JPH11219976A - 半導体チップ実装方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体チップ実装方法及び半導体装置Info
- Publication number
- JPH11219976A JPH11219976A JP10018861A JP1886198A JPH11219976A JP H11219976 A JPH11219976 A JP H11219976A JP 10018861 A JP10018861 A JP 10018861A JP 1886198 A JP1886198 A JP 1886198A JP H11219976 A JPH11219976 A JP H11219976A
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- JP
- Japan
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- semiconductor chip
- base substrate
- underfill resin
- filling
- sides
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/681—Shapes or dispositions thereof comprising holes not having chips therein, e.g. for outgassing, underfilling or bond wire passage
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アンダフィルム樹脂の充填時間を短縮させる
事により、半導体チップの生産効率を高め、且つボイド
の発生を排除したアンダフィル樹脂の充填方法及びその
装置を提供すること。 【解決手段】 ベース基板３上にハンダバンプ２を介し
て、半導体チップ１を搭載するし、この半導体チップ１
の３辺以上の辺に沿ってディスペンサシリンジ４を移動
させつつ、半導体チップ１とベース基板３との間隙にア
ンダフィル樹脂６を充填する。この充填工程中に、半導
体チップ１が配置されたベース基板３部分のほぼ中央に
開けられた孔９を介して、真空吸引する。
事により、半導体チップの生産効率を高め、且つボイド
の発生を排除したアンダフィル樹脂の充填方法及びその
装置を提供すること。 【解決手段】 ベース基板３上にハンダバンプ２を介し
て、半導体チップ１を搭載するし、この半導体チップ１
の３辺以上の辺に沿ってディスペンサシリンジ４を移動
させつつ、半導体チップ１とベース基板３との間隙にア
ンダフィル樹脂６を充填する。この充填工程中に、半導
体チップ１が配置されたベース基板３部分のほぼ中央に
開けられた孔９を介して、真空吸引する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップをプ
リント配線基板に搭載した半導体チップ実装方法及び装
置に関する。
リント配線基板に搭載した半導体チップ実装方法及び装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＭＰＵやゲートアレイに用いる多
ピンのＬＳＩパッケージには、半導体チップのボンディ
ングパット部に共晶ハンダのバンプを形成し、フェイス
ダウンにて、対向するセラミック基板の端子部とを溶融
接合するフリップチップ実装方式が採用されてきた。
ピンのＬＳＩパッケージには、半導体チップのボンディ
ングパット部に共晶ハンダのバンプを形成し、フェイス
ダウンにて、対向するセラミック基板の端子部とを溶融
接合するフリップチップ実装方式が採用されてきた。
【０００３】この方式によるフリップチップ素子の実装
では、一般に、チップの電極に形成されたハンダバンプ
をベース基板の電極パッドに接合する。しかし、ここで
問題となるのは、半導体チップとベース基板との熱膨張
係数の差によって生ずるハンダバンプ接合部の応力によ
って、ハンダバンプ接合部が破断し易いことである。こ
の問題を解決する手段として、半導体チップとベース基
板との隙間に液状の絶縁樹脂（アンダフィル樹脂）を充
填する方法（以下アンダフィル充填方法と呼ぶ）がとら
れている。
では、一般に、チップの電極に形成されたハンダバンプ
をベース基板の電極パッドに接合する。しかし、ここで
問題となるのは、半導体チップとベース基板との熱膨張
係数の差によって生ずるハンダバンプ接合部の応力によ
って、ハンダバンプ接合部が破断し易いことである。こ
の問題を解決する手段として、半導体チップとベース基
板との隙間に液状の絶縁樹脂（アンダフィル樹脂）を充
填する方法（以下アンダフィル充填方法と呼ぶ）がとら
れている。
【０００４】このアンダフィル充填方法としては、図４
に示されている如く、半導体チップ１をハンダバンプ２
を介してベース基板３に実装した後、ディスペンサシリ
ンジ４のニードル５の先端から、液状のアンダフィル樹
脂６を半導体チップ１の一辺又は２辺に沿って塗布し、
毛細管現象により内部に侵み込ませて供給する方法が一
般にとられている。
に示されている如く、半導体チップ１をハンダバンプ２
を介してベース基板３に実装した後、ディスペンサシリ
ンジ４のニードル５の先端から、液状のアンダフィル樹
脂６を半導体チップ１の一辺又は２辺に沿って塗布し、
毛細管現象により内部に侵み込ませて供給する方法が一
