JPH11221694A - Mounting structure using lead-free solder and mounting method using the same - Google Patents
Mounting structure using lead-free solder and mounting method using the sameInfo
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- JPH11221694A JPH11221694A JP2599898A JP2599898A JPH11221694A JP H11221694 A JPH11221694 A JP H11221694A JP 2599898 A JP2599898 A JP 2599898A JP 2599898 A JP2599898 A JP 2599898A JP H11221694 A JPH11221694 A JP H11221694A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ガラスエポキシ基板等の有機基板の両面に、L
SI、チップ部品等の電子部品を、Sn−Ag−Bi系
鉛フリーはんだを用いて、ねれ性を著しく低下させるこ
となく、所望の接続強度でもってはんだ付けして接続部
の信頼性を向上させた鉛フリーはんだを用いた実装構造
体およびそれを用いた実装方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、電子部品を、有機基板の第1面
および第2面からなる両面の各々に、Snを主成分と
し、Biを0〜65mass%、Agを0.5〜4.0
mass%、Cu若しくは/及びInを合計0〜3.0
mass%含有する鉛フリーはんだによってリフローは
んだ付けすることを特徴とする。
[PROBLEMS] To provide L on both surfaces of an organic substrate such as a glass epoxy substrate.
Electronic parts such as SI and chip parts are soldered with Sn-Ag-Bi-based lead-free solder with desired connection strength without remarkably lowering the wetting property to improve the reliability of the connection part. An object of the present invention is to provide a mounting structure using a lead-free solder and a mounting method using the same. According to the present invention, an electronic component is composed of Sn as a main component, Bi of 0 to 65 mass%, and Ag of 0.5 to 4.0 on both surfaces of a first surface and a second surface of an organic substrate. 0
mass%, Cu and / or In in total of 0 to 3.0
It is characterized by reflow soldering with lead-free solder containing mass%.
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、LSI、部品等の
電子部品を、Sn−Ag−(BiまたはCu若しくはI
n等)の3元系鉛フリーはんだを用いてリフロー又は/
及びフローはんだ付けして有機基板に接続して構成する
鉛フリーはんだを用いた実装構造体およびそれを用いた
実装方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component such as an LSI or a component, which is provided with Sn-Ag- (Bi or Cu or I
n etc.) using a ternary lead-free solder
Also, the present invention relates to a mounting structure using lead-free solder configured to be connected to an organic substrate by flow soldering, and a mounting method using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に使用されているプリント基板材質
はガラスエポキシ製である。ガラスエポキシ基板の耐熱
温度はリフロー炉を用いた場合、通常220℃〜235
℃である。これに使用する接続用はんだは、Sn−37
mass%Pb(以下Sn−37Pbと略す)共晶はん
だ(融点183℃)、若しくは共晶近傍の組成のはんだ
が使用されており、融点は183℃付近であるので汎用
されているガラスエポキシ基板の耐熱温度以下で充分な
接続がなされてきた。また、高温での信頼性は最高15
0℃まで保証できた。しかし、最近米国では電子部品廃
棄物が野ざらしに放置され、この中のプリント基板上の
はんだに含まれる鉛(以下Pbと記す)が酸性雨と容易
に反応して地下水に溶出し、飲料水に使用されると人体
に悪影響を及ぼすことが公表されている。2. Description of the Related Art A commonly used printed circuit board is made of glass epoxy. The heat-resistant temperature of the glass epoxy substrate is usually 220 ° C. to 235 when using a reflow furnace.
° C. The connection solder used for this is Sn-37
Mass% Pb (hereinafter Sn-37Pb) eutectic solder (melting point: 183 ° C) or solder having a composition near eutectic is used, and the melting point is around 183 ° C. Sufficient connections have been made below the heat resistant temperature. Also, reliability at high temperature is up to 15
It could be guaranteed up to 0 ° C. However, recently, in the United States, electronic component waste is left undisturbed, and lead (hereinafter, referred to as Pb) contained in the solder on the printed circuit board therein easily reacts with acid rain and elutes into groundwater, and is discharged into drinking water. It has been published that if used, it will have an adverse effect on the human body.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】そこで、このSn−P
b系はんだに代わるPbフリーはんだ合金としてSn−
Ag−Bi3元系をベースとしたものが有力候補として
クローズアップされている。その理由には、既にPbフ
リーはんだでは、2元系まで拡張して組成が検討された
上で、Sn−3.5mass%Ag(融点221℃)、
Sn−5mass%Sb(融点199℃)などが使用実
績があるが、Sn−37Pbと比較して融点が高すぎる
ため、ガラスエポキシ基板のはんだ付けには使用が困難
であるということ、また、Sn−9mass%Zn(融
点199℃)は融点は下がるがはんだ表面が著しく酸化
されやすくCu、Ni等の電極に対するねれ性がSn−
Ag、Sn−Sb系はんだに比較して著しく低下するた
め使用が困難であるということ、Sn−58mass%
Bi(融点138℃)は材料自体が硬く脆いため信頼性
に問題があり使用が困難であるということ、Sn−52
mass%In(融点117℃)はSn−37Pbと比
較して融点が低すぎるため、接続部高温強度が低下する
こと、が問題となるが、Sn−Ag−Bi3元系まで拡
張すれば、前記の2元系の場合よりも融点を183℃
(Sn−37Pbの融点)に近づけることができるため
である。Therefore, the Sn-P
Sn- as a Pb-free solder alloy replacing b-based solder
The one based on the Ag-Bi ternary system has been highlighted as a promising candidate. The reason is that, in the case of Pb-free solder, the composition has been studied by expanding to a binary system, and then Sn-3.5 mass% Ag (melting point: 221 ° C.)
Sn-5mass% Sb (melting point: 199 ° C.) has been used, but the melting point is too high as compared with Sn-37Pb, so that it is difficult to use for soldering a glass epoxy substrate. With -9 mass% Zn (melting point: 199 ° C.), the melting point is lowered, but the solder surface is liable to be oxidized remarkably.
Ag, Sn-Sb-based solder is significantly reduced compared to the solder, so that it is difficult to use, Sn-58 mass%
Bi (melting point: 138 ° C.) is difficult to use because the material itself is hard and brittle and has a problem in reliability. Sn-52
Mass% In (melting point 117 ° C.) has a problem in that the melting point of the connection portion is low because the melting point is too low as compared with Sn-37Pb. However, if it is expanded to Sn-Ag-Bi ternary system, 183 ° C higher than binary system
(Melting point of Sn-37Pb).
【0004】ところが、この3元系において融点を18
3℃に近いものを探索すると、完全な共晶組成を得るこ
とは出来ず、183℃より低い固相線温度と183℃よ
り高い液相線温度を持った(固液共存温度を持った)組
成となってしまう。そのため、リフローはんだ付けによ
り部品を接続した後、フローはんだ付けする際、接続さ
れた部品は一般的には、ガラスエポキシ基板と熱容量が
異なるため、リフローまたはフローはんだ付け後、基板
の自然空冷による冷却時に、部品と基板で温度の下がり
方が異なり、接続部はんだ内に大きな温度勾配ができて
しまう。そのため、はんだの凝固の際、広い固液共存温
度幅を持ったはんだの場合、温度の高いほうへ低融点の
相(Biが多く含まれた硬くて脆い相)を偏析させ、凝
固を完了した後のリフローはんだ付け部品の接続強度低
下を起こしやすい。従って、広い固液共存温度幅を持っ
たはんだでリフローはんだ付けした後リフローまたはフ
ローはんだ付けする場合、リフロー用のはんだは液相が
でないようにしなくてはならない。However, in this ternary system, the melting point is 18
When searching for a material close to 3 ° C, a perfect eutectic composition could not be obtained, and a solidus temperature lower than 183 ° C and a liquidus temperature higher than 183 ° C (solid-liquid coexistence temperature) It becomes a composition. Therefore, when connecting components by reflow soldering and then performing flow soldering, the connected components generally have a different heat capacity from the glass epoxy board, so after reflow or flow soldering, the board is cooled by natural air cooling. At times, the temperature of the component and the substrate decrease differently, resulting in a large temperature gradient in the solder at the connection. Therefore, during solidification of the solder, in the case of a solder having a wide solid-liquid coexistence temperature range, a phase having a low melting point (a hard and brittle phase containing a lot of Bi) is segregated toward a higher temperature, and solidification is completed. The connection strength of the reflow soldered parts later tends to be reduced. Therefore, when performing reflow or flow soldering after reflow soldering with a solder having a wide solid-liquid coexistence temperature range, the solder for reflow must have no liquid phase.
【0005】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
ガラスエポキシ基板等の有機基板の両面に、LSI、チ
ップ部品等の電子部品を、Sn−Ag−(Biおよび/
または(Cu若しくはIn等))系鉛フリーはんだを用
いて、ねれ性を著しく低下させることなく、所望の接続
強度でもってはんだ付けして接続部の信頼性を向上させ
た鉛フリーはんだを用いた実装構造体を提供することに
ある。また、本発明の他の目的は、ガラスエポキシ基板
等の有機基板の両面に、LSI、チップ部品等の電子部
品を、Sn−Ag−(Biおよび/または(Cu若しく
はIn等))系鉛フリーはんだを用いて、ねれ性を著し
く低下させることなく、所望の接続強度でもってはんだ
付けして接続部の信頼性を向上させることができるよう
にした鉛フリーはんだを用いた実装方法を提供すること
にある。[0005] An object of the present invention is to solve the above problems.
Electronic components such as LSIs and chip components are provided on both sides of an organic substrate such as a glass epoxy substrate by Sn-Ag- (Bi and / or
Or, using lead-free solder (Cu or In, etc.), use lead-free solder which has been soldered with a desired connection strength without significantly lowering the wettability to improve the reliability of the connection part. To provide a mounting structure. Another object of the present invention is to provide an electronic component such as an LSI or a chip component on both surfaces of an organic substrate such as a glass epoxy substrate by using Sn-Ag- (Bi and / or (Cu or In or the like))-based lead-free. Provided is a mounting method using lead-free solder that can improve the reliability of a connection portion by soldering with a desired connection strength without significantly lowering wettability using solder. It is in.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、電子部品を、Snを主成分とし、Biを
0〜65mass%、Agを0.5〜4.0mass
%、Cu若しくは/及びInを合計0〜3.0mass
%含有する鉛フリーはんだによって有機基板の第1面お
よび第2面からなる両面の各々に接続して構成したこと
を特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装構造体であ
る。また本発明は、第1面における鉛フリーはんだの固
相線温度が、第2面における鉛フリーはんだの液相線温
度以上である鉛フリーはんだによって有機基板の第1面
および第2面からなる両面の各々に電子部品を接続して
構成したことを特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装
構造体である。In order to achieve the above object, the present invention provides an electronic component comprising Sn as a main component, Bi of 0 to 65 mass%, and Ag of 0.5 to 4.0 mass.
%, Cu or / and In in total of 0-3.0 mass
A lead-free solder is used to connect the first and second surfaces of the organic substrate to each other with a lead-free solder. Further, the present invention comprises the first surface and the second surface of the organic substrate by a lead-free solder in which the solidus temperature of the lead-free solder on the first surface is equal to or higher than the liquidus temperature of the lead-free solder on the second surface. A mounting structure using lead-free solder, wherein electronic components are connected to both sides.
【0007】また本発明は、電子部品を、Snを主成分
とし、Biを0〜65mass%、Agを0.5〜4.
0mass%、Cu若しくは/及びInを合計0〜3.
0mass%含有し、第1面における鉛フリーはんだの
固相線温度が、第2面における鉛フリーはんだの液相線
温度以上である鉛フリーはんだによって有機基板の第1
面および第2面からなる両面の各々に接続して構成した
ことを特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装構造体で
ある。Further, according to the present invention, the electronic component contains Sn as a main component, Bi of 0 to 65 mass%, and Ag of 0.5 to 4.0.
0 mass%, Cu or / and In in total of 0-3.
0 mass%, and the solidus temperature of the lead-free solder on the first surface is equal to or higher than the liquidus temperature of the lead-free solder on the second surface.
A mounting structure using lead-free solder, wherein the mounting structure is configured to be connected to each of both surfaces including a surface and a second surface.
【0008】また本発明は、電子部品を、Snを主成分
とし、Biを0〜3mass%または50〜65mas
s%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは
/及びInを合計0〜3.0mass%含有する鉛フリ
ーはんだによって有機基板の第1面に接続して構成し、
電子部品を前記第1面と反対の第2面側から、Snを主
成分とし、Biを0〜65mass%、Agを0.5〜
4.0mass%、Cu若しくは/及びInを合計0〜
3.0mass%含有する鉛フリーはんだによって有機
基板に接続して構成したことを特徴とする鉛フリーはん
だを用いた実装構造体である。また本発明は、電子部品
を、Snを主成分とし、Biを3〜50mass%、A
gを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは/及びI
nを合計0〜3.0mass%含有する鉛フリーはんだ
によって有機基板の第1面に接続して構成し、装着され
た電子部品の電極を、前記第1面と反対の第2面側か
ら、Snを主成分とし、Biを3〜65mass%、A
gを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは/及びI
nを合計0〜3.0mass%含有し、液相線温度が前
記第1面における鉛フリーはんだの固相線温度以下の鉛
フリーはんだによって有機基板に接続して構成したこと
を特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装構造体であ
る。Further, according to the present invention, the electronic component contains Sn as a main component and Bi of 0 to 3% by mass or 50 to 65% by mass.
s%, Ag is 0.5 to 4.0 mass%, and Cu and / or In are connected to the first surface of the organic substrate by a lead-free solder containing a total of 0 to 3.0 mass%,
From the second surface side opposite to the first surface, the electronic component is composed mainly of Sn, Bi is 0 to 65 mass%, and Ag is 0.5 to 0.5%.
4.0 mass%, Cu and / or In are 0 to total.
A mounting structure using lead-free solder, wherein the mounting structure is connected to an organic substrate with a lead-free solder containing 3.0 mass%. Further, according to the present invention, the electronic component has Sn as a main component, Bi of 3 to 50 mass%, A
g is 0.5 to 4.0 mass%, Cu and / or I
n is connected to the first surface of the organic substrate by a lead-free solder containing a total of 0 to 3.0 mass%, and the electrodes of the mounted electronic component are arranged from the second surface side opposite to the first surface. Sn as a main component, Bi is 3 to 65 mass%, A
g is 0.5 to 4.0 mass%, Cu and / or I
a total of 0 to 3.0 mass% of n, and connected to the organic substrate by a lead-free solder having a liquidus temperature equal to or lower than a solidus temperature of the lead-free solder on the first surface. This is a mounting structure using free solder.
