JPH11221964A

JPH11221964A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JPH11221964A
Application number: JP10026967A
Authority: JP
Inventors: Takumi Nagao; 卓美長尾
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1998-02-09
Filing date: 1998-02-09
Publication date: 1999-08-17

Abstract

(57)【要約】【課題】青色レーザー光に対応する光学記録媒体を提
供する。【解決手段】基板上にレーザーによる情報の書き込み
及び／又は読み取りが可能な記録層が設けられた光学記
録媒体において、該記録層が下記一般式（Ｉ）【化１】（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、それぞれ独立して、置換基を有
していてもよい芳香環又は複素環を表わし、Ｘ¹〜Ｘ⁸
はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又はニトロ
基を表わし、Ｍは水素原子又は金属を表わす。）で示さ
れるポルフィリン系化合物を含有する光学記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ポルフィリン系化
合物を記録層として用いた光学記録媒体に関するもので
ある。詳しくは、青色レーザー光に対応する光学記録媒
体に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザーを用いる光学記録は、高密度の
情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特
に開発が取り進められている。光学記録媒体の一例とし
ては光ディスクを挙げることができる。一般に、光ディ
スクは、円形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ
程度に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報を記
録するものである。その光ディスクの中でも最近注目を
集めているものに、書き込み型コンパクトディスク（Ｃ
Ｄ−Ｒ）がある。ＣＤ−Ｒは通常、案内溝を有するプラ
スチック基板上に色素を主成分とする記録層、金属反射
膜、保護膜を順次積層して構成される。情報の記録は、
照射されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その
箇所の記録層、反射層または基板に、分解、蒸発、溶解
等の熱的変形が生成することにより行われまた、記録さ
れた情報の再生は、レーザー光により変形が起きている
部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることに
より行われる。したがって、光学記録媒体としてはレー
ザー光のエネルギーを効率よく吸収する必要があり、レ
ーザー吸収色素が用いられる。

【０００３】このような有機色素を利用した光記録媒体
は、有機色素溶液の塗布による簡単な方法で記録層を形
成し得るため安価な光記録媒体としてますます普及する
ことが期待され、その結果一層の高密度化が要望されて
いる。このため、記録に用いるレーザー光を従来の７８
０ｎｍを中心とした半導体レーザーから青色光領域にま
で短波長化することが検討されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、青色レーザ
ー光に対応する光学記録媒体として、ポルフィリン系化
合物を用いた光学記録媒体を提供することを目的とする
ものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らはこの目的を
達成するべく鋭意検討した結果、記録層に下記一般式
（Ｉ）で示されるポルフィリン系化合物を使用した光学
記録媒体が青色レーザーで良好に記録できることを見い
出した。すなわち本発明は、基板上にレーザーによる情
報の書き込み及び／又は読み取りが可能な記録層が設け
られた光学記録媒体において、該記録層が下記一般式
（Ｉ）

【０００６】

【化２】

【０００７】（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、それぞれ独立し
て、置換基を有していてもよい芳香族環又は複素環を表
わし、Ｘ¹〜Ｘ⁸はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲ
ン原子又はニトロ基を表わし、Ｍは水素原子又は金属を
表わす。）で示されるポルフィリン系化合物を含有する
ことを特徴とする光学記録媒体をその要旨とする。

【０００８】本発明におけるポルフィリン系化合物は４
００〜５００ｎｍの青色光領域にモル吸光係数が大き
く、シャープな吸収（Ｓｏｒｅｔ帯）を有し、青色レー
ザーでの記録に適する。またポルフィリン化合物の中で
は合成が比較的容易であることから、安価な光記録媒体
を提供することができる。さらに高い光安定性、耐熱性
を有し、安定性が要求される光記録媒体に好適である。
以下、本発明につき詳細に説明する。

【０００９】

【発明の実施の形態】前記一般式（Ｉ）において、Ｒ¹
〜Ｒ⁴で表わされる置換されていてもよい芳香環又は複
素環としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン
環、インデン環、フェナントレン環、チオフェン環、フ
ラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、
トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、チア
ジアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン
環、ピリダジン環、トリアジン環、ピラン環、インデン
環、ベンゾフラン環、インドール環、ベンゾチオフェン
環、ベンズイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、キノ
リン環、クマリン環、キノキサリン環、アズレン環、フ
ルオレン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、アク
リジン環、フェナントロリン環、フェノチアジン環等が
挙げられるが、特にベンゼン環、ピリジン環、チオフェ
ン環が好ましい。

