JPH11216591A - 半田付け物品 - Google Patents
半田付け物品Info
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- JPH11216591A JPH11216591A JP1614298A JP1614298A JPH11216591A JP H11216591 A JPH11216591 A JP H11216591A JP 1614298 A JP1614298 A JP 1614298A JP 1614298 A JP1614298 A JP 1614298A JP H11216591 A JPH11216591 A JP H11216591A
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田付け時または半田付け後熱エージングを
行った時に、電極喰われや特性劣化が生じにくい半田付
け物品を提供する。 【解決手段】 溶融したＳｎへ拡散しやすい遷移金属導
体を有する部品を半田により接合してなる半田付け物品
であって、前記半田の組成は、Ｃｏ０．０１〜１重量
％、Ｆｅ０．０１〜０．２重量％、Ｍｎ０．０１〜０．
２重量％、Ｃｒ０．０１〜０．２重量％、Ｐｄ０．０１
〜２重量％の少なくとも１種類と、Ａｇ０．５〜９重量
％、Ｃｕ０．５〜２重量％、Ｓｂ０．５〜５重量％のう
ち少なくとも１種類と、残りＳｎとを含有してなること
を特徴とする半田付け物品。
行った時に、電極喰われや特性劣化が生じにくい半田付
け物品を提供する。 【解決手段】 溶融したＳｎへ拡散しやすい遷移金属導
体を有する部品を半田により接合してなる半田付け物品
であって、前記半田の組成は、Ｃｏ０．０１〜１重量
％、Ｆｅ０．０１〜０．２重量％、Ｍｎ０．０１〜０．
２重量％、Ｃｒ０．０１〜０．２重量％、Ｐｄ０．０１
〜２重量％の少なくとも１種類と、Ａｇ０．５〜９重量
％、Ｃｕ０．５〜２重量％、Ｓｂ０．５〜５重量％のう
ち少なくとも１種類と、残りＳｎとを含有してなること
を特徴とする半田付け物品。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田付け物品に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子機器や電子部品の電気的
・機械的な接続を得るために半田が用いられている。こ
の半田は、ＳｎとＰｂを主成分としたもの（以下Ｓｎ−
Ｐｂ系半田とする。）が一般的に用いられてきたが、地
球環境を考慮してＰｂを含まないＳｎを主成分とし残部
がＡｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｂなどからなる半田（以
下、Ｐｂフリー半田とする。）が用いられるようになっ
てきている。
・機械的な接続を得るために半田が用いられている。こ
の半田は、ＳｎとＰｂを主成分としたもの（以下Ｓｎ−
Ｐｂ系半田とする。）が一般的に用いられてきたが、地
球環境を考慮してＰｂを含まないＳｎを主成分とし残部
がＡｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｂなどからなる半田（以
下、Ｐｂフリー半田とする。）が用いられるようになっ
てきている。
【０００３】近年においてはこのＰｂフリー半田を用い
ることによって、半田付け性が良好な電気的接合部を有
する半田付け物品が製造されてきた。
ることによって、半田付け性が良好な電気的接合部を有
する半田付け物品が製造されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｓｎが
主成分である半田、特にＰｂフリー半田を用いた半田付
け物品では、半田付け時に電極喰われが起こったり、高
温放置や熱エージングを行った場合に、Ｓｎの拡散によ
る電気的、機械的性質の劣化が起こるといった問題点が
あった。
主成分である半田、特にＰｂフリー半田を用いた半田付
け物品では、半田付け時に電極喰われが起こったり、高
温放置や熱エージングを行った場合に、Ｓｎの拡散によ
る電気的、機械的性質の劣化が起こるといった問題点が
あった。
【０００５】本発明の目的は、半田付け時または半田付
け後熱エージングを行った時に、電極喰われや特性劣化
が生じにくい半田付け物品を提供することにある。
け後熱エージングを行った時に、電極喰われや特性劣化
が生じにくい半田付け物品を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために半田付け物品を完成するに至った。本願