【0009】また本発明は、電子部品を、有機基板の第
1面および第2面からなる両面の各々に、Snを主成分
とし、Biを0〜65mass%、Agを0.5〜4.
0mass%、Cu若しくは/及びInを合計0〜3.
0mass%含有する鉛フリーはんだによってリフロー
はんだ付けすることを特徴とする鉛フリーはんだを用い
た実装方法である。Further, according to the present invention, the electronic component is composed of Sn as a main component, Bi of 0 to 65 mass%, and Ag of 0.5 to 4.0 on each of the first and second surfaces of the organic substrate.
0 mass%, Cu or / and In in total of 0-3.
This is a mounting method using lead-free solder, wherein reflow soldering is performed using lead-free solder containing 0 mass%.
【0010】また本発明は、電子部品を、Snを主成分
とし、Biを0〜3mass%または50〜65mas
s%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは
/及びInを合計0〜3.0mass%含有する鉛フリ
ーはんだによって有機基板の第1面にリフローはんだ付
けするリフローはんだ付け工程と、電子部品を、Snを
主成分とし、Biを0〜65mass%、Agを0.5
〜4.0mass%、Cu若しくは/及びInを合計0
〜3.0mass%含有する鉛フリーはんだによって有
機基板の第1面の反対の第2面側からフローはんだ付け
するフローはんだ付け工程とを有することを特徴とする
鉛フリーはんだを用いた実装方法である。Further, according to the present invention, the electronic component contains Sn as a main component and Bi of 0 to 3 mass% or 50 to 65 mass%.
a reflow soldering step of performing reflow soldering on the first surface of the organic substrate with a lead-free solder containing 0.5 to 4.0 mass% of Ag, 0.5 to 4.0 mass% of Ag, and a total of 0 to 3.0 mass% of Cu, The electronic component has Sn as a main component, Bi of 0 to 65 mass%, and Ag of 0.5
~ 4.0 mass%, Cu and / or In total 0
A flow soldering step of performing flow soldering from a second surface side opposite to the first surface of the organic substrate with a lead-free solder containing up to 3.0 mass%. is there.
【0011】また本発明は、電子部品を、鉛フリーはん
だによって有機基板の第1面にリフローはんだ付けする
リフローはんだ付け工程と、装着された電子部品の電極
に対して、液相線温度が前記第1面における鉛フリーは
んだの固相線温度以下の鉛フリーはんだによって有機基
板の第1面の反対の第2面側からフローはんだ付けする
フローはんだ付け工程とを有することを特徴とする鉛フ
リーはんだを用いた実装方法である。The present invention also provides a reflow soldering step of reflow soldering an electronic component to a first surface of an organic substrate with lead-free solder, and a method in which a liquidus temperature is set to a value corresponding to an electrode of the mounted electronic component. A flow soldering step of performing flow soldering from a second surface side opposite to the first surface of the organic substrate with a lead-free solder having a solidus temperature equal to or lower than a solidus temperature of the lead-free solder on the first surface. This is a mounting method using solder.
【0012】また本発明は、電子部品を、Snを主成分
とし、Biを3〜50mass%、Agを0.5〜4.
0mass%、Cu若しくは/及びInを合計0〜3.
0mass%含有する鉛フリーはんだによって有機基板
の第1面にリフローはんだ付けするリフローはんだ付け
工程と、装着された電子部品の電極に対して、Snを主
成分とし、Biを3〜65mass%、Agを0.5〜
4.0mass%、Cu若しくは/及びInを合計0〜
3.0mass%含有し、液相線温度が前記第1面にお
ける鉛フリーはんだの固相線温度以下の鉛フリーはんだ
によって有機基板の第1面の反対の第2面側からフロー
はんだ付けするフローはんだ付け工程とを有することを
特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装方法である。In the present invention, the electronic component is mainly composed of Sn, Bi is 3 to 50 mass%, and Ag is 0.5 to 4.
0 mass%, Cu or / and In in total of 0-3.
A reflow soldering step of performing reflow soldering on the first surface of the organic substrate with a lead-free solder containing 0 mass%, and for an electrode of a mounted electronic component, Sn is a main component, Bi is 3 to 65 mass%, and Ag is Ag. 0.5 to
4.0 mass%, Cu and / or In are 0 to total.
A flow in which the liquidus temperature is 3.0 mass% and the liquidus temperature is lower than the solidus temperature of the lead-free solder on the first surface by flow soldering from the second surface side opposite to the first surface of the organic substrate. A mounting method using lead-free solder, comprising a soldering step.
【0013】また本発明は、電子部品を、Snを主成分
とし、Biを0〜3mass%または50〜65mas
s%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは
/及びInを合計0〜3.0mass%含有する鉛フリ
ーはんだによって有機基板の第1面および該第1面の反
対の第2面にリフローはんだ付けするリフローはんだ付
け工程と、第2面への電子部品をカバーで保護し、装着
された電子部品の電極に対して、Snを主成分とし、B
iを0〜65mass%、Agを0.5〜4.0mas
s%、Cu若しくは/及びInを合計0〜3.0mas
s%含有する鉛フリーはんだによって有機基板の第2面
側からフローはんだ付けするフローはんだ付け工程とを
有することを特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装方
法である。Further, according to the present invention, the electronic component contains Sn as a main component and Bi of 0 to 3% by mass or 50 to 65% by mass.
The first surface of the organic substrate and the second surface opposite to the first surface by a lead-free solder containing 0.5 to 4.0 mass% of Ag, 0.5 to 4.0 mass% of Ag, and a total of 0 to 3.0 mass% of Cu or / and In. A reflow soldering step of reflow soldering, and protecting the electronic component on the second surface with a cover.
i is 0 to 65 mass%, and Ag is 0.5 to 4.0 mass%.
s%, Cu or / and In in total of 0-3.0 mas
a flow soldering step of performing flow soldering from the second surface side of the organic substrate with lead-free solder containing s%.
【0014】また本発明は、電子部品を、Snを主成分
とし、Biを0〜3mass%または50〜65mas
s%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは
/及びInを合計0〜3.0mass%含有する鉛フリ
ーはんだによって有機基板の第2面にリフローはんだ付
けし、更に電子部品を、Snを主成分とし、Biを3〜
50mass%、Agを0.5〜4.0mass%、C
u若しくは/及びInを合計0〜3.0mass%含有
する鉛フリーはんだによって前記第2面と反対の第1面
にリフローはんだ付けするリフローはんだ付け工程と、
第2面への電子部品をカバーで保護し、装着された電子
部品の電極に対して、Snを主成分とし、Biを3〜6
5mass%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu
若しくは/及びInを合計0〜3.0mass%含有す
る鉛フリーはんだによって有機基板の第2面側からフロ
ーはんだ付けするフローはんだ付け工程とを有すること
を特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装方法である。
また本発明は、電子部品を、Snを主成分とし、Biを
3〜50mass%、Agを0.5〜4.0mass
%、Cu若しくは/及びInを合計0〜3.0mass
%含有する鉛フリーはんだによって有機基板の第2面に
リフローはんだ付けし、更に電子部品を、Snを主成分
とし、Biを0〜3mass%または50〜65mas
s%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは
/及びInを合計0〜3.0mass%含有する鉛フリ
ーはんだによって前記第2面と反対の第1面にリフロー
はんだ付けするリフローはんだ付け工程と、第2面への
電子部品をカバーで保護し、装着された電子部品の電極
に対して、Snを主成分とし、Biを3〜65mass
%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは/
及びInを合計0〜3.0mass%含有し、液相線温
度が前記第1面へのリフロー用鉛はんだの固相線温度以
上の鉛フリーはんだによって有機基板の第2面側からフ
ローはんだ付けするフローはんだ付け工程とを有するこ
とを特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装方法であ
る。Further, according to the present invention, the electronic component contains Sn as a main component and Bi of 0 to 3% by mass or 50 to 65% by mass.
s%, Ag is 0.5 to 4.0 mass%, and Cu or / and In are reflow soldered to the second surface of the organic substrate with a lead-free solder containing 0 to 3.0 mass% in total. Sn is the main component, and Bi is 3 to
50 mass%, Ag is 0.5 to 4.0 mass%, C
a reflow soldering step of performing reflow soldering on the first surface opposite to the second surface with a lead-free solder containing u or / and In in total of 0 to 3.0 mass%;
The electronic component on the second surface is protected by a cover, and the electrode of the mounted electronic component has Sn as a main component and Bi of 3 to 6
5 mass%, Ag is 0.5 to 4.0 mass%, Cu
And / or a flow soldering step of performing flow soldering from the second surface side of the organic substrate with a lead-free solder containing a total of 0 to 3.0 mass% of In. It is.
Further, in the present invention, the electronic component is mainly composed of Sn, Bi is 3 to 50 mass%, and Ag is 0.5 to 4.0 mass%.
%, Cu or / and In in total of 0-3.0 mass
% By reflow soldering on the second surface of the organic substrate with lead-free solder, and further, the electronic component is mainly composed of Sn, and has a Bi content of 0 to 3 mass% or 50 to 65 mass%.
s%, 0.5 to 4.0 mass% of Ag, and reflow soldering to the first surface opposite to the second surface with a lead-free solder containing Cu and / or In in total of 0 to 3.0 mass%. Attaching the electronic component to the second surface with a cover, and applying Sn to the electrodes of the mounted electronic component with Sn as a main component and a Bi of 3 to 65 mass.
%, Ag is 0.5 to 4.0 mass%, Cu or /
And In are contained in a total of 0 to 3.0 mass%, and the liquidus temperature is flow soldering from the second surface side of the organic substrate with a lead-free solder having a liquidus temperature not lower than the solidus temperature of the lead solder for reflow to the first surface. And a mounting method using lead-free solder.
【0015】また本発明は、電子部品を、Snを主成分
とし、Biを3〜50mass%、Agを0.5〜4.
0mass%、Cu若しくは/及びInを合計0〜3.
0mass%含有する鉛フリーはんだによって有機基板
の第1面および該第1面の反対の第2面にリフローはん
だ付けするリフローはんだ付け工程と、第2面への電子
部品をカバーで保護し、装着された電子部品の電極に対
して、Snを主成分とし、Biを3〜65mass%、
Agを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは/及び
Inを合計0〜3.0mass%含有し、液相線温度が
前記第1面へのリフロー用鉛はんだの固相線温度以上の
鉛フリーはんだによって有機基板の第2面側からフロー
はんだ付けするフローはんだ付け工程とを有することを
特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装方法である。ま
た本発明は、前記鉛フリーはんだを用いた実装方法にお
いて、第2面をリフローはんだ付けするときに、既にリ
フローはんだ付けされた第1面の鉛フリーはんだ温度が
136.5℃以下とすることを特徴とする。また本発明
は、前記鉛フリーはんだを用いた実装方法において、第
2面側からフローはんだ付けする際、第1面のリフロー
はんだ付け部に不活性ガスを吹き付けて冷却することを
特徴とする。In the present invention, the electronic component is mainly composed of Sn, Bi is 3 to 50 mass%, and Ag is 0.5 to 4.0.
0 mass%, Cu or / and In in total of 0-3.
A reflow soldering process of reflow soldering the first surface of the organic substrate and the second surface opposite to the first surface with a lead-free solder containing 0 mass%, and protecting and mounting the electronic components on the second surface with a cover With respect to the electrodes of the electronic component, with Sn as the main component, Bi at 3 to 65 mass%,
Lead containing 0.5 to 4.0 mass% of Ag and a total of 0 to 3.0 mass% of Cu and / or In and having a liquidus temperature equal to or higher than the solidus temperature of the reflow lead solder to the first surface. A flow soldering step of performing flow soldering from the second surface side of the organic substrate with free solder. Further, in the present invention, in the mounting method using the lead-free solder, when the second surface is reflow-soldered, the temperature of the lead-free solder on the first surface already reflow-soldered is 136.5 ° C. or less. It is characterized by. Further, the present invention is characterized in that, in the mounting method using the lead-free solder, when the flow soldering is performed from the second surface side, an inert gas is blown to a reflow soldering portion on the first surface to cool the portion.
【0016】以上説明したように、前記構成によれば、
ガラスエポキシ基板等の有機基板の両面に、LSI、チ
ップ部品等の電子部品を、環境汚染を低減する鉛フリー
はんだを用いて、ねれ性を著しく低下させることなく、
更に融点を約183℃に近づけて、脆くもなく、著しく
偏析が生じることなく所望の接続強度でもってはんだ付
けして接続部の信頼性を向上させることができる。As described above, according to the above configuration,
Electronic components such as LSIs and chip components are mounted on both sides of an organic substrate such as a glass epoxy substrate using lead-free solder that reduces environmental pollution, without significantly lowering the wettability.
Further, by making the melting point close to about 183 ° C., it is not brittle, and can be soldered with a desired connection strength without remarkable segregation to improve the reliability of the connection portion.
【0017】また、前記構成によれば、ガラスエポキシ
基板等の有機基板の両面に、LSI、チップ部品等の電
子部品を、環境汚染を低減するSn−Ag−(Biおよ
び/または(Cu若しくはIn等))系の鉛フリーはん
だを用いて、ねれ性を著しく低下させることなく、更に
融点を約183℃に近づけて、脆くもなく、著しく偏析
が生じることなく所望の接続強度でもってはんだ付けし
て接続部の信頼性を向上させることができる。Further, according to the above configuration, electronic components such as LSIs and chip components are provided on both surfaces of an organic substrate such as a glass epoxy substrate by using Sn-Ag- (Bi and / or (Cu or In) to reduce environmental pollution. Using a lead-free solder of the type, soldering with a desired connection strength without remarkably lowering the wettability, further bringing the melting point close to about 183 ° C, not being brittle, and not causing significant segregation. As a result, the reliability of the connection portion can be improved.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、詳
細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described in detail.
【0019】[第1の実施の形態]本発明に係るLSI
やチップ部品等の電子部品をガラスエポキシ等の材質か
らなる有機基板の両面(第1面、第2面)に鉛フリーは
んだを用いてリフローはんだ付けして実装する第1の実
施の形態について、図1を用いて説明する。[First Embodiment] LSI according to the present invention
The first embodiment in which electronic components such as chips and chip components are mounted by reflow soldering using lead-free solder on both surfaces (first and second surfaces) of an organic substrate made of a material such as glass epoxy, This will be described with reference to FIG.
