JPH11218256A - 電磁弁診断装置 - Google Patents
電磁弁診断装置Info
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- JPH11218256A JPH11218256A JP2116398A JP2116398A JPH11218256A JP H11218256 A JPH11218256 A JP H11218256A JP 2116398 A JP2116398 A JP 2116398A JP 2116398 A JP2116398 A JP 2116398A JP H11218256 A JPH11218256 A JP H11218256A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電磁弁のソレノイド部に生じたショート故障
が確実に検出できるようにする。 【解決手段】 電磁弁１２のソレノイド部１２ｓへの通
電をスイッチング制御する電界効果トランジスタＱｆを
診断パルスにより一定時間に亙って導通させ、診断パル
スの消滅に合わせてソレノイド部１２ｓに発生する逆起
電圧Ｖｘをしきい値判別し、ソレノイド部１２ｓのショ
ート故障の有無を判定する。スイッチング素子の種類に
よらない電磁弁１２の診断が可能であり、ソレノイド部
１２ｓに対し必要以上に通電しないで済む。
が確実に検出できるようにする。 【解決手段】 電磁弁１２のソレノイド部１２ｓへの通
電をスイッチング制御する電界効果トランジスタＱｆを
診断パルスにより一定時間に亙って導通させ、診断パル
スの消滅に合わせてソレノイド部１２ｓに発生する逆起
電圧Ｖｘをしきい値判別し、ソレノイド部１２ｓのショ
ート故障の有無を判定する。スイッチング素子の種類に
よらない電磁弁１２の診断が可能であり、ソレノイド部
１２ｓに対し必要以上に通電しないで済む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁弁のソレノイ
ド部に生じたショート故障が確実に検出できるようにし
た電磁弁診断装置に関する。
ド部に生じたショート故障が確実に検出できるようにし
た電磁弁診断装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】雪道などの滑りやすい路面を走行する車
両をスリップ事故から護るアンチロックブレーキ装置
は、車輪ごとに装着されたホイールセンサにより計測さ
れる車輪速信号に基づき、コントローラが車輪ロックの
可能性を検出し、車輪ロックが発生しそうな場合に、油
圧回路内の電磁弁を介して油圧ブレーキ機構を制御する
構成とされている。この種のアンチロックブレーキ制御
装置に用いる電磁弁は、高速でオンオフ制御する必要が
あり、オンオフ制御のためのドライバであるソレノイド
部にショート故障があってはならない。
両をスリップ事故から護るアンチロックブレーキ装置
は、車輪ごとに装着されたホイールセンサにより計測さ
れる車輪速信号に基づき、コントローラが車輪ロックの
可能性を検出し、車輪ロックが発生しそうな場合に、油
圧回路内の電磁弁を介して油圧ブレーキ機構を制御する
構成とされている。この種のアンチロックブレーキ制御
装置に用いる電磁弁は、高速でオンオフ制御する必要が
あり、オンオフ制御のためのドライバであるソレノイド
部にショート故障があってはならない。
【０００３】図３に示す電磁弁診断装置１は、ブレーキ
用油圧配管に組み込まれた電磁弁２のソレノイド部２ｓ
にスイチング素子として接続されてトランジスタＱを診
断パルスにより導通させ、ソレノイド部２ｓにショート
故障が発生しているか否かを診断する装置である。電磁
弁２のソレノイド部２ｓは、一端がバッテリ電源＋Ｂに
接続され、他端がトランジスタＱを介して接地されてい
る。トランジスタＱはエミッタ接地されており、コレク
タとエミッタ間に保護素子であるバリスタＲｖが接続し
てある。さらに、トランジスタＱのベースには、ベース
抵抗Ｒｂを介して診断パルス発生回路３が接続してあ
り、例えば運転者が車両のイグニッションスイッチを投
入した時点で診断パルスを発する構成とされている。４