【００１０】前記芳香環又は複素環上の置換基としては
水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭
素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプ
ロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基等の炭素数３〜１０のシクロアルキル基；メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポ
キシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、エト
キシカルボニルプロポキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ
−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の置換さ
れていてもよい炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアル
コキシ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、
イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロ
イル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２
〜２１の直鎖または分岐のアルキルカルボニル基；ビニ
ル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキ
セニル基等の炭素数２〜２０の直鎖または分岐のアルケ
ニル基又は対応するアルケニルオキシ基、シクロペンテ
ニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１０のシク
ロアルケニル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等の
ハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキ
シル基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の
炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基；メトキシカル
ボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプ
ロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔ
ｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカル
ボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキ
シルオキシカルボニル基等の置換されていてもよい炭素
数２〜２１の直鎖または分岐のアルコキシカルボニル
基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキ
シ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピル
カルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、
トリフルオロエチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブ
チルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオ
キシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシ
ルカルボニルオキシ基等の置換されていてもよい炭素数
２〜２１の直鎖または分岐のアルキルカルボニルオキシ
基；ニトロ基；シアノ基；アミノ基；メチルアミノ基、
エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルア
ミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ
−プロピルアミノ基、ジ−ｉｓｏ−プロピルアミノ基、
ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ基
等の直鎖または分岐の炭素数１〜２０のアルキルアミノ
基；ジフェニルアミノ基；トリメチルアミノ基、トリエ
チルアミノ基等の炭素数３〜９のトリアルキルアミノ
基；メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメ
チル基、エトキシエチル基、ｎ−プロポキシエチル基、
ｎ−プロポキシプロピル基、イソプロポキシメチル基、
イソプロポキシエチル基等の炭素数２〜２１の直鎖また
は分岐のアルコキシアルキル基；メトキシカルボニルメ
チル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボ
ニルメチル基、エトキシカルボニルエチル基、ｎ−プロ
ポキシカルボニルエチル基、ｎ−プロポキシカルボニル
プロピル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、イソ
プロポキシカルボニルエチル基等の炭素数３〜２２の直
鎖または分岐のアルコキシカルボニルアルキル基；メチ
ルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプ
ロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチ
オ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ
−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐
のアルキルチオ基；メチルスルホニル基、エチルスルホ
ニル基、フルオロエチルスルホニル基、ｎ−プロピルス
ルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルス
ルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−
ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−
ヘキシルスルホニル基等の置換されていてもよい炭素数
１〜２０の直鎖または分岐のアルキルスルホニル基；置
換基を有していてもよいフェニル基；置換基を有してい
てもよいフェノキシ基；置換基を有していてもよいフェ
ニルチオ基；−ＣＲ⁵＝Ｃ（ＣＮ）Ｒ⁶（Ｒ⁵は水素原
子、または炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基
を表わし、Ｒ⁶はシアノ基または前記炭素数２〜７の直
鎖または分岐のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７
の直鎖または分岐のフッ化アルコキシカルボニル基を表
わす。）；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチ
ル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、ヘプタフルオ
ロイソプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル基、パー
フルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフルオロ−ｓｅｃ
−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、パーフル
オロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または
分岐のフルオロアルキル基；トリフルオロメトキシ基、
ペンタフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロ
ポキシ基、ヘプタフルオロイソプロポキシ基、パーフル
オロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブト
キシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブトキシ基、パーフル
オロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキ
シルオキシ基、ブロモドデシルオキシ基等炭素数１〜２
０の直鎖または分岐のハロアルコキシ基；トリフルオロ
メチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプタフ
ルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソプロ
ピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、パーフ
ルオロ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｓｅ
ｃ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ
基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜
２０の直鎖または分岐のハロアルキルチオ基等が挙げら
れ、置換数は１個でも複数でも構わない。また上記芳香
環がベンゼン環、ピリジン環等の場合、上記置換基の置
換位置はオルト位、またはメタ位が好ましい。

【００１１】上記トリアルキルアミノ基の場合の対イオ
ンはアニオンであれば特に制限されないが、Ｆ^-、Ｃｌ
^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＣＨ₃ＣＯＯ^-、ＣＦ₃ＣＯＯ^-、
ＢＦ ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、

