JPH11214604A - 放熱板付きリードフレーム及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
放熱板付きリードフレーム及びこれを用いた半導体装置Info
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- JPH11214604A JPH11214604A JP10015250A JP1525098A JPH11214604A JP H11214604 A JPH11214604 A JP H11214604A JP 10015250 A JP10015250 A JP 10015250A JP 1525098 A JP1525098 A JP 1525098A JP H11214604 A JPH11214604 A JP H11214604A
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- copper foil
- lead frame
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
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- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅箔と封止材との密着性に優れた放熱板付き
リードフレーム及びこれを用いた電気特性、耐半田リフ
ロー性に優れた半導体装置の提供。 【解決手段】 片面に耐熱接着剤層を積層した銅箔の接
着剤層面を、インナーリードのボンディング面と反対側
面に貼り付けた放熱板付きリードフレームにおいて、接
着剤が芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド、芳香族ポ
リアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポ
リエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド、
芳香族ポリエステル及び芳香族ポリエーテルの１種類以
上を含む耐熱性樹脂組成物であり、接着剤層面と反対の
銅箔面がシラン化合物で処理されている放熱板付きリー
ドフレーム及びこれを用いた半導体装置。
リードフレーム及びこれを用いた電気特性、耐半田リフ
ロー性に優れた半導体装置の提供。 【解決手段】 片面に耐熱接着剤層を積層した銅箔の接
着剤層面を、インナーリードのボンディング面と反対側
面に貼り付けた放熱板付きリードフレームにおいて、接
着剤が芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド、芳香族ポ
リアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポ
リエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド、
芳香族ポリエステル及び芳香族ポリエーテルの１種類以
上を含む耐熱性樹脂組成物であり、接着剤層面と反対の
銅箔面がシラン化合物で処理されている放熱板付きリー
ドフレーム及びこれを用いた半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特に
発熱量の大きな半導体素子を搭載する、樹脂封止型の半
導体装置おいて使用される放熱板付きリードフレーム及
びこれを用いた半導体装置に関する。
発熱量の大きな半導体素子を搭載する、樹脂封止型の半
導体装置おいて使用される放熱板付きリードフレーム及
びこれを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップの高集積化にともな
い、チップの発熱による回路の誤動作や信頼性低下が問
題となっており、これらを防止する方法として、高熱伝
導性の金属等の放熱板をダイパッド及びインナーリード
の裏面に接着してチップで発生する熱をこの放熱板を通
して外部に放熱する、いわゆる、ヒートスプレッダー付
き半導体装置が開発され実用化されている。放熱板の接
着は、両面接着剤付きフィルム、もしくは塗布タイプの
接着剤を用い、ダイパッド裏面やインナーリードのボン
ディング面と反対面に貼り付けられている。
い、チップの発熱による回路の誤動作や信頼性低下が問
題となっており、これらを防止する方法として、高熱伝
導性の金属等の放熱板をダイパッド及びインナーリード
の裏面に接着してチップで発生する熱をこの放熱板を通
して外部に放熱する、いわゆる、ヒートスプレッダー付
き半導体装置が開発され実用化されている。放熱板の接
着は、両面接着剤付きフィルム、もしくは塗布タイプの
接着剤を用い、ダイパッド裏面やインナーリードのボン
ディング面と反対面に貼り付けられている。
【０００３】また、特開平５−２１８２８４号公報に記
載されているような、放熱板用の金属箔に接着剤層を形
成し、その後所定の形状に加工し、インナーリードフレ
ームに圧着する方法が提案され実用化されている。しか
し、これらの構造のリードフレームを用いた半導体装置
は、封止樹脂と放熱板との密着性が悪く、半田リフロー
時に封止樹脂と放熱板間での剥離や、剥離が原因で発生