第１の発明の半田付け物品は、溶融したＳｎへ拡散しや
すい遷移金属導体を有する部品を半田により接合してな
る半田付け物品であって、前記半田の組成は、Ｃｏ０．
０１〜１重量％、Ｆｅ０．０１〜０．２重量％、Ｍｎ
０．０１〜０．２重量％、Ｃｒ０．０１〜０．２重量
％、Ｐｄ０．０１〜２重量％の少なくとも１種類と、Ａ
ｇ０．５〜９重量％、Ｃｕ０．５〜２重量％、Ｓｂ０．
５〜５重量％のうち少なくとも１種類と、残りＳｎとを
含有してなることを特徴とする。
解決するために半田付け物品を完成するに至った。本願
第１の発明の半田付け物品は、溶融したＳｎへ拡散しや
すい遷移金属導体を有する部品を半田により接合してな
る半田付け物品であって、前記半田の組成は、Ｃｏ０．
０１〜１重量％、Ｆｅ０．０１〜０．２重量％、Ｍｎ
０．０１〜０．２重量％、Ｃｒ０．０１〜０．２重量
％、Ｐｄ０．０１〜２重量％の少なくとも１種類と、Ａ
ｇ０．５〜９重量％、Ｃｕ０．５〜２重量％、Ｓｂ０．
５〜５重量％のうち少なくとも１種類と、残りＳｎとを
含有してなることを特徴とする。
【０００７】また、本願第２の発明の半田付け物品にお
いては、前記遷移金属導体は、Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ａ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｎの単体もしくはそれらの合金のう
ち少なくとも１種類を用いることを特徴とする。
いては、前記遷移金属導体は、Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ａ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｎの単体もしくはそれらの合金のう
ち少なくとも１種類を用いることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
説明する。本発明の半田付け物品は、溶融したＳｎへ拡
散しやすい遷移金属導体を有する部品を半田により接合
してなる半田付け物品であり、半田の組成はＣｏ０．０
１〜１重量％、Ｆｅ０．０１〜０．２重量％、Ｍｎ０．
０１〜０．２重量％、Ｃｒ０．０１〜０．２重量％、Ｐ
ｄ０．０１〜２重量％の少なくとも１種類と、Ａｇ０．
５〜９重量％、Ｃｕ０．５〜２重量％、Ｓｂ０．５〜５
重量％のうち少なくとも１種類と、残りＳｎとを含有す
る組成である。このような組成により、半田付け性、接
合強度が良好であるとともに、十分な耐電極喰われ性を
有する半田付け物品を提供することが可能となる。
説明する。本発明の半田付け物品は、溶融したＳｎへ拡
散しやすい遷移金属導体を有する部品を半田により接合
してなる半田付け物品であり、半田の組成はＣｏ０．０
１〜１重量％、Ｆｅ０．０１〜０．２重量％、Ｍｎ０．
０１〜０．２重量％、Ｃｒ０．０１〜０．２重量％、Ｐ
ｄ０．０１〜２重量％の少なくとも１種類と、Ａｇ０．
５〜９重量％、Ｃｕ０．５〜２重量％、Ｓｂ０．５〜５
重量％のうち少なくとも１種類と、残りＳｎとを含有す
る組成である。このような組成により、半田付け性、接
合強度が良好であるとともに、十分な耐電極喰われ性を
有する半田付け物品を提供することが可能となる。
【０００９】すなわち、微少量添加されたＣｏ，Ｆｅ，
Ｍｎ，Ｃｒ，Ｐｄが導体と半田の接合界面に偏析層を形
成し、導体の溶融半田中への拡散を防ぎ、電極喰われを
防止するためである。
Ｍｎ，Ｃｒ，Ｐｄが導体と半田の接合界面に偏析層を形
成し、導体の溶融半田中への拡散を防ぎ、電極喰われを
防止するためである。
【００１０】上記Ｃｏの添加量を全体１００重量％のう
ち０．０１〜１重量％としたのは、Ｃｏの添加量が０．
０１重量％未満の場合には耐電極喰われ性が劣化するか
らである。一方、Ｃｏの添加量が１重量％を超える場合
には液相線温度が上昇し、溶融特性を阻害するからであ
る。なお、より好ましいＣｏ添加量は０．０１〜０．５
重量％の範囲であり、特にＣｏ添加量が０．５重量％の
ときが好ましい。
ち０．０１〜１重量％としたのは、Ｃｏの添加量が０．
０１重量％未満の場合には耐電極喰われ性が劣化するか
らである。一方、Ｃｏの添加量が１重量％を超える場合
には液相線温度が上昇し、溶融特性を阻害するからであ
る。なお、より好ましいＣｏ添加量は０．０１〜０．５
重量％の範囲であり、特にＣｏ添加量が０．５重量％の
ときが好ましい。