【００１２】

【化３】

【００１３】等が挙げられる。また上記芳香環がピロー
ル環、ピリジン環等の窒素含有複素環の場合、上記置換
基は窒素原子を四級化する形で導入されていてもよい。
その場合の対イオンはアニオンであれば特に制限されな
いが、トリアルキルアミノ基の対イオンと同様のアニオ
ン等が挙げられる。前記一般式（Ｉ）において、Ｘ¹〜
Ｘ⁸は、それぞれ独立して、水素原子；フッ素原子、塩
素原子、臭素原子等のハロゲン原子又はニトロ基を表わ
す。

【００１４】前記一般式（Ｉ）において、Ｍとしては水
素原子、または金属原子が挙げられる。金属原子として
は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａ
ｓ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｒ、Ｅ
ｕ、Ｙｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、
Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｈ等一般にポルフィ
リン系化合物に配位する能力のある金属なら特に制限は
ない。特に、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐｄ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｐｂ等が好ましい。また、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｓｎ
等の金属の場合は、軸配位子としてＦ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ
^-、Ｉ^-等のハロゲンイオン；ＯＲ^-、ＮＣＳ^-、Ｎ₃
^-、ＯＨ^-、ＣＮ^-、ＣＨ₃ＣＯＯ^-、ＣＦ₃ＣＯ
Ｏ^-、ＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、トシルオキ
シ、フェノキシ等のアニオン；ピリジン、イミダゾール
等の塩基；ＮＯ、ＣＯ、Ｏ₂等のガス；水を有していて
もよい。ここでＲはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル
基等の炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルキル基を
表わす。本発明のポルフィリン化合物としては例えば以
下の構造のものが挙げられる。

【００１５】

【化４】

【００１６】

【化５】

【００１７】

【化６】

【００１８】

【化７】

【００１９】

【化８】

【００２０】

【化９】

【００２１】

【化１０】

【００２２】

【化１１】

【００２３】

【化１２】

【００２４】これらのポルフィリン系化合物は１種類を
用いてもよいし、数種類を混合して使用しても構わな
い。前記一般式（Ｉ）で示されるポルフィリン系化合物
の無金属体は例えば下記一般式（II）で示されるアルデ
ヒド誘導体と下記一般式（III)で示されるピロール誘導
体をプロピオン酸等の有機溶媒中で加熱することにより
合成することが出来る。アルデヒド誘導体を２種類以上
用いると混合物が得られるのでカラム等で分離、精製を
行なうことにより、所定の置換体が得られる。

【００２５】

【化１３】

【００２６】（式中、Ｒは前述のＲ¹〜Ｒ⁴で示される
置換基を有していてもよい芳香環又は複素環と同意義を
示し、Ｘ、Ｘ′はそれぞれ前述のＸ¹〜Ｘ⁸の定義と同
意義を示す。）

【００２７】上記方法にて合成した無金属ポルフィリン
化合物を酢酸、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ベンゼ
ン、エーテル、クロロホルム、ピリジン等の有機溶媒中
でハロゲン化物、酢酸塩、金属アセチルアセトナート錯
体、金属カルボニル錯体等の金属塩と加熱することによ
り中心金属Ｍを導入したポルフィリン系化合物が合成さ
れる。

【００２８】また、芳香環又は複素環への置換基の導入
はポルフィリン環を形成する前、形成した後のどちらで
も構わない。例えばポルフィリン環形成後のピリジン環
等への置換基の導入は、上記で得られたポルフィリン化
合物をアルキルブロマイド等のハロゲン化物とＮ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド等の有機溶媒中で炭酸カリウム等
の塩基存在下で加熱することにより行なわれる。また、
前記一般式（Ｉ）においてＸ¹〜Ｘ⁸のいずれかがハロ
ゲン原子である化合物は上記方法で得られたポルフィリ
ン化合物をハロゲン化剤を用いてハロゲン化することに
よって、ニトロ基の場合はニトロ化剤を用いてニトロ化
することによっても得られる。

