JPH11219936A - ガスプロセス装置およびガスプロセス装置の使用方法 - Google Patents
ガスプロセス装置およびガスプロセス装置の使用方法Info
- Publication number
- JPH11219936A JPH11219936A JP10019664A JP1966498A JPH11219936A JP H11219936 A JPH11219936 A JP H11219936A JP 10019664 A JP10019664 A JP 10019664A JP 1966498 A JP1966498 A JP 1966498A JP H11219936 A JPH11219936 A JP H11219936A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- cooling trap
- piping system
- trap
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
- B01D53/06—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with moving adsorbents, e.g. rotating beds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
- B01D53/04—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with stationary adsorbents
- B01D53/0462—Temperature swing adsorption
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D8/00—Cold traps; Cold baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
- B01D2257/206—Organic halogen compounds
- B01D2257/2066—Fluorine
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2258/00—Sources of waste gases
- B01D2258/02—Other waste gases
- B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2259/00—Type of treatment
- B01D2259/40—Further details for adsorption processes and devices
- B01D2259/40011—Methods relating to the process cycle in pressure or temperature swing adsorption
- B01D2259/40043—Purging
- B01D2259/4005—Nature of purge gas
- B01D2259/40056—Gases other than recycled product or process gas
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2259/00—Type of treatment
- B01D2259/40—Further details for adsorption processes and devices
- B01D2259/40083—Regeneration of adsorbents in processes other than pressure or temperature swing adsorption
- B01D2259/40088—Regeneration of adsorbents in processes other than pressure or temperature swing adsorption by heating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2259/00—Type of treatment
- B01D2259/40—Further details for adsorption processes and devices
- B01D2259/402—Further details for adsorption processes and devices using two beds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チャンバ等の容器から排出されたガスを低コ
ストで効率よく回収する。 【解決手段】 所定の処理に使用されるガスが導入され
る処理容器１と、この処理容器１からガスを排出する配
管系３と、この配管系３の途中に配置された冷却トラッ
プ７とこの配管系から退避させた冷却トラップ８とを交
換する交換手段１７と、配管系３から退避させた冷却ト
ラップ８にトラップされているガスを離脱させて冷却ト
ラップを再生する再生手段１８と、再生手段１８によっ
て冷却トラップ８から離脱したガスを回収する回収手段
１２とを有する。
ストで効率よく回収する。 【解決手段】 所定の処理に使用されるガスが導入され
る処理容器１と、この処理容器１からガスを排出する配
管系３と、この配管系３の途中に配置された冷却トラッ
プ７とこの配管系から退避させた冷却トラップ８とを交
換する交換手段１７と、配管系３から退避させた冷却ト
ラップ８にトラップされているガスを離脱させて冷却ト
ラップを再生する再生手段１８と、再生手段１８によっ
て冷却トラップ８から離脱したガスを回収する回収手段
１２とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガスを利用して行
うプロセス全般或いはガスを利用して行う基板表面での
処理（薄膜の成膜、表面処理、エッチング、表面改質、
不純物添加、洗浄（表面に付着した不純物の除去）等を
行う装置および方法に関する。
うプロセス全般或いはガスを利用して行う基板表面での
処理（薄膜の成膜、表面処理、エッチング、表面改質、
不純物添加、洗浄（表面に付着した不純物の除去）等を
行う装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】反応性ガスを使用したプロセスは、エッ
チングを初めとしてＣＶＤ、表面改質、洗浄、不純物添
加など、半導体製造技術に多く使用されている。また、
それらのプロセスチャンバーのドライ洗浄、エキシマレ
ーザの励起チャンバや電子ビーム描画装置の鏡筒内部の
ドライ洗浄など、直接のウエハプロセスに使用する以外
の用途でも多くの応用がなされている。
チングを初めとしてＣＶＤ、表面改質、洗浄、不純物添
加など、半導体製造技術に多く使用されている。また、
それらのプロセスチャンバーのドライ洗浄、エキシマレ
ーザの励起チャンバや電子ビーム描画装置の鏡筒内部の
ドライ洗浄など、直接のウエハプロセスに使用する以外
の用途でも多くの応用がなされている。
【０００３】これらでは、反応性が高い有害なガスのほ
かに、ＰＦＣ（Per-Fluorocompounds ）と呼ばれる地球
温暖化に影響を与えると考えられている安定なガスも多
く使用されている。ＰＦＣはＣＯ2 に較べ、生産量、排
出量は少ないが、地球温暖化係数が極めて高いために相
対的な影響度は大きく、地球環境保護の観点からは大気
への放出を無くす必要がある。また、半導体製造に使用
される多くの有害ガスもそのまま大気へ放出され、酸性
雨や環境破壊の原因となる。最近は排出されたガスをゼ
オライトや活性炭に吸着させて除去する方式の除害装置
が使用されるようになったが、吸着剤の処理は焼却や埋
め立てであり、依然として長期的に環境に与える負荷は
大きいものがある。
かに、ＰＦＣ（Per-Fluorocompounds ）と呼ばれる地球
温暖化に影響を与えると考えられている安定なガスも多
く使用されている。ＰＦＣはＣＯ2 に較べ、生産量、排
出量は少ないが、地球温暖化係数が極めて高いために相
対的な影響度は大きく、地球環境保護の観点からは大気
への放出を無くす必要がある。また、半導体製造に使用
される多くの有害ガスもそのまま大気へ放出され、酸性
雨や環境破壊の原因となる。最近は排出されたガスをゼ
オライトや活性炭に吸着させて除去する方式の除害装置
が使用されるようになったが、吸着剤の処理は焼却や埋
め立てであり、依然として長期的に環境に与える負荷は
大きいものがある。
【０００４】ＰＦＣの回収については、種々の方法が提
案されている。例えば、除害装置を通した後の排気ガス
を一度ガスタンクに収容し、それをガスボンベへ移しか
えてガス精製工場へ輸送し、工場で精製再生する方式が
ある。また、インラインの回収技術として、分子レベル
の微細穴を持つメンブレンを使用して、ＰＦＣと窒素な
どの希釈ガスの分子の大きさの違いを利用してＰＦＣを
分離し、選択的に回収する技術が提案されている。
案されている。例えば、除害装置を通した後の排気ガス
