JPH11216663A - 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 - Google Patents

研磨パッド、研磨装置および研磨方法

Info

Publication number
JPH11216663A
JPH11216663A JP2216498A JP2216498A JPH11216663A JP H11216663 A JPH11216663 A JP H11216663A JP 2216498 A JP2216498 A JP 2216498A JP 2216498 A JP2216498 A JP 2216498A JP H11216663 A JPH11216663 A JP H11216663A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing pad
polishing
groove
rotation
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2216498A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideharu Nakajima
英晴 中嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2216498A priority Critical patent/JPH11216663A/ja
Priority to US09/239,779 priority patent/US6159088A/en
Publication of JPH11216663A publication Critical patent/JPH11216663A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】研磨スラリの使用量削減によるプロセスコスト
の削減、ウェーハ表面の研磨品質の向上を同時に実現す
ることが可能な化学的機械研磨用の研磨パッド、およ
び、これを用いた研磨装置、研磨方法を提供する。 【解決手段】化学的機械研磨法による研磨処理に用いる
研磨パッドであって、研磨パッドの所定の半径Ｒを中心
として、研磨パッドの回転又は進行方向３０側の第１の
領域Ａとその反対側の第２の領域Ｂとを備え、研磨パッ
ドの回転又は進行方向３０と反対方向に凸部２０３を有
する溝を、第２の領域Ｂ側のみに有する構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程において化学的機械研磨（ＣＭＰ；ChemicalMechan
ical Polishing ）法により層間絶縁膜の平坦化処理な
どを行う時に用いる研磨パッドおよびこの研磨パッドを
用いた研磨装置、研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体集積回路の微細化および高
集積化は３年で次世代へ進み、デザインルールは前世代
の７割の縮小化が行われ、縮小化に伴い半導体装置の高
速化も実現してきた。半導体装置を微細に加工するため
に、例えばトランジスタのゲート電極のゲート幅やＤＲ
ＡＭなどでのキャパシタの占有面積を狭め、配線部も同
様に、多層配線構造とするなど、微細に加工することが
必要になってきており、さらにコンタクトホールなども
同様に微細な開口径のものを形成することが重要になっ
てきている。トランジスタやキャパシタなどのデバイス
が複雑な構造になって立体化するに伴い、層間絶縁膜は
厚膜化してきている。
【０００３】上記の微細化は、半導体装置の製造工程に
おける微細加工技術の進歩、特に、光を利用して回路パ
ターンをウェーハ面上に塗布された感光性有機膜（フォ
トレジスト）に転写する技術であるリソグラフィー工程
における高解像力化により達成されてきた。具体的に
は、リソグラフィー工程に用いられる光源が短波長化さ
れ、例えば、１．０〜０．５μｍルールの半導体集積回
路のパターン転写には、ｇ線（４３６ｎｍ）あるいはｉ
線（３６５ｎｍ）が用いられており、０．３５μｍルー
ルのパターン転写には、主にｉ線が用いられている。ま
た、０．２５μｍルール以降の半導体集積回路の製造の
ために、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８．８ｎｍ）ある
いはＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）を用いて露光
する技術が開発されている。
【０００４】上記のように、リソグラフィー工程におけ
る解像度の向上は、一方でリソグラフィー工程における
露光の焦点深度（ＤＯＦ；Depth Of Focus）の低下をも
たらしている。この改善はレジストの性能改善に待たな
ければならないが、このレジスト性能の改善より微細化
要求の方が先行しているのが現状である。そこで、リソ
グラフィー工程を行うときのデバイス構造の高低差をで
きるだけ低減することでこの焦点深度の不足を補い、微
細なパターンを焦点ずれを引き起こさず確実に解像させ
る方法が検討されている。
【０００５】そこで、デバイス構造の高低差を平坦化す
る方法として、最近では、シリコンウェーハの鏡面加工
を応用した化学的機械研磨方法が採用されている。図１
は、この化学的機械研磨を行うための、従来の化学的機
械研磨装置を示す概略図である。この装置は、回転する
研磨プレート回転軸１に支承され表面に研磨パッド２が
接着された研磨プレート３と、ダイア１０２などを金属
板に電着形成した、研磨パッド２の表面を目立てするた
めのドレッサ１０１と、層間絶縁膜などの被研磨層が形
成された被処理基板４（以下、ウェーハと称する）をウ
ェーハバッキングフィルム１４により保持するキャリア
５と、研磨スラリ１０を研磨パッド２上に供給する研磨
スラリ供給ノズル６を有する研磨スラリ供給装置７とか
ら概ね構成されている。
【０００６】そして、研磨パッド２を不図示のドレッサ
ーによりドレッシング（研削）した後に、研磨プレート
回転軸１およびキャリア回転軸８を回転させ、研磨スラ
リ供給ノズル６から研磨パッド２の中央部に研磨スラリ
１０を供給しながら、研磨圧力調整機構９によりウェー
ハ４を研磨パッド２上に押圧させてウェーハ４の研磨を
行うものである。
【０００７】ところで、上記のような化学的機械研磨方
法では、ウェーハの絶縁膜などの被研磨層にマイクロス
クラッチが生じること、および、研磨レートのばらつき
や研磨量のウェーハ面内でのバラツキが大きいことが問
題となっている。
【０００８】マイクロスクラッチの発生を抑制するため
には、研磨パッド２のドレッシング時に発生する研磨パ
ッド２の削りクズやドレッサーのダイア、層間膜、ウェ
ーハの破片クズや研磨済みの研磨スラリなど（以降、こ
れらを総称して不純物とも表記する）を研磨パッド２外
へ排出する必要がある。
【０００９】そこで、上記した従来の化学的機械研磨装
置においては、研磨作業中に研磨スラリを研磨パッド２
の中央部に間断なく十分に流し出し、不純物をこの研磨
スラリにより研磨パッド２外へ除去あるいは押し流すと
いう対策をとっている。
【００１０】研磨レートのばらつきや研磨量のウェーハ
面内でのばらつきを低減するために、次のようにして対
応する必要がある。化学的機械研磨の原理としては、研
磨パッド２表面にドレッサが無数の傷を付けることでい
わゆる研磨パッド２表面に浅い目立て層を形成し、ここ
に研磨スラリ１０が入り込んで保持された状態でウェー
ハ４を研磨することで、研磨パッド２に押圧したウェー
ハ４の研磨面に研磨スラリを十分供給することができ、
これにより研磨が行えるものである。このことを考慮し
て、ドレッサによる研磨パッド面の目立て、いわゆるド
レッシングを、目立て層の深さや密度が十分となるよう
十分に行い、さらに、マイクロスクラッチの防止策とも
なっている研磨スラリ１０の十分な供給を行い、ウェー
ハ４表面に研磨スラリ１０が確実に届くようにする。以
上のようにして、研磨レートのばらつきや研磨量のウェ
ーハ面内でのばらつきを低滅する対策としている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにドレッシングによりパッド表面に目立て層を形成