【００２９】本発明の光学記録媒体は、基本的には、少
なくとも基板と前記ポルフィリン系化合物を含む記録層
とから構成されるものであるが、さらに必要に応じて基
板上に下引き層を設けることができる。前記基板として
は、使用するレーザー光に対して透明なものが好まし
く、ガラスや種々のプラスチックが用いられる。プラス
チックとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、
ニトロセルロース、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられるが、高生産性、コ
スト、耐吸湿性の点から射出成型ポリカーボネート樹脂
基板が特に好ましい。

【００３０】本発明の光学記録媒体におけるポルフィリ
ン系化合物を含有する記録層の膜厚は１００Å〜５μ
ｍ、好ましくは７００Å〜３μｍである。記録層の成膜
方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクタ
ーブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一般
に行われている薄膜形成法で成膜することができるが、
量産性、コスト面からスピナー法が好ましい。

【００３１】記録層はポルフィリン系化合物単独でも良
いが、必要に応じてバインダーを使用することもでき
る。バインダーとしてはポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢酸
セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート
等既知のものが用いられる。この場合本発明のポルフィ
リン系化合物は、樹脂中に１０重量％以上含有されてい
ることが好ましい。

【００３２】スピナー法による成膜の場合、回転数は５
００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、
場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処
理を行ってもよい。また、記録層の安定や耐光性向上の
ために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレー
ト化合物（たとえば、アセチルアセトナート、ビスフェ
ニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジ
チオ−α−ジケトン等のキレート）等や、記録感度向上
のために金属系化合物等の記録感度向上剤を含有してい
てもよい。ここで金属系化合物とは、遷移金属等の金属
が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれる
ものを言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチ
ン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナン
トロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジ
オキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピ
リジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯
体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有
機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定
されないが、遷移金属であることが好ましい。

【００３３】さらに、必要に応じて他の色素を併用する
こともできる。他の色素としては、主として記録用のレ
ーザー波長域に吸収を有し、照射されたレーザー光エネ
ルギーの吸収によって、その箇所の記録層、反射層また
は基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を伴いピット
が形成されるならば特に制限されない。ドクターブレー
ド法、キャスト法、スピナー法、浸漬法、特にスピナー
法等の塗布方法により記録層を形成する場合の塗布溶媒
としては、基板を侵さない溶媒なら特に限定されない。
例えば、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−
メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒、メ
チルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶
媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の炭化水素系溶媒、
シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロ
ヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロ
ヘキサン、ｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン
等の炭化水素系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチ
ルエーテル等のエーテル系溶媒、テトラフルオロプロパ
ノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロ
ブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶
媒、乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒド
ロキシエステル系溶媒等が挙げられる。

【００３４】また、記録層上に金、銀、アルミニウムま
たはそれらの合金等の金属反射層および保護層を設けて
高反射率の媒体としてもよい。反射層としては金、銀、
アルミニウム等が挙げられるが、金やアルミニウムで
は、本発明で使用する５３０ｎｍ以下の波長のレーザー
光では反射率が十分ではなく、銀であることが好まし
い。金属反射層は、蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法等によって成膜される。なお、金属反
射層と記録層の間に層間の密着力を向上させるため、ま
たは、反射率を高める等の目的で中間層を設けてもよ
い。保護層としては、例えば、ＵＶ硬化樹脂組成物など
が挙げられる。また、接着層を介して貼りあわせ両面記
録型光記録媒体としてもよいし、記録層を基板の両面に
設けてもよいし、片面に設けてもよい。

【００３５】本発明の光学記録媒体に使用されるレーザ
ー光は高密度記録のため波長は短いほど好ましいが、特
に３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザー光が好ましい。か
かるレーザーの代表例としては、中心波長４１０ｎｍ、
５４５ｎｍのレーザーが挙げられる。波長３５０ｎｍ〜
５３０ｎｍの範囲のレーザー光の一例は４１０ｎｍの青
色または５１５ｎｍの青緑色の高出力半導体レーザーを
使用することにより得ることが出来るが、その他、例え
ば、（ａ）基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発
振可能な半導体レーザー又は（ｂ）半導体レーザーによ
って励起されかつ基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの
連続発振可能な固体レーザーのいずれかを第二高調波発
生素子（ＳＨＧ）により波長変換することによっても得
ることが出来る。

