセラミックの欠けや割れ等が発生しやすく、
また、焼結前のグリーンシートにメタライズペーストを
印刷後にシートを積層して焼結する場合、焼結により得
られる基板に反り等の変形や寸法のばらつき等が発生し
やすいという問題があり、回路基板の超高密度化やフリ
ップチップ等のような基板の平坦度の厳しい要求に対し
て十分に対応できないという問題があった。

【０００３】そこで、最近では、有機樹脂を含む絶縁層
表面に銅箔を接着した後、これをエッチングして微細な
回路を形成した基板や、銅などの金属粉末を含むペース
トを絶縁層に印刷して配線層を形成した後、これを積層
しあるいは積層後に、所望位置にマイクロドリルやパン
チング等によりバイア用の孔明けを行い、そのバイア内
壁にメッキ法により金属を付着させて配線層を接続して
多層化したプリント配線基板が提案されている。また、
絶縁層としては、その強度を高めるために、樹脂に対し
て、粉末状あるいは繊維状の無機質フィラーを分散させ
た基板も提案されており、これらの複合材料からなる絶
縁層上に多数の半導体素子を搭載したマルチチップモジ
ュール（ＭＣＭ）等への適用も検討されている。

【０００４】このようなプリント配線板の多層化、配線
の超微細化、精密化の要求に対応して、有機樹脂を含む
絶縁層の表面に銅などの低抵抗金属を含む導体ペースト
で回路パターンを印刷して配線回路層を形成したり、バ
イアホール導体をホール内に金属粉末を含む導体ペース
トを充填して形成した高密度に多層化された配線基板を
作製する試みが行われている。

【０００５】この導体ペーストの充填によってバイアホ
ール導体を形成する方法は、従来のメッキ法によりスル
ーホール導体を形成するのに対して、バイアホール導体
を任意の箇所に設けることができるために、特に高密度
配線化に適した方法として注目されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、低抵抗
金属を含む導体ペースト中には、絶縁層への印刷性およ
びホールへの充填性を高めるとともに、金属粉末を互い
に結合させるために結合用樹脂を配合させており、しか
も金属粉末表面には、高抵抗の酸化膜が生成されやすい
ことから、金属粉末の接触界面には、樹脂や酸化膜が介
在するために、通常の銅箔や銅メッキにより形成された
回路またはスルーホール導体よりも抵抗値が高いという
問題点があった。

【０００７】それに加えて、絶縁基板が有機樹脂を含有
している関係上、銅や銀等の低抵抗金属を焼結できるよ
うな温度で処理することができないために、配線とバイ
アホール導体間の接続信頼性が低く、ヒートサイクルや
ヒートショック等による熱変形さらには振動により、配
線回路層とバイアホール導体間との導体抵抗が増大する
という問題があるのが現状である。また、この樹脂分を
加熱分解したり、通電加熱を行うことなど様々な改良も
行われているが、これらの加熱処理においても十分な効
果が得られておらず、場合によっては、通電加熱によっ
ては通電時に発生する熱によって絶縁層に対して悪影響
を及ぼすなどの問題があった。

【０００８】従って、本発明は、配線回路層と導体ペー
ストを充填して形成したバイアホール導体との接続信頼
性に優れた配線基板を提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題に対して検討を重ねた結果、配線基板における配線回
路層と、金属粉末を充填して形成したバイアホール導体
中の金属粉末とを、少なくともインジウム（Ｉｎ）ある
いは錫（Ｓｎ）を含有する低融点金属によって結合する
ことにより、配線回路層とバイアホール導体間の接続抵
抗を低下させることができるとともに、過酷な環境下に
おいて接続信頼性を向上できることを知見した。