【００１１】上記Ｆｅの添加量を全体１００重量％のう
ち０．０１〜０．２重量％としたのは、Ｆｅの添加量が
０．０１重量％未満の場合には耐電極喰われ性が劣化す
るからである。一方、Ｆｅの添加量が０．２重量％を超
える場合には液相線温度が上昇し、溶融特性を阻害する
からである。なお、より好ましいＦｅ添加量は０．０１
〜０．１重量％の範囲であり、特にＦｅ添加量が０．１
重量％のときが望ましい。
ち０．０１〜０．２重量％としたのは、Ｆｅの添加量が
０．０１重量％未満の場合には耐電極喰われ性が劣化す
るからである。一方、Ｆｅの添加量が０．２重量％を超
える場合には液相線温度が上昇し、溶融特性を阻害する
からである。なお、より好ましいＦｅ添加量は０．０１
〜０．１重量％の範囲であり、特にＦｅ添加量が０．１
重量％のときが望ましい。
【００１２】上記Ｍｎの添加量を全体１００重量％のう
ち０．０１〜０．２重量％としたのは、Ｍｎの添加量が
０．０１重量％未満の場合には耐電極喰われ性が劣化す
るからである。一方、Ｍｎの添加量が０．２重量％を超
える場合には液相線温度が上昇し、溶融特性を阻害する
からである。なお、より好ましいＭｎ添加量は０．０１
〜０．１重量％の範囲であり、特にＭｎ添加量が０．１
重量％のときが望ましい。
ち０．０１〜０．２重量％としたのは、Ｍｎの添加量が
０．０１重量％未満の場合には耐電極喰われ性が劣化す
るからである。一方、Ｍｎの添加量が０．２重量％を超
える場合には液相線温度が上昇し、溶融特性を阻害する
からである。なお、より好ましいＭｎ添加量は０．０１
〜０．１重量％の範囲であり、特にＭｎ添加量が０．１
重量％のときが望ましい。
【００１３】上記Ｃｒの添加量を全体重量１００重量％
のうち０．０１〜０．２重量％としたのは、Ｃｒの添加
量が０．０１重量％未満の場合には耐電極喰われ性が劣
化するからである。一方、Ｃｒの添加量が０．２重量％
を超える場合には液相線温度が上昇し、溶融特性を阻害
するからである。なお、より好ましいＣｒ添加量は０．
０１〜０．１重量％の範囲であり、特にＣｒ添加量が
０．１重量％のときが望ましい。
のうち０．０１〜０．２重量％としたのは、Ｃｒの添加
量が０．０１重量％未満の場合には耐電極喰われ性が劣
化するからである。一方、Ｃｒの添加量が０．２重量％
を超える場合には液相線温度が上昇し、溶融特性を阻害
するからである。なお、より好ましいＣｒ添加量は０．
０１〜０．１重量％の範囲であり、特にＣｒ添加量が
０．１重量％のときが望ましい。
【００１４】上記Ｐｄの添加量を全体重量１００重量％
のうち０．０１〜２重量％としたのは、Ｐｄの添加量が
０．０１重量％未満の場合には耐電極喰われ性が劣化す
るからである。一方、Ｐｄの添加量が２重量％を超える
場合には液相線温度が上昇し、溶融特性を阻害するから
である。なお、より好ましいＰｄ添加量は０．０１〜１
重量％の範囲であり、特にＰｄ添加量が０．５重量％の
ときが望ましい。
のうち０．０１〜２重量％としたのは、Ｐｄの添加量が
０．０１重量％未満の場合には耐電極喰われ性が劣化す
るからである。一方、Ｐｄの添加量が２重量％を超える
場合には液相線温度が上昇し、溶融特性を阻害するから
である。なお、より好ましいＰｄ添加量は０．０１〜１
重量％の範囲であり、特にＰｄ添加量が０．５重量％の
ときが望ましい。
【００１５】上記Ａｇの添加量を全体重量１００重量％
のうち０．５〜９としたのは、Ａｇの添加量が０．５重
量％未満の場合には強度改善効果が小さいからである。
一方、Ａｇの添加量が９重量％を超える場合には、過剰
のＡｇ3Ｓｎ金属間化合物が析出することによる接合強
度低下と、半田液相線温度が上昇することによる溶融特
性が阻害されるからである。
のうち０．５〜９としたのは、Ａｇの添加量が０．５重
量％未満の場合には強度改善効果が小さいからである。
一方、Ａｇの添加量が９重量％を超える場合には、過剰
のＡｇ3Ｓｎ金属間化合物が析出することによる接合強
度低下と、半田液相線温度が上昇することによる溶融特
性が阻害されるからである。
【００１６】上記Ｃｕの添加量を全体重量１００重量％
のうち０．５〜２重量％としたのは、Ｃｕの添加量が
０．５重量％未満の場合には、強度改善効果が小さいか
らである。一方、Ｃｕの添加量が２重量％を超える場合
には、過剰のＣｕ6Ｓｎ5，Ｃｕ3Ｓｎ金属間化合物が析
出することによる接合強度低下と、半田液相線温度が上
昇することによる溶融特性が阻害されるからである。
のうち０．５〜２重量％としたのは、Ｃｕの添加量が
０．５重量％未満の場合には、強度改善効果が小さいか
