JPH11220171A - 窒化ガリウム系化合物半導体素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】フリップチップ型の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子において、光の反射効率の優れた金属を正電
極に用いる場合に、これらの金属の中にはマイグレーシ
ョンを起こし易く、電極の材料としては向いていない金
属がある。 【解決手段】ｐ型半導体側のコンタクト層に接続する銀
（Ａｇ）などからなる第１の金属層と、この第１の金属
層の表面及びこの第１の金属層に覆われていないコンタ
クト層の表面を覆う第２の金属層とによりコンタクト層
に接続する電極を形成した。また、第２の金属層のコン
タクト層に対する単位面積当たりの接触抵抗の値を第１
の金属層の値よりも大きくした。また、第１の金属層ま
たは第２の金属層を複数の種類の金属により多層構造に
形成することにより、コンタクト層に対する接合強度の
強化を図った。これらの手段により、電極による光の反
射効率が高く、寿命の長い発光素子が得られた。
体発光素子において、光の反射効率の優れた金属を正電
極に用いる場合に、これらの金属の中にはマイグレーシ
ョンを起こし易く、電極の材料としては向いていない金
属がある。 【解決手段】ｐ型半導体側のコンタクト層に接続する銀
（Ａｇ）などからなる第１の金属層と、この第１の金属
層の表面及びこの第１の金属層に覆われていないコンタ
クト層の表面を覆う第２の金属層とによりコンタクト層
に接続する電極を形成した。また、第２の金属層のコン
タクト層に対する単位面積当たりの接触抵抗の値を第１
の金属層の値よりも大きくした。また、第１の金属層ま
たは第２の金属層を複数の種類の金属により多層構造に
形成することにより、コンタクト層に対する接合強度の
強化を図った。これらの手段により、電極による光の反
射効率が高く、寿命の長い発光素子が得られた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に窒化ガリ
ウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチ
ップ型の発光素子に関する。
ウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチ
ップ型の発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に、従来技術として特開平６−１２
０５６２によるフリップチップ型の発光素子３００の断
面図を示す。３０１は、サファイヤ基板、３０２は、ｎ
型のＧａＮ層、３０３は、ｐ型のＧａＮ層、３０４は、
正電極、３０５は、負電極である。フリップチップ型の
発光素子では、ｎ型のＧａＮ層３０２とｐ型のＧａＮ層
３０３の界面で発せられた光をｐ型のＧａＮ層３０３上
の形成された正電極３０４で反射させ、サファイア基板
３０１を通して観察するため、正電極３０４は、比較的
大きく形成される。又、ｐ型のＧａＮ層３０３上に形成
される正電極３０４に用いる金属層としては、アルミニ
ウム（Ａｌ）などの金属が光の反射効率の上で優れてい
ることが判っているが、これらの光の反射効率上優れて
いる金属の種類の中には、それを電極に用いた際、例え
ばアルミニウムなどに代表される金属のようにマイグレ
ーションを起こしやすいものが有る。
０５６２によるフリップチップ型の発光素子３００の断
面図を示す。３０１は、サファイヤ基板、３０２は、ｎ
型のＧａＮ層、３０３は、ｐ型のＧａＮ層、３０４は、
正電極、３０５は、負電極である。フリップチップ型の
発光素子では、ｎ型のＧａＮ層３０２とｐ型のＧａＮ層
３０３の界面で発せられた光をｐ型のＧａＮ層３０３上
の形成された正電極３０４で反射させ、サファイア基板
３０１を通して観察するため、正電極３０４は、比較的
大きく形成される。又、ｐ型のＧａＮ層３０３上に形成
される正電極３０４に用いる金属層としては、アルミニ
ウム（Ａｌ）などの金属が光の反射効率の上で優れてい
ることが判っているが、これらの光の反射効率上優れて
いる金属の種類の中には、それを電極に用いた際、例え
ばアルミニウムなどに代表される金属のようにマイグレ
ーションを起こしやすいものが有る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、正電極
３０４に用いられた金属が、マイグレーションを起こす
と、正電極３０４を構成する金属がイオンとして、負電
極３０５側に引き寄せられ、電極層の乱れによる発光
強度の低下、正電極３０４とｎ型のＧａＮ層３０２が
マイグレーションにより短絡し、寿命の低下という問題
が発生する。そこで、例えば図３に示すように、ｐ型の
ＧａＮ層３０３上に形成する正電極３０４とｐ型のＧａ
Ｎ層３０３との距離Ｄを大きくすることにより、短絡ま
での時間を延ばし、その結果として、寿命を延長する方
法も考えられる。しかし、上述のように、フリップチッ
プ型の発光素子については、ｐ型のＧａＮ層３０３上の
正電極３０４の大きさ＝発光面積であり、距離Ｄを大き
くすることは、正電極の大きさを維持すれば、チップサ
イズが増大して、生産効率の低下を招き、又、正電極の
大きさを小さくすれば、ｐ型のＧａＮ層３０３のＤの隙
間から漏れ出る光の量もそれに伴って増大するため、光
の反射効率が低下し、発光効率が減少するという問題が
あった。加えて、電極層の乱れによる発光強度の低下を
防止することはできない。
３０４に用いられた金属が、マイグレーションを起こす
と、正電極３０４を構成する金属がイオンとして、負電
極３０５側に引き寄せられ、電極層の乱れによる発光
強度の低下、正電極３０４とｎ型のＧａＮ層３０２が
マイグレーションにより短絡し、寿命の低下という問題
が発生する。そこで、例えば図３に示すように、ｐ型の
ＧａＮ層３０３上に形成する正電極３０４とｐ型のＧａ
Ｎ層３０３との距離Ｄを大きくすることにより、短絡ま
での時間を延ばし、その結果として、寿命を延長する方
法も考えられる。しかし、上述のように、フリップチッ
プ型の発光素子については、ｐ型のＧａＮ層３０３上の
正電極３０４の大きさ＝発光面積であり、距離Ｄを大き
くすることは、正電極の大きさを維持すれば、チップサ
イズが増大して、生産効率の低下を招き、又、正電極の
大きさを小さくすれば、ｐ型のＧａＮ層３０３のＤの隙
間から漏れ出る光の量もそれに伴って増大するため、光
の反射効率が低下し、発光効率が減少するという問題が
あった。加えて、電極層の乱れによる発光強度の低下を
防止することはできない。
【０００４】本発明は、上記の問題を解決するために成
されたものであり、その目的は、発光強度が大きく、か
つ、寿命の長い窒化ガリウム系化合物半導体素子を提供
することである。
されたものであり、その目的は、発光強度が大きく、か
つ、寿命の長い窒化ガリウム系化合物半導体素子を提供
することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの第１の手段は、基板上に窒化ガリウム系化合物半導
体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子
において、ｐ型半導体側のコンタクト層に接続する第１
の金属層と、この第１の金属層の少なくとも側面及びこ
の第１の金属層に覆われていないコンタクト層の表面を
覆う第２の金属層とによりコンタクト層に接続する電極
を形成することである。なお、第２の金属層は、第１の
金属層の表面の周囲部およびコンタクト層の露出部を覆
う場合と、第１の金属層の表面全体およびコンタクト層
の露出部を覆う場合ともを含む。また、第２の手段は、
上記の第１の手段において、第２の金属層のコンタクト
層に対する単位面積当たりの接触抵抗の値を第１の金属
層の値よりも大きくすることである。また、第３の手段
は、上記の第１の手段または第２の手段において、第１
の金属層または第２の金属層を複数の種類の金属により
多層構造に形成することである。また、第４の手段は、
上記の第１の手段乃至第３の手段のいずれか１つにおい
て、第１の金属層を銀（Ａｇ）により形成することであ
る。更に、第５の手段は、上記の第１の手段乃至第４の
手段のいずれか１つにおいて、第２の金属層をバナジウ
ム（Ｖ）とアルミニウム（Ａｌ）又はチタン（Ｔｉ）と
金（Ａｕ）により形成することである。これらの手段に
より、上記の課題を解決することができる。
めの第１の手段は、基板上に窒化ガリウム系化合物半導
体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子
において、ｐ型半導体側のコンタクト層に接続する第１
の金属層と、この第１の金属層の少なくとも側面及びこ
の第１の金属層に覆われていないコンタクト層の表面を
覆う第２の金属層とによりコンタクト層に接続する電極
を形成することである。なお、第２の金属層は、第１の
金属層の表面の周囲部およびコンタクト層の露出部を覆
う場合と、第１の金属層の表面全体およびコンタクト層
の露出部を覆う場合ともを含む。また、第２の手段は、
上記の第１の手段において、第２の金属層のコンタクト
層に対する単位面積当たりの接触抵抗の値を第１の金属
層の値よりも大きくすることである。また、第３の手段
は、上記の第１の手段または第２の手段において、第１
の金属層または第２の金属層を複数の種類の金属により
多層構造に形成することである。また、第４の手段は、
上記の第１の手段乃至第３の手段のいずれか１つにおい
て、第１の金属層を銀（Ａｇ）により形成することであ
る。更に、第５の手段は、上記の第１の手段乃至第４の
手段のいずれか１つにおいて、第２の金属層をバナジウ
ム（Ｖ）とアルミニウム（Ａｌ）又はチタン（Ｔｉ）と
金（Ａｕ）により形成することである。これらの手段に
より、上記の課題を解決することができる。
【０００６】
【作用および発明の効果】図１に、第１の金属層１０８
に銀（Ａｇ）を用いた本発明によるフリップチップ型の
発光素子１００の断面図を示す。本素子１００では、第
１の金属層１０８が、第２の金属層１１０に覆われてい
るためマイグレーションが起こらない。よって本素子１
００は、長寿命となる。また、本素子１００では、マイ
グレーションが起こらないため幅Ｄを小さくできるので
第１の金属層１０８を広く取ることができ、その分光の
反射効率の優れた金属を第１の金属層１０８に広面積に
渡り使用できる。よって発光強度を向上させることがで
きる。また、本素子１００では、幅Ｄの部分でも第２の
金属層１１０により光を反射するので、コンタクト層１
０７からの光の漏れ出しが殆どなくなり、よって発光強
度を更に向上させることができる。また、本素子１００
では、第２の金属層１１０の幅Ｄの部分でのコンタクト
層１０７に対する接触抵抗の方が第１の金属層１０８の
コンタクト層１０７に対する接触抵抗よりも大きいた
め、殆どの電流は幅Ｄの部分を通らず、コンタクト層１
０７と金属層１０８との接触面の方を通る。このため、
光の反射効率の優れた金属を広面積に渡り使用している
金属層１０８の真上の活性層が発光し、よって発光強度
が良い。更に、本素子１００では、幅Ｄの部分は狭いた
め、コンタクト層１０７と第２の金属層１１０とを接合
する際、強い接合強度が要求されるが、図１に示すよう
に第２の金属層１１０を多層構造とすることで、強い接
合強度を得ることが可能となる。これにより、本素子１
００をマイグレーションが起こらない長寿命な素子にす
ることができる。また、第２の金属層１１０は、酸素や
水分の第１の金属層１０８への侵入を防ぎ、第１の金属
層１０８を腐食させないという効果もある。
に銀（Ａｇ）を用いた本発明によるフリップチップ型の
発光素子１００の断面図を示す。本素子１００では、第
１の金属層１０８が、第２の金属層１１０に覆われてい
るためマイグレーションが起こらない。よって本素子１
００は、長寿命となる。また、本素子１００では、マイ
グレーションが起こらないため幅Ｄを小さくできるので
第１の金属層１０８を広く取ることができ、その分光の
反射効率の優れた金属を第１の金属層１０８に広面積に
渡り使用できる。よって発光強度を向上させることがで
きる。また、本素子１００では、幅Ｄの部分でも第２の
金属層１１０により光を反射するので、コンタクト層１
０７からの光の漏れ出しが殆どなくなり、よって発光強
度を更に向上させることができる。また、本素子１００
では、第２の金属層１１０の幅Ｄの部分でのコンタクト
層１０７に対する接触抵抗の方が第１の金属層１０８の
コンタクト層１０７に対する接触抵抗よりも大きいた
め、殆どの電流は幅Ｄの部分を通らず、コンタクト層１
０７と金属層１０８との接触面の方を通る。このため、
光の反射効率の優れた金属を広面積に渡り使用している
金属層１０８の真上の活性層が発光し、よって発光強度
が良い。更に、本素子１００では、幅Ｄの部分は狭いた
め、コンタクト層１０７と第２の金属層１１０とを接合
する際、強い接合強度が要求されるが、図１に示すよう
に第２の金属層１１０を多層構造とすることで、強い接
合強度を得ることが可能となる。これにより、本素子１
００をマイグレーションが起こらない長寿命な素子にす
ることができる。また、第２の金属層１１０は、酸素や
水分の第１の金属層１０８への侵入を防ぎ、第１の金属
層１０８を腐食させないという効果もある。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。図１は、第１の金属層に銀（Ａｇ）
を用いた本発明によるフリップチップ型の発光素子１０
０の断面図である。１０１は、サファイヤ基板、１０２
は、ＡｌＮバッファ層、１０３は、ｎ型のＧａＮ層、１
０４は、ｎ型のＧａＮクラッド層、１０５は、活性層、
１０６は、ｐ型のＡｌＧａＮクラッド層、１０７は、ｐ
型のＧａＮコンタクト層、１０８は、正電極の一部を構
成する第１の金属層であり、銀（Ａｇ）により形成され
ている。１０９は、負電極であり、１１０は、正電極の
一部を構成する第２の金属層である。即ち、第２の金属
層１１０は、バナジウム（Ｖ）により形成された金属層
１１１とアルミニウム（Ａｌ）により形成された金属層
１１２とにより構成されており、接合強度が十分確保で
きるだけの幅Ｄをもってコンタクト層１０７と接してい
る。本素子１００は、第１の金属層に従来のフリップチ
ップ型の正電極の部材としては用いられていなかった銀
（Ａｇ）を用いているため、コンタクト層１０７に対す
る接触抵抗が小さく、かつ、図１の上方への光の反射効
率が非常に良いため、発光強度の面で著しく優れている
のが大きな特徴である。なお、第１の金属層１０８に銀
（Ａｇ）を用いた上記実施例の場合、第１の金属層１０
８の膜厚は、約２００Å〜１μｍの範囲が最も良く、こ
れよりも薄いと光の反射効率が落ち、これよりも厚いと
第２の金属層１１０により第１の金属層１０８の側面を
完全に覆うことが困難となり、さらに生産コストの面で
劣る。
基づいて説明する。図１は、第１の金属層に銀（Ａｇ）
を用いた本発明によるフリップチップ型の発光素子１０
０の断面図である。１０１は、サファイヤ基板、１０２
は、ＡｌＮバッファ層、１０３は、ｎ型のＧａＮ層、１
０４は、ｎ型のＧａＮクラッド層、１０５は、活性層、
１０６は、ｐ型のＡｌＧａＮクラッド層、１０７は、ｐ
型のＧａＮコンタクト層、１０８は、正電極の一部を構
成する第１の金属層であり、銀（Ａｇ）により形成され
ている。１０９は、負電極であり、１１０は、正電極の
一部を構成する第２の金属層である。即ち、第２の金属
層１１０は、バナジウム（Ｖ）により形成された金属層
１１１とアルミニウム（Ａｌ）により形成された金属層
１１２とにより構成されており、接合強度が十分確保で
きるだけの幅Ｄをもってコンタクト層１０７と接してい
る。本素子１００は、第１の金属層に従来のフリップチ
ップ型の正電極の部材としては用いられていなかった銀
（Ａｇ）を用いているため、コンタクト層１０７に対す
る接触抵抗が小さく、かつ、図１の上方への光の反射効
率が非常に良いため、発光強度の面で著しく優れている
のが大きな特徴である。なお、第１の金属層１０８に銀
（Ａｇ）を用いた上記実施例の場合、第１の金属層１０
８の膜厚は、約２００Å〜１μｍの範囲が最も良く、こ
れよりも薄いと光の反射効率が落ち、これよりも厚いと
第２の金属層１１０により第１の金属層１０８の側面を
完全に覆うことが困難となり、さらに生産コストの面で
劣る。
【０００８】図２は、第１の金属層にも多層構造を採用
した本発明によるフリップチップ型の発光素子２００の
断面図である。２０１は、サファイヤ基板、２０２は、
ＡｌＮバッファ層、２０３は、ｎ型のＧａＮ層、２０４
は、ｎ型のＧａＮクラッド層、２０５は、活性層、２０
６は、ｐ型のＡｌＧａＮクラッド層、２０７は、ｐ型の
ＧａＮコンタクト層、２０８は、正電極の一部を構成す
る第１の金属層であり、膜厚３０００Åの銀（Ａｇ）層
２０８Ａ、膜厚１０００Åのニッケル（Ｎｉ）層２０８
Ｂ、膜厚１０００Åのチタン（Ｔｉ）層２０８Ｃよりな
る多層構造により形成されている。２０９は、負電極で
あり、２１０は、正電極の一部を構成する第２の金属層
である。即ち、第２の金属層２１０は、チタン（Ｔｉ）
により形成された膜厚１０００Åの金属層２１１と金
（Ａｕ）により形成された膜厚１．５μｍの金属層２１
２とにより構成されており、接合強度が十分確保できる
だけの幅Ｄをもってコンタクト層２０７と接している。
本素子２００は、第１の金属層に膜厚３０００Åの銀
（Ａｇ）層２０８Ａ、膜厚１０００Åのニッケル（Ｎ
ｉ）層２０８Ｂ、膜厚１０００Åのチタン（Ｔｉ）層２
０８Ｃよりなる多層構造を採用しているため、コンタク
ト層２０７に対する接触抵抗が低く、また、第１金属層
の２０８Ｃと第２金属層の２１１を同じ金属とすること
により第１金属層と第２金属層との接合強度が強い点が
優れている。
した本発明によるフリップチップ型の発光素子２００の
断面図である。２０１は、サファイヤ基板、２０２は、
ＡｌＮバッファ層、２０３は、ｎ型のＧａＮ層、２０４
は、ｎ型のＧａＮクラッド層、２０５は、活性層、２０
６は、ｐ型のＡｌＧａＮクラッド層、２０７は、ｐ型の
ＧａＮコンタクト層、２０８は、正電極の一部を構成す
る第１の金属層であり、膜厚３０００Åの銀（Ａｇ）層
２０８Ａ、膜厚１０００Åのニッケル（Ｎｉ）層２０８
Ｂ、膜厚１０００Åのチタン（Ｔｉ）層２０８Ｃよりな
る多層構造により形成されている。２０９は、負電極で
あり、２１０は、正電極の一部を構成する第２の金属層
である。即ち、第２の金属層２１０は、チタン（Ｔｉ）
により形成された膜厚１０００Åの金属層２１１と金
（Ａｕ）により形成された膜厚１．５μｍの金属層２１
２とにより構成されており、接合強度が十分確保できる
だけの幅Ｄをもってコンタクト層２０７と接している。
本素子２００は、第１の金属層に膜厚３０００Åの銀
（Ａｇ）層２０８Ａ、膜厚１０００Åのニッケル（Ｎ
ｉ）層２０８Ｂ、膜厚１０００Åのチタン（Ｔｉ）層２
０８Ｃよりなる多層構造を採用しているため、コンタク
ト層２０７に対する接触抵抗が低く、また、第１金属層
の２０８Ｃと第２金属層の２１１を同じ金属とすること
により第１金属層と第２金属層との接合強度が強い点が
優れている。
【０００９】上記の実施例においては、第１の金属層の
コンタクト層に面接触する金属層において銀（Ａｇ）を
用いたが、この層に用いる金属は、ニッケル（Ｎｉ）、
コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）であって
もよく、また、これらの合金であってもよい。また、上
記の実施例においては、第２の金属層のコンタクト層に
面接触する金属層においてバナジウム（Ｖ）、チタン
（Ｔｉ）を用いたが、この層に用いる金属は、クロム
（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタル
（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、
ハフニウム（Ｈｆ）またはこれらの合金であってもよ
く、一般にｎ型のＧａＮ層（１０３、２０３）に取り付
ける負電極（１０９、２０９）と同じものであってもよ
い。また、上記の実施例においては、第２の金属層は、
第１の金属層を完全に覆っているが、第２の金属層は、
第１の金属層を完全に覆っていなくてもよく、最低限第
１の金属層に覆われていないコンタクト層の底面と第１
の金属層の側面とを覆っていればよい。
コンタクト層に面接触する金属層において銀（Ａｇ）を
用いたが、この層に用いる金属は、ニッケル（Ｎｉ）、
コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）であって
もよく、また、これらの合金であってもよい。また、上
記の実施例においては、第２の金属層のコンタクト層に
面接触する金属層においてバナジウム（Ｖ）、チタン
（Ｔｉ）を用いたが、この層に用いる金属は、クロム
（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタル
（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、
ハフニウム（Ｈｆ）またはこれらの合金であってもよ
く、一般にｎ型のＧａＮ層（１０３、２０３）に取り付
ける負電極（１０９、２０９）と同じものであってもよ
い。また、上記の実施例においては、第２の金属層は、
第１の金属層を完全に覆っているが、第２の金属層は、
第１の金属層を完全に覆っていなくてもよく、最低限第
１の金属層に覆われていないコンタクト層の底面と第１
の金属層の側面とを覆っていればよい。
【図１】第１の金属層に銀（Ａｇ）を用いた本発明によ
るフリップチップ型の発光素子の断面図。
るフリップチップ型の発光素子の断面図。
【図２】第１の金属層にも多層構造を採用した本発明に
よるフリップチップ型の発光素子の断面図。
よるフリップチップ型の発光素子の断面図。
【図３】第１の金属層に銀（Ａｇ）を用いた従来技術に
よるフリップチップ型の発光素子の断面図。
よるフリップチップ型の発光素子の断面図。
１０１、２０１、３０１…サファイヤ基板 １０２、２０２…ＡｌＮバッファ層 １０３、２０３、３０２…ｎ型のＧａＮ層 １０４、２０４…ｎ型のＧａＮクラッド層 １０５、２０５…活性層 １０６、２０６…ｐ型のＡｌＧａＮクラッド層 １０７、２０７…ｐ型のＧａＮコンタクト層 １０８、２０８…正電極の一部を構成する第１の金属層 ３０３…ｐ型のＧａＮ層 ３０４…正電極 １０９、２０９、３０５…負電極 １１０、２１０…正電極の一部を構成する第２の金属層
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に窒化ガリウム系化合物半導体か
ら成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子にお
いて、 ｐ型半導体側のコンタクト層に接続する第１の金属層
と、この第１の金属層の少なくとも側面及びこの第１の
金属層に覆われていない前記コンタクト層の表面を覆う
第２の金属層とにより前記コンタクト層に接続する電極
を構成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導
体素子。 - 【請求項２】 前記第２の金属層の前記コンタクト層に
対する単位面積当たりの接触抵抗の値は、前記第１の金
属層の前記コンタクト層に対する単位面積当たりの接触
抵抗の値よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載
の窒化ガリウム系化合物半導体素子。 - 【請求項３】 前記第１の金属層または前記第２の金属
層は、複数の種類の金属により多層構造を成しているこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の窒化ガ
リウム系化合物半導体素子。 - 【請求項４】 前記第１の金属層は、銀（Ａｇ）により
形成されている事を特徴とする請求項１乃至請求項３の
いずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体素
子。 - 【請求項５】 前記第２の金属層は、バナジウム（Ｖ）
とアルミニウム（Ａｌ）又はチタン（Ｔｉ）と金（Ａ
ｕ）により形成されている事を特徴とする請求項１乃至
請求項４のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物
半導体素子。
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|---|---|---|---|
| JP3661998A JPH11220171A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3661998A JPH11220171A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220171A true JPH11220171A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12474829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3661998A Pending JPH11220171A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
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