【００１０】即ち、本発明の配線基板は、少なくとも有
機樹脂を含有する絶縁基板と、該絶縁基板表面および内
部に被着形成された配線回路層と、前記配線回路層間を
電気的に接続するために設けられ、少なくとも金属粉末
を充填してなるバイアホール導体を具備する配線基板に
おいて、前記配線回路層と前記バイアホール導体との接
続部に少なくともインジウム（Ｉｎ）あるいは錫（Ｓ
ｎ）を含有する低融点金属層を前記バイアホール導体長
さの１〜３０％の厚みで形成したことを特徴とするもの
であり、特に、前記配線回路層が金属箔からなり、さら
に、前記バイアホール導体が、銅粉末、銀粉末、銀−銅
合金粉末、銀被覆銅粉末のうちのいずれか１種からなる
平均粒径が３〜１０μｍの金属粉末を充填してなること
を特徴とするものである。

【００１１】

【作用】従来の配線回路層と金属粉末の充填によって形
成されたバイアホール導体との接続は、バイアホール導
体中の金属粉末と配線回路層との点接触によるものであ
り、両者間の接触抵抗が大きく、しかも外部からの応力
等によって、その接続状態が変化しやすいために、抵抗
が変化するなどの問題がある。

【００１２】これに対して、本発明によれば、配線回路
層とバイアホール導体中の金属粉末を低融点金属により
結合することにより、配線回路層とバイアホール導体中
の金属粉末とが低融点金属の介在による３次元的な面接
触によって接続されるために、両者間の接触抵抗を大幅
に低減できるとともに、配線回路層とバイアホール導体
とが強固に接合されているために、熱変形や振動によっ
ても両者間の接続状態が変化することがないために、配
線基板における回路としての信頼性を大幅に高めること
ができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の配線基板を図面を
もとに説明する。図１は、本発明の配線基板の一実施態
様として多層配線基板を説明するための概略断面図であ
る。図１に示すように、本発明の多層配線基板１は、有
機樹脂を含む複数の絶縁層２ａ〜２ｄを積層してなる絶
縁基板３の表面および内部に配線回路層４が形成され、
さらに、異なる層の配線回路層４を電気的に接続するた
めのバイアホール導体５とを具備するものであり、バイ
アホール導体５は、少なくとも金属粉末を充填して形成
されたものからなる。本発明における大きな特徴は、バ
イアホール導体５中の金属粉末と配線回路層４との接続
部に少なくともインジウム（Ｉｎ）あるいは錫（Ｓｎ）
を含有する低融点金属層を形成したことを特徴とする。

【００１４】そこで、図２にバイアホール導体５と配線
回路層４との接続部の拡大図を示した。図２に示すよう
に、例えば、配線回路層４が金属箔６からなる場合、金
属箔６とバイアホール導体５中の金属粉末７との接続
は、金属粉末７と金属箔６との点接触によるものである
が、本発明によれば、金属粉末７間の空隙部に低融点金
属８が充填された低融点金属層９を形成することによ
り、金属粉末７と金属箔６との接続が、前記点接触のみ
ならず、低融点金属８を介した３次元的な面接触により
接合されている。

【００１５】このような接合によって、金属箔からなる
配線回路層４とバイアホール導体５とを強固に且つ低い
接触抵抗で接続することができる。特に、本発明によれ
ば、金属箔からなる配線回路層４とバイアホール導体５
間との初期抵抗を後述する実施例から明らかなように、
８×１０^-5Ω−ｃｍ以下まで低減することができる。

【００１６】配線回路層４とバイアホール導体５との間
に低融点金属層９が存在しないと、配線回路層４とバイ
アホール導体５との強固な接続ができずに、ヒートサイ
クルやヒートショック等により、配線回路層４とバイア
ホール導体５中の金属粉末との接触部分が不安定となる
結果、配線回路層４とバイアホール導体５間の抵抗が大
きくなるという問題が発生する。

【００１７】また、本発明によれば、前記低融点金属層
９は、バイアホール導体の前記配線回路層との結合端部
からバイアホール導体長さの１〜３０％の深さまで存在
することが重要である。これは、低融点金属層９がバイ
アホール導体の全体に存在する場合、低融点金属を加熱
により溶融処理した際に、溶融した低融点金属による表
面張力の発生によってバイアホール内の金属粉末を含む
導体が収縮してしまい、その結果、バイアホール導体５
と配線回路層４の接続部に空隙が発生してしまうためで
ある。なお、前記低融点金属層９の厚みは、バイアホー
ル導体の断面における平均厚みであり、バイアホール導
体長さとは、バイアホール導体５を両側から挟持する配
線回路層４間の距離である。

