JPH11217263A - 圧電磁器材料 - Google Patents
圧電磁器材料Info
- Publication number
- JPH11217263A JPH11217263A JP10033605A JP3360598A JPH11217263A JP H11217263 A JPH11217263 A JP H11217263A JP 10033605 A JP10033605 A JP 10033605A JP 3360598 A JP3360598 A JP 3360598A JP H11217263 A JPH11217263 A JP H11217263A
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- JP
- Japan
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- mol
- pbo
- piezoelectric ceramic
- piezoelectric
- sintering temperature
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 1000℃以下の低温で焼成可能で、製造コ
ストを低減できる圧電磁器材料を提供すること。 【解決手段】 組成式aPbTiO3+bPbZrO3+
cPb(Mn1/3Nb2/3)O3+dPb(Co
1/2W1/2)O3で表され、a=22〜50mol%、b
=18〜55mol%、c=2〜40mol%、d=0
〜25mol%(ただし、a+b+c+d=100)で
ある主成分からなり、この主成分の重量に対して、副成
分として、CoOを0.1〜2.5wt%、PbOを0〜
8wt%含む。
ストを低減できる圧電磁器材料を提供すること。 【解決手段】 組成式aPbTiO3+bPbZrO3+
cPb(Mn1/3Nb2/3)O3+dPb(Co
1/2W1/2)O3で表され、a=22〜50mol%、b
=18〜55mol%、c=2〜40mol%、d=0
〜25mol%(ただし、a+b+c+d=100)で
ある主成分からなり、この主成分の重量に対して、副成
分として、CoOを0.1〜2.5wt%、PbOを0〜
8wt%含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種超音波振動
子、セラミックフィルター、圧電発音体、圧電アクチュ
エーター等に利用される圧電磁器材料に関する。
子、セラミックフィルター、圧電発音体、圧電アクチュ
エーター等に利用される圧電磁器材料に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、圧電磁器材料としては、PbTi
O3やPbZrO3を主成分として含む圧電磁器(以下、
PZT系圧電セラミックと略する)が汎用的に用いられ
ている。一般に、この種の圧電セラミックでは、その製
造に要する焼結温度が、二成分系では約1260℃であ
り、さらに、特性改善のために複合ペロブスカイト類を
第三、第四成分として固溶させた多成分PZT系圧電セ
ラミックでは、焼結温度が多少低下して、1200℃近
辺となっている。
O3やPbZrO3を主成分として含む圧電磁器(以下、
PZT系圧電セラミックと略する)が汎用的に用いられ
ている。一般に、この種の圧電セラミックでは、その製
造に要する焼結温度が、二成分系では約1260℃であ
り、さらに、特性改善のために複合ペロブスカイト類を
第三、第四成分として固溶させた多成分PZT系圧電セ
ラミックでは、焼結温度が多少低下して、1200℃近
辺となっている。
【0003】ところで、PZT系セラミックの焼結過程
において、主成分の一つであるPbOの蒸発が、100
0℃近辺から急激に増加することが知られている。従っ
て、上記の温度領域では、多量のPbO蒸発が起こると
いう問題がある。PbOが蒸発すると、焼結体の組成ず
れを引き起こし、特性のばらつきや劣化を招く上、蒸発
してPb成分は環境汚染の原因となる。
において、主成分の一つであるPbOの蒸発が、100
0℃近辺から急激に増加することが知られている。従っ
て、上記の温度領域では、多量のPbO蒸発が起こると
いう問題がある。PbOが蒸発すると、焼結体の組成ず
れを引き起こし、特性のばらつきや劣化を招く上、蒸発
してPb成分は環境汚染の原因となる。
【0004】そこで、PbOの蒸発を制御することは、
PZT系圧電セラミックの製造上、非常に重要となって
おり、このためには、焼結温度を1000℃以下にする
ことが望ましい。焼結温度の低下は、省エネルギーの点
でも有益である上に、例えば、一体焼成で製造される積
層型圧電素子の場合、内部電極の構成においてパラジウ
ムを減らし、銀の比率を増大させることが可能であり、
製造コストの面で有利となると期待される。このよう
に、圧電磁器材料の焼結温度を低下させることは、製造
コスト面で長所を奏する他、省エネルギーを具現化する
点でも有益である。
PZT系圧電セラミックの製造上、非常に重要となって
おり、このためには、焼結温度を1000℃以下にする
ことが望ましい。焼結温度の低下は、省エネルギーの点
でも有益である上に、例えば、一体焼成で製造される積
層型圧電素子の場合、内部電極の構成においてパラジウ
ムを減らし、銀の比率を増大させることが可能であり、
製造コストの面で有利となると期待される。このよう
に、圧電磁器材料の焼結温度を低下させることは、製造
コスト面で長所を奏する他、省エネルギーを具現化する
点でも有益である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題点を解決すべくなされたもので、その技術的課題
は、PbOの蒸発を回避できる低温(1000℃以下)
で焼成可能であるとともに、製造コストを低減化しうる
圧電磁器材料を提供することにある。
問題点を解決すべくなされたもので、その技術的課題
は、PbOの蒸発を回避できる低温(1000℃以下)
で焼成可能であるとともに、製造コストを低減化しうる
圧電磁器材料を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、組成式
aPbTiO3+bPbZrO3+cPb(Mn1/3Nb
2/3)O3+dPb(Co1/2W1/2)O3で表され、a=
22〜50mol%、b=18〜55mol%、c=2
〜40mol%、d=0〜25mol%(ただし、a+
b+c+d=100)である主成分からなり、この主成
分の重量に対して、副成分として、CoOを0.1〜2.