は、ショート故障検出回路であり、ソレノイド部２ｓと
トランジスタＱのコレクタを結ぶ線路に分岐接続してあ
り、分岐接続点の電圧を診断電圧Ｖｓとして取り込む。
用油圧配管に組み込まれた電磁弁２のソレノイド部２ｓ
にスイチング素子として接続されてトランジスタＱを診
断パルスにより導通させ、ソレノイド部２ｓにショート
故障が発生しているか否かを診断する装置である。電磁
弁２のソレノイド部２ｓは、一端がバッテリ電源＋Ｂに
接続され、他端がトランジスタＱを介して接地されてい
る。トランジスタＱはエミッタ接地されており、コレク
タとエミッタ間に保護素子であるバリスタＲｖが接続し
てある。さらに、トランジスタＱのベースには、ベース
抵抗Ｒｂを介して診断パルス発生回路３が接続してあ
り、例えば運転者が車両のイグニッションスイッチを投
入した時点で診断パルスを発する構成とされている。４
は、ショート故障検出回路であり、ソレノイド部２ｓと
トランジスタＱのコレクタを結ぶ線路に分岐接続してあ
り、分岐接続点の電圧を診断電圧Ｖｓとして取り込む。
【０００４】ショート故障検出回路４は、分圧抵抗Ｒ
１，Ｒ２と平滑コンデンサＣからなる充放電回路４ａを
前記分岐接続点に接続し、平滑コンデンサＣの端子電圧
をリミッタ回路４ｂを介して判定回路４ｃに取り込む構
成としてある。リミッタ回路４ｂは、カソードが電源Ｖ
ｃｃに接続された上部クリップ用ダイオードＤ１とアノ
ードが接地された下部クリップ用ダイオードＤ２を直列
接続し、その接続点を判定回路４ｃと充放電回路４ａと
に接続してある。
１，Ｒ２と平滑コンデンサＣからなる充放電回路４ａを
前記分岐接続点に接続し、平滑コンデンサＣの端子電圧
をリミッタ回路４ｂを介して判定回路４ｃに取り込む構
成としてある。リミッタ回路４ｂは、カソードが電源Ｖ
ｃｃに接続された上部クリップ用ダイオードＤ１とアノ
ードが接地された下部クリップ用ダイオードＤ２を直列
接続し、その接続点を判定回路４ｃと充放電回路４ａと
に接続してある。
【０００５】ところで、診断パルス発生回路３３が、図
４（Ａ）に示す診断パルスを発生し、トランジスタＱを
導通させたとする。このとき、電磁弁２のソレノイド部
２ｓにショート故障が発生していないものとすると、ト
ランジスタＱのコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｓａｔは、
例えば約０．６Ｖとソレノイド部２ｓの両端に印加され
る電圧（ほぼ、バッテリ電源＋Ｂの出力電圧）に比べは
るかに小さい。このため、図４（Ｂ）に実線で示したよ
うに、ショート故障判定回路４が取り込む診断電圧Ｖｓ
はＶｓａｔと低く、判定回路４ｃの入力電圧すなわち充
放電回路４ａの出力電圧Ｖｊは、判定回路４ｃに設定さ
れた図４（Ｃ）に示すしきい値電圧Ｖｒ以下であり、シ
ョート故障が発生していないことが判る。
４（Ａ）に示す診断パルスを発生し、トランジスタＱを
導通させたとする。このとき、電磁弁２のソレノイド部
２ｓにショート故障が発生していないものとすると、ト
ランジスタＱのコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｓａｔは、
例えば約０．６Ｖとソレノイド部２ｓの両端に印加され
る電圧（ほぼ、バッテリ電源＋Ｂの出力電圧）に比べは
るかに小さい。このため、図４（Ｂ）に実線で示したよ
うに、ショート故障判定回路４が取り込む診断電圧Ｖｓ
はＶｓａｔと低く、判定回路４ｃの入力電圧すなわち充
放電回路４ａの出力電圧Ｖｊは、判定回路４ｃに設定さ
れた図４（Ｃ）に示すしきい値電圧Ｖｒ以下であり、シ
ョート故障が発生していないことが判る。
【０００６】これに対し、電磁弁２のソレノイド部２ｓ
にショート故障が発生している場合は、診断パルスを発
生してトランジスタＱを導通させたときに、トランジス
タＱには大電流が流れる。その結果、このため、トラン
ジスタＱのコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｓａｔが上昇
し、トランジスタのコレクタ端子電圧すなわち診断電圧
Ｖｓは、図４（Ｂ）に点線で示したように、７Ｖ程度と
ソレノイド部２ｓが正常であった時（約０．６Ｖ）に比