を一度ガスタンクに収容し、それをガスボンベへ移しか
えてガス精製工場へ輸送し、工場で精製再生する方式が
ある。また、インラインの回収技術として、分子レベル
の微細穴を持つメンブレンを使用して、ＰＦＣと窒素な
どの希釈ガスの分子の大きさの違いを利用してＰＦＣを
分離し、選択的に回収する技術が提案されている。
【０００５】しかし、前者の技術は、大規模なガス回収
システムとしての運用が必要であり、同一ガスが大量に
使用される場合以外はコスト的に見合わない。半導体デ
バイスの進歩とともにプロセスで使用されるガスは頻繁
に変更される。また、そこで使用されるガスの種類も極
めて多種にわたるのが現実である。
システムとしての運用が必要であり、同一ガスが大量に
使用される場合以外はコスト的に見合わない。半導体デ
バイスの進歩とともにプロセスで使用されるガスは頻繁
に変更される。また、そこで使用されるガスの種類も極
めて多種にわたるのが現実である。
【０００６】一方、後者の技術は、メンブレンを利用す
るために、メンブレンに供給するガスの圧力、希釈ガス
に対するＰＦＣガスの濃度に制限が多く、各生産装置で
適宜ガスのオンオフを繰り返しながら大量の処理を行う
工場では、排気ガスの供給量は極めて不安定であるた
め、このようなシステムをインライン方式（多くの装置
の排気管を集めて直接その場で分離装置へ供給してい
く）で運用することはほとんど不可能である。
るために、メンブレンに供給するガスの圧力、希釈ガス
に対するＰＦＣガスの濃度に制限が多く、各生産装置で
適宜ガスのオンオフを繰り返しながら大量の処理を行う
工場では、排気ガスの供給量は極めて不安定であるた
め、このようなシステムをインライン方式（多くの装置
の排気管を集めて直接その場で分離装置へ供給してい
く）で運用することはほとんど不可能である。
【０００７】図８は、従来技術の一例を示したものであ
り、プラズマを用いて被処理基板の加工を行う装置の概
略構成等を示した説明図である。図８において、１はエ
ッチングチャンバであり、被処理基板であるＳｉウエハ
がサセプタ上に配置される。このチャンバ１内では反応
性ガスのプラズマが生成され、ウエハ表面のシリコン酸
化膜の加工が行われる。エッチングガスとして、ここで
はＣ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒの混合ガスを使用するものとす
る。Ｃ4 Ｆ8 ガスはＰＦＣのひとつとされており、今後
排出量が規制されていく可能性がある。しかし、半導体
の加工技術においては、Ｃ4 Ｆ8 ガスを始めとしたＣＦ
4 、ＣＨＦ3 などのＣＦ（フロロカーボン）を含むガス
が必須である。したがって、本分野でその排出量を抑え
る努力が必要となる。
り、プラズマを用いて被処理基板の加工を行う装置の概
略構成等を示した説明図である。図８において、１はエ
ッチングチャンバであり、被処理基板であるＳｉウエハ
がサセプタ上に配置される。このチャンバ１内では反応
性ガスのプラズマが生成され、ウエハ表面のシリコン酸
化膜の加工が行われる。エッチングガスとして、ここで
はＣ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒの混合ガスを使用するものとす
る。Ｃ4 Ｆ8 ガスはＰＦＣのひとつとされており、今後
排出量が規制されていく可能性がある。しかし、半導体
の加工技術においては、Ｃ4 Ｆ8 ガスを始めとしたＣＦ
4 、ＣＨＦ3 などのＣＦ（フロロカーボン）を含むガス
が必須である。したがって、本分野でその排出量を抑え
る努力が必要となる。
【０００８】エッチングチャンバ１にはガス供給系配管
２から、それぞれのガスの流量や混合比を制御した混合
ガスが導入される。ガスはチャンバ１内に設けられた電
極に印加した高周波（ｒｆ）或いは外部のコイルやアン
テナから供給されるｒｆやマイクロ波などのエネルギで
放電を起こし、ガスのプラズマが生成される。このガス
プラズマで生成された活性種（反応性の高いＦ、ＣＦx
など）がＳｉＯ2 膜表面へ供給され、同時にプラズマか
らウエハ表面を衝撃するイオンのエネルギを得て化学反
応が進行し、蒸気圧の高い反応生成物が形成されること
でエッチングが進行する。したがって、エッチングチャ
ンバからは、プラズマ中で分解されなかったガス、分解
されたＦやＣＦx などのガス、分解したガスが反応して
生成されるＣＯＦx 、Ｃx Ｆy などのガス、さらには被
エッチング膜と反応して生成されたＳｉＦx （ｘ＝１〜
４）やＣＯ2 などのエッチング生成物ガスが排出される
こととなる。
２から、それぞれのガスの流量や混合比を制御した混合
ガスが導入される。ガスはチャンバ１内に設けられた電
極に印加した高周波（ｒｆ）或いは外部のコイルやアン
テナから供給されるｒｆやマイクロ波などのエネルギで
放電を起こし、ガスのプラズマが生成される。このガス
プラズマで生成された活性種（反応性の高いＦ、ＣＦx
など）がＳｉＯ2 膜表面へ供給され、同時にプラズマか
らウエハ表面を衝撃するイオンのエネルギを得て化学反
応が進行し、蒸気圧の高い反応生成物が形成されること
でエッチングが進行する。したがって、エッチングチャ
ンバからは、プラズマ中で分解されなかったガス、分解
されたＦやＣＦx などのガス、分解したガスが反応して
生成されるＣＯＦx 、Ｃx Ｆy などのガス、さらには被
エッチング膜と反応して生成されたＳｉＦx （ｘ＝１〜
４）やＣＯ2 などのエッチング生成物ガスが排出される
こととなる。
【０００９】このようにしてチャンバ１から排出系配管
３に排出されたガスは、真空排気装置であるターボ分子
ポンプ（ＴＭＰ）４とその下流に配置されたドライポン
プ５によって排気され、さらに除害装置１３で有害な物
質が除去された後、工場内のダクトを通ってスクラバー
でさらに固形物などが除去され、大気中に放出されるこ
とになる。除害装置１３では、活性で有害なＦやＣＯＦ
x 、Ｃx Ｆy など、或いは有害なＣＯなどが吸着や燃焼
などの手段によって除害されるが、安定なＣ4Ｆ8 ガス
はそのまま通過して最終的に大気中へ放出されることに
なり、地球温暖化の一因となる。
３に排出されたガスは、真空排気装置であるターボ分子
ポンプ（ＴＭＰ）４とその下流に配置されたドライポン
プ５によって排気され、さらに除害装置１３で有害な物
質が除去された後、工場内のダクトを通ってスクラバー
でさらに固形物などが除去され、大気中に放出されるこ
とになる。除害装置１３では、活性で有害なＦやＣＯＦ
x 、Ｃx Ｆy など、或いは有害なＣＯなどが吸着や燃焼
などの手段によって除害されるが、安定なＣ4Ｆ8 ガス
はそのまま通過して最終的に大気中へ放出されることに
なり、地球温暖化の一因となる。
【００１０】従来の回収方法では、この最終段階の手前
のスクラバーを出たところ、すなわち、工場間の多くの
装置の排気をまとめたところに、メンブレンフィルター
や冷却トラップを設け、ガスを分離回収する。しかしな
がら、このような方式では、装置の稼働状況の変化で回
収システムに対する負荷が常に変動するため、回収の効
率を大幅に低下させることになる。また、各装置の排気
系、例えばドライポンプにはパージ用の窒素を大量に流
し、有害反応性ガスを希釈することでポンプの腐食や劣
化を抑制している。したがって、回収システムへ供給さ
れるガス中のＣＦ系ガス濃度が０．２％未満にまで希釈
され、さらに回収の効率を低下させることになる。
のスクラバーを出たところ、すなわち、工場間の多くの
装置の排気をまとめたところに、メンブレンフィルター
や冷却トラップを設け、ガスを分離回収する。しかしな
がら、このような方式では、装置の稼働状況の変化で回
収システムに対する負荷が常に変動するため、回収の効
率を大幅に低下させることになる。また、各装置の排気
系、例えばドライポンプにはパージ用の窒素を大量に流
し、有害反応性ガスを希釈することでポンプの腐食や劣
化を抑制している。したがって、回収システムへ供給さ
れるガス中のＣＦ系ガス濃度が０．２％未満にまで希釈
され、さらに回収の効率を低下させることになる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の装
置或いは方法では、チャンバ等から排出されるＰＦＣガ
ス等を低コストで効率よく回収することが困難であっ
た。本発明は上記従来の問題を解決するためになされた
ものであり、チャンバ等の容器から排出されたガスを低
コストで効率よく回収することが可能な装置および方法
を提供することを目的としている。
置或いは方法では、チャンバ等から排出されるＰＦＣガ
ス等を低コストで効率よく回収することが困難であっ
た。本発明は上記従来の問題を解決するためになされた
ものであり、チャンバ等の容器から排出されたガスを低
コストで効率よく回収することが可能な装置および方法
を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係るガスプロセ
ス装置は、所定の処理に使用されるガスが導入される処
理容器と、この処理容器からガスを排出する配管系と、
この配管系の途中に配置された冷却トラップとこの配管
系から退避させた冷却トラップとを交換する交換手段
と、前記配管系から退避させた冷却トラップにトラップ
されているガスを該冷却トラップから離脱させて該冷却