【００３６】

【実施例】以下実施例によりこの発明を具体的に説明す
るが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発明
を限定するものではない。実施例１（ａ）ポルフィリン化合物の合成イソニコチンアルデヒド１０．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）
のプロピオン酸３５０ｍｌ溶液を撹拌、還流し、その中
へピロール６．７１ｇ（１００ｍｍｏｌ）をゆっくり滴
下した。１時間還流後、放冷して析出する結晶をろ別
し、アルミナカラムで精製すると下記構造式（Ｖ）で示
される５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジル）
ポルフィリン１．７９ｇ（収率１１．６％）が得られ
た。この化合物のクロロホルム中でのλmax は４１７ｎ
ｍであり、モル吸光係数は３．８３×１０⁵であった。
この化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクト
ルを図１に示す。

【００３７】

【化１４】

【００３８】（ｂ）記録媒体の製造構造式（Ｖ）で示されるポルフィリン化合物の１重量％
オクタフルオロペンタノール溶液を調製し、ろ過して、
溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２
ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、
スピナー法により塗布した。塗布後、１００℃で３０分
間乾燥した。次に、この塗布膜の上にスパッタリング法
により、膜厚１０００Åの銀膜を成膜し、反射層を形成
した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピ
ンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５
μｍの保護層を形成した。塗布膜（記録層）の最大吸収
波長は４３５ｎｍであった。塗布膜の可視部吸収スペク
トルを図２に示す。得られた光記録媒体の４８８ｎｍに
おける反射率は５５％であった。

【００３９】（ｃ）光記録法上記光記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレー
ザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成する
ことが出来た。

【００４０】実施例２（ａ）ポルフィリン化合物の合成イソニコチンアルデヒド４．０７ｇ（３８ｍｍｏｌ）、
ｐ−トルアルデヒド１３．５ｇ（１１２ｍｍｏｌ）のプ
ロピオン酸５００ｍｌ溶液を撹拌、還流し、その中へピ
ロール１０．１ｇ（１５０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し
た。１時間還流後、放冷して析出する結晶をろ別し、シ
リカゲルカラムで精製すると下記構造式（VI）で示され
る５，１０，１５−トリ（４−トリル）−２０−（４−
ピリジル）ポルフィリン０．５０ｇ（収率２．０％）が
得られた。

【００４１】次に化合物（VI）０．１０ｇ（０．１５ｍ
ｍｏｌ）、ｎ−ヘキシルブロミド０．２５ｇ（１．５２
ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド９０ｍｌの
混合溶液を窒素雰囲気下で３時間加熱、還流した。放冷
後、溶媒を減圧下除去し、シリカゲルカラムで精製する
と、下記構造式（VII)で示される５，１０，１５−トリ
（４−トリル）−２０−〔４−Ｎ−（ｎ−ヘキシル）ピ
リジル〕ポルフィリン、ブロミド０．１１ｇ（収率８
５．５％）が得られた。この化合物のクロロホルム中で
のλmax は４２２ｎｍであり、モル吸光係数は１．５０
×１０⁵であった。この化合物のクロロホルム溶液中の
可視部吸収スペクトルを図３に示す。

【００４２】

【化１５】

【００４３】（ｂ）記録媒体の製造構造式（VII)で示されるポルフィリン化合物の１重量％
オクタフルオロペンタノール溶液を用い、実施例１と同
様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反射
層、保護層を形成した。塗布膜の最大吸収波長は４３５
ｎｍであった。塗布膜の可視部吸収スペクトルを図４に
示す。得られた光記録媒体の４８８ｎｍにおける反射率
は６０％であった。

【００４４】（ｃ）光記録法上記光記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレー
ザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成する
ことが出来た。

【００４５】実施例３（ａ）ポルフィリン化合物の合成構造式（VI）で示される化合物０．１３ｇ（０．２０ｍ
ｍｏｌ）、ファルネシルブロミド０．４８ｇ（１．６８
ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１２０ｍｌ
の混合溶液を窒素雰囲気下で３時間加熱、還流した。放
冷後、溶媒を減圧下除去し、シリカゲルカラムで精製す
ると、下記構造式（VIII）で示される５，１０，１５−
トリ（４−トリル）−２０−〔４−Ｎ−ファルネシルピ
リジル〕ポルフィリン、ブロミド０．０１９ｇ（収率１
０．２％）が得られた。

【００４６】この化合物のクロロホルム中でのλmax は
４２２ｎｍであり、モル吸光係数は１．３３×１０⁵で
あった。この化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収
スペクトルを図５に示す。

