JPH11220200A - 高出力遠赤外光発生方法及びその装置 - Google Patents
高出力遠赤外光発生方法及びその装置Info
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- JPH11220200A JPH11220200A JP1849898A JP1849898A JPH11220200A JP H11220200 A JPH11220200 A JP H11220200A JP 1849898 A JP1849898 A JP 1849898A JP 1849898 A JP1849898 A JP 1849898A JP H11220200 A JPH11220200 A JP H11220200A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁場を印加したモードロックチタンサファイ
ヤレーザであって、キャビティ内の可飽和ブラッグ反射
器からの高出力遠赤外光発生方法及びその装置を提供す
る。 【解決手段】 パルスレーザ装置のキャビティ内の可飽
和ブラッグ反射器を用いて遠赤外光を発生させる遠赤外
光発生装置において、パルスレーザ装置の共振器内に設
けられるチタンサファイア３と、前記パルスレーザ装置
の共振器２を構成する反射器対の一方に形成される遠赤
外光発生用のＧａＡｓ層４と、このＧａＡｓ層４に印加
される永久磁石５とを備え、前記共振器２内で増幅され
たパルスレーザ光を直接照射させて、高出力の遠赤外光
を発生させる。
ヤレーザであって、キャビティ内の可飽和ブラッグ反射
器からの高出力遠赤外光発生方法及びその装置を提供す
る。 【解決手段】 パルスレーザ装置のキャビティ内の可飽
和ブラッグ反射器を用いて遠赤外光を発生させる遠赤外
光発生装置において、パルスレーザ装置の共振器内に設
けられるチタンサファイア３と、前記パルスレーザ装置
の共振器２を構成する反射器対の一方に形成される遠赤
外光発生用のＧａＡｓ層４と、このＧａＡｓ層４に印加
される永久磁石５とを備え、前記共振器２内で増幅され
たパルスレーザ光を直接照射させて、高出力の遠赤外光
を発生させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高出力遠赤外光発
生方法及びその装置に係り、特に、磁場におけるキャビ
ティ（空胴）内の可飽和ブラッグ反射器（ｓａｔｕｒａ
ｂｌｅ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）からの、テ
ラヘルツ（ＴＨｚ）輻射光の発生方法及びその装置に関
するものである。
生方法及びその装置に係り、特に、磁場におけるキャビ
ティ（空胴）内の可飽和ブラッグ反射器（ｓａｔｕｒａ
ｂｌｅ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）からの、テ
ラヘルツ（ＴＨｚ）輻射光の発生方法及びその装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】様々な装置から放射されるＴＨｚ輻射光
は、特に、ＴＨｚ周波数の領域における時間分解の分光
学や、様々なイメージングの応用のために研究されてき
た。こうした応用の全てに必要なのは、光強度の高い、
コンパクトでシンプルな光源である。固体レーザに対す
るモードロックの技術が進歩したのは数年前である。こ
れらの技術のなかで、半導体可飽和吸収器をモードロッ
クのために使用することには魅力がある。なぜならば、
安価でコンパクトであり、幅広いスペクトル領域にわた
り動作するように設計することができるからである。可
飽和ブラッグ反射器（ｓａｔｕｒａｂｌｅ Ｂｒａｇｇ
ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＳＢＲ）は、薄膜半導体を使用
した非線形ミラーであり、既に開発されている。
は、特に、ＴＨｚ周波数の領域における時間分解の分光
学や、様々なイメージングの応用のために研究されてき