らである。一方、Ｃｕの添加量が２重量％を超える場合
には、過剰のＣｕ6Ｓｎ5，Ｃｕ3Ｓｎ金属間化合物が析
出することによる接合強度低下と、半田液相線温度が上
昇することによる溶融特性が阻害されるからである。
【００１７】上記Ｓｂの添加量を全体重量１００重量％
のうち０．５〜１２重量％としたのは、Ｓｂの添加量が
０．５重量％未満の場合には、強度改善効果が小さいか
らである。一方、Ｓｂの添加量が１２重量％を超える場
合には、伸びが低下することによって熱衝撃性や加工性
が阻害されるからである。
のうち０．５〜１２重量％としたのは、Ｓｂの添加量が
０．５重量％未満の場合には、強度改善効果が小さいか
らである。一方、Ｓｂの添加量が１２重量％を超える場
合には、伸びが低下することによって熱衝撃性や加工性
が阻害されるからである。
【００１８】本発明でいう溶融したＳｎへ拡散しやすい
遷移金属導体の組成としては、Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ａ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｎの単体などが代表的である。な
お、これらの遷移金属の合金、例えばＡｇ／Ｐｄ，Ａｇ
／Ｐｔ等でもよい。より好ましくは、Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ
の単体もしくはその合金である。このような電極喰われ
しやすい導体を有する物品に用いても、半田付け性、接
合強度を維持しつつ電極喰われ抑制が可能となる。
遷移金属導体の組成としては、Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ａ
ｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｎの単体などが代表的である。な
お、これらの遷移金属の合金、例えばＡｇ／Ｐｄ，Ａｇ
／Ｐｔ等でもよい。より好ましくは、Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ
の単体もしくはその合金である。このような電極喰われ
しやすい導体を有する物品に用いても、半田付け性、接
合強度を維持しつつ電極喰われ抑制が可能となる。
【００１９】上記遷移金属導体には必要に応じてガラス
フリットや種々の添加剤（金属酸化物など）が添加され
るが、導電成分である金属組成が上記のような組成であ
れば同様の効果が得られることは勿論である。また、半
田組成として、作業温度を下げる目的でＢｉ，Ｉｎ等の
低融点金属を添加した場合も同様の効果が得られる。
フリットや種々の添加剤（金属酸化物など）が添加され
るが、導電成分である金属組成が上記のような組成であ
れば同様の効果が得られることは勿論である。また、半
田組成として、作業温度を下げる目的でＢｉ，Ｉｎ等の
低融点金属を添加した場合も同様の効果が得られる。
【００２０】ここで、本発明においては、半田組成とし
て上記成分以外に不可避不純物を含むものであってもよ
い。不可避不純物としては、半田を製造するときに混入
する元素もしくは元々入っていた元素、例えばＰｂ，Ｂ
ｉ，Ｃｕ，Ｎａなどが挙げられる。
て上記成分以外に不可避不純物を含むものであってもよ
い。不可避不純物としては、半田を製造するときに混入
する元素もしくは元々入っていた元素、例えばＰｂ，Ｂ
ｉ，Ｃｕ，Ｎａなどが挙げられる。
【００２１】本発明の半田付け物品は、例えば、主成分
のＳｎに上記添加成分を溶解させた半田をボール状に加
工し、半田ボ−ルを部品上あるいは基板上に載せてフラ
ックスを塗布した後、大気中で所定の温度に加熱して部
品の導体を接合することにより容易に作成することが可
能である。
のＳｎに上記添加成分を溶解させた半田をボール状に加
工し、半田ボ−ルを部品上あるいは基板上に載せてフラ
ックスを塗布した後、大気中で所定の温度に加熱して部
品の導体を接合することにより容易に作成することが可
能である。
【００２２】なお、一般的には半田付け性向上のために
Ｎ2雰囲気で半田付けすることが多いが、本発明ではＣ
ｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐｄの添加量が少ないため、大
気中で半田付けすることが可能である。
Ｎ2雰囲気で半田付けすることが多いが、本発明ではＣ
ｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐｄの添加量が少ないため、大