【００４７】

【化１６】

【００４８】（ｂ）記録媒体の製造構造式（VIII) で示されるポルフィリン化合物の１重量
％オクタフルオロペンタノール溶液を用い、実施例１と
同様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反
射層、保護層を形成した。塗布膜の最大吸収波長は４３
３ｎｍであった。塗布膜の可視部吸収スペクトルを図６
に示す。得られた光記録媒体の４８８ｎｍにおける反射
率は６２％であった。

【００４９】（ｃ）光記録法上記光記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレー
ザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成する
ことが出来た。

【００５０】実施例４（ａ）ポルフィリン化合物の合成構造式（VI）で示される化合物０．１３ｇ（０．２０ｍ
ｍｏｌ）、１１−ブロモウンデカン酸メチル０．５６ｇ
（２．０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１
２０ｍｌの混合溶液を窒素雰囲気下で３時間加熱、還流
した。放冷後、溶媒を減圧下除去し、シリカゲルカラム
で精製すると、下記構造式（IX）で示される５，１０，
１５−トリ（４−トリル）−２０−〔４−（１０−カル
ボメトキシ）デシルピリジル〕ポルフィリン、ブロミド
０．１６ｇ（収率８５．４％）が得られた。この化合物
のクロロホルム中でのλmax は４２２ｎｍであり、モル
吸光係数は１．４６×１０⁵であった。

【００５１】

【化１７】

【００５２】（ｂ）記録媒体の製造構造式（IX）で示されるポルフィリン化合物の１重量％
オクタフルオロペンタノール溶液を用い、実施例１と同
様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反射
層、保護層を形成した。塗布膜の最大吸収波長は４３６
ｎｍであった。得られた光記録媒体の４８８ｎｍにおけ
る反射率は６０％であった。

【００５３】（ｃ）光記録法上記光記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレー
ザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成する
ことが出来た。

【００５４】実施例５（ａ）ポルフィリン化合物の合成ニコチンアルデヒド１０．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）のプ
ロピオン酸３５０ｍｌ溶液を撹拌、還流し、ピロール
６．７１ｇ（１００ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。１
時間還流後、放冷して析出する結晶をろ別し、アルミナ
カラムで精製すると下記構造式（Ｘ）で示される５，１
０，１５，２０−テトラ（３−ピリジル）ポルフィリン
１．８５ｇ（収率１２．０％）が得られた。この化合物
のクロロホルム中でのλmax は４１８ｎｍであり、モル
吸光係数は４．４６×１０⁵であった。

【００５５】

【化１８】

【００５６】（ｂ）記録媒体の製造構造式（Ｘ）で示されるポルフィリン化合物の１重量％
オクタフルオロペンタノール溶液を用い、実施例１と同
様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反射
層、保護層を形成した。塗布膜の最大吸収波長は４３１
ｎｍであった。得られた光記録媒体の４８８ｎｍにおけ
る反射率は５５％であった。

【００５７】（ｃ）光記録法上記光記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレー
ザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成する
ことが出来た。

【００５８】実施例６（ａ）ポルフィリン化合物の合成イソニコチンアルデヒド８．１４ｇ（７６ｍｍｏｌ）、
ｐ−トルアルデヒド９．０ｇ（７６ｍｍｏｌ）のプロピ
オン酸５００ｍｌ溶液を撹拌、還流し、ピロール１０．
１ｇ（１５０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。１時間還
流後、放冷して析出する結晶をろ別し、アルミナカラム
で精製すると下記構造式（XI）で示される５，１０−ジ
（４−トリル）−１５，２０−ジ（４−ピリジル）ポル
フィリン及び（XII)で示される５，１５−ジ（４−トリ
ル）−１０，２０−ジ（４−ピリジル）ポルフィリン
１．３８ｇ（収率５．７％）が得られた。この化合物の
クロロホルム中でのλmax は４１９ｎｍであり、モル吸
光係数は４．５４×１０⁵であった。

【００５９】

【化１９】

【００６０】（ｂ）記録媒体の製造構造式（XI），(XII) で示されるポルフィリン化合物
（混合物）の１重量％オクタフルオロペンタノール溶液
を用い、実施例１と同様にポリカーボネート樹脂基板上
に塗布し、次いで反射層、保護層を形成した。塗布膜の
最大吸収波長は４３０ｎｍであった。得られた光記録媒
体の４８８ｎｍにおける反射率は５６％であった。