べ、十数倍程度高い値を示す。その結果、ショート故障
判定回路４内の判定回路４ｃに入力される判定電圧Ｖｊ
が、図４（Ｃ）に示したように、しきい値電圧Ｖｒを越
え、ショート故障が検出される。
にショート故障が発生している場合は、診断パルスを発
生してトランジスタＱを導通させたときに、トランジス
タＱには大電流が流れる。その結果、このため、トラン
ジスタＱのコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｓａｔが上昇
し、トランジスタのコレクタ端子電圧すなわち診断電圧
Ｖｓは、図４（Ｂ）に点線で示したように、７Ｖ程度と
ソレノイド部２ｓが正常であった時（約０．６Ｖ）に比
べ、十数倍程度高い値を示す。その結果、ショート故障
判定回路４内の判定回路４ｃに入力される判定電圧Ｖｊ
が、図４（Ｃ）に示したように、しきい値電圧Ｖｒを越
え、ショート故障が検出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の電磁弁診断
装置１は、電磁弁２のソレノイド部２ｓを駆動するスイ
ッチング素子としてトランジスタＱを用いているが、こ
のトランジスタＱをＭＯＳ ＦＥＴ（金属酸化膜電界効
果トランジスタ）に置き換えた場合、ショート故障を正
確に判定できない恐れがあった。これは、ＭＯＳ ＦＥ
Ｔの導通抵抗が非常に小さいために、仮にソレノイド部
２ｓのショート発生とともに大電流が流れたとしても、
ソレノイド部２ｓのショートインピーダンスによって
は、ショート故障判定回路４に取り込まれる診断電圧Ｖ
ｓに前述したような顕著なレベル差が表れないからであ
った。具体的には、図５（Ａ）〜（Ｃ）に実線と点線で
示したように、診断電圧Ｖｓにも或いは判定電圧Ｖｊに
も顕著な差異が見られず、判定電圧Ｖｊがしきい値電圧
Ｖｒ以下となってしまい、ショート故障を判定できない
のであった。また、診断パルスを発生してＭＯＳ ＦＥ
Ｔを導通させたときに、充放電回路４ａの平滑コンデン
サＣの充電時定数が存在するため、判定電圧Ｖｊが安定
するまで、ある程度の時間に亙って診断パルスを出力し
続ける必要があり、診断目的であるとは言え、必要以上
にソレノイド部２ｓに通電させる結果を招く等の課題を
抱えるものであった。
装置１は、電磁弁２のソレノイド部２ｓを駆動するスイ
ッチング素子としてトランジスタＱを用いているが、こ
のトランジスタＱをＭＯＳ ＦＥＴ（金属酸化膜電界効
果トランジスタ）に置き換えた場合、ショート故障を正
確に判定できない恐れがあった。これは、ＭＯＳ ＦＥ
Ｔの導通抵抗が非常に小さいために、仮にソレノイド部
２ｓのショート発生とともに大電流が流れたとしても、
ソレノイド部２ｓのショートインピーダンスによって
は、ショート故障判定回路４に取り込まれる診断電圧Ｖ
ｓに前述したような顕著なレベル差が表れないからであ
った。具体的には、図５（Ａ）〜（Ｃ）に実線と点線で
示したように、診断電圧Ｖｓにも或いは判定電圧Ｖｊに
も顕著な差異が見られず、判定電圧Ｖｊがしきい値電圧
Ｖｒ以下となってしまい、ショート故障を判定できない
のであった。また、診断パルスを発生してＭＯＳ ＦＥ
Ｔを導通させたときに、充放電回路４ａの平滑コンデン
サＣの充電時定数が存在するため、判定電圧Ｖｊが安定
するまで、ある程度の時間に亙って診断パルスを出力し
続ける必要があり、診断目的であるとは言え、必要以上
にソレノイド部２ｓに通電させる結果を招く等の課題を
抱えるものであった。
【０００８】本発明は、上記課題を解決したものであ
り、電磁弁のソレノイド部に生じたショート故障が確実
に検出できるようにすることを目的とするものである。
り、電磁弁のソレノイド部に生じたショート故障が確実
に検出できるようにすることを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、スイッチング素子によりソレノイド部への通電を制
御される電磁弁と、前記スイッチング素子に診断パルス
を供給して導通させ、該診断パルスの消滅時点で前記ソ
レノイド部に発生する逆起電圧をしきい値判別し、予め
設定した基準電圧以上の逆起電圧が発生しない場合は、