【００１８】従って、本発明によれば、低融点金属層９
の厚みがバイアホール導体長さの１％より小さいと、低
融点金属層９の形成による作用効果が十分に発揮され
ず、３０％よりも厚いと前述したようにバイアホール導
体の収縮によってバイアホール導体５と配線回路層４の
接続不良が生じるためである。

【００１９】本発明において、配線回路層４は、銅、ア
ルミニウム、銅を含む合金などからなる金属箔が金属粉
末を充填して形成されたバイアホール導体５を封止する
上で望ましいが、その他、配線回路層４をメッキ膜で形
成してもその膜の緻密性から金属箔と同様な作用を有す
る。

【００２０】バイアホール導体５中に充填される金属粉
末としては、銅粉末、銀粉末、銀被覆銅粉末、銅銀合金
のうちのいずれかからなる平均粒径が３〜１０μｍ、特
に３〜７μｍ、最適には３〜５μｍの低抵抗の金属粉末
が望ましい。

【００２１】本発明における絶縁基板３を形成する絶縁
層２は、絶縁材料としての電気的特性、耐熱性、および
機械的強度を有する熱硬化性樹脂、例えば、アラミド樹
脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ
素樹脂、フェニレンエーテル樹脂、ビスマレイミドトリ
アジン樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹
脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アリル樹
脂等が、単独または組み合わせで含む。

【００２２】また、上記の絶縁層２中には、絶縁基板あ
るいは配線基板全体の強度を高めるために、有機樹脂に
対してフィラーを複合化させることもできる。有機樹脂
と複合化されるフィラーとしては、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ
₃、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ
₃、ＳｒＴｉＯ₃、ゼオライト、ＣａＴｉＯ₃、ほう酸
アルミニウム等の無機質フィラーが好適に用いられる。
また、ガラスやアラミド樹脂からなる不織布、織布など
に上記樹脂を含浸させて用いてもよい。なお、有機樹脂
とフィラーとは、体積比率で１５：８５〜５０：５０の
比率で複合化されるのが適当である。これらの中でも、
絶縁層の加工性、強度等の点で、エポキシ樹脂、イミド
樹脂、フェニレンエーテル樹脂と、シリカまたはアラミ
ド不織布との混合物であることが最も望ましい。

【００２３】図１に示した本発明の多層配線基板は、例
えば、具体的に以下の方法によって作製される。まず、
図３に示すように、非硬化または半硬化の軟質状態の絶
縁層１０に対して、所定の箇所にバイアホール１１を形
成した後（図３（ａ））、そのホール１１内に金属粉末
を含む導体ペーストを充填してバイアホール導体１２を
形成する（図３（ｂ））。

【００２４】この絶縁層１０は、前述したような熱硬化
性有機樹脂、または熱硬化性有機樹脂とフィラーなどの
組成物を混練機や３本ロールなどの手段によって十分に
混合し、これを圧延法、押し出し法、射出法、ドクター
ブレード法などによってシート状に成形する。また、所
望により熱処理して熱硬化性樹脂を半硬化させる。半硬
化には、樹脂が完全硬化するのに十分な温度よりもやや
低い温度に加熱すればよい。

【００２５】また、バイアホール１１の形成は、ドリ
ル、パンチング、サンドブラスト、あるいは炭酸ガスレ
ーザ、ＹＡＧレーザ、及びエキシマレーザ等の照射によ
る加工など公知の方法が採用される。

【００２６】また、バイアホール１１内に充填する金属
ペーストは、銅粉末、銀粉末、銀被覆銅粉末、銅銀合金
のうちのいずれかの平均粒径が３〜１０μｍ、特に３〜
７μｍ、最適には３〜５μｍの低抵抗の金属粉末と、粉
末１００重量部に対して樹脂結合剤を２重量部以下、特
に０．０５〜１重量部の割合で含み、さらには適当な溶
剤等を含む。また、場合によっては、適当な硬化剤を含
む場合もある。