た。こうした応用の全てに必要なのは、光強度の高い、
コンパクトでシンプルな光源である。固体レーザに対す
るモードロックの技術が進歩したのは数年前である。こ
れらの技術のなかで、半導体可飽和吸収器をモードロッ
クのために使用することには魅力がある。なぜならば、
安価でコンパクトであり、幅広いスペクトル領域にわた
り動作するように設計することができるからである。可
飽和ブラッグ反射器（ｓａｔｕｒａｂｌｅ Ｂｒａｇｇ
ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＳＢＲ）は、薄膜半導体を使用
した非線形ミラーであり、既に開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】数百μｍ程度の波長の
遠赤外光は、一般に物質を透過する能力が高いために非
破壊検査用の電磁波等として期待されている。しかし、
現在市販されている遠赤外光源である高圧水銀灯等では
出力が不足しているため、出力の高い遠赤外光源が望ま
れている。
遠赤外光は、一般に物質を透過する能力が高いために非
破壊検査用の電磁波等として期待されている。しかし、
現在市販されている遠赤外光源である高圧水銀灯等では
出力が不足しているため、出力の高い遠赤外光源が望ま
れている。
【０００４】本発明は、上記状況に鑑みて、磁場を印加
したモードロックチタンサファイヤレーザであって、キ
ャビティ内の可飽和ブラッグ反射器からの高出力遠赤外
光発生方法及びその装置を提供することを目的とする。
したモードロックチタンサファイヤレーザであって、キ
ャビティ内の可飽和ブラッグ反射器からの高出力遠赤外
光発生方法及びその装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕パルスレーザ装置のキャビティ内の可飽和ブラッ
グ反射器を用いて遠赤外光を発生させる遠赤外光発生方
法において、パルスレーザ装置の共振器を構成する反射
器対の一方に磁場を印加した遠赤外光発生用の化合物半
導体層を形成することにより、前記共振器内で増幅され
たパルスレーザ光を直接照射させて、高出力の遠赤外光
を発生させるようにしたものである。
成するために、 〔１〕パルスレーザ装置のキャビティ内の可飽和ブラッ
グ反射器を用いて遠赤外光を発生させる遠赤外光発生方
法において、パルスレーザ装置の共振器を構成する反射
器対の一方に磁場を印加した遠赤外光発生用の化合物半
導体層を形成することにより、前記共振器内で増幅され
たパルスレーザ光を直接照射させて、高出力の遠赤外光
を発生させるようにしたものである。
【０００６】〔２〕パルスレーザ装置のキャビティ内の
可飽和ブラッグ反射器を用いて遠赤外光を発生させる遠
赤外光発生装置において、パルスレーザ装置の共振器内
に設けられるチタンサファイアと、前記パルスレーザ装
置の共振器を構成する反射器対の一方に形成される遠赤
外光発生用の化合物半導体層と、この化合物半導体層に
印加される磁場発生装置とを備え、前記共振器内で増幅
されたパルスレーザ光を直接照射させて、高出力の遠赤
外光を発生させるようにしたものである。
可飽和ブラッグ反射器を用いて遠赤外光を発生させる遠
赤外光発生装置において、パルスレーザ装置の共振器内
に設けられるチタンサファイアと、前記パルスレーザ装
置の共振器を構成する反射器対の一方に形成される遠赤
外光発生用の化合物半導体層と、この化合物半導体層に
印加される磁場発生装置とを備え、前記共振器内で増幅
されたパルスレーザ光を直接照射させて、高出力の遠赤
外光を発生させるようにしたものである。
【０００７】〔３〕上記〔２〕記載の高出力遠赤外光発
生装置において、前記磁場発生装置は磁石である。 〔４〕上記〔２〕記載の高出力遠赤外光発生装置におい
て、前記化合物半導体層はＧａＡｓである。 〔５〕上記〔２〕記載の高出力遠赤外光発生装置におい
て、前記化合物半導体層はＩｎＡｓである。
生装置において、前記磁場発生装置は磁石である。 〔４〕上記〔２〕記載の高出力遠赤外光発生装置におい
て、前記化合物半導体層はＧａＡｓである。 〔５〕上記〔２〕記載の高出力遠赤外光発生装置におい