前記ソレノイド部にショート故障が発生していると判定
するショート故障検出手段とを具備することを特徴とす
るものである。
め、スイッチング素子によりソレノイド部への通電を制
御される電磁弁と、前記スイッチング素子に診断パルス
を供給して導通させ、該診断パルスの消滅時点で前記ソ
レノイド部に発生する逆起電圧をしきい値判別し、予め
設定した基準電圧以上の逆起電圧が発生しない場合は、
前記ソレノイド部にショート故障が発生していると判定
するショート故障検出手段とを具備することを特徴とす
るものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図１，
２を参照して説明する。図１は、本発明の電磁弁診断装
置の一実施形態を示す回路構成図、図２は、図１に示し
た回路各部の信号波形図である。
２を参照して説明する。図１は、本発明の電磁弁診断装
置の一実施形態を示す回路構成図、図２は、図１に示し
た回路各部の信号波形図である。
【００１１】図１に示す電磁弁診断装置１１は、電磁弁
１２のソレノイド部１２ｓを駆動するスイッチング素子
としてＭＯＳ ＦＥＴ（Ｑｆ）を用いた場合の回路構成
例を示すものであり、ソース接地された電界効果トラン
ジスタＱｆのドレインがバッテリ電源＋Ｂに接続してあ
る。電界効果トランジスタＱｆは、そのゲートがゲート
抵抗Ｒｇを介して診断パルス発生回路１３に接続してあ
る。電界効果トランジスタＱｆのドレインとゲートを結
んで接続したツェナーダイオードＺＤとダイオーＤは、
電界効果トランジスタＱｆを過電圧から保護するダイナ
ミック・クランプ回路１５を構成している。
１２のソレノイド部１２ｓを駆動するスイッチング素子
としてＭＯＳ ＦＥＴ（Ｑｆ）を用いた場合の回路構成
例を示すものであり、ソース接地された電界効果トラン
ジスタＱｆのドレインがバッテリ電源＋Ｂに接続してあ
る。電界効果トランジスタＱｆは、そのゲートがゲート
抵抗Ｒｇを介して診断パルス発生回路１３に接続してあ
る。電界効果トランジスタＱｆのドレインとゲートを結
んで接続したツェナーダイオードＺＤとダイオーＤは、
電界効果トランジスタＱｆを過電圧から保護するダイナ
ミック・クランプ回路１５を構成している。
【００１２】ところで、電磁弁１２のソレノイド部１２
ｓと電界効果トランジスタＱｆのドレインとを結ぶ線路
には、ショート故障検出回路１４が分岐接続してある。
このショート故障検出回路１４は、ソレノイド部１２ｓ
に対する通電を断ったときにソレノイド部１２ｓに発生
する逆起電圧Ｖｘをしきい値判別してショート故障の有
無を判定するものであり、上記分岐接続点に接続した分
圧抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の分圧点をコンパレータ１４ｃの
比較入力端子（反転入力端子）に接続し、コンパレータ
１４ｃの出力端子を判定出力回路１４ｄに接続した構成
をなす。コンパレータの基準入力端子（非反転入力端
子）には、電源電圧Ｖｃｃを分圧抵抗Ｒ１３，Ｒ１４に
より分圧して得られる基準電圧Ｖｒが与えられている。
本実施形態では、この基準電圧Ｖｒは、電界効果トラン
ジスタＱｆを遮断した時にソレノイド部１２ｓに発生す
る逆起電圧Ｖｘによって出力極性が反転するような値に
設定してある。抵抗Ｒ１５は、コンパレータ１４ｃの非
反転入力端子と出力端子の間に接続したヒステリシス設
定抵抗であり、抵抗Ｒ１６は、コンパレータ１４ｃの出
力端子と直流電源Ｖｃｃの間に接続したプルアップ抵抗
である。
ｓと電界効果トランジスタＱｆのドレインとを結ぶ線路
には、ショート故障検出回路１４が分岐接続してある。
このショート故障検出回路１４は、ソレノイド部１２ｓ
に対する通電を断ったときにソレノイド部１２ｓに発生
する逆起電圧Ｖｘをしきい値判別してショート故障の有
無を判定するものであり、上記分岐接続点に接続した分
圧抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の分圧点をコンパレータ１４ｃの
比較入力端子（反転入力端子）に接続し、コンパレータ
１４ｃの出力端子を判定出力回路１４ｄに接続した構成
をなす。コンパレータの基準入力端子（非反転入力端