【００２７】前記金属粉末の平均粒径が３μｍよりも小
さいと、金属粉末同士の接触抵抗が増加してバイアホー
ル導体の抵抗が高くなる傾向にあり、１０μｍを越える
とバイアホール導体の低抵抗化が難しくなる傾向にあ
る。

【００２８】導体ペースト中の樹脂結合剤としては、前
述した種々の絶縁層を構成する有機樹脂の他、セルロー
スなども使用される。この有機樹脂は、ホール内への充
填性を高めるとともに、前記金属粉末同士および金属粉
末と絶縁層とを結合する作用をなしている。この有機樹
脂は、金属ペースト中において、２重量部を越えると金
属粉末間に樹脂が介在することになり粉末同士を十分に
接触させることが難しくなり、バイアホール導体の抵抗
が大きくなるためである。なお、場合によっては、熱処
理によって樹脂結合剤を分解除去することも可能であ
る。

【００２９】導体ペースト中の溶剤としては、用いる結
合用有機樹脂が溶解可能な溶剤であればよく、例えば、
イソプロピルアルコール、テルピネオール、２−オクタ
ノール、ブチルカルビトールアセテート等が用いられ
る。

【００３０】次に、図３（ｃ）に示すように、形成した
バイアホール導体１２の両端に、インジウム（Ｉｎ）あ
るいは錫（Ｓｎ）を含む低融点金属を塗布して低融点金
属層１３を形成する。この低融点金属層１３の形成方法
としては、直接バイアホール導体１２上に、低融点金属
を含むペーストを印刷塗布するか、低融点金属のメッキ
膜を形成するか、あるいは低融点金属からなるボールを
バイアホール導体１２の端部に埋込むことにより形成す
ることができる。

【００３１】この時、低融点金属層１３の厚みは、その
後の工程によって低融点金属をバイアホール導体内に含
浸させた時の厚みが、バイアホール導体１２長さの１〜
３０％となるような厚みに制御される。

【００３２】次に、図３（ｄ）に示すように、絶縁層１
０の少なくともバイアホール導体１２形成部を含む表面
に、配線回路層１４を形成する。配線回路層１４の形成
は、１）絶縁層１０の表面に金属箔を貼り付けた後、エ
ッチング処理して回路パターンを形成する方法、２）絶
縁層１０表面にレジストを形成して、メッキにより形成
する方法、３）転写フィルム表面に金属箔を貼り付け、
金属箔をエッチング処理して回路パターンを形成した
後、この金属箔からなる配線回路層１４を絶縁層１０表
面に転写させる方法、４）導体ペーストをスクリーン印
刷等の方法で印刷する方法等が挙げられる。

【００３３】なお、配線回路層１４と絶縁層１０との密
着強度を高める上では、絶縁層１０の配線回路層１４の
形成箇所および／または転写フィルム表面の配線回路層
１４表面を０．１μｍ以上、特に０．３μｍ〜３μｍ、
最適には０．３〜１．５μｍに粗面加工することが望ま
しい。また、バイアホール導体１２の両端を封止する上
では、配線回路層１４は、厚みが５〜４０μｍの金属箔
からなることが望ましい。

【００３４】また、配線回路層１４を前記３）の転写法
によって形成する場合には、転写前の金属箔からなる配
線回路層のバイアホール導体１２との接続箇所に、低融
点金属を含むペーストを印刷塗布したり、低融点金属の
メッキ膜を形成し、その後、配線回路層１４をバイアホ
ール導体１２上に転写させることにより、低融点金属層
１３と配線回路層１４とを同時に形成することもでき
る。

【００３５】また、所望により、配線回路層１４とバイ
アホール導体１２間に圧力を印加して、図３（ｅ）に示
すように、配線回路層１４、低融点金属層１３を絶縁層
１０内に埋め込み処理を行うこともできる。