般にとられている。
【０００５】この様子、即ちアンダフィル樹脂６を半導
体チップ１の一辺又は２辺に沿って塗布した様子を示し
たのが図５で、同図（Ａ）はディスペンサシリンジ４を
ベース基板３の一辺上に矢示７方向に走らせて、アンダ
フィル樹脂６を塗布した状態を、又同図（Ｂ）はディス
ペンサシリンジ４をベース基板３の２辺上に矢示８方向
に走らせて、アンダフィル樹脂６を塗布した状態を、そ
れぞれ示している。
体チップ１の一辺又は２辺に沿って塗布した様子を示し
たのが図５で、同図（Ａ）はディスペンサシリンジ４を
ベース基板３の一辺上に矢示７方向に走らせて、アンダ
フィル樹脂６を塗布した状態を、又同図（Ｂ）はディス
ペンサシリンジ４をベース基板３の２辺上に矢示８方向
に走らせて、アンダフィル樹脂６を塗布した状態を、そ
れぞれ示している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な従来の塗布方法では、半導体チップ１とベース基板３
との隙間が約７０μｍと微細である事から、アンダフィ
ル樹脂６が半導体チップ１の全面に充填するまで長時間
を要し、その為生産効率が悪いことと、充填に長時間を
要することから、アンダフィル樹脂６のゲル化が進み、
その結果粘度が増して、半導体チップ１の中央部にボイ
ドが出来る等の問題点があった。
な従来の塗布方法では、半導体チップ１とベース基板３
との隙間が約７０μｍと微細である事から、アンダフィ
ル樹脂６が半導体チップ１の全面に充填するまで長時間
を要し、その為生産効率が悪いことと、充填に長時間を
要することから、アンダフィル樹脂６のゲル化が進み、
その結果粘度が増して、半導体チップ１の中央部にボイ
ドが出来る等の問題点があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、アンダフィル樹
脂の充填時間を短縮させる事により、半導体チップの生
産効率を高め、且つボイドの発生を排除したアンダフィ
ル樹脂の充填方法及びその装置を提供することにある。
脂の充填時間を短縮させる事により、半導体チップの生
産効率を高め、且つボイドの発生を排除したアンダフィ
ル樹脂の充填方法及びその装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体チップ実
装方法は、ベース基板上にハンダバンプを介して、半導
体チップを搭載する工程と、このベース基板上に搭載さ
れた半導体チップの３辺以上の辺に沿ってディスペンサ
シリンジを移動しつつ、前記ベース基板および半導体チ
ップの間隙にアンダフィル樹脂を充填する工程と、この
充填工程中に前記半導体チップが搭載された部分のベー
ス基板に開けられた孔を介して、真空吸引する工程とを
備えたことを特徴とするものである。
装方法は、ベース基板上にハンダバンプを介して、半導
体チップを搭載する工程と、このベース基板上に搭載さ
れた半導体チップの３辺以上の辺に沿ってディスペンサ
シリンジを移動しつつ、前記ベース基板および半導体チ
ップの間隙にアンダフィル樹脂を充填する工程と、この
充填工程中に前記半導体チップが搭載された部分のベー
ス基板に開けられた孔を介して、真空吸引する工程とを
備えたことを特徴とするものである。
【０００９】又、本発明半導体チップ実装方法は、ベー
ス基板上に搭載された半導体チップの４辺に沿ってディ
スペンサシリンジを移動しつつ、前記ベース基板および
半導体チップの間隙にアンダフィル樹脂を充填すること
を特徴とするものである。本発明の半導体チップ実装方
法によって製造される半導体装置は、ベース基板上にハ
ンダバンプを介して搭載された半導体チップと、この半
導体チップが搭載された部分のベース基板に開けられた
真空吸引孔とを備えたことを特徴とするものである。
ス基板上に搭載された半導体チップの４辺に沿ってディ
スペンサシリンジを移動しつつ、前記ベース基板および
半導体チップの間隙にアンダフィル樹脂を充填すること
を特徴とするものである。本発明の半導体チップ実装方
法によって製造される半導体装置は、ベース基板上にハ
ンダバンプを介して搭載された半導体チップと、この半
導体チップが搭載された部分のベース基板に開けられた
真空吸引孔とを備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図１乃
至図３に基づいて説明する。
至図３に基づいて説明する。
【００１１】図１は本発明の半導体チップ実装方法の一
実施形態を示した断面図、図２は本発明の実装方法に用
いるベース基板の平面図、そして図３は本発明によるア
ンダフィル樹脂の充填方法を示す説明図である。これら
の図においては、図４及び図５と同一構成部は同一符号
を付し、以下では詳細な説明は省略する。
実施形態を示した断面図、図２は本発明の実装方法に用
いるベース基板の平面図、そして図３は本発明によるア
ンダフィル樹脂の充填方法を示す説明図である。これら
の図においては、図４及び図５と同一構成部は同一符号
を付し、以下では詳細な説明は省略する。
【００１２】図１及び図２において、半導体チップ１が
配置された部分のベース基板３には、半導体チップ１の
ほぼ中央部のハンダバンプ２のない部分に、孔９が開け
られていて、ディスペンサシリンジ４から半導体チップ
１とベース基板３との間隙にアンダフィル樹脂６を充填
する際、ベース基板３の裏側、即ち図１の下面に設けら
れた真空装置１０によって真空吸引させる様になってい
る。
配置された部分のベース基板３には、半導体チップ１の