トラップを再生する再生手段と、この再生手段によって
冷却トラップから離脱したガスを回収する回収手段とを
有することを特徴とする。
ス装置は、所定の処理に使用されるガスが導入される処
理容器と、この処理容器からガスを排出する配管系と、
この配管系の途中に配置された冷却トラップとこの配管
系から退避させた冷却トラップとを交換する交換手段
と、前記配管系から退避させた冷却トラップにトラップ
されているガスを該冷却トラップから離脱させて該冷却
トラップを再生する再生手段と、この再生手段によって
冷却トラップから離脱したガスを回収する回収手段とを
有することを特徴とする。
【００１３】本発明によれば、冷却トラップを配管系の
途中に配置したので、例えばＰＦＣガス等があまり希釈
されない段階でＰＦＣガス等をトラップすることがで
き、低コストで効率よくＰＦＣガス等を回収することが
できる。また、ＰＦＣガス等をトラップした冷却トラッ
プを退避させて再生させる一方、その代わりに再生され
た冷却トラップを配管系の途中に配置するので、効率よ
くガスのトラップおよび回収処理を行うことができる。
途中に配置したので、例えばＰＦＣガス等があまり希釈
されない段階でＰＦＣガス等をトラップすることがで
き、低コストで効率よくＰＦＣガス等を回収することが
できる。また、ＰＦＣガス等をトラップした冷却トラッ
プを退避させて再生させる一方、その代わりに再生され
た冷却トラップを配管系の途中に配置するので、効率よ
くガスのトラップおよび回収処理を行うことができる。
【００１４】また、本発明では、配管系の途中に設けら
れた冷却トラップを通過したガスを処理容器に再導入す
る手段をさらに設けるようにしてもよい。このように、
再導入する手段を設けてガスの再利用をはかることによ
り、有害ガスの除去だけでなく、ガスのリサイクルが可
能となり、ガス製造や除害プロセスに伴う環境負担を大
幅に軽減することができる（有害ガスをゼオライトなど
の吸着剤に吸収させて除害を行う場合には、使用済みの
吸着剤の処理が必要であり、焼却や埋め立てなどいずれ
の方法を取るにしても、多大な環境負担を伴う。）。
れた冷却トラップを通過したガスを処理容器に再導入す
る手段をさらに設けるようにしてもよい。このように、
再導入する手段を設けてガスの再利用をはかることによ
り、有害ガスの除去だけでなく、ガスのリサイクルが可
能となり、ガス製造や除害プロセスに伴う環境負担を大
幅に軽減することができる（有害ガスをゼオライトなど
の吸着剤に吸収させて除害を行う場合には、使用済みの
吸着剤の処理が必要であり、焼却や埋め立てなどいずれ
の方法を取るにしても、多大な環境負担を伴う。）。
【００１５】また、本発明では、冷却トラップの温度を
制御することにより冷却トラップに吸着させるガス種ま
たは冷却トラップから離脱させるガス種を制御する温度
制御手段をさらに設けてもよい。
制御することにより冷却トラップに吸着させるガス種ま
たは冷却トラップから離脱させるガス種を制御する温度
制御手段をさらに設けてもよい。
【００１６】また、本発明では、前記処理容器、配管
系、交換手段および再生手段によって構成される装置を
複数設け、各再生手段によって各冷却トラップから離脱
したガスを回収手段によって集中的に回収するようにし
てもよい。
系、交換手段および再生手段によって構成される装置を
複数設け、各再生手段によって各冷却トラップから離脱
したガスを回収手段によって集中的に回収するようにし
てもよい。
【００１７】また、本発明によるガスプロセス装置にお
いて、配管系の途中に配置された冷却トラップによって
配管系を流れるガスをトラップする処理と、配管系から
退避させた冷却トラップにトラップされているガスを再
生手段によって離脱させる処理とを並行して行うことが
好ましい。
いて、配管系の途中に配置された冷却トラップによって
配管系を流れるガスをトラップする処理と、配管系から
退避させた冷却トラップにトラップされているガスを再
生手段によって離脱させる処理とを並行して行うことが
好ましい。
【００１８】このように、トラップ処理と再生処理とを
並行して行うことにより、一方の冷却トラップでガスの
トラップを行っている（すなわち、処理容器内で所定の
処理を行っている）最中に、他方の冷却トラップの再生
を行うことができるので、トータルの処理時間をほとん
ど減少させずに所定の処理を行うことができる。
並行して行うことにより、一方の冷却トラップでガスの
トラップを行っている（すなわち、処理容器内で所定の
処理を行っている）最中に、他方の冷却トラップの再生
を行うことができるので、トータルの処理時間をほとん
ど減少させずに所定の処理を行うことができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。まず、本発明の第１の実施形態に
ついて、図１を参照して説明する。本実施形態は、プラ
ズマを用いて被処理基板の加工を行う装置に対して本発
明を適用したものであり、図８の従来例に対応したもの
である。
を参照して説明する。まず、本発明の第１の実施形態に
ついて、図１を参照して説明する。本実施形態は、プラ
ズマを用いて被処理基板の加工を行う装置に対して本発
明を適用したものであり、図８の従来例に対応したもの
である。
【００２０】エッチングチャンバ１、ガス供給系配管
２、ガス排気系配管３、ＴＭＰ４、ドライポンプ５、除
害装置１３、その下流のダクト、スクラバー等について
は、図８に示した従来構成と同様である。
２、ガス排気系配管３、ＴＭＰ４、ドライポンプ５、除
害装置１３、その下流のダクト、スクラバー等について
は、図８に示した従来構成と同様である。
【００２１】本実施形態では、ＴＭＰ４とドライポンプ
５の間に冷却トラップ機構６を配置している。この冷却
トラップ機構６内には、ガス排気系配管３の途中のトラ
ップ領域６ａに配置した冷却トラップ７と、ガス排気系
配管３から退避領域６ｂに退避した冷却トラップ８とが
設けてあり、一方の冷却トラップ７が飽和状態になった
ときに、交換手段１７により他方の冷却トラップ８と交
換するようになっている。配管３から分離された冷却ト
ラップは加熱再生手段１８によってトラップされている
ガスを離脱させることにより再生される。以下、図１お
よび冷却トラップ機構の具体的な構成を示した図２を参
照して、さらに詳細に説明する。
５の間に冷却トラップ機構６を配置している。この冷却
トラップ機構６内には、ガス排気系配管３の途中のトラ
ップ領域６ａに配置した冷却トラップ７と、ガス排気系
配管３から退避領域６ｂに退避した冷却トラップ８とが
設けてあり、一方の冷却トラップ７が飽和状態になった
ときに、交換手段１７により他方の冷却トラップ８と交
換するようになっている。配管３から分離された冷却ト
ラップは加熱再生手段１８によってトラップされている
ガスを離脱させることにより再生される。以下、図１お
よび冷却トラップ機構の具体的な構成を示した図２を参
照して、さらに詳細に説明する。
【００２２】図２は、冷却トラップ７によって配管３を
流れるガスをトラップし、これと並行して冷却トラップ
８を再生している状況を示している。このとき、ゲート
バルブ３０ａは閉状態、ゲートバルブ３０ｂは開状態と
なっており、またゲートバルブ３１ａおよび３１ｂはい
ずれも開状態となっている。
流れるガスをトラップし、これと並行して冷却トラップ
８を再生している状況を示している。このとき、ゲート
バルブ３０ａは閉状態、ゲートバルブ３０ｂは開状態と
なっており、またゲートバルブ３１ａおよび３１ｂはい
ずれも開状態となっている。
【００２３】冷却トラップ７および８にはガスとの接触
面積を十分大きくするように冷却フィン７ａおよび８ａ
が設けてあり、図２の例では冷却フィン７ａが冷凍機コ
ンプレッサによって極低温まで冷却され、配管３を流れ
るガスをトラップする。
面積を十分大きくするように冷却フィン７ａおよび８ａ
が設けてあり、図２の例では冷却フィン７ａが冷凍機コ
ンプレッサによって極低温まで冷却され、配管３を流れ
るガスをトラップする。
【００２４】例えば数十ロットの加工を行い冷却トラッ
プにガスが大量に吸着されると冷却効率が低下し、また
万が一冷却トラップの温度が上昇した場合にはガス圧力
が上昇することになる。そのため、適当なタイミングで
冷却トラップ７と冷却トラップ８とを交換し、冷却トラ
ップの加熱再生（リジェネレーション）を行う。冷却ト
ラップの交換は、図示しない上下移動機構によって冷却
トラップ７および８を上下方向に移動させることで行
う。冷却トラップの交換時期は、一定の運転時間毎に行
ってもよいし、冷却トラップに吸着した吸着物の重量が
一定以上になったときに行うようにしてもよい。
プにガスが大量に吸着されると冷却効率が低下し、また
万が一冷却トラップの温度が上昇した場合にはガス圧力
が上昇することになる。そのため、適当なタイミングで
冷却トラップ７と冷却トラップ８とを交換し、冷却トラ
ップの加熱再生（リジェネレーション）を行う。冷却ト
ラップの交換は、図示しない上下移動機構によって冷却
トラップ７および８を上下方向に移動させることで行
う。冷却トラップの交換時期は、一定の運転時間毎に行
ってもよいし、冷却トラップに吸着した吸着物の重量が
一定以上になったときに行うようにしてもよい。
【００２５】冷却トラップの再生と並行してエッチング