【００３６】その後、絶縁層中に含まれる熱硬化性樹脂
が十分に硬化する温度で加熱して完全硬化させることに
より単層の配線基板を作製することができる。

【００３７】また、多層化する場合には、図３（ａ）〜
（ｄ）あるいは（ａ）〜（ｅ）と同様な方法によって、
バイアホール導体、低融点金属層および配線回路層を形
成した絶縁層を複数作製し、それらを位置合わせして積
層圧着した後、絶縁層中に含まれる熱硬化性樹脂が十分
に硬化する温度で加熱して完全硬化させることにより図
１の多層配線基板を作製することができる。

【００３８】本発明によれば、上記における完全硬化処
理時の加熱処理によって、配線回路層１４とバイアホー
ル導体１２中の金属粉末間に配設した低融点金属層１３
が溶融し、結果として、図２に示すように、バイアホー
ル導体５中の金属粉末７間の間隙中に侵入して、配線回
路層と金属粉末とを結合することができる。

【００３９】なお、低融点金属の融点は、上記の製造方
法を考慮して、絶縁層中の熱硬化性樹脂の硬化温度以下
の温度で溶融可能であることが望ましく、より具体的に
は融点が１５０〜３００℃の範囲が適当である。

【００４０】また、低融点金属層の溶融処理は、熱硬化
性樹脂の完全硬化処理の他、前記図３（ｃ）の低融点金
属層１３を形成した後、あるいは図３（ｄ）の低融点金
属層１３の表面に配線回路層１４を形成して単層の配線
基板を作製し、積層する前に熱処理を施してもよい。

【００４１】かかる観点から、本発明において用いられ
る低融点金属は、少なくともインジウム（Ｉｎ）あるい
は錫（Ｓｎ）を含有するものであるが、具体的には、イ
ンジウム単体、錫単体の他に、鉛、金、銀、銅、ビスマ
スから選ばれる少なくとも１種の金属と複合化すること
ができ、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｎ、Ａｇ
−Ｂｉ−Ｃｕ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｎ等が好適
である。

【００４２】上記のように、本発明においては、配線回
路層とバイアホール導体との接続構造において、所定厚
みの低融点金属層を形成して、バイアホール導体中の金
属粉末と配線回路層とを低融点金属によって結合するこ
とにより、その周辺の絶縁層に悪影響を及ぼすことな
く、配線回路層とバイアホール導体との接続抵抗の低減
とともに、強固で高信頼性の高い接続構造を形成するこ
とができるのである。

【００４３】

【実施例】実施例１平均粒径が約５μｍの略球形の酸化珪素７０体積％、フ
ェニレンエーテル樹脂３０体積％を用いてスラリーを調
製し、このスラリーを用いてドクターブレード法によっ
てキャリアシート上に塗布し、これを５０℃の温度で６
０分間乾燥して厚み１２０μｍの絶縁層を完成した。

【００４４】次に、前記絶縁層に、ＮＣパンチングによ
り直径が０．１ｍｍのスルーホールを形成し、そのホー
ル内に平均粒径５．８μｍの銅粉末、平均粒径６．１μ
ｍの銀２０重量％−銅８０重量％の銀銅合金粉末、平均
粒径が５．３μｍの銀を３重量％の割合で銅粉末表面に
被覆した銀被覆銅粉末のいずれかの粉末９９．８重量部
と、セルロース０．２重量部、溶剤として２−オクタノ
ール１０重量部とを混合して調製した導電性ペーストを
充填してバイアホール導体を形成した。

【００４５】一方、表１に示す各種低融点金属組成物９
９．８重量部、セルロース０．２重量部、溶剤として２
−オクタノール１０重量部とを混合して調製した低融点
金属を含有するペーストを調製した。

【００４６】

【表１】

【００４７】そして、この低融点金属含有ペーストをバ
イアホール導体の両端に２５μｍの厚みで印刷塗布し
た。そして、この絶縁層のバイアホール導体を挟む表面
および裏面に、予め、銅箔からなる配線回路層が形成さ
れた転写フィルムをそれぞれ積層して、５０ｋｇ／ｃｍ
²の圧力で圧着した後、転写フィルムを剥がして、配線
回路層を転写させた。