し、研磨スラリを供給してウエーハの研磨を行う時、研
磨スラリは研磨パッドの回転による遠心力およびウエー
ハを研磨パッドに押し付けることにより押し出され、殆
どが研磨に直接寄与することなく研磨パッド外に排出さ
れてしまうため、高価な研磨スラリを無駄にしてしまう
ことになる。このため、従来は図８に示すように、研磨
パッド２００に例えば格子状の溝２１を切り、ここに研
磨スラリをためてウエーハヘの接触の機会を増やそうと
いう試みも行われている。
【００１２】しかしながら、上記の構造では研磨スラリ
が研磨パッド外に容易に排出されてしまうという間題が
あった。この問題について改善するため、図９に示すよ
うな研磨パッド２００の中心に対して同心円形状の溝２
２を切った研磨パッドが考えられた。しかし、これでも
実際は、溝２２の中に溜まった研磨スラリは遠心力で溝
の外周側にのみ残り、あとは研磨パッド外に排出されて
しまい、また、研磨パッドの同心円形状の溝２２に溜ま
った研磨スラリが溝を越えて流れ出す位置が不定であ
り、必ずウエーハの前に流れ出てくれるとは限らないと
いう間題は残っていた。
【００１３】以上のように研磨スラリが有効に活用され
ずに研磨パッド外に排出されてしまうことは、化学的機
械研磨のコストを上昇させるとともに、研磨スラリが充
分研磨に寄与しないことにより、研磨面にマイクロスク
ラッチを発生させたり、研磨量がばらつくなど、研磨の
品質を低下させる懸念があるという間題があった。
【００１４】本発明は上記の問題を鑑みてなされたもの
であり、従って、本発明は、半導体装置の製造工程にお
いて層間絶縁膜の平坦化処理などを行う化学的機械研磨
において、従来のようなドレッサーによるパッドのドレ
ッシングでランダムな研磨パッドの目立て層を形成する
ことに加え、研磨スラリが研磨パッド上からただ遠心力
により研磨パッド外に排出されることをより少なくくい
とめ、かつこの研磨スラリをウエーハの進行方向前方に
選択的に供給することにより研磨時の研磨スラリを本来
の目的である研磨に有効利用することが可能となるよう
に形状を最適化した溝が形成され、研磨スラリの使用量
削減によるプロセスコストの削減、研磨スラリのウエー
ハとの接触機会を増やすことによるウェーハ表面の研磨
形状および研磨均一性などの研磨品質の向上を同時に実
現することが可能な化学的機械研磨用の研磨パッド、お
よび、これを用いた研磨装置、研磨方法を提供すること
を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の研磨パッドは、化学的機械研磨法による
研磨処理に用いる研磨パッドであって、前記研磨パッド
の所定の半径を中心として、前記研磨パッドの回転又は
進行方向側の第１の領域とその反対側の第２の領域とを
備え、前記研磨パッドの回転又は進行方向と反対方向に
凸部を有する溝を、前記第２の領域側のみに有する。
【００１６】上記の本発明の研磨パッドは、その研磨パ
ッドの所定の半径を中心として、研磨パッドの回転又は
進行方向側の第１の領域とその反対側の第２の領域とを
備え、研磨パッドの回転又は進行方向と反対方向に凸部
を有する溝を、第２の領域側のみに有することから、研
磨パッドを回転させた状態で研磨スラリを研磨パッドの
中央に供給した時に、研磨スラリが研磨パッドの回転に
伴い、遠心力などで研磨パッド外に排出される時に、こ
れを上記の溝で一旦受けとめることができる。さらに、
一旦受けとめた研磨スラリをウエーハの進行方向前方に
選択的に供給することができる。従って、従来の化学的
機械研磨法で使用する目立て層への研磨スラリの保持に
加え、研磨スラリ自身を積極的に溝に回収し、保持し、
かつこの溝から研磨スラリをウエーハに選択的に供給す
ることでき、化学的機械研磨時に研磨スラリをより有効
に活用させることができるようになり、研磨スラリの使
用量削減によるプロセスコストの削減、研磨スラリのウ
エーハとの接触機会を増やすことによるウェーハ表面の
研磨形状および研磨均一性などの研磨品質の向上を実現
することが可能となる。
【００１７】上記の本発明の研磨パッドは、好適には、
前記研磨パッドに形成されている溝が複数の直線状の溝
により構成されている。また、好適には、前記研磨パッ
ドに形成されている溝が弧状の溝により構成されてい
る。複数の直線状の溝、あるいは弧状の溝は、研磨パッ
ドの回転又は進行方向と反対方向に凸部となる形状を構
成することができ、上記のように研磨スラリの使用量削
減によるプロセスコストの削減、研磨スラリのウエーハ
との接触機会を増やすことによるウェーハ表面の研磨形
状および研磨均一性などの研磨品質の向上を実現するこ
とが可能となる研磨パッドとすることができる。
【００１８】上記の本発明の研磨パッドは、好適には、
前記研磨パッドに形成されている溝が直線状または弧状
の溝により構成されており、前記研磨パッドの回転又は
進行方向の反対方向に複数個の凸部を有している。回収
した研磨スラリを上記の複数個の凸部からウエーハに選
択的に供給することでき、研磨スラリのウエーハとのさ
らなる均一な接触が可能となり、ウェーハ表面の研磨形
状および研磨均一性などの研磨品質のさらに向上させる
ことがきる。
【００１９】上記の本発明の研磨パッドは、好適には、
前記研磨パッドに形成されている溝が直線状または弧状
の溝により構成されており、前記凸部において前記研磨
パッドの回転又は進行方向の反対方向に突出した延伸部
分を有している。回収した研磨スラリを上記の延伸部分
からウエーハに選択的に供給することが容易となり、研
磨スラリのウエーハとのさらなる均一な接触が可能とな
り、ウェーハ表面の研磨形状および研磨均一性などの研
磨品質のさらに向上させることがきる。
【００２０】上記の本発明の研磨パッドは、好適には、
前記研磨パッドに形成されている溝が、前記研磨パッド
の外周端より中心へ向かって前記研磨パッドの回転方向
と反対方向に延び、直線状または弧状の溝により構成さ
れており、前記研磨パッドの回転又は進行方向の反対方
向に突出した延伸部分を前記溝一本当たり少なくとも１
箇所以上有している。研磨パッドに形成されている溝
が、研磨パッドの外周端より中心へ向かって研磨パッド
の回転方向と反対方向に延びていることで、回収した研
磨スラリが遠心力で研磨パッド外に排出されることをよ
り少なくくいとめることが可能となり、溝による研磨ス
ラリの保持能力が高められて研磨スラリの使用量を削減
し、研磨スラリのウエーハとの接触機会を増やすことが
可能となる。また、回収した研磨スラリを上記の延伸部
分からウエーハに選択的に供給することが容易となる。
【００２１】上記の本発明の研磨パッドは、好適には、
前記研磨パッドに形成されている溝が、前記研磨パッド
の外周端より中心へ向かって前記研磨パッドの回転方向
と反対方向に延び、前記研磨パッドの回転又は進行方向
の反対方向に複数個の凸部を有している。研磨パッドに
形成されている溝が、研磨パッドの外周端より中心へ向
かって研磨パッドの回転方向と反対方向に延びているこ
とで、回収した研磨スラリが遠心力で研磨パッド外に排
出されることをより少なくくいとめることが可能とな
り、溝による研磨スラリの保持能力が高められて研磨ス
ラリの使用量を削減し、研磨スラリのウエーハとの接触
機会を増やすことが可能となる。また、回収した研磨ス
ラリを上記の複数個の凸部からウエーハに選択的に供給
することできる。
【００２２】上記の本発明の研磨パッドは、好適には、
前記研磨パッドが、発泡ポリウレタン、非発泡ポリウレ
タン、シリコン樹脂、テフロン、塩化ビニル、硬質ゴム
およびこれらの混合物から選ばれた材料から形成されて
いる。研磨するのに適当な硬度および弾性を有する研磨
パッドとすることができ、研磨効率を上げ、さらに研磨
品質のさらに向上させることがきる。
【００２３】また、上記の本発明の研磨パッドを用いた
研磨装置および研磨方法により、上記の目的を達成する
ことができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
【００２５】図１は、本発明の化学的機械研磨装置を示
す概略図である。この装置は、回転する研磨プレート回