5wt%、PbOを0〜8wt%含む圧電磁器材料が得
られる。
aPbTiO3+bPbZrO3+cPb(Mn1/3Nb
2/3)O3+dPb(Co1/2W1/2)O3で表され、a=
22〜50mol%、b=18〜55mol%、c=2
〜40mol%、d=0〜25mol%(ただし、a+
b+c+d=100)である主成分からなり、この主成
分の重量に対して、副成分として、CoOを0.1〜2.
5wt%、PbOを0〜8wt%含む圧電磁器材料が得
られる。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の圧電磁器材料の概要、並
びにその具現に至る背景を簡単に説明する。
びにその具現に至る背景を簡単に説明する。
【0008】一般に、PbTiO3及びPbZrO3の固
溶体に、AサイトにPbを有する複合ペロブスカイト類
を第三成分として固溶させる場合、この比率が多いほ
ど、焼結温度は低下する。しかしながら、これらの含有
率が高くなるに従って、強誘電性を有する組成範囲で
は、キュリー温度が低下することが多い。
溶体に、AサイトにPbを有する複合ペロブスカイト類
を第三成分として固溶させる場合、この比率が多いほ
ど、焼結温度は低下する。しかしながら、これらの含有
率が高くなるに従って、強誘電性を有する組成範囲で
は、キュリー温度が低下することが多い。
【0009】即ち、多成分のPZT系圧電セラミック
は、PbTiO3−PbZrO3に複合ペロブスカイト類
を一種もしくは複数種固溶させることにより、二成分系
では得られなかった誘電的、圧電的特性の改善がなされ
て実用に供されている。その中で、PbTiO3−Pb
ZrO3−Pb(Mn1/3Nb2/3)O3系圧電セラミック
は、Pb(Mn1/3Nb2/3)O3を固溶させることで、
数百〜数千の機械的品質係数及び高い誘電的、圧電的特
性が得られていて、実用的な組成範囲は、Pb(Mn1/
3Nb2/3)O3の比率が40mol%以下となってい
る。これは、この値を超えると、キュリー温度が200
℃以下となり、誘電的及び圧電的な特性における温度安
定性が低下するためである。
は、PbTiO3−PbZrO3に複合ペロブスカイト類
を一種もしくは複数種固溶させることにより、二成分系
では得られなかった誘電的、圧電的特性の改善がなされ
て実用に供されている。その中で、PbTiO3−Pb
ZrO3−Pb(Mn1/3Nb2/3)O3系圧電セラミック
は、Pb(Mn1/3Nb2/3)O3を固溶させることで、
数百〜数千の機械的品質係数及び高い誘電的、圧電的特
性が得られていて、実用的な組成範囲は、Pb(Mn1/
3Nb2/3)O3の比率が40mol%以下となってい
る。これは、この値を超えると、キュリー温度が200
℃以下となり、誘電的及び圧電的な特性における温度安
定性が低下するためである。
【0010】さらに、本発明では、PbTiO3−Pb
ZrO3−Pb(Mn1/3Nb2/3)O3系に、さらに第四
の複合ペロブスカイト類として強誘電性であるPb(C
o1/2W1/2)O3を固溶させることで、比較的機械的品
質係数が高く、かつ1000℃以下の低温で焼結できる
組成を見出した。
ZrO3−Pb(Mn1/3Nb2/3)O3系に、さらに第四
の複合ペロブスカイト類として強誘電性であるPb(C
o1/2W1/2)O3を固溶させることで、比較的機械的品
質係数が高く、かつ1000℃以下の低温で焼結できる
組成を見出した。
【0011】しかしながら、PbTiO3−PbZrO3
−Pb(Mn1/3Nb2/3)O3−Pb(Co1/2W1/2)
O3の組成のみでは焼結体に巨大ボイドが生じやすく、
実用面で問題があることが明らかとなった。
−Pb(Mn1/3Nb2/3)O3−Pb(Co1/2W1/2)
O3の組成のみでは焼結体に巨大ボイドが生じやすく、
実用面で問題があることが明らかとなった。
【0012】そこで、一定量のCoOを添加したとこ
ろ、巨大ボイドの発生が著しく抑制され、実用的な誘