【0020】環境汚染を低減する鉛フリーはんだを用い
てリフロー炉によりリフローはんだ付けする際の加熱温
度は、ガラスエポキシ等の材質からなる有機基板の耐熱
温度の関係から通常220℃〜235℃程度以下にする
必要がある。また、有機基板上に形成されたCu、Ni
等の電極に対してぬれ性を向上させ、更に融点を約18
3℃に近づけて、脆くもなく、著しく偏析が生じること
なく所望の接続強度を確保する必要がある。図1に示す
如く、LSI3aやチップ部品3b等の電子部品3を有
機基板1の第1面1aおよび第2面1b共にリフロー用
鉛フリーはんだ5a、5bを組み合わせて実装する有機
基板への電子部品の実装において、約235℃でリフロ
ーするためには、各面リフロー用鉛フリーはんだ5a、
5bの液相線温度を概ね215℃以下にする必要があ
る。図4は、鉛フリーはんだであるSn−Ag−Bi3
元系において約183℃に近い融点を得ることができる
Sn−Ag、Ag−Bi2元共晶線に沿ってBi量を変
化させたときの固相線温度9、11、液相線温度10、
12を示している。9は、鉛フリーはんだであるSn−
Ag−Bi3元合金系におけるSn−Ag2元共晶線上
の固相線温度を示す。10は、鉛フリーはんだであるS
n−Ag−Bi3元合金系におけるSn−Ag2元共晶
線上の液相線温度を示す。11は、鉛フリーはんだであ
るSn−Ag−Bi3元合金系におけるAg−Bi2元
共晶線上の固相線温度を示す。12は、鉛フリーはんだ
であるSn−Ag−Bi3元合金系におけるAg−Bi
2元共晶線上の液相線温度を示す。これによると、Bi
量が0mass%のとき固相線温度および液相線温度共
に約221℃となるが、経験的に得られた条件として、
235℃でリフローするためには、液相線温度を215
℃以下でなくてはならず、これを満たしてはいない。と
ころが、Sn−Ag系に、InやCuを0〜3mass
%添加することで、固相線温度の急落を避けながら液相
線温度を約215℃以下にすることができる。しかし、
Bi量が概ね65mass%を越えるとBiの硬くて脆
い性質がはんだ材に悪影響を与えるためBi量が0〜6
5mass%の範囲にあるものがリフロー用はんだとし
て使用することができると考えた。The heating temperature at the time of reflow soldering with a reflow furnace using lead-free solder for reducing environmental pollution is usually about 220 ° C. to 235 ° C. or less due to the heat resistant temperature of an organic substrate made of a material such as glass epoxy. Need to be In addition, Cu, Ni formed on the organic substrate
To improve the wettability of the electrodes, and to further reduce the melting point to about 18
It is necessary to secure a desired connection strength by approaching 3 ° C. without being brittle and without significant segregation. As shown in FIG. 1, electronic components 3 such as an LSI 3a and a chip component 3b are mounted on an organic substrate 1 by mounting lead-free solders 5a and 5b for reflow on both the first surface 1a and the second surface 1b of the organic substrate 1. In order to reflow at about 235 ° C. in the mounting of the lead-free solder 5a for each surface reflow,
The liquidus temperature of 5b needs to be approximately 215 ° C. or less. FIG. 4 shows Sn-Ag-Bi3 which is a lead-free solder.
The solidus temperature 9,11, the liquidus temperature 10, when the Bi amount is changed along the Sn-Ag, Ag-Bi binary eutectic line, which can obtain a melting point close to about 183 ° C in the primary system,
12 is shown. 9 is a lead-free solder, Sn-
3 shows a solidus temperature on a Sn-Ag binary eutectic line in an Ag-Bi ternary alloy system. 10 is a lead-free solder, S
4 shows a liquidus temperature on a Sn-Ag binary eutectic line in an n-Ag-Bi ternary alloy system. 11 shows the solidus temperature on the Ag-Bi binary eutectic line in the Sn-Ag-Bi ternary alloy system which is a lead-free solder. Numeral 12 denotes Ag-Bi in a Sn-Ag-Bi ternary alloy system which is a lead-free solder.
The liquidus temperature on the binary eutectic line is shown. According to this, Bi
When the amount is 0 mass%, both the solidus temperature and the liquidus temperature are about 221 ° C., but as conditions empirically obtained,
To reflow at 235 ° C., the liquidus temperature must be 215 ° C.
It must be less than or equal to ° C, which is not met. However, In or Cu is added to the Sn-Ag system in an amount of 0 to 3 mass.
%, The liquidus temperature can be reduced to about 215 ° C. or less while avoiding a sharp drop in the solidus temperature. But,
When the Bi content exceeds approximately 65 mass%, the hard and brittle nature of Bi adversely affects the solder material, so that the Bi content is 0 to 6%.
It was considered that a solder having a content of 5 mass% can be used as a solder for reflow.
【0021】即ち、第1の実施の形態においては、LS
Iやチップ部品等の電子部品3を、有機基板1の両面
(第1面1aおよび第2面1b)に、Snを主成分と
し、Biを0〜65mass%、Agを0.5〜4.0
mass%、Cu若しくは/及びIn等を合計0〜3.
0mass%含有する組成のSn−Ag−(Biおよび
/または(Cu若しくはIn))の鉛フリーはんだを用
いてリフローはんだ付けすることにある。特に、Agを
0.5〜4.0mass%を含有させることによって、
組織の微細化が図られて機械的性質が変化し、例えばS
n−58mass%Biに比べて硬くて脆い性質がなく
なり、接続部において所望の信頼性を確保することがで
きる。なお、ここでは、最初有機基板1の第1面1aに
リフローはんだ付けし、次に有機基板1を反転して第1
面1aを下にし、第2面1bにリフローはんだ付けする
ものとする。この場合において、各面リフロー用鉛フリ
ーはんだ5a、5bとして、固液相線温度特性が近似す
るものを用いるとき、第1面1aに実装される電子部品
としてQFP−LSI等のように比較的重いものがある
場合にはこの電子部品を接着剤等を用いて有機基板1に
固定する必要がある。チップ部品などのような比較的軽
いものについては、固定しなくても、落ちてしまうこと
はない。That is, in the first embodiment, LS
Electronic components 3 such as I and chip components are formed on both surfaces (first surface 1a and second surface 1b) of the organic substrate 1 with Sn as a main component, Bi of 0 to 65 mass%, and Ag of 0.5 to 4.0. 0
mass%, Cu and / or In etc. in total of 0-3.
Reflow soldering is performed using a lead-free solder of Sn-Ag- (Bi and / or (Cu or In)) having a composition containing 0 mass%. In particular, by containing 0.5 to 4.0 mass% of Ag,
The structure is refined and the mechanical properties change, for example, S
Compared to n-58 mass% Bi, it is no longer hard and brittle, and desired reliability can be ensured at the connection portion. Here, first, reflow soldering is performed on the first surface 1a of the organic substrate 1, and then the organic substrate 1 is turned over and
The surface 1a faces down and reflow soldering is performed on the second surface 1b. In this case, when lead-free solders 5a and 5b for each surface reflow are used which have similar solid-liquid phase temperature characteristics, the electronic components mounted on the first surface 1a are relatively small like QFP-LSI or the like. If there is a heavy component, it is necessary to fix the electronic component to the organic substrate 1 using an adhesive or the like. Relatively light components such as chip components do not fall even if they are not fixed.
【0022】また、第1の実施の形態において、第2面
をリフローはんだ付けするときに、既にリフローはんだ
付けされた第1面の鉛フリーはんだ温度を136.5℃
以下とすることが望まれる。この第1の実施の形態によ
れば、通常用いられるガラスエポキシ等の材質からなる
有機基板1の耐熱温度以下にして、3元系鉛フリーはん
だを用いてリフローはんだ付けすることを可能にするこ
とができ、しかも有機基板1上に形成されたCu、Ni
等の電極に対してぬれ性を向上させ、更に融点を約18
3℃に近づけて、脆くもなく、著しく偏析が生じること
なく所望の接続強度を確保することができる。In the first embodiment, when reflow soldering the second surface, the lead-free solder temperature of the first surface already reflow soldered is 136.5 ° C.
It is desired that: According to the first embodiment, the reflow soldering can be performed by using a ternary lead-free solder at a temperature lower than the heat resistance temperature of the organic substrate 1 made of a material such as glass epoxy which is generally used. And Cu, Ni formed on the organic substrate 1
To improve the wettability of the electrodes, and to further reduce the melting point to about 18
By approaching 3 ° C., a desired connection strength can be secured without being brittle and without significant segregation.
【0023】(実施例1−1)図1に示す如く、まず、
厚さ1.6mm、縦90mm、横140mm、基板面の
銅箔厚18μmのガラスエポキシ基板1にリードピッ
チ:0.5mm、リード幅:0.2mm、4辺のリード
本数:208、寸法32mm角のQFP−LSI3aと
寸法1.6mm×3.2mmのチップ部品3bを組成S
n−2.8Ag−15Bi−0.5Cu(単位:mas
s%)(固相線温度:約155℃、液相線温度:約20
4℃)のはんだペースト5a1により基板の第1面1a
に約220℃でリフロー接続した。次に、この基板1の
第1面1aを下にして基板1の第2面1bにも第1面と
同じQFP−LSI3aとチップ部品3bを組成Sn−
2.8Ag−15Bi−0.5Cu(単位:mass
%)(固相線温度:約155℃、液相線温度:約204
℃)のはんだペースト5b1により約220℃でリフロ
ーはんだ付けした。組成Sn−2.8Ag−15Bi−
0.5Cu(単位:mass%)のはんだペーストの場
合、固相線温度は約155℃、液相線温度は約204℃
となり、液相線温度として215℃以下を満足し、23
0℃より10℃程度低い約220℃でリフロー接続をす
ることができる。この時、第1面1aの部品の内QFP
−LSI3aのみ基板1に接着剤で固定したが、比較的
軽いチップ部品3bは固定しなくても第2面1bのリフ
ロー時に部品が落下することはなかった。(Embodiment 1-1) First, as shown in FIG.
Lead pitch: 0.5 mm, lead width: 0.2 mm, number of leads on each side: 208, dimensions 32 mm square, 1.6 mm thick, 90 mm long, 140 mm wide, and 18 μm thick copper foil on the board surface QFP-LSI 3a and a chip component 3b of dimensions 1.6 mm × 3.2 mm
n-2.8Ag-15Bi-0.5Cu (unit: mas)
s%) (solidus temperature: about 155 ° C, liquidus temperature: about 20
4 ° C.) with the solder paste 5a1 on the first surface 1a of the substrate.
At about 220 ° C. for reflow connection. Next, the same QFP-LSI 3a and chip component 3b as the first surface are also formed on the second surface 1b of the substrate 1 with the first surface 1a of the substrate 1 facing down.
2.8Ag-15Bi-0.5Cu (unit: mass)
%) (Solidus temperature: about 155 ° C, liquidus temperature: about 204
C.) using a solder paste 5b1 at about 220.degree. Composition Sn-2.8Ag-15Bi-
In the case of a 0.5 Cu (unit: mass%) solder paste, the solidus temperature is about 155 ° C., and the liquidus temperature is about 204 ° C.
Satisfies the liquidus temperature of 215 ° C. or less,
Reflow connection can be performed at about 220 ° C., which is about 10 ° C. lower than 0 ° C. At this time, QFP of the components on the first surface 1a
Only the LSI 3a was fixed to the substrate 1 with an adhesive, but even if the relatively light chip component 3b was not fixed, the component did not drop during the reflow of the second surface 1b.
【0024】その結果、接続後の基板1の両面1a、1
bのQFP−LSI3aのリードを図5および図6に示
す方法で基板面に対して45°の方向に引っ張り、接続
部に破断が起きるまでの引っ張り荷重の最大値(これを
45°ピール強度と呼ぶことにする)を測定し、平均値
を出したところ基板両面とも約6Nとなり十分な強度が
確保されていることがわかった。即ち、第2面1bには
んだペースト5b1を用いてリフロー接続する際、第1
面1aにリフロー接続されたはんだペースト5a1への
影響は少なく、第1面1aについても十分な接続強度を
得ることができた。なお、図5は、45°ピール試験装
置の全体を示す図である。図6は、45°ピール試験装
置における被試験試料16を治具15に取り付ける状態
を示した拡大図である。45°ピール試験装置は、電子
部品18を基板17にはんだ接続された接続部19を有
する被試験試料16を45°傾けて取り付ける治具15
と、該治具15を矢印で示すように下降させて荷重を付
与する荷重付与機構20と、接続部19の電子部品側を
引掛けるフック14と、該フック14に印加される荷重
を測定する測定手段13とによって構成される。なお、
治具15は、被測定部が測定手段13の真下に来るよう
に調整される。このように構成された45°ピール試験
装置により、接続部における破断が起きるまでの45°
の方向の引っ張り荷重の最大値を測定することが可能と
なる。As a result, both sides 1a, 1
5b and the lead of the QFP-LSI 3a is pulled in the direction of 45 ° with respect to the substrate surface by the method shown in FIGS. 5 and 6, and the maximum value of the tensile load until breakage occurs in the connection portion (this is the 45 ° peel strength and The average value of the measured values was about 6N on both sides of the substrate, indicating that sufficient strength was secured. That is, when the reflow connection is performed on the second surface 1b using the solder paste 5b1, the first
The effect on the solder paste 5a1 reflow-connected to the surface 1a was small, and a sufficient connection strength could be obtained also for the first surface 1a. FIG. 5 is a diagram showing the entire 45 ° peel test apparatus. FIG. 6 is an enlarged view showing a state where the test sample 16 is attached to the jig 15 in the 45 ° peel test apparatus. The 45 ° peel test apparatus includes a jig 15 for mounting a test sample 16 having a connection portion 19 in which an electronic component 18 is soldered to a substrate 17 at an angle of 45 °.
And a load applying mechanism 20 for applying a load by lowering the jig 15 as indicated by the arrow, a hook 14 for hooking the electronic component side of the connecting portion 19, and a load applied to the hook 14 are measured. It is constituted by the measuring means 13. In addition,
The jig 15 is adjusted so that the portion to be measured is directly below the measuring means 13. With the 45 ° peel test apparatus configured as described above, 45 ° until the breakage at the connection occurs.
The maximum value of the tensile load in the direction can be measured.