する封止樹脂のクラック等の問題があり改良が求められ
ていた。これらの問題を解決する方法として、特開平７
−２６３６０５号公報に記載されているような、放熱板
である金属板表面を粗化処理し、樹脂との接着性を向上
させ耐リフロー性を向上する技術が提案されている。し
かしながら、これらの方法では、粗化処理方法として電
解粗化処理、黒色酸化粗化処理や交流粗化処理等の特殊
な方法を用いているため、製造コストが高くなるばかり
か、粗化処理時に粗化処理面と反対面に異物が付着する
等の品質面においても問題点があった。
載されているような、放熱板用の金属箔に接着剤層を形
成し、その後所定の形状に加工し、インナーリードフレ
ームに圧着する方法が提案され実用化されている。しか
し、これらの構造のリードフレームを用いた半導体装置
は、封止樹脂と放熱板との密着性が悪く、半田リフロー
時に封止樹脂と放熱板間での剥離や、剥離が原因で発生
する封止樹脂のクラック等の問題があり改良が求められ
ていた。これらの問題を解決する方法として、特開平７
−２６３６０５号公報に記載されているような、放熱板
である金属板表面を粗化処理し、樹脂との接着性を向上
させ耐リフロー性を向上する技術が提案されている。し
かしながら、これらの方法では、粗化処理方法として電
解粗化処理、黒色酸化粗化処理や交流粗化処理等の特殊
な方法を用いているため、製造コストが高くなるばかり
か、粗化処理時に粗化処理面と反対面に異物が付着する
等の品質面においても問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、シラン
化合物で銅箔の表面を処理すると封止樹脂との接着性が
向上し、リフロー時に樹脂と放熱板の剥離が発生せず、
剥離によって引き起こされるリフロークラックも発生し
なくなることを突き止め本発明に至った。すなわち本発
明は、前記問題を解決するため、封止樹脂との接着性に
優れた放熱板付き半導体装置用リードフレーム並びに電
気特性及び耐リフロー性良好な半導体装置を提供するも
のである。
化合物で銅箔の表面を処理すると封止樹脂との接着性が
向上し、リフロー時に樹脂と放熱板の剥離が発生せず、
剥離によって引き起こされるリフロークラックも発生し
なくなることを突き止め本発明に至った。すなわち本発
明は、前記問題を解決するため、封止樹脂との接着性に
優れた放熱板付き半導体装置用リードフレーム並びに電
気特性及び耐リフロー性良好な半導体装置を提供するも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、片面に耐熱接
着剤層を積層した銅箔の接着剤層面を、インナーリード
のボンディング面と反対側面に貼り付けた放熱板付きリ
ードフレームにおいて、接着剤が芳香族ポリアミド、芳
香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリ
エーテルアミド、芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポ
リエーテルアミドイミド、芳香族ポリエステル及び芳香
族ポリエーテルの１種類以上を含む耐熱性樹脂組成物で
あり、接着剤層面と反対の銅箔面がシラン化合物で処理
されている放熱板付きリードフレーム及びこれを用いた
半導体装置に関する。
着剤層を積層した銅箔の接着剤層面を、インナーリード
のボンディング面と反対側面に貼り付けた放熱板付きリ
ードフレームにおいて、接着剤が芳香族ポリアミド、芳
香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリ
エーテルアミド、芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポ
リエーテルアミドイミド、芳香族ポリエステル及び芳香
族ポリエーテルの１種類以上を含む耐熱性樹脂組成物で
あり、接着剤層面と反対の銅箔面がシラン化合物で処理
されている放熱板付きリードフレーム及びこれを用いた
半導体装置に関する。
【０００６】また、本発明における接着剤は、シリコー
ンゴムフィラーを１０〜８０重量％及び有機溶剤を０．
５〜１０重量％を含むことが好ましい。
ンゴムフィラーを１０〜８０重量％及び有機溶剤を０．
５〜１０重量％を含むことが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の放熱板付きリード
フレームについて詳しく説明する。本発明に用いる銅箔
としては圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられる。銅箔の厚
みは５０〜２００μｍが好ましく、１００〜１５０μｍ
がより好ましい。銅箔の厚みが５０μｍ未満では、放熱
特性が悪くなる傾向があり、また２００μｍを越える
と、接着剤を銅箔表面に形成する時に巻物として取り扱
うことが難しくなり、作業性が悪くなる傾向がある。
フレームについて詳しく説明する。本発明に用いる銅箔
としては圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられる。銅箔の厚
みは５０〜２００μｍが好ましく、１００〜１５０μｍ
がより好ましい。銅箔の厚みが５０μｍ未満では、放熱
特性が悪くなる傾向があり、また２００μｍを越える
と、接着剤を銅箔表面に形成する時に巻物として取り扱