チャンバ内ではエッチングプロセスが行われており、配
管３に配置された冷却トラップによって排出ガスのトラ
ップが行われる。したがって、再生処理自体はエッチン
グプロセス時間を律速することはなく、また時間をかけ
て再生処理を行うことができる。
チャンバ内ではエッチングプロセスが行われており、配
管３に配置された冷却トラップによって排出ガスのトラ
ップが行われる。したがって、再生処理自体はエッチン
グプロセス時間を律速することはなく、また時間をかけ
て再生処理を行うことができる。
【００２６】再生動作は、ヒータ３２ａで冷却トラップ
８を加熱してトラップされているガスを離脱させること
によって行う。このときキャリアガス（パージガス）と
してキャリアガス配管１０から窒素ガスを供給するよう
にしてもよい。窒素圧力は図１に示したコンプレッサー
９を使用して供給し、排ガス分離器１１を最適な所定圧
力に保つ。再生中の冷却トラップからは大量にガスが発
生するため、その分圧が再生開始と同時に上昇する。冷
却トラップから発生するガスの分圧と排ガス分離器１１
で必要な圧力の差をキャリアガスで補うことで、常に最
適なガス分離条件を維持することができる。排ガス分離
器で分離されたガスは、ガス回収用のシリンダー１２に
封入され、ガス工場へ送られてリサイクルされる。
８を加熱してトラップされているガスを離脱させること
によって行う。このときキャリアガス（パージガス）と
してキャリアガス配管１０から窒素ガスを供給するよう
にしてもよい。窒素圧力は図１に示したコンプレッサー
９を使用して供給し、排ガス分離器１１を最適な所定圧
力に保つ。再生中の冷却トラップからは大量にガスが発
生するため、その分圧が再生開始と同時に上昇する。冷
却トラップから発生するガスの分圧と排ガス分離器１１
で必要な圧力の差をキャリアガスで補うことで、常に最
適なガス分離条件を維持することができる。排ガス分離
器で分離されたガスは、ガス回収用のシリンダー１２に
封入され、ガス工場へ送られてリサイクルされる。
【００２７】なお、冷却源或いはヒータからトラップ中
或いは再生中の冷却トラップへの熱伝導を制御する機構
を設け、温度調整を自在に行える機構を備えるようにし
てもよい。このような機構を設けることにより、所望の
ガス種を選択的にトラップしたり（逆に言うと、所望の
ガス種を選択的にトラップを通過させる）、所望のガス
種を選択的に離脱、回収させたりすることができる。
或いは再生中の冷却トラップへの熱伝導を制御する機構
を設け、温度調整を自在に行える機構を備えるようにし
てもよい。このような機構を設けることにより、所望の
ガス種を選択的にトラップしたり（逆に言うと、所望の
ガス種を選択的にトラップを通過させる）、所望のガス
種を選択的に離脱、回収させたりすることができる。
【００２８】冷却トラップによるガス捕足の状況を調べ
るため、図３に示す装置を用い、四重極質量分析装置
（ＱＭＳ）１４にトラップ機構６の前後（分析用ガスサ
ンプリング配管１５、１６）からガスサンプリングを行
い、ガス中の分子組成分析を行った。エッチングチャン
バには、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＯ、Ａｒをそれぞれ２０ＳＣＣ
Ｍ、３００ＳＣＣＭ、３８０ＳＣＣＭ導入し、実際にフ
ォトレジストをマスクとしたＳｉＯ2 膜をエッチングし
て排気されるガスについて調べた。その結果を図４に示
す。
るため、図３に示す装置を用い、四重極質量分析装置
（ＱＭＳ）１４にトラップ機構６の前後（分析用ガスサ
ンプリング配管１５、１６）からガスサンプリングを行
い、ガス中の分子組成分析を行った。エッチングチャン
バには、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＯ、Ａｒをそれぞれ２０ＳＣＣ
Ｍ、３００ＳＣＣＭ、３８０ＳＣＣＭ導入し、実際にフ
ォトレジストをマスクとしたＳｉＯ2 膜をエッチングし
て排気されるガスについて調べた。その結果を図４に示
す。
【００２９】検出された主なガスは、Ｃ4 Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ
6 、ＣＦ4 、ＳｉＦ4 、ＣＯおよびＡｒである。導入さ
れたガスに対してトラップ前で検出されたガスの割合
は、例えばＣ4 Ｆ8 ガスでは３０−６０％程度であり、
これは４０−７０％のガスがエッチングや気相での反応
によって消費されたことを意味している。また、ＳｉＦ
4 はエッチング生成物、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＦ4 はガスの反応
生成物と考えられ、それぞれ全ガスの数％存在する。一
方、−１８０℃の冷却トラップを通過した後では、Ｃ4
Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＦ4 、ＳｉＦ4 はすべて除去され、
ＣＯ、Ａｒといったさらに蒸気圧の高いガスだけが冷却
トラップを通過してくることがわかる。
6 、ＣＦ4 、ＳｉＦ4 、ＣＯおよびＡｒである。導入さ
れたガスに対してトラップ前で検出されたガスの割合
は、例えばＣ4 Ｆ8 ガスでは３０−６０％程度であり、
これは４０−７０％のガスがエッチングや気相での反応
によって消費されたことを意味している。また、ＳｉＦ
4 はエッチング生成物、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＦ4 はガスの反応
生成物と考えられ、それぞれ全ガスの数％存在する。一
方、−１８０℃の冷却トラップを通過した後では、Ｃ4
Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＦ4 、ＳｉＦ4 はすべて除去され、
ＣＯ、Ａｒといったさらに蒸気圧の高いガスだけが冷却
トラップを通過してくることがわかる。
【００３０】なお、ここでは冷却トラップ温度−１８０
℃の例だけしか示していないが、冷却トラップの温度を
制御することにより、冷却トラップを通過するガスを選
択することが可能となる。
℃の例だけしか示していないが、冷却トラップの温度を
制御することにより、冷却トラップを通過するガスを選
択することが可能となる。
【００３１】次に、本発明の第２の実施形態について、
図５を参照して説明する。本実施形態は、第１の実施形
態と同様のシステムを備え、さらにそのシステムのガス
排気配管３の冷却トラップ機構６の下流に分岐配管１９
を設けたものである。チャンバ１から排出されたガス
は、図示していないバルブ、圧力調整機構、ガス混合機
構を介し、分岐配管（循環ライン）１９を通して一次ガ
ス配管２と合流し、その一部のガスがエッチングチャン
バ１に戻される。本システムでは、冷却トラップを通過
してきたガスをそのまま破棄せずに有効に活用する、さ
らには、冷却トラップの温度調整により冷却トラップを
通過するガス組成を制御して戻すことにより、プロセス
性能の向上をはかるものである。その他の基本的な運用
方法は図１等に示した第１の実施形態と同様である。
図５を参照して説明する。本実施形態は、第１の実施形
態と同様のシステムを備え、さらにそのシステムのガス
排気配管３の冷却トラップ機構６の下流に分岐配管１９
を設けたものである。チャンバ１から排出されたガス
は、図示していないバルブ、圧力調整機構、ガス混合機
構を介し、分岐配管（循環ライン）１９を通して一次ガ
ス配管２と合流し、その一部のガスがエッチングチャン
バ１に戻される。本システムでは、冷却トラップを通過
してきたガスをそのまま破棄せずに有効に活用する、さ
らには、冷却トラップの温度調整により冷却トラップを
通過するガス組成を制御して戻すことにより、プロセス
性能の向上をはかるものである。その他の基本的な運用
方法は図１等に示した第１の実施形態と同様である。
【００３２】本実施形態のシステムを使用したプロセス
の評価結果について、その一部を図６に示す。チャンバ
に導入するガスとしてＣ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒを使用し、
実効的な全ガス流量が６／３０／１８０ＳＣＣＭとなる
条件で実験を行った。実験では、冷却トラップ温度に対
するＳｉＯ2 膜のエッチング速度を求めた。サンプルと
してはレジストマスクを用い、０．６μｍ径のコンタク
トホールのパターンを使用している。
の評価結果について、その一部を図６に示す。チャンバ
に導入するガスとしてＣ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒを使用し、
実効的な全ガス流量が６／３０／１８０ＳＣＣＭとなる
条件で実験を行った。実験では、冷却トラップ温度に対
するＳｉＯ2 膜のエッチング速度を求めた。サンプルと
してはレジストマスクを用い、０．６μｍ径のコンタク
トホールのパターンを使用している。
【００３３】ガス循環の無い場合の室温でのエッチング
速度を黒丸で示した。ここで５０％だけガスを循環させ
る（もともと入れるガスをＣ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ＝６／
１５／９０ＳＣＣＭとして、不足のＣＯ／Ａｒ＝１５／