て、前記化合物半導体層はＩｎＡｓである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。ここで、可飽和ブラ
ッグ反射器（ＳＢＲ）は、モードロックのための可飽和
吸収器としての機能に加えて、他の機能も当然備えてい
る。単一の量子井戸がＴＨｚ輻射光を放射することはよ
く知られており、ＳＢＲの量子井戸はブラッグ反射器構
造の、磁界強化位置（ｆｉｅｌｄ−ｅｎｈａｎｃｅｄ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）に配置されている。それゆえＳＢＲ
の構造自体は、ＴＨｚ輻射線を発生する目的では、単純
な量子井戸構造よりも多くの利点を有している。もし、
ＳＢＲをモードロックレーザー共振器（ｌａｓｅｒ ｃ
ａｖｉｔｙ）に取り入れた場合、共振器内での光学ピー
ク出力がより高まることにより、ＴＨｚ輻射光の出力も
より高まる。
て図面を参照して詳細に説明する。ここで、可飽和ブラ
ッグ反射器（ＳＢＲ）は、モードロックのための可飽和
吸収器としての機能に加えて、他の機能も当然備えてい
る。単一の量子井戸がＴＨｚ輻射光を放射することはよ
く知られており、ＳＢＲの量子井戸はブラッグ反射器構
造の、磁界強化位置（ｆｉｅｌｄ−ｅｎｈａｎｃｅｄ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）に配置されている。それゆえＳＢＲ
の構造自体は、ＴＨｚ輻射線を発生する目的では、単純
な量子井戸構造よりも多くの利点を有している。もし、
ＳＢＲをモードロックレーザー共振器（ｌａｓｅｒ ｃ
ａｖｉｔｙ）に取り入れた場合、共振器内での光学ピー
ク出力がより高まることにより、ＴＨｚ輻射光の出力も
より高まる。
【０００９】上記したようなキャビティ内ＴＨｚエミッ
タとしてのＳＢＲを含む、モードロックチタンサファイ
ヤレーザを以下に示す。図１は本発明の実施例を示す高
出力遠赤外光発生装置の全体構成図、図２はその高出力
遠赤外光発生装置の要部模式図である。図２において、
１は励起光、２は共振器、３は共振器内に設けられるチ
タンサファイヤ、４はその共振器の反射器対の一方に設
けられる遠赤外光発生用の化合物半導体層としてのＧａ
Ａｓ層、５はそのＧａＡｓ層に磁場を印加する磁石（電
磁石又は永久磁石）、６は高出力遠赤外光である。
タとしてのＳＢＲを含む、モードロックチタンサファイ
ヤレーザを以下に示す。図１は本発明の実施例を示す高
出力遠赤外光発生装置の全体構成図、図２はその高出力
遠赤外光発生装置の要部模式図である。図２において、
１は励起光、２は共振器、３は共振器内に設けられるチ
タンサファイヤ、４はその共振器の反射器対の一方に設
けられる遠赤外光発生用の化合物半導体層としてのＧａ
Ａｓ層、５はそのＧａＡｓ層に磁場を印加する磁石（電
磁石又は永久磁石）、６は高出力遠赤外光である。
【００１０】そして、図１に示すように、全体構成とし
ては、全固体グリーンレーザ１１、レンズ１２、チタン
サファイヤレーザ共振器１３、ミラー１４、本発明に係
る高出力遠赤外光発生装置１０を備えている。この高出
力遠赤外光発生装置１０は、図２に示すような構成であ
り、ミラー１４により得られる励起光１として、高出力
遠赤外光６を得るようにしている。
ては、全固体グリーンレーザ１１、レンズ１２、チタン
サファイヤレーザ共振器１３、ミラー１４、本発明に係
る高出力遠赤外光発生装置１０を備えている。この高出
力遠赤外光発生装置１０は、図２に示すような構成であ
り、ミラー１４により得られる励起光１として、高出力
遠赤外光６を得るようにしている。
【００１１】また、この高出力遠赤外光の共振器１５、
フーリエトランスフォーム偏光干渉分光計１６、ＩｎＳ
ｂボロメータ１７、ロックイン増幅器１８、チタンサフ
ァイヤレーザ共振器１３から得られるレーザ光を可飽和
吸収器（ＨＩＴＣＩ）２１、ＳＦ6 プリズム２２、モー
タ２３によって駆動されるチョッパ２４、ＳＦ6 プリズ
ム２５、スリット２６、１％出力カプラー２７、ミラー