うことが難しくなり、作業性が悪くなる傾向がある。
【０００８】本発明において銅箔面の処理をするシラン
化合物としては、γ−（２−アミノエチル）アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、アミノシラン、
γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、メチルトリ
メトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルト
リアセトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、γ−ア
ニリノプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキ
シシラン等のシランカップリング剤が挙げられる。
化合物としては、γ−（２−アミノエチル）アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、アミノシラン、
γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、メチルトリ
メトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルト
リアセトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、γ−ア
ニリノプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキ
シシラン等のシランカップリング剤が挙げられる。
【０００９】本発明においてシラン化合物を溶解する有
機溶剤としては、シラン化合物を溶解する溶剤であれば
特に制限はないが、メタノール、エタノール、プロパノ
ール、メチルエチルケトン、トルエン等が好ましい。
機溶剤としては、シラン化合物を溶解する溶剤であれば
特に制限はないが、メタノール、エタノール、プロパノ
ール、メチルエチルケトン、トルエン等が好ましい。
【００１０】本発明においてシラン化合物を銅箔面に塗
工する方法としては特に制限はないが、例えば、浸漬コ
ート法、バーコート法、ロールコート法、グラビアロー
ルコート法、リバースロールコート法、スプレーコート
法、カーテンコート法が好ましい。
工する方法としては特に制限はないが、例えば、浸漬コ
ート法、バーコート法、ロールコート法、グラビアロー
ルコート法、リバースロールコート法、スプレーコート
法、カーテンコート法が好ましい。
【００１１】本発明において接着剤層に使用される樹脂
としては、芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド、芳香
族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香
族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミ
ド、芳香族ポリエステル及び芳香族ポリエーテルのうち
１種類以上より選ばれる。
としては、芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド、芳香
族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香
族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミ
ド、芳香族ポリエステル及び芳香族ポリエーテルのうち
１種類以上より選ばれる。
【００１２】本発明におけるシリコーンゴムフィラーと
しては、球状もしくは不定形に超微粒子化したシリコー
ンゴム弾性体が好ましく、特に耐熱性樹脂との相溶性及
び結合性から、シリコーンゴム弾性体の表面にアミノ基
またはエポキシ基を有するシリコーンゴムフィラーがよ
り好ましい。表面にエポキシ基を有するシリコーンゴム
フィラーを用いると、銅箔上に接着剤層を形成する熱乾
燥工程、又は、封止樹脂によるモールド工程中に耐熱性
樹脂及び封止樹脂とエポキシ基が反応して耐熱性良好な
架橋構造となる。シリコーンゴムフィラーの粒径は、
０．１〜２０μｍが好ましく、１〜５μｍがより好まし
い。
しては、球状もしくは不定形に超微粒子化したシリコー
ンゴム弾性体が好ましく、特に耐熱性樹脂との相溶性及
び結合性から、シリコーンゴム弾性体の表面にアミノ基
またはエポキシ基を有するシリコーンゴムフィラーがよ
り好ましい。表面にエポキシ基を有するシリコーンゴム
フィラーを用いると、銅箔上に接着剤層を形成する熱乾
燥工程、又は、封止樹脂によるモールド工程中に耐熱性
樹脂及び封止樹脂とエポキシ基が反応して耐熱性良好な
架橋構造となる。シリコーンゴムフィラーの粒径は、
０．１〜２０μｍが好ましく、１〜５μｍがより好まし
い。
【００１３】本発明におけるシリコーンゴムフィラー量
は、接着剤に対して１０〜８０重量％が好ましく、２０
〜４０重量％がより好ましい。シリコンゴムフィラー量
が１０重量％未満では、絶縁性及び耐リフロー性が低下
する傾向がある。また８０重量％を越えると、接着剤層
の接着力が低くなり、リードフレームと接着しなくなる
傾向がある。
は、接着剤に対して１０〜８０重量％が好ましく、２０