【0025】(実施例1−2)図1に示す如く、まず、
厚さ1.6mm、縦90mm、横140mm、基板面の
銅箔厚18μmのガラスエポキシ基板1にリードピッ
チ:0.5mm、リード幅:0.2mm、4辺のリード
本数:208、寸法32mm角のQFP−LSI3aと
寸法1.6mm×3.2mmのチップ部品3bを組成S
n−2.8Ag−15Bi−0.5Cu(単位:mas
s%)(固相線温度:約155℃、液相線温度:約20
4℃)のはんだペースト5a1により基板1の第1面1
aに約220℃でリフロー接続した。次に、この基板1
の第1面1aを下にし、基板1の第2面1bにも第1面
と同じQFP−LSI3aとチップ部品3bを組成Sn
−1Ag−57Bi(単位:mass%)(固相線温
度:約137℃、液相線温度:約137℃)のはんだペ
ースト5b2により約180℃でリフローはんだ付けし
た。この実施例の場合、はんだペースト5b2の液相線
温度約137℃を、はんだペースト5a1の固相線温度
約155℃よりも低くしたことに特徴がある。これによ
り、電子部品3を基板1の第2面1bにはんだペースト
5b2によりリフローはんだ付けする際、第1面1aに
施されたはんだペースト5a1に加わるリフロー温度を
固相線温度約155℃の近傍にすることが可能となり、
QFP−LSI等のように比較的重いものでも落下する
心配はない。また、接続後の基板1の両面1a、1bの
QFP−LSIのリードの45°ピール強度を、図5お
よび図6に示す方法で測定し、平均値を出したところ基
板両面とも約6Nとなり十分な強度が確保されているこ
とがわかった。即ち、はんだペースト5b2の液相線温
度約137℃を、はんだペースト5a1の固相線温度約
155℃よりも低くしてあるため、第2面1bにはんだ
ペースト5b2を用いてリフロー接続する際、第1面1
aにリフロー接続されたはんだペースト5a1への影響
は実施例1−1に比べてほとんどなく、第2面1bは勿
論、第1面1aについても十分な接続強度を得ることが
できた。(Embodiment 1-2) First, as shown in FIG.
Lead pitch: 0.5 mm, lead width: 0.2 mm, number of leads on each side: 208, dimensions 32 mm square, 1.6 mm thick, 90 mm long, 140 mm wide, and 18 μm thick copper foil on the board surface QFP-LSI 3a and a chip component 3b of dimensions 1.6 mm × 3.2 mm
n-2.8Ag-15Bi-0.5Cu (unit: mas)
s%) (solidus temperature: about 155 ° C, liquidus temperature: about 20
4 ° C.) of the first surface 1 of the substrate 1 using the solder paste 5a1.
a was connected by reflow at about 220 ° C. Next, this substrate 1
With the first surface 1a facing down and the same QFP-LSI 3a and chip component 3b as the first surface on the second surface 1b of the substrate 1 with the composition Sn
-1Ag-57Bi (unit: mass%) (solidus temperature: about 137 ° C, liquidus temperature: about 137 ° C) was reflow soldered at about 180 ° C with a solder paste 5b2. This embodiment is characterized in that the liquidus temperature of the solder paste 5b2 is about 137 ° C. lower than the solidus temperature of the solder paste 5a1 is about 155 ° C. Thus, when the electronic component 3 is reflow-soldered to the second surface 1b of the substrate 1 with the solder paste 5b2, the reflow temperature applied to the solder paste 5a1 applied to the first surface 1a is set to a value near the solidus temperature of about 155 ° C. It is possible to
There is no need to worry about falling even with a relatively heavy object such as a QFP-LSI. Further, the 45 ° peel strength of the leads of the QFP-LSI on both sides 1a and 1b of the board 1 after connection was measured by the method shown in FIGS. 5 and 6, and the average value was obtained. It was found that high strength was secured. That is, since the liquidus temperature of the solder paste 5b2 is about 137 ° C. lower than the solidus temperature of the solder paste 5a1 is about 155 ° C., when the solder paste 5b2 is used for reflow connection on the second surface 1b, First side 1
There was almost no effect on the solder paste 5a1 reflow-connected to a as compared with Example 1-1, and sufficient connection strength was obtained not only for the second surface 1b but also for the first surface 1a.
【0026】[第2の実施の形態]本発明に係るLSI
やチップ部品等の電子部品をガラスエポキシ等の材質か
らなる有機基板の表面(第1面)に鉛フリーはんだを用
いてリフローはんだ付けし、有機基板の表面(第1面)
側より挿入部品を挿入し、裏面(第2面)に鉛フリーは
んだを用いてフローはんだ付けを行って実装する第2の
実施の形態について、図2を用いて説明する。環境汚染
を低減する鉛フリーはんだを用いてリフロー炉によりリ
フローはんだ付けする際の加熱温度は、ガラスエポキシ
等の材質からなる有機基板の耐熱温度の関係から通常2
20℃〜235℃程度以下にする必要がある。図4は、
鉛フリーはんだであるSn−Ag−Bi3元系において
約183℃に近い融点を得ることができるSn−Ag、
Ag−Bi2元共晶線に沿ってBi量を変化させたとき
の固相線温度9、11、液相線温度10、12を示して
いる。これによると、Bi量が0mass%のとき固相
線温度および液相線温度共に約221℃となるが、経験
的に得られた条件として、約235℃でリフローするた
めには、液相線温度を215℃以下でなくてはならず、
これを満たしてはいない。ところが、Sn−Ag系に、
InやCuを0〜3mass%添加することで、固相線
温度の急落を避けながら液相線温度を215℃以下にす
ることができる。しかし、Bi量が概ね65mass%
を越えるとBiの硬くて脆い性質がはんだ材に悪影響を
与えるためBi量が0〜65mass%の範囲にあるも
のがリフロー用はんだとして使用することができると考
えた。また、有機基板上に形成されたCu、Ni等の電
極に対してぬれ性を向上させ、更に融点を約183℃に
近づけて、脆くもなく、著しく偏析が生じることなく所
望の接続強度を確保する必要がある。[Second Embodiment] LSI according to the present invention
And electronic components such as chip components are reflow-soldered to the surface (first surface) of an organic substrate made of a material such as glass epoxy using lead-free solder, and the surface of the organic substrate (first surface)
A second embodiment in which an insertion component is inserted from the side and flow-soldering is performed on the back surface (second surface) using lead-free solder and mounted will be described with reference to FIG. The heating temperature for reflow soldering with a reflow furnace using lead-free solder that reduces environmental pollution is usually 2 due to the heat resistance temperature of the organic substrate made of a material such as glass epoxy.
It is necessary to be about 20 ° C. to 235 ° C. or less. FIG.
Sn-Ag which can obtain a melting point close to about 183 ° C in a Sn-Ag-Bi ternary system which is a lead-free solder,
The solidus temperatures 9 and 11 and the liquidus temperatures 10 and 12 when the Bi amount is changed along the Ag-Bi binary eutectic line are shown. According to this, when the Bi amount is 0 mass%, both the solidus temperature and the liquidus temperature are about 221 ° C., but as an empirically obtained condition, in order to reflow at about 235 ° C., The temperature must be below 215 ° C,
This is not satisfied. However, in the Sn-Ag system,
By adding 0 or 3 mass% of In or Cu, the liquidus temperature can be kept at 215 ° C. or lower while avoiding a sharp drop in the solidus temperature. However, the amount of Bi is about 65 mass%.
It is considered that the hard and brittle properties of Bi have an adverse effect on the solder material when the ratio exceeds Bi, so that the Bi content in the range of 0 to 65 mass% can be used as the reflow solder. It also improves the wettability of electrodes such as Cu and Ni formed on the organic substrate, and keeps the melting point close to about 183 ° C to ensure desired connection strength without being brittle and without significant segregation. There is a need to.
【0027】更に、フローはんだ付けは、溶融はんだが
有機基板に接触する時間が数秒と短いけれども、既には
んだ付けされたリフロー面のはんだを保護する必要があ
る。図2に示すように、LSI3aやチップ部品3b等
の各電子部品3を、有機基板1の表面(第1面)1aに
リフロー用鉛フリーはんだ5cを用いてリフローはんだ
付けを行い、この有機基板1の第1面側より挿入部品4
を挿入し、その裏面(第2面)1bに鉛フリーはんだ7
aを用いてフローはんだ付けを行なう混載実装を行なう
際、まず第1面1aへのリフロー用鉛フリーはんだ5c
に、狭い固液共存温度幅を持ったはんだでリフローはん
だ付けした場合、フローはんだ付け時に基板1に加わる
熱で、リフローしたはんだが溶融しても、Biが多く含
まれた固くて脆い相の偏析は少なく、部品3の接続強度
低下は起こりにくい。そして、リフロー用鉛フリーはん
だ5cとしてこの条件を満たすのは、Snを主成分と
し、Agを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは/
及びIn等を合計0〜3.0mass%含有する組成の
Sn−Ag−(Biおよび/または(Cu若しくはI
n))の鉛フリーはんだにおいて、Bi量が概ね0〜3
mass%の場合と、概ね50〜65mass%の場合
であり、このときフロー用はんだ7aのBi量は0〜6
5mass%とすることができる。Furthermore, in the flow soldering, although the contact time of the molten solder with the organic substrate is as short as several seconds, it is necessary to protect the solder on the reflow surface already soldered. As shown in FIG. 2, each electronic component 3 such as an LSI 3a and a chip component 3b is reflow-soldered on the surface (first surface) 1a of the organic substrate 1 using a reflow lead-free solder 5c. Insertion part 4 from the first surface side of 1
And a lead-free solder 7 on the back surface (second surface) 1b.
When performing the mixed mounting in which the flow soldering is performed by using the lead-free solder 5a, first, the lead-free solder 5c for reflow to the first surface 1a is used.
In the case where reflow soldering is performed using a solder having a narrow solid-liquid coexistence temperature range, even if the reflowed solder is melted by heat applied to the substrate 1 during flow soldering, a hard and brittle phase containing a large amount of Bi is contained. Segregation is small and the connection strength of the component 3 is hardly reduced. The lead-free solder for reflow 5c satisfies this condition because Sn is the main component and Ag is 0.5 to 4.0 mass%, Cu or /
Sn-Ag- (Bi and / or (Cu or I) having a total composition of 0 to 3.0 mass%
n)) In the lead-free solder, the Bi amount is approximately 0 to 3
mass% and approximately 50 to 65 mass%. At this time, the Bi amount of the flow solder 7a is 0 to 6
It can be set to 5 mass%.
【0028】一方、第1面1aへのリフロー用はんだ5
cに、広い固液共存温度幅を持ったはんだでリフローは
んだ付けした場合、つまり、第1面1aへのリフロー用
鉛フリーはんだ5cとして、Snを主成分とし、Biを
0〜65mass%、Agを0.5〜4.0mass
%、Cu若しくは/及びIn等を合計0〜3.0mas
s%含有する組成のSn−Ag−(Biおよび/または
(Cu若しくはIn))の鉛フリーはんだにおいて、B
i量が概ね3〜50mass%の場合、フロー用はんだ
のBi量を3〜65mass%の範囲より選び、第1面
のリフロー用鉛フリーはんだ5cの固相線温度を、第2
面のフロー用鉛フリーはんだ7aの液相線温度以上とす
ることにより、フローはんだ付け時に基板に加わる熱
で、リフローしたはんだ5cを溶融させないようにする
ことができる。特に、Agを0.5〜4.0mass%
を含有させることによって、組織の微細化が図られて機
械的性質が変化し、例えばSn−58mass%Biに
比べて硬くて脆い性質がなくなり、接続部において所望
の信頼性を確保することができる。なお、この第2の実
施の形態において、第2面側からフローはんだ付けする
際、第1面のリフローはんだ付け部に不活性ガスを吹き
付けて冷却することが好ましい。On the other hand, the solder 5 for reflow onto the first surface 1a
c, when reflow soldering is performed using a solder having a wide solid-liquid coexistence temperature range, that is, as the lead-free solder for reflow 5c to the first surface 1a, Sn is a main component, Bi is 0 to 65 mass%, and Ag is From 0.5 to 4.0 mass
%, Cu and / or In etc. in total of 0-3.0 mas
% of Sn-Ag- (Bi and / or (Cu or In)) lead-free solder having a composition containing
When the i amount is approximately 3 to 50 mass%, the Bi amount of the solder for flow is selected from the range of 3 to 65 mass%, and the solidus temperature of the lead-free solder for reflow 5c on the first surface is set to the second temperature.
By setting the surface temperature equal to or higher than the liquidus temperature of the lead-free solder for flow 7a, it is possible to prevent the reflowed solder 5c from being melted by heat applied to the substrate during flow soldering. In particular, Ag is 0.5 to 4.0 mass%.
By containing, the microstructure is reduced and the mechanical properties are changed. For example, hard and brittle properties are eliminated as compared with Sn-58 mass% Bi, and desired reliability can be secured at the connection portion. . In the second embodiment, when performing the flow soldering from the second surface side, it is preferable to cool by blowing an inert gas to the reflow soldering portion on the first surface.
【0029】以上説明したように、第2の実施の形態に
よれば、通常用いられるガラスエポキシ等の材質からな
る有機基板1の耐熱温度以下にして、上記鉛フリーはん
だを用いて片面(第1面)へのリフローはんだ付けと片
面(第2面)へのフローはんだ付けとをすることを可能
にすることができ、しかも有機基板1上に形成されたC
u、Ni等の電極に対してぬれ性を向上させ、更に融点
を約183℃に近づけて、脆くもなく、著しく偏析が生
じることなく所望の接続強度を確保することができる。As described above, according to the second embodiment, the temperature of the organic substrate 1 made of a commonly used material such as glass epoxy is set to be lower than the heat resistance temperature, and one side (first Surface) and flow soldering on one surface (second surface). In addition, C formed on the organic substrate 1 can be formed.
By improving the wettability with respect to electrodes such as u, Ni, etc., the melting point is brought close to about 183 ° C., and the desired connection strength can be secured without being brittle and without significant segregation.