転軸１に支承され表面に研磨パッド２が接着された研磨
プレート３と、ダイア１０２などを金属板に電着形成し
た、研磨パッド２の表面を目立てするためのドレッサ１
０１と、層間絶縁膜などの被研磨層が形成された被処理
基板４（以下、ウェーハと称する）をウェーハバッキン
グフィルム１４により保持するキャリア５と、研磨スラ
リ１０を研磨パッド２上に供給する研磨スラリ供給ノズ
ル６を有する研磨スラリ供給装置７とから概ね構成され
ている。
【００２６】そして、研磨パッド２を不図示のドレッサ
ーによりドレッシング（研削）した後に、研磨プレート
回転軸１およびキャリア回転軸８を回転させ、研磨スラ
リ供給ノズル６から研磨パッド２の中央部に研磨スラリ
１０を供給しながら、研磨圧力調整機構９によりウェー
ハ４を研磨パッド２上に押圧させてウェーハ４の研磨を
行うものである。
【００２７】ここで、研磨パッド２は、研磨パッドの所
定の半径を中心として、研磨パッドの回転又は進行方向
側の第１の領域とその反対側の第２の領域とを備え、研
磨パッドの回転又は進行方向と反対方向に凸部を有する
溝を、第２の領域側のみに有する。例えば、図２に示す
研磨パッドのように、研磨パッド基体２００に対して溝
２３が形成されている。ここで、研磨パッド上、半径Ｒ
を中心として研磨パッドの回転又は進行方向３０側の第
１の領域Ａと、その反対側の第２の領域Ｂとして、研磨
パッドの回転又は進行方向３０と反対方向に凸部２０３
を有する溝２３を、第２の領域Ｂ側のみに有する。第１
の領域Ａ側には、研磨パッドの回転又は進行方向３０と
反対方向に凸部を有さない溝を有してもよい。また、研
磨パッド２は、例えば、発泡ポリウレタン、非発泡ポリ
ウレタン、シリコン樹脂、テフロン、塩化ビニル、硬質
ゴムおよびこれらの混合物から選ばれた材料から形成さ
れている。
【００２８】上記の研磨パッド２に形成されている溝と
しては、例えば複数の直線状の溝により構成されてい
る、あるいは、弧状の溝により構成されているものとす
ることができる。また、直線状または弧状の溝により構
成されており、研磨パッドの回転又は進行方向の反対方
向に複数個の凸部を有しているものとすることができ
る。また、直線状または弧状の溝により構成されてお
り、凸部において研磨パッドの回転又は進行方向の反対
方向に突出した延伸部分を有しているものとすることが
できる。また、研磨パッドの外周端より中心へ向かって
研磨パッドの回転方向と反対方向に延び、直線状または
弧状の溝により構成されており、研磨パッドの回転又は
進行方向の反対方向に突出した延伸部分を前記溝一本当
たり少なくとも１箇所以上有しているものとすることが
できる。また、研磨パッドの外周端より中心へ向かって
研磨パッドの回転方向と反対方向に延び、研磨パッドの
回転又は進行方向の反対方向に複数個の凸部を有してい
るものとすることができる。
【００２９】上記の本実施形態の研磨パッド２によれ
ば、研磨パッド２を回転させた状態で研磨スラリ１０を
研磨パッド２の中央に供給した時に、研磨スラリ１０が
研磨パッド２の回転に伴い、遠心力などで研磨パッド２
外に排出される時に、これを上記の溝で一旦受けとめる
ことができる。さらに、一旦受けとめた研磨スラリをウ
エーハ４の進行方向前方に選択的に供給することができ
る。従って、従来の化学的機械研磨法で使用する目立て
層への研磨スラリ１０の保持に加え、研磨スラリ１０自
身を積極的に溝に回収し、保持し、かつこの溝から研磨
スラリ１０をウエーハ４に選択的に供給することでき、
化学的機械研磨時に研磨スラリ１０をより有効に活用さ
せることができるようになり、研磨スラリ１０の使用量
削減によるプロセスコストの削減、研磨スラリ１０のウ
エーハ４との接触機会を増やすことによるウェーハ４表
面の研磨形状および研磨均一性などの研磨品質の向上を
実現することが可能となる。
【００３０】また、上記の溝の形状を、上記のように研
磨パッドの回転又は進行方向の反対方向に突出した延伸
部分を有しているものとする、あるいは、研磨パッドの
外周端より中心へ向かって研磨パッドの回転方向と反対
方向に延びた形状とすることなどで、研磨スラリ１０の
使用量削減によりプロセスコストをさらに削減したり、
研磨スラリ１０のウエーハ４との接触機会を増やしてウ
ェーハ４表面の研磨形状および研磨均一性などの研磨品
質をさらに向上させることが可能となる。
【００３１】第１実施例 図２は、本実施例にかかる研磨パッドに形成された溝の
パターンである。研磨パッド基体２００に形成された溝
２３の形状を研磨パッドの回転方向３０に対して研磨パ
ッドの外周端に向かうにつれて研磨パッド進行方向にな
るように形成し、被研磨ウエーハの中心が通過するライ
ン３０１の部分で研磨パッドに形成した溝が研磨パッド
の反進行方向にもっとも凸２０３となるように研磨パッ
ドの溝を形成したものである。
【００３２】研磨パッドの中央部２１０に研磨スラリを
供給しながら研磨パッドを回転すると、研磨スラリが研
磨パッド外周に向けて遠心力で広がっていくことになる
が、本実施例の研磨パッドを用いると、遠心力で研磨パ
ッド外に流れ出ようとする研磨スラリが積極的にこの溝
２３に集められ、溜まった研磨スラリは最も凸となった
溝部２０３の部分のみから研磨パッド回転方向後方に再
放出され、ここを通過する被研磨ウエーハに選択的に供
給される。これにより、被研磨ウエーハの研磨にて研磨
スラリが十分供給されることで、研磨スラリの有効利用
および研磨の品質改善が可能となる。
【００３３】本実施例の研磨パッドは、例えば図１に示
す研磨装置に組み込んで用いることができ、また、この
研磨装置を用いて被処理基板の研磨処理を施すことが可
能である。
【００３４】第２実施例 図３は、本実施例にかかる研磨パッドに形成された溝の
パターンである。第１実施例と実質的に同様であるが、
研磨パッド基体２００の形成された溝２４の形状を、被
研磨ウエーハの中心が通過するライン３０１部分で研磨
パッドに形成した溝が研磨パッドの反進行方向に凸の角
２０４をなすように直線同士で構成した研磨パッドの溝
を形成したものである。本実施例の研磨パッドによれ
ば、第１実施例と同様、被研磨ウエーハの研磨にて研磨
スラリが十分供給されることで、研磨スラリの有効利用
および研磨の品質改善が可能となる。本実施例の研磨パ
ッドは、例えば図１に示す研磨装置に組み込んで用いる
ことができ、また、この研磨装置を用いて被処理基板の
研磨処理を施すことが可能である。
【００３５】第３実施例 図４は、本実施例にかかる研磨パッドに形成された溝の
パターンである。第１実施例と同様、研磨パッド基体２
００に形成された溝２５の形状を研磨パッドの回転方向
３０に対して研磨パッドの外周に向かうにつれて研磨パ
ッドの進行方向になるように形成し、被研磨ウエーハが
通過するライン３０２の部分で研磨パッドに形成した溝
が研磨パッドの反進行方向にもっとも凸２０３となるよ
うに研磨パッドの溝を形成したものであり、第１実施例
と異なるところは、反進行方向にもっとも凸となるとこ
ろを複数個２０５形成している点である。これにより、
被研磨ウエーハへの研磨スラリの供給が複数箇所からな
され、研磨レートをはじめに面内均一性などの研磨の品
質が更に上がり、研磨スラリの有効活用がより促進され
る。
【００３６】本実施例の研磨パッドによれば、第１実施
例と同様に、研磨パッドの中央部２１０に供給した研磨
スラリが研磨パッドの回転による遠心力で研磨パッドの
外周に向けて広がり排出される時に、本実施例の研磨パ
ッドを用いると、遠心力で研磨パッド２００外に排出さ
れようとする研磨スラリが積極的にこの溝２５に集めら
れ、溜まった研磨スラリは最も凸となった溝部２０５の
部分から研磨パッド２００の回転方向後方に再放出さ
れ、ここを通過する被研磨ウエーハに選択的に供給され
る。この時、研磨スラリの再放出ポートが複数箇所とな
ることにより、被研磨ウエーハの研磨にて研磨スラリが
より均一に再放出され供給されることで、研磨スラリの
有効利用およびより一層の研磨の品質改善が可能とな
る。本実施例の研磨パッドは、例えば図１に示す研磨装
置に組み込んで用いることができ、また、この研磨装置
を用いて被処理基板の研磨処理を施すことが可能であ
る。
【００３７】第４実施例 図５は、本実施例にかかる研磨パッドに形成された溝の