〜４０重量％がより好ましい。シリコンゴムフィラー量
が１０重量％未満では、絶縁性及び耐リフロー性が低下
する傾向がある。また８０重量％を越えると、接着剤層
の接着力が低くなり、リードフレームと接着しなくなる
傾向がある。
【００１４】本発明における接着剤に用いられる有機溶
剤としては特に制限されないが、上記の耐熱性樹脂を溶
解するもの、例えば、 ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン、ｍークレゾール、ピリジン、シクロヘ
キサノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ト
リエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレ
ングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ジオキサン等の極性溶剤が好ましい。
剤としては特に制限されないが、上記の耐熱性樹脂を溶
解するもの、例えば、 ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン、ｍークレゾール、ピリジン、シクロヘ
キサノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ト
リエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレ
ングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ジオキサン等の極性溶剤が好ましい。
【００１５】本発明において接着剤に含まれる有機溶剤
の量としては、０．５〜１０重量％が好ましく、１〜５
重量％がより好ましい。有機溶剤の含有量が０．５重量
％未満では、樹脂の接着温度は低下せず、特に銅系のリ
ードフレームに前記耐熱性樹脂を接着する時に高温で接
着するため、リードフレームが酸化される傾向がある。
また、溶剤含有量が１０重量％を越えると、実装時のリ
フロー温度において溶剤の気化量が多く内圧が高くな
り、封止樹脂にクラックが入りやすい傾向がある。
の量としては、０．５〜１０重量％が好ましく、１〜５
重量％がより好ましい。有機溶剤の含有量が０．５重量
％未満では、樹脂の接着温度は低下せず、特に銅系のリ
ードフレームに前記耐熱性樹脂を接着する時に高温で接
着するため、リードフレームが酸化される傾向がある。
また、溶剤含有量が１０重量％を越えると、実装時のリ
フロー温度において溶剤の気化量が多く内圧が高くな
り、封止樹脂にクラックが入りやすい傾向がある。
【００１６】本発明において銅箔の表面に有機溶剤を含
む接着剤層を形成する方法は、前述した溶剤に耐熱性樹
脂を溶解し、銅箔の表面に塗工し、溶剤量が０．５〜１
０重量％になるように乾燥することが好ましい。
む接着剤層を形成する方法は、前述した溶剤に耐熱性樹
脂を溶解し、銅箔の表面に塗工し、溶剤量が０．５〜１
０重量％になるように乾燥することが好ましい。
【００１７】本発明における接着剤の塗工方法には特に
制限はないが、例えば、ロールコート法、リバースロー
ルコート法、グラビアコート法、バーコート法等が挙げ
られる。接着剤層の厚みとしては、１〜７５μｍが好ま
しく、１０〜３０μｍがより好ましい。接着剤層の厚み
が１μｍ未満では、十分な接着強度が得られない傾向が
あり、また、７５μｍを越えると半導体装置の厚みを薄
くすることが難しくなり、放熱特性も悪くなる傾向があ
る。
制限はないが、例えば、ロールコート法、リバースロー
ルコート法、グラビアコート法、バーコート法等が挙げ
られる。接着剤層の厚みとしては、１〜７５μｍが好ま
しく、１０〜３０μｍがより好ましい。接着剤層の厚み
が１μｍ未満では、十分な接着強度が得られない傾向が
あり、また、７５μｍを越えると半導体装置の厚みを薄
くすることが難しくなり、放熱特性も悪くなる傾向があ
る。
【００１８】
【実施例】以下実施例により本発明を説明するが、本発
明はこれらにより制限されるものではない。 実施例１ 温度計、撹拌機、窒素導入管、冷却管をとりつけた５リ
ットルの４つ口フラスコに窒素下、２，２−ビス〔４
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン２０５ｇ
（０．５モル）、プロピレンオキサイド６９．６ｇ
（１．２モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリドン１２
００ｇに溶解した。この溶液を−５℃に冷却し、この温
度でイソフタル酸クロライド１００．５ｇ（０．４９５
モル）を温度が２０℃を越えないように添加した。その
後室温で３時間撹拌を続けた。得られた反応液をメタノ
ール５０００ｇ中に投入して、重合体を単離させた。こ
れを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解し、これを
メタノール５０００ｇ中に投入し、減圧乾燥して精製さ
れた芳香族ポリアミド粉末を得た。得られたポリアミド
粉末６０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン１４０ｇ、ブ
チルセロソルブ６０ｇに溶解しワニスを得た。シランカ
ップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製
「ＳＨ−６０２０」）１ｇをメタノール１００ｇに溶解
し、１０５μｍの厚さの電解銅箔（日本電解製）の片面
に塗工し、５０℃で３分間乾燥し、片面にシラン化合物
付きの銅箔を得た。
明はこれらにより制限されるものではない。 実施例１ 温度計、撹拌機、窒素導入管、冷却管をとりつけた５リ
ットルの４つ口フラスコに窒素下、２，２−ビス〔４
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン２０５ｇ
（０．５モル）、プロピレンオキサイド６９．６ｇ
（１．２モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリドン１２
００ｇに溶解した。この溶液を−５℃に冷却し、この温
度でイソフタル酸クロライド１００．５ｇ（０．４９５
モル）を温度が２０℃を越えないように添加した。その
後室温で３時間撹拌を続けた。得られた反応液をメタノ
ール５０００ｇ中に投入して、重合体を単離させた。こ
れを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解し、これを
メタノール５０００ｇ中に投入し、減圧乾燥して精製さ
れた芳香族ポリアミド粉末を得た。得られたポリアミド
粉末６０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン１４０ｇ、ブ
チルセロソルブ６０ｇに溶解しワニスを得た。シランカ
ップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製
「ＳＨ−６０２０」）１ｇをメタノール１００ｇに溶解
し、１０５μｍの厚さの電解銅箔（日本電解製）の片面
に塗工し、５０℃で３分間乾燥し、片面にシラン化合物
付きの銅箔を得た。
【００１９】前記のワニスを、銅箔のシランカップリン
グ剤が塗工されていない接着剤層面の銅箔に塗工し、１
００℃で６分間、その後１６０℃で６分間乾燥し、接着
剤層の厚さ２５μmの接着剤層付き銅箔を得た。得られ
た接着剤層付き銅箔の接着剤層中の残存溶剤量を測定し
たところ５重量％であった。得られた接着剤付き銅箔を
２０ｍｍ角に切り取り、厚さ０．２ｍｍの銅製リードフ
レームの接着剤層を上に向けて乗せ、２５０℃の温度で
３ＭＰａの圧力で３秒間加圧して圧着した。接着した後
のリードフレームは反りは無く、接着剤層にも顕微鏡で
調べたところ発泡も無かった。
グ剤が塗工されていない接着剤層面の銅箔に塗工し、１
００℃で６分間、その後１６０℃で６分間乾燥し、接着
剤層の厚さ２５μmの接着剤層付き銅箔を得た。得られ
た接着剤層付き銅箔の接着剤層中の残存溶剤量を測定し
たところ５重量％であった。得られた接着剤付き銅箔を
２０ｍｍ角に切り取り、厚さ０．２ｍｍの銅製リードフ
レームの接着剤層を上に向けて乗せ、２５０℃の温度で
３ＭＰａの圧力で３秒間加圧して圧着した。接着した後
のリードフレームは反りは無く、接着剤層にも顕微鏡で
調べたところ発泡も無かった。
【００２０】次に銀ペースト（日立化成工業製、エピナ
ール）で半導体素子を接着剤層に接着し、リードと半導
体素子を金線で接合し、エポキシ樹脂成形材料（日立化
成工業製、ＣＥＬ−９１００）でトランスファ成形し半
導体装置を作製した。この樹脂封止型半導体装置の８５
℃、８５％ＲＨで１６８時間吸湿後、２４５℃、１０秒
間のＩＲ（赤外線）リフロー後の故障率を調べたとこ
ろ、０／１００（１００個の内０個）と優れていた。ま
た、半導体装置を切断して内部を観察したところ、銅箔
とエポキシ樹脂成形材との剥離は見られなかった。
ール）で半導体素子を接着剤層に接着し、リードと半導
体素子を金線で接合し、エポキシ樹脂成形材料（日立化
成工業製、ＣＥＬ−９１００）でトランスファ成形し半
導体装置を作製した。この樹脂封止型半導体装置の８５
℃、８５％ＲＨで１６８時間吸湿後、２４５℃、１０秒
間のＩＲ（赤外線）リフロー後の故障率を調べたとこ
ろ、０／１００（１００個の内０個）と優れていた。ま
た、半導体装置を切断して内部を観察したところ、銅箔
とエポキシ樹脂成形材との剥離は見られなかった。
【００２１】実施例２ 温度計、撹拌機、窒素導入管、分留頭をとりつけた５リ
ットルの４つ口フラスコに窒素下、２，２−ビス〔４
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン２０５ｇ
（０．５モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリドン１２
００ｇに溶解した。この溶液を−１０℃に冷却し、この
温度でトリメリット酸モノクロライド１０４．２ｇ
（０．４９５モル）を温度が−５℃を越えないように添
加した。トリメリット酸モノクロライドが溶解したら、
トリエチルアミン７６ｇを温度が５℃を越えないように
添加した。室温で１時間撹拌を続けた後、１８０℃で９
時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液
をメタノール５０００ｇ中に投入して、重合体を単離さ
せた。これを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解