２８〜３１、高速走査自己相関器３２、光学スペクトル
分析器３３、第１ホトダイオード３４とを備えている。
フーリエトランスフォーム偏光干渉分光計１６、ＩｎＳ
ｂボロメータ１７、ロックイン増幅器１８、チタンサフ
ァイヤレーザ共振器１３から得られるレーザ光を可飽和
吸収器（ＨＩＴＣＩ）２１、ＳＦ6 プリズム２２、モー
タ２３によって駆動されるチョッパ２４、ＳＦ6 プリズ
ム２５、スリット２６、１％出力カプラー２７、ミラー
２８〜３１、高速走査自己相関器３２、光学スペクトル
分析器３３、第１ホトダイオード３４とを備えている。
【００１２】このように、本発明では、レーザ共振器
に、エンドミラーの代わりにＳＢＲを配置し、共振器を
褶曲（ｆｏｌｄｉｎｇ）するためのもう１つの高反射鏡
１５を微調整のために挿入した。ＳＢＲに配置した１−
Ｔのコンパクトな（１０×１０×２０ｃｍ2 ）磁石５に
より、表面及び水平面に平行な磁界（ｆｉｅｌｄ）が得
られる。
に、エンドミラーの代わりにＳＢＲを配置し、共振器を
褶曲（ｆｏｌｄｉｎｇ）するためのもう１つの高反射鏡
１５を微調整のために挿入した。ＳＢＲに配置した１−
Ｔのコンパクトな（１０×１０×２０ｃｍ2 ）磁石５に
より、表面及び水平面に平行な磁界（ｆｉｅｌｄ）が得
られる。
【００１３】レーザ共振器のその他の構造は、ＳＢＲを
ＴＨｚ輻射エミッタとして用いていることを除けば、可
飽和吸収器を備えたモードロックチタンサファイヤレー
ザと本質的に同じである。自動始動のモードロックのた
めの可飽和吸収器２１は、エチレングリコール中で１，
１’，３，３．３’，３’−ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｉｎ
ｄｏｒｉｃａｒｂｏｃｙａｎｉｎｅ ｉｏｄｉｄｅ（Ｈ
ＩＴＣＩ）を用いた。
ＴＨｚ輻射エミッタとして用いていることを除けば、可
飽和吸収器を備えたモードロックチタンサファイヤレー
ザと本質的に同じである。自動始動のモードロックのた
めの可飽和吸収器２１は、エチレングリコール中で１，
１’，３，３．３’，３’−ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｉｎ
ｄｏｒｉｃａｒｂｏｃｙａｎｉｎｅ ｉｏｄｉｄｅ（Ｈ
ＩＴＣＩ）を用いた。
【００１４】また、チタンサファイヤレーザ共振器は、
６ミラー共振器（６−ｍｉｒｒｏｒｃａｖｉｔｙ）で構
成されており、色素−ジェット（ｄｙｅ−ｊｅｔ）、フ
ェムト秒のパルスの形成をモニタするための１％出力カ
プラー２７、セパレーションが２６ｃｍの１対の高分散
ＳＦ6 ・ブルースター・プリズム（ｈｉｇｈ−ｄｉｓ
ｐｅｒｓｉｏｎ ＳＦ6 Ｂｒｅｗｓｔｅｒ ｐｒｉｓ
ｕｍｓ）２２，２５へ焦点が付加される。
６ミラー共振器（６−ｍｉｒｒｏｒｃａｖｉｔｙ）で構
成されており、色素−ジェット（ｄｙｅ−ｊｅｔ）、フ
ェムト秒のパルスの形成をモニタするための１％出力カ
プラー２７、セパレーションが２６ｃｍの１対の高分散
ＳＦ6 ・ブルースター・プリズム（ｈｉｇｈ−ｄｉｓ
ｐｅｒｓｉｏｎ ＳＦ6 Ｂｒｅｗｓｔｅｒ ｐｒｉｓ
ｕｍｓ）２２，２５へ焦点が付加される。
【００１５】連続波（ｃｗ）全固体グリーンレーザ（ｓ
ｐｅｃｔｒａ−ｐｈｙｓｉｃｓ ｍｉｌｌｅｎｎｉａ
Ｘ）１１は、モードロックレーザを励起するために１０
Ｗで動作させた。自己相関トレース（ａｕｔｏｃｏｒｒ
ｅｌａｔｉｏｎ ｔｒａｃｅ）とスペクトルを、高速走
査自己相関器３２と光スペクトル分析器３３を用いてモ
ニタした。
ｐｅｃｔｒａ−ｐｈｙｓｉｃｓ ｍｉｌｌｅｎｎｉａ
Ｘ）１１は、モードロックレーザを励起するために１０
Ｗで動作させた。自己相関トレース（ａｕｔｏｃｏｒｒ
ｅｌａｔｉｏｎ ｔｒａｃｅ）とスペクトルを、高速走
査自己相関器３２と光スペクトル分析器３３を用いてモ
ニタした。
【００１６】図３は本発明の実施例を示すＳＢＲを備え
たモードロックしたチタンサファイヤレーザからのｓｅ
ｃｈ2 のパルス形を想定する１３０−ｆｓのパルスの自
己相関図であり、この図において、縦軸は強度（パワ