【００６１】（ｃ）光記録法上記光記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレー
ザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成する
ことが出来た。

【００６２】実施例７（ａ）ポルフィリン化合物の合成ニコチンアルデヒド４．０７ｇ（３８ｍｍｏｌ）、ｐ−
トルアルデヒド１３．５ｇ（１１２ｍｍｏｌ）のプロピ
オン酸５００ｍｌ溶液を撹拌、還流し、ピロール１０．
１ｇ（１５０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。１時間還
流後、放冷して析出する結晶をろ別し、シリカゲルカラ
ムで精製すると下記構造式（XIII）で示される５，１
０，１５−トリ（４−トリル）−２０−（３−ピリジ
ル）ポルフィリン０．７９ｇ（収率３．２％）が得られ
た。次に化合物（XIII）０．２０ｇ（０．３ｍｍｏ
ｌ）、ｎ−オクタデシルブロミド４．０６ｇ（１２ｍｍ
ｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１８０ｍｌの混
合溶液を窒素雰囲気下で３時間加熱、還流した。放冷
後、溶媒を減圧下除去し、シリカゲルカラムで精製する
と、下記構造式（XIV)で示される５，１０，１５−トリ
（４−トリル）−２０−〔３−Ｎ−（ｎ−オクタデシ
ル）ピリジル〕ポルフィリン、ブロミド０．１８ｇ（収
率６０．５％）が得られた。この化合物のクロロホルム
中でのλmax は４２６ｎｍであり、モル吸光係数は２．
４０×１０⁵であった。

【００６３】

【化２０】

【００６４】（ｂ）記録媒体の製造構造式（XIV)で示されるポルフィリン化合物の１重量％
オクタフルオロペンタノール溶液を使用し、実施例１と
同様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反
射層、保護層を形成した。塗布膜の最大吸収波長は４３
３ｎｍであった。得られた光記録媒体の４８８ｎｍにお
ける反射率は６５％であった。

【００６５】（ｃ）光記録法上記光記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレー
ザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成する
ことが出来た。

【００６６】実施例８（ａ）ポルフィリン化合物の合成ピコリンアルデヒド４．０７ｇ（３８ｍｍｏｌ）、ｐ−
トルアルデヒド１３．５ｇ（１１２ｍｍｏｌ）のプロピ
オン酸５００ｍｌ溶液を撹拌、還流し、ピロール１０．
１ｇ（１５０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。１時間還
流後、放冷して析出する結晶をろ別し、シリカゲルカラ
ムで精製すると下記構造式（XV）で示される５，１０，
１５−トリ（４−トリル）−２０−（２−ピリジル）ポ
ルフィリン０．８８ｇ（収率３．６％）が得られた。次
に化合物（XV）０．１０ｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、ｎ−
オクタデシルブロミド２．０３ｇ（６ｍｍｏｌ）、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド９０ｍｌの混合溶液を窒素雰
囲気下で３時間加熱、還流した。放冷後、溶媒を減圧下
除去し、シリカゲルカラムで精製すると、下記構造式
（XVI)で示される５，１０，１５−トリ（４−トリル）
−２０−〔２−Ｎ−（ｎ−オクタデシル）ピリジル〕ポ
ルフィリン、ブロミド０．０７５ｇ（収率４９．８％）
が得られた。この化合物のクロロホルム中でのλmax は
４２４ｎｍであり、モル吸光係数は２．６９×１０⁵で
あった。

【００６７】

【化２１】

【００６８】（ｂ）記録媒体の製造構造式（XVI)で示されるポルフィリン化合物の１重量％
オクタフルオロペンタノール溶液を使用し、実施例１と
同様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反
射層、保護層を形成した。塗布膜の最大吸収波長は４３
０ｎｍであった。得られた光記録媒体の４８８ｎｍにお
ける反射率は６４％であった。

【００６９】（ｃ）光記録法上記光記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレー
ザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成する
ことが出来た。