９０ＳＣＣＭを循環ラインから供給する）とエッチング
速度は低下し、Ｓｉに対するエッチングの選択比も３４
から２０へと低下する。これは、循環ラインを通じてエ
ッチング生成物が戻り、エッチング反応を抑制するため
である。
速度を黒丸で示した。ここで５０％だけガスを循環させ
る（もともと入れるガスをＣ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ＝６／
１５／９０ＳＣＣＭとして、不足のＣＯ／Ａｒ＝１５／
９０ＳＣＣＭを循環ラインから供給する）とエッチング
速度は低下し、Ｓｉに対するエッチングの選択比も３４
から２０へと低下する。これは、循環ラインを通じてエ
ッチング生成物が戻り、エッチング反応を抑制するため
である。
【００３４】これに対し、５０％ガス循環の条件で、冷
却トラップの温度を−１８０、−１４０、−１００℃と
変化させて特性を評価した。その結果、−１８０℃にお
けるエッチング特性は、常温で循環無し（黒丸）の場合
とほぼ同等の結果であった。つまり、冷却トラップによ
りエッチング生成物がすべて除去されたため、循環無し
と同等の性能が得られたと考えられる。
却トラップの温度を−１８０、−１４０、−１００℃と
変化させて特性を評価した。その結果、−１８０℃にお
けるエッチング特性は、常温で循環無し（黒丸）の場合
とほぼ同等の結果であった。つまり、冷却トラップによ
りエッチング生成物がすべて除去されたため、循環無し
と同等の性能が得られたと考えられる。
【００３５】ガスの循環の割合はさらに高めることも可
能であり、例えばＣＯとＡｒをほぼ１００％循環させ、
プラズマで分解されたＣＯの分だけ補充するような条件
にすることも可能である。このようにほぼ１００％循環
させる場合は、特に排気系下流のドライポンプで排気す
べきガス流量が激減するため、ドライポンプの小型化
（大幅な省エネルギ、省スペース化が達成できる）、除
害装置が小型化或いは不要となるなど、環境的な負荷を
大幅に低減することができる。
能であり、例えばＣＯとＡｒをほぼ１００％循環させ、
プラズマで分解されたＣＯの分だけ補充するような条件
にすることも可能である。このようにほぼ１００％循環
させる場合は、特に排気系下流のドライポンプで排気す
べきガス流量が激減するため、ドライポンプの小型化
（大幅な省エネルギ、省スペース化が達成できる）、除
害装置が小型化或いは不要となるなど、環境的な負荷を
大幅に低減することができる。
【００３６】再び図６の実験結果に戻ると、冷却トラッ
プ温度−１４０℃においては、エッチング速度が向上
し、エッチング形状の観察においても、循環無しと比較
して方向性良く、垂直に近いエッチング形状が達成され
た。
プ温度−１４０℃においては、エッチング速度が向上
し、エッチング形状の観察においても、循環無しと比較
して方向性良く、垂直に近いエッチング形状が達成され
た。
【００３７】このように、本実施形態のシステムを使用
することで、ＰＦＣを完全に回収するとともに、実行的
に使用するガス量を低減し、さらに、装置コスト低減や
プロセス性能の向上といった多大な効果が得られる。
することで、ＰＦＣを完全に回収するとともに、実行的
に使用するガス量を低減し、さらに、装置コスト低減や
プロセス性能の向上といった多大な効果が得られる。
【００３８】次に、本発明の第３の実施形態について、
図７を参照して説明する。本実施形態は、図１の第１の
実施形態と同様のプロセス装置２０を複数設け、各プロ
セス装置毎に冷却トラップシステムを装備し、それぞれ
の冷却トラップからのガス回収を一台の排ガス分離器１
１で行うものである。
図７を参照して説明する。本実施形態は、図１の第１の
実施形態と同様のプロセス装置２０を複数設け、各プロ
セス装置毎に冷却トラップシステムを装備し、それぞれ
の冷却トラップからのガス回収を一台の排ガス分離器１
１で行うものである。
【００３９】それぞれのプロセス装置からのガス排出配
管には、図示していないバルブと圧力計２１ａが接続さ
れ、再生されたガスの圧力を常時モニターする。一方、
排ガス分離器１１側にも圧力計２１ｂが設置され、ここ
での圧力がガス分離に最適となるように、各プロセス装
置における加熱再生の温度、キャリアガスの圧力、流量
等が制御される仕組みとなる。
管には、図示していないバルブと圧力計２１ａが接続さ
れ、再生されたガスの圧力を常時モニターする。一方、
排ガス分離器１１側にも圧力計２１ｂが設置され、ここ
での圧力がガス分離に最適となるように、各プロセス装
置における加熱再生の温度、キャリアガスの圧力、流量
等が制御される仕組みとなる。
【００４０】本実施形態では、冷却トラップと組み合わ
せて、オフラインでガス回収を行うことで、大規模なシ
ステムを容易に構築することができる。また、メンブレ
ンなどを用いたガス分離システムの性能を最も効率的に
引き出し、工場全体としてのガス回収、環境保全システ
ムに効果的に作用する。
せて、オフラインでガス回収を行うことで、大規模なシ
ステムを容易に構築することができる。また、メンブレ
ンなどを用いたガス分離システムの性能を最も効率的に
引き出し、工場全体としてのガス回収、環境保全システ
ムに効果的に作用する。
【００４１】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではな
い。上記実施形態では、エッチング装置を例に説明した
が、冷却トラップとガス回収システムをオフラインで接
続したシステムを構築するものであればよく、エッチン
グ以外にも、ＣＶＤ、表面改質、洗浄、不純物添加、そ
れらのプロセスチャンバーのドライ洗浄などのガスを使
用する半導体製造技術全般、さらにエキシマレーザの励
起チャンバや電子ビーム描画装置の鏡筒内部のドライ洗
浄など、直接のウエハプロセス以外にもガスを利用した
技術にはすべて応用することが可能である。その他、本
発明はその趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形し
て実施可能である。
が、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではな
い。上記実施形態では、エッチング装置を例に説明した
が、冷却トラップとガス回収システムをオフラインで接
続したシステムを構築するものであればよく、エッチン
グ以外にも、ＣＶＤ、表面改質、洗浄、不純物添加、そ
れらのプロセスチャンバーのドライ洗浄などのガスを使
用する半導体製造技術全般、さらにエキシマレーザの励
起チャンバや電子ビーム描画装置の鏡筒内部のドライ洗
浄など、直接のウエハプロセス以外にもガスを利用した
技術にはすべて応用することが可能である。その他、本
発明はその趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形し
て実施可能である。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、冷却トラップを配管系
の途中に配置したので、低コストで効率よくガスを回収
することができる。また、ガスをトラップした冷却トラ
ップを退避させて再生させ、代わりに再生された冷却ト
ラップを配管系の途中に配置するので、効率よくガスの
トラップおよび回収処理を行うことができる。さらに、
冷却トラップを通過したガスを処理容器に再導入するこ
とにより、ガスの有効利用をはかることができる。
の途中に配置したので、低コストで効率よくガスを回収
することができる。また、ガスをトラップした冷却トラ
ップを退避させて再生させ、代わりに再生された冷却ト
ラップを配管系の途中に配置するので、効率よくガスの
トラップおよび回収処理を行うことができる。さらに、
冷却トラップを通過したガスを処理容器に再導入するこ
とにより、ガスの有効利用をはかることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態について示した説明
図。
図。
【図２】本発明の第１の実施形態について、その主要部
の構成を詳細に示した図。
の構成を詳細に示した図。
【図３】本発明の第１の実施形態について、その作用を
説明するための実験に用いる装置構成を示した図。
説明するための実験に用いる装置構成を示した図。
【図４】図３の装置を用いて行った実験結果について示
した図。
した図。
【図５】本発明の第２の実施形態について示した説明
図。
図。
【図６】本発明の第２の実施形態によって得られる効果
について示した図。
について示した図。
【図７】本発明の第３の実施形態について示した説明
図。
図。
【図８】従来技術について、その装置構成の一例を示し
た図。
た図。
１…エッチングチャンバ ２…ガス供給系配管 ３…ガス排気系配管 ４…ターボ分子ポンプ ５…ドライポンプ ６…冷却トラップ機構 ７、８…冷却トラップ ９…コンプレッサー １０…キャリアガス配管 １１…排ガス分離機 １２…ガス回収シリンダー １３…除害装置 １４…四重極質量分析器 １５，１６…分析用ガスサンプリング配管 １７…交換手段 １８…加熱再生手段 １９…分岐配管 ２０…プロセス装置 ２１ａ、２１ｂ…圧力計 ３０ａ、３０ｂ、３１ａ、３１ｂ…ゲートバルブ ３２ａ…ヒータ
Claims (5)
- 【請求項１】所定の処理に使用されるガスが導入される