し、これをメタノール５０００ｇ中に投入し、減圧乾燥
して精製された芳香族ポリアミドイミド粉末を得た。得
られたポリアミドイミド粉末４０ｇをジグライム１４０
ｇに溶解し、シリコーンゴムフィラー（東レ・ダウコー
ニング・シリコーン社製、トレフィルＥ−６０１）２０
ｇを加え、三本ロールで混合しワニスを得た。シランカ
ップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製
「ＳＨ−６０２０」）１ｇをメタノール１００ｇに溶解
し、１０５μｍの厚さの電解銅箔（日本電解製）の片面
に塗工し、５０℃で３分間乾燥し、片面にシラン化合物
付きの銅箔を得た。
ットルの４つ口フラスコに窒素下、２，２−ビス〔４
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン２０５ｇ
（０．５モル）を入れＮ−メチル−２−ピロリドン１２
００ｇに溶解した。この溶液を−１０℃に冷却し、この
温度でトリメリット酸モノクロライド１０４．２ｇ
（０．４９５モル）を温度が−５℃を越えないように添
加した。トリメリット酸モノクロライドが溶解したら、
トリエチルアミン７６ｇを温度が５℃を越えないように
添加した。室温で１時間撹拌を続けた後、１８０℃で９
時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液
をメタノール５０００ｇ中に投入して、重合体を単離さ
せた。これを乾燥した後ジメチルホルムアミドに溶解
し、これをメタノール５０００ｇ中に投入し、減圧乾燥
して精製された芳香族ポリアミドイミド粉末を得た。得
られたポリアミドイミド粉末４０ｇをジグライム１４０
ｇに溶解し、シリコーンゴムフィラー（東レ・ダウコー
ニング・シリコーン社製、トレフィルＥ−６０１）２０
ｇを加え、三本ロールで混合しワニスを得た。シランカ
ップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン社製
「ＳＨ−６０２０」）１ｇをメタノール１００ｇに溶解
し、１０５μｍの厚さの電解銅箔（日本電解製）の片面
に塗工し、５０℃で３分間乾燥し、片面にシラン化合物
付きの銅箔を得た。
【００２２】前記のワニスを、銅箔のシランカップリン
グ剤が塗工されていない接着剤層面の銅箔に塗工し、１
００℃で５分間、その後１５０゜℃で５分間乾燥し、接
着剤層の厚さ１５μmの接着剤層付き銅箔を得た。得ら
れた接着剤層付き銅箔の接着剤層中の残存溶剤量を測定
したところ３重量％であった。得られた接着剤付き銅箔
を２０ｍｍ角に切り取り、厚さ０．２ｍｍの銅製リード
フレームの接着剤層を上に向けて乗せ、２５０℃の温度
で３ＭＰａの圧力で３秒間加圧して圧着した。接着した
後のリードフレームは反りは無く、接着剤層にも顕微鏡
で調べたところ発泡も無かった。
グ剤が塗工されていない接着剤層面の銅箔に塗工し、１
００℃で５分間、その後１５０゜℃で５分間乾燥し、接
着剤層の厚さ１５μmの接着剤層付き銅箔を得た。得ら
れた接着剤層付き銅箔の接着剤層中の残存溶剤量を測定
したところ３重量％であった。得られた接着剤付き銅箔
を２０ｍｍ角に切り取り、厚さ０．２ｍｍの銅製リード
フレームの接着剤層を上に向けて乗せ、２５０℃の温度
で３ＭＰａの圧力で３秒間加圧して圧着した。接着した
後のリードフレームは反りは無く、接着剤層にも顕微鏡
で調べたところ発泡も無かった。
【００２３】次に、銀ペースト（日立化成工業製、エピ
ナール）で半導体素子を接着剤層に接着し、リードと半
導体素子を金線で接合し、エポキシ樹脂成形材料（日立
化成工業製、ＣＥＬ−９１００）でトランスファ成形し
半導体装置を作製した。この樹脂封止型半導体装置の８
５℃、８５％ＲＨで１６８時間吸湿後、２４５℃、１０
秒間のＩＲリフロー後の故障率を調べたところ、０／１
００（１００個の内０個）と優れていた。また、半導体
装置を切断して内部を観察したところ、銅箔とエポキシ
樹脂成形材との剥離は見られなかった。
ナール）で半導体素子を接着剤層に接着し、リードと半
導体素子を金線で接合し、エポキシ樹脂成形材料（日立
化成工業製、ＣＥＬ−９１００）でトランスファ成形し
半導体装置を作製した。この樹脂封止型半導体装置の８
５℃、８５％ＲＨで１６８時間吸湿後、２４５℃、１０
秒間のＩＲリフロー後の故障率を調べたところ、０／１
００（１００個の内０個）と優れていた。また、半導体
装置を切断して内部を観察したところ、銅箔とエポキシ
樹脂成形材との剥離は見られなかった。
【００２４】実施例３ シランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコ
ーン社製「ＳＨ−６０２０」）５ｇをメタノール１００
ｇに溶解し、１０５μｍの厚さの圧延銅箔（日鉱グール
ド・フォイル社製）の片面に塗工し、５０℃で３分間乾
燥し、片面にシラン化合物付きの銅箔を得た。得られた
銅箔のシランカップリング剤が塗工されていない面に、
実施例２で得られたワニスを塗工し、１００℃で６分、
その後２００℃で６分乾燥して厚さ１５μmの接着剤層
が付いた銅箔を得た。得られた接着剤付き銅箔を２０ｍ
ｍ角に切り取り、厚さ０．２ｍｍの銅製リードフレーム
の上に乗せ、３００℃の温度で５ＭＰａの圧力で３秒間
加圧して圧着した。接着した後のリードフレームは反り