【００４８】その後、その積層物を１２０℃に加熱して
ペースト中の有機溶剤を揮散除去した後、さらに２００
℃で１時間加熱して低融点金属を溶融させるとともに、
絶縁層を完全に硬化させて、単層の配線基板を作製し
た。得られた配線基板の低融点金属層の厚みは、バイア
ホール導体長さの２０％にあたるものであった。

【００４９】そして、これらの処理後の配線基板におけ
る配線回路層の初期抵抗値を測定した。また、８５℃、
８５％相対湿度において１０００時間経過後の導通抵抗
（テスト１）と、９５％相対湿度中、−５５〜＋１２５
℃の温度範囲において１０００サイクル後の導通抵抗
（テスト２）を測定し、それぞれの条件における（テス
ト後抵抗値／初期抵抗値）×１００（％）で表される抵
抗変化率を計算し表２に示した。

【００５０】

【表２】

【００５１】表２の結果によれば、配線回路層とバイア
ホール導体との間にＩｎおよびＳｎの群から選ばれる少
なくとも１種の低融点金属を被着させた本発明試料は、
配線回路層−バイアホール導体−配線回路層間の初期抵
抗を１０×１０^-5Ω−ｃｍ以下まで低下させることがで
き、しかも、サイクル試験において抵抗の変化が５％以
下の優れた耐久性を示し長期にわたり接続信頼性の高い
ことが確認された。

【００５２】実施例２実施例１の表２中の試料Ｎo.１１、３５の組み合わせに
おいて、バイアホール導体と低融点金属層の厚みとの関
係を表３に示すように種々変更し、実施例１と同様に評
価を行った。

【００５３】

【表３】

【００５４】その結果、低融点金属層の厚みがバイアホ
ール導体長さの１％よりも小さい試料Ｎo.４２、４８で
は、低抵抗化およひ耐久性の効果が十分でなく、また、
３０％を越えた試料Ｎo.４７、５２では、逆に抵抗が増
大した。この試料Ｎo.４７、５２について断面を観察し
た結果、バイアホール中の導体が収縮しており、バイア
ホール導体と配線回路層との界面に空隙が発生している
ことを確認した。

【００５５】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の配線基板に
よれば、配線回路層とバイアホール導体中の金属粉末間
を低融点金属で接合することにより、配線回路層とバイ
アホール導体との接続抵抗を大幅に低減することができ
るとともに、ヒートサイクルやヒートショック等の熱変
形や振動による接続信頼性の低下を抑制することができ
る。これにより、配線層の微細化と高密度化に十分に対
応することができ、超微細化、精密化の要求の応えうる
ことのできる高信頼性の多層配線板を作製することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の一実施態様として多層配線
基板を説明するための概略断面図である。

【図２】図１の多層配線基板における配線回路層とバイ
アホール導体との接触部の拡大断面図である。

【図３】本発明における多層配線基板の製造工程を説明
する工程図である。

【符号の説明】

１多層配線基板２ａ〜２ｄ絶縁層３絶縁基板４配線回路層５バイアホール導体６金属箔７金属粉末８低融点金属９低融点金属層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも有機樹脂を含有する絶縁基板
と、該絶縁基板表面および内部に被着形成された配線回
路層と、前記配線回路層間を電気的に接続するために設
けられ、少なくとも金属粉末を充填してなるバイアホー
ル導体を具備する配線基板において、前記配線回路層と
前記バイアホール導体との接続部に少なくともインジウ
ム（Ｉｎ）あるいは錫（Ｓｎ）を含有する低融点金属層
を前記バイアホール導体長さの１〜３０％の厚みで形成
したことを特徴とする配線基板。
【請求項２】前記配線回路層が、金属箔からなることを
特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】前記バイアホール導体が、銅粉末、銀粉
末、銀−銅合金粉末、銀被覆銅粉末のうちのいずれか１
種からなる平均粒径が３〜１０μｍの金属粉末を充填し
てなることを特徴とする請求項１記載の配線基板。