ほぼ中央部のハンダバンプ２のない部分に、孔９が開け
られていて、ディスペンサシリンジ４から半導体チップ
１とベース基板３との間隙にアンダフィル樹脂６を充填
する際、ベース基板３の裏側、即ち図１の下面に設けら
れた真空装置１０によって真空吸引させる様になってい
る。
【００１３】この様な構成において、アンダフィル樹脂
６がディスペンサシリンジ４によって、半導体チップ１
の３辺或いは４辺に沿って半導体チップ１とベース基板
３との間隙に充填される。そして、このディスペンサシ
リンジ４によるアンダフィル樹脂６の充填とともに、真
空装置１０によって、孔９から真空吸引する。
６がディスペンサシリンジ４によって、半導体チップ１
の３辺或いは４辺に沿って半導体チップ１とベース基板
３との間隙に充填される。そして、このディスペンサシ
リンジ４によるアンダフィル樹脂６の充填とともに、真
空装置１０によって、孔９から真空吸引する。
【００１４】この孔９からの真空吸引によって、アンダ
フィル樹脂６の中央部への充填速度が促進され、その結
果、アンダフィル樹脂６の充填時間が短縮されることに
なる。
フィル樹脂６の中央部への充填速度が促進され、その結
果、アンダフィル樹脂６の充填時間が短縮されることに
なる。
【００１５】次に、本発明により、アンダフィル樹脂６
がベース基板３上で半導体チップ１の３辺以上に沿って
充填する様子を、図３に基づいて説明する。
がベース基板３上で半導体チップ１の３辺以上に沿って
充填する様子を、図３に基づいて説明する。
【００１６】図３には、このアンダフィル樹脂６を、半
導体チップ１の３辺或いは４辺に沿って、充填した状態
が示されていて、同図（Ａ）は、半導体チップ１の３辺
に沿って、矢示１１方向にディスペンサシリンジ４を走
らせて、アンダフィル樹脂６を塗布した場合のアンダフ
ィル樹脂６の広がり状態を、又同図（Ｂ）は、半導体チ
ップ１の４辺に沿って、矢示１２方向にディスペンサシ
リンジ４を走らせて、アンダフィル樹脂６を充填した場
合のアンダフィル樹脂６の広がり状態を、それぞれ示し
ている。
導体チップ１の３辺或いは４辺に沿って、充填した状態
が示されていて、同図（Ａ）は、半導体チップ１の３辺
に沿って、矢示１１方向にディスペンサシリンジ４を走
らせて、アンダフィル樹脂６を塗布した場合のアンダフ
ィル樹脂６の広がり状態を、又同図（Ｂ）は、半導体チ
ップ１の４辺に沿って、矢示１２方向にディスペンサシ
リンジ４を走らせて、アンダフィル樹脂６を充填した場
合のアンダフィル樹脂６の広がり状態を、それぞれ示し
ている。
【００１７】このように、アンダフィル樹脂６の充填
が、ディスペンサシリンジ４を半導体チップ１の３辺或
いは４辺に沿って矢示１１或いは１２で示すように一方
向に走らせて行うため、真空装置１０による真空吸引作
用に加えて、アンダフィル樹脂６の充填時間を更に短縮
させる事となる。
が、ディスペンサシリンジ４を半導体チップ１の３辺或
いは４辺に沿って矢示１１或いは１２で示すように一方
向に走らせて行うため、真空装置１０による真空吸引作
用に加えて、アンダフィル樹脂６の充填時間を更に短縮
させる事となる。
【００１８】
【発明の効果】上記した本発明によれば、ベース基板の
半導体チップが搭載された部分のほぼ中央部に真空吸引
用の孔を設けるという、極めて簡単な構成でアンダフィ
ル樹脂を半導体チップの辺に沿って半導体チップとベー
ス基板との間隙に充填しつつ、その孔から真空吸引する
ため、アンダフィル樹脂の充填速度が促進され、その結
果、アンダフィル樹脂６の充填時間が大幅に短縮され
て、中央部に生ずるボイドを完全に排除することが可能
となる。
半導体チップが搭載された部分のほぼ中央部に真空吸引
用の孔を設けるという、極めて簡単な構成でアンダフィ
ル樹脂を半導体チップの辺に沿って半導体チップとベー
ス基板との間隙に充填しつつ、その孔から真空吸引する
ため、アンダフィル樹脂の充填速度が促進され、その結
果、アンダフィル樹脂６の充填時間が大幅に短縮され
て、中央部に生ずるボイドを完全に排除することが可能
となる。
【００１９】又、本発明によれば、アンダフィル樹脂が
ベース基板上に搭載された半導体チップの３辺以上に沿
って充填されるため、ベース基板にあけられた孔からの
真空吸引作用に加えて、アンダフィル樹脂の充填速度が
更に促進され、より一層の充填時間の短縮が計られ、ベ
ース基板の中央部でのボンド発生をより完全に排除で
き、半導体チップの信頼性を著しく向上させることが出
来る。
ベース基板上に搭載された半導体チップの３辺以上に沿
って充填されるため、ベース基板にあけられた孔からの
真空吸引作用に加えて、アンダフィル樹脂の充填速度が
更に促進され、より一層の充填時間の短縮が計られ、ベ
ース基板の中央部でのボンド発生をより完全に排除で
き、半導体チップの信頼性を著しく向上させることが出
来る。
【図１】本発明によるアンダフィル樹脂の充填工程を示
す説明断面図である。
す説明断面図である。
【図２】本発明に用いるベース基板の平面図である。
【図３】本発明によるベース基板へのアンダフィル樹脂
の充填方法を示した図で、（Ａ）は半導体チップの３辺
からアンダフィル樹脂を充填した状態を示した平面図、
（Ｂ）は半導体チップの４辺からアンダフィル樹脂を充
填した状態を示した平面図である。
の充填方法を示した図で、（Ａ）は半導体チップの３辺
からアンダフィル樹脂を充填した状態を示した平面図、
（Ｂ）は半導体チップの４辺からアンダフィル樹脂を充
填した状態を示した平面図である。
【図４】従来のアンダフィル樹脂の充填工程を示す説明