は無く、接着剤層にも顕微鏡で調べたところ発泡も無か
った。
ーン社製「ＳＨ−６０２０」）５ｇをメタノール１００
ｇに溶解し、１０５μｍの厚さの圧延銅箔（日鉱グール
ド・フォイル社製）の片面に塗工し、５０℃で３分間乾
燥し、片面にシラン化合物付きの銅箔を得た。得られた
銅箔のシランカップリング剤が塗工されていない面に、
実施例２で得られたワニスを塗工し、１００℃で６分、
その後２００℃で６分乾燥して厚さ１５μmの接着剤層
が付いた銅箔を得た。得られた接着剤付き銅箔を２０ｍ
ｍ角に切り取り、厚さ０．２ｍｍの銅製リードフレーム
の上に乗せ、３００℃の温度で５ＭＰａの圧力で３秒間
加圧して圧着した。接着した後のリードフレームは反り
は無く、接着剤層にも顕微鏡で調べたところ発泡も無か
った。
【００２５】次に、銀ペースト（日立化成工業製、エピ
ナール）で半導体素子を接着剤層に接着し、リードと半
導体素子を金線で接合し、エポキシ樹脂成形材料（日立
化成工業製、ＣＥＬ−９１００）でトランスファ成形し
半導体装置を作製した。この樹脂封止型半導体装置の８
５℃、８５％ＲＨで１６８時間吸湿後、２４５℃、１０
秒間のＩＲリフロー後の故障率を調べたところ、０／１
００（１００個の内０個）と優れていた。また、半導体
装置を切断して内部を観察したところ、銅箔とエポキシ
樹脂成形材との剥離は見られなかった。
ナール）で半導体素子を接着剤層に接着し、リードと半
導体素子を金線で接合し、エポキシ樹脂成形材料（日立
化成工業製、ＣＥＬ−９１００）でトランスファ成形し
半導体装置を作製した。この樹脂封止型半導体装置の８
５℃、８５％ＲＨで１６８時間吸湿後、２４５℃、１０
秒間のＩＲリフロー後の故障率を調べたところ、０／１
００（１００個の内０個）と優れていた。また、半導体
装置を切断して内部を観察したところ、銅箔とエポキシ
樹脂成形材との剥離は見られなかった。
【００２６】比較例１ 実施例１において作製したワニスを１０５μｍの厚さの
電解銅箔（日本電解製）銅箔の片面に塗工し、１００℃
で６分間、その後１６０℃で６分間乾燥し、接着剤層の
厚さ２５μmの接着剤層付き銅箔を得た。得られた接着
剤層付き銅箔の接着剤層中の残存溶剤量を測定したとこ
ろ５重量％であった。得られた接着剤付き銅箔を２０ｍ
ｍ角に切り取り、厚さ０．２ｍｍの銅製リードフレーム
の上に乗せ、２５０℃の温度で３ＭＰａの圧力で３秒間
加圧して圧着した。接着した後のリードフレームは反り
は無く、接着剤層にも顕微鏡で調べたところ発泡も無か
った。その後、銀ペースト（日立化成工業製、エピナー
ル）で半導体素子を接着剤層に接着し、リードと半導体
素子を金線で接合し、エポキシ樹脂成形材料（日立化成
工業製、ＣＥＬ−９１００）でトランスファ成形し半導
体装置を作製した。この樹脂封止型半導体装置の８５
℃、８５％ＲＨで１６８時間吸湿後、２４５℃、１０秒
間のＩＲリフロー後の故障率を調べたところ、９５／１
００（１００個の内９５個）と悪かった。悪かった半導
体装置の断面を切断し内部を観察したところ、銅箔とエ
ポキシ樹脂成形材が剥離していた。
電解銅箔（日本電解製）銅箔の片面に塗工し、１００℃
で６分間、その後１６０℃で６分間乾燥し、接着剤層の
厚さ２５μmの接着剤層付き銅箔を得た。得られた接着
剤層付き銅箔の接着剤層中の残存溶剤量を測定したとこ
ろ５重量％であった。得られた接着剤付き銅箔を２０ｍ
ｍ角に切り取り、厚さ０．２ｍｍの銅製リードフレーム
の上に乗せ、２５０℃の温度で３ＭＰａの圧力で３秒間
加圧して圧着した。接着した後のリードフレームは反り
は無く、接着剤層にも顕微鏡で調べたところ発泡も無か
った。その後、銀ペースト（日立化成工業製、エピナー
ル）で半導体素子を接着剤層に接着し、リードと半導体
素子を金線で接合し、エポキシ樹脂成形材料（日立化成
工業製、ＣＥＬ−９１００）でトランスファ成形し半導
体装置を作製した。この樹脂封止型半導体装置の８５
℃、８５％ＲＨで１６８時間吸湿後、２４５℃、１０秒
間のＩＲリフロー後の故障率を調べたところ、９５／１
００（１００個の内９５個）と悪かった。悪かった半導
体装置の断面を切断し内部を観察したところ、銅箔とエ
ポキシ樹脂成形材が剥離していた。
【００２７】比較例２ 実施例２において作製したワニスを１０５μｍの厚さの
電解銅箔（日本電解製）銅箔の片面に塗工し、１００℃
で５分間、その後１５０℃で５分間乾燥し、接着剤層の
厚さ１５μmの接着剤層付き銅箔を得た。得られた接着
剤層付き銅箔の接着剤層中の残存溶剤量を測定したとこ
ろ３重量％であった。得られた接着剤付き銅箔を２０ｍ
ｍ角に切り取り、厚さ０．２ｍｍの銅製リードフレーム
の上に乗せ、２５０℃の温度で３ＭＰａの圧力で３秒間
加圧して圧着した。接着した後のリードフレームは反り
は無く、接着剤層にも顕微鏡で調べたところ発泡も無か
った。
電解銅箔（日本電解製）銅箔の片面に塗工し、１００℃
で５分間、その後１５０℃で５分間乾燥し、接着剤層の
厚さ１５μmの接着剤層付き銅箔を得た。得られた接着
剤層付き銅箔の接着剤層中の残存溶剤量を測定したとこ
ろ３重量％であった。得られた接着剤付き銅箔を２０ｍ
ｍ角に切り取り、厚さ０．２ｍｍの銅製リードフレーム
の上に乗せ、２５０℃の温度で３ＭＰａの圧力で３秒間
加圧して圧着した。接着した後のリードフレームは反り
は無く、接着剤層にも顕微鏡で調べたところ発泡も無か
った。