処理容器と、この処理容器からガスを排出する配管系
と、この配管系の途中に配置された冷却トラップとこの
配管系から退避させた冷却トラップとを交換する交換手
段と、前記配管系から退避させた冷却トラップにトラッ
プされているガスを該冷却トラップから離脱させて該冷
却トラップを再生する再生手段と、この再生手段によっ
て冷却トラップから離脱したガスを回収する回収手段と
を有することを特徴とするガスプロセス装置。 - 【請求項２】前記配管系の途中に設けられた冷却トラッ
プを通過したガスを前記処理容器に再導入する再導入手
段をさらに設けたことを特徴とする請求項１に記載のガ
スプロセス装置。 - 【請求項３】前記冷却トラップの温度を制御することに
より前記冷却トラップに吸着させるガス種または前記冷
却トラップから離脱させるガス種を制御する温度制御手
段をさらに設けたことを特徴とする請求項１または２に
記載のガスプロセス装置。 - 【請求項４】前記処理容器、配管系、交換手段および再
生手段によって構成される装置を複数設け、各再生手段
によって各冷却トラップから離脱したガスを前記回収手
段によって集中的に回収することを特徴とする請求項１
乃至３のいずれかに記載のガスプロセス装置。 - 【請求項５】所定の処理に使用されるガスが導入される
処理容器と、この処理容器からガスを排出する配管系
と、この配管系の途中に配置された冷却トラップとこの
配管系から退避させた冷却トラップとを交換する交換手
段と、前記配管系から退避させた冷却トラップにトラッ
プされているガスを該冷却トラップから離脱させて該冷
却トラップを再生する再生手段と、この再生手段によっ
て冷却トラップから離脱したガスを回収する回収手段と
を有し、前記配管系の途中に配置された冷却トラップに
よって配管系を流れるガスをトラップする処理と、前記
配管系から退避させた冷却トラップにトラップされてい
るガスを前記再生手段によって離脱させる処理とを並行
して行うことを特徴とするガスプロセス装置の使用方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01966498A JP3643474B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体処理システム及び半導体処理システムの使用方法 |
| US09/239,793 US6334928B1 (en) | 1998-01-30 | 1999-01-29 | Semiconductor processing system and method of using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01966498A JP3643474B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体処理システム及び半導体処理システムの使用方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219936A true JPH11219936A (ja) | 1999-08-10 |
| JPH11219936A5 JPH11219936A5 (ja) | 2005-03-17 |
| JP3643474B2 JP3643474B2 (ja) | 2005-04-27 |
Family
ID=12005519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01966498A Expired - Fee Related JP3643474B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体処理システム及び半導体処理システムの使用方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6334928B1 (ja) |
| JP (1) | JP3643474B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1052466A4 (en) * | 1998-10-29 | 2002-09-18 | Ebara Corp | METHOD AND DEVICE FOR RECOVERING PFC GAS |
| KR20190136588A (ko) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 대전대학교 산학협력단 | 회수 가능한 플루오르카본계 전구체를 이용한 반도체 소자 제조용 시스템 |
| KR20200113100A (ko) * | 2019-03-22 | 2020-10-06 | 대전대학교 산학협력단 | 반도체 공정용 가스 회수 장치 |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849471B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| US6391385B1 (en) * | 1999-10-18 | 2002-05-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of abating of effluents from chemical vapor deposition processes using organometallic source reagents |
| US6949202B1 (en) | 1999-10-26 | 2005-09-27 | Reflectivity, Inc | Apparatus and method for flow of process gas in an ultra-clean environment |
| US7041224B2 (en) * | 1999-10-26 | 2006-05-09 | Reflectivity, Inc. | Method for vapor phase etching of silicon |
| US6773687B1 (en) * | 1999-11-24 | 2004-08-10 | Tokyo Electron Limited | Exhaust apparatus for process apparatus and method of removing impurity gas |
| JP2001252527A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-18 | Seiko Epson Corp | Ｐｆｃの処理方法および処理装置 |
| US6863019B2 (en) * | 2000-06-13 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device fabrication chamber cleaning method and apparatus with recirculation of cleaning gas |
| JP4046474B2 (ja) * | 2000-11-13 | 2008-02-13 | 株式会社荏原製作所 | 連続処理型トラップ装置及び該トラップ装置の運転方法 |
| US7189332B2 (en) | 2001-09-17 | 2007-03-13 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for detecting an endpoint in a vapor phase etch |
| US6965468B2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-11-15 | Reflectivity, Inc | Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array |
| US6838114B2 (en) | 2002-05-24 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US6955707B2 (en) * | 2002-06-10 | 2005-10-18 | The Boc Group, Inc. | Method of recycling fluorine using an adsorption purification process |
| US6821347B2 (en) | 2002-07-08 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
| US6955725B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| JP4113755B2 (ja) * | 2002-10-03 | 2008-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US6926775B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US20040185661A1 (en) * | 2003-03-17 | 2004-09-23 | Sherer John Michael | Scrubber system for pretreatment of an effluent waste stream containing arsenic |