電、圧電特性を有することが判明した。また、CoO
は、Pb(Co1/2W1/2)O3の存在しない条件化で
も、単独で焼結温度の低下を可能にすることが明らかと
なった。さらに、CoOに加えてPbOを添加すると、
焼結温度を一層低下させ得ることが確認された。
ろ、巨大ボイドの発生が著しく抑制され、実用的な誘
電、圧電特性を有することが判明した。また、CoO
は、Pb(Co1/2W1/2)O3の存在しない条件化で
も、単独で焼結温度の低下を可能にすることが明らかと
なった。さらに、CoOに加えてPbOを添加すると、
焼結温度を一層低下させ得ることが確認された。
【0013】
【実施例】以下に、本発明の圧電磁器材料について、図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【0014】最初に、主成分及び副成分の原料として、
PbO、TiO2、ZrO2、MnCO3、Nb2O5、C
oO、WO3をそれぞれ異なる組成となるように秤量
し、これらの原料粉をジルコニアボールとともにアクリ
ルポット中に入れ、20時間湿式混合した。
PbO、TiO2、ZrO2、MnCO3、Nb2O5、C
oO、WO3をそれぞれ異なる組成となるように秤量
し、これらの原料粉をジルコニアボールとともにアクリ
ルポット中に入れ、20時間湿式混合した。
【0015】次に、これらの混合粉を脱水乾燥後、アル
ミナこう鉢中で800℃の条件化で2時間予焼を行って
から、各予焼粉をアクリルポット中ジルコニアボールに
て15時間湿式粉砕した。
ミナこう鉢中で800℃の条件化で2時間予焼を行って
から、各予焼粉をアクリルポット中ジルコニアボールに
て15時間湿式粉砕した。
【0016】引き続き、蒸発乾燥して得られた予焼粉砕
粉にバインダを混合して加圧し、φ15×3mm厚に成
形した。この成形体を750〜1050℃で2時間焼成
し、各焼結体を1mmの厚さに加工した後、両面に銀ペ
ーストを塗布して450℃で焼き付けて電極を形成する
ことにより、それぞれ組成の異なる試料とした。
粉にバインダを混合して加圧し、φ15×3mm厚に成
形した。この成形体を750〜1050℃で2時間焼成
し、各焼結体を1mmの厚さに加工した後、両面に銀ペ
ーストを塗布して450℃で焼き付けて電極を形成する
ことにより、それぞれ組成の異なる試料とした。
【0017】そこで、このようにして得られた各試料を
100℃、4kV/mm、15分で分極処理をし、比誘
電率εr、電気機械結合係数kp、機械的品質係数Qm
を測定した。測定結果は、表1に示す。なお、表1にお
いて、T.S.は、焼結体密度ρが7.5g/cm3以上と
なるのに必要な最低の焼結温度である。また、Tcはキ
ュリー温度である。また、図1に焼結温度と焼結体密度
の関係について示した。
100℃、4kV/mm、15分で分極処理をし、比誘
電率εr、電気機械結合係数kp、機械的品質係数Qm
を測定した。測定結果は、表1に示す。なお、表1にお
いて、T.S.は、焼結体密度ρが7.5g/cm3以上と
なるのに必要な最低の焼結温度である。また、Tcはキ
ュリー温度である。また、図1に焼結温度と焼結体密度
の関係について示した。
【0018】
【表1】
【0019】表1から、本発明の圧電磁器材料に関して
組成範囲を決定する理由として、排除されるべき以下の
(1)〜(6)の不適当事項を列挙することができる。
各試料のうち、εr<400、kp<25、Qm<50
0、Tc<200℃の場合、実用に乏しいため、本発明
の請求の範囲から除外することとした。
組成範囲を決定する理由として、排除されるべき以下の
(1)〜(6)の不適当事項を列挙することができる。
各試料のうち、εr<400、kp<25、Qm<50
0、Tc<200℃の場合、実用に乏しいため、本発明
の請求の範囲から除外することとした。
【0020】(1)PbTiO3量aが22mol%未
満では、Tcが低い値となるため好ましくない(No.