気中で半田付けすることが可能である。
【００２３】本発明の半田付け物品とは、接合される部
品そのものと、部品の導体同士を電気的、機械的に接合
した半田接合部とを含めた全体を意味するものであり、
さまざまな形態があるが、例えば、部品搭載基板に形成
された導体と部品に形成された導体を電気的、機械的に
接続させるために半田付けさせたものや、電子部品素子
と端子を電気的、機械的に接続させるために半田つけさ
せたものや、電子部品素子の電極同士を電気的、機械的
に接続させるために半田付けさせたものなどが代表的で
ある。
品そのものと、部品の導体同士を電気的、機械的に接合
した半田接合部とを含めた全体を意味するものであり、
さまざまな形態があるが、例えば、部品搭載基板に形成
された導体と部品に形成された導体を電気的、機械的に
接続させるために半田付けさせたものや、電子部品素子
と端子を電気的、機械的に接続させるために半田つけさ
せたものや、電子部品素子の電極同士を電気的、機械的
に接続させるために半田付けさせたものなどが代表的で
ある。
【００２４】上記部品搭載基板としては、例えば、ガラ
スエポキシ製のプリント基板やフェノール製のプリント
基板、アルミナなどのセラミック基板、金属の表面にセ
ラミック等の絶縁膜を有する基板などが挙げられる。さ
らに、上記導体としては、プリント基板等の配線回路、
電子部品の端子電極、リード端子などが挙げられる。
スエポキシ製のプリント基板やフェノール製のプリント
基板、アルミナなどのセラミック基板、金属の表面にセ
ラミック等の絶縁膜を有する基板などが挙げられる。さ
らに、上記導体としては、プリント基板等の配線回路、
電子部品の端子電極、リード端子などが挙げられる。
【００２５】このようにして作製された本発明の半田付
け物品は、半田付け性、接合強度が良好であり、かつ、
優れた耐電極喰われ性を有しているため、半田付け温度
を自由に設定することが可能で作業性に優れたものとな
る。また、Ａｇ等の高価な電極喰われ抑制元素の添加量
を少なくすることが可能となる。次に、本発明を実施例
に基づき、さらに具体的に説明するが、本発明はかかる
実施例のみに限定されるものではない。
け物品は、半田付け性、接合強度が良好であり、かつ、
優れた耐電極喰われ性を有しているため、半田付け温度
を自由に設定することが可能で作業性に優れたものとな
る。また、Ａｇ等の高価な電極喰われ抑制元素の添加量
を少なくすることが可能となる。次に、本発明を実施例
に基づき、さらに具体的に説明するが、本発明はかかる
実施例のみに限定されるものではない。
【００２６】
【実施例１】表１に本実施例で用いる半田組成を示す。
なお、比較例の組成も表１に併せて示す。
なお、比較例の組成も表１に併せて示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】さらに表１に示した半田について、半田付
け時の耐電極喰われ性、半田付け性の評価結果を表２に
示す。
け時の耐電極喰われ性、半田付け性の評価結果を表２に
示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】ここで、半田付け時の耐電極喰われ性評価
は静電容量変化法で測定をおこなった。Ｃｕ電極（膜厚
３μｍ）或いはＡｇ電極（膜厚２０μｍ）を印刷焼成し
た単板コンデンサを半田に浸漬し、浸漬前後の静電容量
の差分値をとり、浸漬前の静電容量に対する前記差分値
を求めて電極の残存率を算出した。評価を行った半田付
け温度は表２に示す。Ｃｕ電極は１０秒間浸漬後の容量
変化、Ａｇ電極は喰われ易いので３秒間浸漬後の容量変
化を測定した。
は静電容量変化法で測定をおこなった。Ｃｕ電極（膜厚
３μｍ）或いはＡｇ電極（膜厚２０μｍ）を印刷焼成し
た単板コンデンサを半田に浸漬し、浸漬前後の静電容量
の差分値をとり、浸漬前の静電容量に対する前記差分値
を求めて電極の残存率を算出した。評価を行った半田付
け温度は表２に示す。Ｃｕ電極は１０秒間浸漬後の容量
変化、Ａｇ電極は喰われ易いので３秒間浸漬後の容量変
化を測定した。
【００３１】Ｃｕ電極において、いずれの場合も比較例
と比較すると、本発明の添加元素が電極食われ抑制に効
果があった。実施例２〜３、実施例７〜９、実施例１１
〜１２、実施例１４〜１７、実施例１９〜２２、実施例
２４〜３２は電極残存率が９５％以上であり、いずれも
非常に良好な耐電極喰われ性を示した。また、代表的な
Ｐｂフリー半田である比較例１〜２では、電極残存率が