【００２８】次に、銀ペースト（日立化成工業製、エピ
ナール）で半導体素子を接着剤層に接着し、リードと半
導体素子を金線で接合し、エポキシ樹脂成形材料（日立
化成工業製、ＣＥＬ−９１００）でトランスファ成形し
半導体装置を作製した。この樹脂封止型半導体装置の８
５℃、８５％ＲＨで１６８時間吸湿後、２４５℃、１０
秒間のＩＲリフロー後の故障率を調べたところ、９５／
１００（１００個の内９５個）と悪かった。悪かった半
導体装置の断面を切断し内部を観察したところ、銅箔と
エポキシ樹脂成形材が剥離していた。
ナール）で半導体素子を接着剤層に接着し、リードと半
導体素子を金線で接合し、エポキシ樹脂成形材料（日立
化成工業製、ＣＥＬ−９１００）でトランスファ成形し
半導体装置を作製した。この樹脂封止型半導体装置の８
５℃、８５％ＲＨで１６８時間吸湿後、２４５℃、１０
秒間のＩＲリフロー後の故障率を調べたところ、９５／
１００（１００個の内９５個）と悪かった。悪かった半
導体装置の断面を切断し内部を観察したところ、銅箔と
エポキシ樹脂成形材が剥離していた。
【００２９】
【発明の効果】本発明の放熱板付きリードフレームは、
銅箔と封止材との密着性に優れており、樹脂封止型半導
体装置に好適である。また本発明の放熱板付きリードフ
レームを用いた半導体装置は、電気特性、耐半田リフロ
ー性に優れた半導体装置である。
銅箔と封止材との密着性に優れており、樹脂封止型半導
体装置に好適である。また本発明の放熱板付きリードフ
レームを用いた半導体装置は、電気特性、耐半田リフロ
ー性に優れた半導体装置である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｃ０９Ｊ 179/08 Ｃ０９Ｊ 179/08 Ｚ Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】 片面に耐熱接着剤層を積層した銅箔の接
着剤層面を、インナーリードのボンディング面と反対側
面に貼り付けた放熱板付きリードフレームにおいて、接
着剤が芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミド、芳香族ポ
リアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポ
リエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド、
芳香族ポリエステル及び芳香族ポリエーテルの１種類以
上を含む耐熱性樹脂組成物であり、接着剤層面と反対の
銅箔面がシラン化合物で処理されている放熱板付きリー
ドフレーム。 - 【請求項２】 接着剤が、シリコーンゴムフィラーを１
０〜８０重量％及び有機溶剤を０．５〜１０重量％含む
接着剤とした請求項１記載の放熱板付きリードフレー
ム。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の放熱板付きリー
ドフレームを用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10015250A JPH11214604A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 放熱板付きリードフレーム及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10015250A JPH11214604A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 放熱板付きリードフレーム及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214604A true JPH11214604A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11883619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10015250A Pending JPH11214604A (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 放熱板付きリードフレーム及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214604A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004285201A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Ge Plastics Japan Ltd | 接着剤 |
-
1998
- 1998-01-28 JP JP10015250A patent/JPH11214604A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004285201A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Ge Plastics Japan Ltd | 接着剤 |
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