ー）（相対単位）、横軸は時間（ｆｓ）を示している。
図３に示すような、ｓｅｃｈ2 のパルス形を想定する１
３０ｆｓのパルスは、８００ｎｍにおいて６．０ｎｍの
スペクトル幅で得られたものであり、時間幅とバンド幅
の積が０．３６となることから略フーリエ限界パルスと
なっているという結果を得た。
たモードロックしたチタンサファイヤレーザからのｓｅ
ｃｈ2 のパルス形を想定する１３０−ｆｓのパルスの自
己相関図であり、この図において、縦軸は強度（パワ
ー）（相対単位）、横軸は時間（ｆｓ）を示している。
図３に示すような、ｓｅｃｈ2 のパルス形を想定する１
３０ｆｓのパルスは、８００ｎｍにおいて６．０ｎｍの
スペクトル幅で得られたものであり、時間幅とバンド幅
の積が０．３６となることから略フーリエ限界パルスと
なっているという結果を得た。
【００１７】共振器内部の平均出力及びピーク平均出力
は、それぞれ８Ｗ，６１０ｋＷ（１０３ＭＨｚの繰り返
し率）であった。ＳＢＲに照射される光パルスの最大出
力は、１ｍｍのビーム径を仮定して、２５ＭＷ／ｃｍ2
を越えた。ＴＨｚ輻射光は、伝達された方向へ放射され
た。磁場を印加しない場合、この幾何学的構造において
放射光は検出されず、このＳＢＲの〈１００〉表面に関
しても検出されなかった。
は、それぞれ８Ｗ，６１０ｋＷ（１０３ＭＨｚの繰り返
し率）であった。ＳＢＲに照射される光パルスの最大出
力は、１ｍｍのビーム径を仮定して、２５ＭＷ／ｃｍ2
を越えた。ＴＨｚ輻射光は、伝達された方向へ放射され
た。磁場を印加しない場合、この幾何学的構造において
放射光は検出されず、このＳＢＲの〈１００〉表面に関
しても検出されなかった。
【００１８】図４は本発明の実施例を示すマイケルソン
偏光干渉計を用いて自己相関をフーリエ変換することに
より得られた、１−Ｔ磁場におけるキャビティ内のＳＢ
ＲからのＴＨｚ輻射光のスペクトルを示す図であり、こ
の図において、縦軸は強度（パワー）（相対単位）、周
波数（ＴＨｚ）を示している。図４に示すように、０．
８ＴＨｚ付近で最大となったＴＨｚ輻射光のスペクトル
は、マイケルソン偏光干渉計（Ｇｒａｓｅｂｙ Ｓｐｅ
ｃａｃ）からの放射光の自己相関をフーリエ変換するこ
とにより得られた。この干渉計は、空気中の水蒸気を吸
収することを避けるために真空にした。ワイヤーグリッ
ドの偏光計を用いて、ＴＨｚ放射光が垂直に偏光するこ
とが確認された。
偏光干渉計を用いて自己相関をフーリエ変換することに
より得られた、１−Ｔ磁場におけるキャビティ内のＳＢ
ＲからのＴＨｚ輻射光のスペクトルを示す図であり、こ
の図において、縦軸は強度（パワー）（相対単位）、周
波数（ＴＨｚ）を示している。図４に示すように、０．
８ＴＨｚ付近で最大となったＴＨｚ輻射光のスペクトル
は、マイケルソン偏光干渉計（Ｇｒａｓｅｂｙ Ｓｐｅ
ｃａｃ）からの放射光の自己相関をフーリエ変換するこ
とにより得られた。この干渉計は、空気中の水蒸気を吸
収することを避けるために真空にした。ワイヤーグリッ
ドの偏光計を用いて、ＴＨｚ放射光が垂直に偏光するこ
とが確認された。
【００１９】検知のために、サブナノワットの感度を持
つＩｎＳｂボロメータ（ＱＭＣ ｍｏｄｅｌ ＱＦＩ／
２）１７で冷却された液体ヘリウムを用意した。ＴＨｚ
放射光の平均出力は、０．８μＷであると測定された。
これは磁場を印加しない場合と比較して、２桁をゆうに
越えて増大している。さらに、以前発表した入射角度の
狭い構造の代わりに、磁場を有するシンプルなエンドミ
ラーの構造にも応用することができる。
つＩｎＳｂボロメータ（ＱＭＣ ｍｏｄｅｌ ＱＦＩ／
２）１７で冷却された液体ヘリウムを用意した。ＴＨｚ
放射光の平均出力は、０．８μＷであると測定された。
これは磁場を印加しない場合と比較して、２桁をゆうに
越えて増大している。さらに、以前発表した入射角度の
狭い構造の代わりに、磁場を有するシンプルなエンドミ
ラーの構造にも応用することができる。
【００２０】このように、本発明によれば、磁場におい
てキャビティ内ＳＢＲを用いたＴＨｚ輻射光の発生の新
たな仕組みを構成した。この仕組みは、モードロック固