パターンである。第２実施例と同様、研磨パッド基体２
００の形成された溝２６の形状を、被研磨ウエーハが通
過するライン３０２部分で研磨パッドに形成した溝が研
磨パッドの反進行方向に複数個の凸の角２０６をなすよ
うに直線同士で構成した研磨パッドの溝を形成したもの
である。本実施例の研磨パッドによれば、第３実施例と
同様、被研磨ウエーハの研磨にて研磨スラリが十分供給
されることで、研磨スラリの有効利用および研磨の品質
改善が可能となる。本実施例の研磨パッドは、例えば図
１に示す研磨装置に組み込んで用いることができ、ま
た、この研磨装置を用いて被処理基板の研磨処理を施す
ことが可能である。
【００３８】第５実施例 図６は、本実施例にかかる研磨パッドに形成された溝の
パターンである。第２実施例に示す研磨パッドの溝のパ
ターンの凸部２０４に、研磨スラリを再放出させるポー
トとなる溝の延伸部２２０が研磨パッドの回転方向３０
に対して反対方向に２カ所設けられている形状である。
【００３９】研磨パッドの中央部２１０に供給した研磨
スラリが研磨パッドの回転による遠心力で研磨パッドの
外周に向けて広がり排出されようとするが、本実施例の
研磨パッドによれば、遠心力で研磨パッド外に排出され
ようとする研磨スラリが積極的にこの溝２４に集めら
れ、溜まった研磨スラリは最も凸となった溝部２０４に
新たに設けられた研磨スラリ放出ポートとなる溝の延伸
部２２０より確実に研磨スラリが複数箇所に噴出再放出
することが可能となる。研磨パッドの溝パターンでは凸
が一カ所でも延伸部２２０の加工だけで２カ所以上への
供給が可能となり、被研磨ウエーハの研磨の品質向上や
研磨スラリの有効利用が可能となる。本実施例の研磨パ
ッドは、例えば図１に示す研磨装置に組み込んで用いる
ことができ、また、この研磨装置を用いて被処理基板の
研磨処理を施すことが可能である。
【００４０】第６実施例 図７は、本実施例にかかる研磨パッドに形成された溝の
パターンである。研磨パッドの溝のパターンをスクロー
ル（渦巻き）型とした形状である。これにより研磨スラ
リの排出にあたり、より確実に研磨スラリを捕獲できる
ようになる。又、第５実施例と同様に研磨スラリを放出
させるためのポートとなる溝の延伸部２３０を設けて、
ここから捕獲した研磨スラリを再放出させる構造となっ
ている。
【００４１】第５実施例と同様、スクロール形状の溝２
７において、被研磨ウエーハの通過する領域３０２とス
クロール形状の溝２７との交点に研磨スラリ放出用のポ
ートとなる溝の延伸部２３０が設けられており、ここか
ら研磨スラリが被研磨ウエーハに向けて再放出され、複
数箇所から被研磨ウエーハに研磨スラリが供給されるこ
とでより一層の研磨の品質改善および研磨スラリの有効
利用が可能となる。本実施例の研磨パッドは、例えば図
１に示す研磨装置に組み込んで用いることができ、ま
た、この研磨装置を用いて被処理基板の研磨処理を施す
ことが可能である。
【００４２】
【発明の効果】上記のように、本発明の研磨パッドによ
れば、半導体装置の製造工程において層問絶縁膜の平坦
化処理などを行う化学的機械研磨において、従来のよう
なドレッサーによるパッドのドレッシングでランダムな
研磨パッドの目立て層を形成することに加え、研磨スラ
リが研磨パッド上からただ遠心力により研磨パッド外に
排出されることをより少なくくいとめ、かつこの研磨ス
ラリをウエーハの進行方向前方に選択的に供給すること
により研磨時の研磨スラリを本来の目的である研磨に有
効利用することが可能となる溝が形成されていることに
より、研磨スラリの使用量削減によるプロセスコストの
削減、研磨スラリのウエーハとの接触機会を増やすこと
によるウェーハ表面の研磨形状および研磨均一性などの
研磨品質の向上を同時に実現することが可能である。
【００４３】また、本発明の研磨パッドを研磨装置に組
み込んで用いることができ、また、この研磨装置を用い
て被処理基板の研磨処理を施すことが可能であり、研磨
スラリの使用量削減によるプロセスコストの削減、研磨
スラリのウエーハとの接触機会を増やすことによるウェ
ーハ表面の研磨形状および研磨均一性などの研磨品質の
向上を同時に実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明および従来例にかかる化学的機械
研磨装置の概略図である。
【図２】図２は第１実施例にかかる研磨パッドに形成さ
れた溝のパターンを示す概略図である。
【図３】図３は第２実施例にかかる研磨パッドに形成さ
れた溝のパターンを示す概略図である。
【図４】図４は第３実施例にかかる研磨パッドに形成さ
れた溝のパターンを示す概略図である。
【図５】図５は第４実施例にかかる研磨パッドに形成さ
れた溝のパターンを示す概略図である。
【図６】図６は第５実施例にかかる研磨パッドに形成さ
れた溝のパターンを示す概略図である。
【図７】図７は第６実施例にかかる研磨パッドに形成さ
れた溝のパターンを示す概略図である。
【図８】図８は第１従来例にかかる研磨パッドに形成さ
れた溝のパターンを示す概略図である。
【図９】図９は第２従来例にかかる研磨パッドに形成さ
れた溝のパターンを示す概略図である。
【符号の説明】
１…研磨プレート回転軸、２…研磨パッド、３…研磨プ
レート、４…被処理基板（ウェーハ）、５…キャリア、
６…研磨スラリ供給ノズル、７…研磨スラリ供給装置、
８…キャリア回転軸、９…研磨圧力調整機構、１０…研
磨スラリ、１１…ドレッサー印加圧力、１４…ウエーハ
バッキングフイルム、２１，２２，２３，２４，２５，
２６，２７…溝、３０…研磨パッド回転方向、１０１…
ドレッサー、１０２…ドレッサーのダイア、１０３…ド
レスによる研磨パッドの目立て層、２００…研磨パッド
基体、２０３，２０４，２０５，２０６…凸部、２１０
…研磨パッド中心、２２０，２３０…溝の延伸部、３０
１…被研磨ウエーハ中心の軌跡、３０２…被研磨ウエー
ハのエッジ部を除く通過領域。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１２月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】上記の本発明の研磨パッドは、好適には、
前記研磨パッドが、発泡ポリウレタン、非発泡ポリウレ
タン、シリコン樹脂、ポリフッ化エチレン系樹脂、塩化
ビニル、硬質ゴムおよびこれらの混合物から選ばれた材
料から形成されている。研磨するのに適当な硬度および
弾性を有する研磨パッドとすることができ、研磨効率を
上げ、さらに研磨品質を向上させることがきる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】ここで、研磨パッド２は、研磨パッドの所
定の半径を中心として、研磨パッドの回転又は進行方向
側の第１の領域とその反対側の第２の領域とを備え、研
磨パッドの回転又は進行方向と反対方向に凸部を有する
溝を、第２の領域側のみに有する。例えば、図２に示す
研磨パッドのように、研磨パッド基体２００に対して溝
２３が形成されている。ここで、研磨パッド上、半径Ｒ
を中心として研磨パッドの回転又は進行方向３０側の第
１の領域Ａと、その反対側の第２の領域Ｂとして、研磨
パッドの回転又は進行方向３０と反対方向に凸部２０３
を有する溝２３を、第２の領域Ｂ側のみに有する。第１
の領域Ａ側には、研磨パッドの回転又は進行方向３０と
反対方向に凸部を有さない溝を有してもよい。また、研
磨パッド２は、例えば、発泡ポリウレタン、非発泡ポリ
ウレタン、シリコン樹脂、ポリフッ化エチレン系樹脂、
塩化ビニル、硬質ゴムおよびこれらの混合物から選ばれ
た材料から形成されている。

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】化学的機械研磨法による研磨処理に用いる
    研磨パッドであって、 前記研磨パッドの所定の半径を中心として、前記研磨パ
    ッドの回転又は進行方向側の第１の領域とその反対側の
    第２の領域とを備え、 前記研磨パッドの回転又は進行方向と反対方向に凸部を
    有する溝を、前記第２の領域側のみに有する研磨パッ
    ド。
  2. 【請求項２】前記研磨パッドに形成されている溝が複数