【0030】(実施例2−1)図2に示す如く、まず、
厚さ1.6mm、縦90mm、横140mm、基板面の
銅箔厚18μmのガラスエポキシ基板1にリードピッ
チ:0.5mm、リード幅:0.2mm、4辺のリード
本数:208、寸法32mm角のQFP−LSI3aと
寸法1.6mm×3.2mmのチップ部品3bを組成S
n−2.8Ag−15Bi−0.5Cu(単位:mas
s%)(固相線温度:約155℃、液相線温度:約20
4℃)の広い固液共存温度幅を持ったはんだペースト5
c1により有機基板1の第1面1aに約220℃でリフ
ロー接続した。次に、この基板1の第1面1a側より挿
入部品4を挿入し、裏面(第2面)1bに約150℃に
したSn−1Ag−57Bi(単位:mass%)(固
相線温度:約137℃、液相線温度:約137℃)の噴
流はんだを当て、フロー用はんだ7a1によるフローは
んだ付けを行なった。その結果、接続後の基板1の第1
面1aのQFP−LSIのリードの45°ピール強度
を、図5および図6に示す方法で測定し、平均値を出し
たところ基板両面とも約6Nとなり十分な強度が確保さ
れていることがわかった。即ち、フロー用はんだ7a1
の液相線温度約137℃を、はんだペースト5c1の固
相線温度約155℃よりも低くしてあるため、第2面1
bにフロー用はんだ7a1を用いてリフロー接続する
際、第1面1aにリフロー接続されたはんだペースト5
c1への影響はほとんどなく、第2面1bは勿論、第1
面1aについても十分な接続強度を得ることができた。Example 2-1 As shown in FIG.
Lead pitch: 0.5 mm, lead width: 0.2 mm, number of leads on each side: 208, dimensions 32 mm square, 1.6 mm thick, 90 mm long, 140 mm wide, and 18 μm thick copper foil on the board surface QFP-LSI 3a and a chip component 3b of dimensions 1.6 mm × 3.2 mm
n-2.8Ag-15Bi-0.5Cu (unit: mas)
s%) (solidus temperature: about 155 ° C, liquidus temperature: about 20
4 ° C) solder paste with a wide solid-liquid coexistence temperature range 5
A reflow connection was made at about 220 ° C. to the first surface 1a of the organic substrate 1 by c1. Next, the insertion component 4 is inserted from the first surface 1a side of the substrate 1, and Sn-1Ag-57Bi (unit: mass%) at about 150 ° C. (unit: mass%) is applied to the back surface (second surface) 1b (solidus temperature: A jet solder having a temperature of about 137 ° C. and a liquidus temperature of about 137 ° C.) was applied, and flow soldering was performed with the flow solder 7a1. As a result, the first
The 45 ° peel strength of the QFP-LSI lead on the surface 1a was measured by the method shown in FIGS. 5 and 6, and an average value was obtained. Was. That is, the flow solder 7a1
Since the liquidus temperature of about 137 ° C. is lower than the solidus temperature of about 155 ° C. of the solder paste 5c1, the second surface 1
b, the solder paste 5 reflow-connected to the first surface 1a at the time of reflow connection using the flow solder 7a1.
There is almost no effect on c1 and the first surface as well as the second surface 1b
Sufficient connection strength was also obtained for the surface 1a.
【0031】(実施例2−2)図2に示す如く、まず、
厚さ1.6mm、縦90mm、横140mm、基板面の
銅箔厚18μmのガラスエポキシ基板1にリードピッ
チ:0.5mm、リード幅:0.2mm、4辺のリード
本数:208、寸法32mm角のQFP−LSI3aと
寸法1.6mm×3.2mmのチップ部品3bを組成S
n−4Ag−1Cu(単位:mass%)(固相線温
度:約215℃、液相線温度:約215℃)の狭い固液
共存温度幅を持ったはんだペースト5c2により基板1
の第1面1aに約230℃でリフロー接続した。次に、
この基板1の第1面1a側より挿入部品4を挿入し、裏
面(第2面)1bに約215℃にしたSn−2.8Ag
−15Bi−0.5Cu(単位:mass%)(固相線
温度:約155℃、液相線温度:約204℃)の噴流は
んだを当て、フロー用はんだ7a2によるフローはんだ
付けを行なった。その結果、接続後の基板1の第1面1
aのQFP−LSIのリードの45°ピール強度を、図
5および図6に示す方法で測定し、平均値を出したとこ
ろ基板両面とも約6Nとなり十分な強度が確保されてい
ることがわかった。即ち、第2面1bにフロー用はんだ
7a2を用いてリフロー接続する際、第1面1aにリフ
ロー接続されたはんだペースト5c2への影響はほとん
どなく、第2面1bは勿論、第1面1aについても十分
な接続強度を得ることができた。(Embodiment 2-2) As shown in FIG.
Lead pitch: 0.5 mm, lead width: 0.2 mm, number of leads on each side: 208, dimensions 32 mm square, 1.6 mm thick, 90 mm long, 140 mm wide, and 18 μm thick copper foil on the board surface QFP-LSI 3a and a chip component 3b of dimensions 1.6 mm × 3.2 mm
The substrate 1 is formed by a solder paste 5c2 having a narrow solid-liquid coexistence temperature range of n-4Ag-1Cu (unit: mass%) (solidus temperature: about 215 ° C., liquidus temperature: about 215 ° C.).
Was reflow-connected at about 230 ° C. to the first surface 1a. next,
The insert part 4 is inserted from the first surface 1a side of the substrate 1 and Sn-2.8Ag of about 215 ° C. is applied to the back surface (second surface) 1b.
A jet solder of −15 Bi-0.5 Cu (unit: mass%) (solidus temperature: about 155 ° C., liquidus temperature: about 204 ° C.) was applied, and flow soldering was performed with the flow solder 7a2. As a result, the first surface 1 of the connected substrate 1
The 45 ° peel strength of the lead of the QFP-LSI a was measured by the method shown in FIGS. 5 and 6, and an average value was obtained. As a result, it was found that both sides of the substrate were about 6N, and sufficient strength was secured. . That is, when the reflow connection is performed on the second surface 1b using the flow solder 7a2, there is almost no effect on the solder paste 5c2 reflow-connected to the first surface 1a, and the first surface 1a as well as the second surface 1b is affected. Also, sufficient connection strength could be obtained.
【0032】(実施例2−3)図2に示す如く、まず、
厚さ1.6mm、縦90mm、横140mm、基板面の
銅箔厚18μmのガラスエポキシ基板1にリードピッ
チ:0.5mm、リード幅:0.2mm、4辺のリード
本数:208、寸法32mm角のQFP−LSI3aと
寸法1.6mm×3.2mmのチップ部品3bを組成S
n−1Ag−57Bi(単位:mass%)(固相線温
度:約137℃、液相線温度:約137℃)の狭い固液
共存温度幅を持ったはんだペースト5c3により基板1
の第1面1aに約180℃でリフロー接続した。次に、
この基板1の第1面1a側より挿入部品4を挿入し、裏
面(第2面)1bに約220℃にしたSn−2.8Ag
−15Bi−0.5Cu(単位:mass%)(固相線
温度:約155℃、液相線温度:約204℃)の噴流は
んだを当て、フロー用はんだ7a2によるフローはんだ
付けを行なった。このとき、フロー用はんだ7a2の液
相線温度約204℃が、はんだペースト5c3の固相線
温度約137℃よりも著しく高く、裏面(第2面)1b
に約220℃にしたSn−2.8Ag−15Bi−0.
5Cu(単位:mass%)の噴流はんだが当るため、
第1面のリフローを行なった接続部のフロー用はんだ5
c3は一度完全に溶融後凝固することになった。その結
果、接続後の基板1の第1面1aのQFP−LSIのリ
ードの45°ピール強度を、図5および図6に示す方法
で測定し、平均値を出したところ基板両面とも約6Nと
なり十分な強度が確保されていることがわかった。即
ち、フロー用はんだ7a2の液相線温度約204℃が、
はんだペースト5c3の固相線温度約137℃よりも高
くなって、第2面1bにフロー用はんだ7a2を用いて
リフロー接続する際、フロー用はんだ5c3は一度完全
に溶融後凝固したとしても第2面1bは勿論、第1面1
aについても十分な接続強度を得ることができた。Embodiment 2-3 As shown in FIG. 2, first,
Lead pitch: 0.5 mm, lead width: 0.2 mm, number of leads on each side: 208, dimensions 32 mm square, 1.6 mm thick, 90 mm long, 140 mm wide, and 18 μm thick copper foil on the board surface QFP-LSI 3a and a chip component 3b of dimensions 1.6 mm × 3.2 mm
Substrate 1 is formed of solder paste 5c3 having a narrow solid-liquid coexistence temperature range of n-1Ag-57Bi (unit: mass%) (solidus temperature: about 137 ° C., liquidus temperature: about 137 ° C.).
Was connected by reflow at about 180 ° C. to the first surface 1a. next,
The insertion component 4 is inserted from the first surface 1a side of the substrate 1, and Sn-2.8Ag of about 220 ° C. is applied to the back surface (second surface) 1b.
A jet solder of −15 Bi-0.5 Cu (unit: mass%) (solidus temperature: about 155 ° C., liquidus temperature: about 204 ° C.) was applied, and flow soldering was performed with the flow solder 7a2. At this time, the liquidus temperature of about 204 ° C. of the flow solder 7a2 is significantly higher than the solidus temperature of about 137 ° C. of the solder paste 5c3, and the back surface (second surface) 1b
Sn-2.8Ag-15Bi-0.
Since 5Cu (unit: mass%) jet solder is applied,
Solder for flow 5 of the connection part after reflow of the first surface
c3 was once completely melted and then solidified. As a result, the 45 ° peel strength of the lead of the QFP-LSI on the first surface 1a of the substrate 1 after connection was measured by the method shown in FIGS. 5 and 6, and the average value was obtained. It turned out that sufficient strength was secured. That is, the liquidus temperature of the flow solder 7a2 is about 204 ° C.
When the solidus temperature of the solder paste 5c3 becomes higher than about 137 ° C. and the second surface 1b is reflow-connected using the solder 7a2 for flow, the solder 5c3 for flow is completely melted and solidified once. The first surface 1 as well as the surface 1b
As for a, a sufficient connection strength could be obtained.
【0033】[第3の実施の形態]本発明に係るLSI
やチップ部品等の電子部品をガラスエポキシ等の材質か
らなる有機基板の表面(第1面)および裏面(第2面)
に鉛フリーはんだを用いてリフローはんだ付けし、有機
基板の表面(第1面)側より挿入部品を挿入し、裏面
(第2面)に鉛フリーはんだを用いてフローはんだ付け
を行って実装する第2の実施の形態について、図3を用
いて説明する。環境汚染を低減する鉛フリーはんだを用
いてリフロー炉によりリフローはんだ付けする際の加熱
温度は、ガラスエポキシ等の材質からなる有機基板の耐
熱温度の関係から通常220℃〜235℃程度以下にす
る必要がある。図4は、鉛フリーはんだであるSn−A
g−Bi3元系において183℃に近い融点を得ること
ができるSn−Ag、Ag−Bi2元共晶線に沿ってB
i量を変化させたときの固相線温度9、11、液相線温
度10、12を示している。これによると、Bi量が0
mass%のとき固相線温度および液相線温度共に約2
21℃となるが、経験的に得られた条件として、235
℃でリフローするためには、液相線温度を215℃以下
でなくてはならず、これを満たしてはいない。ところ
が、Sn−Ag系に、InやCuを0〜3mass%添
加することで、固相線温度の急落を避けながら液相線温
度を215℃以下にすることができる。しかし、Bi量
が概ね65mass%を越えるとBiの硬くて脆い性質
がはんだ材に悪影響を与えるためBi量が0〜65ma
ss%の範囲にあるものがリフロー用はんだとして使用
することができると考えた。また、有機基板上に形成さ
れたCu、Ni等の電極に対してぬれ性を向上させ、更
に融点を約183℃に近づけて、脆くもなく、著しく偏
析が生じることなく所望の接続強度を確保する必要があ
る。更に、フローはんだ付けは、溶融はんだが有機基板
に接触する時間が数秒と短いけれども、既にはんだ付け
されたリフロー面のはんだを保護する必要がある。[Third Embodiment] LSI according to the present invention
(First surface) and back surface (second surface) of an organic substrate made of a material such as glass epoxy for electronic components such as chips and chip components.
Reflow soldering using lead-free solder on the surface of the organic substrate, insert the insert from the front (first surface) side of the organic substrate, and perform flow soldering on the back surface (second surface) using lead-free solder and mount A second embodiment will be described with reference to FIG. The heating temperature when reflow soldering with a reflow furnace using lead-free solder that reduces environmental pollution is usually required to be about 220 ° C to 235 ° C or less due to the heat resistance temperature of an organic substrate made of a material such as glass epoxy. There is. FIG. 4 shows Sn-A which is a lead-free solder.
B along the Sn-Ag, Ag-Bi binary eutectic line, which can obtain a melting point close to 183 ° C. in the g-Bi ternary system.
The solidus temperatures 9, 11 and the liquidus temperatures 10, 12 when the i amount is changed are shown. According to this, the Bi amount is 0
When mass%, both solidus temperature and liquidus temperature are about 2
21 ° C., but empirically obtained conditions are 235
In order to reflow at ℃, the liquidus temperature must be below 215 ℃, which is not satisfied. However, by adding 0 to 3 mass% of In or Cu to the Sn-Ag system, the liquidus temperature can be reduced to 215 ° C. or lower while avoiding a sharp drop in the solidus temperature. However, when the Bi amount exceeds approximately 65 mass%, the hard and brittle nature of Bi adversely affects the solder material, so that the Bi amount is 0 to 65 ma.
It was considered that those in the range of ss% can be used as reflow solder. It also improves the wettability of electrodes such as Cu and Ni formed on the organic substrate, and keeps the melting point close to about 183 ° C to ensure desired connection strength without being brittle and without significant segregation. There is a need to. Furthermore, although the time required for the molten solder to contact the organic substrate is as short as a few seconds, it is necessary to protect the solder on the reflow surface that has already been soldered.