体レーザに対し、光の極超短波パルスに同期したＴＨｚ
輻射光を発生させることに、幅広く応用することができ
る。このダメージ−フリー（非破壊）装置を用いたシン
プルな仕組みで、０．８ＴＨｚ近傍にピークを持ち、
０．８μＷの平均出力であるＴＨｚ輻射光が直接的に生
成された。
てキャビティ内ＳＢＲを用いたＴＨｚ輻射光の発生の新
たな仕組みを構成した。この仕組みは、モードロック固
体レーザに対し、光の極超短波パルスに同期したＴＨｚ
輻射光を発生させることに、幅広く応用することができ
る。このダメージ−フリー（非破壊）装置を用いたシン
プルな仕組みで、０．８ＴＨｚ近傍にピークを持ち、
０．８μＷの平均出力であるＴＨｚ輻射光が直接的に生
成された。
【００２１】このＴＨｚ放射光の平均出力はさらに最適
化することにより、高めることができるであろう。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これら
を本発明の範囲から排除するものではない。
化することにより、高めることができるであろう。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これら
を本発明の範囲から排除するものではない。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、０．８ＴＨｚ近傍にピークを持ち、０．８μＷ
の平均出力であるＴＨｚ輻射光を直接的に生成すること
ができる。これは、従来のものに比べて、ＴＨｚ放射光
の平均出力は、２桁程度高い。
よれば、０．８ＴＨｚ近傍にピークを持ち、０．８μＷ
の平均出力であるＴＨｚ輻射光を直接的に生成すること
ができる。これは、従来のものに比べて、ＴＨｚ放射光
の平均出力は、２桁程度高い。
【図１】本発明の実施例を示す高出力遠赤外光発生装置
の全体構成図である。
の全体構成図である。
【図２】本発明の実施例を示す高出力遠赤外光発生装置
の要部模式図である。
の要部模式図である。
【図３】本発明の実施例を示すＳＢＲを備えたモードロ
ックしたチタンサファイヤレーザからのｓｅｃｈ2 のパ
ルス形を想定する１３０−ｆｓのパルスの自己相関図で
ある。
ックしたチタンサファイヤレーザからのｓｅｃｈ2 のパ
ルス形を想定する１３０−ｆｓのパルスの自己相関図で
ある。
【図４】本発明の実施例を示すマイケルソン偏光干渉計
を用いて自己相関をフーリエ変換することにより得られ
た、１−Ｔ磁場におけるキャビティ内のＳＢＲからのＴ
Ｈｚ輻射光のスペクトルを示す図である。
を用いて自己相関をフーリエ変換することにより得られ
た、１−Ｔ磁場におけるキャビティ内のＳＢＲからのＴ
Ｈｚ輻射光のスペクトルを示す図である。
１ 励起光 ２ 共振器 ３ チタンサファイヤ ４ ＧａＡｓ層 ５ 磁石 ６ 高出力遠赤外光 １０ 高出力遠赤外光発生装置 １１ 全固体グリーンレーザ １２ レンズ １３ チタンサファイヤレーザ共振器 １４，２８〜３１ ミラー １５ 高出力遠赤外光の共振器 １６ フーリェトランスフォーム偏光干渉分光計 １７ ＩｎＳｂボロメータ １８ ロックイン増幅器 ２１ 可飽和吸収器（ＨＩＴＣＩ） ２２，２５ ＳＦ6 ・ブルースター・プリズム ２３ モータ ２４ チョッパ ２６ スリット ２７ １％出力カプラー ３２ 高速走査自己相関器 ３３ 光学スペクトラム分析器 ３４ 第１ホトダイオード
Claims (5)
- 【請求項１】 パルスレーザ装置のキャビティ内の可飽
和ブラッグ反射器を用いて遠赤外光を発生させる遠赤外
光発生方法において、 パルスレーザ装置の共振器を構成する反射器対の一方に
磁場を印加した遠赤外光発生用の化合物半導体層を形成
することにより、前記共振器内で増幅されたパルスレー
ザ光を直接照射させて、高出力の遠赤外光を発生させる
ことを特徴とする高出力遠赤外光発生方法。 - 【請求項２】 パルスレーザ装置のキャビティ内の可飽
和ブラッグ反射器を用いて遠赤外光を発生させる遠赤外
光発生装置において、（ａ）パルスレーザ装置の共振器
内に設けられるチタンサファイアと、（ｂ）前記パルス