    の直線状の溝により構成されている請求項１記載の研磨
    パッド。
  3. 【請求項３】前記研磨パッドに形成されている溝が弧状
    の溝により構成されている請求項１記載の研磨パッド。
  4. 【請求項４】前記研磨パッドに形成されている溝が直線
    状または弧状の溝により構成されており、前記研磨パッ
    ドの回転又は進行方向の反対方向に複数個の凸部を有し
    ている請求項１記載の研磨パッド。
  5. 【請求項５】前記研磨パッドに形成されている溝が直線
    状または弧状の溝により構成されており、前記凸部にお
    いて前記研磨パッドの回転又は進行方向の反対方向に突
    出した延伸部分を有している請求項１記載の研磨パッ
    ド。
  6. 【請求項６】前記研磨パッドに形成されている溝が、前
    記研磨パッドの外周端より中心へ向かって前記研磨パッ
    ドの回転方向と反対方向に延び、直線状または弧状の溝
    により構成されており、前記研磨パッドの回転又は進行
    方向の反対方向に突出した延伸部分を前記溝一本当たり
    少なくとも１箇所以上有している請求項１記載の研磨パ
    ッド。
  7. 【請求項７】前記研磨パッドに形成されている溝が、前
    記研磨パッドの外周端より中心へ向かって前記研磨パッ
    ドの回転方向と反対方向に延び、前記研磨パッドの回転
    又は進行方向の反対方向に複数個の凸部を有している請
    求項１記載の研磨パッド。
  8. 【請求項８】前記研磨パッドが、発泡ポリウレタン、非
    発泡ポリウレタン、シリコン樹脂、テフロン、塩化ビニ
    ル、硬質ゴムおよびこれらの混合物から選ばれた材料か
    ら形成されている請求項１記載の研磨パッド。
  9. 【請求項９】化学的機械研磨法による研磨処理を行うた
    めの研磨パッドを有する研磨装置であって、 前記研磨パッドは当該研磨パッドの所定の半径を中心と
    して、前記研磨パッドの回転又は進行方向側の第１の領
    域とその反対側の第２の領域とを備え、前記研磨パッド
    の回転又は進行方向と反対方向に凸部を有する溝を、前
    記第２の領域側のみに有する研磨装置。
  10. 【請求項１０】前記研磨パッドに形成されている溝が複
    数の直線状の溝により構成されている請求項９記載の研
    磨装置。
  11. 【請求項１１】前記研磨パッドに形成されている溝が弧
    状の溝により構成されている請求項９記載の研磨装置。
  12. 【請求項１２】前記研磨パッドに形成されている溝が直
    線状または弧状の溝により構成されており、前記研磨パ
    ッドの回転又は進行方向の反対方向に複数個の凸部を有
    している請求項９記載の研磨装置。
  13. 【請求項１３】前記研磨パッドに形成されている溝が直
    線状または弧状の溝により構成されており、前記凸部に
    おいて前記研磨パッドの回転又は進行方向の反対方向に
    突出した延伸部分を有している請求項９記載の研磨装
    置。
  14. 【請求項１４】前記研磨パッドに形成されている溝が、
    前記研磨パッドの外周端より中心へ向かって前記研磨パ
    ッドの回転方向と反対方向に延び、直線状または弧状の
    溝により構成されており、前記研磨パッドの回転又は進
    行方向の反対方向に突出した延伸部分を前記溝一本当た
    り少なくとも１箇所以上有している請求項９記載の研磨
    装置。
  15. 【請求項１５】前記研磨パッドに形成されている溝が、
    前記研磨パッドの外周端より中心へ向かって前記研磨パ
    ッドの回転方向と反対方向に延び、前記研磨パッドの回
    転又は進行方向の反対方向に複数個の凸部を有している
    請求項９記載の研磨装置。
  16. 【請求項１６】前記研磨パッドが、発泡ポリウレタン、
    非発泡ポリウレタン、シリコン樹脂、テフロン、塩化ビ
    ニル、硬質ゴムおよびこれらの混合物から選ばれた材料
    から形成されている請求項９記載の研磨装置。
  17. 【請求項１７】研磨パッドを用いて化学的機械研磨法に
    より研磨処理を行う研磨方法であって、 前記研磨パッドとして、当該研磨パッドの所定の半径を
    中心として、前記研磨パッドの回転又は進行方向側の第
    １の領域とその反対側の第２の領域とを備え、前記研磨
    パッドの回転又は進行方向と反対方向に凸部を有する溝
    を、前記第２の領域側のみに有する研磨パッドを用いる
    研磨方法。
  18. 【請求項１８】前記研磨パッドに形成されている溝が複
    数の直線状の溝により構成されている請求項１７記載の
    研磨方法。
  19. 【請求項１９】前記研磨パッドに形成されている溝が弧
    状の溝により構成されている請求項１７記載の研磨方
    法。
  20. 【請求項２０】前記研磨パッドに形成されている溝が直
    線状または弧状の溝により構成されており、前記研磨パ
    ッドの回転又は進行方向の反対方向に複数個の凸部を有
    している請求項１７記載の研磨方法。
  21. 【請求項２１】前記研磨パッドに形成されている溝が直
    線状または弧状の溝により構成されており、前記凸部に
    おいて前記研磨パッドの回転又は進行方向の反対方向に
    突出した延伸部分を有している請求項１７記載の研磨方
    法。
  22. 【請求項２２】前記研磨パッドに形成されている溝が、
    前記研磨パッドの外周端より中心へ向かって前記研磨パ
    ッドの回転方向と反対方向に延び、直線状または弧状の
    溝により構成されており、前記研磨パッドの回転又は進
    行方向の反対方向に突出した延伸部分を前記溝一本当た
    り少なくとも１箇所以上有している請求項１７記載の研
    磨方法。
  23. 【請求項２３】前記研磨パッドに形成されている溝が、
    前記研磨パッドの外周端より中心へ向かって前記研磨パ
    ッドの回転方向と反対方向に延び、前記研磨パッドの回
    転又は進行方向の反対方向に複数個の凸部を有している
    請求項１７記載の研磨方法。
  24. 【請求項２４】前記研磨パッドが、発泡ポリウレタン、
    非発泡ポリウレタン、シリコン樹脂、テフロン、塩化ビ
    ニル、硬質ゴムおよびこれらの混合物から選ばれた材料
    から形成されている請求項１７記載の研磨方法。
JP2216498A 1998-02-03 1998-02-03 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 Pending JPH11216663A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2216498A JPH11216663A (ja) 1998-02-03 1998-02-03 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
US09/239,779 US6159088A (en) 1998-02-03 1999-01-29 Polishing pad, polishing apparatus and polishing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2216498A JPH11216663A (ja) 1998-02-03 1998-02-03 研磨パッド、研磨装置および研磨方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11216663A true JPH11216663A (ja) 1999-08-10

Family

ID=12075192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2216498A Pending JPH11216663A (ja) 1998-02-03 1998-02-03 研磨パッド、研磨装置および研磨方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6159088A (ja)