| US7335396B2 (en) * | 2003-04-24 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US7344755B2 (en) * | 2003-08-21 | 2008-03-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers |
| US7235138B2 (en) * | 2003-08-21 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces |
| US7422635B2 (en) * | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
| US7645704B2 (en) * | 2003-09-17 | 2010-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus of etch process control in fabrications of microstructures |
| US7056806B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-06-06 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces |
| US7282239B2 (en) | 2003-09-18 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US7323231B2 (en) | 2003-10-09 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes |
| US7581511B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
| US7647886B2 (en) * | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
| US7258892B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
| EP1741802B1 (en) * | 2004-03-29 | 2013-08-21 | Tadahiro Ohmi | Film-forming apparatus and film-forming method |
| US7584942B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-09-08 | Micron Technology, Inc. | Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US20050249873A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Demetrius Sarigiannis | Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices |
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US7699932B2 (en) * | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| DE102006038309A1 (de) | 2006-08-15 | 2008-02-21 | Extrude Hone Gmbh | Vorrichtung zum thermischen Entgraten von Werkstücken |
| KR100809852B1 (ko) * | 2007-05-17 | 2008-03-04 | (주)엘오티베큠 | 일체형 진공발생장치 |
| US9188086B2 (en) * | 2008-01-07 | 2015-11-17 | Mcalister Technologies, Llc | Coupled thermochemical reactors and engines, and associated systems and methods |
| US8318131B2 (en) | 2008-01-07 | 2012-11-27 | Mcalister Technologies, Llc | Chemical processes and reactors for efficiently producing hydrogen fuels and structural materials, and associated systems and methods |
| US20110203776A1 (en) * | 2009-02-17 | 2011-08-25 | Mcalister Technologies, Llc | Thermal transfer device and associated systems and methods |
| US8318269B2 (en) * | 2009-02-17 | 2012-11-27 | Mcalister Technologies, Llc | Induction for thermochemical processes, and associated systems and methods |
| US8441361B2 (en) | 2010-02-13 | 2013-05-14 | Mcallister Technologies, Llc | Methods and apparatuses for detection of properties of fluid conveyance systems |
| CN102844266A (zh) * | 2010-02-13 | 2012-12-26 | 麦卡利斯特技术有限责任公司 | 用于生产基于氢的燃料和结构元件的具有可透射表面的反应器容器以及相关的系统和方法 |
| AU2011216249A1 (en) * | 2010-02-13 | 2012-09-06 | Mcalister Technologies, Llc | Chemical reactors with re-radiating surfaces and associated systems and methods |
| JP2012082462A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Toshiba Corp | イオン注入装置および方法 |
| US8911703B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-12-16 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
| CN103857873A (zh) | 2011-08-12 | 2014-06-11 | 麦卡利斯特技术有限责任公司 | 从水下来源除去和处理气体的系统和方法 |
| WO2013025650A1 (en) | 2011-08-12 | 2013-02-21 | Mcalister Technologies, Llc | Mobile transport platforms for producing hydrogen and structural materials and associated systems and methods |
| US9522379B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-12-20 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
| US8734546B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-05-27 | Mcalister Technologies, Llc | Geothermal energization of a non-combustion chemical reactor and associated systems and methods |
| US8821602B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-09-02 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
| US8926719B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Method and apparatus for generating hydrogen from metal |