９０％以下であり、耐電極喰われ性に問題が見られた。
と比較すると、本発明の添加元素が電極食われ抑制に効
果があった。実施例２〜３、実施例７〜９、実施例１１
〜１２、実施例１４〜１７、実施例１９〜２２、実施例
２４〜３２は電極残存率が９５％以上であり、いずれも
非常に良好な耐電極喰われ性を示した。また、代表的な
Ｐｂフリー半田である比較例１〜２では、電極残存率が
９０％以下であり、耐電極喰われ性に問題が見られた。
【００３２】実施例１、４、１０、１３は７７〜８６％
の電極残存率であり他の実施例より電極喰われ抑制効果
が小さいが、これは有効元素の添加量が少ないためであ
る。また実施例１８も他の実施例より電極喰われ抑制効
果が小さいが、これは半田付け温度が高いためである。
また実施例５〜６も他の実施例より耐電極喰われ効果が
小さいが、これはＦｅの電極喰われ抑制効果が他の元素
より小さいためである。但しいずれの組成も、半田付け
条件次第では使用可能なレベルである。
の電極残存率であり他の実施例より電極喰われ抑制効果
が小さいが、これは有効元素の添加量が少ないためであ
る。また実施例１８も他の実施例より電極喰われ抑制効
果が小さいが、これは半田付け温度が高いためである。
また実施例５〜６も他の実施例より耐電極喰われ効果が
小さいが、これはＦｅの電極喰われ抑制効果が他の元素
より小さいためである。但しいずれの組成も、半田付け
条件次第では使用可能なレベルである。
【００３３】またＡｇ電極においてもＣｕと類似の傾向
があり、いずれの場合も比較例と比較すると本発明の添
加元素が電極食われ抑制に効果があった。
があり、いずれの場合も比較例と比較すると本発明の添
加元素が電極食われ抑制に効果があった。
【００３４】半田付け性については、半田広がり率（Ｊ
ＩＳＺ３１９７に準拠）を用いて評価をおこなった。実
施例１〜２、実施例４、実施例７、実施例１０、実施例
１３〜１４、実施例１７〜１９、実施例２３〜２６、実
施例３０〜３２については、いずれも半田広がり率が７
０％以上であり、非常に良好な半田付け性であった。ま
た比較例１〜３についても、いずれも半田広がり率が７
０％以上であり、非常に良好な半田付け性であった。
ＩＳＺ３１９７に準拠）を用いて評価をおこなった。実
施例１〜２、実施例４、実施例７、実施例１０、実施例
１３〜１４、実施例１７〜１９、実施例２３〜２６、実
施例３０〜３２については、いずれも半田広がり率が７
０％以上であり、非常に良好な半田付け性であった。ま
た比較例１〜３についても、いずれも半田広がり率が７
０％以上であり、非常に良好な半田付け性であった。
【００３５】実施例３、実施例６、実施例９、実施例１
２、実施例１５〜１６は半田広がり率が低下している
が、これは有効元素の添加量が多いために液相温度が上
昇し、半田の流動性が阻害されたためである。また実施
例８〜９、実施例１１〜１２、実施例２１〜２２、実施
例２８〜２９は他の実施例より低い半田広がり率を示し
ているが、これは有効元素（Ｍｎ、Ｃｒ）が酸化しやす
いためである。但しいずれの組成も、半田付け条件次第
では使用可能なレベルである。
２、実施例１５〜１６は半田広がり率が低下している
が、これは有効元素の添加量が多いために液相温度が上
昇し、半田の流動性が阻害されたためである。また実施
例８〜９、実施例１１〜１２、実施例２１〜２２、実施
例２８〜２９は他の実施例より低い半田広がり率を示し
ているが、これは有効元素（Ｍｎ、Ｃｒ）が酸化しやす
いためである。但しいずれの組成も、半田付け条件次第
では使用可能なレベルである。
【００３６】また実施例１８、実施例２５、実施例３２
に示すように、Ｓｂ、Ａｇ、Ｃｕの添加量を増加すると
半田広がり率が高くなっているが、これは液相温度の上
昇に伴い半田付け温度を上昇させた影響がでたものであ
る。
に示すように、Ｓｂ、Ａｇ、Ｃｕの添加量を増加すると
半田広がり率が高くなっているが、これは液相温度の上
昇に伴い半田付け温度を上昇させた影響がでたものであ
る。
【００３７】
【発明の効果】このように本発明の半田付け物品を用い
れば、半田接合部において半田付け性が良好であるとと
もに、優れた耐電極喰われ性を備えることが可能であ
る。また、この耐電極喰われ性は、半田付け時の電極喰
われにとどまらず、半田付け後の半田付け物品の高温放
置時の電極喰われについても抑制可能である。
れば、半田接合部において半田付け性が良好であるとと
もに、優れた耐電極喰われ性を備えることが可能であ
る。また、この耐電極喰われ性は、半田付け時の電極喰