JP (1) JPH11216663A (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291687A (ja) * 1999-12-13 2001-10-19 Applied Materials Inc 研磨装置の領域にスラリを制御して送出する装置および方法
WO2002018101A3 (en) * 2000-08-31 2003-01-23 Multi Planar Technologies Inc Chemical mechanical polishing (cmp) head, apparatus, and method and planarized semiconductor wafer produced thereby
US6540590B1 (en) 2000-08-31 2003-04-01 Multi-Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and method having a rotating retaining ring
JP2005191565A (ja) * 2003-12-11 2005-07-14 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc プロセスに依存した溝構造を有するケミカルメカニカル研磨パッド
US6979248B2 (en) 2002-05-07 2005-12-27 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7014538B2 (en) 1999-05-03 2006-03-21 Applied Materials, Inc. Article for polishing semiconductor substrates
US7029365B2 (en) 2000-02-17 2006-04-18 Applied Materials Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
US7059948B2 (en) 2000-12-22 2006-06-13 Applied Materials Articles for polishing semiconductor substrates
US7070480B2 (en) 2001-10-11 2006-07-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for polishing substrates
US7077721B2 (en) 2000-02-17 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
JP2006192568A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 半径方向に交互に位置する溝セグメント配置形態を有するｃｍｐパッド
US7125477B2 (en) 2000-02-17 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US7207878B2 (en) 2000-02-17 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7303662B2 (en) 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US7303462B2 (en) 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Edge bead removal by an electro polishing process
US7374644B2 (en) 2000-02-17 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7427340B2 (en) 2005-04-08 2008-09-23 Applied Materials, Inc. Conductive pad
JP2011093018A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨ホイール
US8460414B2 (en) 2005-04-14 2013-06-11 Mitsui Chemicals, Inc. Polishing slurry and polishing material using same
JP2013535350A (ja) * 2010-08-18 2013-09-12 エルジー・ケム・リミテッド 研磨システム用研磨パッド

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001043178A1 (en) * 1999-12-07 2001-06-14 Ebara Corporation Polishing-product discharging device and polishing device
US6848970B2 (en) 2002-09-16 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Process control in electrochemically assisted planarization
US6656019B1 (en) * 2000-06-29 2003-12-02 International Business Machines Corporation Grooved polishing pads and methods of use
US7201829B2 (en) * 2001-03-01 2007-04-10 Novellus Systems, Inc. Mask plate design
JP4087581B2 (ja) * 2001-06-06 2008-05-21 株式会社荏原製作所 研磨装置
US6648743B1 (en) * 2001-09-05 2003-11-18 Lsi Logic Corporation Chemical mechanical polishing pad
US20030083003A1 (en) * 2001-10-29 2003-05-01 West Thomas E. Polishing pads and manufacturing methods
JP3843933B2 (ja) * 2002-02-07 2006-11-08 ソニー株式会社 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
JP2004042163A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Ebara Corp 研磨装置及びその消耗・交換部品の貼付け剥がし方法
US20040152402A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-05 Markus Naujok Wafer polishing with counteraction of centrifugal forces on polishing slurry
EP1594656B1 (en) 2003-02-18 2007-09-12 Parker-Hannifin Corporation Polishing article for electro-chemical mechanical polishing
US6802761B1 (en) 2003-03-20 2004-10-12 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Pattern-electroplated lapping plates for reduced loads during single slider lapping and process for their fabrication