【0034】図3に示す如く、各電子部品3を、有機基
板1の裏面(第2面)1bにリフロー用鉛フリーはんだ
5eを用いてリフローはんだ付けを行ない、次に、第1
面1aが下になるように有機基板1を反転させ、電子部
品3をその表面(第1面)1aにもリフロー用鉛フリー
はんだ5dを用いてリフローはんだ付けを行なう。次
に、この有機基板1の第1面側より挿入部品4を挿入
し、既に実装された第2面1bの電子部品3に溶融はん
だがかからないようにカバーで保護する。ついで、第2
面1bにフロー用鉛フリーはんだ7bによりフローはん
だ付けを行なう。第1面1aと第2面1bとに、Snを
主成分とし、Biを0〜65mass%、Agを0.5
〜4.0mass%、Cu若しくは/及びIn等を合計
0〜3.0mass%含有する組成のSn−Ag−(B
iおよび/または(Cu若しくはIn))の鉛フリーは
んだにおいて、狭い固液共存温度幅を持ったはんだ(B
i量が概ね0〜3mass%、および概ね50〜65m
ass%)5d、5eでリフローはんだ付けした場合、
第2面1bのフローはんだ付け時に基板1に加わる熱
で、リフローしたはんだ5d、5eが溶融しても、Bi
が多く含まれた固くて脆い相の偏析は少なく、部品の接
続強度低下は起こりにくい。そして、この条件を満たす
のは、Bi量が概ね0〜3mass%の場合と、概ね5
0〜65mass%の場合であり、このときフロー用は
んだのBi量は0〜65mass%とすることができ
る。一方、第1面1aまたは第2面1bへのリフロー用
鉛フリーはんだ5d、5eの少なくともどちらか一方
に、広い固液共存温度幅を持ったはんだ(Bi量が概ね
3〜65mass%)を用いてリフローはんだ付けした
場合、つまり、少なくともどちらか一方のはんだのBi
量が概ね3〜50mass%の場合、第2面1bへの上
記組成のはんだSn−Ag−(Biおよび/または(C
u若しくはIn))の鉛フリーはんだにおいて、Bi量
を3〜65mass%の範囲より選び、第1面の広い固
液共存温度幅を持ったリフロー用鉛フリーはんだ5dま
たは5eの固相線温度を、第2面1bへのフローはんだ
の液相線温度以上にすることによって、フローはんだ付
け時に基板に加わる熱で、リフローしたはんだ5d、5
eを溶融しないようにすることができる。なお、この第
3の実施の形態において、第2面側からフローはんだ付
けする際、第1面のリフローはんだ付け部に不活性ガス
を吹き付けて冷却することが好ましい。As shown in FIG. 3, each electronic component 3 is subjected to reflow soldering on the back surface (second surface) 1b of the organic substrate 1 using a reflow lead-free solder 5e.
The organic substrate 1 is turned over so that the surface 1a faces down, and the electronic component 3 is reflow-soldered on its surface (first surface) 1a using the lead-free reflow solder 5d. Next, the insertion component 4 is inserted from the first surface side of the organic substrate 1, and the electronic component 3 on the already mounted second surface 1b is protected by a cover so that the molten solder is not applied. Then the second
Flow soldering is performed on the surface 1b with the lead-free solder for flow 7b. On the first surface 1a and the second surface 1b, Sn is a main component, Bi is 0 to 65 mass%, and Ag is 0.5
Sn-Ag- (B) having a composition containing a total of 0 to 3.0 mass% of Cu or / and In and the like.
i and / or (Cu or In)) lead-free solder having a narrow solid-liquid coexistence temperature range (B
i amount is approximately 0 to 3 mass%, and approximately 50 to 65 m
ass%) When reflow soldering at 5d, 5e,
Even if the reflowed solders 5d and 5e are melted by the heat applied to the substrate 1 during the flow soldering of the second surface 1b, Bi
The segregation of a hard and brittle phase containing a large amount of is small, and the connection strength of components is hardly reduced. This condition is satisfied when the Bi amount is approximately 0 to 3 mass% and approximately 5 mass%.
In this case, the Bi amount of the solder for flow can be set to 0 to 65 mass%. On the other hand, a solder having a wide solid-liquid coexistence temperature range (Bi amount is approximately 3 to 65 mass%) is used for at least one of the reflow lead-free solders 5d and 5e on the first surface 1a or the second surface 1b. Reflow soldering, that is, Bi of at least one of the solders
When the amount is approximately 3 to 50 mass%, the solder Sn-Ag- (Bi and / or (C
u or In)), the Bi content is selected from the range of 3 to 65 mass%, and the solidus temperature of the reflow lead-free solder 5d or 5e having a wide solid-liquid coexistence temperature range on the first surface is determined. The temperature of the liquidus of the flow solder on the second surface 1b or higher, the heat applied to the substrate during the flow soldering allows the reflowed solder 5d, 5
e can be prevented from melting. In the third embodiment, when performing the flow soldering from the second surface side, it is preferable to cool by blowing an inert gas to the reflow soldering portion on the first surface.
【0035】以上説明したように、第3の実施の形態に
よれば、通常用いられるガラスエポキシ等の材質からな
る有機基板1の耐熱温度以下にして、上記鉛フリーはん
だを用いて両面へのリフローはんだ付けと片面へのフロ
ーはんだ付けとをすることを可能にすることができ、し
かも有機基板1上に形成されたCu、Ni等の電極に対
してぬれ性を向上させ、更に融点を約183℃に近づけ
て、脆くもなく、著しく偏析が生じることなく所望の接
続強度を確保することができる。As described above, according to the third embodiment, the temperature of the organic substrate 1 made of a material such as glass epoxy, which is generally used, is kept below the heat-resistant temperature, and the reflow is performed on both surfaces using the lead-free solder. It is possible to perform soldering and flow soldering on one side, and to improve wettability with respect to electrodes such as Cu and Ni formed on the organic substrate 1 and further reduce the melting point to about 183. C., it is not brittle and a desired connection strength can be secured without remarkable segregation.
【0036】(実施例3−1)図3に示す如く、まず、
厚さ1.6mm、縦90mm、横140mm、基板面の
銅箔厚18μmのガラスエポキシ基板1にリードピッ
チ:0.5mm、リード幅:0.2mm、4辺のリード
本数:208、寸法32mm角のQFP−LSI3aと
寸法1.6mm×3.2mmのチップ部品3bを組成S
n−2.8Ag−15Bi−0.5Cu(単位:mas
s%)(固相線温度:約155℃、液相線温度:約20
4℃)のはんだペースト5e1により基板1の第2面1
bに約220℃でリフロー接続した。次に、この基板1
を反転させて第1面1aを上にして基板1の第1面1a
にも第2面と同じQFP−LSI3aとチップ部品3b
を組成Sn−2.8Ag−15Bi−0.5Cu(単
位:mass%)(固相線温度:約155℃、液相線温
度:約204℃)のはんだぺースト5d1により約22
0℃でリフローはんだ付けした。このとき、第2面1b
への部品3の内比較的重いQFP−LSIのみ基板1に
接着剤で固定したが、比較的軽いチップ部品は固定しな
くても第1面1aのリフロー時に部品が落下することは
なかった。そして、次に、この基板1の第1面側より挿
入部品4を挿入し、その裏面(第2面)1bの既にリフ
ロー接続された電子部品3に溶融はんだがかからないよ
うにカバー(図示せず)で保護し、第2面1bに約15
0℃にしたSn−1Ag−57Bi(単位:mass
%)(固相線温度:約137℃、液相線温度:約137
℃)の噴流はんだを当て、フロー用はんだ7b1により
フローはんだ付けを行なった。この実施例3−1の場
合、両面1a、1bへのリフロー用はんだ5d1、5e
1の固相線温度約155℃を、第2面1bへのフロー用
はんだ7b1の液相線温度約137℃以上にすることに
よって、フローはんだ付け時に基板に加わる熱で、リフ
ローしたはんだ5d1、5e1を溶融しないようにする
ことができる。(Embodiment 3-1) As shown in FIG.
Lead pitch: 0.5 mm, lead width: 0.2 mm, number of leads on each side: 208, dimensions 32 mm square, 1.6 mm thick, 90 mm long, 140 mm wide, and 18 μm thick copper foil on the board surface QFP-LSI 3a and a chip component 3b of dimensions 1.6 mm × 3.2 mm
n-2.8Ag-15Bi-0.5Cu (unit: mas)
s%) (solidus temperature: about 155 ° C, liquidus temperature: about 20
4 ° C.) with the solder paste 5e1.
b was connected by reflow at about 220 ° C. Next, this substrate 1
And the first surface 1a of the substrate 1 with the first surface 1a facing up.
The same QFP-LSI 3a and chip component 3b as the second surface
About 22% by a solder paste 5d1 having a composition Sn-2.8Ag-15Bi-0.5Cu (unit: mass%) (solidus temperature: about 155 ° C., liquidus temperature: about 204 ° C.)
Reflow soldering was performed at 0 ° C. At this time, the second surface 1b
Although only the relatively heavy QFP-LSI of the components 3 was fixed to the substrate 1 with an adhesive, the components did not drop during the reflow of the first surface 1a without fixing the relatively light chip components. Then, the insertion component 4 is inserted from the first surface side of the substrate 1, and a cover (not shown) is formed so that the molten solder does not cover the electronic component 3 on the back surface (second surface) 1 b that has already been reflow-connected. ) And protect the second surface 1b by about 15
Sn-1Ag-57Bi at 0 ° C. (unit: mass)
%) (Solidus temperature: about 137 ° C, liquidus temperature: about 137)
C.) and flow soldering was performed with the flow solder 7b1. In the case of this embodiment 3-1, the reflow solders 5d1, 5e on both surfaces 1a, 1b.
By setting the solidus temperature of about 155 ° C. to a liquidus temperature of about 137 ° C. or more of the flow solder 7b1 to the second surface 1b, the heat applied to the substrate at the time of flow soldering causes the reflowed solder 5d1, 5e1 can be prevented from melting.
【0037】その結果、接続後の基板両面のQFP−L
SIのリードの45°ピール強度を、図5および図6に
示す方法で測定し、平均値を出したところ基板両面とも
約6Nとなり十分な強度が確保されていることがわかっ
た。即ち、フロー用はんだ7b1の液相線温度約137
℃を、はんだペースト5d1、5e1の固相線温度約1
55℃よりも低くしてあるため、第2面1bにフロー用
はんだ7b1を用いてリフロー接続する際、第1面1a
および第2面1bにリフロー接続されたはんだペースト
5d1、5e1への影響はほとんどなく、第2面1bは
勿論、第1面1aについても十分な接続強度を得ること
ができた。As a result, the QFP-L on both sides of the board after connection
The 45 ° peel strength of the SI lead was measured by the method shown in FIGS. 5 and 6, and an average value was obtained. It was found that both sides of the substrate were about 6N, and sufficient strength was secured. That is, the liquidus temperature of the flow solder 7b1 is about 137.
℃, the solidus temperature of solder paste 5d1, 5e1 about 1
Since the temperature is lower than 55 ° C., when the reflow connection is performed on the second surface 1 b using the flow solder 7 b 1, the first surface 1 a
In addition, there was almost no effect on the solder pastes 5d1 and 5e1 reflow-connected to the second surface 1b, and sufficient connection strength was obtained not only for the second surface 1b but also for the first surface 1a.
【0038】(実施例3−2)図3に示す如く、まず、
厚さ1.6mm、縦90mm、横140mm、基板面の
銅箔厚18μmのガラスエポキシ基板1にリードピッ
チ:0.5mm、リード幅:0.2mm、4辺のリード
本数:208、寸法32mm角のQFP−LSI3aと
寸法1.6mm×3.2mmのチップ部品3bを組成S
n−4Ag−1Cu(単位:mass%)(固相線温
度:約215℃、液相線温度:約215℃)のはんだペ
ースト5e2により基板1の第2面1bに約230℃で
リフロー接続した。次に、この基板1を反転させて第1
面1aを上にして基板1の第1面1aにも第2面1bと
同じQFP−LSI3aとチップ部品3bを組成Sn−
4Ag−1Cu(単位:mass%)(固相線温度:約
215℃、液相線温度:約215℃)のはんだぺースト
5d2により約230℃でリフローはんだ付けした。こ
のとき、第2面1bへの部品3の内比較的重いQFP−
LSIのみ基板1に接着剤で固定したが、比較的軽いチ
ップ部品は固定しなくても第1面のリフロー時に部品が
落下することはなかった。そして、次に、この基板の第
1面側より挿入部品4を挿入し、その裏面(第2面)1
bの既にリフロー接続された電子部品3に溶融はんだが
かからないようにカバー(図示せず)で保護し、第2面
1bに約215℃にしたSn−2.8Ag−15Bi−
0.5Cu(単位:mass%)(固相線温度:約15
5℃、液相線温度:約204℃)の噴流はんだを当て、
フロー用はんだ7b2によりフローはんだ付けを行なっ
た。(Embodiment 3-2) As shown in FIG.
Lead pitch: 0.5 mm, lead width: 0.2 mm, number of leads on each side: 208, dimensions 32 mm square, 1.6 mm thick, 90 mm long, 140 mm wide, and 18 μm thick copper foil on the board surface QFP-LSI 3a and a chip component 3b of dimensions 1.6 mm × 3.2 mm
The solder paste 5e2 of n-4Ag-1Cu (unit: mass%) (solidus temperature: about 215 ° C., liquidus temperature: about 215 ° C.) was reflow-connected to the second surface 1b of the substrate 1 at about 230 ° C. . Next, the substrate 1 is turned over and the first
The same QFP-LSI 3a and chip component 3b as the second surface 1b are also formed on the first surface 1a of the substrate 1 with the surface 1a facing up.
Reflow soldering was performed at about 230 ° C. with a solder paste 5d2 of 4Ag-1Cu (unit: mass%) (solidus temperature: about 215 ° C., liquidus temperature: about 215 ° C.). At this time, the relatively heavy QFP-
Only the LSI was fixed to the substrate 1 with an adhesive, but even if relatively light chip components were not fixed, the components did not drop during reflow of the first surface. Then, the insertion component 4 is inserted from the first surface side of the substrate, and the back surface (second surface) 1
(b) is protected by a cover (not shown) so that molten solder is not applied to the already reflow-connected electronic component 3, and the second surface 1 b is Sn-2.8Ag-15Bi- at about 215 ° C.
0.5 Cu (unit: mass%) (solidus temperature: about 15
5 ° C, liquidus temperature: about 204 ° C)
Flow soldering was performed with the flow solder 7b2.
【0039】この実施例3−2の場合、両面1a、1b
へのリフロー用はんだ5d2、5e2の固相線温度約2
15℃を、第2面1bへのフロー用はんだ7b2の液相
線温度約204℃以上にすることによって、フローはん
だ付け時に基板に加わる熱で、リフローしたはんだ5d
2、5e2を溶融しないようにすることができる。In the case of this embodiment 3-2, both surfaces 1a, 1b
Solidus temperature of reflow solder 5d2, 5e2 about 2
By setting the temperature of 15 ° C. to a liquidus temperature of about 204 ° C. or more of the flow solder 7b2 to the second surface 1b, the solder 5d reflowed by the heat applied to the substrate during the flow soldering
2, 5e2 can be prevented from melting.