われにとどまらず、半田付け後の半田付け物品の高温放
置時の電極喰われについても抑制可能である。
【００３８】また、Ｐｂフリー半田で課題となっている
電極喰われを抑制できるため、半田のＰｂフリー化がよ
り実用的となり、環境にやさしい製品を提供することが
可能になる。
電極喰われを抑制できるため、半田のＰｂフリー化がよ
り実用的となり、環境にやさしい製品を提供することが
可能になる。
Claims (2)
- 【請求項１】 溶融したＳｎへ拡散しやすい遷移金属導
体を有する部品を半田により接合してなる半田付け物品
であって、 前記半田の組成は、Ｃｏ０．０１〜１重量％、Ｆｅ０．
０１〜０．２重量％、Ｍｎ０．０１〜０．２重量％、Ｃ
ｒ０．０１〜０．２重量％、Ｐｄ０．０１〜２重量％の
少なくとも１種類と、 Ａｇ０．５〜９重量％、Ｃｕ０．５〜２重量％、Ｓｂ
０．５〜５重量％のうち少なくとも１種類と、 残りＳｎとを含有してなることを特徴とする半田付け物
品。 - 【請求項２】 前記遷移金属導体は、Ｃｕ，Ａｇ，Ｎ
ｉ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｎの単体もしくはそれらの合
金のうち少なくとも１種類を用いることを特徴とする請
求項１に記載の半田付け物品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01614298A JP3684811B2 (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 半田および半田付け物品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01614298A JP3684811B2 (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 半田および半田付け物品 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002089344A Division JP3700668B2 (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 半田および半田付け物品 |
| JP2004116071A Division JP3685202B2 (ja) | 2004-04-09 | 2004-04-09 | 半田および半田付け物品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11216591A true JPH11216591A (ja) | 1999-08-10 |
| JP3684811B2 JP3684811B2 (ja) | 2005-08-17 |
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ID=11908256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01614298A Expired - Lifetime JP3684811B2 (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 半田および半田付け物品 |
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| JP2004154865A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-06-03 | Senju Metal Ind Co Ltd | 鉛フリーはんだボール用合金とはんだボール |
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| JP2007038228A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Nihon Almit Co Ltd | はんだ合金 |
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-
1998
- 1998-01-28 JP JP01614298A patent/JP3684811B2/ja not_active Expired - Lifetime
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