US6783436B1 (en) 2003-04-29 2004-08-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with optimized grooves and method of forming same
US6918824B2 (en) * 2003-09-25 2005-07-19 Novellus Systems, Inc. Uniform fluid distribution and exhaust system for a chemical-mechanical planarization device
US7591713B2 (en) * 2003-09-26 2009-09-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Polishing pad, method for processing polishing pad, and method for producing substrate using it
US7018274B2 (en) * 2003-11-13 2006-03-28 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc Polishing pad having slurry utilization enhancing grooves
US6843709B1 (en) 2003-12-11 2005-01-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for reducing slurry reflux
US6955587B2 (en) * 2004-01-30 2005-10-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc Grooved polishing pad and method
US7270595B2 (en) * 2004-05-27 2007-09-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with oscillating path groove network
US6974372B1 (en) 2004-06-16 2005-12-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad having grooves configured to promote mixing wakes during polishing
US7182677B2 (en) * 2005-01-14 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution
KR100752181B1 (ko) * 2005-10-05 2007-08-24 동부일렉트로닉스 주식회사 화학적 기계적 연마장치
JP2007329342A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Toshiba Corp 化学的機械的研磨方法
US20080220702A1 (en) * 2006-07-03 2008-09-11 Sang Fang Chemical Industry Co., Ltd. Polishing pad having surface texture
US20080003935A1 (en) * 2006-07-03 2008-01-03 Chung-Chih Feng Polishing pad having surface texture
US7300340B1 (en) 2006-08-30 2007-11-27 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. CMP pad having overlaid constant area spiral grooves
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
US9211628B2 (en) * 2011-01-26 2015-12-15 Nexplanar Corporation Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
TWI599447B (zh) * 2013-10-18 2017-09-21 卡博特微電子公司 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的ｃｍｐ拋光墊
CN105252444A (zh) * 2015-11-20 2016-01-20 台山市远鹏研磨科技有限公司 一种便于安装的海绵抛光轮
DE102017216033A1 (de) 2017-09-12 2019-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks bei der Herstellung eines optischen Elements
WO2020242110A1 (ko) * 2019-05-29 2020-12-03 한국생산기술연구원 연마면에 형성된 패턴 구조를 갖는 연마 패드, 이를 포함하는 연마 장치 및 연마 패드의 제조 방법
KR102746090B1 (ko) * 2020-03-13 2024-12-26 삼성전자주식회사 Cmp 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5216843A (en) * 1992-09-24 1993-06-08 Intel Corporation Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process
US5650039A (en) * 1994-03-02 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution
US5899799A (en) * 1996-01-19 1999-05-04 Micron Display Technology, Inc. Method and system to increase delivery of slurry to the surface of large substrates during polishing operations
US5778481A (en) * 1996-02-15 1998-07-14 International Business Machines Corporation Silicon wafer cleaning and polishing pads
US5690540A (en) * 1996-02-23 1997-11-25 Micron Technology, Inc. Spiral grooved polishing pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5921855A (en) * 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
US5882251A (en) * 1997-08-19 1999-03-16 Lsi Logic Corporation Chemical mechanical polishing pad slurry distribution grooves

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7014538B2 (en) 1999-05-03 2006-03-21 Applied Materials, Inc. Article for polishing semiconductor substrates
EP1114697A3 (en) * 1999-12-13 2003-10-08 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlled delivery of slurry to a region of a polishing device