【0040】その結果、接続後の基板両面のQFP−L
SIのリードの45°ピール強度を、図5および図6に
示す方法で測定し、平均値を出したところ基板両面とも
約6Nとなり十分な強度が確保されていることがわかっ
た。即ち、フロー用はんだ7b2の液相線温度約204
℃を、はんだペースト5d2、5e2の固相線温度約2
15℃よりも低くしてあるため、第2面1bにフロー用
はんだ7b2を用いてリフロー接続する際、第1面1a
および第2面1bにリフロー接続されたはんだペースト
5d2、5e2への影響はほとんどなく、第2面1bは
勿論、第1面1aについても十分な接続強度を得ること
ができた。As a result, the QFP-L on both sides of the board after connection
The 45 ° peel strength of the SI lead was measured by the method shown in FIGS. 5 and 6, and an average value was obtained. It was found that both sides of the substrate were about 6N, and sufficient strength was secured. That is, the liquidus temperature of the flow solder 7b2 is about 204.
℃, the solidus temperature of the solder paste 5d2, 5e2 about 2
Since the temperature is lower than 15 ° C., when the reflow connection is performed on the second surface 1 b using the flow solder 7 b 2, the first surface 1 a
In addition, the solder pastes 5d2 and 5e2 reflow-connected to the second surface 1b have almost no effect, and sufficient connection strength was obtained not only for the second surface 1b but also for the first surface 1a.
【0041】(実施例3−3)図3に示す如く、まず、
厚さ1.6mm、縦90mm、横140mm、基板面の
銅箔厚18μmのガラスエポキシ基板1にリードピッ
チ:0.5mm、リード幅:0.2mm、4辺のリード
本数:208、寸法32mm角のQFP−LSI3aと
寸法1.6mm×3.2mmのチップ部品3bを組成S
n−4Ag−1Cu(単位:mass%)(固相線温
度:215℃、液相線温度:215℃)のはんだペース
ト5e2により基板1の第2面1bに約230℃でリフ
ロー接続した。次に、この基板1を反転し、第1面1a
を上にして基板1の第1面1aにも第2面と同じQFP
−LSI3aとチップ部品3bを組成Sn−2.8Ag
−15Bi−0.5Cu(単位:mass%)(固相線
温度:約155℃、液相線温度:約204℃)のはんだ
ぺースト5d3により約220℃でリフローはんだ付け
した。このとき、第2面1bの部品の内比較的重いQF
P−LSI3aのみ基板1に接着剤で固定したが、比較
的軽いチップ部品は固定しなくても第1面1aへのリフ
ロー時に部品が落下することはなかった。そして次に、
この基板1の第1面側より挿入部品4を挿入し、その裏
面(第2面)の既にリフロー接続された電子部品3に溶
融はんだがかからないようにカバー(図示せず)で保護
し、第2面に約150℃にしたSn−1Ag−57Bi
(単位:mass%)(固相線温度:137℃、液相線
温度:137℃)の噴流はんだを当て、フロー用はんだ
7b1によりフローはんだ付けを行なった。(Embodiment 3-3) As shown in FIG.
Lead pitch: 0.5 mm, lead width: 0.2 mm, number of leads on each side: 208, dimensions 32 mm square, 1.6 mm thick, 90 mm long, 140 mm wide, and 18 μm thick copper foil on the board surface QFP-LSI 3a and a chip component 3b of dimensions 1.6 mm × 3.2 mm
The solder paste 5e2 of n-4Ag-1Cu (unit: mass%) (solidus temperature: 215 ° C, liquidus temperature: 215 ° C) was reflow-connected to the second surface 1b of the substrate 1 at about 230 ° C. Next, the substrate 1 is inverted, and the first surface 1a
With the same QFP as the second surface on the first surface 1a of the substrate 1
Composition of LSI 3a and chip component 3b with Sn-2.8Ag
Reflow soldering was performed at about 220 ° C. using a solder paste 5d3 of −15 Bi-0.5 Cu (unit: mass%) (solidus temperature: about 155 ° C., liquidus temperature: about 204 ° C.). At this time, the relatively heavy QF among the components on the second surface 1b
Although only the P-LSI 3a was fixed to the substrate 1 with an adhesive, even when relatively light chip components were not fixed, the components did not drop during reflow to the first surface 1a. And then
The insert component 4 is inserted from the first surface side of the substrate 1 and is protected by a cover (not shown) so that molten solder is not applied to the electronic component 3 on the rear surface (second surface) that has already been reflow-connected. Sn-1Ag-57Bi on two sides at about 150 ° C
(Unit: mass%) (solidus temperature: 137 ° C., liquidus temperature: 137 ° C.) was applied by a jet solder, and flow soldering was performed by the flow solder 7b1.
【0042】この実施例3−3の場合、第1面1aへの
リフロー用はんだ5d3の固相線温度約155℃、およ
び第2面1bへのリフロー用はんだ5e2の固相線温度
約215℃を、第2面1bへのフロー用はんだ7b1の
液相線温度約137℃以上にすることによって、フロー
はんだ付け時に基板に加わる熱で、リフローしたはんだ
5d3、5e2を溶融しないようにすることができる。
その結果、接続後の基板両面のQFP−LSIのリード
の45°ピール強度を、図5および図6に示す方法で測
定し、平均値を出したところ基板両面とも約6Nとなり
十分な強度が確保されていることがわかった。即ち、フ
ロー用はんだ7b1の液相線温度約137℃を、はんだ
ペースト5d3の固相線温度約155℃、およびはんだ
ペースト5e2の固相線温度約215℃よりも低くして
あるため、第2面1bにフロー用はんだ7b1を用いて
リフロー接続する際、第1面1aおよび第2面1bにリ
フロー接続されたはんだペースト5d3、5e2への影
響はほとんどなく、第2面1bは勿論、第1面1aにつ
いても十分な接続強度を得ることができた。In the case of Example 3-3, the solidus temperature of the reflow solder 5d3 on the first surface 1a is about 155 ° C., and the solidus temperature of the reflow solder 5e2 on the second surface 1b is about 215 ° C. To a liquidus temperature of about 137 ° C. or more of the flow solder 7b1 to the second surface 1b so that the heat applied to the substrate during the flow soldering does not melt the reflowed solders 5d3 and 5e2. it can.
As a result, the 45 ° peel strength of the leads of the QFP-LSI on both sides of the board after connection was measured by the method shown in FIGS. 5 and 6, and an average value was obtained. It turned out that it was. That is, the liquidus temperature of the flow solder 7b1 is about 137 ° C. lower than the solidus temperature of the solder paste 5d3 of about 155 ° C. and the solder paste 5e2 of about 215 ° C. When the reflow connection is performed on the surface 1b using the flow solder 7b1, there is almost no effect on the solder pastes 5d3 and 5e2 reflow-connected to the first surface 1a and the second surface 1b. Sufficient connection strength was also obtained for the surface 1a.
【0043】以上説明したように本発明は、第1面にお
ける鉛フリーはんだの固相線温度が、第2面における鉛
フリーはんだの液相線温度以上である鉛フリーはんだに
よって有機基板の第1面および第2面からなる両面の各
々に電子部品を接続して構成することによって両面共に
十分な接続強度を得ることができる。As described above, according to the present invention, the first substrate of the organic substrate is formed by a lead-free solder whose solidus temperature on the first surface is higher than the liquidus temperature of the lead-free solder on the second surface. By connecting the electronic component to each of the two surfaces including the surface and the second surface, sufficient connection strength can be obtained on both surfaces.
【0044】また、本発明は、電子部品を、鉛フリーは
んだによって有機基板の第1面にリフローはんだ付けす
るリフローはんだ付け工程と、装着された電子部品の電
極に対して、液相線温度が前記第1面における鉛フリー
はんだの固相線温度以下の鉛フリーはんだによって有機
基板の第1面の反対の第2面側からフローはんだ付けす
るフローはんだ付け工程とを有する鉛フリーはんだを用
いた実装方法によって両面共に十分な接続強度を得るこ
とができる。Further, the present invention provides a reflow soldering step of reflow soldering an electronic component to a first surface of an organic substrate with lead-free solder, and a method in which a liquidus temperature is applied to an electrode of a mounted electronic component. A flow soldering step of performing flow soldering from the second surface side opposite to the first surface of the organic substrate with a lead-free solder having a solidus temperature of the solid-phase temperature of the lead-free solder on the first surface or less. Depending on the mounting method, a sufficient connection strength can be obtained on both sides.
【0045】[0045]
【発明の効果】本発明によれば、ガラスエポキシ基板等
の有機基板の両面に、LSI、チップ部品等の電子部品
を、環境汚染を低減する鉛フリーはんだを用いて、ねれ
性を著しく低下させることなく、更に融点を約183℃
に近づけて、脆くもなく、著しく偏析が生じることなく
所望の接続強度でもってはんだ付けして接続部の信頼性
を向上させることができる効果を奏する。また、本発明
によれば、ガラスエポキシ基板等の有機基板の両面に、
LSI、チップ部品等の電子部品を、環境汚染を低減す
るSn−Ag−(Biおよび/または(Cu若しくはI
n等))系の鉛フリーはんだを用いて、ねれ性を著しく
低下させることなく、更に融点を約183℃に近づけ
て、脆くもなく、著しく偏析が生じることなく所望の接
続強度でもってはんだ付けして接続部の信頼性を向上さ
せることができる効果を奏する。また、本発明によれ
ば、Sn−Ag−Bi系鉛フリーはんだを用いてガラス
エポキシ基板等の有機基板へのLSI、チップ部品等の
電子部品の表面実装とその裏面への表面実装や挿入部品
実装を行い、フローはんだ付けの際の部品はずれ、接続
部の強度低下を起こさずにリフローはんだ付けとフロー
はんだ付けとが可能となる。According to the present invention, electronic parts such as LSIs and chip parts are formed on both sides of an organic substrate such as a glass epoxy substrate by using lead-free solder for reducing environmental pollution, thereby significantly lowering the wettability. Without further melting, the melting point is about 183 ° C
, The effect of being able to improve the reliability of the connection portion by soldering with a desired connection strength without being brittle and without significant segregation. According to the present invention, on both sides of an organic substrate such as a glass epoxy substrate,
Electronic components such as LSIs and chip components can be replaced with Sn-Ag- (Bi and / or (Cu or I
n))-based lead-free solder, without remarkably lowering the wettability, and furthermore, by bringing the melting point close to about 183 ° C., without being brittle, and without causing significant segregation and having a desired connection strength. Thus, there is an effect that the reliability of the connecting portion can be improved. Further, according to the present invention, the surface mounting of an electronic component such as an LSI or a chip component on an organic substrate such as a glass epoxy substrate using a Sn-Ag-Bi-based lead-free solder, and the surface mounting or insertion component on the back surface thereof Reflow soldering and flow soldering can be performed without mounting components, displacing components during flow soldering, and reducing the strength of the connection portion.
【図1】本発明に係る第1面リフローと第2面リフロー
の組み合わせの鉛フリーはんだを用いた混載実装基板を
示す正面図である。FIG. 1 is a front view showing a hybrid mounting substrate using lead-free solder in a combination of first surface reflow and second surface reflow according to the present invention.
【図2】本発明に係る第1面リフローと第2面フローの
組み合わせの鉛フリーはんだを用いた混載実装基板を示
す正面図である。FIG. 2 is a front view showing a mixed mounting substrate using lead-free solder in a combination of a first surface reflow and a second surface flow according to the present invention.
【図3】本発明に係る第1面リフロー、第2面リフロ
ー、第1面フローの組み合わせの鉛フリーはんだを用い
た混載実装基板を示す正面図である。FIG. 3 is a front view showing a hybrid mounting substrate using lead-free solder in a combination of first surface reflow, second surface reflow, and first surface flow according to the present invention.
【図4】本発明に係るSn−Ag、Ag−Bi2元共晶
線に沿ったSn−Ag−Bi系3元合金の固液相線温度
の関係を示す図である。FIG. 4 is a graph showing the relationship between the solid-liquid phase temperature of the Sn—Ag—Bi-based ternary alloy along the Sn—Ag and Ag—Bi binary eutectic lines according to the present invention.
【図5】45°ピール試験装置の概略構成を示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a 45 ° peel test apparatus.
【図6】45°ピール試験装置における表面実装用部品
取り付け部を示す拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view showing a surface mounting component mounting portion in the 45 ° peel test apparatus.
1…有機基板、1a…第1面、1b…第2面、3…電子
部品、3a…LSI、3b…チップ部品、4…挿入部
品、5a〜5e…リフロー用鉛フリーはんだ、7a、7
b…フロー用鉛フリーはんだ、9…Sn−Ag−Bi3
元合金系におけるSn−Ag2元共晶線上の固相線温
度、10…Sn−Ag−Bi3元合金系におけるSn−
Ag2元共晶線上の液相線温度、11…Sn−Ag−B
i3元合金系におけるAg−Bi2元共晶線上の固相線
温度、12…Sn−Ag−Bi3元合金系におけるAg
−Bi2元共晶線上の液相線温度DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic substrate, 1a ... 1st surface, 1b ... 2nd surface, 3 ... Electronic components, 3a ... LSI, 3b ... Chip components, 4 ... Insert components, 5a-5e ... Lead-free solder for reflow, 7a, 7
b: Lead-free solder for flow, 9: Sn-Ag-Bi3
Solidus temperature on Sn-Ag binary eutectic line in ternary alloy system, Sn- in Sn-Ag-Bi ternary alloy system
Liquidus temperature on Ag binary eutectic line, 11 ... Sn-Ag-B
Solidus temperature on Ag-Bi binary eutectic line in i-ternary alloy system, 12 ... Ag in Sn-Ag-Bi ternary alloy system
-Liquidus temperature on Bi binary eutectic line
Claims (13)
〜65mass%、Agを0.5〜4.0mass%、
Cu若しくは/及びInを合計0〜3.0mass%含
有する鉛フリーはんだによって有機基板の第1面および
第2面からなる両面の各々に接続して構成したことを特
徴とする鉛フリーはんだを用いた実装構造体。1. An electronic component comprising Sn as a main component and Bi of 0
~ 65 mass%, Ag is 0.5 ~ 4.0 mass%,
A lead-free solder characterized by being connected to each of the first and second surfaces of the organic substrate by a lead-free solder containing a total of 0 to 3.0 mass% of Cu or / and In. Mounting structure.
度が、第2面における鉛フリーはんだの液相線温度以上
である鉛フリーはんだによって有機基板の第1面および
第2面からなる両面の各々に電子部品を接続して構成し
たことを特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装構造
体。2. The first surface and the second surface of the organic substrate formed by a lead-free solder having a solidus temperature of the lead-free solder on the first surface which is equal to or higher than a liquidus temperature of the lead-free solder on the second surface. A mounting structure using lead-free solder, wherein an electronic component is connected to each of both surfaces.