【００７０】実施例９（ａ）ポルフィリン化合物の合成イソニコチンアルデヒド４．０７ｇ（３８ｍｍｏｌ）、
２−チオフェンカルボキシアルデヒド１２．６ｇ（１１
２ｍｍｏｌ）のプロピオン酸５００ｍｌ溶液を撹拌、還
流し、ピロール１０．１ｇ（１５０ｍｍｏｌ）をゆっく
り滴下した。１時間還流後、放冷して析出する結晶をろ
別し、シリカゲルカラムで精製すると下記構造式（XVI
I）で示される５，１０，１５−トリ（２−チエニル）
−２０−（４−ピリジル）ポルフィリン０．３７ｇ（収
率１．５％）が得られた。次に化合物（XVII）０．１０
ｇ（０．１６ｍｍｏｌ）、ｎ−オクタデシルブロミド
０．５３ｇ（１．６ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド９０ｍｌの混合溶液を窒素雰囲気下で３時間加
熱、還流した。放冷後、溶媒を減圧下除去し、シリカゲ
ルカラムで精製すると、下記構造式（XVIII)で示される
５，１０，１５−トリ（２−チエニル）−２０−〔４−
Ｎ−（ｎ−オクタデシル）ピリジル〕ポルフィリン、ブ
ロミド０．０４９ｇ（収率３２．０％）が得られた。こ
の化合物のクロロホルム中でのλmax は４３０ｎｍであ
り、モル吸光係数は１．６５×１０⁵であった。

【００７１】

【化２２】

【００７２】（ｂ）記録媒体の製造構造式（XVIII)で示されるポルフィリン化合物の１重量
％オクタフルオロペンタノール溶液を用い、実施例１と
同様にポリカーボネート樹脂基板上に塗布し、次いで反
射層、保護層を形成した。塗布膜の最大吸収波長は４３
９ｎｍであった。得られた光記録媒体の４８８ｎｍにお
ける反射率は６２％であった。

【００７３】（ｃ）光記録法上記光記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレー
ザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成する
ことが出来た。

【００７４】実施例１０−５２実施例１と同様にして表−１に示す化合物を合成した。
その最大吸収波長、分子吸光係数（ε）を示す。また、
それらのポルフィリン系化合物を用いて実施例１と同様
に基板上に塗布して光学記録媒体を製造した。その塗布
膜の最大吸収波長を表−１に示した。得られた光学記録
媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレーザーを用い
て記録を行ったところ、いずれも良好な記録ピットを形
成することが出来た。

【００７５】

【表１】

【００７６】

【表２】

【００７７】

【表３】

【００７８】

【表４】

【００７９】ここで表−１中の略号は以下の通りであ
る。

【００８０】

【化２３】

【００８１】

【発明の効果】本発明のポルフィリン系化合物を用いた
光学記録媒体により、安価で、耐光性、耐熱性に優れる
高密度の記録媒体が提供され、工業的に極めて有用なも
のである。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で得られたポルフィリン化合物のクロ
ロホルム溶液中の吸収スペクトル図。

【図２】実施例１で得られたポルフィリン化合物のポリ
カーボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトル図。

【図３】実施例２で得られたポルフィリン化合物のクロ
ロホルム溶液中の吸収スペクトル図。

【図４】実施例２で得られたポルフィリン化合物のポリ
カーボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトル図。

【図５】実施例３で得られたポルフィリン化合物のクロ
ロホルム溶液中の吸収スペクトル図。

【図６】実施例３で得られたポルフィリン化合物のポリ
カーボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトル図。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にレーザーによる情報の書き込み
及び／又は読み取りが可能な記録層が設けられた光学記
録媒体において、該記録層が下記一般式（Ｉ）【化１】（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、それぞれ独立して、置換基を有
していてもよい芳香環又は複素環を表わし、Ｘ¹〜Ｘ⁸
はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又はニトロ
基を表わし、Ｍは水素原子又は金属を表わす。）で示さ
れるポルフィリン系化合物を含有することを特徴とする
光学記録媒体。
【請求項２】一般式（Ｉ）において、Ｒ¹〜Ｒ⁴が、
それぞれ独立して、置換基を有していてもよいベンゼン
環、ピリジン環又はチオフェン環であり、Ｘ ¹〜Ｘ
⁸が、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子又は
ニトロ基であることを特徴とする請求項１記載の光学記
録媒体。
【請求項３】書き込み及び読み取りのレーザー波長が
ともに３５０ｎｍ〜５３０ｎｍであることを特徴とする
請求項１又は２記載の光学記録媒体。