JP2001291687A (ja) * 1999-12-13 2001-10-19 Applied Materials Inc 研磨装置の領域にスラリを制御して送出する装置および方法
US7303462B2 (en) 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Edge bead removal by an electro polishing process
US7344431B2 (en) 2000-02-17 2008-03-18 Applied Materials, Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
US7374644B2 (en) 2000-02-17 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7303662B2 (en) 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US7029365B2 (en) 2000-02-17 2006-04-18 Applied Materials Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
US7207878B2 (en) 2000-02-17 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7125477B2 (en) 2000-02-17 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US7077721B2 (en) 2000-02-17 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
US6540590B1 (en) 2000-08-31 2003-04-01 Multi-Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and method having a rotating retaining ring
WO2002018101A3 (en) * 2000-08-31 2003-01-23 Multi Planar Technologies Inc Chemical mechanical polishing (cmp) head, apparatus, and method and planarized semiconductor wafer produced thereby
US7059948B2 (en) 2000-12-22 2006-06-13 Applied Materials Articles for polishing semiconductor substrates
US7070480B2 (en) 2001-10-11 2006-07-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for polishing substrates
US6979248B2 (en) 2002-05-07 2005-12-27 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
JP2005191565A (ja) * 2003-12-11 2005-07-14 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc プロセスに依存した溝構造を有するケミカルメカニカル研磨パッド
JP2006192568A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 半径方向に交互に位置する溝セグメント配置形態を有するｃｍｐパッド
US7427340B2 (en) 2005-04-08 2008-09-23 Applied Materials, Inc. Conductive pad
US8460414B2 (en) 2005-04-14 2013-06-11 Mitsui Chemicals, Inc. Polishing slurry and polishing material using same
JP2011093018A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨ホイール
JP2013535350A (ja) * 2010-08-18 2013-09-12 エルジー・ケム・リミテッド 研磨システム用研磨パッド

Also Published As

Publication number Publication date
US6159088A (en) 2000-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11216663A (ja) 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
JP5252517B2 (ja) パターン化されたパッドを用いる化学機械研磨用方法及び装置
EP0874390B1 (en) Polishing method
JP2738392B1 (ja) 半導体装置の研磨装置及び研磨方法
US6346032B1 (en) Fluid dispensing fixed abrasive polishing pad
JPH11333699A (ja) 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
JPH11267961A (ja) 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
US6347979B1 (en) Slurry dispensing carrier ring
JP3510036B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6315645B1 (en) Patterned polishing pad for use in chemical mechanical polishing of semiconductor wafers
JPH11333712A (ja) 研磨ヘッド及びそれを用いた研磨装置
KR100562484B1 (ko) 반도체소자 제조용 씨엠피장치 및 그 구동방법
JP2647046B2 (ja) 研磨布および研磨方法
JPH11285962A (ja) 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
JPH11277407A (ja) 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
KR100701357B1 (ko) 화학-기계적 평탄화용 장치 및 반도체 웨이퍼 폴리싱 방법
JPH0911117A (ja) 平坦化方法及び平坦化装置
US6422929B1 (en) Polishing pad for a linear polisher and method for forming
JP2004023009A (ja) 研磨体、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法
JP2000158325A (ja) 化学機械研磨の装置と方法
JP2003086549A (ja) 研磨工具、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法
JP3823308B2 (ja) 半導体デバイス研磨装置及びポリシングパッド
Karaki-Doy et al. Global planarization technique/CMP by high precision polishing and its characteristics
JP2564331B2 (ja) 基板処理方法
US20220388117A1 (en) Polishing pad surface cooling by compressed gas