〜65mass%、Agを0.5〜4.0mass%、
Cu若しくは/及びInを合計0〜3.0mass%含
有し、第1面における鉛フリーはんだの固相線温度が、
第2面における鉛フリーはんだの液相線温度以上である
鉛フリーはんだによって有機基板の第1面および第2面
からなる両面の各々に接続して構成したことを特徴とす
る鉛フリーはんだを用いた実装構造体。3. The electronic component according to claim 1, wherein Sn is a main component and Bi is 0.
~ 65 mass%, Ag is 0.5 ~ 4.0 mass%,
Contains a total of 0-3.0 mass% of Cu or / and In, and the solidus temperature of the lead-free solder on the first surface is:
A lead-free solder, wherein the lead-free solder having a liquidus temperature equal to or higher than the liquidus temperature of the lead-free solder on the second surface is connected to each of the first and second surfaces of the organic substrate. Mounting structure.
〜3mass%または50〜65mass%、Agを
0.5〜4.0mass%、Cu若しくは/及びInを
合計0〜3.0mass%含有する鉛フリーはんだによ
って有機基板の第1面に接続して構成し、 電子部品を前記第1面と反対の第2面側から、Snを主
成分とし、Biを0〜65mass%、Agを0.5〜
4.0mass%、Cu若しくは/及びInを合計0〜
3.0mass%含有する鉛フリーはんだによって有機
基板に接続して構成したことを特徴とする鉛フリーはん
だを用いた実装構造体。4. The electronic component has Sn as a main component and Bi of 0.
3% by mass or 50 to 65% by mass, Ag is 0.5 to 4.0% by mass, and Cu and / or In are connected to the first surface of the organic substrate by a lead-free solder containing a total of 0 to 3.0% by mass. Then, the electronic component is composed of Sn as a main component, Bi of 0 to 65 mass%, and Ag of 0.5 to 0.5 from the second surface side opposite to the first surface.
4.0 mass%, Cu and / or In are 0 to total.
A mounting structure using lead-free solder, wherein the mounting structure is connected to an organic substrate with a lead-free solder containing 3.0 mass%.
〜50mass%、Agを0.5〜4.0mass%、
Cu若しくは/及びInを合計0〜3.0mass%含
有する鉛フリーはんだによって有機基板の第1面に接続
して構成し、 装着された電子部品の電極を、前記第1面と反対の第2
面側から、Snを主成分とし、Biを3〜65mass
%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは/
及びInを合計0〜3.0mass%含有し、液相線温
度が前記第1面における鉛フリーはんだの固相線温度以
下の鉛フリーはんだによって有機基板に接続して構成し
たことを特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装構造
体。5. An electronic component comprising Sn as a main component and Bi as 3
~ 50 mass%, Ag is 0.5 ~ 4.0 mass%,
A lead-free solder containing a total of 0 to 3.0 mass% of Cu or / and In is connected to the first surface of the organic substrate, and the electrode of the mounted electronic component is connected to the second surface opposite to the first surface.
From the surface side, Sn is the main component and Bi is 3 to 65 mass.
%, Ag is 0.5 to 4.0 mass%, Cu or /
And In in total of 0 to 3.0 mass%, and connected to the organic substrate by a lead-free solder having a liquidus temperature equal to or lower than a solidus temperature of the lead-free solder on the first surface. Mounting structure using lead-free solder.
面からなる両面の各々に、Snを主成分とし、Biを0
〜65mass%、Agを0.5〜4.0mass%、
Cu若しくは/及びInを合計0〜3.0mass%含
有する鉛フリーはんだによってリフローはんだ付けする
ことを特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装方法。6. The method according to claim 6, wherein the electronic component is provided on the first surface and the second surface of the organic substrate.
On each of the two surfaces, Sn is a main component and Bi is 0
~ 65 mass%, Ag is 0.5 ~ 4.0 mass%,
A mounting method using lead-free solder, wherein reflow soldering is performed using lead-free solder containing a total of 0 to 3.0 mass% of Cu or / and In.
〜3mass%または50〜65mass%、Agを
0.5〜4.0mass%、Cu若しくは/及びInを
合計0〜3.0mass%含有する鉛フリーはんだによ
って有機基板の第1面にリフローはんだ付けするリフロ
ーはんだ付け工程と、 電子部品を、Snを主成分とし、Biを0〜65mas
s%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは
/及びInを合計0〜3.0mass%含有する鉛フリ
ーはんだによって有機基板の第1面の反対の第2面側か
らフローはんだ付けするフローはんだ付け工程とを有す
ることを特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装方法。7. The electronic component has Sn as a main component and Bi of 0.
Reflow soldering is performed on the first surface of the organic substrate using a lead-free solder containing 33 mass% or 50-65 mass%, Ag 0.5-4.0 mass%, and Cu and / or In in total 0-3.0 mass%. The reflow soldering process and the electronic component, with Sn as the main component and Bi of 0 to 65mas
flow soldering from the second surface side opposite to the first surface of the organic substrate by a lead-free solder containing 0.5 to 4.0 mass% of Ag, 0.5 to 4.0 mass% of Ag, and a total of 0 to 3.0 mass% of Cu or / and In. And a flow soldering step.
基板の第1面にリフローはんだ付けするリフローはんだ
付け工程と、 装着された電子部品の電極に対して、液相線温度が前記
第1面における鉛フリーはんだの固相線温度以下の鉛フ
リーはんだによって有機基板の第1面の反対の第2面側
からフローはんだ付けするフローはんだ付け工程とを有
することを特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装方
法。8. A reflow soldering step of reflow soldering an electronic component to a first surface of an organic substrate by using lead-free solder; and a step of setting a liquidus temperature to the first surface of an electrode of the mounted electronic component. A flow soldering step of performing flow soldering from the second surface side opposite to the first surface of the organic substrate with a lead-free solder having a solidus temperature or lower than the solidus temperature of the lead-free solder in the above. Implementation method.
〜50mass%、Agを0.5〜4.0mass%、
Cu若しくは/及びInを合計0〜3.0mass%含
有する鉛フリーはんだによって有機基板の第1面にリフ
ローはんだ付けするリフローはんだ付け工程と、 装着された電子部品の電極に対して、Snを主成分と
し、Biを3〜65mass%、Agを0.5〜4.0
mass%、Cu若しくは/及びInを合計0〜3.0
mass%含有し、液相線温度が前記第1面における鉛
フリーはんだの固相線温度以下の鉛フリーはんだによっ
て有機基板の第1面の反対の第2面側からフローはんだ
付けするフローはんだ付け工程とを有することを特徴と
する鉛フリーはんだを用いた実装方法。9. An electronic component comprising Sn as a main component and Bi of 3
~ 50 mass%, Ag is 0.5 ~ 4.0 mass%,
A reflow soldering step of reflow soldering to the first surface of the organic substrate with a lead-free solder containing a total of 0 to 3.0 mass% of Cu or / and In; As components, Bi is 3-65 mass%, and Ag is 0.5-4.0.
mass%, Cu and / or In in total of 0 to 3.0
flow soldering in which the liquidus temperature is lower than the solidus temperature of the lead-free solder on the first surface and the liquidus temperature is lower than the solidus temperature of the first surface by flow soldering from the second surface side opposite to the first surface of the organic substrate. And a mounting method using a lead-free solder.
0〜3mass%または50〜65mass%、Agを
0.5〜4.0mass%、Cu若しくは/及びInを
合計0〜3.0mass%含有する鉛フリーはんだによ
って有機基板の第1面および該第1面の反対の第2面に
リフローはんだ付けするリフローはんだ付け工程と、 第2面への電子部品をカバーで保護し、装着された電子
部品の電極に対して、Snを主成分とし、Biを0〜6
5mass%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu
若しくは/及びInを合計0〜3.0mass%含有す
る鉛フリーはんだによって有機基板の第2面側からフロ
ーはんだ付けするフローはんだ付け工程とを有すること
を特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装方法。10. An electronic component containing Sn as a main component, Bi of 0 to 3 mass% or 50 to 65 mass%, Ag of 0.5 to 4.0 mass%, and Cu and / or In of 0 to 3.0 mass in total. % Reflow soldering on the first surface of the organic substrate and the second surface opposite to the first surface with lead-free solder, and the electronic component on the second surface is protected by a cover and mounted. To the electrodes of the electronic component, the main component of which is Sn,
5 mass%, Ag is 0.5 to 4.0 mass%, Cu
And / or a flow soldering step of performing flow soldering from the second surface side of the organic substrate with a lead-free solder containing a total of 0 to 3.0 mass% of In. .
0〜3mass%または50〜65mass%、Agを
0.5〜4.0mass%、Cu若しくは/及びInを
合計0〜3.0mass%含有する鉛フリーはんだによ
って有機基板の第2面にリフローはんだ付けし、更に電
子部品を、Snを主成分とし、Biを3〜50mass
%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは/
及びInを合計0〜3.0mass%含有する鉛フリー
はんだによって前記第2面と反対の第1面にリフローは
んだ付けするリフローはんだ付け工程と、 第2面への電子部品をカバーで保護し、装着された電子
部品の電極に対して、Snを主成分とし、Biを3〜6
5mass%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu
若しくは/及びInを合計0〜3.0mass%含有す
る鉛フリーはんだによって有機基板の第2面側からフロ
ーはんだ付けするフローはんだ付け工程とを有すること
を特徴とする鉛フリーはんだを用いた実装方法。11. An electronic component comprising Sn as a main component, Bi of 0 to 3 mass% or 50 to 65 mass%, Ag of 0.5 to 4.0 mass%, and Cu and / or In of 0 to 3.0 mass in total. %, And reflow soldering to the second surface of the organic substrate with lead-free solder, and further, the electronic component is mainly composed of Sn and has a Bi content of 3 to 50 mass.
%, Ag is 0.5 to 4.0 mass%, Cu or /
And a reflow soldering step of reflow soldering the first surface opposite to the second surface with a lead-free solder containing a total of 0 to 3.0 mass% of In and In; protecting the electronic component on the second surface with a cover; For the electrodes of the mounted electronic component, Sn is the main component and Bi is 3 to 6
5 mass%, Ag is 0.5 to 4.0 mass%, Cu
And / or a flow soldering step of performing flow soldering from the second surface side of the organic substrate with a lead-free solder containing a total of 0 to 3.0 mass% of In. .
3〜50mass%、Agを0.5〜4.0mass
%、Cu若しくは/及びInを合計0〜3.0mass
%含有する鉛フリーはんだによって有機基板の第2面に
リフローはんだ付けし、更に電子部品を、Snを主成分
とし、Biを0〜3mass%または50〜65mas
s%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu若しくは
/及びInを合計0〜3.0mass%含有する鉛フリ
ーはんだによって前記第2面と反対の第1面にリフロー
はんだ付けするリフローはんだ付け工程と、 第2面への電子部品をカバーで保護し、装着された電子
部品の電極に対して、Snを主成分とし、Biを3〜6
5mass%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu
若しくは/及びInを合計0〜3.0mass%含有
し、液相線温度が前記第1面へのリフロー用鉛フリーは
んだの固相線温度以上の鉛フリーはんだによって有機基
板の第2面側からフローはんだ付けするフローはんだ付
け工程とを有することを特徴とする鉛フリーはんだを用
いた実装方法。12. An electronic component comprising Sn as a main component, Bi of 3 to 50 mass%, and Ag of 0.5 to 4.0 mass.
%, Cu or / and In in total of 0-3.0 mass
%, And reflow soldering to the second surface of the organic substrate using lead-free solder containing more than 10% by weight, and further, the electronic component is composed mainly of Sn and contains 0 to 3% by mass of Bi or 50 to 65% by mass.
s%, Ag is 0.5 to 4.0 mass%, and Cu or / and In are reflow soldered to the first surface opposite to the second surface by a lead-free solder containing 0 to 3.0 mass% in total. Attaching the electronic component to the second surface with a cover, and using Sn as a main component and Bi of 3 to 6 with respect to the electrodes of the mounted electronic component.
5 mass%, Ag is 0.5 to 4.0 mass%, Cu
And / or a total of 0 to 3.0 mass% of In, and the liquidus temperature is higher than the solidus temperature of the reflow lead-free solder to the first surface by a lead-free solder from the second surface side of the organic substrate. A mounting method using lead-free solder, comprising: a flow soldering step of performing flow soldering.
3〜50mass%、Agを0.5〜4.0mass
%、Cu若しくは/及びInを合計0〜3.0mass
%含有する鉛フリーはんだによって有機基板の第1面お
よび該第1面の反対の第2面にリフローはんだ付けする
フローはんだ付け工程と、 第2面への電子部品をカバーで保護し、装着された電子
部品の電極に対して、Snを主成分とし、Biを3〜6
5mass%、Agを0.5〜4.0mass%、Cu
若しくは/及びInを合計0〜3.0mass%含有
し、液相線温度が前記第1面へのリフロー用鉛フリーは
んだの固相線温度以上の鉛フリーはんだによって有機基
板の第2面側からフローはんだ付けするフローはんだ付
け工程とを有することを特徴とする鉛フリーはんだを用
いた実装方法。13. An electronic component comprising Sn as a main component, Bi of 3 to 50 mass%, and Ag of 0.5 to 4.0 mass.
%, Cu or / and In in total of 0-3.0 mass
% Reflow soldering on the first surface of the organic substrate and the second surface opposite to the first surface with a lead-free solder containing, and an electronic component on the second surface protected by a cover and mounted. To the electrodes of the manufactured electronic component, the main component of which is Sn and the Bi
5 mass%, Ag is 0.5 to 4.0 mass%, Cu
And / or a total of 0 to 3.0 mass% of In, and the liquidus temperature is higher than the solidus temperature of the reflow lead-free solder to the first surface by a lead-free solder from the second surface side of the organic substrate. A mounting method using lead-free solder, comprising: a flow soldering step of performing flow soldering.
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|---|---|---|---|
| JP2599898A JPH11221694A (en) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | Mounting structure using lead-free solder and mounting method using the same |
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|---|---|---|---|
| JP2599898A JPH11221694A (en) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | Mounting structure using lead-free solder and mounting method using the same |
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|---|---|---|---|
| JP2004189104A Division JP2004363618A (en) | 2004-06-28 | 2004-06-28 | Mounting structure using lead-free solder and mounting method using the same |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11221694A true JPH11221694A (en) | 1999-08-17 |
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| JP2599898A Pending JPH11221694A (en) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | Mounting structure using lead-free solder and mounting method using the same |
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-
1998
- 1998-02-06 JP JP2599898A patent/JPH11221694A/en active Pending
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