子）には、電源電圧Ｖｃｃを分圧抵抗Ｒ１３，Ｒ１４に
より分圧して得られる基準電圧Ｖｒが与えられている。
本実施形態では、この基準電圧Ｖｒは、電界効果トラン
ジスタＱｆを遮断した時にソレノイド部１２ｓに発生す
る逆起電圧Ｖｘによって出力極性が反転するような値に
設定してある。抵抗Ｒ１５は、コンパレータ１４ｃの非
反転入力端子と出力端子の間に接続したヒステリシス設
定抵抗であり、抵抗Ｒ１６は、コンパレータ１４ｃの出
力端子と直流電源Ｖｃｃの間に接続したプルアップ抵抗
である。
【００１３】ここで、診断パルス発生回路１３が、図２
（Ａ）に示したように、診断パルスとして一定時間に亙
って持続するゲート電圧を供給したとする。電磁弁１２
が正常であれば、ショート故障検出回路１４内のコンパ
レータ１４ｃの反転端子に印加される判定電圧Ｖｊは、
非反転入力端子に設定された基準電圧Ｖｒよりも低く、
コンパレータ１４ｃの出力はハイレベルをとる。しかし
ながら、一定時間が経過して診断パルスが消滅したとき
に、インダクタンス負荷であるソレノイド部１２ｓが逆
起電圧Ｖｘを発生すると、電界効果トランジスタＱｆの
ドレイン電圧は急激に上昇し、図２（Ｂ）に実線で示し
たように、ダイナミッククランプ回路１５のクランプ電
圧Ｖｃにクランプされる。その結果、コンパレータ１４
ｃの反転入力端子に印加される判定電圧Ｖｊが非反転入
力端子に印加される基準電圧Ｖｒを上回り、コンパレー
タ１４ｃの出力電圧はロウレベルに反転する。これによ
り、ショート故障検出回路１４内の判定出力回路１４ｄ
から、負荷ショートが発生していないことを示す判定出
力が得られる。
（Ａ）に示したように、診断パルスとして一定時間に亙
って持続するゲート電圧を供給したとする。電磁弁１２
が正常であれば、ショート故障検出回路１４内のコンパ
レータ１４ｃの反転端子に印加される判定電圧Ｖｊは、
非反転入力端子に設定された基準電圧Ｖｒよりも低く、
コンパレータ１４ｃの出力はハイレベルをとる。しかし
ながら、一定時間が経過して診断パルスが消滅したとき
に、インダクタンス負荷であるソレノイド部１２ｓが逆
起電圧Ｖｘを発生すると、電界効果トランジスタＱｆの
ドレイン電圧は急激に上昇し、図２（Ｂ）に実線で示し
たように、ダイナミッククランプ回路１５のクランプ電
圧Ｖｃにクランプされる。その結果、コンパレータ１４
ｃの反転入力端子に印加される判定電圧Ｖｊが非反転入
力端子に印加される基準電圧Ｖｒを上回り、コンパレー
タ１４ｃの出力電圧はロウレベルに反転する。これによ
り、ショート故障検出回路１４内の判定出力回路１４ｄ
から、負荷ショートが発生していないことを示す判定出
力が得られる。
【００１４】なお、コンパレータ１４ｃはヒステリシス
付きであるから、診断期間としては、図２（Ｃ）に示し
たように、判定電圧Ｖｊが基準電圧Ｖｒを越えて上昇す
る時点と、判定電圧Ｖｊが基準電圧Ｖｒよりもヒステリ
シス電圧ΔＶｈだけ低い電圧（Ｖｒ−ΔＶｈ）を横切っ
て下降する時点までの間となる。このため、ヒステリシ
ス幅ΔＶｈを大に設定することで、判定出力回路１４ｄ
が判定結果を出力までの時間を十分に確保し、確実な判
定を下すことができる。
付きであるから、診断期間としては、図２（Ｃ）に示し
たように、判定電圧Ｖｊが基準電圧Ｖｒを越えて上昇す
る時点と、判定電圧Ｖｊが基準電圧Ｖｒよりもヒステリ
シス電圧ΔＶｈだけ低い電圧（Ｖｒ−ΔＶｈ）を横切っ
て下降する時点までの間となる。このため、ヒステリシ
ス幅ΔＶｈを大に設定することで、判定出力回路１４ｄ
が判定結果を出力までの時間を十分に確保し、確実な判
定を下すことができる。
【００１５】一方、電磁弁１２のソレノイド部１２ｓが
ショート故障を引き起こした場合、診断パルス発生回路
１３が診断パルスを発生して電界効果トランジスタＱｆ
を導通させ、コンパレータ１１出力はハイレベルをと
る。ただし、一定時間が経過して診断パルスが消滅して
も、本来であればインダクタンス負荷である筈のソレノ
イド部１２ｃは逆起電圧Ｖｘを発生しない。このため、
図２（Ｂ）に点線で示したように、電界効果トランジス
タＱｆのドレイン電圧が急上昇することはなく、ショー
ト故障検出回路１４内のコンパレータ１４ｃの反転端子
に印加される判定電圧Ｖｊは非反転端子に印加されてい
る基準電圧Ｖｒに満たない。その結果、診断パルスが消
滅しても、図２（Ｄ）に示したように、コンパレータ１
４ｃの出力電圧はハイレベルのままであり、ショート故
障検出回路１４によりソレノイド部１２ｓのショート故
障が検出される。
ショート故障を引き起こした場合、診断パルス発生回路
１３が診断パルスを発生して電界効果トランジスタＱｆ
を導通させ、コンパレータ１１出力はハイレベルをと
る。ただし、一定時間が経過して診断パルスが消滅して
も、本来であればインダクタンス負荷である筈のソレノ
イド部１２ｃは逆起電圧Ｖｘを発生しない。このため、
図２（Ｂ）に点線で示したように、電界効果トランジス
タＱｆのドレイン電圧が急上昇することはなく、ショー
ト故障検出回路１４内のコンパレータ１４ｃの反転端子
に印加される判定電圧Ｖｊは非反転端子に印加されてい
る基準電圧Ｖｒに満たない。その結果、診断パルスが消
滅しても、図２（Ｄ）に示したように、コンパレータ１
４ｃの出力電圧はハイレベルのままであり、ショート故
障検出回路１４によりソレノイド部１２ｓのショート故
障が検出される。
【００１６】このように、上記電磁弁診断装置１１は、
電磁弁１２のソレノイド部１２ｓへの通電をスイッチン
グ制御する電界効果トランジスタＱｆを診断パルスによ
り一定時間に亙って導通させ、診断パルスの消滅に合わ
せてソレノイド部１２ｓに発生する逆起電圧Ｖｘをしき
い値判別し、ソレノイド部１２ｓのショート故障の有無
を判定する構成としたから、スイッチング素子として導
通抵抗の低いＭＯＳＦＥＴを用いていても、診断パルス
の供給時点で観測されるソレノイド部１２ｓと電界効果
トランジスタＱｆの接続点における微妙な電圧変化では
なく、診断パルスの消滅時点でソレノイド部１２ｓに発
生する逆起電圧Ｖｆの有無に応じてソレノイド部１２ｓ
のショート故障を適確に判定することができ、従ってス
イッチング素子の種類によらない電磁弁１２の診断が可
能である。また、診断パルスが消滅した時点で診断を行
うため、診断パルスのパルス持続時間の長短は問題では
なく、従って診断パルスの持続時間を必要最小限に止
め、診断目的とは言え、ソレノイド部１２ｓに対し必要
以上に通電しないで済ませることができる。
電磁弁１２のソレノイド部１２ｓへの通電をスイッチン
グ制御する電界効果トランジスタＱｆを診断パルスによ
り一定時間に亙って導通させ、診断パルスの消滅に合わ
せてソレノイド部１２ｓに発生する逆起電圧Ｖｘをしき
い値判別し、ソレノイド部１２ｓのショート故障の有無
を判定する構成としたから、スイッチング素子として導
通抵抗の低いＭＯＳＦＥＴを用いていても、診断パルス
の供給時点で観測されるソレノイド部１２ｓと電界効果
トランジスタＱｆの接続点における微妙な電圧変化では
なく、診断パルスの消滅時点でソレノイド部１２ｓに発
生する逆起電圧Ｖｆの有無に応じてソレノイド部１２ｓ
のショート故障を適確に判定することができ、従ってス
イッチング素子の種類によらない電磁弁１２の診断が可
能である。また、診断パルスが消滅した時点で診断を行
うため、診断パルスのパルス持続時間の長短は問題では
なく、従って診断パルスの持続時間を必要最小限に止
め、診断目的とは言え、ソレノイド部１２ｓに対し必要
以上に通電しないで済ませることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はによれ
ば、電磁弁のソレノイド部への通電をスイッチング制御
するスイッチング素子を診断パルスにより一定時間に亙
って導通させ、診断パルスの消滅に合わせてソレノイド
部に発生する逆起電圧をしきい値判別し、ソレノイド部
のショート故障の有無を判定する構成としたから、スイ
ッチング素子として導通抵抗の低いＭＯＳ ＦＥＴを用
いていても、診断パルスの供給時点で観測されるソレノ
イド部とスイッチング素子の接続点における微妙な電圧
変化ではなく、診断パルスの消滅時点でソレノイド部に
発生する逆起電圧の有無に応じてソレノイド部のショー
ト故障を適確に判定することができ、スイッチング素子
の種類によらない電磁弁の診断が可能であり、診断パル
スが消滅した時点で診断を行うため、診断パルスのパル
ス持続時間の長短は問題ではなく、従って診断パルスの
持続時間を必要最小限に止め、診断目的とは言え、ソレ
ノイド部に対し必要以上に通電しないで済む等の優れた
効果を奏する。
ば、電磁弁のソレノイド部への通電をスイッチング制御
するスイッチング素子を診断パルスにより一定時間に亙
って導通させ、診断パルスの消滅に合わせてソレノイド
部に発生する逆起電圧をしきい値判別し、ソレノイド部
のショート故障の有無を判定する構成としたから、スイ
ッチング素子として導通抵抗の低いＭＯＳ ＦＥＴを用
いていても、診断パルスの供給時点で観測されるソレノ
イド部とスイッチング素子の接続点における微妙な電圧
変化ではなく、診断パルスの消滅時点でソレノイド部に
発生する逆起電圧の有無に応じてソレノイド部のショー
ト故障を適確に判定することができ、スイッチング素子
の種類によらない電磁弁の診断が可能であり、診断パル
スが消滅した時点で診断を行うため、診断パルスのパル
ス持続時間の長短は問題ではなく、従って診断パルスの
持続時間を必要最小限に止め、診断目的とは言え、ソレ
ノイド部に対し必要以上に通電しないで済む等の優れた
効果を奏する。
【図１】本発明の電磁弁診断装置の一実施形態を示す回
路構成図である。
路構成図である。
【図２】図１に示した回路各部の信号波形図である。
【図３】従来の電磁弁診断装置の一例を示す回路構成図
である。
である。
【図４】図３に示した回路各部の信号波形図である。
【図５】スイッチング素子をＭＯＳ ＦＥＴで構成した
場合の図３に示した回路各部の信号波形図である。
場合の図３に示した回路各部の信号波形図である。
１１ 電磁弁診断装置 １２ 電磁弁 １２ｓ ソレノイド部 １３ 診断パルス発生回路 １４ ショート故障検出回路 １４ｃ コンパレータ １４ｄ 判定出力回路 １５ ダイナミッククランプ回路 Ｑｆ 電界効果トランジスタ
Claims (1)
- 【請求項１】 スイッチング素子によりソレノイド部へ
の通電を制御される電磁弁と、前記スイッチング素子に
診断パルスを供給して導通させ、該診断パルスの消滅時
点で前記ソレノイド部に発生する逆起電圧をしきい値判
別し、予め設定した基準電圧以上の逆起電圧が発生しな
い場合は、前記ソレノイド部にショート故障が発生して
いると判定するショート故障検出手段とを具備すること
を特徴とする電磁弁診断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2116398A JPH11218256A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電磁弁診断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2116398A JPH11218256A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電磁弁診断装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11218256A true JPH11218256A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12047255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2116398A Pending JPH11218256A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電磁弁診断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11218256A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-02-02 JP JP2116398A patent/JPH11218256A/ja active Pending
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