11)。また、50mol%を越えると、kpが低い値
となるため好ましくない(No.14)。 (2)PbZrO3量bが18mol%未満では、k
p、Qmが低下するため好ましくない(No.7)。ま
た、55mol%を越えると、εrが低い値となるため
好ましくない(No.10)。 (3)Pb(Mn1/3Nb2/3)O3量cが2mol%未
満では、Qmが低下するため好ましくない(No.
1)。また、40mol%を越えると、kp、Tcが低
い値となるため好ましくない(No.4)。 (4)Pb(Co1/2W1/2)O3量dが25mol%を
越えると、kpが低い値となるため好ましくない(N
o.6)。 (5)CoO量が主成分全重量に対して、0.1wt%
未満では、焼結体に巨大ボイドが生じて組織が不均質と
なるため好ましくない(No.15)。また、2.5wt
%を越えても、同様に組織が不均質となるためやはり好
ましくない(No.18)。 (6)PbO量が8wt%を越えると、巨大ボイドが生
じるため好ましくない(No.21)。
満では、Tcが低い値となるため好ましくない(No.
11)。また、50mol%を越えると、kpが低い値
となるため好ましくない(No.14)。 (2)PbZrO3量bが18mol%未満では、k
p、Qmが低下するため好ましくない(No.7)。ま
た、55mol%を越えると、εrが低い値となるため
好ましくない(No.10)。 (3)Pb(Mn1/3Nb2/3)O3量cが2mol%未
満では、Qmが低下するため好ましくない(No.
1)。また、40mol%を越えると、kp、Tcが低
い値となるため好ましくない(No.4)。 (4)Pb(Co1/2W1/2)O3量dが25mol%を
越えると、kpが低い値となるため好ましくない(N
o.6)。 (5)CoO量が主成分全重量に対して、0.1wt%
未満では、焼結体に巨大ボイドが生じて組織が不均質と
なるため好ましくない(No.15)。また、2.5wt
%を越えても、同様に組織が不均質となるためやはり好
ましくない(No.18)。 (6)PbO量が8wt%を越えると、巨大ボイドが生
じるため好ましくない(No.21)。
【0021】表1のNo.22をみると、Pb(Co1/2
W1/2)O3の存在しない条件でも、CoOは単独で焼結
温度の低下に効果があることが明らかである。さらに、
PbOを添加することによって、焼結温度をより低下さ
せ得ることがわかる(No.23)。
W1/2)O3の存在しない条件でも、CoOは単独で焼結
温度の低下に効果があることが明らかである。さらに、
PbOを添加することによって、焼結温度をより低下さ
せ得ることがわかる(No.23)。
【0022】
【発明の効果】以上述べたとおり、本発明によれば、P
bOの蒸発を回避できる1000℃以下の低温で焼成可
能とし、しかもεr400以上、kp25以上、Qm5
00以上、Tc200℃以上の優れた特性を有する圧電
材料を省エネルギーで低コストで製造することが可能と
なるため、工業的に有益となる。
bOの蒸発を回避できる1000℃以下の低温で焼成可
能とし、しかもεr400以上、kp25以上、Qm5
00以上、Tc200℃以上の優れた特性を有する圧電
材料を省エネルギーで低コストで製造することが可能と
なるため、工業的に有益となる。
【図1】各試料のうち、No.5、No.8、No.1
3、No.22に関して焼結温度に対する焼結体密度の
関係を示す図。
3、No.22に関して焼結温度に対する焼結体密度の
関係を示す図。
1 表1の試料No.5 2 表1の試料No.8 3 表1の試料No.13 4 表1の試料No.22
Claims (1)
- 【請求項1】 組成式aPbTiO3+bPbZrO3+
cPb(Mn1/3Nb2/3)O3+dPb(Co
1/2W1/2)O3で表され、a=22〜50mol%、b
=18〜55mol%、c=2〜40mol%、d=0
〜25mol%(ただし、a+b+c+d=100)で
ある主成分からなり、該主成分の重量に対して、副成分
として、CoOを0.1〜2.5wt%、PbOを0〜8
wt%含むことを特徴とする圧電磁器材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10033605A JPH11217263A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 圧電磁器材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10033605A JPH11217263A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 圧電磁器材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11217263A true JPH11217263A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12391114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10033605A Pending JPH11217263A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 圧電磁器材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11217263A (ja) |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP10033605A patent/JPH11217263A/ja active Pending
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