レーザ装置の共振器を構成する反射器対の一方に形成さ
れる遠赤外光発生用の化合物半導体層と、（ｃ）該化合
物半導体層に印加される磁場発生装置とを備え、（ｄ）
前記共振器内で増幅されたパルスレーザ光を直接照射さ
せて、高出力の遠赤外光を発生させることを特徴とする
高出力遠赤外光発生装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の高出力遠赤外光発生装置
において、前記磁場発生装置は磁石であることを特徴と
する高出力遠赤外光発生装置。 - 【請求項４】 請求項２記載の高出力遠赤外光発生装置
において、前記化合物半導体層はＧａＡｓであることを
特徴とする遠赤外光発生装置。 - 【請求項５】 請求項２記載の高出力遠赤外光発生装置
において、前記化合物半導体層はＩｎＡｓであることを
特徴とする遠赤外光発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1849898A JPH11220200A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 高出力遠赤外光発生方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1849898A JPH11220200A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 高出力遠赤外光発生方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220200A true JPH11220200A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=11973297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1849898A Pending JPH11220200A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 高出力遠赤外光発生方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11220200A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005519458A (ja) * | 2002-02-28 | 2005-06-30 | フェムトレーザース プロドゥクシオンズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | テラヘルツ放射線を発生するための装置並びに半導体コンポーネント |
| JP2012533729A (ja) * | 2009-06-23 | 2012-12-27 | ジェイ・エイ・ウーラム・カンパニー・インコーポレイテッド | テラヘルツ赤外線エリプソメーターシステムおよびその使用方法 |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP1849898A patent/JPH11220200A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005519458A (ja) * | 2002-02-28 | 2005-06-30 | フェムトレーザース プロドゥクシオンズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | テラヘルツ放射線を発生するための装置並びに半導体コンポーネント |
| JP2012533729A (ja) * | 2009-06-23 | 2012-12-27 | ジェイ・エイ・ウーラム・カンパニー・インコーポレイテッド | テラヘルツ赤外線エリプソメーターシステムおよびその使用方法 |
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