断面図である。
断面図である。
【図５】従来技術によるベース基板へのアンダフィル樹
脂を充填した状態を示した図で、（Ａ）は半導体チップ
の一辺からアンダフィル樹脂を充填した状態を示した平
面図、（Ｂ）は半導体チップの２辺からアンダフィル樹
脂を充填した状態を示した平面図である。
脂を充填した状態を示した図で、（Ａ）は半導体チップ
の一辺からアンダフィル樹脂を充填した状態を示した平
面図、（Ｂ）は半導体チップの２辺からアンダフィル樹
脂を充填した状態を示した平面図である。
１……………………………半導体チップ ２……………………………ハンダバンプ ３……………………………ベース基板 ４……………………………ディスペンサシリンジ ５……………………………ニードル ６……………………………アンダフィル樹脂 ７，８，１１，１２………矢示 ９……………………………孔 １０…………………………真空装置
Claims (3)
- 【請求項１】 ベース基板上にハンダバンプを介して、
半導体チップを搭載する工程と、このベース基板上に搭
載された半導体チップの３辺以上の辺に沿ってディスペ
ンサシリンジを移動しつつ、前記ベース基板および半導
体チップの間隙にアンダフィル樹脂を充填する工程と、
この充填工程中に前記半導体チップが搭載された部分の
ベース基板に開けられた孔を介して、真空吸引する工程
とを備えたことを特徴とする半導体チップ実装方法。 - 【請求項２】 前記ベース基板上に搭載された半導体チ
ップの４辺に沿って前記ディスペンサシリンジを移動し
つつ、前記ベース基板および半導体チップの間隙にアン
ダフィル樹脂を充填することを特徴とする請求項１記載
の半導体チップ実装方法。 - 【請求項３】 ベース基板上にハンダバンプを介して搭
載された半導体チップと、この半導体チップが搭載され
た部分のベース基板に開けられた真空吸引孔とを備えた
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018861A JPH11219976A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体チップ実装方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018861A JPH11219976A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体チップ実装方法及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219976A true JPH11219976A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=11983334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10018861A Pending JPH11219976A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体チップ実装方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219976A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104979225A (zh) * | 2015-05-19 | 2015-10-14 | 深圳创维－Rgb电子有限公司 | 一种防止bga ic虚焊的底部填充方法 |
| WO2023105307A1 (en) * | 2021-12-06 | 2023-06-15 | International Business Machines Corporation | Underfill vacuum process |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP10018861A patent/JPH11219976A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104979225A (zh) * | 2015-05-19 | 2015-10-14 | 深圳创维－Rgb电子有限公司 | 一种防止bga ic虚焊的底部填充方法 |
| WO2023105307A1 (en) * | 2021-12-06 | 2023-06-15 | International Business Machines Corporation | Underfill vacuum process |
| GB2627717A (en) * | 2021-12-06 | 2024-08-28 | Ibm | Underfill vacuum process |
| JP2024541574A (ja) * | 2021-12-06 | 2024-11-08 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | アンダーフィル真空プロセス |
| US12315775B2 (en) | 2021-12-06 | 2025-05-27 | International Business Machines Corporation | Underfill vacuum process |
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