| US10153141B2 (en) * | 2014-02-14 | 2018-12-11 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus for monitoring gas and plasma process equipment including the same |
| EP4034284A4 (en) * | 2019-09-24 | 2023-10-25 | University of Georgia Research Foundation, Inc. | COLLECTION AND SEPARATION SYSTEMS AND METHODS OF USE AND ISOTOPE ANALYSIS SYSTEMS AND METHODS OF USE |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4593530A (en) * | 1984-04-10 | 1986-06-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and apparatus for improving the sensitivity of a leak detector utilizing a cryopump |
| US5169407A (en) * | 1987-03-31 | 1992-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of determining end of cleaning of semiconductor manufacturing apparatus |
| US4957523A (en) * | 1989-01-27 | 1990-09-18 | Pacific Consolidated Industries | High speed pressure swing adsorption liquid oxygen/liquid nitrogen generating plant |
| GB9011535D0 (en) | 1990-05-23 | 1990-07-11 | Oxford Lasers Ltd | Gas management system |
| US5363369A (en) * | 1993-03-31 | 1994-11-08 | At&T Bell Laboratories | System for inter packet community communication |
| US5622682A (en) * | 1994-04-06 | 1997-04-22 | Atmi Ecosys Corporation | Method for concentration and recovery of halocarbons from effluent gas streams |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP01966498A patent/JP3643474B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-01-29 US US09/239,793 patent/US6334928B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1052466A4 (en) * | 1998-10-29 | 2002-09-18 | Ebara Corp | METHOD AND DEVICE FOR RECOVERING PFC GAS |
| KR20190136588A (ko) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 대전대학교 산학협력단 | 회수 가능한 플루오르카본계 전구체를 이용한 반도체 소자 제조용 시스템 |
| KR20200113100A (ko) * | 2019-03-22 | 2020-10-06 | 대전대학교 산학협력단 | 반도체 공정용 가스 회수 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3643474B2 (ja) | 2005-04-27 |
| US6334928B1 (en) | 2002-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3643474B2 (ja) | 半導体処理システム及び半導体処理システムの使用方法 | |
| US10920315B2 (en) | Plasma foreline thermal reactor system | |
| KR20010062657A (ko) | 가스 회수 시스템 및 가스 회수 방법 | |
| WO2009125457A1 (ja) | シラン系ガス及びフッ素系ガス含有排ガスの処理方法及び該方法を用いた排ガス処理装置 | |
| JP7198676B2 (ja) | 希ガス回収システムおよび希ガス回収方法 | |
| US6051053A (en) | Trapping device and method of operation therefor | |
| US20090114245A1 (en) | In-situ chamber cleaning method | |
| US20040074516A1 (en) | Sub-atmospheric supply of fluorine to semiconductor process chamber | |
| JP4772223B2 (ja) | 排ガス除害装置及び方法 | |
| WO2006112472A1 (ja) | ガス分離装置及びガス分離方法 | |
| USH1701H (en) | Method and apparatus for using molten aluminum to abate PFC gases from a semiconductor facility | |
| JPWO2000026592A1 (ja) | Ｐｆｃ系ガス回収方法及び装置 | |
| JP4549563B2 (ja) | ハロゲン含有ガスの処理装置 | |
| KR100909210B1 (ko) | 유기계 배기가스의 처리방법 및 장치 | |
| JP2002273169A5 (ja) | ||
| JP2005142377A (ja) | クリーニングガスのリサイクルシステム | |
| JP3650588B2 (ja) | パーフルオロコンパウンドのリサイクル利用方法 | |
| US20260021440A1 (en) | System and method for process chemistry abatement and recycling | |
| JP2001000837A (ja) | 半導体製造装置用排ガス処理装置 | |
| JP4127586B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| TW202507216A (zh) | 氣體分離 | |
| JP2010058118A (ja) | ハロゲン含有ガスの処理装置 | |
| US20230111710A1 (en) | Purification processing apparatus, substrate processing system, and processing method | |
| KR102319294B1 (ko) | 반도체 제조공정에서 사용되는 특수 가스 재생을 위한 전처리 장치 및 그 전처리 방법 | |
| JPH0653171A (ja) | プラズマ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040408 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040408 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040915 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041012 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041203 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050125 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080204 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090204 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100204 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |