JPH11220194A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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- JPH11220194A JPH11220194A JP2308898A JP2308898A JPH11220194A JP H11220194 A JPH11220194 A JP H11220194A JP 2308898 A JP2308898 A JP 2308898A JP 2308898 A JP2308898 A JP 2308898A JP H11220194 A JPH11220194 A JP H11220194A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 総合的にエンドポンプ励起方式のものに匹敵
する励起効率を、簡単な構成のもとに実現すること可能
な半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 励起光源である半導体レーザ１から出力
される半導体レーザビームＬ1 を、発振させるレーザ光
軸とは異なる方向から共振器ミラー３，４を透過させず
に固体レーザ媒質５の発振レーザビーム透過面５ａに照
射して固体レーザ媒質５を励起するという構成により、
共振器の効率を向上させるとともに、発振レーザモード
と励起レーザモードとを概略一致させることで、良好な
励起エネルギを得る。
する励起効率を、簡単な構成のもとに実現すること可能
な半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 励起光源である半導体レーザ１から出力
される半導体レーザビームＬ1 を、発振させるレーザ光
軸とは異なる方向から共振器ミラー３，４を透過させず
に固体レーザ媒質５の発振レーザビーム透過面５ａに照
射して固体レーザ媒質５を励起するという構成により、
共振器の効率を向上させるとともに、発振レーザモード
と励起レーザモードとを概略一致させることで、良好な
励起エネルギを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ励起固
体レーザ装置に関する。
体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ励起固体レーザ装置は、少
なくとも２枚の共振器ミラーで構成される共振器内に固
体レーザ媒質を配置し、その固体レーザ媒質に半導体レ
ーザから出力されたレーザビームを集光して照射し、励
起することによって共振器内でレーザ発振を引き起こさ
せる方式のレーザ装置である。
なくとも２枚の共振器ミラーで構成される共振器内に固
体レーザ媒質を配置し、その固体レーザ媒質に半導体レ
ーザから出力されたレーザビームを集光して照射し、励
起することによって共振器内でレーザ発振を引き起こさ
せる方式のレーザ装置である。
【０００３】また、このような半導体レーザを励起光源
としたレーザの励起方式として、現在、大別してサイド
ポンプ励起方式とエンドポンプ励起方式による固体レー
ザ装置が提案されている。
としたレーザの励起方式として、現在、大別してサイド
ポンプ励起方式とエンドポンプ励起方式による固体レー
ザ装置が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、サイドポン
プ励起方式による固体レーザ装置によれば、固体レーザ
媒質を励起する半導体レーザビームのモードは、発振す
るレーザビームのモードに対し一般に非常に大きく、こ
のためレーザ発振の閾値が高くなり、特に、励起エネル
ギが限られる小型レーザにおいては、半導体レーザ励起
固体レーザの特徴である高効率を実現することはできな
い上、発振レーザビームの横モードも悪化しやすい。
プ励起方式による固体レーザ装置によれば、固体レーザ
媒質を励起する半導体レーザビームのモードは、発振す
るレーザビームのモードに対し一般に非常に大きく、こ
のためレーザ発振の閾値が高くなり、特に、励起エネル
ギが限られる小型レーザにおいては、半導体レーザ励起
固体レーザの特徴である高効率を実現することはできな
い上、発振レーザビームの横モードも悪化しやすい。
【０００５】一方、エンドポンプ励起方式による固体レ
ーザ装置によれば、半導体レーザビームと発振レーザビ
ームを同軸上に配置することで、固体レーザ媒質を励起
する半導体レーザビームのモードと発振レーザビームの
モードとが一致するので、非常に高効率かつ良好な横モ
ードを得やすいという利点がある反面、発振レーザビー
ム波長に対して高反射率を必要とする光学素子表面から
半導体レーザビームを入力するという構成であるため
に、半導体レーザビーム波長に対して高透過が要求され
るなど、光学素子に対する要求が高くなり、光学素子の
製造が難しくなったり、実質的に高い効率が得られない
状態に陥ったりするという欠点がある。
ーザ装置によれば、半導体レーザビームと発振レーザビ
ームを同軸上に配置することで、固体レーザ媒質を励起
する半導体レーザビームのモードと発振レーザビームの
モードとが一致するので、非常に高効率かつ良好な横モ
ードを得やすいという利点がある反面、発振レーザビー
ム波長に対して高反射率を必要とする光学素子表面から
半導体レーザビームを入力するという構成であるため
に、半導体レーザビーム波長に対して高透過が要求され
るなど、光学素子に対する要求が高くなり、光学素子の
製造が難しくなったり、実質的に高い効率が得られない
状態に陥ったりするという欠点がある。
【０００６】本発明はそのような実情に鑑みてなされた
もので、総合的にエンドポンプ励起方式のものに匹敵す
る励起効率を、簡単な構成のもとに実現すること可能な
半導体レーザ励起固体レーザ装置の提供を目的とする。
もので、総合的にエンドポンプ励起方式のものに匹敵す
る励起効率を、簡単な構成のもとに実現すること可能な
半導体レーザ励起固体レーザ装置の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、共振器内に配置した固体レーザ媒質を半
導体レーザを用いて励起し、レーザビームを発振させる
方式の固体レーザ装置において、半導体レーザビーム
を、発振させるレーザ光軸とは異なる方向から共振器ミ
ラーを透過させずに、固体レーザ媒質の発振レーザビー
ム透過面に照射して、固体レーザ媒質を励起することに
よって特徴づけられる。
め、本発明は、共振器内に配置した固体レーザ媒質を半
導体レーザを用いて励起し、レーザビームを発振させる
方式の固体レーザ装置において、半導体レーザビーム
を、発振させるレーザ光軸とは異なる方向から共振器ミ
ラーを透過させずに、固体レーザ媒質の発振レーザビー
ム透過面に照射して、固体レーザ媒質を励起することに
よって特徴づけられる。
【０００８】以上の構成の本発明の半導体レーザ励起固
体レーザ装置によれば、簡単な構成のもとに良好な励起
効率を得ることができる。
体レーザ装置によれば、簡単な構成のもとに良好な励起
効率を得ることができる。
【０００９】その理由を、現在提案されている２つの励
起方式のうち、より高効率なエンドポンプ励起方式の固
体レーザ装置と比較しながら以下に説明する。
起方式のうち、より高効率なエンドポンプ励起方式の固
体レーザ装置と比較しながら以下に説明する。
【００１０】まず、エンドポンプ励起方式の装置では、
共振器を構成する結合ミラーに、発振させるレーザビー
ム波長に対して高い反射率を有し、半導体レーザビーム
波長に対し高い透過率を実現するようなコーティングを
施す必要がある。
共振器を構成する結合ミラーに、発振させるレーザビー
ム波長に対して高い反射率を有し、半導体レーザビーム
波長に対し高い透過率を実現するようなコーティングを
施す必要がある。
【００１１】これに対し、本発明の固体レーザ装置で
は、半導体レーザビームを固体レーザ媒質に共振器ミラ
ーを透過させずに照射しているので、発振レーザビーム
波長に対する反射膜と励起ビーム透過面とを分離するこ
とができる。ここで、光学薄膜の性質上、レーザ発振に
必要な高い反射率を保ったまま、半導体レーザビーム波
長に対して十分な励起効率を実現するような高い透過率
を実現するのに比べ、レーザ発振に必要な高い透過率を
保ったまま、半導体レーザビーム波長に対して十分な励
起効率を実現するような高い透過率を実現することの方
が格段に容易である。このことから本発明の構成を採用
した方が、コーティングによるロスを少なくでき、効率
のよい共振器を構成することが可能となる。
は、半導体レーザビームを固体レーザ媒質に共振器ミラ
ーを透過させずに照射しているので、発振レーザビーム
波長に対する反射膜と励起ビーム透過面とを分離するこ
とができる。ここで、光学薄膜の性質上、レーザ発振に
必要な高い反射率を保ったまま、半導体レーザビーム波
長に対して十分な励起効率を実現するような高い透過率
を実現するのに比べ、レーザ発振に必要な高い透過率を
保ったまま、半導体レーザビーム波長に対して十分な励
起効率を実現するような高い透過率を実現することの方
が格段に容易である。このことから本発明の構成を採用
した方が、コーティングによるロスを少なくでき、効率
のよい共振器を構成することが可能となる。
【００１２】また、良好な横モードを達成するために必
要な固体レーザ媒質中での半導体レーザビームのモード
と、発振レーザビームのモードの一致は、固体レーザ媒
質の厚みをレーザ媒質の発振レーザビーム透過面に対す
る発振レーザビームの入射角と半導体レーザビームの入
射角により許容される値以内とした場合、大きく崩さず
に確保することが可能であることから、総合的に、本発
明の固体レーザ装置はエンドポンプ励起方式に匹敵す
る、良好な励起効率を得ることが可能になる。
要な固体レーザ媒質中での半導体レーザビームのモード
と、発振レーザビームのモードの一致は、固体レーザ媒
質の厚みをレーザ媒質の発振レーザビーム透過面に対す
る発振レーザビームの入射角と半導体レーザビームの入
射角により許容される値以内とした場合、大きく崩さず
に確保することが可能であることから、総合的に、本発
明の固体レーザ装置はエンドポンプ励起方式に匹敵す
る、良好な励起効率を得ることが可能になる。
【００１３】ここで、本発明の固体レーザ装置におい
て、図２及び図３に例示するように、励起光源として複
数の半導体レーザ１，１１もしくは１，１１，２１，３
１を用い、その各出力レーザビームを、それぞれ発振レ
ーザ光軸とは異なる方向から共振器ミラー３，４を透過
させずに、固体レーザ媒質５の発振レーザビーム透過面
５ａ，５ｂに照射して、固体レーザ媒質５を励起するよ
うに構成してもよく、この場合、励起効率を変えること
なく、また偏光ビームスプリッタなどの余分な素子を用
いることなく、励起エネルギを増加させることが可能に
なる。
て、図２及び図３に例示するように、励起光源として複
数の半導体レーザ１，１１もしくは１，１１，２１，３
１を用い、その各出力レーザビームを、それぞれ発振レ
ーザ光軸とは異なる方向から共振器ミラー３，４を透過
させずに、固体レーザ媒質５の発振レーザビーム透過面
５ａ，５ｂに照射して、固体レーザ媒質５を励起するよ
うに構成してもよく、この場合、励起効率を変えること
なく、また偏光ビームスプリッタなどの余分な素子を用
いることなく、励起エネルギを増加させることが可能に
なる。
【００１４】なお、励起エネルギを増加させる他の方法
として、広いストライプ幅を持つ高出力半導体レーザ
（例えば利得導波型ブロードストライプ構造の半導体レ
ーザ）を励起光源に用い、その半導体レーザのストライ
プ方向を、発振レーザ光軸と励起ビームを含む平面に対
して略垂直となる方向に一致させて、固体レーザ媒質の
励起を行う、という構成も挙げられる。
として、広いストライプ幅を持つ高出力半導体レーザ
（例えば利得導波型ブロードストライプ構造の半導体レ
ーザ）を励起光源に用い、その半導体レーザのストライ
プ方向を、発振レーザ光軸と励起ビームを含む平面に対
して略垂直となる方向に一致させて、固体レーザ媒質の
励起を行う、という構成も挙げられる。
【００１５】本発明の固体レーザ装置において、図４に
例示するように、少なくとも２枚の共振器ミラー３，４
で構成される共振器内に、ＳＨＧ素子（波長変換素子）
６を配置しておけば、共振器内に発振した単数もしくは
複数のレーザビーム波長の第２高調波または和周波もし
くはその両方を、効率よく取り出すことのできる半導体
レーザ励起固体レーザ装置を構成することができる。
例示するように、少なくとも２枚の共振器ミラー３，４
で構成される共振器内に、ＳＨＧ素子（波長変換素子）
６を配置しておけば、共振器内に発振した単数もしくは
複数のレーザビーム波長の第２高調波または和周波もし
くはその両方を、効率よく取り出すことのできる半導体
レーザ励起固体レーザ装置を構成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態の構成
図である。
図である。
【００１７】本実施の形態の固体レーザ装置は、励起光
源である半導体レーザ１、コリメータレンズ２ａ、フォ
ーカッシングレンズ２ｂ、共振器を構成する２枚の共振
器ミラー３と４、その２枚の共振器ミラー３と４の間の
光軸上に配置された、あまり厚くない固体レーザ媒質５
等によって構成されている。
源である半導体レーザ１、コリメータレンズ２ａ、フォ
ーカッシングレンズ２ｂ、共振器を構成する２枚の共振
器ミラー３と４、その２枚の共振器ミラー３と４の間の
光軸上に配置された、あまり厚くない固体レーザ媒質５
等によって構成されている。
【００１８】半導体レーザ１は、励起レーザ光軸が共振
器ミラー３，４の光軸（発振レーザ光軸）に対して斜め
に傾くように配置されており、その出力レーザビーム
（励起ビーム）Ｌ1 は、コリメータレンズ２ａ、フォー
カッシングレンズ２ｂにより集光され、発振レーザ光軸
とは異なる方向から、共振器ミラー３，４を透過するこ
となく、固体レーザ媒質５の発振レーザビーム透過面５
ａに入射する。
器ミラー３，４の光軸（発振レーザ光軸）に対して斜め
に傾くように配置されており、その出力レーザビーム
（励起ビーム）Ｌ1 は、コリメータレンズ２ａ、フォー
カッシングレンズ２ｂにより集光され、発振レーザ光軸
とは異なる方向から、共振器ミラー３，４を透過するこ
となく、固体レーザ媒質５の発振レーザビーム透過面５
ａに入射する。
【００１９】これにより固体レーザ媒質５が励起され、
２枚の共振器ミラー３，４で構成される共振器内でレー
ザが発振し、その発振レーザビームＬB が出力側の共振
器ミラー４を通じて外部に取り出される。
２枚の共振器ミラー３，４で構成される共振器内でレー
ザが発振し、その発振レーザビームＬB が出力側の共振
器ミラー４を通じて外部に取り出される。
【００２０】そして、本実施の形態では、発振レーザ光
軸と励起レーザ光軸とのなす角を、固体レーザ媒質５内
での発振レーザモード直径と励起ビームＬ1 のフォーカ
スポイント付近でのビームプロファイル、及び固体レー
ザ媒質５の厚みを勘案して、固体レーザ媒質５内での発
振レーザモードと励起レーザモードが概略一致する範囲
とすることにより、厳密なビーム整形と、エンドポンプ
励起方式により２つのモードを一致させた場合に近い励
起効率を達成しながら、励起ビームＬ1 が共振器ミラー
３，４を透過しないという構成により、共振器ミラー
３，４のコーティングにおいて励起ビーム波長における
透過率を考慮する必要性をなくし、設計の制約条件を少
なくすることで、共振器ミラーの性能を向上させてい
る。
軸と励起レーザ光軸とのなす角を、固体レーザ媒質５内
での発振レーザモード直径と励起ビームＬ1 のフォーカ
スポイント付近でのビームプロファイル、及び固体レー
ザ媒質５の厚みを勘案して、固体レーザ媒質５内での発
振レーザモードと励起レーザモードが概略一致する範囲
とすることにより、厳密なビーム整形と、エンドポンプ
励起方式により２つのモードを一致させた場合に近い励
起効率を達成しながら、励起ビームＬ1 が共振器ミラー
３，４を透過しないという構成により、共振器ミラー
３，４のコーティングにおいて励起ビーム波長における
透過率を考慮する必要性をなくし、設計の制約条件を少
なくすることで、共振器ミラーの性能を向上させてい
る。
【００２１】ここで、図１に示した構成において、励起
光源として広いストライプ幅を持つ高出力半導体レー
ザ、例えば利得導波型ブロードストライプ構造の半導体
レーザを使用すれば、１台の半導体レーザで励起エネル
ギを増加させることができる。さらに、この場合、高出
力半導体レーザのストライプ方向を、発振レーザ光軸と
励起ビームを含む平面に対して略垂直となる方向に一致
させて、固体レーザ媒質の励起を行うように構成すれ
ば、励起ビームの固体レーザ媒質への照射領域を、発振
レーザビームの固体レーザ媒質内における透過領域に集
中させることが可能となるので、励起エネルギをより高
めることができる。
光源として広いストライプ幅を持つ高出力半導体レー
ザ、例えば利得導波型ブロードストライプ構造の半導体
レーザを使用すれば、１台の半導体レーザで励起エネル
ギを増加させることができる。さらに、この場合、高出
力半導体レーザのストライプ方向を、発振レーザ光軸と
励起ビームを含む平面に対して略垂直となる方向に一致
させて、固体レーザ媒質の励起を行うように構成すれ
ば、励起ビームの固体レーザ媒質への照射領域を、発振
レーザビームの固体レーザ媒質内における透過領域に集
中させることが可能となるので、励起エネルギをより高
めることができる。
【００２２】図２は本発明の他の実施の形態の構成図で
ある。この実施の形態では、励起光源として２台の半導
体レーザ１と１１を使用し、その一方の半導体レーザ１
及び集光用のレンズ２ａ，２ｂを、図１に示したものと
同じ配置とし、他方の半導体レーザ１１及び集光用コリ
メータレンズ１２ａ，１２ｂを、共振器ミラー３，４の
光軸を挟んで半導体レーザ１と対称となる位置に配置し
て、固体レーザ媒質５の発振レーザビーム透過面５ａ
（共振器ミラー４側の面）の同一領域に２本の励起ビー
ムＬ1 とＬ11を同時に照射するように構成したところに
特徴がある。
ある。この実施の形態では、励起光源として２台の半導
体レーザ１と１１を使用し、その一方の半導体レーザ１
及び集光用のレンズ２ａ，２ｂを、図１に示したものと
同じ配置とし、他方の半導体レーザ１１及び集光用コリ
メータレンズ１２ａ，１２ｂを、共振器ミラー３，４の
光軸を挟んで半導体レーザ１と対称となる位置に配置し
て、固体レーザ媒質５の発振レーザビーム透過面５ａ
（共振器ミラー４側の面）の同一領域に２本の励起ビー
ムＬ1 とＬ11を同時に照射するように構成したところに
特徴がある。
【００２３】図３は本発明の別の実施の形態の構成図で
ある。この実施の形態では、励起光源として４台の半導
体レーザ１，１１，２１及び３１を使用し、それらのう
ちの２台の半導体レーザ１と１１及び集光用のレンズ２
ａ，２ｂと１２ａ，１２ｂを、図２に示したものと同じ
配置として、固体レーザ媒質５の発振レーザビーム透過
面５ａの同一領域に２本の励起ビームＬ1 とＬ11を照射
するように構成するとともに、残りの２台の半導体レー
ザ２１と３１及び集光用コリメータレンズ２２ａ、２２
ｂと３２ａ、３２ｂを、それぞれ固体レーザ媒質５の中
心を通る面（共振器ミラー３，４の光軸と直交する面）
を挟んで半導体レーザ１，１１と対称となる位置に配置
して、固体レーザ媒質５のもう一方のレーザビーム透過
面５ｂ（共振器ミラー３側の面）にも２本の励起ビーム
Ｌ21とＬ31を照射するように構成したところに特徴があ
る。
ある。この実施の形態では、励起光源として４台の半導
体レーザ１，１１，２１及び３１を使用し、それらのう
ちの２台の半導体レーザ１と１１及び集光用のレンズ２
ａ，２ｂと１２ａ，１２ｂを、図２に示したものと同じ
配置として、固体レーザ媒質５の発振レーザビーム透過
面５ａの同一領域に２本の励起ビームＬ1 とＬ11を照射
するように構成するとともに、残りの２台の半導体レー
ザ２１と３１及び集光用コリメータレンズ２２ａ、２２
ｂと３２ａ、３２ｂを、それぞれ固体レーザ媒質５の中
心を通る面（共振器ミラー３，４の光軸と直交する面）
を挟んで半導体レーザ１，１１と対称となる位置に配置
して、固体レーザ媒質５のもう一方のレーザビーム透過
面５ｂ（共振器ミラー３側の面）にも２本の励起ビーム
Ｌ21とＬ31を照射するように構成したところに特徴があ
る。
【００２４】以上の図２及び図３に示すような構成を採
用すれば、励起効率を変えることなく、また偏光ビーム
スプリッタなどの余分な素子を用いることなく、励起エ
ネルギを増加させることが可能になる。
用すれば、励起効率を変えることなく、また偏光ビーム
スプリッタなどの余分な素子を用いることなく、励起エ
ネルギを増加させることが可能になる。
【００２５】図４は本発明の更に別の実施の形態の構成
図である。本実施の形態は、図１の構成に加えて、２つ
の共振器ミラー３，４との間の光軸上に、第２高調波ま
たは和周波もしくはその両方を発生するようなＳＨＧ素
子６を配置するとともに、レーザビーム出力側の共振器
ミラー４の表面に、固体レーザ媒質５から発振されるレ
ーザ波長に対して高い反射率を示し、その第２高調波・
和周波に対しては高い透過率を示すコーティングを施し
て、単数もしくは複数の発振レーザビーム波長の第２高
調波・和周波が、高い励起効率のもとに得られるように
構成したところに特徴がある。
図である。本実施の形態は、図１の構成に加えて、２つ
の共振器ミラー３，４との間の光軸上に、第２高調波ま
たは和周波もしくはその両方を発生するようなＳＨＧ素
子６を配置するとともに、レーザビーム出力側の共振器
ミラー４の表面に、固体レーザ媒質５から発振されるレ
ーザ波長に対して高い反射率を示し、その第２高調波・
和周波に対しては高い透過率を示すコーティングを施し
て、単数もしくは複数の発振レーザビーム波長の第２高
調波・和周波が、高い励起効率のもとに得られるように
構成したところに特徴がある。
【００２６】ここで、本発明は、図１に示したような、
少なくとも２枚の共振器ミラーの間の光軸上に固体レー
ザ媒質を配置する構造の固体レーザ装置のほか、固体レ
ーザ媒質の片面に、発振レーザビームの波長に対して高
い反射率を示すコーティングを施し、そのコーティング
面を１つの共振器ミラーとして共振器を構成する、いわ
ゆる端面励起型の半導体レーザ励起固体レーザビームに
も適用できる。
少なくとも２枚の共振器ミラーの間の光軸上に固体レー
ザ媒質を配置する構造の固体レーザ装置のほか、固体レ
ーザ媒質の片面に、発振レーザビームの波長に対して高
い反射率を示すコーティングを施し、そのコーティング
面を１つの共振器ミラーとして共振器を構成する、いわ
ゆる端面励起型の半導体レーザ励起固体レーザビームに
も適用できる。
【００２７】また、本発明は、図４に示したような第２
高調波・和周波を得る固体レーザ装置のほか、固体レー
ザ媒質から発振される基本波の第２高調波を共振器内で
発生させ、その第２高調波を、第４高調波発生用の波長
変換素子を含む共振器内で共振させて第４高調波を得る
波長変換レーザ装置にも適用可能である。
高調波・和周波を得る固体レーザ装置のほか、固体レー
ザ媒質から発振される基本波の第２高調波を共振器内で
発生させ、その第２高調波を、第４高調波発生用の波長
変換素子を含む共振器内で共振させて第４高調波を得る
波長変換レーザ装置にも適用可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置によれば、半導体レーザからの
励起ビームを共振器ミラーを透過させることなく固体レ
ーザ媒質に照射するように構成しているので、共振器ミ
ラーのコーティングにおいて励起ビーム波長における透
過率を考慮する必要がなくなり、これにより設計の制約
条件が少なくなる結果、共振器ミラーの性能を向上させ
ることができ、効率のよい共振器を構成することが可能
となる。また励起ビームを固体レーザ媒質の発振レーザ
ビーム透過面に照射しているので、固体レーザ媒質内で
の発振レーザモードと励起レーザモードとを概略一致さ
せることができる。従って、総合的にエンドポンプ励起
方式に匹敵する良好な励起効率を得ることが可能にな
る。しかも、そのような励起効率を、より簡素な結合ミ
ラーの特性で容易に実現することができる。
ーザ励起固体レーザ装置によれば、半導体レーザからの
励起ビームを共振器ミラーを透過させることなく固体レ
ーザ媒質に照射するように構成しているので、共振器ミ
ラーのコーティングにおいて励起ビーム波長における透
過率を考慮する必要がなくなり、これにより設計の制約
条件が少なくなる結果、共振器ミラーの性能を向上させ
ることができ、効率のよい共振器を構成することが可能
となる。また励起ビームを固体レーザ媒質の発振レーザ
ビーム透過面に照射しているので、固体レーザ媒質内で
の発振レーザモードと励起レーザモードとを概略一致さ
せることができる。従って、総合的にエンドポンプ励起
方式に匹敵する良好な励起効率を得ることが可能にな
る。しかも、そのような励起効率を、より簡素な結合ミ
ラーの特性で容易に実現することができる。
【図１】本発明の実施の形態の構成図
【図２】本発明の他の実施の形態の構成図
【図３】本発明の別の実施の形態の構成図
【図４】本発明の更に別の実施の形態の構成図
１ 半導体レーザ ２ａ コリメータレンズ ２ｂ フォーカッシングレンズ ３，４ 共振器ミラー ５ 固体レーザ媒質 ５ａ，５ｂ 発振レーザビーム透過面 ６ ＳＨＧ素子 Ｌ1 励起ビーム ＬB 発振レーザビーム
Claims (3)
- 【請求項１】 共振器内に配置した固体レーザ媒質を半
導体レーザを用いて励起し、レーザビームを発振させる
方式の固体レーザ装置において、半導体レーザビーム
を、発振させるレーザ光軸とは異なる方向から共振器ミ
ラーを透過させずに固体レーザ媒質の発振レーザビーム
透過面に照射して、固体レーザ媒質を励起するように構
成したことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装
置。 - 【請求項２】 励起光源として複数の半導体レーザを用
い、その各出力レーザビームを、それぞれ上記した条件
で固体レーザ媒質に照射することを特徴とする、請求項
１に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項３】 上記共振器内にＳＨＧ素子を配置し、発
振レーザビーム波長の第２高調波または和周波、もしく
はその両者を発生させることを特徴とする、請求項１ま
たは２に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2308898A JPH11220194A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2308898A JPH11220194A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220194A true JPH11220194A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12100683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2308898A Pending JPH11220194A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11220194A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003100928A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Thales | Systeme d'amplification laser a haute puissance |
| JP2014187225A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Ricoh Co Ltd | レーザ発振装置及びレーザ加工機 |
| JP2014187227A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Ricoh Co Ltd | レーザ発振装置及びレーザ加工機 |
-
1998
- 1998-02-04 JP JP2308898A patent/JPH11220194A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003100928A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Thales | Systeme d'amplification laser a haute puissance |
| FR2840461A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Thales Sa | Systeme d'amplification laser a haute puissance |
| JP2014187225A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Ricoh Co Ltd | レーザ発振装置及びレーザ加工機 |
| JP2014187227A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Ricoh Co Ltd | レーザ発振装置及びレーザ加工機 |
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